CN109560210B - 具有辅助电极的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有辅助电极的显示装置，其包括：在下基板上的辅助电极；在辅助电极上的上覆层，该上覆层包括与辅助电极交叠的上覆穿透孔；以及在上覆层上的堤绝缘层，该堤绝缘层使辅助电极的一部分露出，其中，该堤绝缘层沿着上覆穿透孔的侧表面延伸。该显示装置可以防止水分通过使辅助电极的一部分露出的上覆层而渗透。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以提高可靠性。

Description

具有辅助电极的显示装置
本申请要求于2017年9月25日提交的韩国专利申请第10-2017-0123490号的优先权权益，该韩国专利申请以此方式如同在本文中完全阐述一样通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，其包括用于防止由于电压降引起的亮度不均匀的辅助电极。
背景技术
通常，诸如监视器、TV(电视机)、膝上型计算机和数字摄像装置的电子设备包括用于实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括液晶显示装置或有机发光显示装置。
显示装置可以包括多个像素区域。像素区域中的每个像素区域可以实现与相邻像素区域不同的特定颜色。例如，显示装置可以包括实现蓝色的蓝色像素区域、实现红色的红色像素区域、实现绿色的绿色像素区域以及实现白色的白色像素区域。
发光结构可以设置在显示装置的每个像素区域上。例如，发光结构可以包括顺序地堆叠的下电极、发光层和上电极。上电极可以是公共电极。例如，在显示装置中，像素区域的上电极可以连接至相邻像素区域的上电极。
为了防止由于电压降引起的亮度不均匀，显示装置可以包括辅助电极。例如，辅助电极可以在像素区域之间延伸。上电极可以连接至辅助电极。在显示装置中，可以使用用于连接上电极和辅助电极的各种结构。例如，一种制造显示装置的方法可以包括：在堆叠在辅助电极上的绝缘层中形成穿透孔以露出辅助电极的一部分的步骤，以及使用激光去除沿着穿透孔的侧表面在辅助电极上延伸的发光层的部分的步骤。
然而，下述上覆层可能包括相对容易被水分渗透的有机绝缘材料：该上覆层去除了由于形成在发光结构下方的技术特征而在设置在辅助电极上的绝缘层之间引起的厚度差异。因此，在显示装置中，水分可能通过为了使辅助电极的一部分露出而穿透上覆层的孔的侧表面而渗透。因此，在显示装置中，堆叠在下电极上的发光层可能劣化。
发明内容
因此，本发明涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的显示装置。
本发明的目的是提供一种显示装置，其能够防止由于上覆层引起的发光结构的劣化。
本发明的另外一个目的是提供一种显示装置，其能够防止水分通过为了使辅助电极的一部分露出而穿透上覆层的孔的侧表面而渗透。
本发明的另外的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将在审阅以下内容时对本领域的普通技术人员而言变得明显，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点可以通过在书面描述及所附权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点，根据本发明的目的，如本文中所体现和广泛描述的，提供了一种包括在下基板上的辅助电极的显示装置。在辅助电极上设置有上覆层。上覆层包括与辅助电极交叠的上覆穿透孔。在上覆层上设置有堤绝缘层。堤绝缘层使辅助电极的一部分露出。堤绝缘层沿着上覆穿透孔的侧表面延伸。
堤绝缘层可以具有比上覆层的吸湿率低的吸湿率。
在下基板与上覆层之间可以设置有下钝化层。下钝化层可以包括与上覆穿透孔交叠的下穿透孔。堤绝缘层可以沿着下穿透孔的侧表面延伸。
堤绝缘层可以在下穿透孔内部与辅助电极直接接触。
在下穿透孔的侧表面上的堤绝缘层的厚度可以小于在上覆穿透孔的侧表面上的堤绝缘层的厚度。
上基板可以设置在堤绝缘层上，并且可以在辅助电极的露出的部分上延伸。在堤绝缘层与上基板之间可以设置有填充剂。填充剂可以在辅助电极和上基板之间延伸。上基板的与辅助电极的露出的部分交叠的部分可以与填充剂直接接触。
在堤绝缘层上可以设置有发光层。在发光层上可以设置有上电极。发光层和上电极可以在辅助电极的露出的部分上延伸。发光层可以包括与辅助电极的露出的部分交叠的发光层穿透孔。上电极可以通过发光层穿透孔而电连接至辅助电极。
辅助电极可以包括在发光层穿透孔内部延伸的电极突出(也可称为突出电极部分)。
堤绝缘层可以包括与辅助电极交叠的堤穿透孔。上覆穿透孔可以与堤穿透孔交叠。在上覆层的面对辅助电极的下表面中，上覆穿透孔的水平宽度可以大于堤穿透孔的水平宽度。
