TWI466779B - Gravure and use of its substrate with a conductive layer pattern - Google Patents

Gravure and use of its substrate with a conductive layer pattern Download PDF

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Description

凹版及使用其之附導體層圖型之基材
本發明係關於凹版及其製造法。此外，本發明係關於使用具有鍍敷形成部之凹版(鍍敷用導電性基材)所製造之附導體層圖型之基材、及使用附導體層圖型之基材所製造之透光性電磁波遮蔽構件。再者，本發明係關於使用具有鍍敷形成部之凹版(鍍敷用導電性基材)所製造之圖型化金屬箔。
以往，係使用有凹紋印刷(Gravure Painting)用、黏著劑塗佈用、光阻材料轉印塗佈用、彩色液晶顯示裝置中所使用之彩色濾光片等精細圖型形成用之種種凹版。
於專利文獻1及2中，係揭示有於金屬製之滾輪狀或板狀的基材上，將容易進行蝕刻之金屬予以鍍敷，並於其上方塗佈感光性樹脂後，藉由曝光直接形成潛像，去除不必要部分的樹脂而形成蝕刻光阻圖型，然後進行金屬的蝕刻並將樹脂予以剝離之凹版之製造方法。此外並揭示有，就提升耐刷性的目的，係於凹版的表面上施以鎳電鍍或鉻電鍍。
然而，這些製法的製程數較多。此外，由於具有蝕刻製程，此外亦因情況的不同而具有鉻電鍍製程，因此難以進行高精密形狀的形成，而難以獲得凹部的均一形狀、凹部邊緣的直立性、及凹部深度的精密度。
最近，係有使用無機材料的氧化矽層、氮化鈦層或類鑽碳(Diamond Like Carbon：以下略稱為DLC)層，以作為蝕刻後之鉻電鍍的替代，然而，此方式仍要求具有難以形成高精密形狀之蝕刻製程。
於專利文獻3中係揭示有使用凹版製作金屬網目，並具備此作為電磁波遮蔽層之電磁波遮蔽版。此電磁波遮蔽版係於金屬可電性層積為網目狀之電層積基板上，使用金屬電解液將金屬予以電層積，並透過接著劑接著轉印至電磁波遮蔽基板而製作。此外，亦揭示有能夠以藉由阻礙電層積之絕緣性膜，於金屬板等導電性基板上形成與網目圖型為相反之圖型，並使金屬可電性層積為網目狀之電層積部暴露出之方式，製作此電層積基板。再者，亦揭示有能夠於絕緣層支撐體上形成凸狀的導電性網目層而製作電層積基板。
此外，於專利文獻3中係揭示有，於製作電層積基板時，藉由光阻而形成絕緣層。然而，於使用此電層積基板時，雖然可重複使用數次~數十次左右，但無法重複使用數百次~數千次，因而無法充分量產電磁波遮蔽版。此係由於電層積基板上之形成網目圖型的絕緣層，因接著轉印而受到剝離應力，於少數次的重複使用中即可能使絕緣層從導電性基材中剝離之故。
此外，於專利文獻3中係揭示有，於導電性基材上製作SiO2 ，並對此進行光蝕刻而形成絕緣層之電層積基板。然而，由於進行光蝕刻，因此使該電層積基板的製程增 加。此外，因過度蝕刻使凹部朝向開口方向變窄。
此外，於專利文獻3中係揭示有，以微影技術或切割方式於金屬基板面上形成必要的凹部，接著將堅固的絕緣性樹脂埋入於此凹部中並使其硬化，而製作出具有金屬可電性層積為網目狀之電層積部之電層積基板。然而，若以此方法於金屬基板上製作凹部，則於圖型的精密度、圖型的無缺陷、及圖型製作的所需時間上，無法獲得充分的結果。此外，當在絕緣層使用絕緣性樹脂時，絕緣層的耐久性並不充分。
此外，於專利文獻3中係揭示有，於鉭或鈦等單體金屬板，或是表面為這些金屬面時，係僅在相當於構成電層積部的部分之處形成光阻，之後進行陽極氧化形成氧化鈦、氧化鉭等絕緣性氧化物層，接著去除光阻以獲得優良效果。然而，於所形成之凹狀的網目圖型(電層積部)中，以陽極氧化所形成之絕緣性氧化物層，由於厚度極薄且其寬度方向的剖面為面均一而不具有形狀上的凹凸，因此並不具有將電層積層成形為具有形狀之作用。亦即，難以進行電層積之線的形狀控制。此外，由於陽極氧化，使絕緣性氧化物層的耐久性較低，因此實用上並不適合於連續操作。目前，於Ni的電鑄中，必須每次於轉印前進行陽極氧化。再者，由於陽極氧化，使絕緣性氧化物層的絕緣性較低，因此不適合於高速電解鍍敷。惟於依據鋁的絕緣性氧化物層時，雖然絕緣性相對較高，但機械耐久性較差。
此外，於專利文獻3中係記載有，使用有於絕緣層支撐體上形成凸狀的導電性網目層之電層積基板之方法。根據此方法，實際上於導電性網目的側面亦電層積有金屬，此係成為網目狀電層積金屬層的接著轉印之阻礙，導致無法剝離，或是即使剝離亦導致網目圖型的彎折，使電磁波遮蔽性降低之問題。
於專利文獻4中係揭示有，用以製作電子構件的電路圖型或陶瓷電容器的電極圖型之金屬層轉印用基質薄片。金屬層轉印用基質薄片係具備基質金屬層及電性絕緣層。於基質金屬層的表面，係形成有用於藉由電解鍍敷形成轉印金屬層之凸狀圖型。電性絕緣層係形成於基質金屬層的表面之未形成有上述凸狀圖型的部分。根據專利文獻4，係揭示有於基質金屬層的表面，使用乾膜光阻等將蝕刻光阻形成為與凸狀圖型為同一圖型，並將未以蝕刻光阻所覆蓋而暴露出之基質金屬層的表面予以蝕刻並形成凹部後，去除蝕刻光阻，於蝕刻後之基質金屬層的全部表面形成電性絕緣層，接著研磨電性絕緣層至凸狀圖型暴露出為止之金屬層轉印用基質薄片的製造法。根據此方法，電性絕緣層的表面及基質金屬層之凸狀圖型的表面係配置於同一平面上而形成面均一。此外，於專利文獻4中，關於此製作方法的其他例子，係揭示有於基質金屬層的表面，使用乾膜光阻等，將由鍍敷光阻所形成之電性絕緣層形成為與凸狀圖型為相反圖型，並於從電性絕緣層之間所暴露出之基質金屬層的表面，以凸狀圖型形成電解鍍敷金屬層之方 法。於此方法中，係將電解鍍敷金屬層的厚度形成為較電性絕緣層還厚。藉由將電解鍍敷金屬層的表面形成較電性絕緣層的表面還高，於將藉由電解鍍敷形成於凸狀圖型上之轉印金屬層轉印至黏著薄片時，可防止上述電性絕緣層對此黏著薄片造成損傷。
此外，於專利文獻4中，係揭示有有機絕緣樹脂的例子作為電性絕緣層的材料。然而，於使用此電性絕緣層的表面及基質金屬層之凸狀圖型的表面配置於同一平面而呈面均一之金屬層轉印用基質薄片，並將凸狀圖型上所形成之轉印金屬層轉印至黏著薄片時，電層積基板上的電性絕緣層因接著轉印而受到剝離應力，於少數次的重複使用中即會使絕緣層從導電性基材中剝離。
此外，於專利文獻4中係揭示有，使用將由電解鍍敷金屬層所形成之凸狀圖型的表面形成較電性絕緣層的表面還高之金屬層轉印用基質薄片，並將凸狀圖型上所形成之轉印金屬層轉印至黏著薄片者。然而，此時轉印金屬層亦鍍敷於凸狀圖型的側面，此係成為對轉印金屬層的接著轉印之阻礙，導致無法從凸狀圖型中將轉印金屬層剝離，或是即使剝離亦導致網目圖型的彎折，而發生使電磁波遮蔽性降低之問題。
於專利文獻4中，作為金屬層轉印用基質薄片的製造法，於包含將蝕刻光阻形成於基質金屬層的表面上，以及將未以蝕刻光阻所覆蓋而暴露出之基質金屬層的表面予以蝕刻時，該製程數會增加而導致生產性降低。
亦即，以往即期望獲得一種凹部的形狀為均一、邊緣為直立、深度的精密度較高、且具有優良的耐久性之凹版。此外，亦要求一種使用轉印法，以高生產性製造出具有導電性及光透射性之方式地形成圖型之附導體層圖型之基材之製造方法。再者，亦要求一種容易製作之鍍敷用的凹版。
專利文獻1：日本特開2006-231668號公報
專利文獻2：日本特開2001-232747號公報
專利文獻3：日本特開平11-26980號公報
專利文獻4：日本特開2004-186416號公報
本發明係關於以下型態。
1.一種凹版，其特徵為：係具備基材及於該基材的表面具有絕緣層；於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬的凹部。
2.如第1項所記載之凹版，其中上述基材為絕緣性或導電性。
3.如第1項所記載之凹版，其中上述凹部為用以保持轉印物者。
4.如第2項所記載之凹版，其中上述凹部的底面，為包含類鑽碳或無機材料之層。
5.如第1項所記載之凹版，其中上述凹部為用以形成鍍敷之部分。
6.如第5項所記載之凹版，其中上述凹部的底面為導電性。
7.如第1項所記載之凹版，其中上述凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
8.如第1項所記載之凹版，其中上述絕緣層，為包含類鑽碳或無機材料之層。
9.如第8項所記載之凹版，其中，上述絕緣層的厚度為0.1~100μm。
10.如第8項所記載之凹版，其中上述無機材料，為包含Al2 O3 或SiO2 之層。
11.如第8或9項所記載之凹版，其中上述絕緣層為包含類鑽碳之層。
12.如第11項所記載之凹版，其中，上述包含類鑽碳之層的硬度為10~40GPa。
13.如第11或12項所記載之凹版，其中於包含類鑽碳之層與上述基材之間，具備包含有從Ti、Cr、W、Si、及這些元素的氮化物與這些元素的碳化物中所選擇之1種以上之中間層。
14.如第1至13項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹部側面的角度為30度以上且未滿90度。
15.如第1至14項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹部側面的角度為30度以上80度以下。
16.如第1至15項中任一項所記載之凹版，其中， 上述凹版為滾輪或捲繞於滾輪上者。
17.如第1至15項中任一項所記載之凹版，其中上述凹版大致為平板。
18.如第1項所記載之凹版，其中上述基材的表面，係由鋼、Ti、導電性類鑽碳或導電性無機材料所形成。
19.如第1至18項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹部的最小寬度為1~40μm，最大寬度為2~60μm，且間隔為50~1000μm。
20.如第1至18項中任一項所記載之凹版，其中上述絕緣層，係由其底面的面積為1~1×106 平方微米的凸形狀所形成，上述凸形狀係以1~1000μm的間隔分布。
21.一種凹版之製造方法，其特徵為包含：(i)於基材的表面形成可予以去除之凸狀圖型之製程；及(ii)於形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面，形成絕緣層之製程；及(iii)將附著有絕緣層之凸狀圖型予以去除之製程。
22.如第21項所記載之凹版之製造方法，其中上述凸狀圖型，其平面形狀為幾何學圖形之形狀或用以描繪幾何學圖形。
23.如第21或22項所記載之凹版之製造方法，其中上述基材為導電性。
24.如第21、22或23項所記載之凹版之製造方法，其中上述凸狀圖型，係藉由使用有感光性光阻之微影技術所形成。
25.如第21、22、23或24項所記載之凹版之製造方法，其中，係於上述基材上及上述凸狀圖型的側面，形成性質或特性為不同之絕緣層。
26.如第25項所記載之凹版之製造方法，其中，上述基材上所形成之絕緣層與上述凸狀圖型的側面上所形成之絕緣層之交界面，與凸狀圖型的側面(對基材為垂直面)之間的距離，並未隨著朝向凸狀圖型的豎立方向變小，而是全體變大。
27.如第26項所記載之凹版之製造方法，其中，上述交界面的角度相對於上述基材係形成為30度以上且未滿90度。
28.如第26或27項所記載之凹版之製造方法，其中，上述交界面的角度相對於上述基材係形成為30度以上80度以下。
29.如第21至28項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中上述凸部的圖型形狀，其寬度為1~40μm，間隔為50~1000μm，且高度為1~30μm，並藉此描繪為幾何學圖形。
30.如第21至29項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中上述絕緣層，為包含類鑽碳或無機材料之層。
31.如第30項所記載之凹版之製造方法，其中上述無機材料為Al2 O3 或SiO2 。
32.如第30項所記載之凹版之製造方法，其中上述絕緣層係由類鑽碳所形成。
33.如第32項所記載之凹版之製造方法，其中，上述基材上所形成之類鑽碳層的硬度，係較上述凸狀圖型的側面上所形成之類鑽碳層的硬度還大。
34.如第32或33項所記載之凹版之製造方法，其中，上述基材上所形成之類鑽碳層的硬度為10~40GPa，上述凸狀圖型的側面上所形成之類鑽碳層的硬度為1~15GPa。
35.如第32、33或34項所記載之凹版之製造方法，其中上述類鑽碳(DLC)層，係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法或電漿CVD法所形成。
36.如第35項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中上述類鑽碳(DLC)層，係藉由電漿CVD法所形成。
37.如第21至36項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中，於進行在形成有上述凸狀圖型之基材的表面上形成絕緣層之製程前，係進行於形成有凸狀圖型之基材的表面上形成中間層之製程。
38.如第37項所記載之凹版之製造方法，其中上述中間層，係包含Ti、Cr、W、Si或這些元素的氮化物或碳化物當中任1種以上。
39.如第21至38項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中，上述絕緣層的厚度為0.5~20μm。
40.一種凹版之製造方法，其特徵為包含：(i)於基材的表面形成絕緣層之製程；及(ii)於上述絕緣層 上，藉由雷射形成寬度朝向開口方向變寬的凹部之製程。
41.如第40項所記載之凹版之製造方法，其中上述基材為導電性。
42.如第40或41項所記載之凹版之製造方法，其中上述雷射為飛秒雷射。
43.一種圖型化金屬箔之製造法，其特徵為：係藉由鍍敷，於第5至18以及20項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬。
44.如第42項所記載之圖型化金屬箔之製造法，其中於析出上述金屬後，將所析出之金屬予以剝離。
45.一種圖型化金屬箔之製造法，其特徵為包含：(i)藉由鍍敷，於第5至18以及20項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之導體層形成製程；及(ii)對所析出之金屬進行黑化處理之黑化處理製程。
46.如第45項所記載之圖型化金屬箔之製造法，其中，係於同一鍍敷液中進行上述導體層形成製程及上述黑化處理製程。
47.如第46項所記載之圖型化金屬箔之製造法，其中，上述鍍敷液為焦磷酸(Pyrophosphoric Acid)銅鍍敷液或包含光澤劑之硫酸銅鍍敷液。
48.一種圖型化金屬箔之製造方法，其特徵為包含：(i)藉由鍍敷，於第5至18以及20項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之導體層形成製程；及(ii)對所析出之金屬進行黑化處理之黑化處理製程；及(iii)將進 行黑化處理後的金屬予以剝離之製程。
49.一種附圖型化金屬箔之基材之製造方法，其特徵為包含：(i)藉由鍍敷，於第5至18以及20項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之導體層形成製程；及(ii)對所析出之金屬進行黑化處理之黑化處理製程；及(iii)將進行黑化處理後的金屬轉印至其他基材之製程。
50.一種附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為包含：(i)藉由鍍敷，於第5或6項所記載之凹版的凹部析出金屬之製程；及(ii)將析出於上述導電性基材的凹部之金屬轉印至其他基材之製程。
51.如第50項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，係將析出於上述凹部之金屬的厚度，形成為凹部之深度的2倍以下。
52.如第50或51項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中上述其他基材，係具備於表面具有接著性之接著層。
53.如第52項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，上述接著層係包含光硬化性黏著劑，上述(ii)製程係包含：將接著層配置於上述基材並照射光使接著層硬化之製程；及將金屬轉印至其他基材之製程。
54.如第50、51、52或53項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中上述(i)製程係包含：於凹部析出金屬後，對上述金屬進行黑化處理之製程。
55.第50、51、52、53或54項所記載之附導體層圖 型之基材之製造方法，其中上述(ii)製程係包含：於將金屬轉印至其他基材後，對金屬進行黑化處理之製程。
56.一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係藉由第50至55項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法所製造。
57.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第56項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
58.一種透光性電磁波遮蔽板，其特徵為：係將第56項所記載之附導體層圖型之基材或第57項所記載之透光性電磁波遮蔽構件，貼附於透明基板而成。
59.如第57或58項所記載之透光性電磁波遮蔽板，其中，於形成有上述導體層圖型之區域的內部，具備與上述導體層圖型為不同之圖型。
此外，本發明係關於以下型態。
1A.一種鍍敷用導電性基材，亦即凹版，其特徵為：係於導電性基材的表面形成有絕緣層；於該絕緣層上，朝向開口方向形成有寬幅且用以形成鍍敷之凹部。
2A.如第1A項所記載之凹版，其中用以形成鍍敷之凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
3A.如第1A或2A項所記載之凹版，其中絕緣層係由DLC或無機材料所形成。
4A.如第1A、2A或3A項所記載之凹版，其中絕緣 層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
5A.如第1A、2A、3A或4A項所記載之凹版，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
6A.如第1A至5A項中任一項所記載之凹版，其中凹部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
7A.如第1A至6A項中任一項所記載之凹版，其中，凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上且未滿90度。
8A.如第1A至7A項中任一項所記載之凹版，其中，凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上60度以下。
9A.如第1A至8A項中任一項所記載之凹版，其中絕緣層的厚度為0.5~20μm。
10A.如第1A至9A項中任一項所記載之凹版，其中於基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
11A.如第1A至10A項中任一項所記載之凹版，其中基材的表面係由鋼或Ti所形成。
12A.如第1A~11A項中任一項所記載之凹版，為導電性滾輪(鼓輪)或捲繞於滾輪上者。
13A.一種凹版之製造方法，其特徵為包含：(i)於導電性基材的表面形成可予以去除之凸狀圖型之製程，及(ii)於形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面，形成有由DLC或無機材料所形成之絕緣層之製程；及 (iii)將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除之製程。
14A.如第13A項所記載之凹版之製造方法，其中可予以去除之凸狀圖型，係藉由使用有感光性光阻之微影技術所形成。
15A.如第13A或14A項所記載之凹版之製造方法，其中於基材上及凸狀圖型的側面，形成性質或特性為不同之絕緣層。
16A.如第13A、14A或15A項所記載之凹版之製造方法，其中基材上所形成之絕緣層與凸狀圖型的側面上所形成之絕緣層之交界面，與凸狀圖型的側面(對基材為垂直面)之間的距離，並未隨著朝向凸狀圖型的豎立方向變小，而是全體變大。
17A.如第16A項所記載之凹版之製造方法，其中上述交界面的角度對上述基材係形成為30度以上且未滿90度。
18A.如第16A或17A項所記載之凹版之製造方法，其中上述交界面的角度對上述基材係形成為30度以上60度以下。
19A.如第13A~18A項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中可予以去除之凸部的圖型形狀，其寬度為1~40μm，間隔為50~1000μm，且高度為1~30μm，並藉此描繪為幾何學圖形。
20A.如第13A~19A項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層為DLC或無機材料。
21A.如第20A項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中無機材料為Al2 O3 或SiO2 。
22A.如第20A項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層為由DLC所形成之膜。
23A.如第22A項所記載之凹版之製造方法，其中基材上所形成之DLC膜的硬度，係較凸狀圖型的側面上所形成之DLC膜的硬度還大。
24A.如第23A項所記載之凹版之製造方法，其中基材上所形成之DLC膜的硬度為10~40GPa，凸狀圖型的側面上所形成之DLC膜的硬度為1~15GPa。
25A.如第22A、23A或24A項所記載之凹版之製造方法，其中DLC膜係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法或電漿CVD法所形成。
26A.如第13A~25A項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中於進行在形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面上形成絕緣層之製程前，係進行於形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面上形成中間層之製程。
27A.如第26A項所記載之凹版之製造方法，其中中間層係包含Ti、Cr、W、Si或這些元素的氮化物或碳化物當中任1種以上。
28A.如第13A~27A項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層的厚度為0.5~10μm。
29A.一種附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為包含：(i)藉由鍍敷，於第1A~12A項中任一項所記 載之凹版的凹部析出金屬之製程；及(ii)將析出於上述基材的凹部之金屬轉印至其他基材之製程。
30A.如第29A項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中係將藉由鍍敷所析出之金屬的厚度，形成為凹部之深度的2倍以下。
31A.如第29A或30A項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中其他基材，係具備至少於表面具有接著性之接著層。
32A.如第29A或31A項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中係對析出於基材之凹部之金屬進行黑化處理之製程。
33A.如第29A、30A、31A或32A項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中更包含對轉印至其他基材之金屬圖型，亦即導體層圖型進行黑化處理之製程。
34A.一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係藉由第29A~33A項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法所製造出。
35A.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第34A項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
36A.一種透光性電磁波遮蔽板，其特徵為：係將第34A項所記載之附導體層圖型之基材或第35A項所記載之透光性電磁波遮蔽構件，貼附於透明基板而成。
根據上述本發明的一型態，具有用以形成鍍敷的凹部 之凹版，由於藉由鍍敷形成有金屬層之凹部，係寬度朝向開口方向變寬，因此可容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離。此外，由於以DLC或無機材料形成絕緣層，因此對基材之密著性優良，且其耐剝離性為優良。該絕緣層可藉由中間層提升基材與絕緣層之間的密著性，藉此可更加延長凹版的壽命。
根據本發明的一型態，具有寬度朝向開口方向變寬的凹部之凹版，係於基材上形成凸狀圖型並於形成絕緣層後，將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除而藉此形成凹部，因此容易進行製造且具有高生產性。
根據本發明的一型態，由於製程數較少，特別容易製作寬度朝向開口方向變寬的凹部，因此能夠於高生產效率下進行製造。
根據本發明的一型態，由於容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離，因此容易製造出光透射性優良之附導體層圖型之基材，此外，可容易製造出具有優良的電磁波遮蔽性或導電性之附導體層圖型之基材。再者，能夠於高生產效率下製造出如此之附導體層圖型之基材。
根據本發明的一型態，電磁波遮蔽構件及電磁波遮蔽板，藉由使用特定的導體層圖型，可具備優良的光透射性及電磁波遮蔽性，且能夠於高生產效率下進行製造。
此外，本發明係關於以下型態。
1B.一種凹版，其特徵為：係至少於表面上具有DLC或無機材料，且於該表面形成有用以保持轉印物之凹部， 並且形成該凹部寬度朝向開口方向變寬。
2B.如第1B項所記載之凹版，其中凹部的底面亦由DLC或無機材料所形成。
3B.如第1B或2B項所記載之凹版，其中，DLC或無機材料為0.1~100μm的厚度之膜或層。
4B.如第1B、2B或3B項所記載之凹版，其中至少於表面具有DLC。
5B.如第4B項所記載之凹版，其中DLC的硬度為10~40GPa。
6B.如第4B或5B項所記載之凹版，其中DLC的膜或層，係於凹版用的基材上，夾介有包含從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層而形成。
7B.如第1B~6B項中任一項所記載之凹版，其中凹部側面的角度為30度以上且未滿90度。
8B.如第7B項所記載之凹版，其中凹部側面的角度為30度以上60度以下。
9B.如第1B~7B項中任一項所記載之凹版，其中凹版為滾輪狀。
10B.如第1B~7B項中任一項所記載之凹版，其中凹版大致為平板。
11B.一種凹版之製造方法，其特徵為包含：(A)於基材的表面形成可予以去除之凸狀圖型之製程；及(B)於形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面，形成有由 DLC或無機材料所形成之膜之製程；及(C)將凸狀圖型予以去除之製程。
12B.如第11B項所記載之凹版之製造方法，其中基材係於該表面具有DLC或無機材料。
13B.如第11B或12B項所記載之凹版之製造方法，其中可予以去除之凸狀圖型，係藉由使用有感光性光阻之微影技術所形成。
14B.如第11B、12B或13B項所記載之凹版之製造方法，其中係於基材上及凸狀圖型的側面，以性質或特性為不同的方式形成由DLC或無機材料所形成之膜。
15B.如第11B、12B、13B或14B項所記載之凹版之製造方法，其中基材上所形成之膜與凸狀圖型的側面上所形成之膜之交界面，與凸狀圖型的側面(對基材為垂直面)之間的距離，並未隨著朝向凸狀圖型的豎立方向變小，而是全體變大。
16B.如第11B~15B項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中基材上所形成之膜為DLC。
17B.如第16B項所記載之凹版之製造方法，其中基材上所形成之DLC膜的硬度，係較凸狀圖型的側面上所形成之DLC膜的硬度還大。
18B.如第17B項所記載之凹版之製造方法，其中基材上所形成之DLC膜的硬度為10~40GPa，凸狀圖型的側面上所形成之DLC膜的硬度為1~15GPa。
19B.如第11B~18B項中任一項所記載之凹版之製 造方法，其中DLC膜係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法或電漿CVD法所形成。
20B.如第11B~19B項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中於進行在形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面上形成膜之製程前，係進行於形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面上形成中間層之製程。
21B.如第20B項所記載之凹版之製造方法，其中中間層係包含Ti、Cr、W、Si或這些元素的氮化物或碳化物當中任1種以上。
22B.如第11B~21B項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中由DLC或無機材料所形成之膜的厚度為0.1~100μm。
根據本發明的一型態，凹版係容易達成凹部的均一形狀、凹部邊緣的直立性、及凹部深度的精密度，該原因之一為在製造該凹版時不需進行難以達成高精密度之基材的蝕刻，以及難以達成高精密度之鉻鍍敷。因此，根據本發明的一型態，藉由使用凹版，更能夠均一地、高精密地且正確地進行轉印塗佈。
根據本發明的一型態，凹版係於基材上形成凸狀圖型並於形成膜後，將凸狀圖型予以去除而藉此製作凹部，因此容易進行製造且具有高生產性。
根據本發明的一型態，凹版係適用於凹紋印刷用凹版及黏著劑塗佈用凹版。此外，根據本發明的一型態，凹版 係適用於光阻的轉印塗佈用凹版，以及於彩色液晶顯示裝置中所使用之彩色濾光片等中，用以形成精細圖型之將彩色濾光片用油墨轉印塗佈於玻璃基板等基板之轉印塗佈用凹版等，這些凹版於精密電子元件等精細構造物的製程中乃極為有用。
此外，根據本發明的一型態，藉由以DLC或無機材料形成凹版表面，而具有優良的耐磨耗性，若於凹版表面形成由DLC或無機材料所構成之膜，則對基材之密著性優良，且其耐剝離性為優良。此外，可藉由中間層提升基材與膜之間的密著性，藉此更可延長重複使用下之凹版的壽命。
根據本發明的一型態，由於凹版之製造方法的製程數較少，特別容易製作寬度朝向開口方向變寬的凹部，因此能夠於高生產效率下進行製造。
此外，本發明係關於以下型態。
1C.一種金屬箔，亦即圖型化金屬箔之製造方法，其特徵為包含：(甲)藉由鍍敷，於鍍敷用導電性基材，亦即凹版的表面析出金屬之製程，此鍍敷用導電性基材，係於導電性基材的表面形成有絕緣層，於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且使基材暴露出之凹部；及(乙)將析出於上述基材的表面之金屬予以剝離之製程。
2C.如第1C項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中絕緣層係以描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
3C.如第1C或2C項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中絕緣層為由DLC或無機材料所形成。
4C.如第1C、2C或3C項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中絕緣層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
5C.如第1C、2C、3C或4C項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
6C.如第1C~5C項中任一項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中絕緣層係由其底面的面積為1~1×106 平方微米的凸形狀所形成，上述凸形狀係以1~1000μm的間隔分布。
7C.如第1C~6C項中任一項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中凹部側面的角度為30度以上且未滿90度。
8C.如第1C~7C項中任一項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上60度以下。
9C.如第1C~8C項中任一項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中絕緣層的厚度為0.1~100μm。
10C.如第1C~9C項中任一項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中於基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
11C.如第1C~10C項中任一項所記載之圖型化金屬 箔之製造方法，其中基材的表面係由鋼或Ti所形成。
12C.如第1C~11C項中任一項所記載之圖型化金屬箔之製造方法，其中凹版為導電性滾輪(鼓輪)或捲繞於滾輪上者。
根據本發明的一型態，由於凹部係寬度朝向開口方向變寬，換言之，由於基材表面上所形成之絕緣層為末端擴大之凸形狀，因此可容易進行由鍍敷所獲得之圖型化金屬箔的剝離。此外，由於以DLC或無機材料形成凹版的絕緣層，因此對基材之密著性優良，且其耐剝離性為優良，重複使用性亦優良。因此，根據本發明的一型態，能夠有效率地且以高生產性製造出圖型化金屬箔。此外，上述絕緣層可藉由中間層提升與基材之間的密著性，藉此更可延長凹版的壽命。
此外，本發明係關於以下型態。
1D.一種表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，係使用鍍敷用導電性基材，亦即凹版而製造表面經黑化處理之圖型化銅金屬層，亦即導體層圖型之製造方法，其特徵為：凹版為於導電性基材的表面形成有絕緣層；於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且用以形成鍍敷之凹部的圖型之凹版；於一個焦磷酸銅鍍敷浴中進行：於該凹部中，於第1電流密度下使銅金屬析出而形成銅金屬層之導電層形成製程；及於較第1電流密度還大之第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上，以使該表面成為黑色之方式使銅金屬析出之黑化處理製程。
2D.如第1D項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，係於包含第1電流密度之第1電層積區域中進行導電層形成製程；於包含第2電流密度之第2電層積區域中進行黑化處理製程。
3D.如第1D或2D項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為50%之光透射部的明度為25~50，或色度a*及b*均為5以下之方式地使銅金屬析出。
4D.如第1D或2D項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為40%之光透射部的色度a*及b*均為2.8以下之方式地使金屬析出。
5D.如第1D或2D項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於黑化處理製程中，以使開口率未滿40%且以明度25的黑色為背景之光透射部或光未透射部的色度a*及b*均為5以下之方式使金屬析出。
6D.如第1D~5D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，焦磷酸銅鍍敷浴為包含鉬等VI族元素，及鈷、鎳等VIII族元素當中一種或以上作為添加劑之合金鍍敷液。
7D.如第1D~6D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，第1電流密度為0.5~40A/dm2 。
