TWI470677B - 觸控結構之成形方法 - Google Patents
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Description
本發明有關於一種觸控結構之成形方法,尤指一種可減少一道光罩製程的觸控結構之成形方法。
請參考第1圖所示,第1圖係揭示一種現有的電容式觸控結構的側面示意圖,其依堆疊順序為一玻璃基板80、一金屬線路層81、一光阻層82、一透明導電層83、一保護層84。請參考第2、第3及第4圖所示,係揭示前述的觸控結構的製作流程,其主要係先於玻璃基板80上透過濺鍍形成一金屬層90’(如第3圖(a)所示),再形成一光阻層,其經過曝光顯影後形成圖案化的光阻層900(如第3圖(b)所示),再透過蝕刻製程移除該金屬層90’未被該光阻層900覆蓋的部分(如第3圖(c)所示),移除剩餘光阻層900後而形成預定線路圖案的金屬線路層90(如第3圖(d)所示)。
接著再於該金屬線路層90上塗佈一架橋光阻層91(如第3圖(e)所示);跟著塗佈一透明導電層92’及一光阻層920(如第3圖(f)及第4圖(a)所示);經過蝕刻及去光阻後即形成預定圖案的觸控導電層92(如第4圖(b)及(c)所示),該圖案化後的觸控導電層92係包含X軸與Y軸的觸控單元,其中,X軸觸控單元彼此之間是透過該金屬線路層90電性連接,Y軸觸控單元則是一體串接並透過該架橋光阻層91而與該些X軸觸控單元隔開;最後再塗佈一完整的保護層93,即完成前述的電容式觸控結構(如第4圖(d)所示)。
前述觸控結構的製程需經過多道光罩程序來形成圖案化光阻,其中用以做為架橋的光阻層91需要經過去掉形成金屬線路用的光阻層900,再塗佈新的光阻層以構成該架橋光阻層91,其中包含了兩道光罩製程。然而,若能透過一道光罩製程即可構成架橋用的光阻層,將可大為提升前述觸控結構的生產效率。
故,有必要提供一種觸控結構之成形方法,以解決習知技術所存在的問題。
有鑒於習知技術的缺點,本發明之主要目的在於提供一種觸控結構之成形方法,其較現有觸控結構的製程方法,在導電線路與架橋結構的製備過程中減少了一道光罩製程,而相對具有更快速的生產效率。
為達上述之目的,本發明提供一種觸控結構之成形方法,其包含:於一基板上形成一導電層;於該導電層上形成一圖案化的架橋光阻層,其中架橋光阻層係局部覆蓋該導電層,且該架橋光阻層包含一第一部分及一第二部分,該第二部分的厚度較第一部分的厚度薄;移除該導電層未被該架橋光阻層覆蓋的部分以圖案化該導電層,其中該架橋光阻層的側邊係與該導電線路層的邊緣幾乎切齊;移除該架橋光阻層的第二部分而成一架橋層並使該圖案化的導電層部分裸露而成一導電線路層;透過烘烤程序使該架橋層軟化;於該基板上形成一透明導電層以覆蓋該架橋層及該導電線路層;於該透明導電層上形成一圖案化的光阻層;移除該透明導電層未被該光阻層覆蓋的部分;移除該光阻層,使該透明導電層圖案化而成為一觸控導電層;以及於該基板上形成一保護層以覆蓋該觸控導電層及該架橋層。
在本發明之一實施例中,該架橋光阻層是透過一半色調光罩技術所製成。
在本發明之一實施例中,該架橋層與該導電線路層的表面之間的夾角小於該架橋層在烘烤程序後的底面與頂面之間的夾角。
在本發明之一實施例中,在移除該導電層未被該架橋光阻層覆蓋的部分而形成一導電線路層的步驟中,該架橋光阻層的側邊與該導電線路層的邊緣之間的間距小於5μm。
為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂,下文將特舉本發明較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
