TWI640966B - 可撓式顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示了一種可撓式顯示裝置，其中可撓薄膜是第一圖案化的，並且在隨後的除去玻璃基板的過程中，通過外部物理力將可撓薄膜周圍的結構除去，以便使裝置輕薄。在可撓式顯示裝置中，可撓薄膜的邊緣結構可以改變，以使在可撓薄膜的切割平面上產生的顆粒減到最少，從而避免可撓薄膜周圍的損傷。

Description

可撓式顯示裝置
本發明關於一種顯示裝置，更具體地是關於一種可撓式顯示裝置，其中在將玻璃基板移除的可撓薄膜的邊界上設置輔助圖案，從而避免損傷。
近來，隨著資訊時代的到來，將電傳輸訊號視覺化顯示的顯示領域快速地發展。因應於此，則開發了出具有如小厚度、輕量和低能耗等優異特性的各種平板顯示裝置，且已迅速取代了現有的陰極射線管（CRT）。
具體的例子如液晶顯示裝置（LCD）、有機發光顯示裝置（OLED）、電漿顯示面板（PDP）和場發射顯示器（FED）。
在這些裝置之中，有機發光顯示裝置被認為是有競爭性的應用，因為它不需要單獨的光源且可實現小型化與鮮豔色彩的顯示效果。
這種有機發光顯示裝置包括在子像素中的自發光元件，如有機發光元件，且藉由以每個子像素為基礎來操作有機發光元件的方式來產生顯示。另外，有機發光元件可以用作照明裝置中的自發光元件以及顯示裝置，因此近來有機發光元件的發展成為照明行業的焦點。此外，由於有機發光元件不需要單獨的光源單元，它們也有利地用於可撓式顯示裝置或透明顯示裝置中。
可撓式顯示裝置越來越輕薄化且發展成可折疊的形式。此外，可撓式顯示裝置還可有觸控螢幕以便於使用者直接輸入。
同時，當在這種可撓式顯示裝置加上觸控螢幕時，需在玻璃基板上進行陣列形成的製程然後再移除玻璃基板，以便實現輕薄的設計和靈活性。然而，在移除玻璃基板的過程中，會因在切割道上產生的顆粒而造成損傷。
因此，本發明涉及一種可撓式顯示裝置，其實質上解決了先前技術中的限制和缺點而導致的問題。
本發明的目的是提供一種可撓式顯示裝置，其中在將玻璃基板移除的可撓薄膜的邊界上設置輔助圖案，從而避免損傷。
本發明的另外的優點、目的和特徵將在下面的描述中部分地進行闡述，並且對於本領域的通常知識者而言，藉由研究下述內容，本發明部分的另外的優點、目的和特徵將變得顯而易見，或者可以從實踐中獲得本發明的另外的優點、目的和特徵。本發明的目的和其他優點可以藉由在說明書和申請專利範圍以及圖式中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些目的和其他優點，並且根據本發明的目的，如本文的具體和廣泛的描述，提出一種可撓式顯示裝置包含一可撓薄膜、一電極陣列、一墊部、一佈線電線、多個透明虛擬電極線、以及多個虛擬金屬圖案；可撓薄膜分隔為一活性區和圍繞活性區的一死區；電極陣列位於可撓薄膜的活性區中；墊部位於該可撓薄膜的死區中，且墊部具有多個墊電極；佈線電線連接電極陣列和多個墊電極；多個透明虛擬電極線從多個墊電極延伸到可撓薄膜的一邊緣；其中多個虛擬金屬圖案與多個透明虛擬電極線為一對一接觸，且多個虛擬金屬圖案位於可撓薄膜的邊緣，各虛擬金屬圖案的寬度大於各透明虛擬電極線的寬度。
另一方面，可撓式顯示裝置包含一第一可撓薄膜、一接觸電極陣列、一接觸墊部、一佈線電線、多個透明虛擬電極線、多個虛擬金屬圖案、一第二可撓薄膜、以及一黏著層；第一可撓薄膜分隔為一活性區和圍繞活性區的一死區；接觸電極陣列位於第一可撓薄膜的活性區中；接觸墊部位於第一可撓薄膜的死區中，且接觸墊部具有多個接觸墊電極；佈線電線連接接觸電極陣列和多個接觸墊電極；多個透明虛擬電極線從多個接觸墊電極延伸到第一可撓薄膜的一邊緣；多個虛擬金屬圖案與多個透明虛擬電極線為一對一接觸，且多個虛擬金屬圖案位於第一可撓薄膜的邊緣，各虛擬金屬圖案的寬度大於各透明虛擬電極線的寬度；第二可撓薄膜設置有朝向接觸電極陣列的一薄膜電晶體和一有機發光二極體陣列；黏著層位於有機發光二極體陣列和接觸電極陣列之間。