8D.如第1D~7D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，凹部係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
9D.如第1D~8D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層係由DLC或無機材料所形成。
10D.如第9D項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
11D.如第10D項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
12D.如第1D~11D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
13D.如第1D~12D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中凹部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
14D.如第1D~13D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上且未滿90度。
15D.如第1D~14D項中任一項所記載之表面經黑化 處理之導體層圖型之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上60度以下。
16D.如第1D~15D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層的厚度為0.5~20μm。
17D.如第1D~16D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中基材的表面係由鋼或Ti所形成。
18D.如第1D~17D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中凹版為旋轉體或裝設於旋轉體之平板。
19D.如第1D~17D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中係使用由旋轉體所形成之凹版或裝設於旋轉體之凹版作為凹版，將其一部分浸漬於鍍敷液，一邊使旋轉體旋轉一邊進行導體層圖型製作製程及轉印製程。
20D.如第1D~19D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於銅金屬層形成製程中，係以使銅金屬的厚度成為0.1~20μm之方式使銅金屬析出。
21D.如第1D~20D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面 上以使該表面成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極，係互為分離而浸漬於上述鍍敷液中；於上述各陽極之間，設置有以絕緣體所構成之阻隔構件。
22D.如第1D~19D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，係兼用用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上以使該表面成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極；於上述第1電流密度下於上述導電層形成製程中之導電層的形成後，再於上述第2電流密度下進行上述黑化處理製程。
23D.一種表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其特徵為：於進行第1D~22D項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法後，從凹版中將表面經黑化處理之銅金屬層予以剝離。
24D.一種附導體層圖型之基材之製造方法，係包含：藉由電解銅鍍敷使銅金屬析出於凹版的凹部之導體層圖型製作製程，此凹版係於導電性基材的表面形成有絕緣層，於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且使基材暴露出之凹部；及將析出於凹版上之銅金屬轉印至接著性支撐體之轉印製程，其特徵為：導體層圖型製作製程，係於一個焦磷酸銅鍍敷浴中進行：於第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程；及於較第1電流密度還大之第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上，以使該表面 成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程。
25D.如第24D項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，係於包含第1電流密度之第2電層積區域中進行導電層形成製程；於包含第2電流密度之第2電層積區域中進行黑化處理製程。
26D.如第24D或25D項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為50%之光透射部的明度為25~50，或色度a*及b*均為5以下之方式地使銅金屬析出。
27D.如第24D或25D項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為40%以上之光透射部的色度a*及b*均為2.8以下之方式使金屬析出。
28D.如第24D或25D項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於黑化處理製程中，以使開口率未滿40%且以明度25的黑色為背景之光透射部或光未透射部的色度a*及b*均為5以下之方式使金屬析出。
29D.如第24D~28D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，焦磷酸銅鍍敷浴為包含鉬等VI族元素，及鈷、鎳等VIII族元素當中一種或以上作為添加劑之合金鍍敷液。
30D.如第24D~29D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，第1電流密度為0.5~40A/dm2 。
31D.如第24D~30D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中用以形成鍍敷之凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
32D.如第24D~31D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層係由DLC或無機材料所形成。
33D.如第32D項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
34D.如第33D項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
35D.如第24D~34D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
36D.如第24D~35D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中凹部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
37D.如第24D~36D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上且未滿90度。
38D.如第37D項所記載之附導體層圖型之基材之製 造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上60度以下。
39D.如第24D~38D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層的厚度為0.5~20μm。
40D.如第24D~39D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中基材的表面係由鋼或Ti所形成。
41D.如第24D~40D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中凹版為旋轉體或裝設於旋轉體之平板。
42D.如第24D~41D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中係使用由旋轉體所形成之凹版或裝設於旋轉體之凹版作為凹版，將其一部分浸漬於鍍敷液，一邊使旋轉體旋轉一邊進行導體層圖型製作製程及轉印製程。
43D.如第24D~42D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於導體層圖型製作製程中，係以使金屬的厚度成為0.1~20μm之方式使銅金屬析出至凹版之凸部的上面。
44D.如第24D~43D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上以使該表 面成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極，係互為分離而浸漬於上述鍍敷液中；於上述各陽極之間，設置有以絕緣體所構成之阻隔構件。
45D.如第24D~43D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，係兼用用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上以使該表面成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極；於上述第1電流密度下於上述導電層形成製程中之導電層的形成後，再於上述第2電流密度下進行上述黑化處理製程。
46D.一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係由第24D~45D項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法所製造出。
47D.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係將第46D項所記載之附導體層圖型之基材之具有導體層圖型的一面，貼附於透明基板而成。
48D.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第46D項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
根據本發明的一型態，由於可在一個鍍敷浴中進行圖形化銅金屬層的製作及該表面的黑化處理，因此能夠以高生產性製作出經圖型化且表面經黑化處理後的銅金屬層或銅金屬。藉此，能夠以高生產性製作出附導體層圖型之基 材。
根據本發明的一型態，由於凹版的凹部係寬度朝向開口方向變寬，因此可容易進行所析出之銅金屬的剝離。此外，於該基材表面的絕緣層為DLC或無機材料，尤其為DLC時，尤其具備優良的耐久性。因此，表面經黑化處理後的銅金屬層或銅金屬，以及附導體層圖型之基材之生產效率極為優良。
根據本發明的一型態，藉由作為凹版之金屬製的旋轉體或將凹版電性結合於金屬製的旋轉體，可連續地進行經圖型化且表面經黑化處理之銅金屬層的製作，並且將該金屬層轉印至接著性支撐體，因此，表面經黑化處理後的銅金屬層或銅金屬，以及附導體層圖型之基材之生產效率極為優良。
此外，根據本發明的一型態，由於鍍敷形成部為凹部，因此可於一連串的製程中，不論細線部或寬幅部，均可在不會產生粉體掉落下均一地進行黑化處理。藉此，可縮短包含導電層形成製程及黑化處理製程之導體層圖型製作製程。此外，係於第2電層積區域中適當地控制黑色金屬的析出條件，使黑色金屬析出為粒狀或瘤狀，藉此可在不會產生粉體掉落下進行良好的黑化處理。
利用上述導體層圖型所獲得之電磁波遮蔽體，係具有優良的光透射性。因此，於作為顯示器的電磁波遮蔽體而使用時，可在不會提高該亮度而極為接近一般的狀態之條件下，且不會因電磁波對人體造成不良影響下，提供鮮明 的畫像而能夠舒適地觀賞。此外，由於該電磁波遮蔽體具有優良的電磁波遮蔽性，因此，若設置於除了顯示器之外之產生電磁波之裝置，或是用以保護不受到外部電磁波的影響之測定裝置、測定機器或製造裝置的框體，尤其是要求透明性之視窗之部位而使用時，則可獲得極大效果。再者，本發明之電磁波遮蔽體，與上述附導體層圖型之基材相同，能夠於高生產效率下進行製造。
藉由將透明基板貼合於，或是將透明樹脂塗膜於上述附導體層圖型之基材之具有導體層圖型的一面，可保護導體層圖型。於預先將接著劑層形成於其他基板的導體層轉印面時，亦具有防止異物附著於此接著劑層之效果。此外，此時透明基板的貼合，亦可藉由直接將透明基板或是夾介其他接著劑加壓貼合於接著劑層而進行。此時，由於係藉由適度的壓力使導體層圖型埋設於接著劑層，因此可提升透明性及與透明基板的密著性。
若利用附導體層圖型之透明基材，則可容易獲得兼具高光透射性(尤其於導體層圖型的線寬度較小且較為高精細時)及優良導電性(高電磁波遮蔽性)之電磁波遮蔽體。因此，於作為PDP等顯示器的電磁波遮蔽體而使用時，可在不會提高該亮度而與一般的狀態大致相同的條件下，舒適地觀賞鮮明的畫像。此外，由於該電磁波遮蔽體具有優良的電磁波遮蔽性，因此，若設置於除了顯示器之外之產生電磁波之裝置，或是用以保護不受到外部電磁波的影響之測定裝置、測定機器或製造裝置等之觀測內部的 視窗或框體，尤其是要求透明性之視窗或顯示器的表面之部位而使用時，則可獲得極大效果。再者，根據本發明的一型態，與上述導體層圖型之製造相同，電磁波遮蔽體的生產效率極為優良。
此外，本發明係關於以下型態。
1E.一種附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為包含：使用凹版於凹部析出金屬之製程，此凹版係於導電性基材的表面形成有絕緣層，且於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且基材暴露出之凹部；及將以活化能量線予以硬化之樹脂薄片壓合於析出有金屬之凹版之製程；及照射活化能量線使樹脂硬化之製程；及維持將金屬埋入於樹脂薄片之狀態下，從凹版中將金屬予以剝離之製程。
根據本發明的一型態，係處於對金屬的凝聚力極高，亦即所謂該樹脂與轉印後的金屬之間的密著力極高之狀態，從該樹脂中將凹版予以剝離後，轉印至該樹脂之金屬不會產生彎折或浮起等缺失，而能夠於線形成性為優良之狀態下進行轉印。此外，藉由照射活性能量使該樹脂表面的黏性失去活性，因此凹版與該樹脂之間的密著性極度降低。藉此，於將該凹版與該樹脂予以剝離時，不會於凹版上殘留該樹脂的殘渣。
此外，本發明係關於以下型態。
1F.一種凹版之製造方法，其特徵為包含：(A)於基材的表面全面上，形成由DLC或無機材料所形成之絕 緣層之製程；及(B)於絕緣層上，藉由雷射形成凹部之製程；此凹版係於導電性基材的表面形成有絕緣層，且於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且用以形成鍍敷之凹部。
2F.如第1F項所記載之凹版之製造方法，其中凹版的加工方法為飛秒雷射。
3F.如第1F或2F項所記載之凹版之製造方法，其中無機材料為Al2 O3 或SiO2 。
4F.如第1F或2F項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層為DLC。
5F.如第1F、2F、3F或4F項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
6F.如第1F~5F項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中凹部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
7F.如第5F或6F項所記載之凹版之製造方法，其中DLC膜係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法或電漿CVD法所形成。
8F.如第1F~7F項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中由雷射所形成之凹部側面的角度於絕緣層側為10度以上且未滿70度。
9F.如第1F~8F項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中由雷射所形成之凹部側面的角度於絕緣層側為10度以上40度以下。
10F.如第1F~9F項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層的厚度為0.5~20μm。
11F.如第1F~10F項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中於基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
12F.如第1F~11F項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中基材的表面係由鋼或Ti所形成。
13F.如第1F~12F項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中凹版為導電性滾輪(鼓輪)或捲繞於滾輪上者。
根據本發明的一型態，由於藉由鍍敷形成有金屬層之凹部，係寬度朝向開口方向變寬，因此凹版可容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離。此外，由於以DLC或無機材料形成絕緣層，因此對基材之密著性優良，且其耐剝離性為優良。此外，該絕緣層可藉由中間層提升基材與絕緣層之間的密著性，藉此更可延長凹版的壽命。
根據本發明的一型態，凹版係於基材上形成凸狀圖型並於形成絕緣層後，將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除而藉此形成凹部，因此容易進行導體層圖型的製造且具有高生產性。
例如於使用剝離法(Lift Off)等時，必須先使用光阻等於基材上形成圖型，並於形成絕緣層後將光阻與形成於其上之絕緣層予以去除之繁瑣的製程。因此，為了獲得 與光阻之間的密著性，需特意將基材表面予以粗化，於將光阻與形成於其上之絕緣層予以去除之製程中，亦具有隨著面積的增大而難以進行面內均一的去除之問題。相對於此，根據本發明的一型態，由於以雷射直接對先前形成於基材表面之絕緣層進行加工，因此不需進行光阻的形成與去除之製程，因此可極力減少製程數。
此外，根據本發明的一型態，由於凹版於圖型的形成中未使用光阻等，因此不需進行基材表面的粗化，因此可容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離。此外，亦可減少起因於基材的凹凸所造成之絕緣層膜的缺陷。
根據本發明的一型態，由於容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離，因此容易製造出光透射性優良之附導體層圖型之基材，此外，可容易製造出具有優良的電磁波遮蔽性或導電性之附導體層圖型之基材。再者，能夠於高生產效率下製造出如此之附導體層圖型之基材。
此外，本發明係關於以下型態。
1G.一種導體層圖型，為具有特定圖型之導體層，其特徵為：於位於形成有上述圖型之區域內之特定的區域(以下稱為「特定區域」)，形成與該周邊的圖型為不同之圖型。
2G.如第1G項所記載之導體層圖型，其中特定圖型為網目圖型。
3G.如第1G或2G項所記載之導體層圖型，其中上述特定區域，為以特定寬度往特定方向延伸之區域。
4G.如第1G~3G項中任一項所記載之導體層圖型，其中，於特定區域的導體層圖型及該周邊的導體層圖型當中，存在有直線性連接之線狀圖型。
5G.如第4G項所記載之導體層圖型，其中，於特定區域的導體層圖型及該周邊的導體層圖型中之直線性連接的線狀圖型中，各個區域的線寬度，對於其中一邊，另一邊為90~100%。
6G.如第1G~5G項中任一項所記載之導體層圖型，其中，特定區域的導體層厚度及該周邊的導體層厚度，其中一邊對另一邊為40~100%。
7G.如第1G~6G項中任一項所記載之導體層圖型，其中，導體層圖型區域的開口率為50~97%。
8G.如第1G~7G項中任一項所記載之導體層圖型，其中特定區域與該周邊的開口率，對於其中一邊，另一邊為40~95%。
9G.一種附導體層圖型之基材，其特徵為具備：第1G~8G項中任一項所記載之導體層圖型。
10G.一種鍍敷用導電性基材，為具有特定的鍍敷形成部圖型之鍍敷用導電性基材，其特徵為：於位於形成有上述圖型之區域內之特定的區域(以下稱為「特定鍍敷形成部區域」)，形成與該周邊的圖型為不同之圖型。
11G.如第10G項所記載之鍍敷用導電性基材，其中特定圖型為網目圖型。
12G.如第10G或11G項所記載之鍍敷用導電性基 材，其中上述特定鍍敷形成部區域，為以特定寬度往特定方向延伸之區域。
13G.如第10G、11G或12G項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，於特定鍍敷形成部區域的鍍敷形成部圖型及該周邊的鍍敷形成部圖型當中，存在有直線性連接之線狀圖型。
14G.如第10G、11G、12G或13G項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，於特定鍍敷形成部區域的鍍敷形成部圖型及該周邊的鍍敷形成部中之直線性連接的線狀圖型中，各個區域的線寬度，對於其中一邊，另一邊為90~100%。
15G.如第10G~14G項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，鍍敷形成部的面積對非鍍敷形成部的面積，為6%以上100%以下。
16G.如第10G~15G項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，特定鍍敷形成部區域之鍍敷形成部的面積對非鍍敷形成部的面積之比例，以及其他區域之鍍敷形成部的面積對非鍍敷形成部的面積之比例，對於其中一邊，另一邊為40~95%。
17G.如第10G~16G項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，鍍敷形成部為寬度朝向開口方向變寬之凹部。
18G.如第10G~17G項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，非鍍敷形成部的表面係以絕緣層予以被 覆。
19G.如第10G~18G項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中絕緣層為類鑽碳(DLC)膜或無機材料膜。
20G.一種鍍敷用導電性基材之製造方法，其特徵為包含：(A)於導電性基材的表面形成圖型，此圖型為可予以去除之凸狀圖型，且具有特定圖型作為該圖型，位於形成有該圖型之區域內之特定區域，形成與該周邊的圖型為不同之圖型之製程；及(B)於形成有可予以去除之凸狀圖型之導電性基材的表面，形成有由DLC或無機材料所形成之絕緣層之製程；及(C)將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除之製程。
21G.一種導體層圖型之製造法，其特徵為：係藉由鍍敷，於第10G~19G項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材的鍍敷形成部析出金屬。
22G.一種附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為包含：(甲)藉由鍍敷，於第10G~19G項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材的鍍敷形成部析出金屬之製程；及(乙)將析出於上述導電性基材的鍍敷形成部之金屬轉印至其他基材之製程。
23G.一種電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第9G項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
24G.一種電磁波遮蔽板，其特徵為：係將第9G項 所記載之附導體層圖型之基材或第23G項所記載之透光性電磁波遮蔽構件，貼附於透明基板而成。
根據本發明的上述一實施型態之導體層圖型及附導體層圖型之基材，係容易進行用於樹脂於圖型上之塗佈、薄膜的貼合等之更進一步的加工或檢查之對位。此外，於對位精密度的檢查時，容易進行目視的確認。
於特定區域的導體層圖型及該周邊的導體層圖型當中，存在有直線性連接之線狀圖型，藉此，尤其可藉由特定出這些圖型之間的線寬度，可減少鍍敷的彎折並提高線的視認性。此外，藉由特定出特定區域與除此之外的區域中之導體層的厚度，能夠不會損及面內均一性，因此可提升良率及生產效率。
根據本發明的上述一實施型態之鍍敷用導電性基材，係容易製作出上述導體層圖型及附導體層圖型之基材，此外，若鍍敷形成部係寬度朝向開口方向變寬，則容易進行導體層圖型的剝離或轉印。再者，於以DLC或無機材料形成絕緣層時，對導電性基材之密著性為優良，且其耐剝離性為優良。
根據本發明的上述一實施型態之附導體層圖型之基材之製造法，由於容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離，因此容易製造出光透射性優良之附導體層圖型之基材，此外，可容易製造出具有優良的電磁波遮蔽性或導電性之附導體層圖型之基材。再者，能夠於高生產效率下製造出如此之附導體層圖型之基材。如此之附導體層圖型之 基材，除了電磁波遮蔽構件之外，於其他用途中，尤其於光透射性較強的用途中極為有用。
本發明的上述一實施型態之電磁波遮蔽構件及電磁波遮蔽板，藉由使用特定的導體層圖型，可具備優良的光透射性及電磁波遮蔽性，且能夠於高生產效率下進行製造。
此外，本發明係關於以下型態。
1H.一種鍍敷用導電性基材，亦即凹版，其特徵為包含：基材及形成於基材表面之導電性類鑽碳膜或導電性無機材料膜。
2H.一種凹版，其特徵為：具備於表面上形成有導電性類鑽碳膜或導電性無機材料膜之導電性基材；及形成於該導電性類鑽碳膜或導電性無機材料膜的表面之絕緣層；於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且用以形成鍍敷之凹部。
3H.如第2H項所記載之凹版，其中用以形成鍍敷之凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
4H.如第2H或3H項所記載之凹版，其中絕緣層係由類鑽碳或無機材料所形成。
5H.如第2H、3H或4H項所記載之凹版，其中絕緣層為類鑽碳、Al2 O3 或SiO2 。
6H.如第2H、3H、4H或5H項所記載之凹版，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的類鑽碳所形成。
7H.如第2H~6H項中任一項所記載之凹版，其中凹 部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
8H.如第2H~7H項中任一項所記載之凹版，其中，凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上且未滿90度。
9H.如第2H~7H項中任一項所記載之凹版，其中，凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上60度以下。
10H.如第2H~9H項中任一項所記載之凹版，其中絕緣層的厚度為0.5~20μm。
11H.如第2H~10H項中任一項所記載之凹版，其中於導電性基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
12H.如第2H~11H項中任一項所記載之凹版，其中導電性基材係包含：基材及形成於該基材的表面之導電性類鑽碳膜或導電性無機材料膜。
13H.如第12H項所記載之凹版，其中，於基材與導電性類鑽碳膜或導電性無機材料膜之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
14H.如第12H或13H項所記載之凹版，其中至少為基材的表面係由鋼或Ti等導電性材料所形成。
15H.如第2H~14H項中任一項所記載之凹版，其中，為導電性滾輪(鼓輪)或捲繞於滾輪上者。
16H.一種凹版之製造方法，其特徵為包含：(i)於 在表面上形成有導電性類鑽碳膜或導電性無機材料膜之導電性基材之該導電性類鑽碳膜或導電性無機材料膜的表面，形成可予以去除之凸狀圖型之製程；(ii)於形成有可予以去除之凸狀圖型之導電性基材的表面，形成有由類鑽碳或無機材料所形成之絕緣層之製程；及(iii)將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除之製程。
17H.如第16H項所記載之凹版之製造方法，其中可予以去除之凸狀圖型，係藉由使用有感光性光阻之微影技術所形成。
18H.如第16H或17H項所記載之凹版之製造方法，其中於導電性基材上及凸狀圖型的側面，形成性質或特性為不同之絕緣膜。
19H.如第16H、17H或18H項所記載之凹版之製造方法，其中，導電性基材上所形成之絕緣層與凸狀圖型的側面上所形成之絕緣層之交界面，與凸狀圖型的側面(對基材為垂直面)之間的距離，並未隨著朝向凸狀圖型的豎立方向變小，而是全體變大。
20H.如第19H項所記載之凹版之製造方法，其中上述交界面的角度對上述導電性基材係形成為30度以上且未滿90度。
21H.如第19H或20H項所記載之凹版之製造方法，其中上述交界面的角度對上述導電性基材係形成為30度以上60度以下。
22H.如第16H~21H項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中可予以去除之凸部的圖型形狀，其寬度為1~40μm，間隔為50~1000μm，且高度為1~30μm，並藉此描繪為幾何學圖形。
23H.如第16H~22H項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層為類鑽碳或無機材料。
24H.如第23H項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中無機材料為Al2 O3 或SiO2 。
25H.如第23H項所記載之凹版之製造方法，其中絕緣層為類鑽碳。
26H.如第25H項所記載之凹版之製造方法，其中導電性基材上所形成之類鑽碳膜的硬度，係較凸狀圖型的側面上所形成之類鑽碳膜的硬度還大。
27H.如第26H項所記載之凹版之製造方法，其中導電性基材上所形成之類鑽碳膜的硬度為10~40GPa，凸狀圖型的側面上所形成之類鑽碳膜的硬度為1~15GPa。
28H.如第25H、26H或27H項所記載之凹版之製造方法，其中類鑽碳膜係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法或電漿CVD法所形成。
29H.如第16H~28H項中任一項所記載之凹版之製造方法，其中於進行在形成有可予以去除之凸狀圖型之導電性基材的表面上形成絕緣層之製程前，係進行於形成有可予以去除之凸狀圖型之導電性基材的表面上形成中間層之製程。
30H.如第29H項所記載之凹版之製造法，其中中間層係包含從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上。
31H.如第16H~30H項中任一項所記載之凹版之製造法，其中絕緣層的厚度為0.5~10μm。
32H.一種附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為包含：(i)藉由鍍敷，於第2H~15H項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之製程；及(ii)將析出於上述導電性基材的凹部之金屬轉印至其他導電性基材之製程。
33H.如第32H項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中係將藉由鍍敷所析出之金屬的厚度，形成為凹部之深度的2倍以下。
34H.如第32H或33H項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中其他基材係具備至少於表面具有接著性之接著層。
35H.如第32H、33H或34H項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中包含對析出於凹版的凹部之金屬進行黑化處理之製程。
36H.如第32H、33H、34H或35H項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，更包含對轉印至其他基材之導體層圖型進行黑化處理之製程。
37H.一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係藉由第32H~36H項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之 製造方法所製造出。
38H.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第37H項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
39H.一種透光性電磁波遮蔽板，其特徵為：係將第37H項所記載之附導體層圖型之基材或第38H項所記載之透光性電磁波遮蔽構件，貼附於透明基板而成。
根據本發明的一實施型態，係於基材表面形成導電性DLC膜或導電性無機材料膜，藉此，可進行基材上之微小扭曲的修正或是損傷、微小凹陷等的修復，此外並可將表面予以平滑化。其結果為，不論是否予以圖型化，均可製作出均一的金屬箔。此外，於導電性基材表面上形成圖型化的絕緣層時，可提升所使用之光阻膜的密著性，更能夠達到圖型形成的高精密化以及精細化。
此外，本發明的一實施型態，係於基材上形成導電性DLC膜或導電性無機材料膜，藉此，於重複使用凹版時，可簡化或省略其表面的清潔或修正。此外，可減少或消除以往使用金屬作為導電性基材時所產生之起因於鍍敷藥品所導致之金屬表面的劣化，因此可將需定期進行之導電性基材表面的研磨或化學處理之維護操作予以簡化或省略。再者，不需考量成為基質之金屬的耐藥品性，因而降低基材的限制。其結果可提供便宜的凹版。
此外，係於基材上形成導電性DLC膜或導電性無機材料膜，藉此可簡化或省略導電性基材表面上是否有損傷 或凹陷之檢查。
本發明之凹版，於藉由鍍敷形成有金屬層之凹部係寬度朝向開口方向變寬時，可容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離。此外，係以DLC或無機材料形成絕緣層，因此對基材之密著性優良，且其耐剝離性為優良。再者，該絕緣層可藉由中間層提升導電性基材與絕緣層之間的密著性，藉此更可延長凹版的壽命。
本發明之寬度朝向開口方向變寬的凹部作為鍍敷形成部之凹版，係於導電性基材上形成凸狀圖型並於形成絕緣層後，將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除而藉此形成凹部，因此容易進行製造且具有高生產性。
根據本發明之凹版之製造法，由於製程數較少，特別容易製作寬度朝向開口方向變寬的凹部，因此能夠於高生產效率下進行製造。
根據本發明之附導體層圖型之基材之製造方法，由於容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離，因此容易製造出光透射性優良之附導體層圖型之基材，此外，可容易製造出具有優良的電磁波遮蔽性或導電性之附導體層圖型之基材。再者，能夠於高生產效率下製造出如此之附導體層圖型之基材。
本發明之電磁波遮蔽構件及電磁波遮蔽板，藉由使用特定的導體層圖型，可具備優良的光透射性及電磁波遮蔽性，且能夠於高生產效率下進行製造。
此外，本發明係關於以下型態。
1I.一種表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，係使用凹版而製造出表面經黑化處理之圖型化銅金屬層，亦即導體層圖型之製造方法，其特徵為：凹版為於導電性基材的表面形成有絕緣層；於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且用以形成鍍敷之凹部的圖型之凹版；於一個硫酸銅鍍敷浴中進行：於該凹部中，於第1電流密度下使銅金屬析出而形成銅金屬層之導電層形成製程；及於較第1電流密度還大之第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上，以使該表面成為黑色至茶褐色之方式使銅金屬析出之黑化處理製程。