上覆穿透孔的中心可以与堤穿透孔的中心处于相同的位置。
在下钝化层的面对上覆层的上表面中的下穿透孔的水平宽度可以小于在上覆层的面对辅助电极的下表面中的上覆穿透孔的水平宽度。
堤绝缘层可以包括在上覆穿透孔中与下钝化层的上表面接触的端部。
在上基板的面对堤绝缘层的下表面上可以设置有黑矩阵。黑矩阵可以在辅助电极上延伸。
显示装置还可以包括在堤绝缘层上的发光层以及在发光层上的上电极，并且，在上覆穿透孔内，辅助电极、发光层和上电极可以通过激光照射而共同穿孔，并且辅助电极的穿孔的部分和上电极的穿孔的部分可以通过激光焊接而电接触。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被合并到本申请中并构成本申请的一部分，这些附图示出了本发明的实施例并且连同说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是示意性地示出根据本发明的实施例的显示装置的图；
图2是沿着图1的I-I'所取得的截面图；
图3是沿着图1的II-II'所取得的截面图；
图4至图6是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的图。
具体实施方式
在下文中，通过参照附图进行的以下详细描述将清楚地理解与本发明的实施例的上述目的、技术配置和操作效果相关的细节，其中，附图示出了本发明的一些实施例。在此，提供本发明的实施例以使得本发明的技术精神能够圆满地被传达给本领域技术人员，因而本发明可以以其他形式来实施而不限于下面描述的实施例。
此外，在整个说明书中，相同或非常相似的元件可以由相同的附图标记指定，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被夸大。应当理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以设置在第二元件上以便与第二元件接触，但是在第一元件和第二元件之间可以插入第三元件。
在此，可以使用术语诸如例如“第一”和“第二”来将任何一个元件与另一元件区分。然而，在不脱离本发明的技术精神的情况下，根据本领域技术人员的方便，第一元件和第二元件可以被任意命名。
本发明的说明书中使用的术语仅用于描述具体实施例，而并不意在限制本发明的范围。例如，除非上下文另有明确指出，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。此外，在本发明的说明书中，还应当理解，术语“包括(comprise)”和“包含(include)”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的那些术语)应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确定义，否则不应该以理想化或过于正式的意义来解释。
(实施例)
图1是示意性地示出根据本发明的实施例的显示装置的图。图2是沿着图1的I-I'所取得的截面图。图3是沿着图1的II-II'所取得的截面图。
参照图1至图3，根据本发明的实施例的显示装置可以包括下基板100、薄膜晶体管Tr1和Tr2、下钝化层130、上覆层140、堤绝缘层150、发光结构300、辅助电极500、上基板600和填充剂800。
下基板100可以支承薄膜晶体管Tr1和Tr2、发光结构300和辅助电极500。下基板100可以包括绝缘材料。例如，下基板100可以包括玻璃或塑料。
在下基板100上可以设置有栅极线GL、数据线DL和电源线PL。栅极线GL可以沿一个方向延伸。数据线DL可以与栅极线GL相交。数据线DL可以与栅极线GL设置在不同的层上。电源线PL可以与栅极线GL或数据线DL平行。例如，电源线PL可以与数据线DL设置在同一层上。
栅极线GL、数据线DL和电源线PL可以限定像素区域PA。例如，像素区域PA可以被栅极线GL、数据线DL和电源线PL围绕。在像素区域PA中可以设置有用于控制发光结构300的驱动电路。例如，驱动电路可以包括：选择薄膜晶体管Tr1、驱动薄膜晶体管Tr2和存储电容器Cst。
选择薄膜晶体管Tr1可以根据通过栅极线GL施加的栅极信号来导通/关断驱动薄膜晶体管Tr2。驱动薄膜晶体管Tr2可以根据选择薄膜晶体管Tr1的信号而向相应的发光结构300提供驱动电流。存储电容器Cst可以保持被施加到驱动薄膜晶体管Tr2的、选择薄膜晶体管Tr1的信号。
驱动薄膜晶体管Tr2可以具有与选择薄膜晶体管Tr1相同的结构。例如，驱动薄膜晶体管Tr2可以包括：半导体图案210、栅极绝缘层220、栅电极230、层间绝缘层240、源电极250以及漏电极260。
半导体图案210可以被设置成靠近下基板100。半导体图案210可以包括半导体材料。例如，半导体图案210可以包括非晶硅或者多晶硅。半导体图案210可以是氧化物半导体。例如，半导体图案210可以包括IGZO(铟镓锌氧化物)。