應當理解，本發明的前述一般描述和以下詳細描述都只是示範性和說明性的，並且旨在對於本發明所要求保護的內容提供進一步說明。
在下文中，將參照圖式詳細描述本發明的實施例。
提供本發明的實施例是為了使本發明的技術精神能夠充分地轉移給本領域的技術人員，因此本發明可以用其他形式具體實施，並且不限於下面描述的實施例。此外，在圖式中為了清楚說明，例如可能會誇大裝置、層和區域的尺寸和厚度。在整個圖式中將使用相同的圖式標記來註記相同或相似的部件。
參考下面結合圖式詳細描述的實施例，本發明的優點和特徵以及它們的獲得方式將變得易於思及。然而，本發明不限於下文公開的實施例，並且可以用許多不同的形式來具體實施。當然，提供這些示範性實施例，使得本發明所揭示的內容將被完整的完成，並且將向本領域技術人員充分傳達該範圍。本發明的範圍應由申請專利範圍界定。
應可理解，當元件或層被稱為在另一個元件或層之「上」時，其可以直接在另一個元件或層上，或者也可以存在中間元件或層。另一方面，當例如層、膜、區域或基板的元件被稱為「直接在另一元件上」時，這意味著它們之間不存在介入元件。
在本文中可以使用諸如「下」、「上」等之類的空間相對術語，以便於描述一元件或組成與另一元件或其他組成，如圖式所示。應當理解，除了圖式中所顯示的取向之外，空間相對術語旨在包括使用或操作中的裝置的不同取向。例如，當圖式中所顯示的元件被倒置時，被描述為位於另一元件「下方」的元件可以被放置在另一個元件的「上方」之上。 因此，示範性術語“下方”可包含上下方向。
提供在說明書中使用的術語來描述實施例，其不旨在限制本發明。在說明書中，除非上下文另有明確指明，否則單數形式也意味著包含複數形式。進一步理解，當在說明書中使用時，術語「包含」和/或「包含」指定所述組成、步驟、操作和/或元件的存在或添加，但不排除存在或 添加一個或多個其他組成、步驟、操作和/或元件。
圖1是本發明的可撓式顯示裝置的製造方法的流程圖。另外，圖2是本發明的可撓式顯示裝置的製造方法中的上玻璃基板和第一可撓薄膜的平面圖，而圖3A至圖3C是本發明的可撓式顯示裝置的製造方法中第一可撓薄膜、第二可撓薄膜以及第一可撓薄膜和第二可撓薄膜的接合狀態的平面圖。
如圖1所示，本發明的可撓式顯示裝置的製造方法按以下順序進行。
在下玻璃基板（未圖示）的一側，每個TFT基板單元40形成有薄膜電晶體（TFT）陣列和與薄膜電晶體（TFT）陣列連接的有機發光二極體陣列（步驟10S：在下玻璃基板上形成有薄膜電晶體陣列和有機發光二極體陣列）。
具體地，在提供下玻璃基板（未圖示）之後，在下玻璃基板（見圖11中的41）上提供一第二可撓薄膜。然後，如圖3A所示，對每個TFT基板單元40形成薄膜電晶體陣列。每個TFT基板單元40包含活性區AA和圍繞活性區AA的一周邊區域，並且TFT墊部45是沿著該周邊區域一側相對大的區域設置。一對虛擬墊部47設置在TFT墊部45的相對兩側。在形成薄膜電晶體陣列的過程中，TFT基板單元40沒有被單獨分離，而僅在下玻璃基板上定義了TFT基板單元40的區域。 也就是說，在形成薄膜電晶體陣列的過程中，第二可撓薄膜尚未被圖案化，而是一體地形成在作為具有多個TFT基板單元40的母基板的下玻璃基板上，並且在每個TFT基板單元40上形成薄膜電晶體陣列。然後，機發光二極體(OLED）陣列形成在薄膜電晶體陣列上方。在此情況下，活性區AA被劃分成多個子像素，且薄膜電晶體陣列和有機發光二極體陣列在每個子像素的TFT基本單元40中彼此連接。