2I.如第1I項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，係於包含第1電流密度之第1電層積區域中進行導電層形成製程；於包含第2電流密度之第2電層積區域中進行黑化處理製程。
3I.如第1I或2I項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為50%之光透射部的明度為25~50，或色度a*及b*均為5以下之方式使銅金屬析出。
4I.如第1I或2I項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為40%之光透射部的色度a*及b*均為2.8以下之方式使金屬析出。
5I.如第1I或2I項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於黑化處理製程中，以使開口率 未滿40%且以明度25的黑色為背景之光透射部或光未透射部的色度a*及b*均為5以下之方式使金屬析出。
6I.如第1I~5I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，硫酸銅鍍敷浴為包含有機硫化合物及界面活性劑當中一種或以上作為添加劑之鍍敷液。
7I.如第1I~6I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，第1電流密度為0.5~40A/Im2 。
8I.如第1I~7I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中用以形成鍍敷之凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
9I.如第1I~8I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層係由DLC或無機材料所形成。
10I.如第9I項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
11I.如第10I項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
12I.如第1I~11I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物 中所選擇之任1種以上之中間層。
13I.如第1I~12I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中凹部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
14I.如第1I~13I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上且未滿90度。
15I.如第1I~14I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上80度以下。
16I.如第1I~15I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中絕緣層的厚度為0.5~20μm。
17I.如第1I~16I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中基材的表面係由鋼或Ti所形成。
18I.如第1I~17I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中凹版為旋轉體或裝設於旋轉體之平板。
19I.如第1I~17I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中係使用由旋轉體所形成之凹版或裝設於旋轉體之凹版作為凹版，將其一部分浸漬於鍍敷液，一邊使旋轉體旋轉一邊進行導體層圖型製作製 程及轉印製程。
20I.如第1I~19I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於銅金屬層形成製程中，係以使銅金屬的厚度成為0.1~20μm之方式使銅金屬析出。
21I.如第1I~20I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上以使該表面成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極，係互為分離而浸漬於上述鍍敷液中；於上述各陽極之間，設置有以絕緣體所構成之阻隔構件。
22I.如第1I~19I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中，係兼用用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上以使該表面成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極；於上述第1電流密度下於上述導電層形成製程中之導電層的形成後，再於上述第2電流密度下進行上述黑化處理製程。
23I.一種表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其特徵為：於進行第1I~22I項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法後，從鍍敷用導電性基材中將表面經黑化處理之銅金屬層予以剝離。
24I.一種附導體層圖型之基材之製造方法，係包含：藉由電解鍍敷使銅金屬析出於凹版的鍍敷形成部之導體層圖型製作製程，此凹版係於導電性基材的表面形成有絕緣層，於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且用以形成鍍敷之凹部；及將析出於基材上之銅金屬轉印至接著性支撐體之轉印製程，其特徵為：導體層圖型製作製程，係於一個硫酸銅鍍敷浴中進行：於第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程；及於較第1電流密度還大之第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上，以使該表面成為黑色至茶褐色之方式使金屬析出之黑化處理製程。
25I.如第24I項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，係於包含第1電流密度之第2電層積區域中進行導電層形成製程；於包含第2電流密度之第2電層積區域中進行黑化處理製程。
26I.如第24I或25I項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為50%之光透射部的明度為25~50，或色度a*及b*均為5以下之方式使銅金屬析出。
27I.如第24I或25I項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於黑化處理製程中，以明度25的黑色為背景，以使開口率為40%以上之光透射部的色度a*及b*均為2.8以下之方式使金屬析出。
28I.如第24I或25I項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於黑化處理製程中，以使開口率未滿 40%且以明度25的黑色為背景之光透射部或光未透射部的色度a*及b*均為5以下之方式使金屬析出。
29I.如第24I~28I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，硫酸銅鍍敷浴為包含有機硫化合物及界面活性劑當中一種或以上作為添加劑之鍍敷浴。
30I.如第24I~29I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，第1電流密度為0.5~40A/Im2 。
31I.如第24I~30I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中用以形成鍍敷之凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
32I.如第24I~31I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層係由DLC或無機材料所形成。
33I.如第32I項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
34I.如第33I項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
35I.如第24I~34I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選 擇之任1種以上之中間層。
36I.如第24I~35I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中凹部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
37I.如第24I~36I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上且未滿90度。
38I.如第37I項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上80度以下。
39I.如第24I~38I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中絕緣層的厚度為0.5~20μm。
40I.如第24I~39I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中基材的表面係由鋼或Ti所形成。
41I.如第24I~40I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中凹版為旋轉體或裝設於旋轉體之平板。
42I.如第24I~41I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中係使用由旋轉體所形成之凹版或裝設於旋轉體之凹版作為凹版，將其一部分浸漬於鍍敷液，一邊使旋轉體旋轉一邊進行導體層圖型製作製程及轉印製程。
43I.如第24I~42I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中於導體層圖型製作製程中，係以使金屬的厚度成為0.1~20μm之方式使銅金屬析出至凹版之凹部的上面。
44I.如第24I~43I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上以使該表面成為黑色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極，係互為分離而浸漬於上述鍍敷液中；於上述各陽極之間，設置有以絕緣體所構成之阻隔構件。
45I.如第24I~43I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，係兼用用以進行於上述第1電流密度下形成銅金屬層之導電層形成製程之第1陽極，以及於上述第2電流密度下，於上述銅金屬層的表面上以使該表面成為黑色至茶褐色之方式使金屬析出之黑化處理製程之第2陽極；於上述第1電流密度下於上述導電層形成製程中之導電層的形成後，再於上述第2電流密度下進行上述黑化處理製程。
46I.一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係由第24I~45I項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法所製造出。
47I.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係將第46I項所記載之附導體層圖型之基材之具有導體層圖型 的一面，貼附於透明基板而成。
48I.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第46I項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
根據本發明的一型態，由於可在一個鍍敷浴中進行圖形化銅金屬層的製作及該表面的黑化處理，因此能夠以高生產性製作出經圖形化且表面經黑化處理後的銅金屬層或銅金屬。藉此，能夠以高生產性製作出附導體層圖型之基材。
根據本發明的一型態，由於凹版的鍍敷形成部之凹部係寬度朝向開口方向變寬，因此可容易進行所析出之銅金屬的剝離。此外，於該凹版表面的絕緣層為DLC或無機材料，尤其為DLC時，尤其具備優良的耐久性。因此，表面經黑化處理後的銅金屬層或銅金屬，以及附導體層圖型之基材之生產效率極為優良。
藉由作為凹版之金屬製的旋轉體或將導電性基材電性結合於金屬製的旋轉體，可連續地進行經圖型化且表面經黑化處理之銅金屬層的製作，並且將該金屬層轉印至接著性支撐體，因此，表面經黑化處理後的銅金屬層或銅金屬，以及附導體層圖型之基材之生產效率極為優良。
此外，根據本發明的一型態，由於鍍敷形成部為凹部，因此可於一連串的製程中，不論細線部或寬幅部，均可在不會產生粉體掉落下均一地進行黑化處理。藉此，可縮短包含導電層形成製程及黑化處理製程之導體層圖型製 作製程。此外，係於第2電層積區域中適當地控制黑色至茶褐色金屬的析出條件，使黑色至茶褐色金屬析出為粒狀或瘤狀，藉此可在不會產生粉體掉落下進行良好的黑化處理。
利用上述導體層圖型所獲得之電磁波遮蔽體，係具有優良的光透射性。因此，於作為顯示器的電磁波遮蔽體而使用時，可在不會提高該亮度而極為接近一般的狀態之條件下，且不會因電磁波對人體造成不良影響下，提供鮮明的畫像而能夠舒適地觀賞。此外，由於該電磁波遮蔽體具有優良的電磁波遮蔽性，因此，若設置於除了顯示器之外之產生電磁波之裝置，或是用以保護不受到外部電磁波的影響之測定裝置、測定機器或製造裝置的框體，尤其是要求透明性之視窗之部位而使用時，則可獲得極大效果。再者，本發明之電磁波遮蔽體，與上述附導體層圖型之基材相同，能夠於高生產效率下進行製造。
藉由將透明基板貼合於，或是將透明樹脂塗膜於上述附導體層圖型之基材之具有導體層圖型的一面，可保護導體層圖型。於預先將接著劑層形成於其他基板的導體層轉印面時，亦具有防止異物附著於此接著劑層之效果。此外，此時透明基板的貼合，亦可藉由直接將透明基板或是夾介其他接著劑加壓貼合於接著劑層而進行。此時，由於係藉由適度的壓力使導體層圖型埋設於接著劑層，因此可提升透明性及與透明基板的密著性。
若利用附導體層圖型之透明基材，則可容易獲得兼具 高光透射性(尤其於導體層圖型的線寬度較小且較為高精細時)及優良導電性(高電磁波遮蔽性)之電磁波遮蔽體。因此，於作為PDP等顯示器的電磁波遮蔽體而使用時，可在不會提高該亮度而與一般的狀態大致相同之條件下，舒適地觀賞鮮明的畫像。此外，由於該電磁波遮蔽體具有優良的電磁波遮蔽性，因此，若設置於除了顯示器之外之產生電磁波之裝置，或是用以保護不受到外部電磁波的影響之測定裝置、測定機器或製造裝置等之觀測內部的視窗或框體，尤其是要求透明性之視窗或顯示器的表面之部位而使用時，則可獲得極大效果。再者，根據本發明的電磁波遮蔽體的製造方法，與上述導體層圖型之製造相同，電磁波遮蔽體的生產效率極為優良。
此外，本發明係關於以下型態。
1J.一種表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，係藉由脈衝電解法使金屬析出於幾何學圖形狀的導體性金屬層而進行黑化處理之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其特徵為：脈衝電解法，於定義高通電時間為T1 ，低通電時間為T2 ，1循環為1循環=T1 +T2 ，且脈衝電解時的循環率E為E=100×(T1 /(T1 +T2 ))時，係於將循環率維持於2%以上或90%以下，將各脈衝通電時間保持於2ms以上200ms以下之條件中進行。
2J.一種表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，係藉由電解鍍敷，使銅金屬析出於具有幾何學圖形狀的鍍敷形成部圖型之鍍敷用導電性基材之表面經黑化處理之導 體層圖型之製造方法，其特徵為：係於同一鍍敷浴槽內進行：於第1電流密度下形成導電性金屬層之導電層形成製程；及以脈衝電解法，進行於較上述第1電流密度還大之第2電流密度下，於上述導電性金屬層的表面上，以使該表面成為黑色或茶褐色之方式使金屬析出之黑化處理之製程。
3J.如第2J項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中鍍敷形成部圖型，為寬度朝向開口方向變寬之凹部圖型。
4J.如第2J或3J項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中脈衝電解法，於定義高通電時間為T1 ，低通電時間為T2 ，1循環為1循環=T1 +T2 ，且脈衝電解時的循環率E為E=100×(T1 /(T1 +T2 ))時，係於將循環率維持於2%以上或90%以下，將各脈衝通電時間保持於2ms以上200ms以下之條件中進行。
5J.如第1J、2J、3J或4J項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中對表面經黑化處理之導體層圖型，係以明度25的黑色為背景，且以使該開口部面積約50%以上之光透射部的明度成為25~50之方式地進行黑化處理。
6J.如第1J~5J項中任一項所記載之表面經黑化處理之導體層圖型之製造方法，其中於黑化處理中，係以電壓進行各脈衝電解處理的控制。
7J.一種附導體層圖型之基材之製造方法，係包含： 藉由電解鍍敷，使銅金屬析出於具有幾何學圖形狀的鍍敷形成部圖型之鍍敷用導電性基材之導體層圖型製作製程；及將析出於鍍敷用導電性基材上之金屬轉印至接著性支撐體之轉印製程之附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為：導體層圖型製作製程係於同一鍍敷浴槽內進行：於第1電流密度下形成導電性金屬層之導電層形成製程；及以脈衝電解法，進行於較上述第1電流密度還大之第2電流密度下，於上述導電性金屬層的表面上，以使該表面成為黑色或茶褐色之方式使金屬析出之黑化處理之製程。
8J.如第7J項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中鍍敷形成部圖型，為寬度朝向開口方向變寬之凹部圖型。
9J.如第7J或8J項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中脈衝電解法，於定義高通電時間為T1 ，低通電時間為T2 ，1循環為1循環=T1 +T2 ，且脈衝電解時的循環率E為E=100×(T1 /(T1 +T2 ))時，係於將循環率維持於2%以上或90%以下，將各脈衝通電時間保持於2ms以上200ms以下之條件中進行。
10J.如第7J、8J或9J項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中對表面經黑化處理之導體層圖型，係以明度25的黑色為背景，且以使該開口部面積約50%以上之光透射部的明度成為25~50之方式地進行黑化處理。
11J.如第7J、8J、9J或10J項中任一項所記載之附 導體層圖型之基材之製造方法，其中於黑化處理中，係以電壓進行各脈衝電解處理的控制。
12J.一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係藉由第7J至11J項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法所製造。
13J.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係將第12J項所記載之附導體層圖型之基材之具有導體層圖型的一面，貼附於透明基板而成。
14J.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第12J項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
根據本發明的一實施型態，由於利用特定條件的脈衝電解法製造出表面經黑化處理之導體層圖型，因此可製造出黑化度較充分或色調或形狀更為均質之經黑化處理之導體層圖型(可抑制經黑化處理之金屬銅的過剩析出，不會使線變得過粗且不會產生粉體掉落)。
此外，根據本發明的一實施型態，由於可在同一鍍敷浴槽內，進行導電層形成製程以及以脈衝電解法進行黑化處理之製程，因此能夠於高生產性下製作出經良好的黑化處理之導體層圖型。
根據本發明的一實施型態，由於附導體層圖型之基材之製造方法包含上述導體層圖型之製造方法，因此可製造出具有黑化度較充分或色調或形狀更為均質之經黑化處理之導體層圖型，因此可製造出具有該良好特性之附導體層 圖型之基材，此外，能夠於高生產性下製作出附導體層圖型之基材。
於這些方法中，於鍍敷形成部圖型為寬度朝向開口方向變寬之凹部圖型時，係容易進行表面經黑化處理之導體層圖型的剝離或轉印。
利用上述導體層圖型所獲得之電磁波遮蔽體，係具有優良的光透射性。因此，於作為顯示器的電磁波遮蔽體而使用時，可在不會提高該亮度而與一般的狀態大致相同之條件下，且不會因電磁波對人體造成不良影響下，提供鮮明的畫像而能夠舒適地觀賞。此外，由於該電磁波遮蔽體具有優良的電磁波遮蔽性，因此，若設置於除了顯示器之外之產生電磁波之裝置，或是用以保護不受到外部電磁波的影響之測定裝置、測定機器或製造裝置的框體，尤其是要求透明性之視窗之部位而使用時，則可獲得極大效果。再者，本發明之電磁波遮蔽體，與上述附導體層圖型之基材相同，能夠於高生產效率下進行製造。
藉由將透明基板貼合於，或是將透明樹脂塗膜於上述附導體層圖型之基材之具有導體層圖型的一面，可保護導體層圖型。於預先將接著劑層形成於其他基板的導體層轉印面時，亦具有防止異物附著於此接著劑層之效果。此外，此時透明基板的貼合，亦可藉由直接將透明基板或是夾介其他接著劑加壓貼合於接著劑層而進行。此時，由於係藉由適度的壓力使導體層圖型埋設於接著劑層，因此可提升透明性及與透明基板的密著性。
若利用附導體層圖型之透明基材，則可容易獲得兼具高光透射性(尤其於導體層圖型的線寬度較小且較為高精細時)及優良導電性(高電磁波遮蔽性)之電磁波遮蔽體。因此，於作為PDP等顯示器的電磁波遮蔽體而使用時，可在不會提高該亮度而與一般的狀態大致相同之條件下，舒適地觀賞鮮明的畫像。此外，由於該電磁波遮蔽體具有優良的電磁波遮蔽性，因此，若設置於除了顯示器之外之產生電磁波之裝置，或是用以保護不受到外部電磁波的影響之測定裝置、測定機器或製造裝置等之觀測內部的視窗或框體，尤其是要求透明性之視窗或顯示器的表面之部位而使用時，則可獲得極大效果。再者，本發明的電磁波遮蔽體的製造方法，與上述導體層圖型之製造相同，電磁波遮蔽體的生產效率極為優良。
此外，本申請案的發明係關於以下型態。
1K.一種鍍敷用導電性基材，其特徵為：係於導電性基材的表面形成有絕緣層；該絕緣層的全部或一部分係由兩層以上所形成，於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且用以形成鍍敷之凹部。
2K.一種鍍敷用導電性基材，其特徵為：係於導電性基材的表面形成有2種以上的絕緣層；於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬且用以形成鍍敷之凹部。
3K.如第1K或2K項所記載之鍍敷用導電性基材，其中用以形成鍍敷之凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
4K.如第1K、2K或3K項所記載之鍍敷用導電性基材，其中第一絕緣層係由類鑽碳(DLC)或無機材料所形成。
5K.如第1K、2K、3K或4K項所記載之鍍敷用導電性基材，其中第一絕緣層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
6K.如第1K~5K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中第一絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
7K.如第1K~6K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中凹部的最小寬度為1~40μm，凹部的最大寬度為2~60μm，且凹部的間隔為50~1000μm。
8K.如第1K~7K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上且未滿90度。
9K.如第1K~8K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中凹部側面的角度於絕緣層側為30度以上80度以下。
10K.如第1K~9K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中層積之絕緣層的合計厚度為0.5~20μm。
11K.如第1K~10K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中於導電性基材與絕緣層之間，夾介有從Ti、Cr、W、Si、或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之任1種以上之中間層。
12K.如第1K~11K項中任一項所記載之鍍敷用導電 性基材，其中導電性基材的表面係由鋼或Ti所形成。
13K.如第1K~12K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，第二絕緣層係以填補第一絕緣層之微小的孔之方式形成。
14K.如第1K~13K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，第二絕緣層係塗佈有機物而成。
15K.如第1K~14K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中第二絕緣層為電層積塗料。
16K.如第1K~15K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中，第二絕緣層係塗佈絕緣性的無機物而成。
17K.如第13K~16K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材，其中於第二絕緣層上，係以覆蓋第一及第二絕緣層之方式形成第三絕緣層。
18K.如第17K項所記載之鍍敷用導電性基材，其中第三絕緣層為DLC、Al2 O3 或SiO2 。
19K.如第17K或18K項所記載之鍍敷用導電性基材，其中第三絕緣層係由硬度為10~40GPa的DLC所形成。
20K.一種鍍敷用導電性基材之製造方法，其特徵為包含：(A)於導電性基材的表面形成可予以去除之凸狀圖型之製程；(B)於形成有可予以去除之凸狀圖型之導電性基材的表面，形成有兩層以上或兩種以上的絕緣層之製程；及(C)將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除之製程。
21K.如第20K項所記載之鍍敷用導電性基材之製造方法，其中(B)於形成有可予以去除之凸狀圖型之導電性基材的表面，形成有兩層以上或兩種以上的絕緣層之製程，為形成DLC或無機材料的層作為第一絕緣層，接著形成電層積塗料作為第二絕緣層，然後形成DLC或無機材料的層作為第三絕緣層之製程。
22K.如第20K或21K項所記載之鍍敷用導電性基材之製造方法，其中可予以去除之凸狀圖型，係藉由使用有感光性光阻之微影技術所形成。
23K.如第20K、21K或22K項所記載之鍍敷用導電性基材之製造方法，其中導電性基材上所形成之第一絕緣層與可予以去除之凸狀圖型的側面上所形成之第一絕緣層之交界面，與凸狀圖型的側面(對基材為垂直面)之間的距離，並未隨著朝向凸狀圖型的豎立方向變小，而是全體變大。
24K.如第20K、21K、22K或23K項所記載之鍍敷用導電性基材之製造方法，其中可予以去除之凸部的圖型形狀，其寬度為1~40μm，間隔為50~1000μm，且高度為1~30μm，並藉此描繪為幾何學圖形。
25K.如第20K~24K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材之製造方法，其中成為第一及第三絕緣層之DLC膜，係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法或電漿CVD法所形成。
26K.一種導體層圖型之製造方法，其特徵為： (甲)係藉由鍍敷，於第1K~19K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材的凹部析出金屬。
27K.一種導體層圖型之製造方法，其特徵為包含：(甲)藉由鍍敷，於第1K~19K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材的凹部析出金屬之製程；及(乙)將析出於上述導電性基材的凹部之金屬予以剝離之製程。
28K.一種附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為包含：(甲)藉由鍍敷，於第1K~19K項中任一項所記載之鍍敷用導電性基材的凹部析出金屬之製程；及(乙)將析出於上述導電性基材的凹部之金屬轉印至其他基材之製程。
29K.如第28K項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中係將藉由鍍敷所析出之金屬的厚度，形成為凹部之深度的2倍以下。
30K.如第28K或29K項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中其他基材，係具備至少於表面具有接著性之接著層。
31K.如第28K、29K或30K項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，係於將析出於鍍敷用導電性基材的凹部之金屬轉印至其他基材之製程之前，包含進行黑化處理之製程。
32K.如第28K、29K、30K或31K項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中更包含對轉印至其他基材之導體層圖型進行黑化處理之製程。
33K.一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係藉由第28K~32K項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法所製造出。
34K.一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將第33K項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
35K.一種透光性電磁波遮蔽板，其特徵為：係將第33K項所記載之附導體層圖型之基材或第34K項所記載之透光性電磁波遮蔽構件，貼附於透明基板而成。
本發明的上述一實施型態之鍍敷用導電性基材，由於藉由鍍敷形成有金屬層之凹部，係寬度朝向開口方向變寬，因此可容易且圓滑地進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離或轉印。並且，絕緣層由2層以上所形成，能夠防止因絕緣層的缺陷所造成之金屬的析出，因此可製作出具有優良特性之導體層圖型。
此外，於絕緣層包含DLC或無機材料時，其對導電性基材之密著性優良，且其耐剝離性，亦即耐久性為優良。此外，該絕緣層可藉由中間層提升導電性基材與絕緣層之間的密著性，藉此更可延長鍍敷用導電性基材的壽命。
詳細而言，本發明的上述一實施型態之導電性基材上所形成之第二絕緣層的存在，係將存在於第一絕緣層之針孔予以埋填而修復絕緣層的缺陷，因此可防止金屬析出於不必要的部分，以及起因於該轉印所造成之附導體層圖型 之基材的外觀不良。
尤其是，本發明的上述一實施型態之導電性基材上所形成之第三絕緣層，係使用DLC或無機材料，藉此可保護第二絕緣層免於受到鍍敷藥液的影響，因此更可提升導電性基材的耐久性。
本發明的上述一實施型態之朝向開口方向具有寬幅的凹部之鍍敷用導電性基材，係於導電性基材上形成凸狀圖型並於形成絕緣層後，將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除而藉此形成凹部，因此容易進行製造且具有高生產性。
根據本發明的上述一實施型態之鍍敷用導電性基材之製造法，由於製程數較少，特別容易製作寬度朝向開口方向變寬的凹部，因此能夠於高生產效率下進行製造。
根據本發明的上述一實施型態之附導體層圖型之基材之製造法，由於容易進行由鍍敷所獲得之導體層圖型的剝離，因此容易製造出光透射性優良之附導體層圖型之基材，此外，可容易製造出具有優良的電磁波遮蔽性或導電性之附導體層圖型之基材。再者，能夠於高生產效率下製造出如此之附導體層圖型之基材。
本發明的上述一實施型態之電磁波遮蔽構件及電磁波遮蔽板，藉由使用特定的導體層圖型，可具備優良的光透射性及電磁波遮蔽性，且能夠於高生產效率下進行製造。
本說明書中所揭示之內容，為關於日本特願2006-352549號(2006年12月27日申請)、日本特願2007-099332號(2007年4月5日申請)、日本特願2007- 152658號(2007年6月8日申請)、日本特願2007-158735號(2007年6月15日申請)及日本特願2007-183130號(2007年7月12日申請)之主題，並全體性地將這些內容編入於本說明書中。
本發明之凹版，係於基材的表面，具備寬度朝向開口方向變寬的凹部之絕緣層。於此凹部的底面，可使基材暴露出。此外，可將本發明之凹版用於凹紋印刷用、黏著劑塗佈用、光阻材料的轉印塗佈用、彩色液晶顯示裝置中所使用之彩色濾光片等之精細圖型形成用。例如，若將保持於凹部之油墨轉印至薄片，則可製造出凹紋印刷物。此外，若將析出於凹部之鍍敷轉印至薄膜，則可製造出附導體層圖型之基材，此外，亦可使用為光透射性電磁波遮蔽構件、觸控面板構件、太陽電池用電極導線或配線、數化器構件、防側錄卡構件、透明天線、透明電極、不透明電極、電子紙構件、調光薄膜用基材等。再者，將析出於凹部之鍍敷予以剝離，則可使用為導體層圖型(圖型化金屬箔)，在這當中，開孔金屬箔尤其可使用為電容器用電極(電容器用集電體)。
基材可為絕緣性。絕緣性基材的材質，例如有陶瓷、碳纖維強化塑膠(樹脂成分例如有環氧樹脂、不飽和聚酯等熱硬化性樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、飽和聚酯等熱可塑性樹脂等)、Al2 O3 、SiO2 等無機材料及DLC。在這當 中，DLC具有優良的耐久性及耐藥品性，因而較為理想。
此外，基材亦可為導電性。導電性基材中所使用之導電性材料，為具有可藉由電解鍍敷使金屬析出於該暴露表面之充分的導電性，較理想為金屬。此外，該基材較理想為，以可將藉由電解鍍敷形成在表面之金屬層轉印至接著性支撐體之方式，與於其上方所形成之金屬層之間的密著力較低而容易剝離者。此類導電性基材的材料，並不限定以下所述，但較理想為，鐵、鋁、不鏽鋼、施以鉻鍍敷之鑄鐵、施以鉻鍍敷之鋼、鈦、形成鈦的襯裡之材料、鎳等。此外，導電性的基材，例如有於基材上形成導電性DLC膜或導電性無機材料膜而成者。
藉由在基材上形成導電性DLC膜，可藉由基材上之微小扭曲的修正或是損傷的修復，將基材予以平滑化。
於基材上形成導電性DLC膜或導電性無機材料膜之方法，基本上與下列形成絕緣性DLC膜或無機材料膜之方法相同，並且再加上將導電性賦予至DLC膜或無機材料膜之方法。
將導電性賦予至DLC膜之方法並不限定於以下例子，亦可採用種種手法。
將導電性賦予至DLC膜之方法，例如除了碳、氫之外，可藉由將硼、氮、磷之1種以上的不純物予以混合而使DLC膜具有導電性。於以電漿CVD方式混合不純物時，可將含有這些不純物之氣體混入至處理室內而形成DLC膜，藉此以分子或原子的形式使不純物(硼及氮)混 入於DLC膜內，使所獲得的膜具有導電性。此時所使用之電漿CVD反應氣體，硼來源例如可使用乙硼烷(B2 H6 )、氧化硼(B2 O3 )。此外，氮來源例如可使用氮(N2 )。混合這些元素者，係作為以矽般的單結晶材料為原材料之半導體的製造中之不純物而使用，因此，即使使用具有電性絕緣性之硬質碳，亦使DLC膜具有導電性。
此外，除了上述不純物之外，可藉由將本身具有導電性之物質混入於膜中，而將導電性賦予至DLC膜。例如可將從Ti(鈦)、V(釩)、Cr(鉻)、Zr(鋯)、Nb(鈮)、Mo(鉬)、Hf(鉿)、Ta(鉭)、W(鎢)、Au(金)、Pt(白金)、Ag(銀)所選出的元素之至少1種以上添加於膜中，藉此可獲得導電性膜。
