TWI660502B - 具有連接包覆電極的有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置，其中有一連接包覆電極設置在薄膜電晶體和發光結構之間。連接包覆電極可包含一修復切割區域，修復切割區域重疊於下基板的透明區域。因此，此有機發光顯示裝置可防止修復切割區域造成透明區域的面積減少的問題。

Description

具有連接包覆電極的有機發光顯示裝置
本發明涉及一種有機發光顯示裝置，其中連接包覆電極將薄膜電晶體接至發光結構。
諸如螢幕、電視、膝上型電腦和數位相機的電子電器一般都包含用來實現影像的顯示裝置。顯示裝置可例如包含液晶顯示裝置和有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置可為透明顯示裝置。有機發光顯示裝置的每個畫素區域可例如包含一發光區域和一透明區域。一發光結構和控制發光結構的電路可設置在發光區域內。外界光線可穿過透明區域。
發光區域可顯示各種顏色來實化影像。舉例來說，用來顯示藍色的一藍色發光結構，用來顯示紅色的一紅色發光結構、用來顯示綠色的一綠色發光結構，用來顯示白色的一白色發光結構可設置在發光區域中。每個發光結構可包含一下發光電極、一有機發光層和一上發光電極，這三者相繼堆疊。
在製造有機發光顯示裝置的過程中所產生的粒子可能會導致某些發光結構出現缺陷。為了減少有缺陷的發光結構造成影像品質下降的情況，有機發光顯示裝置的製造過程可包含一修復過程。例如，有機發光顯示裝置的修復過程可包含當粒子導致下發光電極與上發光電極發生短路時，使下發光電極與對應電路電性斷開的步驟。
將有缺陷的發光結構的下發光電極與對應電路電性斷開的步驟可包含一雷射切割程序。舉例來說，有機發光顯示裝置的修復過程可包含利用雷射切割部分的下發光電極。為了方便進行這個程序，修復過程要切割的下發光電極的修復切割區域可重疊於下基板的透明區域。
然而，由於有機發光顯示裝置的下發光電極包含一反射層，使得修復切割區域會導致透明區域面積變小。並且，在有機發光顯示裝置中，修復切割區域可能設置在下基板的發光區域，以防止減少透明區域面積變小，但造成發光區域的開口變小。因此，修復過程有可能會導致有機發光顯示裝置的發光效能下降，修復切割區域附近的元件被毀傷。
因此，本發明的實施例指向一種具有連接包覆電極的有機發光顯示裝置，其大體上解決了因現有領域的限制和缺點所導致的一或多個問題。
本發明的其中一個觀點在於，提供一種有機發光顯示裝置，可防止一修復切割區域造成透明區域的面積減少。
本發明的另一觀點在於，提供一種有機發光顯示裝置，可增加透明區域的透射率，而不會減少發光區域的開口。
將在下面的描述中闡述附加特徵和觀點，其中部分的附加特徵和觀點在說明書中將是顯而易知的，或者也可藉由實踐本文所提供的發明概念而得知。這些發明概念的其他特徵和觀點可藉由書面說明中具體指出或推導出的結構以及其請求項、附圖來實現並獲得。
為達到本發明概念的這些或其他觀點，如實施的及廣義的方式來說，一有機發光顯示裝置包含一下基板。下基板包含一發光區域和一透明區域。一薄膜電晶體設置在下基板的發光區域上。一發光結構位於薄膜電晶體上。發光結構包含一下發光電極、一有機發光層和一上發光電極，下發光電極、有機發光層和上發光電極相繼堆疊。發光結構經由一連接包覆電極電性連接薄膜電晶體。連接包覆電極的透射率高於下發光電極的透射率。連接包覆電極包含一修復切割區域，此修復切割區域重疊於下基板的透明區域。
所述連接包覆電極可包含一導電氧化物，例如ITO。
一第一連接電極可設置在薄膜電晶體與連接包覆電極之間。第一連接電極可連接薄膜電晶體。連接包覆電極可更包含一第一包層區域，此第一包層區域覆蓋第一連接電極。
一第二連接電極可設置在一下覆蓋層與連接包覆電極之間。第二連接電極可與第一連接電極隔開。連接包覆電極可更包含一第二包層區域，此第二包層區域覆蓋第二連接電極。修復切割區域可設置在第一包層區域與第二包層區域之間。
第一連接電極和第二連接電極可在下基板的發光區域上沿連接包覆電極延伸。
在另一觀點，一有機發光顯示裝置包含一下基板。下基板包含一發光區域和一透明區域。一薄膜電晶體設置在下基板的發光區域上。一下覆蓋層設置在薄膜電晶體上。下覆蓋層包含一下穿孔，此下穿孔暴露部分的薄膜電晶體。一第一連接電極設置在下覆蓋層上。第一連接電極透過下穿孔連接薄膜電晶體。一第二連接電極設置在下覆蓋層上。第二連接電極與第一連接電極隔開。一上覆蓋層設置在第一連接電極和第二連接電極上。上覆蓋層包含一上穿孔，此上穿孔重疊於第二連接電極。一發光結構設置在上覆蓋層上。發光結構包含一下發光電極，此下發光電極透過上穿孔連接第二連接電極。一連接包覆電極設置在下覆蓋層與上覆蓋層之間。連接包覆電極連接於第一連接電極與第二連接電極之間。連接包覆電極包含一修復切割區域，此修復切割區域重疊於下基板的透明區域。
連接包覆電極的透射率可高於第一連接電極、第二連接電極和下發光電極的透射率。
應理解的是，前述的一般性描述以及後續的詳細描述皆為示例性的和解釋性的，用意在於對請求保護的發明構思作進一步解釋。