如圖2所示，在提供上玻璃基板10之後，在上玻璃基板10上形成一犧牲層（未繪示於圖2，但可見圖7A至7C的50），此後，在犧牲層上提供一第一可撓薄膜120，然後藉由顯影製程對每個接觸基板單元進行圖案化。隨後，如圖3B所示，在每個接觸基板單元的活性區AA中形成一接觸電極陣列（見圖11中的200），並且在活性區AA周圍的該周邊區域的一部分形成一接觸墊部130（步驟20S：在上玻璃基板10上形成接觸電極陣列）。在此，當形成接觸電極陣列（參見圖11中的200）和接觸墊部130時，第一可撓薄膜120保留在上玻璃基板10上。
同時，第一可撓薄膜120是無色有機膜，其厚度在約0.5微米(µm)至10µm的範圍之間，且是由例如光丙烯酸(photo-acryl)或聚醯亞胺(polyimide)形成。第一可撓薄膜120不是分開附著的薄膜，而是藉由將材料塗佈在玻璃基板上而形成的薄膜。因此，第一可撓薄膜120比一般的單一塑料膜更薄，並且有助於可撓式顯示裝置的靈活性。
隨後，如圖3C所示，接觸電極陣列和有機發光二極體陣列（參見圖11中的310）被設置為彼此面對，以便用黏著層（見圖11中的400）來彼此黏合（步驟30S：接合且連接接觸墊部與虛擬墊部）。
隨後，藉由雷射照射移除上玻璃基板10（步驟40S：移除上玻璃基板）。
隨後，將每個TFT基板單元40切割(Scribe)成如圖3A所示的形狀（步驟50S：切割TFT基板單元），並且藉由雷射照射移除下玻璃基板（步驟60S：移除下玻璃基板）。藉由上述的步驟，在每個單元形成有TFT基板單元40和第一可撓薄膜120彼此黏合的基板。
如圖3C所示，已經移除了上玻璃基板和下玻璃基板的接合板具有最終形狀，最終形狀中第一可撓薄膜120在對應 TFT基板單元40的墊部的區域中是開放的，因此小於TFT基板單元40。
圖4是在比較例中圖2的區域A的放大平面圖，而圖5是在比較例中第一可撓薄膜的切割面上的透明電極發生剝離現象的照片。
考慮前述製造方法，在藉由顯影程序(photo-processing)對其上設置有接觸電極陣列的第一可撓薄膜120進行圖案化，以在每個單元確定其形狀，執行陣列形成製程(array forming process)。
在比較例中，如圖4所示，為了避免在製造過程中產生靜電，一短路棒55直接形成在圖案化的第一可撓薄膜20之外的上玻璃基板10上。 短路棒55藉由連接線33來連接位於第一可撓薄膜20內的一接觸墊電極31。
在隨後的移除上玻璃基板的過程中，例如，當第一可撓薄膜20物理性地被劃分為接觸基板單元時，短路棒55與第一可撓薄膜20分離。
連接線33可以被分成設置在形成第一可撓薄膜20的部分上的一部分和直接形成在上玻璃基板10上的部分(而不是第一可撓薄膜20上的部份)。在這種結構中，當使用雷射移除上玻璃基板10時，在上玻璃基板10上的直接形成第一可撓薄膜20的區域中，連接線33與穿過透明的上玻璃基板10的雷射反應。此時，會因與高雷射能量進行反應而產生顆粒脫落，從而對第一可撓薄膜20上的結構造成損傷。
例如，由於連接線33例如是由氧化銦錫(ITO)的透明電極一體地連接地形成，在藉由雷射照射移除上玻璃基板10的過程中，如圖5所示，直接設置在第一可撓薄膜20外部的上玻璃基板10上的連接線33的部分，以及直接設置在第一可撓薄膜20上的連接線33的部分會被剝離。如此，連接到剝離的連接線33的接觸墊電極31是脆弱的並且在接觸操作時有故障的風險。