此時，若為了降低電阻率而增加較多的不純物添加量，則反而具有耐磨損性等特性的惡化之傾向。不純物添加量的下限，例如於依據電漿CVD法添加W時，若未添加0.0001原子%以上，則電阻率無法降低至1×106 Ω．cm以下。另一方面，於以離子注入法添加Au時，即使添加0.000001原子%，電阻率亦為1×106 Ω．cm以下。如此，電阻率的下限係因所添加的元素或方法之不同而不同。因此，DLC膜之不純物添加量的下限，在考量到各添加元素下，較理想為0.001原子%以下之值。於DLC膜的形成中，添加不純物的方法，可適用以下所示之方法。
(I)於以一般所知的方法形成DLC膜時，將包含不純物元素之氣體供應至反應系統中而添加至膜中之方法。 尤其於電漿CVD法、濺鍍法、離子鍍敷法、雷射剝蝕法等當中，此方法極為有效。
(II)於以一般所知的方法形成DLC膜時，將包含不純物元素之固體源予以加熱蒸發、濺鍍蒸發或剝蝕，而添加至膜中之方法。尤其於濺鍍法、離子鍍敷法、離子束濺鍍法、雷射剝蝕法等當中，此方法極為有效。
(III)於以一般所知的方法形成DLC膜時，將包含不純物元素之離子束予以照射，藉此將不純物添加至膜中之方法。
(IV)於以一般所知的方法形成DLC膜後，將包含不純物之離子予以注入而添加不純物之方法。
於添加有不純物之DLC膜的形成中，可單獨使用上述方法，或兼用複數種方法。此外，亦可兼用上述方法與其他方法。
此外，於將這些不純物元素添加至膜中時，在成膜的同時亦將離子照射至持續進行堆積之DLC膜上，藉此可提高碳之非晶質的網狀密度，且能夠在不會使上述添加元素形成團簇下精細地分散。再者，於成膜後可藉由將低能量的電子線照射至上述非晶質碳膜，而在不會巨觀性地改變碳之非晶質的網狀構造下，僅於精細地分散後之不純物元素的周邊，形成局部的極精細石墨團簇。
此外，可使用下列手法形成導電性DLC膜，亦即，不添加不純物，而是連續性或階段性地從基板側朝向上層，依序堆積從石墨成分較多的sp2之含有比例較高的 DLC層，至鑽石成分較多的sp3之含有比例較高的DLC層，而形成DLC膜。
除了上述方法之外，亦有藉由使用有脈衝電源之離子注入法，一邊施加正脈衝而賦予導電性之方法。亦即，藉由對放置於甲烷電漿中之基材施加負高電壓脈衝，從基材的全方向進行甲烷離子的照射，以去除基材表面的氧化膜等之高電阻層，並藉由離子注入，於基材表面形成碳原子分散之導電性覆膜。接著將甲苯等分子量較大的碳氫化合物導入至真空槽，藉由高頻放電、輝光放電等，產生這些化合物的電漿並堆積自由基，並且對基材施加負高電壓脈衝而使正離子加速而照射至基材。此時，將正高電壓脈衝施加於基材，並將電漿中的電子照射至基材，藉此，僅將表層予以脈衝活化並達到高溫狀態，而堆積碳氫化合物自由基及離子。藉由將這些製程有機地予以組合，可形成高導電性、高耐蝕性及高密著性之DLC膜。此外，亦可藉由在上述DLC膜形成製程的氣體中混入氮氣，而構成氮化碳膜。
使無機材料具有導電性之方法，亦可依據上述使DLC膜具有導電性之方法而進行。然而，若為本身具有導電性之無機材料，則不需進行賦予導電性之操作。本身具有導電性之無機材料，例如有氮化鈦鋁、氮化鉻、氮化鈦、氮化鈦鉻、氮化鈦碳、碳化鈦等無機化合物等。這些化合物的製膜，可使用濺鍍法、離子鍍敷法等物理氣相沉積法或電漿CVD等化學氣相沉積法。
藉由使用這些導電性基材，可容易製作出具有鍍敷形成部之凹版(鍍敷用導電性基材)。
絕緣層的厚度，可對應於凹部的深度並因應目的而適當地決定。絕緣層的厚度較理想為0.10μm以上100μm以下之範圍，更理想為0.5μm以上20μm以下之範圍，尤其理想為1μm以上10μm以下之範圍。若絕緣層太薄，則容易於絕緣層產生針孔，因此於鍍敷時亦容易使金屬析出於形成有絕緣層之部分。
由凹部所包圍之絕緣層的形狀，可因應目的而適當地決定，例如有正三角形、等邊三角形、直角三角形等三角形；正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等四角形；(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形等(正)n角形(n為3以上之整數)；圓、橢圓、星形等幾何學圖形。可單獨使用這些形狀或組合2種以上。可因應目的而適當地選擇形狀。凹紋印刷用的凹版，亦構成為適合於印刷及印刷物之形狀。
於使用具有鍍敷形成部之凹版製作導體層圖型(金屬圖型)，並將此利用為光透射性電磁波遮蔽構件時，於由凹部所包圍之絕緣層為正n角形，且凹部具有同一線間距寬度時，就電磁波遮蔽的觀點來看，絕緣層較理想為三角形，就對於光透射性電磁波遮蔽構件、透明網目天線等所要求之可見光透射性的觀點來看，較理想為以使由鍍敷所製作之導體層圖型(金屬圖型)的開口率愈高之方式地儘可能提高n的數目。
凹版的形狀並不限定於以下的例子，但例如有薄片狀、平板狀、滾輪狀、箍狀。於滾輪狀的凹版時，可將薄片狀或平板狀的凹版裝設於旋轉體(滾輪)。於箍狀的凹版時，可於箍的內側2處至數處設置滾輪，且使箍狀的凹版貫通該滾輪而構成。由於滾輪狀及箍狀均可連續地生產金屬箔，因此較薄片狀、平板狀更能夠提高生產效率，因而較為理想。於將凹版捲取為滾輪而使用時，較理想為使用具有導電性之材料作為滾輪，以使滾輪與凹版容易導通。
以下使用圖式，說明本發明之凹版的一例。
第1圖係顯示本發明之凹版的一例之部分立體圖。第2圖係顯示第1圖之A-A剖面之圖式。第2圖A係顯示凹部的側面之俯視圖，第2圖B係顯示於凹部的側面具有平緩的凹凸時之圖式。
凹版1係於基材2上具備絕緣層3。於絕緣層3上形成有凹部4，且基材2暴露於凹部4的底部。凹部4的底部可為導通於基材之導體層。於此例中，絕緣層3之幾何學圖形為正方形，於此正方形的周圍，凹部4係形成為溝狀。
於基材2與絕緣層3之間，以絕緣層3之接著性的改善等為目的，亦可具備導電性或絕緣性的中間層(圖中未顯示，之後詳述)。
凹部4之寬度係朝向開口方向而使全體變寬。但並不一定須如圖所示般以梯度α形成為一定的寬幅。
凹部較理想為，未朝向開口方向變窄且使全體擴大。尤其較理想為，凹部的一側面與其對向面之對底面呈垂直的部分，於高度方向上不具有持續1μm以上之部分。若將此凹版使用於鍍敷析出，則於使鍍敷析出於凹部並予以剝離時，可降低鍍敷與絕緣層之間的摩擦力或阻力，而更容易進行剝離。此外，即使於凹紋印刷之油墨等轉印物之轉印時，亦可圓滑地進行轉印，因而較為理想。若於以鍍敷所形成之導體層圖型的剝離或轉印物的轉印中不具有問題，則凹部亦可具有寬度朝向開口方向變窄之部分，但較理想為不具有此部分。
凹部的側面並不限於平坦的平面，亦即，梯度不須經常為一定。此時，如第2圖B所示般，上述梯度α，可藉由求取凹部的高度h、亦即絕緣層的厚度，以及凹部的側面之寬度s、亦即於水平方向上凹部的側面之寬度方向，並以下列[數學式1]求取α。
[數學式1]tanα=h/s．．．．．．第(1)式
α為角度，較理想為10度以上且未滿90度，更理想為10度以上80度以下，尤其理想為30度以上60度以下。若此角度過小，則具有不易製作之傾向，較理想為30度以上，若過大，於將鍍敷所能形成於凹部之金屬層(導體層圖型)予以剝離時，或是轉印至其他基材時之阻礙有 變大之傾向，因此較理想為80度以下。
於使用具有鍍敷形成部之凹版並將有用的導體層圖型(金屬圖型)製作於光透射性電磁波遮蔽構件時，如第2圖所示之凹部4的寬度，較理想為開口部的寬度d為2~60μm，底部的寬度d’為1~40μm。此外，更理想為凹部4之開口部的寬度d為4~15μm，底部的寬度d’為3~10μm。凹部4的中心間隔(線間距)較理想為50~1000μm，更理想為100~400μm。此外，可考量到導體層圖型的開口率較理想為50%以上，更理想為80%以上之情況，而決定溝的寬度及其間隔。
於本發明中，當以凹部所形成之絕緣層的圖形圖型為複雜的圖形或是複數種圖形之組合，而無法簡單地決定凹部的中心間隔(線間距)時，可將圖型的重複單元設定為基準並將其面積換算為正方形的面積，而定義出其一邊的長度。
尤其在將電磁波遮蔽構件使用為顯示器用時，就可見光的透射性之觀點來看，電磁波遮蔽材之導體層圖型開口率必須為50%以上，較理想為80%以上。導體層圖型的開口率，為從電磁波遮蔽材的有效面積減去以導體層圖型所覆蓋之面積所得的面積，對該電磁波遮蔽材的有效面積之比例的百分比。所謂電磁波遮蔽材的有效面積係指例如為以上述幾何學圖形所描繪之範圍的面積等之具有可有效遮蔽電磁波之範圍的面積。除了電磁波遮蔽構件之外，於透明天線等之要求透明性的用途中亦為相同。
為了使用具有鍍敷形成部之凹版而製作圖型化金屬箔，由凹部所包圍之絕緣層3，其底面(絕緣層之與導電性基材的接觸面)的面積較理想為1~1×106 平方微米，更理想為1×102 ~1×104 平方微米。絕緣層的間隔(凸部與凸部之最短距離)較理想為1~1000μm，更理想為10~100μm。絕緣層底面的面積及絕緣層的間隔，可考量導體層圖型(金屬圖型)之開口率較理想為10%以上，更理想為30%以上而決定。
凹版之製造方法，係包含於基材的表面，形成具有如上述適當的平面圖形之絕緣層之製程。
此製程例如包含：(A)於基材的表面，形成可予以去除之凸狀圖型之製程；及(B)於形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面，形成絕緣層之製程；及(C)將絕緣層所附著之凸狀圖型予以去除之製程。
以下使用圖式說明本發明之凹版之製造方法。第3圖A係顯示凹版之製造方法之製程的一例之剖面圖。
首先，如第3圖A所示，於基材2上形成感光性光阻層(感光性樹脂層)5。感光性光阻可使用負型光阻(光所照射的部分形成硬化)或是正型光阻(光所照射的部分形成溶解)。於乾式薄膜光阻時，光阻係層壓於基材2，於液狀光阻時，光阻係予以塗佈。液狀光阻可藉由噴霧法、分散法、浸漬法、滾輪塗佈法、旋轉塗佈法等予以塗佈。
接著如第3圖B所示，亦可對感光性光阻層5使用微 影技術，將感光性光阻層5予以圖型化並形成突起部6。具體而言，係將形成有圖型之光罩載置於感光性光阻層5上，於曝光後進行顯影，將感光性光阻層5之不需要部分予以去除而殘留突起部6。突起部6的形狀及複數個突起部，可對應於基材2上的凹部4予以考量。光罩係使用負型光罩或是正型光罩，且依光阻種類的不同予以選擇。
此外，亦可使用印刷法形成光阻圖型(凸狀圖型)，並藉由光照射或熱使光阻硬化而形成突起部6，以取代使用光罩從感光性光阻層5中形成突起部6的方式。此時，光阻圖型的印刷方法可使用種種方法。例如可使用網版印刷、凸版印刷、凸版平版印刷、凸版反轉平版印刷、凹版印刷、凹版平版印刷、噴墨印刷、快乾印刷等。光阻可使用光硬化性或熱硬化性樹脂。
此外，亦可採用不使用光罩而以雷射光等直接於感光性光阻層5上曝光之方式。只要可經由或不經由光罩將活性能量線照射至光硬化性樹脂而藉此形成圖型，則其型態不拘。
於基材尺寸較大時，就生產性的觀點來看，較理想為使用乾式薄膜光阻。於基材為鍍敷鼓輪等時，較理想為在層壓乾式薄膜光阻或塗佈液狀光阻後，不經由光罩而以雷射光等直接進行曝光之方法。
關於突起部6的剖面形狀，其側面較理想為對基材為垂直，或是對於突起部6接觸於基材2之端部，使突起部6之側面上方的至少一部分位於覆蓋該端部之位置。突起 部6之寬度的最大值d1 ，較理想為等於或大於突起部6與基材2接觸之寬度d0 。此係因所形成之密著性較佳之絕緣層之凹部的寬度由d1 所決定之故。在此，使突起部6的剖面形狀成為突起部6之寬度的最大值d1 等於或大於突起部6與基材2接觸之寬度d0 之方法，可於突起部6的顯影時過度顯影，或是使用形狀具有底切之特性的光阻。d1 較理想為於凸部的上部實現。
突起部6的形狀係對應於凹部的形狀，就製作的容易性來看，較理想為最大寬度為1μm以上，間隔為1μm以上，且高度為1~50μm。於使用凹版製作光透射性電磁波遮蔽構件用的導體層圖型時，突起部6的最大寬度較理想為1~40μm，更理想為3~10μm。間隔較理想為50~1000μm，更理想為100~400μm。高度較理想為1~30μm。此外，於使用凹版製作開孔金屬箔時，係以形成上述絕緣層3之方式，以適當的間隔將平面型狀為適當大小的圓形或矩形之突起部予以配置。
接著如第3圖C所示般，於具有突起部6之基材2的表面形成絕緣層7。絕緣層並不限定於以下例子，可由DLC及Al2 O3 或SiO2 等無機化合物之無機材料所形成。
於形成DLC薄膜作為絕緣層時，可使用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法等物理氣相沉積法或電漿CVD法等化學氣相沉積法等乾式塗膜法。在這當中，較理想為利用成膜溫度可從室溫所控制之高頻或脈衝放電之電漿CVD法。
為了以電漿CVD法形成上述DLC薄膜，係使用包含原料的碳來源之氣體。包含碳來源之氣體，例如有碳氫化合物、一氧化碳、二氧化碳。在這當中，較理想為碳氫化合物系氣體。碳氫化合物氣體，例如有甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等烷系氣體類；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等烯系氣體類；戊二烯、丁二烯等二烯系氣體類；乙炔、丙炔等炔系氣體類；苯、甲苯、二甲苯、茚(Indene)、萘(Naphthalene)、菲(Phenanthrene)等芳香族烴系氣體類；環丙烷、環己烷等環烷系氣體類；環戊烯、環己烯等環烯系氣體類；甲醇、乙醇等醇系氣體類；丙酮、丁酮等酮系氣體類；甲醛、乙醛等醛系氣體類等。上述氣體可單獨使用或兼用2種以上。此外，除了包含碳來源之氣體之外，亦可包含氧氣、水蒸氣或稀有氣體。稀有氣體為由週期表第0屬的元素所形成之氣體，例如有氦、氬、氖、氙等。這些稀有氣體可單獨使用或兼用2種以上。
於以Al2 O3 或SiO2 等無機化合物之無機材料形成絕緣層時，亦可使用濺鍍法、離子鍍敷法之物理氣相沉積法或電漿CVD法之化學氣相沉積法。於例如以濺鍍法形成時，將靶材構成為Si或Al並導入氧氣、氮氣等作為反應性氣體，藉此可使SiO2 、Si3 N4 等氧化物、氮化物成膜，此外，於使用離子鍍敷法時，係以Si或Al為原料並照射電子束於此，使其蒸發而成膜於基板。此時，可藉由導入氧氣、氮氣、乙炔等反應性氣體，使氧化物、氮化物、碳 化物成膜。此外，於以CVD法成膜時，係以金屬氯化物、金屬氫化物、有機金屬化合物等之化合物氣體作為原料，並利用其化學反應進行成膜。氧化矽的CVD，例如可藉由使用TEOS(Tetraethoxysilane：四乙氧基矽烷)、臭氧之電漿CVD法進行。氮化矽的CVD，例如可藉由使用銨或矽烷之電漿CVD法進行。
接著如第3圖D所示般，將由突起部6所形成之凸狀圖型予以去除，而可製作出凹版1。
於附著有絕緣層之突起部6的去除中，可使用市售的光阻剝離液或無機、有機鹼、有機溶劑等。此外，只要為對應於形成圖型時所使用之光阻之專用剝離液，則可予以使用。
剝離的方法，例如可浸漬於藥液中、使光阻膨潤、破壞或溶解後予以去除。為了使液體充分浸入光阻，亦可兼用超音波、加熱、攪拌等手法。此外，為了促進剝離的進行，亦可藉由淋浴、噴流等將液體噴出，或是以柔軟的布或棉棒等予以擦拭。
此外，於絕緣層的耐熱性較高時，亦可使用於高溫進行燒結使光阻碳化而予以去除，或是照射雷射使其燒結破壞之方法。
剝離液例如可使用3%NaOH溶液，剝離法可適用淋浴或浸漬。
於基材2上所形成之絕緣層及突起部6的側面上所形成之絕緣層，其性質或特性為不同。例如，可使前者的硬 度較後者還大。於以電漿CVD法製作DLC膜時，可如此設定。一般於形成絕緣膜時，於絕緣材料的移動速度例如為具有90度的角度之不同時，上述所形成之膜的性質或特性係有所不同。
導電性基材上所形成之絕緣層與凸狀圖型的側面上所形成之絕緣層之交界面，與凸狀圖型的側面(對基材為垂直面)之間的距離，較理想為並未隨著朝向凸狀圖型的豎立方向變小，而是全體變大。
所謂凸狀圖型的側面(對導電性基材為垂直面)，只要凸狀圖型的側面對基材為垂直面者即為該面，於凸狀圖型的側面覆蓋基材側時，凸狀圖型的側面，為從導電性基材所結束之處開始垂直豎立之垂直面。
於去除突起部6時，絕緣層係於此交界處分離，結果使凹部的側面具有傾斜角α。傾斜角α的角度較理想為10度以上且未滿90度，更理想為10度以上80度以下，尤其理想為30度以上60度以下，特別理想為40度以上60度以下，於以電漿CVD法製作DLC膜時，可容易控制在40~60度。亦即，凹部4係以寬度朝向開口方向變寬之方式形成。傾斜角α的控制方法，較理想為調整突起部6的高度之方法。突起部6的高度愈高，愈容易將傾斜角α控制愈大。
於上述絕緣層的形成中，由於基材不會阻礙光阻，因此基材上之絕緣層的性質為均一。相對於此，絕緣層於凸狀圖型的側面之形成，由於凸狀圖型的側面對基材上的膜 厚方向具有角度，因此所形成之絕緣層(尤其為DLC膜)無法成為與基材上的絕緣層為相同特性(例如相同硬度)之絕緣層。於此異質之絕緣層的接觸面中，隨著絕緣層的成長而形成絕緣層的交界面，且由於該交界面為絕緣層的成長面，因此較為平滑。因此，於將由突起部6所形成之凸狀圖型予以去除時，絕緣層(尤其為DLC膜)於該交界容易形成分離。此外，此交界面，亦即凹部側面之傾斜角α，對基材上的膜厚方向，於突起部的側面之絕緣層的成長較遲，因此，交界面的傾斜角係如上述方式予以控制。
基材上所形成之絕緣層的硬度，較理想為10~40GPa。硬度未滿10GPa之絕緣層為軟質，於使用凹版作為鍍敷用版時，係具有重複使用耐久性會降低之傾向。一旦硬度超過40GPa，則對基材進行彎折加工時，絕緣層無法跟隨基材的變形而容易產生裂痕或破裂。基材上所形成之絕緣層的硬度，更理想為12~30GPa。
相對於此，突起部的側面上所形成之絕緣層的硬度，較理想為1~15GPa。突起部側面上所形成之絕緣層的硬度，較理想係形成為基材上所形成之絕緣層的硬度還低。藉此，於兩者之間形成交界面，且在進行之後將由絕緣層所附著之突起部所構成之凸狀圖型予以剝離之製程後，可形成寬幅的凹部。突起部的側面上所形成之絕緣層的硬度，更理想為1~10GPa。
絕緣層的硬度，可使用奈米壓痕法進行測定。所謂奈 米壓痕法是指將由前端形狀為鑽石尖所形成之正三角錐(Berkovich型式)的壓頭壓入至薄膜或材料的表面，並且從此時施加於壓頭之荷重及壓頭下的投影面積當中求取硬度之方法。依據奈米壓痕法之測定，可使用市售之奈米壓頭的裝置。基材上所形成之膜的硬度，可直接從導電性基材上將壓頭壓入而測定。此外，為了測定突起部的側面上所形成之膜的硬度，可將基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再從剖面將壓頭壓入至突起部側面上所形成之絕緣層而測定。一般於奈米壓痕法中，係對壓頭施加1~100mN之微小荷重而進行硬度測定，於本發明中，係以於3mN荷重下進行施行10秒的負荷所測定之值記載為硬度之值。
此外，亦可採用於基板2上形成絕緣層，並藉由雷射光的照射將絕緣層之不需要部分予以去除之方法，而形成第3圖D所示之凹版，以取代上述使用感光性光阻層而製作凹版之方法。
一旦將雷射光照射至絕緣層，則可藉由熱擴散，形成寬度朝向絕緣層的開口方向變寬的凹部。雷射並無特別限定，例如有CO2 雷射、UV-YAG雷射、飛秒雷射。若使用CO2 雷射、UV-YAG雷射等脈衝寬度較大的雷射，則即使縮小雷射的範圍，亦會使加工寬度的周圍受到熱擴散之較大影響，因此可形成寬度朝向開口方向變寬的溝。相對於此，若使用飛秒雷射，由於脈衝寬度較小，而使熱擴散較小，因此可形成寬度較小的溝。
為了不會對基材或經加工的凹部周圍造成破壞，較理想為使用飛秒雷射。
所謂飛秒雷射，為導通時間(脈衝寬度)設定為較熱緩和時間還短之10-12 秒(1微微秒)以下之超短脈衝雷射。順帶一提，一般的YAG雷射(基準波YAG雷射)之脈衝寬度約為10-3 秒，高頻YAG雷射之脈衝寬度約為10-6 秒。
近年來係提倡將脈衝寬度為1微微秒以下之飛秒雷射，使用於對有機化合物要求具有較高深度精密度之加工等。於飛秒雷射中，係由於多光子吸收以及較熱緩和時間還短時間之現象，而能夠進行非熱加工。此外，由於為非線性響應，因此加工分解能位於光的繞射臨界以下，因此可進行高精密度之加工。可進行非熱加工者，由於加工材料不會熔融，因此熔融物不會往加工部分的周圍飛散。此外亦不會使基材劣化。並且可抑制殘渣往加工底部的殘留以及加工周圍的熱損傷。
於加工時，為了將加工時所產生的微小附著物等予以去除，亦可使用輔助氣體等。輔助氣體例如有乾空氣、氮氣、氧氣、氬氣等。
將凹部形成為期望的形狀時，可縮小光圈的形狀或尺寸，或是增加透鏡的焦距或從光圈至透鏡為止之光路徑，而將雷射光予以縮小。
由於不易產生絕緣層的缺陷，因此基材的表面較理想為使用經由研磨等處理之後者。若基材中存在有凹凸，則 絕緣層無法完全埋入該凹凸，使該部分可能產生塗膜較薄之缺陷。此外，絕緣層的應力容易集中於凹凸部分而於該處產生剝離。若經由電解研磨、化學研磨等而在基材的表面殘存平滑的凹凸，則不會對此缺陷造成不良影響，但於藉由物理研磨等而殘存急遽的凹凸，則此缺陷容易變得顯著。於雷射加工的製程中，若表面凹凸過大則不易對焦，因此，基材的表面較理想為平滑者。
第4圖係顯示本發明之具有中間層的凹版之製造方法的一例之剖面圖。
如第4圖C-1所示，於具有突起部6之基材2上形成有中間層8，此外亦可形成絕緣層7。
藉由中間層，可提升絕緣層對基材之密著性，並且更可提升絕緣層的耐久性。
中間層可使用由從Ti、Cr、W、Si或這些元素的氮化物或碳化物中所選擇之1種以上的成分所形成之中間層。在這當中，Si或SiC的薄膜，由於與例如不鏽鋼等金屬之密著性較優良，並且可於層積於其上之絕緣層之界面形成SiC而提升與絕緣層之密著性，因而較為理想。中間層可藉由乾式塗膜法予以形成。較理想為1μm以下，就生產性的考量時，更理想為0.5μm以下。若超過1μm，則塗膜之塗膜時間變長且塗膜的內部應力變大，因而較不適合。
接著如第4圖D-1所示，形成凹部4而獲得凹版。凹部4的形成係與第3圖D相同。所獲得之凹版之凹部4的 底部，基材2係暴露出，且於中間層8之上形成有絕緣層7。
此外，中間層亦可於形成突起部6之前，形成於基材2的表面。之後亦可進行以藉由使上述基材暴露出之凹部描繪幾何學圖形之方式在其表面形成絕緣層之製程。於形成凹部作為鍍敷形成部時，於使用可充分進行電解鍍敷之導電性者作為中間層時，凹部的底部可維持為中間層，於不具有充分的導電性時，則使用具有導電性者作為基材2，並藉由乾式蝕刻等方法，去除凹部底部的中間層而使基材2暴露出。
於形成絕緣層6之後(第3圖C及第4圖C-1)，更可形成1層以上的絕緣層(圖中未顯示)。第二絕緣層係用以埋填第一絕緣層之微孔(針孔)等孔缺陷，而進行第一絕緣層的缺陷之填補。第二絕緣層不須完全覆蓋第一絕緣層，只需形成最低限度之填補缺陷的程度。於使用電層積塗料而製作第二絕緣層時，可有效率地埋填上述針孔等孔缺陷。此時，亦可廣泛地被覆從孔缺陷所顯露出之區域，或是不須完全埋填針孔，只需以使該處的導電性基材不會暴露出之方式填塞孔缺陷而形成。第三絕緣層較理想為至少覆蓋第二絕緣層而形成，於不易進行選擇性被覆時，亦可以覆蓋其下方的絕緣層全體之方式予以被覆。
藉由第三絕緣層，可保護第二絕緣層免於受到所使用之鍍敷藥液的影響，因此更可提升導電性基材的耐久性。此時，第三絕緣層較理想為DLC或無機材料。
兩層以上或兩種以上的絕緣層，可藉由進行2次以上的絕緣層形成製程而形成。關於材質，可使用上述DLC、無機材料、電層積塗料、熱硬化性樹脂等有機物。材料可為相同或不同。藉由形成為兩層以上，可填補僅為1層時之缺陷。
尤其較理想為，使用DLC或無機材料作為第一絕緣層(最初形成於導電性基材上之絕緣層)，接著使用有機物或無機物作為第二絕緣層(第2次形成於導電性基材上之絕緣層)，然後使用DLC或無機材料作為第三絕緣層(第3次形成於導電性基材上之絕緣層)。用於形成第二絕緣層之絕緣材料，較理想為使用與導電性基材(例如金屬)之密著性較高，且耐熱性優良之材料。第二絕緣層中所使用之無機物，較理想為膏狀物等。DLC或無機材料的製膜方法係與上述相同。
上述有機物，於藉由上述方法於其上方形成DLC或無機材料時，較理想為於100℃以上時亦不會產生組成變化或物性變化之材料，更理想為於150℃以上時亦不會產生組成變化或物性變化之材料。
於上述熱硬化性樹脂時，不會產生組成變化或物性變化之材料是指硬化後的組成、物性。熱硬化性樹脂例如有苯胺甲醛樹脂、尿素甲醛樹脂、酚甲醛樹脂、木素樹脂、二甲苯甲醛樹脂、二甲苯甲醛樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、環氧樹脂、尿素樹脂、苯胺樹脂、三聚氰胺樹脂、酚類樹脂、福馬林樹脂、金屬氧化物、金屬氯化物、圬 (Oxime)、烷基酚類樹脂等。這些化合物為自我硬化型(亦可使用硬化觸媒)。
熱硬化性樹脂亦可使用利用硬化劑者。此類樹脂例如可使用，將具備羧基、氫氧基、環氧基、胺基、不飽和烴基等官能基之樹脂；具備環氧基、氫氧基、胺基、醯胺基、羧基、硫氫基等官能基之硬化劑或金屬氯化物；及異氰酸酯、酸酐、金屬氧化物、過氧化物等之硬化劑予以組合而成者。就提高硬化反應速度之目的下，亦可使用泛用的觸媒等添加劑。具體而言，例如有硬化性丙烯酸樹脂組成物、不飽和聚酯樹脂組成物、苯二酸二烯丙酯(Diallyl Phthalate)樹脂組成物、環氧樹脂組成物、聚胺酯樹脂組成物等。絕緣層的形成方法，可將第一導電性基材浸漬於稀釋後之上述樹脂中並進行乾燥之方法，但為了選擇性地埋填針孔，較理想為以分散器等選擇性地塗佈於針孔處。
形成第二絕緣層所使用之絕緣材料，較理想為使用與金屬等導電材料之密著性較高，且耐熱性優良之材料。此類材料亦可使用電層積塗料。由於電層積塗料係析出於通電之處，因此，藉由從DLC膜之上進行電層積塗裝使電層積塗裝膜僅生成於針孔等孔缺陷，而能夠抑制塗膜的形成於最低限度。以電層積塗料埋填針孔等孔缺陷之方式，就選擇性地埋填針孔處來看，乃較為理想，但只要可埋填針孔部分，亦可形成為從孔缺陷露出且大幅擴展的形狀，或是不須完全埋填孔，只需以使該處的導電性基材2不會暴露出，其埋住方式並無限定。
電層積塗料，其本身為已知的陽離子型或陰離子型者均可使用，在此係表示可使用之電層積塗料的一例。
陽離子型電層積塗料係包含有：製作出具有鹼基性胺基之樹脂的膏狀物，並於酸中將樹脂的膏狀物予以中和並溶解於水(水分散化)而成之陰極析出型的熱硬化性電層積塗料。陽離子型電層積塗料係以上述導電性基材(被塗佈物)為陰極而進行塗裝。
具有鹼基性胺基之樹脂，例如有雙酚型環氧樹脂；含環氧基(或縮水甘油基)之丙烯酸樹脂；烯烴基二醇的縮水甘油醚；於環氧化聚丁二烯及酚醛樹脂的環氧化物等含環氧基樹脂的環氧基(環氧乙烷環)中附加胺化合物而成者；使具有鹼基性胺基之不飽和化合物(例如甲基丙烯酸二甲胺基乙酯、正乙烯基吡唑(N-Vinylpyrazole)、正二甲基氨乙基丙烯酸酯等)予以聚合者；以含第3級胺基之二元醇(例如正甲基二乙醇胺)為二元醇的一成分之二元醇成分與聚異氰酸酯化合物之反應物；此外，以酸酐與二胺化合物之反應而生成亞胺基胺，藉此將胺基導入至樹脂者。在此，上述胺化合物例如有，為鹼基性胺化合物，且為脂肪族、脂環式或芳香脂肪族系之第1級或第2級胺、烷醇胺、第3級胺、第4級銨鹽等胺化合物。
此外，於陽離子電層積塗料中，亦可調配交聯劑。交聯劑為人所知者有經嵌段之化聚異氰酸酯化合物，若加熱(約140℃以上)塗膜，則使嵌段劑解離而使異氰酸酯基再生，因而對上述陽離子性樹脂中的氫氧基等之與異氰酸 酯基具有反應性的基，進行交聯反應而硬化。
此外，於陽離子型電層積塗料中，可因應需要而調配顏料(著色顏料、體質顏料、防鏽顏料等。顏料的調配量較理想為每100重量份的樹脂固形分為40重量份以下)、親水性溶劑、水、添加劑等。
陽離子型電層積塗料，較理想為以該固形分濃度為約5~40重量%之方式以脫離子水等予以稀釋，並調整pH於5.5~8.0的範圍內。使用如此調製出的陽離子型電層積塗料之陽離子電層積塗料，一般可於浴溫15~35℃、負荷電壓100~400V的條件下，以被塗佈物為陰極而進行。塗膜的燒結硬化溫度一般適合100~200℃的範圍。
陰離子型電層積塗料，較理想為以具有羧基之樹脂為基質，且於鹼基性化合物中將此予以中和並溶解於水(水分散化)而成之陽極析出型的電層積塗料，並以上述導電性基材(被塗佈物)為陽極進行塗裝。
具有羧基之樹脂，例如有於乾性油(亞麻油、蓖麻油、桐油等)中附加有順丁烯二酸酐之順丁烯二酸化油樹脂、於聚丁二烯(1,2-型、1,4-型等)中附加有順丁烯二酸酐之順丁烯二酸化聚丁二烯、於環氧樹脂的不飽和脂肪酸酯中附加有順丁烯二酸酐之樹脂、於高分子量多價醇(分子量約1000以上、且亦包含環氧樹脂的部分酯類及苯乙烯-芳香基醇共聚物等)中附加有多鹼基酸(偏苯三甲酸酐、順丁烯二酸化脂肪酸、順丁烯二酸化油等)所獲得之樹脂、含羧基之聚酯樹脂(亦包含經脂肪酸改質 者)、含羧基之丙烯酸樹脂、於使用含縮水甘油基或氫氧基之聚合性不飽和單體與不飽和脂肪酸之反應生成物所形成之聚合物或共聚物中，附加有順丁烯二酸酐等而成之樹脂等，羧基之含有量，一般為酸價約30~200的範圍者。
此外，於陰離子電層積塗料中，亦可調配交聯劑。交聯劑可因應需要，使用六甲氧基甲基三聚氰胺、丁氧基化甲基三聚氰胺、乙氧基化甲基三聚氰胺等低分子量三聚氰胺樹脂。此外，於陰離子型電層積塗料中，可因應需要而調配顏料(著色顏料、體質顏料、防鏽顏料等。顏料的調配量較理想為每100重量份的樹脂固形分為40重量份以下)、親水性溶劑、水、添加劑等。
陰離子型電層積塗料，較理想為以該固形分濃度為約5~40重量%之方式以脫離子水等予以調整，並保持在pH7~9的範圍內而用於陰離子電層積塗裝。陰離子電層積塗裝可依循一般方法而進行，例如於浴溫15~35℃、負荷電壓100~350V的條件下，以被塗佈物為陽極而進行。陰離子電層積塗膜，原則上係於100~200℃，較理想為140~200℃的範圍內加熱予以硬化，但於使用經空氣乾燥性的不飽和脂肪酸予以改質後的樹脂時，亦可於室溫下進行乾燥。
第二絕緣層係可藉由濕式製程進行塗佈或電層積而形成於第一絕緣層上。為了提升第二絕緣層與DLC膜的密著性，可藉由電暈處理、ITRO處理、電漿處理、火焰處理等，於DLC膜的表面導入親水性的官能基，之後再將 上述第二絕緣層予以塗膜。此外，亦可再塗佈引體或矽烷偶合劑等，而更進一步提升DLC膜與第二絕緣層的密著性。
由在濕式製程中所塗佈或電層積之有機物所形成之第二絕緣層，較多情況為對強鹼較弱，若在露出的情形下直接使用則可能會產生剝離，而重新出現針孔之情況。就以填補此剝離之目的下，較理想為形成第三絕緣層。第三絕緣層較理想為DLC、Al2 O3 或SiO2 等具有優良的耐藥品性之材料，尤其DLC的耐藥品性極佳，因而更為理想。
於以雷射光去除一部分的絕緣層而形成凹部時，較理想為於形成所有的絕緣層之後再進行。
使用具有鍍敷形成部之凹版，並藉由鍍敷使金屬析出於該鍍敷形成部，藉此可製作出導體層圖型(金屬圖型)。
鍍敷法可使用一般所知的方法，可適用電解鍍敷法、無電解鍍敷法等鍍敷法。
藉由鍍敷所出現或析出之金屬，可使用銀、銅、金、鋁、鎢、鎳、鐵、鉻等具有導電性之金屬，較理想為包含20℃之體積電阻率(比電阻)為20μΩ．cm以下的金屬為至少1種以上。此係由於，於使用本發明所獲得之構造體作為電磁波遮蔽薄片時，為了將電磁波作為電流予以接地排出，構成此之金屬的導電性愈高，電磁波遮蔽性愈優良之故。此類金屬有銀(1.62μΩ．cm)、銅(1.72μΩ．cm)、金(2.4μΩ．cm)、鋁(2.75μΩ． cm)、鎢(5.5μΩ．cm)、鎳(7.24μΩ．cm)、鐵(9.0μΩ．cm)、鉻(17μΩ．cm、均為20℃時之值)等，但不限定於此。可能的話，體積電阻率較理想為10μΩ．cm，更理想為5μΩ．cm。就考量到金屬的價格及取得容易性，最理想為使用銅。這些金屬可使用單體，亦可為了賦予功能性而與其他金屬構成合金，亦可為金屬的氧化物。惟就導電性的觀點來看，較理想為體積電阻率為20μΩ．cm的金屬，在成分上包含最多。
無電解鍍敷法，代表性的有銅鍍敷及鎳鍍敷，其他亦有錫鍍敷、金鍍敷、銀鍍敷、鈷鍍敷、鐵鍍敷等。於工業上所利用之無電解鍍敷法的製程中，係將還原劑添加於鍍敷液，並將由該氧化反應所產生之電子利用於金屬的析出反應，鍍敷液係由金屬鹽、錯合劑、還原劑、pH調整劑、pH緩衝劑、安定劑等所構成。於無電解銅鍍敷時，較理想為金屬鹽為硫酸銅、還原劑為福馬林、錯合劑為酒石酸鉀鈉或乙二胺四醋酸(EDTA：Ethylene Dia mine Tetraacetic Acid)。此外，pH主要藉由氫氧化鈉進行調整，但亦可使用氫氧化鉀或氫氧化鋰等，緩衝劑可使用碳酸鹽或磷酸鹽，安定劑可使用優先予1價的銅錯合形成之氰化物、硫脲(Thiourea)、雙吡啶(Bipyridine)、鄰菲羅林(o-Phenanthroline)、新式銅靈(Neocuproin)等。此外，於無電解鎳鍍敷時，較理想為金屬鹽為硫酸鎳、還原劑為次亞磷酸鈉或聯氨(Hydrazine)、氫氧化硼化合物等。於使用次亞磷酸鈉時，於鍍敷覆膜中含有磷，因此耐 蝕性及耐磨耗性較為優良。此外，緩衝劑較多為使用單羧酸或其鹼金屬鹽。錯合劑係使用於鍍敷液中與鎳離子形成安定的可溶性錯合物者，例如有醋酸、乳酸、酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、甘胺酸、丙胺酸、EDTA等，安定劑可添加硫化物或鉛離子。無電解鍍敷法可參照上述非專利文獻1的第505~545頁。此外，為了獲得還原劑的還原作用，有時需進行金屬表面的觸媒活化。於原材質為鐵、鋼、鎳等金屬時，由於這些金屬具有觸媒活化性，因此僅浸漬於無電解鍍敷液中即可析出，但於原材質為銅、銀或這些金屬的合金、不鏽鋼時，為了賦予觸媒活化性，係使用將被鍍敷物浸漬於氯化鈀的鹽酸酸性溶液中，並藉由離子交換使鈀析出於表面之方法。
無電解鍍敷，為例如於凹版的凹部，因應需要使鈀觸媒附著之後，浸漬於溫度60~90左右的無電解銅鍍敷液中而進行銅鍍敷之方法。
於無電解鍍敷中，基材不一定須具備導電性。然而，於對基材進行陽極氧化處理時，基材須具備導電性。
尤其，當導電性基材的材質為Ni時，為了進行無電解鍍敷，係有在將凹部進行陽極氧化之後，浸漬於無電解銅鍍敷液，而使銅析出的方法。
於電解銅鍍敷時，在鍍敷用電解浴係可使用硫酸銅浴、硼氟化銅浴、焦磷酸銅浴、或氰銅浴等。為人所知者，此時若於鍍敷浴中添加由有機物等所構成之應力緩和劑(亦具有光澤劑的效果)，則更可降低電層積應力的變 動程度。此外，於電解鎳鍍敷時，可使用瓦特浴、磺胺酸浴等。於這些浴中為了調整鎳箔的柔軟性，可因應需要添加糖精、對甲苯磺醯胺、苯磺酸鈉、萘三磺酸鈉之添加劑，及作為其調合劑之市售的添加劑。此外，於電解金鍍敷時，可採用使用有氰化金鉀之合金鍍敷，或檸檬酸銨浴或檸檬酸鉀浴之純金鍍敷等。於合金鍍敷時，可使用金-銅、金-銀、金-鈷之二元合金；或金-銅-銀之三元合金。關於其他金屬，可使用同樣一般所知之方法。電解鍍敷法例如可參照「給現場技術者使用之實用鍍敷」(日本Plating協會編，1986年槙書店發行)第87~504頁。
用以形成導體層圖型之鍍敷，係於具有鍍敷形成部之凹版(陰極)與陽極之間所施加之特定的電流密度下，對凹版進行電解鍍敷(亦即使金屬析出於凹版的鍍敷形成部)而形成導電性金屬層。導電性金屬層的體積電阻率較理想為10μΩ．cm以下，更理想為5μΩ．cm以下。上述特定的電流密度範圍，係表示產生正常覆膜之電流密度的上限之最大電流密度以下，且產生正常覆膜之電流密度的下限之臨界電流密度以上之範圍。具體而言，由於此係受到電解液的組成、添加物的種類、濃度、以及循環方法或溫度、攪拌方法等之影響，此外，由於鍍敷形成部圖型受到凸部圖型或凹部圖型之影響，因此，雖然無法概括規定，但較理想為於0.5A/dm2 以上60A/dm2 以下的範圍內適當的決定。此係由於若偏離臨界電流密度，則無法形成正常的覆膜。此外，若低於0.5A/dm2 ，則析出至目標厚 度為止需花費長時間，使生產效率下降且無法降低成本，若超過60A/dm2 ，則所析出的銅不會成為正常的覆膜，於之後的轉印或剝離等製程中容易形成缺失。就此觀點來看，上述電流密度較理想為於40A/dm2 以下。
於具有鍍敷形成部之凹版上所形成的導體層圖型，亦可進行黑化處理。
本發明的黑化處理中所使用之鍍敷浴，可使用各種鍍敷液，例如可使用焦磷酸銅浴、硫酸銅浴等銅鍍敷浴。焦磷酸銅浴為包含焦磷酸銅及焦磷酸鹽之電解液。具體例子有下列所調配而成者。此鍍敷浴亦可用於上述導體層圖型的製作。
使用包含： 且因應需要將氨水、硝酸鉀、光澤劑等予以溶解調配所形成之水溶液。氨水例如可使用比重為0.88者，較理想為使用1~6mL/L，硝酸鉀較理想為使用8~16g/L，光澤劑(氫硫基噻唑(Mercapto Thiazole)、氫硫基噻唑系添加物等)較理想為適量使用。
其他可使用焦磷酸鈉或市售之焦磷酸銅鍍敷用添加劑。再者，若將鉬等VI族元素，及鈷、鎳等VIII族元素當中一種或一種以上的成分添加於鍍敷浴中，則更可安定地進行黑化處理。
硫酸銅浴為包含硫酸銅及硫酸之電解液。具體例子有 下列所調配而成者。
使用包含： 且可因應需要將氯離子、界面活性劑、光澤劑予以溶解調配所形成之水溶液。氯離子源例如有鹽酸、氯化鈉等，較理想為使用20~100m g/L。此外，界面活性劑較理想為使用1~20mL/L，光澤劑較理想為使用0.1~10mL/L。關於取代界面活性劑之藥劑，亦可使用高分子多醣體、低分子膠。此鍍敷浴亦可用於上述導體層圖型的製作。此外，為了進行黑化處理，較理想為以界面活性劑為必要成分，此外，較理想為包含光澤劑。
上述界面活性劑，可使用陰離子系、陽離子系、非離子系或兩性之界面活性劑。尤其理想為非離子系界面活性劑。
