JP6425676B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 124
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 108
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 337
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 126
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 73
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 35
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 2
- GPFIZJURHXINSQ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nitric acid Chemical compound CC(O)=O.O[N+]([O-])=O GPFIZJURHXINSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008355 Si-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006453 Si—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- QVLTXCYWHPZMCA-UHFFFAOYSA-N po4-po4 Chemical compound OP(O)(O)=O.OP(O)(O)=O QVLTXCYWHPZMCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
本発明の実施の形態1に係る表示装置が備えるTFT基板(薄膜トランジスタ基板)は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)が用いられたアクティブマトリックス基板であるものとして説明する。なお、TFT基板を備える表示装置には、例えば、液晶表示装置(LCD)等の平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ)が用いられる。
まず、図1を用いてTFT基板の全体構成について説明する。図1は、本実施の形態1に係るTFT基板の全体構成を模式的に示す平面図であり、LCD用のTFT基板の例を示している。
画素電極8と対向電極との間の電界によって、液晶が駆動される。すなわち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層を通過する光の偏光状態が変化する。偏光板を通過して直線偏光となった光は液晶層によって、偏光状態が変化する。
次に、図2及び図3を参照して、本実施の形態1に係るTFT基板が、TN方式及び透過型のLCD用TFT基板に適用されているものとして説明する。なお、以下においては画素の構成について主に説明する。図2は、図1に示した画素204の平面構成を示す平面図であり、図3は、図2におけるA−A線での断面構成(表示領域部の断面構成)、B−B線での断面構成(非表示領域部の断面構成)を示す断面図である。なお、図2では、ゲート配線101及びゲート電極2を、他の配線及び他の電極と区別するために二点鎖線で図示されている。
図4は、図5に示す断面構造において、半導体膜3及びオーミックコンタクト層4に関する段差d1,d2及び突出量(幅)e1,e2、並びに、信号配線106の導電膜の段差d3の変化に対する、ウェーブノイズ及び段切れの発生の変化を示している。
本実施の形態1に係る液晶表示装置の製造方法について、製造工程を順に示す断面図である図6〜図15を用いて説明する。図6〜図15は、図3に示す断面図と同様の断面図であり、図3は最終工程を示す断面図に相当する。なお、図7〜図13は、図3に示すA−A断面の構成から部分的に抽出された構成要素を、模式的に示している。
以上説明した本実施の形態1に係るTFT基板200の製造方法によれば、ソース電極5、ドレイン電極6、ソース配線104及び信号配線106の導電膜から、オーミックコンタクト層4が外側に突出し、オーミックコンタクト層4から半導体膜3が外側に突出し、ソース電極5とドレイン電極6と間の下には半導体膜3の一部を残したTFT基板200を、簡便に製造することができる。
以上説明した実施の形態1に係るTFT基板は、TN方式及び透過型のLCD用のTFT基板に適用されていた。これに対し、本発明の実施の形態2に係るTFT基板は、FFS方式及び透過型のLCD用のTFT基板に適用されているものとして説明する。なお、本実施の形態2に係るTFT基板の全体構成は、実施の形態1に係るTFT基板の全体構成(図1)と同じであることから、その説明を省略する。
図16及び図17を参照して、本実施の形態2のTFT基板、より具体的にはFFS方式のLCD用のTFT基板の構成について説明する。なお、以下においては画素の構成について主に説明する。図16は、図1に示した画素204の平面構成を示す平面図であり、図17は、図16におけるC−C線での断面構成(表示領域部の断面構成)、D−D線での断面構成(非表示領域部の断面構成)を示す断面図である。なお、図16では、ゲート配線101及びゲート電極2を、他の配線及び他の電極と区別するために二点鎖線で図示されている。
さて、本実施の形態2においても、実施の形態1と同様に、ソース電極5及びソース配線104等の導電膜の断面構造は、オーミックコンタクト層4の端部が、導電膜の端部より外側に配置され、半導体膜3の端部が、オーミックコンタクト層4の端部より外側に配置された階段形状を有している。このような構成によれば、実施の形態1と同様に、上層として形成される配線及び電極の段切れを低減することができる。
次に、本実施の形態2の液晶表示装置の製造方法について、製造工程を順に示す断面図である図18〜図20を用いて説明する。なお、図18〜図20は、図17に示す断面図に対応する断面図であり、図17は最終工程を示す断面図に相当する。なお、ソース電極5(ソース配線104含)、ドレイン電極6を形成するまでの工程は、実施の形態1で図6〜図15を用いて説明した工程と同様であるので説明は省略する。
以上説明した本実施の形態2に係るTFT基板200の製造方法によれば、ソース電極5、ドレイン電極6、ソース配線104及び信号配線106の導電膜から、オーミックコンタクト層4が外側に突出し、オーミックコンタクト層4から半導体膜3が外側に突出し、ソース電極5とドレイン電極6十間の下には半導体膜3の一部を残したTFT基板200(FFSモードの液晶表示装置)を、簡便に製造することができる。