半导体图案210可以包括源极区、漏极区和沟道区。沟道区可以被设置在源极区与漏极区之间。沟道区的电导率可以比源极区和漏极区的电导率低。例如，源极区和漏极区可以包括导电杂质。
根据本发明的实施例的显示装置还可以包括设置在下基板100与半导体图案210之间的缓冲层110。缓冲层110可以延伸超过半导体图案210。例如，缓冲层110可以覆盖下基板100的整个表面。缓冲层110可以包括绝缘材料。例如，缓冲层110可以包括硅氧化物。
栅极绝缘层220可以被设置在半导体图案210上。栅极绝缘层220可以包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层220可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。栅极绝缘层220可以具有多层结构。栅极绝缘层220可以包括高K材料。例如，栅极绝缘层220可以包括铪氧化物(HfO)或钛氧化物(TiO)。
栅电极230可以被设置在栅极绝缘层220上。栅电极230可以与半导体图案210的沟道区交叠。栅电极230可以通过栅极绝缘层220与半导体图案210绝缘。例如，栅电极230可以包括与栅极绝缘层220的侧表面垂直对准的侧表面。栅极绝缘层220的侧表面可以与栅电极230的侧表面连续。
栅电极230可以包括导电材料。例如，栅电极230可以包括金属，诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。栅电极230可以具有多层结构。栅电极230可以包括与栅极线GL相同的材料。栅电极230可以与栅极线GL设置在相同的层上。例如，栅极线GL的结构可以与栅电极230的结构相同。
层间绝缘层240可以被设置在半导体图案210和栅电极230上。层间绝缘层240可以延伸超过半导体图案210。例如，层间绝缘层240可以在半导体图案210的外部与缓冲层110接触。层间绝缘层240可以包括绝缘材料。例如，层间绝缘层240可以包括硅氧化物。
源电极250和漏电极260可以设置在层间绝缘层240上。源电极250可以电连接至半导体图案210的源极区。漏电极260可以电连接至半导体图案210的漏极区。漏电极260可以与源电极250间隔开。例如，层间绝缘层240可以包括用于使半导体图案210的源极区或者漏极区露出的层间接触孔240h。
源电极250和漏电极260可以包括导电材料。例如，源电极250和漏电极260可以包括金属，诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。漏电极260可以包括与源电极250相同的材料。源电极250可以具有多层结构。漏电极260的结构可以与源电极250的结构相同。例如，漏电极260可以具有多层结构。
源电极250和漏电极260可以包括与数据线DL和电源线PL相同的材料。例如，源电极250和漏电极260可以设置在与数据线DL和电源线PL相同的层上。数据线DL和电源线PL可以设置在层间绝缘层240上。数据线DL的结构和电源线PL的结构可以与源电极250的结构和漏电极260的结构相同。例如，数据线DL和电源线PL可以具有多层结构。
在薄膜晶体管Tr1和Tr2上可以设置有下钝化层130。下钝化层130可以防止由于外部水分或冲击而引起的薄膜晶体管Tr1和Tr2的损坏。下钝化层130可以延伸超过源电极250和漏电极260。例如，下钝化层130可以在源电极250和漏电极260的外部与层间绝缘层240接触。
下钝化层130可以包括绝缘材料。例如，下钝化层130可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。下钝化层130可以具有多层结构。
在下钝化层130上可以设置有上覆层140。上覆层140可以去除由于薄膜晶体管Tr1和Tr2引起的厚度差。例如，上覆层140的与下基板100相对的上表面可以是平坦表面。上覆层140的上表面可以与下基板100的表面平行。
上覆层140可以包括绝缘材料。上覆层140可以包括具有相对较高流动性的材料。例如，上覆层140可以包括有机绝缘材料诸如光亚克力(photo-acryl,PA)。
发光结构300可以实现特定颜色。例如，发光结构300可以包括顺序地堆叠的下电极310、发光层320和上电极330。
发光结构300可以由相应的驱动电路的薄膜晶体管Tr1和Tr2控制。例如，发光结构300的下电极310可以电连接至相应的驱动薄膜晶体管Tr2。发光结构300可以设置在上覆层140上。例如，下钝化层130可以包括用于使相应的驱动薄膜晶体管Tr2的漏电极260露出的下接触孔131h。上覆层140可以包括与下接触孔131h交叠的上覆接触孔141h。下电极310可以通过下接触孔131h和上覆接触孔141h电连接至相应的漏电极260。