同時，在圖5中，接觸墊電極31可為銅/鉬鈦(Cu/MoTi)(未描述於前)。
本發明的可撓式顯示裝置意旨在解決上述問題，並且藉由改變第一可撓薄膜的切割面的構造來避免這種損傷和連接線的剝離。
首先，在本發明的可撓式顯示裝置中，將描述在移除上玻璃基板之前和形成接觸電極陣列之後的第二可撓薄膜的頂部的構造。
圖6是在本發明之可撓式顯示裝置中圖2的區域A的放大平面圖，並且圖7A至圖7C是沿著圖6的I-I'線、II-II'線以及III-III'線的剖面圖。
如圖6和圖7A至圖7C，本發明的可撓式顯示裝置包含第一可撓薄膜120、一接觸電極陣列200、一接觸墊部130、一佈線電線127、多個透明虛擬電極線133、以及多個虛擬金屬圖案135。第一可撓薄膜120分隔為一活性區AA和圍繞活性區AA的一死區。接觸電極陣列200位於第一可撓薄膜120的活性區AA中。接觸墊部130位於第一可撓薄膜120的死區中，且接觸墊部130具有多個接觸墊電極131。佈線電線127連接活性區AA中的接觸電極陣列200和多個接觸墊電極131。多個透明虛擬電極線133從接觸墊電極131延伸到一短路棒137，以便穿過第一可撓薄膜120的邊緣。多個虛擬金屬圖案135分別與多個透明虛擬電極線133的一表面接觸，多個虛擬金屬圖案135與第一可撓薄膜120的邊緣接觸，且各虛擬金屬圖案135的寬度大於各透明虛擬電極線133的寬度。
在此，圖6所示的區域對應於圖3B的平面圖中的第一可撓薄膜120的上突出部，並且對應於接觸墊部130的一側和與其接近的區域。在上玻璃基板10上，各虛擬金屬圖案135位於彼此分離的第一可撓薄膜120和虛擬基板120a上。多個虛擬金屬圖案135和多個透明虛擬電極線133穿過虛擬基板120a，多個透明虛擬電極線133連接到虛擬基板120a上的一短路棒137。短路棒137具有與透明虛擬電極線133同一層的透明電極的形狀，且多個虛擬金屬圖案形成島狀疊(island-shaped stack)。在這種情況下，透明虛擬電極線133與短路棒137的透明電極一體形成。
短路棒137功用在於避免在接觸電極陣列形成過程中產生靜電。
此外，在接觸電極陣列形成過程中，第一可撓薄膜120設置在上玻璃基板10的上方，犧牲層50插入其間。
因為當移除上玻璃基板10時第一可撓薄膜120可向外露出，在其形成有接觸電極陣列的內表面設置了多個無機緩衝層125。接著，在多個無機緩衝層125上形成接觸電極陣列200。
第一可撓薄膜120被圖案化如圖6所示的形狀，以便在形成接觸電極陣列之前與虛擬基板120a分離。然後，在形成接觸電極陣列的過程中，多個虛擬金屬圖案135形成在與金屬網格圖案相同的層中，以便延伸到第一可撓薄膜120以及虛擬基板120a上。多個虛擬金屬圖案135可以一疊遮光金屬材料，例如銅層和鉬鈦層，其在雷射照射時可表現出很少或沒有與雷射能量的反應性。在另一實施例中，虛擬金屬圖案135可以是鉬/鋁(Mo/Al)疊層、Ti/Al/Ti疊層或具有低雷射反應性的任何其它金屬層或金屬疊層。
虛擬基板120a上的短路棒137的多個接觸墊電極131和多個虛擬金屬圖案可以設置在與虛擬金屬圖案135相同的層中。多個虛擬金屬圖案135位於第一可撓薄膜120和虛擬基板120a之間，它們彼此分離，並且還位於與第一可撓薄膜120和虛擬基板120a的面對端重疊。
透明虛擬電極線133穿過多個虛擬金屬圖案135的頂部並連接到多個接觸墊電極131和短路棒137。在此，透明虛擬電極線133的寬度小於虛擬金屬圖案135的寬度，並被遮光的虛擬金屬圖案135所覆蓋，因而不會被雷射照射時的雷射影響。