非離子系界面活性劑，為包含高分子界面活性劑之概念，例如包含聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇、羧甲基纖維素、聚丙烯醯胺等高分子界面活性劑。此外，於此高分子界面活性劑中，亦可於碳數1~20之烷醇、酚、萘酚、雙酚化合物、具有碳數1~25的烷基之烷基酚、芳香基烷基酚、具有碳數1~25的烷基之烷基萘酚、具有碳數1~25的烷基之烷氧基化磷酸(鹽)、山梨醇酐酯(Sorbitan Ester)、苯乙烯化酚、聚烷撐二醇(Polyalkylene Glycol)、碳數1~22之脂肪族胺、碳數1~22之脂肪族 醯胺中，附加環氧乙烷或環氧丙烷中的任一種或兩種為2~300莫耳並進行縮合而成者等。
陽離子系界面活性劑的例子，例如有十二基三甲基銨鹽、硬脂酸三甲基銨鹽、十二基二甲基乙基銨鹽、十八基二甲基乙基銨鹽、二甲基苯甲基十二基銨鹽、十六基二甲基苯甲基銨鹽、十八基二甲基苯甲基銨鹽、三甲基苯甲基銨鹽、三乙基苯甲基銨鹽、十六基吡啶鹽、十二基(Lauryl)吡啶鹽、十二基(Dodecyl)吡啶鹽、硬脂酸胺醋酸酯(Stearyla mine Acetate)、十二基胺醋酸酯、十八基胺醋酸酯等。
上述陰離子系界面活性劑，例如有烷基硫酸鹽、聚氧化乙烯烷基醚硫酸鹽、聚氧化乙烯烷基苯基醚硫酸鹽、烷基苯磺酸鹽、(單-、二-或三-)烷基萘磺酸鹽等。烷基硫酸鹽例如有十二基硫酸鈉、十八烯基硫酸鈉等。聚氧化乙烯烷基醚硫酸鹽，例如有聚氧化乙烯壬基醚硫酸鈉、聚氧化乙烯十二基醚硫酸鈉等。聚氧化乙烯烷基苯基醚硫酸鹽，例如有聚氧化乙烯壬基苯基醚硫酸鹽等。烷基苯磺酸鹽，例如有十二基苯磺酸鈉等。此外，(單、二或三)烷基萘磺酸鹽，例如有二丁基萘磺酸鈉等。
上述兩性界面活性劑，例如有羧基甜菜鹼(Carboxy Betaine)、咪唑啉(Imidazoline)甜菜鹼、磺基甜菜鹼、胺基羧酸等。此外，亦可使用，環氧乙烷及/或環氧丙烷與烷基胺或二胺之的縮合生成物之硫酸化或磺酸化附加物。
上述光澤劑，例如有有機硫化合物等。有機硫化合物例如有雙(3-磺丙基)二硫化物)、雙(2-磺丙基)二硫化物)、雙(3-磺-2-羥丙基)二硫化物)、雙(4-磺丁基)二硫化物)、雙(p-磺苯基)二硫化物)、二-正丙基-硫醚-二-3-磺酸、3-(苯唑-2-硫)丙基磺酸、N,N-二甲基-二硫胺甲酸-(3-磺丙基)酯、O-乙基-二乙基碳酸酯-S-(3-磺丙基)酯、硫脲及其衍生物、S-(2-乙基醯胺)-硫丙烷磺酸、S-(3-丙基醯胺)-硫丙烷磺酸、S-(4-丁基醯胺)-硫丙烷磺酸、S-(3-丁基醯胺)-硫丙烷磺酸、S-(3-丙基醯胺)-硫丙基-2-羥基-3-磺酸、S-(3-丙基醯胺)-硫苯磺酸、S-(N,N-二甲基-3-丙基醯胺)-硫丙烷磺酸、S-(N-苯基-3--丙基醯胺)-硫丙烷磺酸等；以及這些化合物的鈉鹽、鉀鹽等之鹽類。
黑化處理，其他亦可進行黑色鎳鍍敷、鈷鍍敷等其他元素的鍍敷處理。
黑色鎳鍍敷，為藉由電層積將以硫化鎳為主成分之黑色合金形成於被鍍敷體表面之鍍敷法，由於VIII族元素的鐵、鈷於形成為硫化物時均呈現出黑色，因此適合使用。同樣的VIII族元素當中，硫化鎳係呈現出目標的黑色，且與底層金屬具有良好的密著性。於VIII族元素以外的硫化物中，亦可使用銀、水銀、銅、鉛等。此外亦可使用錫與鎳、錫與鈷等合金鍍敷或黑色鉻鍍敷，而製造出不會產生粉體掉落，且僅與金屬層具有良好密著性之黑化處理層(黑色層)。
於形成黑色鎳鍍敷層時，可使用含有硫酸鎳60~100g/L、硫酸鎳銨30~50g/L、硫酸鋅20~40g/L、硫氰酸鈉10~20g/L之鍍敷液。使用此鍍敷浴，於pH：4~7，溫度：45~55℃，電流密度(脈衝電解法之高通電時的電流密度)0.5~3.0A/dm2 的條件下，使用不鏽鋼陽極或鎳陽極並藉由循環泵浦及空氣攪拌作為攪拌方式，而可形成適合於電漿顯示面板用的黑色鎳鍍敷層。黑色鎳鍍敷的前處理，為了提高與底層金屬層之間的密著性，較理想為進行適當的鹼脫脂、酸洗淨。若於超過各成分的濃度範圍進行鍍敷，則鍍敷液容易分解而難以獲得良好的黑色。此外，關於溫度，若於超過55℃的溫度中進行鍍敷，則鍍敷液容易分解。相反地，若於未滿45℃中進行1.0A/dm2 以上的鍍敷，則製品會變粗糙而容易產生粉體掉落，而縮短鍍敷液的壽命。雖然可於未滿45℃中於1.0A/dm2 以下的電流密度進行鍍敷，但獲得期望的黑色為止須進行長時間的鍍敷，因而導致生產性降低。因此使用上述濃度組成的鍍敷液並於短時間內進行黑色鎳鍍敷時之溫度範圍，以45~55℃最為適當。此外，電流密度(脈衝電解法之高通電時的電流密度)於溫度範圍內雖然可設定於未達0.5A/dm2 ，但獲得期望的黑色為止須進行長時間的鍍敷。若以超過3.0A/dm2 進行鍍敷，則鍍敷液容易分解而形成粉體容易掉落之黑色覆膜。於黑色鎳鍍敷中使用不鏽鋼陽極時，由於鍍敷液的壽命變短，因此一般較理想為使用鎳陽極。
於進行電解鍍敷時，尤其進行銅鍍敷時，係於製作上述導體層圖型時相對地降低電流密度，於進行黑化處理時相對地提高電流密度，藉此可控制作為連續膜之導體層的製作，以及使粒狀或針狀的金屬析出之黑化處理。
第5圖E之導體層圖型9的製作方法之一例，係於導電性的基材2(陰極)與陽極之間所施加之第1電流密度下進行電解鍍敷(亦即使銅析出於凹部)而形成導電性的銅層。導體層圖型的體積電阻率較理想為10μΩ/cm以下，更理想為5μΩ/cm以下。此第1電流密度的範圍，係表示出產生正常覆膜之電流密度的上限之最大電流密度以下，且為臨界電流密度以上之範圍。此第1電流密度，具體而言由於受到電解液的組成、添加物的種類、濃度、以及循環方法或溫度、攪拌方法等之影響，此外，由於受到凸部圖型或凹部圖型之影響，因此無法概括規定，但較理想為於0.5A/dm2 以上60A/dm2 以下，更理想為於0.5A/dm2 以上40A/dm2 以下，尤其理想為於20A/dm2 以下的範圍內適當決定。此係由於若偏離臨界電流密度，則無法形成正常的覆膜。此外，若低於0.5A/dm2 ，則析出至目標厚度為止需花費長時間，使生產效率下降且無法降低生產成本。若超過60A/dm2 ，則所析出的銅不會成為正常的覆膜，於之後的轉印等製程中容易形成缺失。此外，導體層圖型9，亦可製作出銅以外的導體層圖型。電流密度等係與上述相同。
於形成導體層圖型9之後，亦可持續進行黑化處理。 黑化處理可於與導體層圖型形成用的鍍敷浴為另外的槽中或是於同一鍍敷浴槽中進行。
黑化處理係於導電性的基材2(陰極)與陽極之間所施加之第2電流密度下，對導體層圖型的表面進行。此第2電流密度的範圍，較理想為，表示出可產生正常覆膜之電流密度的上限之最大電流密度以上，且於以擴散所進行之離子補給到達界限而即使提高電壓亦無法增加電流密度之電流密度最大值之臨界電流密度以下。此第2電流密度，由於受到網目形狀或其他鍍敷條件之不同，使適合值有所改變而無法概括規定，但可考量到黑色度而適當地決定。由於情況的不同，即使第2電流密度為10A/dm2 ，亦可進行黑化處理，且由於情況的不同，有時若不提高電流密度則無法進行黑化處理。一般而言係具有，若圖型較為精細，則需設定更大的電流密度之傾向。於使用銅鍍敷浴進行黑化處理時，若其他條件相同，第2電流密度一般係從較所選出之第1電流密度還大的範圍中適當的選擇。若第2電流密度過大，則所析出的銅會成為針狀析出，而具有容易產生轉印不良或粉體掉落等缺失之傾向。第2電流密度的上限，於直流方式中較理想為100A/dm2 。於使用銅鍍敷浴以外的鍍敷浴時，第2電流密度可與第1電流密度相同。
第2電流密度並不限定於1個，亦可階段性的改變2個或2個以上，而控制作為黑化覆膜所析出之粒子的大小。
於藉由脈衝電解法進行黑化處理時，脈衝電解法為交替進行高通電及低通電之鍍敷法。於定義高通電時間為T1 ，低通電時間為T2 ，1循環為1循環=T1 +T2 ，且循環率E為E=100×(T1 /(T1 +T2 ))時，高通電時間T1 及低通電時間T2 若各自為過短或過長，則效果不充分而無法進行良好的黑化處理，或是導致過剩析出。脈衝效果不足時，無法充分黑化，相對地，於過剩條件時，容易產生黑化過粗或粉體掉落之缺失。此外，循環率係與電流密度配合而決定出適當的循環。較理想的通電時間，T1 為2ms以上20ms以下，T2 為5ms以上200ms以下。更理想為，T1 為5m~10ms，T2 為50ms~100ms。此外，循環率較理想為2%以上75%以下，更理想為5%~50%。
高通電時的電流密度係設定為較低通電時的電流密度還大，低通電時的電流密度，較理想係未施加的狀態(0A/dm2 )或較0A/dm2 還大且為上述導電性金屬層的製作中之鍍敷時的最大電流密度以下的範圍內的電流密度。高通電時的電流密度，係因循環率及每個循環的通電時間之不同，使適合值產生改變。就傾向而言，循環率愈低或通電時間愈短，則需較高的電流密度，相反地，循環率愈高或通電時間愈長，則能夠以接近於直流電流條件下的電流密度的值予以對應。
高通電時的電流密度之上限，較理想為500A/dm2 以上。此外，高通電時的電流密度較理想為較低通電時的電流密度還高5A/dm2 以上，更理想為還高10A/dm2 以上。
較理想的電流密度，係因圖型的形狀或面積及鍍敷液溫度或液體攪拌等種種條件，以及T1 及T2 的條件之不同而有所改變，因此可分別決定出較理想的處理時間。
於黑化處理製程中，係藉由電鍍，使微粒子狀金屬(尤其具代表性者為金屬銅)析出於導電性金屬層(尤其具代表性者為金屬銅層)，並藉此帶有黑色或茶褐色。此黑色或茶褐色，可觀察為微粒子狀金屬析出於其下方的導電性金屬層上，如此的微粒子可視為於導電性金屬層上排列，且因情況的不同而重疊時會形成黑色金屬層。
黑化處理，由於係以黑色或茶褐色的金屬層覆蓋導電性金屬層上為目的，因此於依據鍍敷形成導電性金屬層時，一般係以析出特定的覆膜厚度為目的而將電流密度保持為一定，亦即一般為依據定電流進行控制，於適用定電流控制於黑化處理時，若被鍍敷面積產生變化，則會使適於黑化處理之電流密度產生變化，結果容易導致通電量不足或過剩。此外，由於被鍍敷物的形狀、電解液組成或液體循環、溫度條件之不同而使黑化處理的適當範圍產生變化，因此，黑化處理之電流密度的管理，一般需進行精密的管理及控制。尤其於以滾輪狀或箍狀連續進行生產時，因導電性基材及絕緣層的形狀的不同，使被鍍敷面積產生週期性的變化。因此，關於將適當的電流密度控制為一定之方法，於黑化處理製程中較理想為依據定電壓或極為接近定電壓之控制而進行。於依據定電壓或極為接近定電壓之控制中，主要因應被鍍敷面積而改變所流通的電流值， 結果可於大致一定的電流密度下進行控制。較理想為，低通電時的電壓為0V或超過0V且為3V以下，高通電時的電壓為超過低通電時的電壓且為10V以下的範圍。
為了進行色彩的定量性評估，係要求數值化，其方法於國際照明委員會(CIE：Co mmission Internationale de l'Eclairage)中已有數種予以標準化，其中具代表性的方法1有L*a*b*顯色系。此係L*表示明度，a*為紅綠，b*為黃藍之色相與彩度者。L*於完全黑色(光的全吸收)時為0，相反地，於完全白色(光的全反射)時為100。
將顯示器的顯示面等予以電磁波遮蔽之導體層圖型之基材，係要求具有良好的光透射性，因此較理想為盡量降低電磁波遮蔽用的導體層圖型所形成之被覆率，此外，為了不反射外光並提高透射光的亮度而提昇畫質，導體層圖型本身較理想為黑色。然而，附導體層圖型之基材由於上述原因，其本身的光透射性較高，因此難以直接測定精細形狀的導體層圖型本身之色度(明度)。因此，係以明度25的黑色為背景，測定導體層圖型部分的明度。具體而言，以導體層圖型的黑色面為上方，於附導體層圖型之基材的下方舖設明度25的黑色紙並測定明度。若導體層圖型為良好的黑色，則明度L*為25至50之值，此外，色度a*及b*均為5以下之值。另一方面，若黑色的程度不充分且殘存銅原先的色彩，則明度L*為60以上之較高的值，色度a*及b*均為紅色或黃色之大於5之值。
色度可使用分光測色計CM-508d(Konica-Minolta Holdings株式會社(日本)製)，並設定於反射模式下進行測定。本測量機器之測定明度及色度之測色對象部為直徑8mm的圓形，可求取該開口部的平均顯色。
若尤其連續於同一鍍敷浴槽內進行導電性金屬層的生成及黑化處理，則於導體層形成製程與黑化處理製程之間，不需進行水洗處理及導電性金屬層的表面處理，因此可縮短製程時間及降低成本，並且可減輕對環境的負荷。此製程於金屬為銅時特別有用。
藉由鍍敷析出於凹版的凹部4之導體層圖型，為了具有充分的導電性(例如具有充分的電磁波遮蔽性)，較理想為0.1μm以上，更理想為0.5μm以上。為了降低於導體層圖型形成針孔(此時電磁波遮蔽性降低)之可能性，尤其理想為3μm以上的厚度。此外，若導體層圖型的厚度太厚，由於導體層圖型亦於寬度方向擴大，因此於轉印時，線的寬度會變寬，使附導體層圖型之基材的開口率降低，導致透明性及非視認性降低。因此，為了確保透明性及非視認性，導體層圖型的厚度較理想為20μm以下，此外，為了縮短鍍敷的析出時間而提高生產效率，導體層圖型的厚度更理想為10μm以下。
為了在不會產生斷線或剝離不良下，以轉印用基材經由接著劑或黏著劑良好地將導體層圖型予以剝離，導體層圖型較理想為析出為較絕緣層還高1μm左右以上。
另一方面，於凹部相對於所析出之導體層圖型的厚度還深時，就能夠在形狀上將導體層圖型予以導正之觀點來 看，較理想為將藉由鍍敷所形成之導體層圖型的厚度，形成為絕緣層之高度的2倍以下，更理想為1.5倍以下，尤其理想為1.2倍以下，但並不限定於此。
即使進行鍍敷至所析出之導體層圖型存在於凹部內之程度，由於凹部形狀係寬度朝向開口方向變寬，且可將由絕緣層所形成之凹部側面的表面予以平滑化，因此可極力降低導體層圖型剝離時之定錨效果。此外，可提高所析出的導體層圖型之高度對寬度的比例，因此更可提高透射率。
接下來說明本發明之附導體層圖型之基材。附導體層圖型之基材可使用於電磁波遮蔽薄膜、網目天線或透明天線、觸控面板構件、太陽電池用電極導線或配線、數化器構件、防側錄卡構件、透明天線、透明電極、不透明電極、電子紙構件、調光薄膜構件等。附導體層圖型之基材係可藉由包含(i)藉由鍍敷，於上述凹版的凹部析出金屬之製程；及(ii)將析出於上述凹部之金屬轉印至其他基材之製程之方法所製造出。以下係使用圖式詳細說明。第5圖係顯示附導體層圖型之基材的製作例的前半部之剖面圖。此外，第6圖係顯示其後半部之剖面圖。
首先如第5圖E所示般，對凹版的凹部施行鍍敷，形成導體層圖型9。此導體層圖型可為更經由黑化處理後之圖型。
接著如第5圖F所示，將導體層圖型9轉印至轉印用基材10。轉印用基材10係具備第1基材11及黏著劑層 12。然後進行於形成有導體層圖型9之凹版1上，將轉印用基材10的黏著劑層12側予以壓合之準備。轉印用基材10亦可使基材本身具有必要的黏著性，以取代具備黏著劑層12之方式。
第1基材11並不限定於以下例子，例如有由玻璃、塑膠等所形成之板、塑膠薄膜、塑膠薄片等。玻璃並不限定於以下例子，例如有鈉玻璃、無鹼玻璃、強化玻璃等玻璃。
塑膠並不限定於以下例子，例如有聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏氯乙烯(Polyvinylidene Chloride)樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺亞醯胺樹脂、聚醚亞醯胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚芳酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚丁烯對苯二甲酸酯樹脂、聚乙烯對苯二甲酸酯樹脂等熱可塑性聚酯樹脂；纖維醋酸酯樹脂、氟樹脂、聚磺酸樹脂、聚醚碸樹脂、聚甲基戊烯樹脂、聚胺酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯(Diallyl Phthalate)樹脂等熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂。於塑膠中，較理想為透明性優良之聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚氯乙烯樹脂。
在這當中，第1基材較理想為塑膠薄膜。此塑膠薄膜例如有由聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸二乙酯等聚酯類；聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、EVA(Ethylene Vinyl Acetate：乙烯醋酸乙酯)等聚烯烴類； 聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯系樹脂；聚硫碸(Polysulphone)、聚醚碸、聚碳酸酯、聚醯胺、聚亞醯胺、丙烯酸樹脂等塑膠所形成之薄膜，並且全可見光透射率為為70%以上者。這些可使用單層或組合2種以上而作為多層薄膜使用。上述塑膠薄膜當中，就透明性、耐熱性、易處置性、以及價格之方面來看，尤其理想為聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜或聚碳酸酯薄膜。
第1基材的厚度並無特別限制，較理想為1mm以下，若太厚，則具有可見光透射率容易降低之傾向。此外，在考量到若太薄則會使處置性變差之情況下，上述塑膠薄膜的厚度較理想為5~500μm，更理想為50~200μm。
於作為用以防止電磁波從顯示器的前面洩漏之電磁波遮蔽薄膜而使用時，第1基材較理想為透明。
黏著劑層12，較理想為於轉印時具有黏著性或是在加熱或加壓下具有黏著性。具有黏著性之化合物，較理想為玻璃轉移溫度為20℃以下的樹脂，更理想為使用玻璃轉移溫度0℃以下的樹脂。黏著劑層所使用之材料，可使用熱可塑性樹脂、藉由活性能量線的照射予以硬化之樹脂、以及熱硬化性樹脂等。於加熱時具有黏著性時，若此時的溫度過高，則可能於透明基材中產生起伏、抖動、捲曲等變形，因此，熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及藉由活性能量線的照射予以硬化之樹脂之玻璃轉移溫度，較理想為80℃以下。上述熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及藉由活性 能量線的照射予以硬化之樹脂，較理想為使用重量平均分子量500以上者。若分子量未滿500，則樹脂的凝聚力過低，因此可能使與金屬之間的密著性降低。
熱可塑性樹脂，代表性的有以下所列舉者。例如可使用天然橡膠、聚異戊二烯、聚-1,2-丁二烯、聚異丁烯、聚丁烯、聚-2-庚基-1,3-丁二烯、聚-2-t-丁基-1,3-丁二烯、聚-1,3-丁二烯等(二)烯類；聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚乙基乙基醚、聚乙基己基醚、聚乙基丁基醚等聚醚類；聚醋酸乙烯酯、聚丙酸乙烯酯等聚酯類；聚胺酯、乙基纖維素、聚氯乙烯、聚丙烯腈、聚甲基丙烯腈、聚磺酸、聚硫化物、苯氧樹脂、聚丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、聚-2-乙基己基丙烯酸酯、聚-t-丙烯酸丁酯、聚-3-乙氧基丙烯酸丙酯、聚氧羰基四甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸異丙酯、聚甲基丙烯酸十二酯、聚甲基丙烯酸十四酯、聚甲基丙烯酸正丙酯、聚-3,3,5-三甲基甲基環己丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚-2-硝基-2-甲基甲基丙烯酸丙酯、聚-1,1-二乙基甲基丙烯酸丙酯、聚甲基丙烯酸甲酯等聚(甲基)丙烯酸酯類。構成這些聚合物之單體，可因應需要，採用使2種以上共聚合而成之共聚物，或是混合2種以上的上述聚合物或共聚物而使用。
關於藉由活性能量線予以硬化之樹脂，例如有以丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂為基質聚合物，且於各聚合物中附加自由基聚合性或陽離子聚合性官能基之材料。自由基聚合性官能基，例如有丙烯酸基(丙 烯醯基(Acryloyl))、甲基丙烯酸基(甲基丙烯醯基(Methacryloyl))、乙烯基、芳香基等碳-碳雙鍵，較理想為反應性較佳之丙烯酸基(丙烯醯基)。陽離子聚合性官能基，環氧基(縮水甘油醚基、縮水甘油胺基)為具代表性者，較理想為高反應性之脂環環氧基。具體的材料例如有丙烯酸胺酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、環氧改質聚丁二烯、環氧改質聚酯、聚丁二烯(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸改質聚酯等。活性能量線可利用紫外線、電子線等。
於活性能量線為紫外線時，紫外線硬化時所添加之光增感劑或光起始劑，可使用二苯甲酮(Benzophenone)系、蒽醌(Anthraquinone)系、安息香(Benzoin)系、銃鹽(Sulfonium Salt)、重偶氮鹽(Diazonium Salt)、鎓鹽(Onium Salt)、鹵鎓鹽(Halonium Salt)等一般所知的材料。此外，除了上述材料外，亦可混合泛用的熱可塑性樹脂。
於藉由活性能量線予以硬化之樹脂中照射活性能量線進行交聯前，亦可利用硬化劑等進行交聯。硬化劑例如可使用，將具備羧基、氫氧基、環氧基、胺基、不飽和烴基等官能基之樹脂；具有環氧基、氫氧基、胺基、醯胺基、羧基、硫氫基等官能基之硬化劑或金屬氯化物；及異氰酸酯、酸酐、金屬氧化物、過氧化物等硬化劑予以組合使用。就提高硬化反應速度之目的下，亦可使用泛用的觸媒等添加劑。具體而言，例如有硬化性丙烯酸樹脂組成物、不飽和聚酯樹脂組成物、苯二酸二烯丙酯樹脂組成物、環 氧樹脂組成物、聚胺酯樹脂組成物等。
若使用藉由活性能量線予以硬化之樹脂，則可在將導體層圖型9埋入於該樹脂之狀態下使該樹脂硬化。因此，係處於對導體層圖型9之凝聚力極高，亦即所謂該樹脂與轉印後的金屬之間的密著力極高之狀態，且從該樹脂中將導體層圖型予以剝離後，轉印至該樹脂之金屬，可在不會產生彎折或浮起等缺失，且線的形成性極為良好之狀態下進行轉印。另一方面，可藉由照射活性能量線，使該樹脂表面的黏性失去活性。藉此，將導體層圖型予以剝離時所產生之導體層圖型與該樹脂之間的密著性係極度降低。藉此，於將該導體層圖型與該樹脂予以剝離時，對於導體層圖型之該樹脂的殘渣性良好。於照射活性能量線至第1基材上所設置之析出於凹部的導體層圖型時，關於該樹脂的硬化程度，不論為自由基聚合或陽離子聚合，交聯反應較理想為10~100%。於10%以上且未滿100%之所謂未完全硬化狀態中，可獲得與上述相同之結果。
熱硬化性樹脂，可將天然橡膠、異戊二烯橡膠、氯戊二烯橡膠、聚異丁烯、丁基橡膠、鹵化丁基、丙烯腈-丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、聚異丁烯、羧基橡膠、新平橡膠(Neoprene)、聚丁二烯等樹脂；以及作為交聯劑之硫、苯胺甲醛樹脂、尿素甲醛樹脂、酚甲醛樹脂、木素樹脂、二甲苯甲醛樹脂、二甲苯甲醛樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、環氧樹脂、尿素樹脂、苯胺樹脂、三聚氰胺樹脂、酚類樹脂、福馬林樹脂、金屬氧化物、金屬氯化物、 圬、烷基酚類樹脂等予以組合而使用。就提高交聯反應速度之目的下，亦可使用泛用的加硫促進劑等添加劑。
熱硬化性樹脂亦可使用硬化劑進行硬化者。此類熱硬化性樹脂，例如有具備羧基、氫氧基、環氧基、胺基、不飽和烴基等官能基之樹脂。硬化劑例如有，具備環氧基、氫氧基、胺基、醯胺基、羧基、硫氫基等官能基之化合物或金屬氯化物；及異氰酸酯、酸酐、金屬氧化物、過氧化物等。就提高硬化反應速度之目的下，亦可使用泛用的觸媒等添加劑。熱硬化性樹脂，例如有硬化性丙烯酸樹脂組成物、不飽和聚酯樹脂組成物、苯二酸二烯丙酯樹脂組成物、環氧樹脂組成物、聚胺酯樹脂組成物等。
熱硬化性樹脂或藉由活性能量線予以硬化之樹脂，較理想為丙烯酸或甲基丙烯酸的附加物。
丙烯酸或甲基丙烯酸的附加物，例如有環氧丙烯酸酯(n=1.48~1.60)、聚胺酯丙烯酸酯(n=1.5~1.6)、聚醚丙烯酸酯(n=1.48~1.49)、聚酯丙烯酸酯(n=1.48~1.54)等。尤其就接著性的觀點來看，聚胺酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯較優良，環氧丙烯酸酯例如有1,6-正己烷二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、芳香基醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、苯二甲酸二縮水甘油酯、聚乙二醇二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、戊赤蘚糖醇四縮水甘油醚、山梨糖醇四縮水甘油醚等(甲基)丙烯酸附加物。如環氧丙烯酸酯等所示於分子 內具有氫氧基的聚合物，在提昇接著性而言較為有效。這些共聚合樹脂，可因應需要而兼用2種以上。
黏著劑層，可因應需要調配交聯劑、硬化劑、稀釋劑、可塑劑、抗氧化劑、填充劑、著色劑、紫外線吸收劑或賦黏劑等添加劑。
黏著劑層的厚度若太薄，則無法獲得充分強度，因此於轉印導體層圖型9時，可能使導體層圖型9無法密著於黏著劑層12而產生轉印不良。因此，黏著劑層的厚度較理想為1μm以上，為了確保量產時的轉印可靠度，更理想為3μm以上。此外，黏著劑層的厚度若太厚，不僅黏著劑層的製造成本變高，且於層壓時黏著劑層的變形量增加，因此，黏著劑層的厚度較理想為30μm以下，更理想為15μm以下。
接著如第6圖G所示，於形成有導體層圖型9之凹版1上，將轉印用基材10的黏著劑層12側予以壓合。此時，黏著劑層12亦可接觸於絕緣層7。將轉印用基材10貼合於形成有金屬層的面後，可因應黏著劑層12的特性，必要時加熱、照射活性能量線。
接著如第6圖H所示，將轉印用基材10予以剝離後，導體層圖型9係接著於黏著劑層12而從凹版1的凹部4中剝離，結果可獲得附導體層圖型之基材13。
最終所獲得之附導體層圖型之基材的導體層圖型(意指對金屬圖型進行黑化處理後之經黑化處理之導體層圖型)，線寬度較理想為設定於40μm以下，線間隔設定於 50μm以上之範圍。此外，就導體層圖型(幾何學圖形)的非視認性之觀點來看，線寬度更理想為25μm以下，就可見光透射率之觀點來看，線間隔更理想為120μm以上。線寬度若太小太細，則表面電阻變得過大而使遮蔽效果較差，因此較理想為1μm以上。線間隔愈大，則開口率愈提升，且可見光透射率愈提升。於將本發明所獲得之導體層圖型使用於顯示器前面時，開口率必須為50%以上，較理想為60%以上。線間隔若過大，則電磁波遮蔽性降低，因此線間隔較理想為1000μm(1mm)以下。於幾何學圖形等的組合較為複雜時，線間隔係以重複單元為基準，將其面積換算為正方形的面積並以其一邊的長度為線間隔。
此外，於將本發明所獲得之附導體層圖型之基材使用於顯示器前面的用途時，就可見光透射率之觀點來看，擔負電磁波遮蔽功能之部分的開口率，必須為50%以上，較理想為60%以上，更理想為80%以上。若開口率過大，則線寬度變得過小，因此開口率較理想為97%以下。就線間隔之觀點來看，線間隔較理想為1000μm(1mm)以下。線間隔若過大，則電磁波遮蔽性有降低之傾向。於幾何學圖形等的組合較為複雜時，線間隔係以重複單元為基準，將其面積換算為正方形的面積並以其一邊的長度為線間隔。就可見光透射率之觀點來看，線間隔較理想為50μm以上，更理想為100μm以上，120μm以上尤其理想。線間隔愈大，則開口率愈提升，且可見光透射率愈提升。
此外，導體層圖型的厚度較理想為100μm以下，於適用於顯示器前面的電磁波遮蔽薄片時，厚度愈薄則顯示器的視角愈廣，因此適合為電磁波遮蔽材料，此外，亦可縮短以鍍敷形成金屬層所花費的時間，因此更理想為40μm以下，18μm以下尤其理想。若厚度太薄，則表面電阻變得過大，而使電磁波遮蔽效果變差，而且導體層圖型的強度變差，轉印時難以從導電性基材剝離，因此，較理想為0.5μm以上，更理想為1μm以上。
於凹部相對於所析出之金屬層的厚度還深時，就能夠在形狀上將所析出之金屬層予以導正之觀點來看，較理想為將藉由鍍敷所形成之金屬箔的厚度，形成為絕緣層之高度的2倍以下，更理想為1.5倍以下，尤其理想為1.2倍以下，但並不限定於此。
可進行鍍敷的程度至所析出之金屬層存在於凹部內之程度。即使於此情況下，由於凹部形狀係寬度朝向開口方向變寬，且可將由絕緣層所形成之凹部側面的表面予以平滑化，因此可降低導體層圖型的剝離時之定錨效果。此外，可提高所析出的金屬層之高度對寬度的比例，而更為提高透射率。以下使用圖式進行說明。
第7圖係顯示藉由鍍敷將導體層圖型形成於凹版的凹部內之狀態之剖面圖。第8圖係顯示將該凹部內的導體層圖型予以轉印所獲得之附導體層圖型之基材之剖面圖。
於對凹版進行鍍敷時，由於鍍敷為等向性成長，因此從基材的暴露部分所開始之鍍敷的析出，若持續析出，則 會以從凹部顯露出並覆蓋絕緣層的方式突出析出。就貼附於轉印用基材之觀點來看，較理想為以突出之方式析出鍍敷。然而，如第7圖所示，此時亦可進行鍍敷的析出至位於凹部4內之程度即可。此時如第8圖所示，可藉由壓合轉印用基材，將導體層圖型9轉印至黏著劑層12，並從凹版1將導體層圖型9予以剝離，而製作出附導體層圖型之基材13。
於將導體層圖型9轉印至轉印用基材10之前(第5圖E)未進行黑化處理時，亦可於形成附導體層之圖型後(第6圖H、第8圖)，再對導體層圖型進行黑化處理製程。此外，即使於將導體層圖型9轉印至轉印用基材10之前已進行黑化處理時，亦可再次進行黑化處理。
黑化處理的方法，為於導體層圖型形成黑色層之手法，因此，可對金屬層使用鍍敷或氧化處理、印刷等種種手法。
於轉印至基材後之黑化處理，較理想為進行黑色鎳鍍敷等黑色鍍敷。
黑色鎳鍍敷，為藉由電層積將以硫化鎳為主成分之黑色合金形成於被鍍敷體表面之鍍敷法，由於VIII族元素的鐵、鈷於形成為硫化物時均呈現出黑色，因此適合使用。同樣的VIII族元素當中，硫化鎳係呈現出目標的黑色，且與底層金屬具有良好的密著性。於VIII族元素以外的硫化物中，亦可使用銀、水銀、銅、鉛等。此外亦可使用錫與鎳、錫與鈷等合金鍍敷或黑色鉻鍍敷，而形成不 會產生粉體掉落，且僅與金屬層具有良好密著性之黑化處理層(黑色層)。
於形成黑色鎳鍍敷層時，可使用含有硫酸鎳60~100g/L、硫酸鎳銨30~50g/L、硫酸鋅20~40g/L、硫氰酸鈉10~20g/L之鍍敷液。使用此鍍敷浴，於pH：4~7，溫度：45~55℃，電流密度0.5~3.0A/dm2 的條件下，使用不鏽鋼陽極或鎳陽極並藉由循環泵浦及空氣攪拌作為攪拌方式，而可形成適合於電漿顯示面板用的黑色鎳鍍敷層。黑色鎳鍍敷的前處理，為了提高與底層金屬層之間的密著性，較理想為進行適當的鹼脫脂、酸洗淨。若於超過各成分的濃度範圍進行鍍敷，則鍍敷液容易分解而難以獲得良好的黑色。此外，關於溫度，若於超過55℃的溫度中進行鍍敷，則鍍敷液容易分解。相反地，若於未滿45℃中進行1.0A/dm2 以上的鍍敷，則製品會變粗糙容易產生粉體掉落，而縮短鍍敷液的壽命。雖然可於未滿45℃中於1.0A/dm2 以下的電流密度進行鍍敷，但獲得期望的黑色為止須進行長時間的鍍敷，因而導致生產性降低。因此使用上述濃度組成的鍍敷液並於短時間內進行黑色鎳鍍敷時之溫度範圍係以45~55℃最為適當。此外，電流密度於溫度範圍內雖然可設定於0.5A/dm2 以下，但獲得期望的黑色為止須進行長時間的鍍敷。若於3.0A/dm2 以上進行鍍敷，則鍍敷液容易分解而形成粉體容易掉落之黑色覆膜。於黑色鎳鍍敷中使用不鏽鋼陽極時，由於鍍敷液的壽命變短，因此一般較理想為使用鎳陽極。
於以附導體層圖型之基材作為電磁波遮蔽構件並使用於顯示器等的前面時，為了確保防反射等之視認性，導體層圖型較理想為表面經黑化處理者。電磁波遮蔽構件，若使其前面成為黑色，則可滿足高對比的實現以及顯示器於電源切斷時使畫面成為黑色等要求，因而較為理想。於將具有經黑化處理的導體層圖型之附導體層圖型之基材作為電磁波遮蔽構件而利用於顯示器的前面時，一般設置有黑色層的面係作為朝向視聽者側而使用。
此外，亦可對表面經黑化處理之導體層圖型進行防鏽處理。防鏽處理可使用一般所知的手段之鉻酸鹽(Chromate)處理、苯並三唑(Benzotriazole)等，此外，亦可使用市售的防鏽劑。再者，於將表面經黑化處理之導體層轉印至其他基材之後再次進行黑化處理時，較理想為進行防鏽處理。防鏽處理可使用一般所知的手段之鉻酸鹽處理、苯並三唑等，此外，亦可使用市售的防鏽劑。此外，於將附黑化處理層之導體層圖型轉印至其他基材後，再次以相同方法形成黑化處理層時，較理想亦進行同樣的防鏽處理。
於使用本發明之附導體層圖型之基材作為電磁波遮蔽體時，可適當地透過或是不透過其他的接著劑而貼附於顯示器畫面而使用，但亦可貼附於其他基材之後再適用於顯示器。於用以阻隔來自於顯示器前面的電磁波而使用時，其他基材必須為透明。
第9圖係顯示將附導體層圖型之基材貼附於其他基材 而獲得之電磁波遮蔽構件之剖面圖。於第9圖中，於層積於第1基材11之黏著劑層12上貼附有導體層圖型9，並於其上方層積有第2基材13’，導體層圖型9係埋設於黏著劑層12。此可藉由在加熱或非加熱下，將附導體層圖型之基材的導體層圖型9側加壓於第2基材13’而製作出。此時，黏著劑層12為具有充分的流動性，或是於具有充分的流動性當中藉由施加適度的壓力而將導體層圖型9埋設於黏著劑層12。第1基材11及第2基材13’，可使用具有透明性且其表面的平滑性為優良者，藉此可獲得高透明性之電磁波遮蔽構件。
第10圖係顯示附導體層圖型之基材由保護樹脂所覆蓋之電磁波遮蔽構件之剖面圖。於層積於第1基材11之黏著劑層12上貼附有導體層圖型9，並藉由透明的保護樹脂14將這些予以覆蓋。
第11圖係顯示其他型態之電磁波遮蔽構件之剖面圖。此電磁波遮蔽構件係於第10圖的電磁波遮蔽構件之基材11側，夾介接著劑層15而貼附第3基材16而成者。第3基材16可為玻璃等。
第12圖係顯示另外的型態之電磁波遮蔽構件之剖面圖。取代第11圖之電磁波遮蔽構件的保護樹脂14，係於導體層圖型9上夾介透明樹脂17而層積有保護薄膜18。透明樹脂17例如有以熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂或藉由活性能量線予以硬化之樹脂為主成分之接著劑或黏著劑。若使用藉由活性能量線予以硬化之樹脂，由於為瞬間 或短時間予以硬化，因此生產性較高而較為理想。接著說明本發明之形成有圖型之金屬箔(導體層圖型)。使用上述凹版，可製作出形成有圖型之金屬箔。形成有圖型之金屬箔，係包含電容器用集電體用的開孔金屬箔。
第13圖係顯示導體層圖型的一例之開孔金屬箔的一部分之底面圖。於第13圖中，由3個同心圓所形成之一組圓群係描繪有6組，這些係於上下左右方向以鋸齒狀重複適當的次數。此外，於第13圖中，導體層圖型係表示出形成於凹版之狀態。第14圖係顯示相當於第13圖之A-A’剖面圖。
孔20係貫通於導體層圖型9。於孔20的周圍，存在有階差部21及接續於此階差部21之窄幅的傾斜部22。階差部21及傾斜部22係對應於導電性基材2上的絕緣層3以及藉此所形成之導電性基材2上的凹部，傾斜部22係對應於絕緣層3之末端擴大的傾斜部而形成。亦即於第13圖中，傾斜部22係表現出內周(最小徑)及外周(最大徑)，且從直徑較小的內周(階差部21的端部)朝向直徑較大的外周傾斜。階差部21係對應於鍍敷從凹版的凹部覆蓋絕緣層3而形成之部分。因此，階差部21之導體層圖型9的厚度，由於為覆蓋絕緣層3而形成之部分，因此愈接近於孔20之部分，其厚度愈小，此外，該底面係較對應於成為鍍敷形成部的凹部之導體層圖型的底面，僅高出絕緣層3之厚度的部分。
第15圖係顯示導體層圖型的其他例子之剖面圖，與 第13圖相同地，係表示出存在於凹版上之狀態。析出於導電性基材2上的凹部之鍍敷，係以凌越絕緣層3之上之方式成長且不形成貫通孔，而成為具有對應於絕緣層3之凹部的導體層圖型9。藉由將上述絕緣層3往紙面的表背方向延伸並縮小寬度，可於導體層圖型形成精細的溝。以使用適當的材料且不會使內部被埋入之方式封塞此溝，藉此可容易形成精細的液體或氣體流路。因此可應用於散熱片或微量藥物的供應流路等。上述適當的材料，例如有不具有溝或凹部之平坦的金屬箔、或上述導體層圖型本身(以使溝為對向或是通過溝之一面為對向且溝不會重疊之方式地貼合)等，可將上述導體層圖型以同一方向層積多數片，最後包含所暴露的溝之一面，可使用適當的材料予以封閉。
以下說明將本發明之凹版作為旋轉體(滾輪)使用之情況。
旋轉體(滾輪)較理想為金屬製。此外，旋轉體較理想為使用鼓輪式電解析出法中所使用之鼓輪電極等。形成鼓輪電極的表面之物質，較理想為使用上述不鏽鋼、經鉻鍍敷之鑄鐵、經鉻鍍敷之鋼、鈦、形成有鈦的襯裡之材料等之鍍敷附著性相對較低的材料。藉由使用旋轉體作為凹版，可連續進行製作而獲得作為捲取物之附導體層圖型之基材，因此其生產性可大幅提高。
藉由使用旋轉體，可一邊連續地將藉由電解鍍敷所形成之圖型予以剝離，一邊獲得作為捲取物之構造體。亦 即，於第16圖中，電解浴槽101內的電解液(鍍敷液)102，係藉由配管105及泵浦106供應至第1陽極103與鼓輪電極等旋轉體104之間的空間。一旦於第1陽極103與旋轉體104之間施加第1電壓，且以一定速度使旋轉體104旋轉，則導體層電解析出於旋轉體104的表面。此外，藉由在第2陽極107與旋轉體104之間施加較第1電壓還大的電壓，可使黑色覆膜析出於所析出之導體層圖型上。亦即可進行黑化處理。除了第2陽極107以外，亦可使用複數個陽極並階段性地改變電壓，而控制作為黑化覆膜所析出之粒子的大小。