下电极310可以包括导电材料。下电极310可以包括具有高反射率的材料。例如，下电极310可以包括金属，诸如铝(Al)和银(Ag)。下电极310可以具有多层结构。例如，下电极310可以具有下述结构：其中，在包括诸如ITO和IZO的透明导电材料的透明电极之间，设置有包括具有高反射率的材料的反射电极。
发光层320可以产生具有与下电极310和上电极330之间的电压差相对应的亮度的光。例如，发光层320可以包括具有发射材料的发射材料层(EML)。发射材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本发明的实施例的显示装置可以是具有有机发光层320的有机发光显示装置。
为了提高发光效率，发光层320可以具有多层结构。例如，发光层320还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中至少之一。
上电极330可以包括导电材料。上电极330可以具有与下电极310不同的结构。例如，上电极330可以是透明电极。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，由发光层320产生的光可以通过上电极330被发射到外部。
堤绝缘层150可以覆盖下电极310的边缘。例如，堤绝缘层150可以包括用于使下电极310的一部分露出的堤开口151h。发光层320和上电极330可以顺序地堆叠在下电极310的由堤绝缘层150的堤开口151h露出的部分上。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以独立地驱动每个像素区域PA的发光结构300。
堤绝缘层150可以包括绝缘材料。例如，堤绝缘层150可以包括有机绝缘材料。堤绝缘层150可以包括与上覆层140不同的材料。堤绝缘层150的吸湿率可以低于上覆层140的吸湿率。例如，堤绝缘层150可以包括聚酰亚胺(PI)。
在下基板100上可以设置有辅助电极500。辅助电极500可以设置在像素区域PA的外部。例如，辅助电极500可以设置在数据线DL的外部。薄膜晶体管Tr1和Tr2以及储存电容器Cst可以与辅助电极500间隔开。辅助电极500可以沿一定方向延伸。例如，辅助电极500可以与数据线DL平行。
根据本发明的实施例的显示装置被描述为使得辅助电极500是在相邻像素区域PA之间沿一定方向延伸的线型。然而，在根据本发明的另一实施例的显示装置中，每个像素区域PA可以被辅助电极500围绕。例如，根据本发明的另一实施例的显示装置可以包括网状辅助电极。
辅助电极500可以包括导电材料。例如，辅助电极500可以包括金属，诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。辅助电极500可以具有多层结构。
辅助电极500可以包括与构成薄膜晶体管Tr1和Tr2的导电材料之一相同的材料。例如，辅助电极500可以包括与源电极250和漏电极260相同的材料。辅助电极500的结构可以与源电极250的结构和漏电极260的结构相同。例如，辅助电极500可以与源电极250和漏电极260同时形成。辅助电极500可以设置在层间绝缘层240上。下钝化层130、上覆层140和堤绝缘层150可以堆叠在辅助电极500上。
在下钝化层130、上覆层140和堤绝缘层150中，可以设置有用于使辅助电极500的一部分露出的穿透孔132h、142h和152h。例如，下钝化层130可以包括设置在辅助层500上的下穿透孔132h。上覆层140可以包括与下穿透孔132h交叠的上覆穿透孔142h。堤绝缘层150可以包括用于使辅助电极500的一部分露出的堤穿透孔152h。
上覆穿透孔142h可以使下钝化层130的面对上覆层140的上表面部分地露出。例如，在下钝化层130的上表面处的下穿透孔132h的水平宽度可以小于在上覆层140的面对辅助电极500的下表面处的上覆穿透孔142h的水平宽度。
下穿透孔132h的侧表面130s和上覆穿透孔142h的侧表面140s可以是正锥形的。堤绝缘层150可以沿下穿透孔132h的侧表面130s和上覆穿透孔142h的侧表面140s延伸。下穿透孔132h的侧表面130s和上覆穿透孔142h的侧表面140s可以由堤绝缘层150覆盖。在上覆层140的下表面处，上覆穿透孔142h的水平宽度可以大于堤穿透孔152h的水平宽度。上覆穿透孔142h的中心可以与堤穿透孔152h的中心相同。堤穿透孔152h可以具有与上覆穿透孔142h相同的重心。例如，堤穿透孔152h可以是与上覆穿透孔142h具有相同类型的多边形形状。堤绝缘层150可以在下穿透孔132h中与辅助电极500接触。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以防止由于水分的渗透而引起的下电极310上的发光层320的劣化。