此外，虛擬金屬圖案135與接觸墊電極131以一預定距離間隔開，並且與接觸墊電極131電氣分隔。例如，虛擬金屬圖案135可為島狀。在雷射處理期間，多個虛擬金屬圖案135作為加強圖案，可避免對第一可撓薄膜120內形成的透明虛擬電極線133造成損害或任何負面影響，且虛擬金屬圖案135是沒有提供電子訊號的浮動圖案(floating pattern)。
例如，可以在透明虛擬電極線133的上方進一步形成一保護層。在一些情況下，一異方性導電膜(anisotropic conductive film)可以越過接觸墊部130，以便在加壓成型過程中擴展到透明虛擬電極線133的上側。接觸墊部130在設置薄膜電晶體陣列和有機發光二極體陣列（參見圖11中的310）的第二可撓薄膜41的一側遇到虛擬墊部（參見圖11的47），以設置成彼此面對。在該區域中，接觸墊部130的接觸墊電極131和虛擬墊部47的虛擬墊電極可以通過異方性導電膜（參見圖11中的450）彼此連接。透明虛擬電極線133是用於將接觸墊電極131和在其相對側的短路棒137互連的導電連接圖案，這與前述具有島狀的虛擬金屬圖案135不同。
圖8是本發明的可撓式顯示裝置的接觸電極陣列和佈線電線的剖面圖。
具體地，參考圖8，考慮位於活性區AA中的接觸電極陣列200的設置，在犧牲層50設置在上玻璃基板10上且在犧牲層50上設置一個或多個無機緩衝層125之後，多個金屬網格141設置在無機緩衝層125上且每個金屬網格141連接到第一電極210和第二電極220，第一電極210和第二電極220具有格子形狀以便彼此交叉並用於接收和提供信號。第一電極210和第二電極220分別覆蓋金屬網格141。在一些情況中，金屬網格141可以形成為包括銅層和鉬鈦層的雙層，並且可以在與形成前述的虛擬金屬圖案135的相同製程中形成。然而，金屬網格141用於輔助降低第一電極210和第二電極220的電阻，並且在金屬網格141的寬度較大時可在活性區AA中可見到金屬網格141。為了避免這種情況，金屬網格141的寬度小於活性區AA中第一電極210和第二電極220的寬度。
在此，第一電極210和第二電極220可以設置在金屬網格141之上，並且可以使用相同的半色調光罩(halftone mask)或相同的多階調遮罩(multi-tone mask)將金屬網格141和第一電極210和第二電極220圖案化在一起。第一電極210和第二電極220可以由透明電極形成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)或氧化銦鋅錫(ITZO)，並且可在形成透明虛擬電極線133的製程中形成。
提供由無機層形成的第一層間絕緣層128和由無機層形成的第二層間絕緣層129來覆蓋金屬網格141、第一電極210和第二電極220。第二電極220藉由形成在第一層間絕緣層128和第二層間絕緣層129中的接觸孔在同一層中彼此間隔開，並且相鄰的第二電極220藉由橋接用電極230彼此電性連接。
同時，佈線電線127可以藉由由金屬形成的第一層127a和由透明電極形成的第二層127b彼此層疊而形成。第二層127b可以具有較大的寬度，以便覆蓋第一層127a，第一層127a允許由透明電極形成的第二層127b保護其下面的由金屬構成的第一層127a，從而避免第一層127a的腐蝕。佈線電線127的第一層127a和第二層127b各分別與虛擬金屬圖案135和透明虛擬電極線133在相同的製程中形成。
同時，在本發明的可撓式顯示裝置中，對於裝置的輕薄設計和靈活性，在接觸電極陣列（參見圖11中的200）和佈線電線127形成之後，位於其下方的用作母基板的上玻璃基板10被移除。