於第16圖所示的狀態中，第1陽極103與第2陽極107係互為分離而浸漬於鍍敷液中，於各陽極(電極)103及107之間，亦可設置以絕緣體所構成之阻隔構件151。藉由設置阻隔構件151，可容易維持第1電流密度及第2電流密度。
阻隔構件151的基端部側係一體地固定於電解浴槽101的內壁，阻隔構件151的前端部側亦可位於導電性基材(旋轉體104)的附近。因此，於導電性基材104與阻隔構件151的前端部之間係使鍍敷液通過。
陽極103及107的材質，較理想為於以鈦金屬為基體之表面上構成白金族金屬或其氧化物的薄膜之不溶性陽極等。其形狀並無特別限定，例如有平板狀、棒狀、多孔質狀、網目狀等。
亦即，例如第17圖所示，可將垂直於長邊方向之剖 面為長方形狀之複數個陽極103a(對應於陽極103之陽極)，以及垂直於長邊方向之剖面為長方形狀之單數個或複數個陽極107b(對應於陽極107之陽極)，配置於旋轉體104的旋轉中心軸CL1的圓周上而構成。
經黑化處理之導體層圖型，可於電解液102之外，一邊以壓合滾輪110將接著支撐體109予以壓合，一邊連續從旋轉體104中剝離而轉印至接著性支撐體109，而作為附導體圖型之接著支撐體111捲取為滾輪。於導體層圖型剝離後再浸漬於電解液之前，可藉由清掃滾輪清掃旋轉體的表面。於陽極的上端，為了防止高速循環的電解液往上方噴出，可設置除液滾輪。藉由除液滾輪所擋住之電解液，係從陽極的外部返回下方的電解液浴槽，並藉由泵浦進行循環。於此循環之間，較理想為進行：因應需要追加所消耗的金屬離子源或添加劑等之製程；及進行各成分的分析之製程。此外，亦可在不使用接著性支撐體109下，從旋轉體中將導體層圖型予以剝離而回收。
此外，亦可兼用第1陽極及第2陽極，並於第1電流密度下形成導體層圖型後，再於第2電流密度下進行黑化處理製程。
以下說明將本發明之凹版形成為箍狀之情況。箍狀凹版係可在將絕緣層及凹部形成於帶狀凹版的表面後，再將端部予以連接而製作出。形成凹版的表面之物質，較理想為使用上述不鏽鋼、經鉻鍍敷之鑄鐵、經鉻鍍敷之鋼、鈦、形成有鈦的襯裡之材料等之鍍敷附著性相對較低的材 料。於使用箍狀的導電性基材時，由於可在1項連續的製程中進行黑化處理、防鏽處理及轉印等製程，因此附導體層圖型之基材的生產性提高，且可連續進行製作而獲得作為捲取物之附導體層圖型之基材。箍狀導電性基材的厚度可適當地決定，較理想為100~1000μm。
接下來使用第18圖，說明使用箍狀導電性基材，一邊連續地將藉由電解鍍敷所形成之導體層圖型予以剝離，一邊獲得作為捲取物之構造體之製程。第18圖係顯示，於使用箍狀導電性基材作為導電性基材時，藉由電解鍍敷連續地使導體層圖型一邊析出一邊剝離之裝置的概念圖。
使用搬運滾輪211~228，使箍狀凹版210依序環繞前處理槽229、鍍敷槽230、水洗槽231、黑化處理槽232、水洗槽233、防鏽處理槽234、水洗槽235。於前處理槽229中，係進行凹版210的脫脂或酸處理等前處理。之後於鍍敷槽230中，使金屬析出於凹版210上。然後依序通過水洗槽231、黑化處理槽232、水洗槽233、防鏽處理槽234、水洗槽235，而分別對析出於凹版210上之金屬的表面進行黑化及防鏽處理。各處理製程之後的水洗槽，雖然僅表示為1個，但可因應需要使用複數個槽，或是於各製程之前具有其他的前處理槽等。接著使層積有接著層之塑膠薄膜基材236，以使所析出的鍍敷圖型轉印至凹版210的導電性凹部之方式，通過搬運滾輪228上之凹版210與壓合滾輪237之間，將上述金屬轉印至塑膠薄膜基材236，而可連續地製造出附導體層圖型之基材238。所獲得 之附導體層圖型之基材238，可捲取為滾輪狀。此外，亦可因應需要而加熱壓合滾輪237。亦可使塑膠薄膜基材236於通過壓合滾輪之前，先通過預熱槽進行預熱。此外，轉印後的薄膜之捲取，亦可因應需要插入離型PET等。再者，於轉印金屬後，箍狀導電性基材係重複上述製程。如此，可於高生產性下連續地製作出附導體層圖型之基材。
於使用上述所獲得之附導體層圖型之基材作為電磁波遮蔽構件時，更可層積反射防止層、近紅外線遮蔽層等。將所析出之金屬轉印至導電性基材上之基材本身，亦可為兼具反射防止層、近紅外線遮蔽層等機能層。此外，於將保護層形成於導體層圖型時所使用之覆蓋薄膜(例如第12圖之保護薄膜18)，亦可為兼具反射防止層、近紅外線遮蔽層等機能層。
亦可不使用塑膠薄膜基材236，從旋轉體中將導體層圖型予以剝離而回收。
此外，本發明之附導體層圖型之基材，並不限於上述利用連續滾輪或箍之連續性鍍敷方法，亦可以葉片方式予以製作。於以葉片方式進行時，係容易進行凹版製作時的處置，由於在重複使用同一凹版之後絕緣層僅於一處產生剝離之情況下，若為鼓輪狀或箍狀的基材，則難以進行該特定部分的取出或交換，但若是葉片式，則可僅將產生不良的凹版予以取出或交換。如此，若以葉片方式進行製作，則容易對應於凹版產生缺失之情況。葉片狀導電性基 材的厚度可適當地選擇，就考量到具有於鍍敷槽內不受到液體攪拌等的影響之充分的強度，厚度較理想為20μm以上。若過厚，則重量增加且難以處置，因此厚度較理想為10cm以下。
本發明所獲得之導電層圖型，可具有接地部。
導電層圖型，可具備由上述凹版所製作之區域A，以及於其周圍具有對應於接地部之區域B。於將導電層圖型使用為電磁波遮蔽構件時，較理想為具有接地部。區域A及區域B可具有同一導電層圖型。此外，區域A之絕緣層的面積比例(以俯視圖觀看時，去除凹部之部分的面積對全面積之比例)，可較區域B之絕緣層的面積比例還大，較理想為還大10%以上。此外，可將區域B之絕緣層比例構成為0，此時，係於凹版上藉由鍍敷使空白金屬膜形成於周邊。由於空白金屬膜於轉印時容易破裂，因此，區域B之絕緣層的面積比例較理想為40%以上且未滿97%。
於區域B中，以凹部圖型所描繪之幾何學圖形狀，例如有，
(1)網目狀幾何學模樣
(2)以特定間隔規則地配列之方形狀幾何學模樣
(3)以特定間隔規則地配列之平行四邊形模樣
(4)圓模樣或橢圓模樣
(5)三角形模樣
(6)五角形以上之多角形模樣
(7)星形模樣等。
此外，區域B之凹部的形成及絕緣層的形成等，可以與上述區域A相同之方式進行。再者，凹部的深度、及凹部於開口方向為寬幅者，較理想亦與區域A相同。
此外，擔負接地功能的部分之導體層圖型的線厚度，為了確保充分的電阻，同樣較理想為0.5μm以上，更理想為1μm以上。此外，於將導電層圖型使用為電磁波遮蔽構件時，若與擔負電磁波遮蔽功能的部分之導體層圖型的線厚度之間的差過大，則於轉印時會形成階差，容易使交界部分無法轉印或產生彎折，因此，與擔負電磁波遮蔽功能的部分之導體層圖型的線厚度之間的差，較理想為10μm以下，更理想為5μm以下。
本發明所獲得之導電層圖型，可具有鍍敷箔部。
於凹版的至少與透光性電磁波遮蔽部之導體層圖型對應的部分為矩形體或旋轉體時，可於其外側，以包圍與透光性電磁波遮蔽部之導體層圖型對應的部分之方式，或是沿著對向的2片於連續帶狀設置與上述凸部上面為相同高度之部分(不具有絕緣層)。藉此，於對凹版進行鍍敷後，可形成一種於導體層圖型的部分具有連續帶狀的鍍敷箔之導體層圖型金屬層。例如，第19圖係顯示該圖型的俯視圖。於第19圖A中，黑色部分為鍍敷箔，網目部分為藉由鍍敷所形成之導體層圖型。由於具有此箔部分，使箔本身可取代支撐體而容易從凹版中將導體層圖型予以剝離。由於在之後的製程中可由兩端部分充分地支撐所獲得之導體層圖型，因此容易進行處置。且因情況的不同，亦 可不需使用附黏著劑層之基材而予以剝離。箔部分之後可作為不需要部分予以切除，此外，亦可殘留某程度的寬度之箔部分而利用為接地部。第19圖B係顯示上述圖型的其他例子。此係於使用旋轉體作為導電性基材的情況，或是將導電性支撐體裝設於旋轉體之情況等，所能夠製作出之導體層圖型金屬層之一部分的俯視圖。藉此，可於透光性電磁波遮蔽部的四邊形成接地部。於本發明所獲得之導電層圖型中，於製作電磁波遮蔽構件時，為了將遮蔽後的電磁波作為電流予以接地排出，因此較理想係構成為，於網目狀導電層圖型的周圍，以導通狀態連續形成帶狀的導體層(框緣部分)之圖型。
本發明所獲得之導體層圖型，亦可具有特定區域。
本發明之導體層圖型的特定區域，可形成於導體層圖型的任意位置。
尤其在對位、用以區隔導體層圖型內所設置之區域之作為交界的圖型之辨識、用於導電材料或保護用樹脂材料的塗佈之位置的辨識、及其他位置辨識之目的下，可設置於必要之處。
特定區域，全體而言可為三角形、四角形、六角形等多角形(邊長均相同且所有內角均相同或一部分不同之情況；邊長一部分不同或邊長均不同之情況)、圓形、橢圓形及其他形狀之區域，並於此區域內形成特定的導體層圖型。此導體層圖型可為網目狀或非網目狀。於顯示出交界處時，特定區域較理想為以特定寬度往特定方向延伸之形 狀，且較理想形成為帶狀(可辨識為線狀)。由此帶狀所形成之特定區域，可形成為連續的特定區域，或是如虛線般隔著間隔而點狀存在。此帶狀(巨觀為線狀)區域最適合作為導體層圖型內所設置之交界的圖型。
可觀察為帶狀之特定區域，係從導體層圖型的端部朝向內部，以於特定位置以特定寬度予以包圍之方式設置，藉此可作為用以將所圍繞區域的外部設定為接地部之辨識位置而使用。此接地部可直接使用特定區域之周邊的圖型，此外亦可藉由導電膏等埋填圖形的間隙而作為接地部使用。
導體層圖型，全體而言其平面形狀可由正三角形、等邊三角形、直角三角形等三角形；正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等四角形；(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形等(正)n角形(n為3以上之整數)；圓、橢圓、星形等幾何學圖形之重複單元所構成。此外，可為適當組合這些圖形而成之模樣，亦可單獨使用這些單位或重複組合2種以上。導體層圖型較理想為具有此模樣之網目圖型。但亦可不構成為網目狀。導體層圖型全體較理想為電性導通。
特定區域亦為導體層圖型的一部分，但即使全體的導體層圖型為網目圖型，特定區域內的導體層圖型亦可為網目圖型或非網目圖型。於特定區域的導體層圖型為網目圖型時，該網目圖型可從成為該周邊的網目圖型之圖型當中選擇，但較理想為選擇出能夠與該周邊的網目圖型辨識為 不同之圖型。此圖型只要可辨識為不同，則亦包含網目形狀相同但線間距不同或網目的偏離角度不同者等。
此外，只要可辨識出圖型的不同，則特定區域與該周邊的開口率亦可不存在差距。然而，就視認性的觀點來看，特定區域與其周邊的開口率，較理想為其中一邊為另一邊的95%以下，更理想為90%以下。此外，若開口率較小，則鍍敷面積相對變寬且電流密度相對降低，因此，對開口率較大的部分，其鍍敷厚度變薄，結果具有容易產生鍍敷轉印剝離時的鍍敷彎折之傾向。因此，特定區域與其周邊的開口率，較理想為其中一邊為另一邊的40%以上，更理想為70%以上。就考量到鍍敷厚度的均一性及圖型的視認性，特定區域與其周邊的開口率，較理想為其中一邊為另一邊的40~95%，更理想為70~90%。
特定區域的導體層厚度及其周邊的導體層厚度，較理想為其中一邊對另一邊為40~100%。藉此可有效防止鍍敷彎折等。
此外，於特定區域為帶狀時，其寬度較理想為0.1~5mm的範圍。若此寬度較寬，則由於與其周邊的開口率之差而使鍍敷厚度產生差距，因而具有容易產生鍍敷彎折之傾向。若上述特定區域的開口率較該周邊還小且上述寬度較寬，則鍍敷量增多而使成本提高。因此，考量此情況，上述寬度更理想為0.1~1mm。
於以轉印法製作本發明之附導體層圖型之基材時，若特定區域及其周邊的圖型當中存在有直線性連接之線狀圖 型，當進行鍍敷轉印時，於特定區域之鍍敷彎折變少，因而較為理想。此時，於線狀圖型中，特定區域及其周邊之各個區域的線寬度，較理想為對於其中一邊，另一邊為90~100%。
此時，特定區域的線間距，較理想為其周邊的線間距之1/整數。藉由設定為1/整數，於周邊的導體層圖型與特定區域的導體層圖型之間，容易形成直線狀連接的線。於特定區域為帶狀時，就該特定區域之導體層圖型的視認性以及鍍敷的彎折性之觀點來看，特定區域的線間距較理想為該周邊的線間距之1/2~1/5。
特定區域亦可為第17圖~第23圖所示之形狀。第20圖~第25圖係顯示特定區域與其周邊的一部分之導體層圖型的例子之俯視圖。相對於具有電磁波遮蔽功能之圖型的線間距為a，特定區域L的線間距，於第20圖中為1/2a，於第21圖中為1/4a，於第22圖中為1/4a及1/2a，於第23圖中為1/2a及a，於第24圖及第25圖中為1/4a及a。第26圖係顯示全體的導體層圖型之特定區域的位置之例子的俯視圖。以俯視圖表示出6個例子之全體的導體層圖型內之特定區域的位置(粗線)。
以上的導體層圖型，其表面可如上述般經黑化處理者。此外，以上的導體層圖型，可直接層積於適當的基板(後述之其他基材)或是透過相當於接著劑者而層積。
具備用以藉由鍍敷製作上述導體層圖型之鍍敷形成部之凹版，為具有對應於上述導體層圖型之圖型的鍍敷形成 部之凹版。
所謂鍍敷形成部，為藉由鍍敷使金屬析出之部分。鍍敷的析出係因鍍敷條件的不同而不同，可考量此情況，對應於導體層圖型的設計而設計出鍍敷形成部(鍍敷形成部的寬度、間距、鍍敷形成部的深度或高度等)。
此鍍敷形成部的圖型，為對應於上述導體層圖型之圖型，且於全體的鍍敷形成部圖型內，具有對應於上述同樣導體層圖型內的特定區域之鍍敷形成部區域(特定鍍敷形成部區域)。
具有此鍍敷形成部之凹版的鍍敷形成部圖型，全體而言其平面形狀可由正三角形、等邊三角形、直角三角形等三角形；正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等四角形；(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形等(正)n角形(n為3以上之整數)；圓、橢圓、星形等幾何學圖形之重複單元所構成。此外，可為適當組合這些圖形而成之模樣，亦可單獨使用這些單位或重複組合2種以上。鍍敷形成部圖型，較理想為具有此模樣之網目圖型。
特定鍍敷形成部區域內的圖型，亦為鍍敷形成部圖型的一部分，該圖型可從上述幾何學圖形等當中選擇，但較理想為選擇出能夠與該周邊的鍍敷形成部圖型辨識為不同之圖型。此圖型只要可辨識為不同，則亦包含形狀相同但線間距不同或網目的偏離角度不同者等。
鍍敷形成部圖型，較理想係設計為可構成全體連接之 導體層。
特定鍍敷形成部區域的圖型，全體而言可為三角形、四角形、六角形等多角形(邊長均相同且所有內角均相同或一部分不同之情況；邊長一部分不同或邊長均不同之情況)、圓形、橢圓形及其他形狀之區域，並於此區域內形成特定圖型的鍍敷形成部。特定鍍敷形成部圖型，於鍍敷形成部圖型全體當中，於顯示出交界處時，較理想為以特定寬度往特定方向延伸之形狀，且較理想形成為帶狀(巨觀而言可辨識為線狀)。由此帶狀(巨觀為線狀)所形成之特定區域，可形成為連續的特定區域，或是如虛線般隔著間隔而點狀存在。此帶狀(巨觀為線狀)區域，最適合作為導體層圖型內所設置之交界的圖案。
於特定鍍敷形成部區域內的圖型與其他區域之鍍敷形成部圖型中，藉由鍍敷所形成之導體層的厚度，較理想係以其中一邊對另一邊為40~100%之方式分別設計鍍敷形成部(尤其為調整深度或高度)。
鍍敷形成部圖型較理想係設計為，鍍敷形成部的面積對非鍍敷形成部的面積為6%以上100%以下。此外，特定鍍敷形成部區域內的圖型之鍍敷形成部的面積對非鍍敷形成部的面積之比例，以及其他區域之鍍敷形成部的面積對非鍍敷形成部的面積之比例，較理想係設計為對於其中一邊，另一邊為40~95%。此係對應於導體層圖型的開口率。
於使用本發明之附導體層圖型之基材作為遮蔽體時， 更可層積反射防止層、近紅外線遮蔽層等。將所析出之金屬轉印至凹版上之基材本身，亦可為兼具反射防止層、近紅外線遮蔽層等機能層。此外，於將樹脂塗膜於導體層圖型時所使用之覆蓋薄膜，亦可為兼具反射防止層、近紅外線遮蔽層等機能層。
實施例
以下使用實施例1A~4A及比較例1A，具體說明本申請案的發明。
<實施例1A> (凸狀圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、10μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼板(SUS316L、鏡面研磨加工、厚度300μm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖A)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為15μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液 進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由線寬度16~19μm、線間距300μm、偏角45度之突起部光阻膜(突起部；高度10μm)所構成之格子狀圖型。由於形成有圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜(對應於第3圖B)。上述線寬度為突起部的最大寬度(d1 )，且為突起部上部的寬度。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~0.8μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~1.5μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
(絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷(Hexamethyldisiloxane)導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為5~6μm之方式於中間層之上形成DLC層(對應於第3圖C)。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為4~6μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性 基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為5~6μm。此外，凹部之底部的寬度為16~19μm，開口部的寬度(最大寬度)為26~31μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)250g/L、硫酸70g/L、CUBRITE AR(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L 之水溶液。30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為10A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為7μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET：Polyethylene Terephthalate)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離後，使析出於上述凹版上之鋼轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度20~25μm、線間距300±2μm、導體層厚度(最大)7~8μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第5圖E所示般，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯 露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。線寬度及導體層厚度的測定，係將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對凹部的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值(以下亦相同)。線間距的測定係使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下進行觀察並測定，測定係隨機採取5點而進行(以下亦相同)。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷- 轉印製程為500次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例2A> (凸狀圖型的形成)
將液狀光阻(ZPN-2000、日本Zeon株式會社製)塗佈於150mm見方的鈦板(純鈦、鏡面研磨加工、厚度400μm、日本金屬株式會社製)的兩面。塗佈3次並藉此獲得厚度6μm的光阻膜。於110℃進行1分鐘的預烘烤後，將以110mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型的鉻遮罩靜置於鈦板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為5μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下將基板予以吸附，從載置有鉻遮罩之鈦板的上方，照射200mJ/cm2 的紫外線。此外，內面係於未載置遮罩下照射200mJ/cm2 的紫外線。於115℃加熱1分鐘後，以2.38%的氫氧化四甲銨(TMAH：Tetramethyl Ammonium Hydroxide)進行顯影，藉此，於鈦板上形成有由線寬度5~7μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。上述線寬度為突起部的最大寬度(d1 )，且為突起部上部的寬度。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~0.5μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~1μm，為 僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
(絕緣層的形成)
以與實施例1A相同之方式塗膜至中間層為止之後，使膜厚成為2~2.5μm之方式將DLC層予以塗膜。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為1.8~2.5μm。交界面的角度為45~48度。膜厚及交界面的角度，係以與實施例1A相同之方式進行測定。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之鈦基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，一邊以50kHz施加超音波並放置2小時。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為2~2.5μm。此外，凹部之底部的寬度為5~7μm，開口部的寬度(最大寬度)為9~12μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面 (內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以銅板為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(焦磷酸銅100g/L、焦磷酸鉀250g/L、氨水(30%)：2ml/L、pH：8~9、浴溫：30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定陰極電流密度為5A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為3.5μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印)
以與實施例1A相同之方式，將形成於凹版上之銅的圖型轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度11~14μm、線間距300±2μm、導體層厚度3~4μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖H所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
之後以與實施例1A相同之方式進行保護膜的形成，而獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷- 轉印製程為700次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例3A>
將液狀光阻(KMPR-1050、日本化藥株式會社製)以15μm的厚度塗佈於不鏽鋼基板(SUS304、314×150mm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面。於90℃進行10分鐘的預烘烤後，將以110mm□的尺寸形成有格子狀的圖型之負型的鉻遮罩，排列2片並靜置於不鏽鋼板的單面上，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為5μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下將基板予以吸附，從載置有鉻遮罩之不鏽鋼板的上方，照射200mJ/cm2 的紫外線。此外，內面係於未載置遮罩下照射200mJ/cm2 的紫外線。於95℃加熱7分鐘後，以2.38%的氫氧化四甲銨(TMAH)進行顯影，藉此，於不鏽鋼板之上形成有由線寬度5~7μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之圖型。上述線寬度為突起部的最大寬度(d1 )，且為突起部上部的寬度。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~1μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下 觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
(絕緣層的形成)
以與實施例2A相同之方式，使膜厚成為3~4μm之方式將DLC予以塗膜。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為3~4μm。交界面的角度為45~47度。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於光阻剝離液(Remover PG、日本化藥株式會社製、70℃)，偶爾進行搖動並放置8小時。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為3~4μm。此外，凹部之底部的寬度為5~7μm，開口部的寬度(最大寬度)為11~15μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
以使上述所製作之凹版的背面與滾輪接觸之方式，捲取於100mm、寬度200mm的不鏽鋼滾輪，並以絕緣膠帶將接合處予以貼合。此外，以使鍍敷液不會從側部滲入之方式，以絕緣膠帶將導電性基材的兩端5mm全周圍予 以覆蓋，並將滾輪與導電性基材貼合而構成1個旋轉體。
接著以第16圖所示之裝置構成，對旋轉體104進行電解銅鍍敷。陽極103係使用以白金形成塗膜後之鈦製的不溶性電極。陰極係以上述不鏽鋼製滾輪作為鼓輪電極。於電解銅鍍敷用的電解浴101中，係收納有焦磷酸銅：100g/L、焦磷酸鉀：250g/L、氨水(30%)：2ml/L、pH：8~9的水溶液之40℃的電解液102，並藉由泵浦106，通過配管105傳送至陽極103與旋轉體104之間予以注滿。旋轉體104的大致一半係浸漬於此電解液中。以使電流密度成為15A/dm2 之方式將電壓施加於兩電極，並進行鍍敷至析出於上述導電性基材之金屬的厚度大致為5μm為止。此時係以0.1m/分的速度使上述不鏽鋼滾輪旋轉。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印)
將實施例1A中所製作之黏著薄膜暫時捲取為滾輪狀，而構成滾輪狀的黏著薄膜。從該滾輪狀的黏著薄膜當中，將黏著薄膜予以捲出，並藉由層壓滾輪，於與實施例1A相同之層壓條件下，將該黏著劑層的面連續貼合於上述旋轉體(不鏽鋼滾輪)上所析出之金屬(銅)並予以剝離，藉此將金屬轉印至黏著薄膜的黏著劑層，而連續製作出附導體層圖型之基材。附導體層圖型之基材係捲取為滾輪狀。此外，此時係一邊將離型PET(s-32、帝人Du Pont株式會社(日本)製)層壓於黏著薄膜之轉印有導體層圖型的面，一邊予以捲取，藉此防止捲取時的阻礙。導體層圖型之線寬度為14~18μm、線間距為300±2μm、導體層厚度為4.5~6.5μm。即使將轉印有銅鍍敷之黏著薄膜捲取50m之後，形成於不鏽鋼滾輪之銅鍍敷與其轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第5圖(h)所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
(保護膜的形成)
將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除，並於形成有導體層圖型的面上，使用散佈機(Yoshimitsu精機株式會社(日本)製、YBA型)將UV硬化型樹脂(Aronix UV-3701、東亞合成株式會社(日本)製)以15μm厚予以塗膜，並使用手滾輪，以不使氣泡進入之方式將PET薄膜(Mylar D、帝人Du Pont株式會社(日本)製、75μm)緩慢地層壓後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線，而形成保護膜。
(重複使用)
使用上述所獲得之鍍敷轉印用導體層基材，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為5000次(使旋轉體旋轉5000次)，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變 化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例4A> (凸狀圖型的形成)~(附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
以與實施例1A相同之方式形成凸狀圖型，形成5~6μm的絕緣層，並將附著有絕緣層之凸狀圖型予以去除，而製作出凹版。
(銅鍍敷)
於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)255g/L、硫酸55g/L、CUBRITE #1A(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L之水溶液，20℃)中，將電壓施加於兩電極並設定陰極電流密度為7A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為4μm為止。銅鍍敷並未到達線開口部，鍍敷後的狀態係成為第6圖所示之狀態。
(轉印)
使用層壓滾輪，將於實施例1A中所製作之轉印用黏著薄膜的黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以 貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離後，使析出於上述凹版的凹部之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度22~27μm、線間距300±2μm、導體層厚度3~4μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第7圖所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為700次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<比較例1A> (凸狀圖型的形成)
以與實施例1A相同之方式形成凸狀圖型，而獲得厚度10μm、線寬度16~19μm、線間距300μm的凸狀圖型。此時，使導電性基材之表面的一端維持為未曝光的狀態，於顯影後使底層金屬暴露出。
(絕緣層的形成)
接著以形成有上述凸狀圖型之導電性基材為陰極，並以夾箝將上述底層金屬所露出的部分與電極連接，以陽極 為不鏽鋼(SUS304)板，於陽離子系電層積塗料(Insuleed 3020、日本Paint株式會社(日本)製)中，於15V及10秒的條件下，予以電層積塗裝於上述導電性基材。水洗後於110℃中進行10分鐘的乾燥後，於230℃、40分鐘的條件下，於氮氣氣流下進行燒結而形成絕緣層。爐內的氧濃度為0.1%。形成於平面部之絕緣層的厚度，大致為2.5μm。由於電層積塗料於原先未通電的部分並未成膜，因此於凸部的周邊並未成膜，然而，附著於光阻膜之電層積塗料未被完全洗淨，因此於以光阻膜所形成之凸部兩側亦附著有電層積塗料，其厚度為0.2~0.7μm。於電層積塗料時，並未形成凸狀圖型的側部與平面部上所形成的膜之交界面。
(附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將塗膜有電層積塗料之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置15分鐘。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之電層積塗料予以剝離。線的側部係形成種種形狀，但觀察出多處未形成有寬度朝向開口方向變寬之凹部的部分，且絕緣層的交界面並非平滑，而是觀察到多處的破裂面。此外，線亦存在有些許抖動。凹部的深度為2.5μm。此外，凹部之底部的寬度為16~25μm，開口部的寬度(最大寬度)為17~30μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
於上述所獲得的凹版之未形成有凹凸圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)70g/L、硫酸180g/L、Cupracid HL(Atotech Japan株式會社(日本)製、界面活性劑)、20℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為8A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為5μm為止。
(轉印)
以與實施例1A相同之方式，將形成於凹版上之銅的圖型轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度20~33μm、線間距300±2μm、導體層厚度4.7~6μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。轉印後的線係反映出導電性基材之線的抖動，因而觀察出抖動。於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
之後以與實施例1A相同之方式進行保護膜的形成，而獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷- 轉印製程，結果發現，銅鍍敷的轉印性逐漸惡化，於第5次即可視認出絕緣層的剝離處。
於實施例1A~4A及比較例1A中所獲得之凹版的特性值、鍍敷條件、導體層圖型的特性等，係如第1表所示。
接下來使用實施例1B~5B，更具體地說明本申請案的發明。
<實施例1B> (凸部圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、10μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼板(SUS316L、鏡面研磨加工、厚度300μm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖(a))。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以120mm見方的尺寸形成有圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面，此圖型之矩形光透射部之一邊的寬度為140μm、矩形間距為200μm、偏角為60°(於正四角形當中，矩形係以對正四方形的邊呈60度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由一邊的寬度為140~145μm、矩形間距為200μm、偏角為60°之光阻膜所構成之圖型(印刷圖型)。由於形成有圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜(對應於第3圖B)。