以下，藉由參照描述本發明部分實施例之附圖所作的後續詳細說明將可清楚地了解上述本發明各實施例的目的、技術配置和運作功效的相關細節。這裡的本發明各實施例是為了使本發明技術精神能令人滿意地傳達給本領域的技術人員而提供的，因此本發明也有可能是以其他形式來實現且不限於以下所述的實施例。
此外，整篇說明書中，相同的元件符號可表明相同或極相似的元件，並且為了方便，也可能會增大圖示中的各層和各區域的長度和厚度。將理解的是，當有一第一元件被稱為在一第二元件上時，雖然設置於第二元件上的第一元件可能接觸到第二元件，但也有可能在第一元件與第二元件之間有一第三元件介入。
這裡諸如“第一”、“第二”等用語可用來將區分一元件及另一元件。然而，在不偏離本發明技術精神的情況下，本領域技術人員可隨其方便任意命名第一元件和第二元件。
本發明說明書中採用的用詞僅用於陳明具體實施例，而未意圖限制本發明範疇。舉例來說，除非上下文另有明確指示，否則以單數型態描述的元件旨在涵蓋多個元件。此外，將進一步理解的是，雖然本發明說明書中"包含"和"包括"等術語是用來具體指出載明的特徵、整數、步驟、操作、元素、元件和/或其任意組合的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元素、元件和/或其任意組合的存在或增添。
除非另有定義，否則這裡採用的所有用語(包含技術用語和科學上用語)的涵義與示範性實施例所屬領域具有通常知識者通常理解的涵義相同。將進一步理解的是，諸如一般使用的詞典中所定義的用詞應被理解成具有與其在相關領域的上下文中之含義一致的含義，而不應以理想化或過於拘泥的觀念來理解，除非本文中明確如此定義。
(實施例)
圖1為根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置的佈局的示意圖。圖2A為根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖。圖2B為從圖1沿I-I’取得的示意圖。
參考圖1、2A和2B，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可包含一下基板100、一輔助電極410、發光結構500和一連接包覆電極650。
下基板100可支撐發光結構500。下基板100可包含一絕緣材料。例如，下基板100可包含玻璃或塑膠。
下基板100可包含多個畫素區域。每個畫素區域可包含一發光區域EA和一透明區域TA。發光區域EA可顯示顏色，以實化影像。多個發光結構500可設置在發光區域EA。舉例來說，用來顯示藍色的一藍色發光結構、用來顯示紅色的一紅色發光結構、用來顯示綠色的一綠色發光結構和用來顯示白色的一白色發光結構可設置在發光區域EA中。透明區域TA可為透明的。
如圖1所示，在下基板100上，可設置有一閘極線GL、多條資料線DL1~DL4、一感測線SL、一參考電壓供應線Vref以及一電力供應線VDD。閘極線GL可沿一方向延伸。資料線DL1~DL4可交錯於閘極線GL。資料線DL1~DL4可傳輸資料訊號給設置在發光區域EA內的發光結構500。舉例來說，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可包含四條資料線DL1~DL4。感測線SL可平行於閘極線SL。參考電壓供應線Vref和電力供應線VDD可平行於資料線DL1~DL4。
閘極線GL、資料線DL1~DL4、感測線SL、參考電壓供應線Vref和電力供應線VDD可在發光區域EA內定義出一子發光區域。例如，在每一個子發光區域中可設置用來控制其中一個發光結構500的電路。在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，每一個發光區域EA可包含四個子發光區域，這四個子發光區域被閘極線GL、資料線DL1~DL4、感測線SL、參考電壓供應線Vref和電力供應線VDD隔開。在每個子發光區域中，可設置有一選擇薄膜電晶體TR1、一驅動薄膜電晶體TR2、一感測薄膜電晶體TR3和一儲存電容Cst。
選擇薄膜電晶體TR1可根據閘極線GL提供的一閘極訊號，導通或關閉驅動薄膜電晶體。驅動薄膜電晶體TR2可根據選擇薄膜電晶體TR1的訊號及對應資料線DL1~DL4提供的一資料訊號，提供一驅動電流給對應的發光結構500。每個驅動薄膜電晶體TR2和/或每個發光結構500的退化程度可由對應的感測薄膜電晶體TR3來偵測出來。儲存電容Cst可將選擇薄膜電晶體TR1提供給驅動薄膜電晶體TR2的訊號維持一定時間。
選擇薄膜電晶體TR1和感測薄膜電晶體TR3的結構可相同於驅動薄膜電晶體TR2的結構。舉例來說，驅動薄膜電晶體TR2可包含一半導體圖案210、一閘極絕緣層220、一閘極電極230、一中間絕緣層240、一源極250和一汲極260，如圖2A所示。
半導體圖案210可設置在下基板100上。半導體圖案210可包含一半導體材料。例如，半導體圖案210可包含非晶矽或多晶矽。半導體圖案210可包含一氧化物半導體材料。例如，半導體圖案210可包含氧化銦鎵鋅(IGZO)。
半導體圖案210可包含一源極區域、一汲極區域和一通道區域。通道區域可設置在源極區域與汲極區域之間。通道區域的導電性可低於源極區域和汲極區域的導電性。舉例來說，源極區域和汲極區域可包含導電雜質。