當藉由從上玻璃基板10的下側輻射雷射而使犧牲層50熔化時，上玻璃基板10與第一可撓薄膜120分離。在此情況下，第一可撓薄膜120已經在上玻璃基板10上被圖案化，以便與虛擬基板120a分離。當移除上玻璃基板10時，圍繞第一可撓薄膜120的虛擬基板120a將與上玻璃基板10一起被移除。
在此情況下，虛擬金屬圖案135位於靠近雷射照射的一側，從而避免雷射能量被傳送到上面的透明虛擬電極線133，這可以避免在雷射照射期間透明電極顆粒的產生，而使製造過程穩定。
圖9是本發明的可撓式顯示裝置的上玻璃基板移除後的狀態的平面圖，而圖10A和圖10B是沿著圖9的IV-IV'線和V-V'線的剖面圖。
如圖9至圖10B所示，在藉由雷射照射移除上玻璃基板10之後，圖案化的第一可撓薄膜120在其邊界處經歷橫向分離，藉此虛擬金屬圖案135沿著第一可撓薄膜120的邊緣被切割，從而保持在第一可撓薄膜120上。
也就是說，各虛擬金屬圖案135的寬度大於對應的透明虛擬電極線133的寬度，以便與第一可撓薄膜120的邊緣接觸，並且透明虛擬電極線133保留在虛擬金屬圖案135上以便與其電性連接。
因此，當藉由雷射照射移除上玻璃基板10時，位於第一可撓薄膜120之外且沒有用於形成或附著有機層的表面的無機層125和在其上的其它層，會與上玻璃基板10一起被移除，由此第一可撓薄膜120的邊緣會受到橫向分離。
同時，雖然上述實施例已經描述了包含接觸電極陣列（觸控螢幕）的可撓薄膜的邊緣上的虛擬圖案，但本發明不限於此，並且可以應用於所有邊緣，只要可撓薄膜的形狀在玻璃基板被移除之前被限定。
圖11是本發明的可撓式顯示裝置的剖面圖。
如圖11所示，本發明的可撓式顯示裝置包含第一可撓薄膜120、一接觸電極陣列200、一接觸墊部130、多個佈線電線127、多個透明虛擬電極線133、多個虛擬金屬圖案135、一第二可撓薄膜41以及一黏著層400。第一可撓薄膜120分隔為一活性區AA和圍繞活性區AA的一死區。接觸電極陣列200包含位於活性區AA的第一電極210和第二電極220的接觸電極陣列200，第一電極210和第二電極220。接觸墊部130位於第一可撓薄膜120的死區中，且接觸墊部130具有多個接觸墊電極131。多個佈線電線127連接的接觸電極陣列200和多個接觸墊電極131。多個透明虛擬電極線133從多個接觸墊電極131延伸到第一可撓薄膜120的邊緣，第二可撓薄膜41設置面向接觸電極陣列200，並具有一薄膜電晶體陣列和一有機發光二極體陣列310。黏著層400位於有機發光二極體陣列310和接觸電極陣列200之間。
在此，第二可撓薄膜41可以是彩色可撓薄膜，其例如由聚醯亞胺或光丙烯形成，且可以在移除下玻璃基板之前，經由切割製程與下玻璃基板分離。
同時，上文未描述的圖式標記“48”是無機緩衝層，當薄膜電晶體陣列和有機發光二極體陣列310形成在第二可撓薄膜41上時，無機緩衝層可用於避免第二可撓薄膜41的損傷，並且可以包含多個層。
從上面的描述可以理解，本發明的可撓式顯示裝置可以使用可撓薄膜作為設置薄膜電晶體陣列、有機發光二極體陣列和接觸電極陣列在其上的平面，以便減少裝置的厚度。此外，在可撓薄膜設置到上玻璃基板以及下玻璃基板上的狀態下進行陣列形成製程，可避免在陣列形成期間，易受熱的可撓薄膜的損傷。由於上玻璃基板上的可撓薄膜較薄，並且通過塗佈製程形成在上玻璃基板上，所以在形成陣列的過程之前，可撓薄膜可以被圖案化以確定其形狀。因此，陣列形成製程被應用於圖案化的可撓薄膜上。當在陣列形成製程期間在可撓薄膜的邊緣上形成具有大寬度的金屬虛擬圖案時，可以因雷射照射移除玻璃基板而從可撓薄膜下面和周圍的結構脫落的顆粒。特別地，當在ITO線下方提供多個金屬虛擬圖案時，可以防止由於與雷射反應而導致ITO線的顆粒散布。