在根据本发明的实施例的显示装置中，上电极330可以电连接至辅助电极500。例如，发光层320和上电极330可以在辅助电极500的由堤穿透孔152h露出的部分上延伸。设置在辅助电极500的由堤穿透孔152h露出的部分上的发光层320可以与设置在下电极310的由堤绝缘层150的堤开口151h露出的部分上的发光层320分开。发光层320可以包括与辅助电极500的由下穿透孔132h露出的部分交叠的发光层穿透孔320h。上电极330可以在发光层穿透孔320h的内部与辅助电极500直接接触。
在根据本发明的实施例的显示装置中，发光层穿透孔320h可以通过激光形成。例如，在根据本发明的实施例的显示装置中，辅助电极500可以包括延伸至发光层穿透孔320h的内部的突出电极部分500p。
下穿透孔132h可以与下接触孔131h通过相同的处理形成。上覆穿透孔142h可以与上覆接触孔141h同时形成。可以在用于形成下电极310的处理之后执行用于形成堤穿透孔152h的处理。例如，堤开口151h和堤穿透孔152h可以通过单个处理形成。在上覆穿透孔142h的侧表面140s上的堤绝缘层150的厚度可以比在下穿透孔132h的侧表面130s上的堤绝缘层150的厚度厚。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以有效地防止水分通过上覆穿透孔142h的侧表面渗透。
上基板600可以与下基板100相对。例如，上基板600可以设置在发光结构300上。上基板600可以设置在堤绝缘层150上。上基板600可以设置在辅助电极500上。上基板600可以在辅助电极500的由堤穿透孔152h露出的部分上延伸。
上基板600可以包括绝缘材料。上基板600可以包括透明材料。例如，上基板600可以包括玻璃或者塑料。
根据本发明的实施例的显示装置还可以包括设置在上基板600的面对下基板100的下表面上的黑矩阵710和滤色器720。滤色器720可以与发光结构300交叠。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，由发光结构300产生的光可以通过滤色器720实现特定的颜色。黑矩阵710可以防止光被发射到非计划区域。例如，黑矩阵710可以与辅助电极500交叠。
在下基板100和上基板600之间可以设置有填充剂800。例如，发光结构300的上电极330与滤色器720之间的空间可以由填充剂800填充。填充剂800可以填充堤绝缘层150与黑矩阵710之间的空间。填充剂800可以流到堤穿透孔152h中。
填充剂800可以包括绝缘材料。填充剂800可以包括透明材料。填充剂800可以包括可固化材料。例如，填充剂800可以包括热固性树脂。
根据本发明的实施例的显示装置被描述为使得发光结构300与填充剂800直接接触。然而，根据本发明的另一实施例的显示装置还可以包括在发光结构300上的上钝化层。上钝化层可以防止由于外部水分和冲击而引起的发光结构300的损坏。上钝化层可以包括绝缘材料。例如，上钝化层可以具有下述结构：其中，在包括无机材料的无机层之间，设置有包括有机材料的有机层。
因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，使辅助电极500的一部分露出的上覆穿透孔142h的侧表面140s可以由堤绝缘层150覆盖。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以阻挡水分通过与辅助电极500交叠的上覆穿透孔142h的侧表面140s的渗透。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以防止由于水分的渗透而引起的发光层320的劣化。
在根据本发明的实施例的显示装置中，上覆层140可以不与辅助电极500的由堤穿透孔152h露出的部分交叠。因此，当使用激光束去除形成在辅助电极500的上述部分上的发光层320时，激光不会损坏上覆层140，因而不会产生气体。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以防止由于气体而引起的暗点的产生以及可靠性的下降。另外，在根据本发明实施例的显示装置中，可以增加激光照射处理的可加工余量。
根据本发明的实施例的显示装置被描述为使得黑矩阵710设置在辅助电极500的由堤穿透孔152h露出的部分上方。然而，根据本发明的另一个实施例，如图4所示，填充剂800可以与上基板600在辅助电极500的由堤穿透孔152露出的部分上接触。因此，在根据本发明的该实施例的显示装置中，用于去除形成在辅助电极500的上述部分上的发光层320的激光可以不被照射到黑矩阵710。因而，在根据本发明的该实施例的显示装置中，可以防止由于激光而引起的对黑矩阵的损坏以及由于气体的产生而引起的可靠性的下降。