所述的根據本發明實施例的有機發光顯示裝置，每個薄膜電晶體TR1、TR2和TR3的半導體圖案210直接接觸下基板100。然而，本發明另一實施例的有機發光顯示裝置可更包含一緩衝層，此緩衝層設置在下基板100與薄膜電晶體TR1、TR2和TR3之間。緩衝層可延伸超過半導體圖案210。例如，緩衝層可覆蓋下基板100的整個表面。緩衝層可包含一絕緣材料。例如，緩衝層可包含氧化矽。
閘極絕緣層220可設置在半導體圖案210上。閘極絕緣層220可包含一絕緣材料。舉例來說，閘極絕緣層220可包含氧化矽和/或氮化矽。閘極絕緣層220可具有一多層結構。閘極絕緣層220可包含一高介電(high-K)材料。例如，閘極絕緣層220可包含氮化鉿(HfO)或氧化鈦(TiO)。
閘極電極230可設置在閘極絕緣層220上。閘極電極230可重疊於半導體圖案210的通道區域。閘極絕緣層220可將閘極電極230隔絕於半導體圖案210。舉例來說，閘極絕緣層220可包含一側表面，此側表面垂直對齊閘極電極230的一側表面。閘極絕緣層220的側表面可與閘極電極230的側表面連續。
閘極電極230可包含一導電材料。舉例來說，閘極電極230可包含一金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)。閘極電極230可具有一多層結構。圖1所示的閘極線GL可包含與閘極電極230一樣的材料。閘極電極230可與閘極線GL設置在同一層。閘極線GL的結構可例如相同於閘極電極230的結構。
中間絕緣層240可設置在半導體圖案210和閘極電極230上。中間絕緣層240可延伸超出半導體圖案210。舉例來說，中間絕緣層240可直接接觸半導體圖案210外部的緩衝層。中間絕緣層240可包含一絕緣材料。舉例來說，中間絕緣層240可包含氧化矽。
源極250和汲極260可設置在中間絕緣層240上。源極250可電性連接半導體圖案210的源極區域。汲極260可電性連接半導體圖案210的汲極區域。舉例來說，中間絕緣層240可包含一第一中間接觸孔241h和一第二中間接觸孔242h。第一中間接觸孔241h暴露半導體圖案210的源極區域。第二中間接觸孔242h暴露半導體圖案210的汲極區域。汲極260可與源極250隔開。
源極250和汲極260可包含一導電材料。舉例來說，源極250和汲極260可包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)。汲極260可包含與源極250一樣的材料。源極250可具有一多層結構。汲極260的結構可與源極250的結構相同。例如，汲極260可具有一多層結構。
圖1所示的資料線DL1~DL4、參考電壓供應線Vref和電力供應線VDD可包含與源極250和汲極260一樣的材料。資料線DL1~DL4、參考電壓供應線Vref和電力供應線VDD可與源極250和汲極260設置在同一層。舉例來說，資料線DL1~DL4、參考電壓供應線Vref和電力供應線VDD可設置在中間絕緣層240上。資料線DL1~DL4、參考電壓供應線Vref和電力供應線VDD的結構可與源極250和汲極260的結構相同。舉例來說，資料線DL1~DL4和電力供應線VDD可具有一多層結構。
所述的根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，薄膜電晶體TR1、TR2和TR3的每一個皆包含位於閘極電極230與源極/汲極250和260之間的中間絕緣層240。然而，在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中，薄膜電晶體TR1、TR2和TR3的每一個可包含一閘極絕緣層220，閘極絕緣層220位於閘極電極230與源極/汲極250和260之間。
儲存電容Cst可與薄膜電晶體TR1、TR2和TR3隔開，如圖2A所示。儲存電容Cst可電性連接薄膜電晶體TR1、TR2和TR3。儲存電容Cst可例如包含一下電容電極310、一電容絕緣層320和一上電容電極330，下電容電極310、電容絕緣層320和上電容電極330相繼堆疊。
下電容電極310和上電容電極330可包含一導電材料。下電容電極310可例如包含與閘極電極230一樣的材料。下電容電極310的結構可與閘極電極230的結構相同。上電容電極330可包含與源極250和汲極260一樣的材料。上電容電極330的結構可與源極250和汲極260的結構相同。上電容電極330可連接驅動薄膜電晶體TR2的汲極260。上電容電極330可具有一多層結構。
電容絕緣層320可包含一絕緣材料。電容絕緣層320可例如包含氧化矽。電容絕緣層320可具有與中間絕緣層240相同的材料。電容絕緣層320可例如與中間絕緣層240連續。
如圖2A和2B所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可更包含一下絕緣層301，下絕緣層301位於下基板100與儲存電容Cst之間。下絕緣層301的一側表面可與下電容電極310的一側表面連續。下絕緣層301可例如包含與閘極絕緣層220一樣的材料。