(膜的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為20μm之方式於中間層上形成DLC層(對應於第3圖C)。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為15~17μm。交界面的角度為45~50度。DLC膜的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有膜之凸部圖型的去除)
將附著有膜之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為19~20μm。此外，凹部之底部的寬度為140~143μm，開口部的寬度(最大寬度)為180~185μm。凹部的間距為200 μm，且可獲得具有凹部的均一形狀、凹部邊緣的直立性、及凹部深度的均一性之凹版。
使用上述凹版，可在不會產生膜的剝離下，重複進行1000次以上的凹紋印刷。
<實施例2B> (凸部圖型的形成)
將液狀光阻(ZPN-2000、日本Zeon株式會社製)塗佈於150mm見方的鈦板(純鈦、鏡面研磨加工、厚度400μm、日本金屬株式會社製)的兩面。塗佈3次並藉此獲得厚度6μm的光阻膜。於110℃進行1分鐘的預烘烤後，將以110mm見方的尺寸形成有圖型之負型的鉻遮罩，靜置於鈦板的單面，此圖型之矩形狀光透射部之一邊的寬度為120μm、矩形間距為150μm、偏角為60°(於正四角形當中，係以對正四角形的邊呈60度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下將基板予以吸附，從載置有鉻遮罩之鈦板的上方，照射200mJ/cm2 的紫外線。此外，內面係於未載置遮罩下照射200mJ/cm2 的紫外線。於115℃加熱1分鐘後，以2.38%的氫氧化四甲銨(TMAH)進行顯影，藉此，於鈦板上形成有由一邊的寬度120~122μm、矩形間距為150μm、偏角為60°之光阻膜所構成之圖型。
(膜的形成)
以與實施例1B相同之方式塗膜至中間層為止之後，使膜厚成為10μm之方式將DLC予以塗膜。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為7~8μm。交界面的角度為45~51度。膜厚及交界面的角度係以與實施例1B相同之方式進行測定。
(凹部的形成；附著有膜之凸部圖型的去除)
將附著有膜之鈦基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，一邊於50kHz中進行超音波並放置2小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為9~10μm。此外，凹部之底部的寬度為120~122μm，開口部的寬度(最大寬度)為140~142μm。凹部的間距為150μm，且可獲得具有凹部的均一形狀、凹部邊緣的直立性、及凹部深度的均一性之凹版。
使用上述凹版，可在不會產生膜的剝離下，重複進行1000次以上的凹紋印刷。
<實施例3B>
將液狀光阻(KMPR-1050、日本化藥株式會社製)以15μm的厚度塗佈於不鏽鋼基板(SUS304、314×150 mm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面。於90℃進行10分鐘的預烘烤後，將以110mm見方的尺寸形成有圖型之負型的鉻遮罩，排列2片並靜置於不鏽鋼板的單面上，此圖型之矩形光透射部之一邊的寬度為120μm、矩形間距為150μm、偏角為60°(於正四角形當中，係以對正四角形的邊呈60度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下將基板予以吸附，從載置有鉻遮罩之不鏽鋼板的上方，照射200mJ/cm2 的紫外線。此外，內面係於未載置遮罩下照射200mJ/cm2 的紫外線。於95℃加熱7分鐘後，以2.38%的氫氧化四甲銨(TMAH)進行顯影，藉此，於不鏽鋼板上形成有由一邊的寬度為120~125μm、矩形間距為150μm、偏角為60°之光阻膜所構成之圖型。
(膜的形成)
以與實施例2B相同之方式，使膜厚成為10μm之方式將DLC予以塗膜。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為6~7μm。交界面的角度為45~48度。
(凹部的形成；附著有膜之凸部圖型的去除)
將附著有膜之不鏽鋼基板浸漬於光阻剝離液(Remover PG、日本化藥株式會社製、70℃)，偶爾進行搖動並放置8小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分， 因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為9~10μm。此外，凹部之底部的寬度為120~123μm，開口部的寬度(最大寬度)為140~143μm。凹部的間距為150μm，且可獲得具有凹部的均一形狀、凹部邊緣的直立性、及凹部深度的均一性之凹版。
使用上述凹版，可在不會產生膜的剝離下，重複進行1000次以上的凹紋印刷。
<實施例4B> (凸部圖型的形成)~(附著有膜之凸部圖型的去除)
以與實施例2B相同之方式塗佈液狀光阻，藉由雷射曝光形成凸部光阻，且形成DLC膜為10μm，將附著有膜之凸部圖型予以去除而製作出凹紋印刷用滾輪，結果可獲得具有凹部的均一形狀、凹部邊緣的直立性、及凹部深度的均一性之凹版。
(重複使用)
使用上述凹版並進行凹紋印刷，結果可在不會產生膜的剝離下，重複進行1000次以上的凹紋印刷。
<實施例5B> (凹版用基材的製作)
首先準備200mm長度300mm的滾輪(SUS304、鏡面研磨加工、日新製鋼株式會社(日本)製)，使用PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)，以與實施例1B相同之方式於圓筒面的全面上形成DLC膜(厚度1μm)，並將其使用為凹版用基材。
(凸部圖型的形成)~(附著有膜之凸部圖型的去除)
使用上述凹版用基材取代實施例2B之150mm見方的鈦板，且以與實施例2B相同之方式進行液狀光阻的塗佈(周面)、凸部圖型的形成、DLC膜的形成(包含中間層的形成)及附著有膜之凸部圖型的去除，而製作出凹紋印刷用滾輪，結果可獲得具有凹部的均一形狀、凹部邊緣的直立性、及凹部深度的均一性之凹版。此凹紋印刷用滾輪，其凹部的底面亦由DLC膜所覆蓋，因此尤其可提升耐藥品性。
使用上述凹版(凹紋印刷用滾輪)，可在不會產生膜的剝離下，重複進行1000次以上的凹紋印刷。
接下來使用實施例1C~4C及比較例1C，更具體地說明本發明。
<實施例1C> (凸狀圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼 板(SUS316L、鏡面研磨加工、厚度300μm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖A)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將形成有圓形圖型之負型薄膜靜置於不鏽鋼板的單面，此圖型的光不透射部之圓形圖型的直徑為100μm、圓形圖型的間距為150μm，圓形圖型的配置為鋸齒狀(每一列之圓形圖型的列係配置為鋸齒狀)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有直徑為98~99μm的突起部(厚度15μm)、突起部的間距為150μm、且配列為鋸齒狀之光阻膜的凸狀圖型。這些數值係藉由光學顯微鏡至少觀測5點以上而求取。上述直徑為突起部的最大直徑(d1 )，且為突起部上部的直徑。突起部與導電性基材之接觸部的直徑，係較此最大直徑還小約0~1μm。此外，突起部的最小直徑，係較最大直徑還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的直徑。這些直徑係以掃描式電子顯微鏡(SEM)於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
由於形成有圖型之面的相反面係予以全面曝光，因此未予以顯影而在全面形成有光阻膜(對應於第3圖B)。
(絕緣層的形成)
使用PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。亦即，將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為5~6μm之方式於中間層上形成DLC層(對應於第3圖C)。此時以光阻膜所形成之光阻圖型的兩側面之DLC膜的厚度為4~6μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(附著有絕緣層之光阻圖型的去除與絕緣層圖型的形成)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
以與上述SEM觀察為同樣方式進行觀察，此凹版之絕緣層的形狀為朝向底部呈末端擴大之凸狀，該凸部絕緣層之側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。絕緣層的 高度為5~6μm。絕緣層底面的直徑為98~99μm，絕緣層上面的直徑(最小直徑)為86~91μm。絕緣層的間距為150μm。這些數值係藉由光學顯微鏡至少觀測5點以上而求取。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)250g/L、硫酸70g/L、CUBRITE AR(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L之水溶液。30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為10A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的表面之金屬的厚度大致為20μm為止。結果為，銅箔係以覆蓋導電性基材的暴露面及絕緣層的端部之方式形成(參照第14圖)。
(剝離)
將凹版上所形成之銅箔予以剝離。藉此可獲得形成有圖型之銅箔，此圖型係具備以孔間距150μm配置有鋸齒狀之直徑為57~60μm的孔之圖型。這些數值係藉由光學顯微鏡至少觀測5點以上而求取。形成有此圖型之銅箔的形狀係反映出第14圖所示之絕緣層的形狀，且於孔的周圍具有階差部11，接續於階差部11之傾斜部12，於底 面圖中係從直徑較大的外周朝向直徑較小的內周傾斜。
於觀察剝離後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-銅箔剝離製程為500次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例2C> (凸狀圖型的形成)
將液狀光阻(ZPN-2000、日本Zeon株式會社製)塗佈於150mm見方的鈦板(純鈦、鏡面研磨加工、厚度400μm、日本金屬株式會社製)的兩面。塗佈3次並藉此獲得厚度6μm的光阻膜。於110℃進行1分鐘的預烘烤後，將以110mm見方的尺寸形成有圖型之負型的負型遮罩，靜置於鈦板的單面，此圖型的光不透射部之圓形圖型的直徑為50μm、圓形圖型的間距為70μm，圓形圖型的配置為鋸齒狀(每一列之圓形圖型的列係配置為鋸齒狀)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下將基板予以吸附，從載置有負型遮罩之鈦板的上方，照射200mJ/cm2 的紫外線。此外，內面係於未載置遮罩下照射200mJ/cm2 的紫外線。於115℃加熱1分鐘後，以2.38%的氫氧化四甲銨(TMAH)進行顯影，藉此，於鈦板上形 成有直徑為49~50μm的突起部(厚度6μm)、突起部的間距為70μm、且配列為鋸齒狀之光阻膜的凸狀圖型。直徑及間距係以與實施例1C相同之方式進行測定。上述直徑為突起部的最大直徑(d1 )，且為突起部上部的直徑。突起部與導電性基材之接觸部的直徑，於以與實施例1C相同之方式進行測定時，係較此最大直徑還小約0~0.5μm。此外，突起部的最小直徑，係較最大直徑還小約0~1μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的直徑。
(絕緣層的形成)
以與實施例1C相同之方式塗膜至中間層為止之後，使膜厚成為2~2.5μm之方式將DLC予以塗膜。此時以光阻膜所形成之圖型的兩側面之DLC膜的厚度為1.8~2.5μm。交界面的角度為45~47度。膜厚及交界面的角度係以與實施例1C相同之方式進行測定。
(附著有絕緣層之光阻圖型的去除與絕緣層圖型的形成)
將附著有絕緣層之鈦基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，一邊以50kHz施加超音波並放置2小時。將光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
以與實施例1C相同之方式進行SEM觀察，凹版之絕 緣層的形狀係朝向底部呈末端擴大，該凸部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。絕緣層的高度為2~2.5μm。此外，以與實施例1C相同之方式進行測定，絕緣層底部的直徑為49~50μm，絕緣層上部的直徑(最小直徑)為44~46μm。絕緣層的間距為70μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以銅板為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(焦磷酸銅100g/L、焦磷酸鉀250g/L、氨水(30%)：2ml/L、pH：8~9、浴溫：30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定陰極電流密度為5A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的表面之金屬的厚度大致為20μm為止。結果，銅箔係以覆蓋導電性基材的表面及絕緣層的端部之方式形成(參照第14圖)。
(剝離)
將凹版上所形成之形成有圖型的銅箔予以剝離。以與實施例1C相同之方式進行測定，可獲得形成有圖型之銅箔，此圖型係具備以孔間距70μm配置有鋸齒狀之直徑為8~11μm的孔之圖型。形成有此圖型之銅箔的形狀係反映出第6圖所示之絕緣層的形狀，且於孔的周圍具有階 差部11，接續於階差部11之傾斜部12，於底面圖中係從直徑較大的外周朝向直徑較小的內周傾斜。
於觀察剝離後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-剝離製程為700次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例3C> (凸狀圖型的形成)
將液狀光阻(KMPR-1050、日本化藥株式會社製)以10μm的厚度塗佈於不鏽鋼基板(SUS304、314×150mm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面。於90℃進行10分鐘的預烘烤後，將以110mm見方的尺寸形成有圖型之負型遮罩，排列2片並靜置於不鏽鋼板的單面上，此圖型的光不透射部之圓形圖型的直徑為60μm、圓形圖型的間距為80μm，圓形圖型的配置為鋸齒狀(每一列之圓形圖型的列係配置為鋸齒狀)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下將基板予以吸附，從載置有負型遮罩之不鏽鋼板的上方，照射200mJ/cm2 的紫外線。此外，內面係於未載置遮罩下照射200mJ/cm2 的紫外線。於95℃加熱7分鐘後，以2.38%的氫氧化四甲銨(TMAH) 進行顯影，藉此，於不鏽鋼板上形成有直徑為59~60μm的突起部、突起部的間距為80μm、且配列為鋸齒狀之光阻膜的凸狀圖型。直徑及間距係以與實施例1C相同之方式進行測定。上述直徑為突起部的最大直徑(d1)，且為突起部上部的直徑。突起部與導電性基材之接觸部的直徑，於以與實施例1C相同之方式進行測定時，係較此最大直徑還小約0~0.8μm。此外，突起部的最小直徑，係較最大直徑還小約0~1.5μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的直徑。
(絕緣層的形成)
以與實施例2C相同之方式，使膜厚成為3~4μm之方式將DLC予以塗膜。此時以光阻膜所形成之光阻圖型的兩側面之DLC膜的厚度為2.7~4μm。交界面的角度為45~48度。
(附著有絕緣層之光阻圖型的去除與絕緣層圖型的形成)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於光阻剝離液(Remover PG、日本化藥株式會社製、70℃)，偶爾進行搖動並放置8小時。將光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
以與實施例1C相同之方式進行SEM觀察，絕緣層的形狀係呈末端擴大，該絕緣層側面的傾斜角係與上述交界 面的角度相同。絕緣層的高度為3~4μm。此外，以與實施例1C相同之方式進行測定，絕緣層底部的直徑為59~60μm，絕緣層上部的直徑(最小直徑)為51~54μm。絕緣層的間距為80μm。
(銅鍍敷)
以使上述所製作之凹版的背面與滾輪接觸之方式，捲取於100mm、寬度200mm的不鏽鋼滾輪，並以絕緣膠帶將接合處予以貼合。此外，係以使鍍敷液不會從側部滲入之方式，以絕緣膠帶將導電性基材的兩端5mm全周圍予以覆蓋，並將滾輪與導電性基材貼合而構成1個旋轉體。
接著以第16圖所示之裝置構成，對旋轉體104進行電解銅鍍敷。陽極103係使用以白金形成塗膜後之鈦製的不溶性電極。陰極係以上述不鏽鋼製的滾輪作為鼓輪電極。於電解銅鍍敷用的電解浴101中，係收納有焦磷酸銅：100g/L、焦磷酸鉀：250g/L、氨水(30%)：2ml/L、pH：8~9的水溶液之40℃的電解液102，並藉由泵浦106，通過配管105傳送至陽極103與旋轉體104之間予以注滿。旋轉體104的大致一半係浸漬於此電解液中。以使電流密度成為15A/dm2 之方式將電壓施加於兩電極，並進行鍍敷至析出於上述導電性基材之金屬的厚度為20μm為止。此時係以0.1m/分的速度使上述不鏽鋼滾輪旋轉。結果，銅箔係以覆蓋導電性基材的表面及絕緣層 的端部之方式形成。
(剝離)
將凹版上所形成之銅的圖型予以剝離。藉此獲得形成有圖型之銅箔，此圖型係由孔徑18~21μm、孔間距80μm所形成。形成有此圖型之銅箔的形狀係反映出第14圖所示之絕緣層的形狀，且於孔的周圍具有階差部21，接續於階差部21之傾斜部22，於底面圖中係從直徑較大的外周朝向直徑較小的內周傾斜。
於觀察剝離後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
(重複使用)
使用上述所獲得之鍍敷轉印用導體層基材，重複進行與上述相同之銅鍍敷-剝離製程為5000次(使旋轉體旋轉5000次)，結果發現，於銅鍍敷的剝離性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例4C> (凸狀圖型的形成)~(附著有絕緣層之光阻圖型的去除及絕緣層圖型的形成)
以與實施例1C相同之方式，於不鏽鋼板上形成凸狀圖型，並進行絕緣層的形成、附著有絕緣層之光阻圖型的去除及絕緣層圖型的形成，而製作出凹版。
(銅鍍敷)
於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)255g/L、硫酸55g/L、CUBRITE #1A(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L之水溶液、20℃)中，將電壓施加於兩電極並設定陰極電流密度為7A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的表面之金屬的厚度大致為70μm為止。銅鍍敷係覆蓋絕緣層，鍍敷後的狀態係成為第7圖所示之狀態。
(剝離)
將凹版上所形成之形成有圖型的銅箔予以剝離。形成於銅箔之圖型，係成為圓形凹部而形成於銅箔，且由凹部入口直徑98~99μm，凹部底面直徑86~91μm，圓形凹部間距150μm所形成，如第7圖所示，凹部係反映出絕緣層的形狀，且從凹部入口朝向底面成為狹幅。直徑及間距係以光學顯微鏡測定5點以上。
於觀察剝離後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為700次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<比較例1C> (孔圖型的形成)
以與實施例1C相同之方式形成凸狀圖型，而獲得直徑為98~99μm、間距為150μm的孔圖型。此時，使導電性基材之表面的一端維持為未曝光的狀態，於顯影後使底層金屬暴露出。
(絕緣層的形成)
接著以形成有上述光阻圖型之導電性基材為陰極，並以夾箝將上述底層金屬所暴露出之部分與電極連接，以陽極為不鏽鋼(SUS304)板，於陽離子系電層積塗料(Insuleed 3020、日本Paint株式會社(日本)製)中，於15V及10秒的條件下，予以電層積塗裝於上述導電性基材。水洗後於110℃中進行10分鐘的乾燥後，於230℃、40分鐘的條件下，於氮氣氣流下進行燒結而形成絕緣層。爐內的氧濃度為0.1%。形成於平面部(導電性基材上)之絕緣層的厚度，大致為2~3μm。由於電層積塗料於原先未通電的部分未成膜，因此於光阻圖型的上部並未成膜，然而，附著於光阻膜之電層積塗料未被完全洗淨，因此於以光阻膜所形成之光阻圖型的兩側面亦附著有電層 積塗料膜，其厚度為0.2~0.7μm。於電層積塗料時，並未形成光阻圖型側面部與平面部(導電性基材上)所形成的膜之交界面。
(附著有絕緣層之光阻圖型的去除)
將塗膜有電層積塗料之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置15分鐘。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之電層積塗料予以剝離。絕緣層的側面部係形成種種形狀，但觀察出多處絕緣層未形成末端寬廣之處，且絕緣層的交界面並非平滑，而是觀察到多處的破裂面。此外，絕緣層亦存在有些許抖動。
(銅鍍敷)
於上述所獲得的凹版之未形成有凸部的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)70g/L、硫酸180g/L、Cupracid HL(Atotech Japan株式會社(日本)製、界面活性劑、20℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為8A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的表面之金屬的厚度大致為20μm為止。
(剝離)
將凹版上所形成之銅的圖型予以剝離。大致上可獲得形成有由孔徑57~60μm、孔間距150μm所構成的圖型之銅箔，但是孔的圖型形狀具有抖動，而無法獲得完整的圖型。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-剝離製程，結果發現，於第7次即可視認出絕緣層的剝離處。
於實施例1C~4C及比較例1C中所獲得之凹版的特性值、鍍敷條件、導體層圖型的特性等係如第2表所示。
接下來使用實施例1D~4D，更具體地說明本發明。
<實施例1D> (凸部圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼板(SUS316L、鏡面研磨加工、厚度300μm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖A)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為15μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由線寬度16~19μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~1μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
由於形成有凸部圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予以顯影而於全面上形成有光阻膜(對應於第3圖B)。
(絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為2μm之方式於中間層上形成DLC層(對應於第3圖C)。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為2μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸部圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全 面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為2μm。此外，凹部之底部的寬度為16~19μm，開口部的寬度(最大寬度)為21~27μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並使用鐵氟龍(Teflon；註冊商標)膠帶固定於旋轉鼓輪電極而進行電解銅鍍敷。電解銅鍍敷浴的浴組成及電解條件如下所述。
焦磷酸銅的濃度：100g/L
焦磷酸鉀的濃度：250g/L
氨水(30%)使用量：2ml/L
pH：8~9
浴溫：30℃
陽極：銅板
鍍敷浴的攪拌僅以穩定的液體循環進行。於導電性基材之凹部的金屬面上，以電流密度10A/dm2 進行鍍敷至所析出之金屬的厚度成為5μm為止。此階段所析出之金屬為紅色，導電度為表面電阻率0.1Ω/□(片電阻)。之 後將電流密度變更為50A/dm2 並持續進行5秒的鍍敷而使表面黑化。從鍍敷浴中取出附有表面經黑化處理後的導體圖型之導電性基材，進行水洗並加以乾燥。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度20~25μm、線間距300±2μm、導體層厚度平均為5μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖H所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣 層產生剝離之處。線寬度及導體層厚度的測定，係將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對凹部的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值(以下亦相同)。線間距的測定，係使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下進行觀察並測定，測定係隨機採取5點而進行(以下亦相同)。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷轉印製程為500次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
(明度及色度的測定)
使用分光測色計CM-508d(Konica-Minolta Holdings株式會社(日本)製)測定所獲得的附導體層圖型之基材之明度及色度。此測定係於基材的下側鋪設明度L*為25的黑色紙，並於反射模式中進行。
測定對象為表面經黑化處理後的導體層圖型，開口面積約為85%。測定後的結果為明度L*為40，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為2.22，b*為1.74，均可獲得色相較低之值。
<實施例2D>
使用Photec RY3415(15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)，作為實施例1D之凸部圖型形成時所使用之光阻薄膜，使用JFE443(鏡面研磨加工、厚度0.8mm、JFE Steel株式會社(日本)製)作為導電性基材而取代SUS316L，除此之外均與實施例1D相同而製造出附導體層圖型之基材。於所獲得之附導體層圖型之基材上，以與實施例1D相同之方式進行紅色且接著為黑色之電解鍍敷，且以與實施例1D相同之方式轉印至轉印用黏著薄膜後，形成保護膜。
此外，使用本凹版重複進行銅鍍敷轉印製程為1000次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
此外，以與實施例1D相同之方式測定所獲得之導體層圖型的明度及色度。測定對象為表面經黑化處理後的導體層圖型，開口面積約為85%。測定後的結果為明度L*為47，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為0.75，b*為2.54，均可獲得色相較低之值。
<實施例3D>
係使用Photec RY3525(25μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)，作為實施例1D之凸部圖型的形成時所使用之光阻薄膜，使用鈦板(鏡面研磨加工、厚度0.5mm、日本Stainless工材株式會社製)作為導電性基材而取代SUS316L，除此之外均與實施例1D相同而製造出附導體層圖型之基材。於所獲得之附導體層圖型之基材上，以與實施例1D相同之方式進行紅色且接著為黑色之電解鍍敷，且以與實施例1D相同之方式轉印至轉印用黏著薄膜後，形成保護膜。
此外，使用本凹版重複進行銅鍍敷轉印製程為1000次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
此外，以與實施例1D相同之方式測定所獲得之導體層圖型的明度及色度。測定對象為表面經黑化處理後的導體層圖型，開口面積約為80%。測定後的結果為明度L*為39，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為1.72，b*為1.82，均可獲得色相較低之值。
<實施例4D>
於以與實施例1D相同之方式製作出之附導體層圖型之基材上，進行紅色且接著為黑色之電解鍍敷至金屬厚度成為5μm為止。之後，以與實施例1D相同之方式轉印至轉印用的紫外線硬化型黏著薄膜(商品名稱KH-1510X、日立化成工業株式會社(日本)製)後，將覆蓋薄膜予以層壓並照射0.5mJ/cm2 的紫外線。之後與實施例1D相同形成保護膜。
此外，使用本凹版重複進行銅鍍敷轉印製程為1000次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
此外，以與實施例1D相同之方式測定所獲得之導體層圖型的明度及色度。測定對象為表面經黑化處理後的導體層圖型，開口面積約為85%。測定後的結果為明度L*為46，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為0.92，b*為1.1，均可獲得色相較低之值。
接下來使用實施例1E~2E，更具體地說明本發明。
<實施例1E> (凸狀圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼板(SUS304、鏡面研磨加工、厚度300μm、日新製鋼株 式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖A)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為5μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由線寬度5~7μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。由於形成有圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜(對應於第3圖B)。
上述線寬度為突起部的最大寬度(d1 )，且為突起部上部的寬度。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~1μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
(絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽 鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為3~4μm之方式於中間層上形成DLC層(對應於第3圖C)。此時以光阻膜所形成之突起部兩側之DLC膜的厚度為3~4μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為5~6μm。此外，凹部之底部的寬度為5~7μm，開口部的寬度(最大寬度)為11~15μm。凹部的間距為300μm。
如上所示製成凹版。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以銅板為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(焦磷酸銅100g/L、焦磷酸鉀250g/L、氨水(30%)：2ml/L、pH：8~9、浴溫：30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定陰極電流密度為5A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為3.5μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度125μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的接著處理面上，依序塗佈厚度為15μm之轉印用樹脂組成物1並進行乾燥作為黏著劑層，而製作出轉印用黏著薄膜。
<轉印用樹脂組成物1>
胺基甲酸酯系丙烯酸丙烯酸酯聚合物(Tg=-10~20℃、Mw=20000、品名：Hitaloid 4872-H6、日立化成工業株式會社(日本)製)80重量份；胺基甲酸酯系丙烯酸丙烯酸酯寡聚物(Tg=50℃、Mw=2200、品名：Hitaloid 7903-3、日立化成工業株式會社(日本)製)20重量份； 光聚合起始劑(α-1-羥苯基酮(α-1-Hydroxyphenyl Ketone)、品名：Irg184、Chiba Specialty Chemicals株式會社(日本)製)3重量份；及作為稀釋溶劑之甲苯及丁酮 各3重量份
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於貼合導電型基材之狀態下，使用UV照射裝置(Eye Graphics株式會社(日本)製、型式：SUV-F1 Eye Graphics株式會社(日本)製)，從轉印用黏著薄膜的基材PET面側照射1000mJ/cm2 的紫外線，使轉印用黏著薄膜硬化。
接著，於將貼合於凹版之轉印用黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅，完整的轉印至黏著薄膜。轉印後之格子狀的導體層圖型，不具有彎折或扭曲、浮起等不良情形，且線的形成性亦為良好。此外，即使將轉印用黏著薄膜從導電型基材剝離，亦未於導電型基材的表面觀察到轉印用黏著薄膜的移動。
藉此，可獲得由線寬度14~18μm、線間距300±2μm、導體層厚度(最大)4.5~6.5μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖H所示般，寬度從下部朝向上 部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1000mJ/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
<實施例2E> (銅鍍敷)
以與實施例1E相同之方式，於與實施例1E中所獲得者為相同之凹版之未形成有圖型的一面(內面)上進行鍍敷。析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為3.5μm，並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度125μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的接著處理面上，依序塗佈厚度為15μm之轉印用樹脂組成物2並進行 乾燥以作為黏著劑層，而製作出轉印用黏著薄膜。