根据本发明的实施例的显示装置被描述为使得堤绝缘层150与辅助电极500在下穿透孔132h中直接接触。然而，在根据本发明的另一实施例的显示装置中，如图5所示，堤绝缘层150可以包括与下钝化层130的由上覆穿透孔142h露出的上表面接触的端部150e。下钝化层130可以包括比堤绝缘层150粘附性高的材料。因此，在根据本发明的另一实施例的显示装置中，可以防止水分通过上覆穿透孔142h的侧表面140s渗透，并且可以改善用于将上电极330连接至辅助电极500的激光照射处理的可加工余量。
根据本发明的上述实施例的显示装置被描述为使得辅助电极500的面对下基板100的下表面是平坦的。然而，根据本发明的另一实施例，如图6所示，辅助电极500可以具有通过激光焊接而变形的部分550。例如，辅助电极500的部分550可以通过激光照射而穿孔并且朝向上基板600卷起。因此，在本发明的该实施例中，辅助电极500的部分550可以与上电极330侧接触(in side contact)，也就是说，辅助电极500的部分550和上电极330可以由于激光照射而被焊接在一起。因此，可以通过调节激光的照射条件来改善辅助电极500和上电极330之间的电连接的可靠性。
因此，根据本发明的实施例的显示装置可以包括下述堤绝缘层：该堤绝缘层具有相对低的吸湿率，被设置在具有使辅助电极的一部分露出的上覆穿透孔的上覆层上，并且在上覆穿透孔的侧表面上延伸。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以阻挡水分通过上覆穿透孔的侧表面渗透。因此，在根据本发明的实施例的显示装置中，可以改善可靠性。

Claims (12)

1.一种显示装置，包括：
在下基板上的辅助电极；
在所述辅助电极上的上覆层，所述上覆层包括使所述辅助电极的一部分露出的上覆穿透孔；以及
在所述上覆层上的绝缘堤层，所述绝缘堤层包括堤穿透孔，所述堤穿透孔使被所述上覆穿透孔露出的所述辅助电极的一部分露出，所述绝缘堤层沿着所述上覆穿透孔的侧表面延伸；
在所述绝缘堤层上以及所述辅助电极的被所述上覆穿透孔和所述堤穿透孔露出的部分上的发光层，所述发光层包括与所述辅助电极的露出的部分交叠的发光层穿透孔；以及
在所述发光层上的上电极，所述上电极通过所述发光层穿透孔连接至所述辅助电极，
其中，所述辅助电极包括在所述发光层穿透孔内部延伸的突出电极部分，以及
其中，所述辅助电极的突出电极部分与所述上电极侧接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘堤层具有比所述上覆层的吸湿率低的吸湿率。
3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述下基板与所述上覆层之间的下钝化层，
其中，所述下钝化层包括与所述上覆穿透孔交叠的下穿透孔，以及
其中，所述绝缘堤层沿着所述下穿透孔的侧表面延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述绝缘堤层与所述辅助电极在所述下穿透孔中直接接触。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述下穿透孔的侧表面上的所述绝缘堤层的厚度小于在所述上覆穿透孔的侧表面上的所述绝缘堤层的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述上电极上的上基板，所述上基板包括与所述辅助电极的露出的部分交叠的部分。
7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括设置在所述上电极和所述上基板之间的填充剂，所述填充剂在所述辅助电极与所述上基板之间延伸，
其中，所述上基板的与所述辅助电极的露出的部分交叠的部分与所述填充剂直接接触。
8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括在所述上基板的面对所述上电极的下表面上的黑矩阵，
其中，所述黑矩阵在所述辅助电极上延伸。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述上覆层的面对所述辅助电极的下表面中，所述上覆穿透孔的水平宽度大于所述堤穿透孔的水平宽度。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述上覆穿透孔的中心与所述堤穿透孔的中心处于相同的位置。
11.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述下钝化层的面对所述上覆层的上表面中的所述下穿透孔的水平宽度小于在所述上覆层的面对所述辅助电极的下表面中的所述上覆穿透孔的水平宽度。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述绝缘堤层包括在所述上覆穿透孔内部与所述下钝化层的上表面接触的端部。
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