如圖1所示，在該下基板100上可設置一偽圖案WL。此偽圖案WL可例如沿平行於資料線DL1~DL4的方向延伸。偽圖案WL可在發光區域EA與透明區域TA之間延伸。偽圖案WL可例如包含一區域，此區域重疊於下基板100的透明區域TA。
偽圖案WL可包含一導電材料。偽圖案WL可包含與薄膜電晶體TR1、TR2和TR3中的其中一個導電層相同的材料。偽圖案WL可例如包含與源極250和汲極260一樣的材料。偽圖案WL可包含與資料線DL1~DL4相同的材料。
如圖2A和2B所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可在薄膜電晶體TR1、TR2和TR3、儲存電容Cst和偽圖案WL上更包含一下鈍化層130。下鈍化層130可防止外界濕氣和氫對薄膜電晶體TR1、TR2和TR3的影響。薄膜電晶體TR1、TR2和TR3、儲存電容Cst和偽圖案WL可被下鈍化層130覆蓋。下鈍化層130可包含一絕緣材料。下鈍化層130可例如包含氧化矽和/或氮化矽。
如圖2A所示，在下鈍化層130上可設置輔助電極410。輔助電極410可設置在發光區域EA內。輔助電極410可例如設置在薄膜電晶體TR1、TR2和TR3上。輔助電極410可包含一導電材料。輔助電極410可例如包含一金屬，例如銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)和鎢(W)。輔助電極410可具有一多層結構。輔助電極410可例如包含一下輔助電極411和一上輔助電極412，上輔助電極412設置在下輔助電極411上。
如圖2A所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可更包含一輔助包覆電極450，位於輔助電極410上。輔助包覆電極450可防止輔助電極410被後續製程毀損。輔助電極410可例如被輔助包覆電極450覆蓋。輔助包覆電極450可包含一導電材料。輔助包覆電極450可包含低反應性材料。輔助包覆電極450可包含高透射率材料。輔助包覆電極450可例如包含一導電氧化物，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
如圖2A和2B所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置在下鈍化層130和輔助電極410之間可更包含一下覆蓋層140。下覆蓋層140可消除薄膜電晶體TR1、TR2和TR3及儲存電容Cst所造成的厚度差。舉例來說，下覆蓋層140上相對於下基板100的上表面可為平面。下覆蓋層140的上表面可平行於下基板100的表面。下覆蓋層140可包含一絕緣材料。下覆蓋層140可例如包含一有機絕緣材料。
發光結構500可產生光來實現一特定的顏色。發光結構500可設置在發光區域EA內。發光結構500可例如設置在輔助電極410上。發光結構500可包含一下發光電極510、一有機發光層520和一上發光電極530，且這三者相繼堆疊。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可在輔助電極410和發光結構500之間更包含一上覆蓋層150。上覆蓋層150可去除輔助電極410導致的厚度差。例如，面向發光結構500之上覆蓋層150的上表面可為平面。上覆蓋層150的上表面可平行於下覆蓋層140的上表面。上覆蓋層150可包含一絕緣材料。上覆蓋層150可例如包含一有機絕緣材料。上覆蓋層150可包含不同於下覆蓋層140的材料。
下發光電極510可包含一導電材料。下發光電極510可包含一高反射材料。下發光電極510可例如包含一反射層，此反射層具有一金屬，例如鋁(Al)和銀(Ag)。下發光電極510可具有一多層結構。下發光電極510可例如具有在含有導電氧化物的透明電極(例如ITO)之間設置含有高反射材料的一反射層的結構。
有機發光層520發出的光亮度可對應下發光電極510與上發光電極530間的電壓差。舉例來說，有機發光層520可包含一發光材料層(EML)，此發光材料層含有一有機發光材料。有機發光層520可具有一多層結構，以增加發光效能。有機發光層520可例如更包含一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一電子傳輸層(ETL)和一電子注入層(EIL)的至少其中之一。
上發光電極530可包含一導電材料。上發光電極530可包含不同於下發光電極510的材料。例如，上發光電極530可為一透明電極。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，有機發光層520產生的光可經由上發光電極530發出。
如圖2B所示，連接包覆電極650可將發光結構500的下發光電極510連於對應的驅動薄膜電晶體TR2。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，發光結構500可受控於對應之薄膜電晶體TR1、TR2和TR3。