下列說明是參考附加的圖式,用以例示本發明可用以實施之特定實施例。本發明所提到的方向用語,例如「上」、「下」、「前」、「後」、「內」、「外」、「左」、「右」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,本發明以下實施例中所提到的方向用語僅是用來輔助說明本發明技術內容,而非用來限制本發明。
請參考第5圖所示,第5圖揭示本發明一較佳實施例觸控結構之成形方法的流程概要示意圖。本發明之觸控結構的成形過程主要包含形成導電線路層10、形成架橋層20以及形成觸控導電層30。
進一步參考第6圖跟第7圖所示,係揭示本發明一較佳實施例的詳細流程圖。本發明之觸控結構之成形方法係包含下列步驟:先於一基板40上形成一導電層10’,其成形方式可為金屬濺鍍(如第6圖(a)所示);於該導電層10’上形成一圖案化的架橋光阻層20’,該架橋光阻層20’是透過一半色調(Half Tone)光罩曝光技術所製成,其主要透過一半色調光罩,經過曝光顯影後,形成厚薄不一的架橋光阻層20’。其中,該架橋光阻層20’包含一第一部分及一第二部分,該第二部分的厚度較第一部分的厚度薄(如第6圖(b)所示);移除該導電層10’上未被該架橋光阻層20’覆蓋的部分而圖案化該導電層10’,其主要是利用該架橋光阻層20’透過金屬蝕刻等方式,使該導電層10’圖案化(如第6圖(c)所示),其中該架橋光阻層20’的側邊係與該圖案化的導電層10’的邊緣幾乎切齊,其中該架橋光阻層20’的側邊與該圖案化的導電層10’的邊緣之間的間距較佳是小於5μm;接著進行去光阻步驟,將一定厚度的架橋光阻層20’移除,使該架橋光阻層20’較薄的第二部分被移除掉,而讓該圖案化的導電層10’部分裸露出而形成一導電線路層10,且使架橋光阻層20’留存較厚的第一部分而成為一架橋層20(如第6圖(d)所示);接著於該基板40上形成一透明導電層30’以覆蓋該架橋層20及該導電線路層10(如第6圖(e)所示);於該透明導電層30’上形成一圖案化的光阻層300(如第7圖(a)所示);移除該透明導電層30’未被該光阻層300覆蓋的部分,使該透明導電層30’圖案化而成為一觸控導電層30(如第7圖(b)所示);移除該光阻層300(如第7圖(c)所示);以及於該基板40上形成一保護層50以覆蓋該觸控導電層30及該架橋層20,完成本發明觸控結構之製程(如第7圖(d)所示)。
再者,進一步參考第8圖所示,其中第8圖(a)跟(b)為移除前述架橋光阻層20’的第二部分之前跟之後的剖面圖,由於該架橋層20的側邊係幾乎切齊該導電線路層10的部分邊緣,隨後形成該透明導電層30’時,將可能導致該透明導電層30’受該架橋層20與該導電線路層10共同的邊緣斷差影響而產生斷裂或是與該導電線路層10接觸而短路,因而本發明於移除前述架橋光阻層20’的第二部分之後(即形成一透明導電層30’之前),進一步包含下列步驟:透過一烘烤程序(或稱熱回流,thermal reflow)使該架橋層20軟化,使其側邊掩蓋原先切齊該導電線路層10的邊緣(如第8圖(c)所示)。
透過上述烘烤程序後,該透明導電層30’可較為平順地成形於該架橋層20與該導電線路層10上(如第8圖(d)所示)。
進一步參考第9圖所示,為該架橋層20與該導電線路層10的上視圖,其中進一步參考第10圖所示,該架橋層20與該導電線路層10之間的夾角為a;再參考第11圖及第12圖所示,為該架橋層20在烘烤程序前後的底面與頂面夾角的示意圖。由於烘烤後的該架橋層20在其底面與頂面之間的夾角會變陡,因此該架橋層20在烘烤程序後的底面與頂面之間的夾角b2將會大於在烘烤程序前的底面與頂面之間的夾角b1,且該架橋層20與該導電線路層10的表面之間的夾角a會小於前述b1與b2。