此外，本發明的多個金屬虛擬圖案形成在與構成接觸電極陣列的電極的下部的金屬網格之相同的層中，這可以排除任何材料或光罩的添加。
本發明的可撓式顯示裝置可以用可撓薄膜先圖案化的結構，並且在隨後的移除玻璃基板的過程中，通過外部物理力將可撓薄膜周圍的結構除去，以使裝置變得輕薄。在可撓式顯示裝置中，可以改變可撓薄膜的邊緣結構，以將可撓薄膜的切割平面產生的顆粒減到最少，從而避免對可撓薄膜周圍的損傷。
上述特徵、設置、功效等包含在本發明的至少一個實施例中，並且不應僅限於一個實施例。此外，每個實施例中所示的特徵、設置、功效等可以考慮其他實施例來實現，因為它們彼此組合或由本領域技術人員修改。因此，與這些組合和修改相關的內容應被解釋為包含在本發明的範圍和精神中。
對於本領域技術人員顯而易見的是，在本發明的可撓式顯示裝置中可以進行各種修改和變化，而不脫離本發明的精神或範圍。因此，只要在申請專利範圍及其均等物的範圍內，本發明旨在包含本發明的修改和變化。
10‧‧‧上玻璃基板
20‧‧‧第一可撓薄膜
31‧‧‧接觸墊電極
33‧‧‧連接線
40‧‧‧基板單元
41‧‧‧第二可撓薄膜
45‧‧‧墊部
47‧‧‧虛擬墊部
48‧‧‧無機緩衝層
50‧‧‧犧牲層
55‧‧‧短路棒
120‧‧‧第一可撓薄膜
120a‧‧‧虛擬基板
125‧‧‧無機緩衝層
127‧‧‧佈線電線
127a‧‧‧第一層
127b‧‧‧第二層
128‧‧‧第一層間絕緣層
129‧‧‧第二層間絕緣層
130‧‧‧接觸墊部
131‧‧‧多個接觸墊電極
133‧‧‧多個透明虛擬電極線
135‧‧‧多個虛擬金屬圖案
137‧‧‧短路棒
141‧‧‧金屬網格
200‧‧‧接觸電極陣列
210‧‧‧第一電極
220‧‧‧第二電極
230‧‧‧橋接用電極
310‧‧‧有機發光二極體陣列
400‧‧‧黏著層
450‧‧‧異方性導電膜
AA‧‧‧活性區
圖1是本發明的可撓式顯示裝置的製造方法的流程圖。 圖2是本發明的可撓式顯示裝置的製造方法中的上玻璃基板和第一可撓薄膜的平面圖。 圖3A至圖3C是本發明的可撓式顯示裝置的製造方法中第一可撓薄膜、第二可撓薄膜以及第一可撓薄膜和第二可撓薄膜的接合狀態的平面圖。 圖4是在比較例中圖2的區域A的放大平面圖。 圖5是在比較例中第一可撓薄膜的切割面上的透明電極發生剝離現象的照片。 圖6是在本發明之可撓式顯示裝置中圖2的區域A的放大平面圖。 圖7A至圖7C是沿著圖6的I-I'線、II-II'線以及III-III'線的剖面圖。 圖8是本發明的可撓式顯示裝置的接觸電極陣列和佈線電線的剖面圖。 圖9是本發明的可撓式顯示裝置的上玻璃基板移除後的狀態的平面圖。 圖10A和圖10B是沿著圖9的IV-IV'線和V-V'線的剖面圖。 圖11是本發明的可撓式顯示裝置的剖面圖。

Claims (18)

  1. 一種可撓式顯示裝置，包含：一可撓薄膜，分隔為一活性區和圍繞該活性區的一死區；一薄膜電晶體(TFT)陣列，在該可撓薄膜上；一有機發光二極體陣列，與該薄膜電晶體(TFT)陣列連接；一電極陣列，位於該可撓薄膜的該活性區中；一接觸墊部，位於該可撓薄膜的該死區中，且該接觸墊部具有多個墊電極；一佈線電線，連接該電極陣列和該些墊電極；多個透明虛擬電極線，從該些墊電極延伸到該可撓薄膜的一邊緣；以及多個虛擬金屬圖案；其中該些虛擬金屬圖案與該些透明虛擬電極線為一對一接觸，且該些虛擬金屬圖案位於該可撓薄膜的該邊緣，各該虛擬金屬圖案的寬度大於各該透明虛擬電極線的寬度。
  2. 如請求項1之可撓式顯示裝置，其中各該虛擬金屬圖案與各該墊電極之間相隔一預定距離。
