JP6023657B2 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1乃至図3は、本発明の一実施形態に係わるコプラナ型TFTの概略構成を説明するためのもので、図1は平面図、図2は図1の矢視I−I’断面図、図3は図1の矢視II−II’断面図である。このTFTは、例えば液晶表示装置の画素スイッチングに用いるものである。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
11…遮光層
12…酸化物半導体層
13…レジスト
14…ゲート絶縁膜
15…ゲート電極
16…層間絶縁膜
17…コンタクトビア
18…配線層
Claims (8)
- 透明基板上の一部に形成された、ファブリペロー型干渉フィルタからなる遮光層と、
前記遮光層上に形成された酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に形成されたトランジスタ構造と、
を具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記干渉フィルタは、酸化膜と窒化膜との積層構造で構成され、前記酸化物半導体層の下に酸化膜が形成され、該酸化膜の下に窒化膜が形成されていることを特徴とする、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記干渉フィルタは、465nmを中心とする波長の光を減衰させる構成であることを特徴とする、請求項2記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層と前記遮光層の側面にテーパが形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記干渉フィルタは、前記酸化物半導体層下以外にも形成され、前記酸化物半導体層下以外では膜厚が半分以下となっていることを特徴とする、請求項1乃至4の何れかに記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層は、インジウム−ガリウムー亜鉛合金の酸化物(IGZO)であることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の薄膜トランジスタ。
- 透明基板上にファブリペロー型干渉フィルタからなる遮光層を形成する工程と、
前記遮光層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層上に島状にマスクを形成し、該マスクを用いて前記酸化物半導体層及び前記遮光層をエッチングする工程と、
前記酸化物半導体層にトランジスタ構造を形成する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記酸化物半導体層及び前記遮光層をエッチングする際に、前記マスクも同時にエッチングすることを特徴とする、請求項7記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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