連接包覆電極650可設置在下覆蓋層140和上覆蓋層150之間。下鈍化層130可例如包含一電極接觸孔131h，電極接觸孔131h會暴露連接對應驅動薄膜電晶體TR2的汲極260的部分上電容電極330。下覆蓋層140可包含一下接觸孔141h，下接觸孔141h重疊於電極接觸孔131h。上覆蓋層150可包含一上接觸孔151h，上接觸孔151h暴露部分的連接包覆電極650。
上接觸孔151h可與下接觸孔141h隔開。連接包覆電極650可例如包含一第一包層區域651、一第二包層區域652和一修復切割區域。如圖2B所示，部分的第一包層區域651重疊於下接觸孔151h，部份的第二包層區域652重疊於上接觸孔151h，修復切割區域653位於第一包層區域651與第二包層區域652之間。修復切割區域653可重疊於下基板100的透明區域TA。修復切割區域653可例如設置在修復過程中被雷射照射的一雷射切割區中。
連接包覆電極650可包含一導電材料。連接包覆電極650的透射率可高於下發光電極510的透射率。連接包覆電極650可例如包含一導電氧化物。連接包覆電極650可包含與輔助包覆電極450相同的材料。連接包覆電極650可例如包含ITO或IZO。
在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，將下發光電極510連接至對應驅動薄膜電晶體TR2的連接包覆電極650可包含修復切割區域653。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，發光結構500的發光效能不會被修復切割區域653的透射率影響。也就是說，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，由於包含修復切割區域653的連接包覆電極650的透射率比下發光電極510高，因此可避免因修復切割區域653導致透明區域TA的面積減少，且不損失發光效能。
如圖2B所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可更包含一第一連接電極610，第一連接電極610將連接包覆電極650電性連接至對應驅動薄膜電晶體TR2的汲極260。第一連接電極610可設置在下覆蓋層140和上覆蓋層150之間。連接包覆電極650可例如延伸至第一連接電極610。第一連接電極610可被連接包覆電極650的第一包層區域651覆蓋。
第一連接電極610可沿電極接觸孔131h和下接觸孔141h延伸。例如，第一連接電極610可透過電極接觸孔131h和下接觸孔141h連接上電容電極330。
第一連接電極610可包含一導電材料。第一連接電極610的導電率可高於連接包覆電極650的導電率。第一連接電極610可例如包含一金屬，例如銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)和鎢(W)。第一連接電極610的透射率可低於連接包覆電極650的透射率。第一連接電極610的結構可相同於輔助電極410的結構。第一連接電極610可例如具有一多層結構。第一連接電極610可包含一第一下連接電極611和一第一上連接電極612，第一上連接電極612設置在第一下連接電極611上。第一下連接電極611可例如包含相同於下輔助電極411的材料。第一上連接電極612可例如包含相同於上輔助電極412的材料。
第一連接電極610可設置在下基板100的發光區域EA上。第一連接電極610可例如在下基板100的發光區域EA上沿連接包覆電極650延伸。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，可減少被連接包覆電極650電性連接的發光結構500與對應的驅動薄膜電晶體TR2之間的阻值。
如圖2B所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可在下覆蓋層140與連接包覆電極650的第二包層區域652之間更包含一第二連接電極620。例如部分的第二連接電極620可重疊於上覆蓋層150的上接觸孔151h。連接包覆電極650的第二包層區域652可覆蓋第二連接電極620。
第二連接電極620可包含一導電材料。第二連接電極652的導電率可高於連接包覆電極650的導電率。第二連接電極620可例如包含一金屬，例如銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)和鎢(W)。第二連接電極620的導電率可與第一連接電極610的導電率相同。第二連接電極620的透射率可低於連接包覆電極650的透射率。第二連接電極620的透射率可例如與第一連接電極610的透射率相同。第二連接電極620的結構可相同於第一連接電極610的結構。第二連接電極620可例如具有一多層結構。第二連接電極620的結構可相同於輔助電極410的結構。第二連接電極620可包含一第二下連接電極621和一第二上連接電極622，第二上連接電極622設置在第二下連接電極621上。第二下連接電極621可例如包含與第一下連接電極611相同的材料。第二上連接電極622可例如包含與第一上連接電極612相同的材料。