  3. 如請求項1之可撓式顯示裝置，還包含一無機緩衝層，位於該可撓薄膜和該些虛擬金屬圖案之間。
  4. 如請求項1之可撓式顯示裝置，其中該些虛擬金屬圖案位於該些透明虛擬電極線之下。
  5. 如請求項4之可撓式顯示裝置，其中該電極陣列包含一第一電極和一第二電極，該第一電極和該第二電極由包含一金屬網格和覆蓋該金屬網格的一透明電極的雙層所構成。
  6. 如請求項5之可撓式顯示裝置，其中該金屬網格與該些虛擬金屬圖案為同一層，且該透明電極與該些透明虛擬電極線為同一層。
  7. 如請求項4之可撓式顯示裝置，其中該佈線電線包含一第一層和一第二層，該第一層與該些虛擬金屬圖案為同一層，該第二層與該些透明虛擬電極線為同一層，且該第二層的寬度大於該第一層的寬度。
  8. 如請求項1之可撓式顯示裝置，其中各該虛擬金屬圖案為一銅層和一鉬鈦層的堆疊，各該透明虛擬電極線為單層，且由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(ITZO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)其中一者所構成。
  9. 一種可撓式顯示裝置，包含：一第一可撓薄膜，分隔為一活性區和圍繞該活性區的一死區；一接觸電極陣列，位於該第一可撓薄膜的該活性區中；一接觸墊部，位於該第一可撓薄膜的該死區中，且該接觸墊部具有多個接觸墊電極；一佈線電線，連接該接觸電極陣列和該些接觸墊電極；多個透明虛擬電極線，從該些接觸墊電極延伸到該第一可撓薄膜的一邊緣；多個虛擬金屬圖案；其中該些虛擬金屬圖案與該些透明虛擬電極線為一對一接觸，且該些虛擬金屬圖案位於該第一可撓薄膜的該邊緣，各該虛擬金屬圖案的寬度大於各該透明虛擬電極線的寬度；一第二可撓薄膜，設置有朝向該接觸電極陣列的一薄膜電晶體和一有機發光二極體陣列；以及一黏著層，位於該有機發光二極體陣列和該接觸電極陣列之間。
  10. 如請求項9之可撓式顯示裝置，還包含一虛擬墊部，設置於該第二可撓薄膜且對應於該接觸墊部。
  11. 如請求項10之可撓式顯示裝置，其中該接觸墊部和該虛擬墊部經由一異方性導電膜相連接。
  12. 如請求項9之可撓式顯示裝置，其中各該虛擬金屬圖案與各該接觸墊電極之間相隔一預定距離。
  13. 如請求項9之可撓式顯示裝置，還包含一無機緩衝層，位於該第一可撓薄膜和該些虛擬金屬圖案之間。
  14. 如請求項9之可撓式顯示裝置，其中該些虛擬金屬圖案位於該些透明虛擬電極線之下。
  15. 如請求項14之可撓式顯示裝置，其中該接觸電極陣列包含一第一電極和一第二電極，該第一電極和該第二電極由包含一金屬網格和覆蓋該金屬網格的一透明電極的雙層所構成。
  16. 如請求項15之可撓式顯示裝置，其中該金屬網格與該些虛擬金屬圖案為同一層，且該透明電極與該些透明虛擬電極線為同一層。
  17. 如請求項14之可撓式顯示裝置，其中該佈線電線包含一第一層和一第二層，該第一層與該些虛擬金屬圖案為同一層，該第二層與該些透明虛擬電極線為同一層，且該第二層的寬度大於該第一層的寬度。
  18. 如請求項9之可撓式顯示裝置，其中各該虛擬金屬圖案為一銅層和一鉬鈦層的堆疊，各該透明虛擬電極線為單層，且由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(ITZO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)其中一者所構成。
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