以上説明した実施の形態1〜2のTFT基板は、透過型の液晶表示装置に適用されるものとして説明を行ったが、TFTをアクティブスイッチ素子に用いる表示装置(表示機器)、例えば、有機EL(Electro Luminescence)表示装置、電子ペーパーなどに適用することも可能である。特に開口率が求められるボトムエミッション型の有機EL表示装置に適用することにより、明るく鮮明な表示が可能となる。
Claims (4)
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極が形成された前記基板上に、ゲート絶縁膜、半導体膜、オーミックコンタクト層、導電膜及びフォトレジストをこの順で積層する工程と、
透光部、半透光部及び遮光部を有するフォトマスクを用いて、前記フォトレジストをパターニングすることにより、半透光部のレジスト部及び遮光部のレジスト部を含む第1のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のフォトレジストパターンを用いて、前記導電膜を選択的にウェットエッチングすることにより、第1の導電膜パターンを形成する工程と、
現像液を用いて、前記第1のフォトレジストパターンをパターニングすることにより、前記半透光部のレジスト部が除去された第2のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のフォトレジストパターンと、前記第1の導電膜パターンとを用いて、前記オーミックコンタクト層及び前記半導体膜を選択的にエッチングする工程と、
前記第2のフォトレジストパターンを用いて、前記第1の導電膜パターンを選択的にエッチングすることにより、前記オーミックコンタクト層の端部を、前記導電膜の端部より外側に配置させる工程と、
前記第2のフォトレジストパターンを用いて、前記オーミックコンタクト層及び前記半導体膜を選択的にエッチングすることにより、前記半導体膜の端部の少なくとも一部を、前記オーミックコンタクト層の端部より外側に配置させる工程と、
前記第2のフォトレジストパターンを除去する工程と
を備える、表示装置の製造方法。 - 請求項1に記載の表示装置の製造方法であって、
前記オーミックコンタクト層を貫通し、前記半導体膜の内部に達する凹部が設けられ、
前記導電膜は、前記凹部を挟むソース電極及びドレイン電極を含み、
前記半導体膜の前記凹部をなす端部以外の端部は、前記オーミックコンタクト層の端部より外側に配置された、表示装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の表示装置の製造方法であって、
前記導電膜の前記端部と、前記導電膜の前記端部よりも外側に配置された前記オーミックコンタクト層の前記端部との間の距離は0.1μm以上0.3μm以下であり、
前記オーミックコンタクト層の前記端部と、前記オーミックコンタクト層の前記端部よりも外側に配置された前記半導体膜の前記端部との間の距離は0.3μm以上0.5μm以下である、表示装置の製造方法。 - 請求項2に記載の表示装置の製造方法であって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの前記凹部側の側面と底面とがなす角度は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれの前記凹部側以外の側面と底面とがなす角度よりも小さい、表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053379A JP6425676B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053379A JP6425676B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 表示装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168706A JP2017168706A (ja) | 2017-09-21 |
JP2017168706A5 JP2017168706A5 (ja) | 2017-11-09 |
JP6425676B2 true JP6425676B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=59909161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016053379A Active JP6425676B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6425676B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001324725A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US7781850B2 (en) * | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
JP4461873B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-05-12 | カシオ計算機株式会社 | 亜鉛酸化物の加工方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101143005B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2012-05-08 | 삼성전자주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
JP5377940B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5308831B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2013-10-09 | 三菱電機株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
KR101582946B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2016-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
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2016
- 2016-03-17 JP JP2016053379A patent/JP6425676B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017168706A (ja) | 2017-09-21 |
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|
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