由於本發明在形成該導電線路層10與該架橋層20的過程中只需使用一道半色調光罩製程,用以製作架橋光阻層20’,因此相較於現有觸控結構的製程需要兩道光罩製程才能完成導電線路與架橋結構的製備,本發明減少一道光罩製程,而相對具有更快速的生產效率。
本發明已以較佳實施例方式揭露,然其並非用以限制本創作,任何熟習此項技藝之人士,在不脫離本創作之精神和範圍內,當可作各種更動與修飾,因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10...導電線路層
10’...導電層
20...架橋層
20’...架橋光阻層
30...觸控導電層
30’...透明導電層
300...光阻層
40...基板
50...保護層
80...玻璃基板
81...金屬線路層
82...光阻層
83...透明導電層
84...保護層
90’...金屬層
900...光阻層
90...金屬線路層
91...架橋光阻層
92’...透明導電層
920...光阻層
92...觸控導電層
93...保護層
第1圖為現有的電容式觸控結構的側面示意圖。
第2圖為現有之觸控結構的製作流程的概要示意圖。
第3圖為現有之觸控結構的製作流程的詳細示意圖。
第4圖為接續第3圖的製作流程的詳細示意圖。
第5圖為本發明一較佳實施例觸控結構之成形方法的流程概要示意圖。
第6圖為本發明一較佳實施例觸控結構之成形方法的詳細流程圖。
第7圖為接續第6圖之成形方法的詳細流程圖。
第8圖為本發明一較佳實施例之加入烘烤程序的流程示意圖。
第9圖為本發明一較佳實施例之架橋層與導電線路層的上視圖。
第10圖為本發明一較佳實施例之架橋層與導電線路層之間的夾角示意圖。
第11圖為本發明一較佳實施例之架橋層在烘烤程序前的底面與頂面夾角的示意圖。
第12圖為本發明一較佳實施例之架橋層在烘烤程序後的底面與頂面夾角的示意圖。
10...導電線路層
10’...導電層
20...架橋層
20’...架橋光阻層
30’...透明導電層
40...基板
Claims (3)
- 一種觸控結構之成形方法,包含下列步驟:於一基板上形成一導電層;於該導電層上形成一圖案化的架橋光阻層,其中架橋光阻層係局部覆蓋該導電層,且該架橋光阻層包含一第一部分及一第二部分,該第二部分的厚度較第一部分的厚度薄;移除該導電層未被該架橋光阻層覆蓋的部分以圖案化該導電層,其中該架橋光阻層的側邊係與該圖案化的導電層的邊緣幾乎切齊;移除該架橋光阻層的第二部分而留下厚度減少的第一部分,而成一架橋層,並使該圖案化的導電層部分裸露而形成一導電線路層;透過烘烤程序使該架橋層軟化,其中該架橋層與該導電線路層的表面之間的夾角小於該架橋層在烘烤程序後的底面與頂面之間的夾角;於該基板上形成一透明導電層以覆蓋該架橋層及該導電線路層;於該透明導電層上形成一圖案化的光阻層;移除該透明導電層未被該光阻層覆蓋的部分;移除該光阻層,使該透明導電層圖案化而成為一觸控導電層;以及於該基板上形成一保護層以覆蓋該觸控導電層及該架橋層。
- 如申請專利範圍第1項所述觸控結構之成形方法,該架橋光阻層是透過一半色調光罩曝光技術所製成。
- 如申請專利範圍第1項所述觸控結構之成形方法,於移 除該架橋光阻層的第二部分而成一架橋層,並使該圖案化的導電層部分裸露而形成一導電線路層的步驟中,該架橋光阻層的側邊與該圖案化的導電層的邊緣之間的間距小於5μm。
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