第二連接電極620可設置在下基板100的發光區域EA。第二連接電極620可例如在下基板100的發光區域EA上沿連接包覆電極650延伸。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，可減少當發光結構500與對應驅動薄膜電晶體TR2被連接包覆電極650電性連接的情況下發光結構500與對應驅動薄膜電晶體TR2間的阻值。
如圖2A和2B所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可更包含一堤絕緣層160，以隔絕相鄰的發光結構500。堤絕緣層160可例如覆蓋每個發光結構500的下發光電極510邊緣。有機發光層520和上發光電極530可堆疊在被堤絕緣層160暴露的部分下發光電極510上。堤絕緣層160可包含一絕緣材料。堤絕緣層160可例如包含一有機絕緣材料，例如苯並環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚醯亞胺(poly-imide)或光丙烯(photo-acryl)。下覆蓋層140和上覆蓋層150可包含不同於堤絕緣層160的材料。
有機發光層520和上發光電極530可延伸至堤絕緣層160。上發光電極530可連接輔助電極410，如圖2A所示。因此，可避免在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，上發光電極530的電壓位準下降導致亮度不均。
如圖2A所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可更包含一隔板700，以提供將上發光電極530電性連接至輔助電極410所需的空間。例如，部分的有機發光層520與另一部份的有機發光層520可被隔板700隔開。上發光電極530可經由有機發光層520被隔板700隔開的多個部分間的空間電性連接輔助電極410。隔板700的垂直長度可大於堤絕緣層160的垂直厚度。隔板700可例如包含一下隔板710和一上隔板720，上隔板720設置在下隔板710上。下隔板710和上隔板720可包含一絕緣材料。下隔板710可例如包含與堤絕緣層160相同的材料。上隔板720可包含不同於下隔板710的材料。上隔板720可例如包含氧化矽和/或氮化矽。
如圖2A所示，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可在輔助電極410與堤絕緣層160之間更包含一中間電極550。中間電極550可連接輔助電極410。上覆蓋層150可例如包含一穿孔152h，穿孔152h暴露部分的輔助電極410。隔板700可重疊於中間電極550。有機發光層520可例如藉由隔板700暴露部分的中間電極550。堤絕緣層160可覆蓋中間電極550的邊緣。隔板700可設置於堤絕緣層160的一開口中。上發光電極530可接觸因隔板700的緣故而未被有機發光層520覆蓋的部分中間電極550。上發光電極530可透過中間電極550電性連接輔助電極410。
中間電極550可包含一導電材料。中間電極550可例如包含相同於下發光電極510的材料。中間電極550可具有一多層結構。中間電極550的結構可例如相同於下發光電極510的結構。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可更包含相對於下基板100的一上基板800。上基板800可重疊於發光區域EA和下基板100的透明區域TA。上基板800可例如設置在發光結構500上。上基板800可包含一絕緣材料。上基板800可包含一透明材料。上基板800可例如包含玻璃或塑膠。
在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，各個子發光區域的發光結構500可顯示相同顏色。各個子發光區域的發光結構500可例如包含一白色有機發光層520。根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可在上基板800上更包含一黑色矩陣810和一彩色濾光片820。因此，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，設置有實化相同顏色的發光結構500的多個子發光區域可顯示不同顏色。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置可更包含充滿下基板100與上基板800之間的一濾光片900。濾光片900可防止發光結構500受外界碰撞而毀損。濾光片900可例如在發光結構500與彩色濾光片820之間、上發光電極530與黑色矩陣810之間延伸。
上述的根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，發光結構500是直接接觸濾光片900。然而，根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置可在發光結構500與濾光片900之間更包含一上鈍化層。上鈍化層可防止外界濕氣進入發光結構500。上鈍化層可具有一多層結構。上鈍化層可例如具有相堆疊之含無機材料的一無機層和含有機材料的一有機層的結構。
因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，不影響結構發光效率的連接包覆電極650可包含一修復切割區域653，修復切割區域653重疊於下基板100的透明區域TA，連接包覆電極650的透射率可高於下發光電極510的透射率，使得不管發光區域EA的面積和發光結構500的發光效率如何，都可防止修復切割區域653導致透明區域TA面積下降。因此，可改善在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中透明區域TA的透明度，而不會損失發光區域EA的開口率和發光效率。
上述根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，第一連接電極610和第二連接電極620是沿發光區域EA上的連接包覆電極650延伸。然而，在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中，連接包覆電極650的修復切割區域653重疊於透明區域TA，第一包層區域651和第二包層區域652從連接包覆電極650的修復切割區域653延伸至發光區域EA但不重疊於第一連接電極610或第二連接電極620，如圖3所示。因此，可有效避免在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中修復切割區域653導致透明區域TA的面積下降。
上述根據本發明實施例的有機發光顯示裝置，各個子發光區域的連接包覆電極650連接於相鄰子發光區域的下發光電極510下方的對應儲存電容Cst。然而，在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中，這些連接包覆電極650可以不同的方式排列。例如，在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中，包含同一方向上之修復切割區域653的這些連接包覆電極650連接儲存電容Cst的連接點可設置成彼此相鄰，如圖4所示。因此，在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中的訊號線和/或電壓供應線的排列自由度可獲得改善。
上述根據本發明實施例的有機發光顯示裝置，設置在單一發光區域內的四個子發光區域的電路是與資料線DL1~DL4平行排列。然而，在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中，各個子發光區域的電路可以不同的方式排列。在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中，各個子發光區域的電路可例如排列成四方形(quad type)。因此，可盡可能地增加在根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置中發光區域的開口率和透明區域的面積。
結果，根據本發明各實施例的有機發光顯示裝置可包含一修復切割區域，此修復切割區域由透射率高於一下發光電極的一導電層構成。因此，在根據本發明各實施例的有機發光顯示裝置中，可避免修復切割區域導致透明區域面積減少。藉此，在根據本發明各實施例的有機發光顯示裝置中，可增加透明區域的透明度而不會損失發光區域的開口率。
對本領域技術人員而言顯而易見的是，在不偏離本發明的技術構思或範疇的情況下，可在本發明顯示裝置中進行各種修改和變動。因此，本發明意旨涵蓋那些落入所附請求項範疇及其均等範圍內之本發明的修改和變動。
100‧‧‧下基板
130‧‧‧下鈍化層
131h‧‧‧電極接觸孔
140‧‧‧下覆蓋層
141h‧‧‧下接觸孔
150‧‧‧上覆蓋層
151h‧‧‧上接觸孔
152h‧‧‧穿孔
160‧‧‧堤絕緣層
210‧‧‧半導體圖案
220‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧閘極電極
240‧‧‧中間絕緣層
241h‧‧‧第一中間接觸孔
242h‧‧‧第二中間接觸孔
250‧‧‧源極
260‧‧‧汲極
301‧‧‧下絕緣層
310‧‧‧下電容電極
320‧‧‧電容絕緣層
330‧‧‧上電容電極
410‧‧‧輔助電極
411‧‧‧下輔助電極
412‧‧‧上輔助電極
450‧‧‧輔助包覆電極
500‧‧‧發光結構
510‧‧‧下發光電極
520‧‧‧有機發光層
530‧‧‧上發光電極
550‧‧‧中間電極
610‧‧‧第一連接電極
611‧‧‧第一下連接電極
612‧‧‧第一上連接電極
620‧‧‧第二連接電極
621‧‧‧第二下連接電極
622‧‧‧第二上連接電極
650‧‧‧連接包覆電極
651‧‧‧第一包層區域
652‧‧‧第二包層區域
653‧‧‧修復切割區域
700‧‧‧隔板
710‧‧‧下隔板
720‧‧‧上隔板
800‧‧‧上基板
810‧‧‧黑色矩陣
820‧‧‧彩色濾光片
900‧‧‧濾光片
Cst‧‧‧儲存電容
DL1~DL4‧‧‧資料線
EA‧‧‧發光區域
GL‧‧‧閘極線
SL‧‧‧感測線
TA‧‧‧透明區域
TR1‧‧‧選擇薄膜電晶體
TR2‧‧‧驅動薄膜電晶體
TR3‧‧‧感測薄膜電晶體
VDD‧‧‧電力供應線
Vref‧‧‧參考電壓供應線
WL‧‧‧偽圖案
為提供對本發明的進一步理解所包括的附圖被納入且構成本申請案的一部分，這些附圖以圖解方式說明本發明實施例，並與說明書一起用於來解釋各種原理。在這些圖示中：
圖1為根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置的佈局的示意圖；
圖2A為根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖；
圖2B為從圖1沿I-I’取得的示意圖；
圖3至5分別為根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置的不同範例。

Claims (14)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一下基板，包含一發光區域和一透明區域；一薄膜電晶體，位於該下基板的該發光區域上；一發光結構，位於該薄膜電晶體上，該發光結構包含一下發光電極、一有機發光層和一上發光電極，該下發光電極、該有機發光層和該上發光電極相繼堆疊；以及一連接包覆電極，連接於該薄膜電晶體與該發光結構的該下發光電極之間，該連接包覆電極的透射率高於該下發光電極的透射率，其中該連接包覆電極包含一修復切割區域及連接該修復切割區域的一第一包層區域與一第二包層區域，該修復切割區域重疊於該下基板的該透明區域，且該第一包層區域與該第二包層區域延伸到該發光區域。
  2. 如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中該連接包覆電極包含一導電氧化物。
  3. 如請求項2所述的有機發光顯示裝置，其中該連接包覆電極包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)。
  4. 如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中該下發光電極包含一反射層。
  5. 如請求項1所述的有機發光顯示裝置，更包含：一下覆蓋層，位於該薄膜電晶體與該連接包覆電極之間，該下覆蓋層包含一下穿孔；一上覆蓋層，位於該連接包覆電極與該發光結構之間，該上覆蓋層包含一上穿孔，該上穿孔與該下穿孔相隔開；以及一第一連接電極，位於該下覆蓋層與該上覆蓋層之間，該第一連接電極透過該下穿孔連接該薄膜電晶體，其中該第一包層區域覆蓋該第一連接電極。
  6. 如請求項5所述的有機發光顯示裝置，其中在該下基板的該發光區域上，該第一連接電極沿該連接包覆電極延伸。
  7. 如請求項5所述的有機發光顯示裝置，更包含位於該下覆蓋層與該連接包覆電極之間的一第二連接電極，該第二連接電極與該第一連接電極隔開，且該第二連接電極有一區域重疊於該上穿孔，其中該第二包層區域覆蓋該第二連接電極。
  8. 如請求項7所述的有機發光顯示裝置，其中該修復切割區域設置在該第一包層區域與該第二包層區域之間。
  9. 如請求項7所述的有機發光顯示裝置，其中該第二連接電極的結構與該第一連接電極的結構相同。
  10. 如請求項7所述的有機發光顯示裝置，其中該第二連接電極在該下基板的該發光區域上沿該連接包覆電極延伸。
  11. 一種有機發光顯示裝置，包含：一下基板，包含一發光區域和一透明區域；一薄膜電晶體，位於該下基板的該發光區域上；一下覆蓋層，位於該薄膜電晶體上，該下覆蓋層包含一下穿孔，該下穿孔暴露部分的該薄膜電晶體；一第一連接電極，位於該下覆蓋層上，該第一連接電極透過該下穿孔連接該薄膜電晶體；一第二連接電極，位於該下覆蓋層上，該第二連接電極與該第一連接電極隔開；一上覆蓋層，覆蓋該第一連接電極和該第二連接電極，該上覆蓋層包含一上穿孔，該上穿孔重疊於該第二連接電極；一發光結構，位於該上覆蓋層上，該發光結構包含一下發光電極，該下發光電極透過該上穿孔連接至該第二連接電極；以及一連接包覆電極，位於該下覆蓋層與該上覆蓋層之間，該連接包覆電極連接於該第一連接電極與該第二連接電極之間，其中該連接包覆電極包含一修復切割區域，該修復切割區域重疊於該下基板的該透明區域。
  12. 如請求項11所述的有機發光顯示裝置，其中該連接包覆電極的透射率高於該第一連接電極、該第二連接電極和該下發光電極的透射率。
  13. 如請求項11所述的有機發光顯示裝置，更包含：一輔助電極，位於該下覆蓋層與該上覆蓋層之間；以及一輔助包覆電極，覆蓋該輔助電極，該輔助包覆電極與該第一連接電極、該第二連接電極和該連接包覆電極隔開，其中該連接包覆電極包含與該輔助包覆電極一樣的材料。
  14. 如請求項13所述的有機發光顯示裝置，其中該第一連接電極的結構和該第二連接電極的結構相同於該輔助電極的結構。
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