<轉印用樹脂組成物2>
丙烯酸丙烯酸酯聚合物(Tg=-36℃、Mw=500000~800000、品名：SK-Dyne SK2094、綜研化學株式會社(日本)製)100重量份；硬化劑(品名：SK-Dyne用E-AX、綜研化學株式會社(日本)製)0.054重量份；及光聚合起始劑(α-1-羥苯基酮、品名：Irg184、Chiba Speeialty Chemicals株式會社(日本)製)3重量份
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於貼合導電型基材之狀態下，使用UV照射裝置(Eye Graphics株式會社(日本)製、型式：SUV-F1 Eye Graphics株式會社(日本)製)，從轉印用黏著薄膜的基材PET面側，於轉印用樹脂組成物2照射100mJ/cm2 (轉印用樹脂組成物2的硬化率(以下僅稱為硬化率)為51%)、500mJ/cm2 (硬化率76%)、1000mJ/cm2 (硬化率94%)、2000mJ/cm2 (硬化率100%)，使形成轉印用黏著薄膜的黏著層之轉印用樹脂組成物2硬化。
於將貼合於凹版之轉印用黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅，完整的轉印至黏著薄膜。轉印後之格子狀的導體層圖型，不具有彎折或扭曲、浮起等不良情形，且線的形成性亦為良好。此外，即使將轉印用黏著薄膜從導電型基材剝離，亦未於導電型基材的表面觀察到轉印用黏著薄膜的移動。
以上，於任一情況中，均可獲得由線寬度15~17μm、線間距300±2μm、導體層厚度(最大)4.5~6.0μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖H所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於實施例1E~2E之任一者中，對導體層圖型的轉印性(析出於凹版上之鍍敷是否完全轉印至轉印用黏著薄膜)，以及樹脂的殘渣是否存在於凹版(將析出於凹版上之鍍敷轉印至轉印用黏著薄膜時，黏著薄膜樹脂是否完全不殘留於凹版)進行調查，結果均不存在問題。
[關於轉印樹脂組成物的硬化率測定]
形成轉印用黏著薄膜的黏著層之轉印樹脂組成物的硬化率測定，係使用Photo DSC(光化學反應熱熱量計，例如為型式PDC121U、Seiko Instruments株式會社(日本)製)。測定原理為，藉由紫外線等的照射使測試材產生光化學反應(光聚合反應等)，並直接測定反應時所產生的 熱之裝置，可簡單且於高精密度下測定光聚合或光硬化等的反應特性。
(評估方法)
於本測定裝置中，存在有2處的反應熱檢測部。將完全硬化品作為對照樣本投入至某一側，再將樣本投入至另一側。並非僅使用空的鋁鍋而是投入測試材的完全硬化品作為對照樣本之理由，係在於將鋁鍋所產生的輻射熱予以重設之故。
於鋁鍋內投入0.5g的轉印樹脂組成物作為測試材，並於紫外線5mW/cm2 、10min、25℃的條件下照射紫外線時所產生的反應熱，以圖表方式輸出，以基準線為基準，求取發熱曲線及基準線所包圍之面積，並將此設定為發熱量。這些均為全自動進行，因此容易使用。
測試材係使用未硬化品及活性能量線的照射品，並先測定各個測試材至完全硬化時所產生的反應熱。
硬化率的決定，係將未硬化品設定為硬化率0%，將所產生的反應熱設定為全硬化反應熱H0 ，以活性能量線的照射品所產生的反應熱作為殘留硬化反應熱H，並藉由下列第2式求取硬化率C(%)。
[數學式2]C=(1-(殘留硬化反應熱H/全硬化反應熱H0 ))×100% (第2式)
第3表係表示，使用光化學反應熱熱量計(型式PDC121U、Seiko Instruments株式會社(日本)製)，對於上述轉印樹脂組成物2，以未硬化品、紫外線100mJ/cm2 照射品、紫外線500mJ/cm2 照射品、紫外線1000mJ/cm2 照射品、及紫外線2000mJ/cm2 照射品作為測試材進行測定後之反應熱。
接下來使用實施例1F~3F，更具體地說明本發明。
<實施例1F> (絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將經鏡面研磨後的不鏽鋼基板(SUS316L、100mm×150mm×0.3mmt)放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為2~3μm之方式於中間層上 形成DLC層(對應於第4圖(b))。絕緣層的厚度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且採用最大值及最小值。
(凹部的形成)
係使用飛秒雷射加工裝置(Surfbeat R、Canon Machinery株式會社(日本)製)進行加工。將峰值波長800nm、脈衝寬度約150fs的雷射脈衝控制為直線偏光，於大氣中照射在導電性基材上所形成之絕緣層的表面。對50mm□的面積進行加工，並形成底部的線寬度12~14μm、線間距350μm之格子狀圖型。凹部的角度為17°~20°，開口部的線寬度為19~24μm。凹部的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且採用最大值及最小值。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)250g/L、硫酸70g/L、CUBRITE AR(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L 之水溶液、30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為10A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致8μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度40℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度28~31μm、線間距350±2μm、導體層厚度(最大)8μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖E所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。線寬度及導體層厚度的測定，係將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對凹部的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值(以下亦相同)。線間距的測定，係使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下進行觀察並測定，測定係隨機採取5點而進行(以下亦相同)。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為300次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產 生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例2F> (絕緣層的形成)
使用經#600研磨後的鈦TP270C板(100mm×100mm×0.5mmt、株式會社神戶製鋼所(日本)製)作為導電性基材，以與實施例1F相同之方式塗膜至中間層為止之後，使膜厚成為5~6μm之方式地將DLC層予以塗膜。
(凹部的形成)
係使用飛秒雷射加工裝置(Surfbeat R、Canon Machinery株式會社(日本)製)進行加工。將峰值波長800nm、脈衝寬度約150fs的雷射脈衝控制為圓偏光，於大氣中照射在導電性基材上所形成之絕緣層的表面。一邊吹入壓縮空氣作為輔助氣體，一邊進行加工。對50mm□的面積進行加工，並形成底部的線寬度8~11μm、線間距275μm之格子狀圖型。凹部的角度為21°~24°，開口部的線寬度為34~37μm。凹部的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且採用最大值及最小值。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面 (內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以銅板為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(焦磷酸銅100g/L、焦磷酸鉀250g/L、氨水(30%)：2ml/L、pH：8~9、浴溫：30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定陰極電流密度為6A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為10μm為止。並且於凹版的凹部中形成鍍敷。由於開口部的寬度較寬，因此於寬度方向上，凹部並未完全埋入鍍敷。
(轉印)
以與實施例1F相同之方式，將形成於凹版上之銅的圖型轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度28~31μm、線間距275±2μm、導體層厚度10μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，雖然寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，但於寬度方向上凹部並未完全埋入。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
之後以與實施例1F相同之方式進行保護膜的形成，而獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷- 轉印製程為700次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例3F> (絕緣層的形成)
使用經鏡面研磨後的SUS304不鏽鋼箔(314mm×100mm×0.15mmt、日新製鋼株式會社(日本)製)作為基材，以與實施例2F相同之方式使膜厚成為0.1μm之方式將DLC予以塗膜。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為1~2μm。
(凹部的形成)
係使用飛秒雷射加工裝置(Surfbeat R、Canon Machinery株式會社(日本)製)進行加工。將峰值波長800nm、脈衝寬度約200fs的雷射脈衝控制為直線偏光，於大氣中照射在導電性基材上所形成之絕緣層的表面。一邊吹入壓縮空氣作為輔助氣體，一邊進行加工。於面內加工2處50mm□的面積，並形成底部的線寬度25~26μm、線間距300μm之格子狀圖型。凹部的角度為18度~20度，開口部的線寬度為30~37μm。凹部的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且採用最大值及最小值。
(銅鍍敷)
以使上述所製作之凹版的背面與滾輪接觸之方式，捲取於100mm、寬度200mm的不鏽鋼滾輪，並以絕緣膠帶將接合處予以貼合。此外，係以使鍍敷液不會從側部滲入之方式，以絕緣膠帶將導電性基材的兩端5mm全周圍予以覆蓋，並將滾輪與導電性基材貼合而構成1個旋轉體。
接著以第16圖所示之裝置構成，對旋轉體104進行電解銅鍍敷。陽極103係使用以白金形成塗膜後之鈦製的不溶性電極。陰極係以上述不鏽鋼製的滾輪作為鼓輪電極。於電解銅鍍敷用的電解浴101中，係收納有硫酸銅(5水合物)255g/L、硫酸55g/L、CUBRITE #1A(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L的水溶液之20℃的電解液102，並藉由泵浦106，通過配管105傳送至陽極103與旋轉體104之間予以注滿。旋轉體104的大致一半係浸漬於此電解液中。以使電流密度成為15A/dm2 之方式將電壓施加於兩電極，並進行鍍敷至析出於上述導電性基材之金屬的厚度為5μm為止。此時係以0.1m/分的速度使上述不鏽鋼滾輪旋轉。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印)
將實施例1F中所製作之黏著薄膜暫時捲取為滾輪狀，而構成滾輪狀的黏著薄膜。從該滾輪狀的黏著薄膜當 中，將黏著薄膜予以捲出，並藉由層壓滾輪110，於與實施例1F相同之層壓條件下，將該黏著劑層的面連續貼合於上述旋轉體(不鏽鋼滾輪)上所析出之金屬(銅)並予以剝離，藉此將金屬轉印至黏著薄膜的黏著劑層，而連續製作出附導體層圖型之基材。附導體層圖型之基材係捲取為滾輪狀(圖中未顯示)。此外，此時係一邊將離型PET(S-32、帝人Du Pont株式會社(日本)製)層壓於黏著薄膜之轉印有導體層圖型的面，一邊予以捲取，藉此防止捲取時的阻礙。導體層圖型之線寬度為35~38μm、線間距為300±2μm、導體層厚度為5μm。即使將轉印有銅鍍敷之黏著薄膜捲取50m之後，形成於不鏽鋼滾輪上之銅鍍敷與其轉印性，並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第8圖(h)所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
(保護膜的形成)
將上述所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除，並於形成有導體層圖型的面上，使用散佈機(Yoshimitsu精機株式會社(日本)製、YBA型)將UV硬化型樹脂(Aronix UV-3701、東亞合成株式會社(日本)製)予以塗膜為15μm，並使用手滾輪，以不使氣泡進入之方式將PET薄膜(Mylar D、帝人Du Pont株式會社(日本)製、75μm)緩慢地層壓後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的 紫外線，而形成保護膜。
(重複使用)
使用上述所獲得之鍍敷轉印用導體層基材，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為650次(使旋轉體旋轉650次)，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
上述實施例之規格及測試結果如第4表所示。
以下係使用實施例1G~4G，具體說明本發明。
<實施例1G>
以下列規格製作出圖型形成用的負型薄膜。
(圖型規格1)
以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度12μm、線間距300μm、偏角45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。惟於距離上述圖型的端部為50mm內側之區域寬度0.5mm的特定區域中，係形成線寬度12μm、線間距150μm、偏角45°之格子狀圖型。於上述規格中，特定區域係設置於四邊(參照第20圖)。
(凸狀圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、10μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼板(SUS316L、#400研磨加工、厚度500μm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖A)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著將圖型規格1的負型薄膜靜置於不鏽鋼板的單面。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射250mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行 顯影，藉此，於SUS板上形成有：線寬度15~17μm、線間距300μm、偏角45°之突起部光阻膜(突起部；高度10μm)；以及在距離上述圖型的端部為50mm內側的四邊上，於區域寬度為0.5mm中由線寬度15~17μm、線間距150μm、偏角45°之格子狀圖型所構成之突起部光阻膜(突起部；高度10μm)。由於形成有圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜(對應於第3圖B)。
(絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為2~3μm之方式於中間層上形成DLC層(對應於第3圖C)。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為2~3μm。此外，凹部之底部的寬度為15~17μm，開口部的寬度(最大寬度)為19~23μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)250g/L、硫酸70g/L、CUBRITE AR(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L之水溶液、30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為10A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為4μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式形成鍍敷。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而 製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得：由全體為線寬度23~25μm、線間距300μm、導體層厚度(最大)4~5μm之格子狀導體層圖型；以及於距離上述圖型的端部為50mm內側，於區域寬度0.5mm的區域中形成有線寬度22~24μm、線間距150μm、偏角45°、導體層厚度(最大)3.5~4.5μm的格子狀圖型之格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。
導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖H所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。可視認為線狀之圖型的視認性為良好。相對於線間距300μm的部分之開口率(T1)為84.0%，線間距150μm的部分之開口率(T2)為70.6%，該比例T2/T1為82.6%。此外，於剝離轉印時並未發生鍍敷彎折。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層 圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。導體層圖型的形狀如第20圖所示。
<實施例2G>
以下列規格製作出圖型形成用的負型薄膜。
(圖型規格2)
以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度15μm、線間距300μm、偏角45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。此外，於距離上述圖型的端部為50mm內側之1邊上，於區域寬度1mm中，形成線寬度15μm、線間距75μm、偏角45°的格子狀圖型作為特定區域(參照第21圖)。
除了採用圖型規格2取代圖型規格1之外，其他均與實施例1G相同，而獲得第5表所示之凸狀圖型且製作出附導體層圖型之基材。藉此可獲得：由線寬度23~25μm、線間距300μm、導體層厚度(最大)4~5μm之格子狀導體層圖型；以及於距離上述圖型的端部為50mm內 側之1邊上，於區域寬度1mm中形成有線寬度21~23μm、線間距75μm、偏角45°、導體層厚度(最大)3.0~4.0μm的格子狀圖型之格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。
導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖H所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。可視認為線狀之圖型的視認性為良好。相對於線間距300μm的部分之開口率(T1)為84.0%，線間距75μm的部分之開口率(T2)為48.1%，該比例T2/T1為57.3%。此外，於剝離轉印時並未發生鍍敷彎折。導體層圖型的形狀如第21圖所示。
<實施例3G>
以下列規格製作出圖型形成用的負型薄膜。
(圖型規格3)
以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度15μm、線間距300μm、偏角45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。此外，於距離上述圖型的端部為50mm內側之4邊上，於區域寬度2mm中，將於上述格子狀圖型的中間形成有線寬度15μm、長度2.83mm、偏角45°的斜線之圖型予以形成而作為特定區域(參照第22圖)。
除了採用圖型規格3取代圖型規格1之外，其他均與實施例1G相同，而獲得第5表所示之凸狀圖型且製作出附導體層圖型之基材。藉此可獲得：由線寬度23~25μm、線間距300μm、導體層厚度(最大)4~5μm之格子狀導體層圖型；以及於距離上述圖型的端部為50mm內側之4邊上，於區域寬度2mm中形成有線寬度22~24μm、線間距150μm、偏角45°、導體層厚度(最大)3.0~4.0μm的斜線之格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。
導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第5圖(h)所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。可視認為線狀之圖型的視認性為良好。相對於線間距300μm的部分之開口率(T1)為84.0%，線間距150μm的部分之開口率(T2)為77.3%，該比例T2/T1為92.0%。此外，於剝離轉印時並未發生鍍敷彎折。導體層圖型的形狀如第22圖所示。
<實施例4G> (圖型規格4)
以下列規格製作出圖型形成用的負型薄膜。以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度15μm、線間距300μm、偏角45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而 配置)。此外，於距離上述圖型的端部為50mm內側之4邊上，於區域寬度2mm中，將於上述格子狀圖型的中間形成有線寬度15μm、長度2.83mm、偏角45°的斜線之圖型予以形成而作為特定區域(參照第23圖)。
除了採用圖型規格4取代圖型規格1之外，其他均與實施例1G相同，而獲得第5表所示之凸狀圖型且製作出附導體層圖型之基材。藉此可獲得：由線寬度23~25μm、線間距300μm、導體層厚度(最大)4~5μm之格子狀導體層圖型；以及於距離上述圖型的端部為50mm內側之4邊上，於區域寬度2mm中形成有線寬度22~24μm、線間距75μm、偏角45°、導體層厚度(最大)3.0~4.0μm的斜線之格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。
導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第5圖(h)所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大°可視認為線狀之圖型的視認性為良好。相對於線間距300μm的部分之開口率(T1)為84.0%，線間距75μm的部分之開口率(T2)為62.6%，該比例T2/T1為74.5%。此外，於剝離轉印時並未發生鍍敷彎折。導體層圖型的形狀如第23圖所示。
實施例1G~4G中所獲得之凹版的特性值及規格，係如第5表所示。
接著使用實施例1H~3H，具體說明本發明。
<實施例1H> (導電性無機材料的形成)
使用電漿CVD裝置(HAUZER社製、HTC1500)形成導電性DLC膜。將100mm□的不鏽鋼基板(SUS304、鏡面研磨加工、厚度0.5mm、日新製鋼株式會社(日本)製)放入至真空處理室內，首先激發Ar氣體的電漿而進行基板的潔淨後，藉由濺鍍將0.2μm的Cr，作為中間層形成於不鏽鋼基板的單面。接著一邊導入乙炔氣體及六氟化鎢氣體，一邊以使膜厚成為1.5~2.5μm之方式於中間層上形成含有10%的鎢(W)之DLC層。
(凸狀圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、10μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於形成有上述所獲得的導電性DLC之基板的兩面。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以80mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為40μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外 線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由線寬度39~41μm、線間距300μm、偏角45°之突起部光阻膜(突起部；高度10μm)所構成之格子狀圖型。由於形成有圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜。
(絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為5~6μm之方式於中間層上形成DLC層。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為4~6μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸 狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為5~6μm。此外，凹部之底部的寬度為39~41μm，開口部的寬度(最大寬度)為49~53μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，以上述所獲得之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)250g/L、硫酸70g/L、CUBRITE AR(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L之水溶液、30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為10A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為7μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合 物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度63~69μm、線間距300±2μm、導體層厚度(最大)7~8μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。線寬度及導體層厚度的測定，係將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對凹部的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值(以下亦相同)。線間距的測定，係使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下進行觀察並測定，測定係隨機採取5點而進行(以下亦相同)。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為500次，結果發現，於銅鍍敷的析出性及轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例2H> (導電性無機材料的形成)
導電性無機材料的形成，係以與實施例1H相同方式進行，而於100mm□的不鏽鋼基板上形成DLC層。
(凸狀圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、10μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於形成有上述所獲得的導 電性DLC之基板的兩面。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將形成有直徑100μm、圓形圖型的間距250μm之光不會透射的圓形圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由圓形圖型直徑為98~101μm、圓形圖型間距為250μm的突起部光阻膜(突起部；高度10μm)所構成之圖型。由於形成有圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜。
(絕緣層的形成)
絕緣層的形成係以與實施例1H相同方式進行。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，藉此將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為5~6μm。此外，圓形圖型的間距為250μm。
(銅鍍敷)
以上述所獲得之凹版為陰極，並以與實施例1H相同之方式進行電解銅鍍敷，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為20μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(剝離)
從上述凹版上形成有銅箔之一面，將銅鍍敷部分作為銅箔予以剝離。線速度設定為1m/min。如此可獲得由孔形57~63μm、孔間距250μm的圖型所構成之開孔銅箔。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-剝離製程為100次，結果發現，於銅鍍敷的析出性及轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
<實施例3H> (導電性無機材料的形成)
導電性無機材料的形成，係以與實施例1H相同方式進行，而於100mm□的不鏽鋼基板上形成DLC層。之後並未進行凸狀圖型的形成及絕緣層的形成。
(銅鍍敷)
以上述所獲得之凹版為陰極，並以與實施例1H相同 之方式進行電解銅鍍敷，進行鍍敷至所析出之金屬的厚度大致為20μm為止。
(剝離)
從上述凹版上形成有銅箔之一面，將銅鍍敷部分作為銅箔予以剝離。線速度設定為1m/min。如此可獲得平滑的銅箔。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-剝離製程為100次，結果發現，於銅鍍敷的析出性及轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
接下來使用實施例1I~3I，更具體地說明本發明。
<實施例1I> (凸部圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼板(SUS316L、鏡面研磨加工、厚度300μm、日新製鋼株式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖A)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為15μm、線間距為300μm、偏 角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之不鏽鋼板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由線寬度16~19μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~1μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
由於形成有凸部圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜(對應於第3圖B)。
(絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為2μm之方式於中間層上形成DLC層(對應於第3圖C)。此時以 光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為2μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸部圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為2μm。此外，凹部之底部的寬度為16~19μm，開口部的寬度(最大寬度)為21~27μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極而進行電解銅鍍敷。電解銅鍍敷浴的浴組成及電解條件如下 所述。
硫酸銅(5水合物)的濃度：200g/L
硫酸的濃度：100g/L
鹽酸(35%)的使用量：0.2mL/L
添加劑：Microfil VF-AN(Meltec(日本)製、有機硫化合物(雙(3-磺丙基)二硫化物))0.3mL/L
Microfil VF-BN(Meltec(日本)製、界面活性劑、含1~4級銨基之聚乙二醇類)15mL/L
浴溫：25℃
陽極：銅板
鍍敷浴的攪拌係進行通氣使液體充分攪拌。於導電性基材之凹部的金屬面上，以電流密度10A/dm2 進行鍍敷至所析出之金屬的厚度成為4μm為止。此階段所析出之金屬為紅色，導電度為0.05Ω/□。之後停止通氣且停止液體攪拌，將電流密度變更為50A/dm2 並持續進行5秒的鍍敷使表面黑化。從鍍敷浴中取出附著有表面經黑化處理後的導體圖型之導電性基材，進行水洗並加以乾燥。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而 製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度20~25μm、線間距300±2μm、導體層厚度平均為5μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第6圖H所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。線寬度及導體層厚度的測定，係將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對凹部的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值(以下亦相同)。線間距的測定，係使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下進行觀察並測定，測定係隨機採取5點而進行(以下亦相同)。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷轉印製程為500次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
(明度及色度的測定)
使用分光測色計CM-508d(Konica-Minolta Holdings株式會社(日本)製)測定所獲得的附導體層圖型之基材之明度及色度。此測定係於基材的下側鋪設明度L*為25的黑色紙，並於反射模式中進行。
測定對象為表面經黑化處理後的導體層圖型，開口面積約為77%。測定後的結果為明度L*為43，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為2.8，b*為2.2，均可獲得色相較低之值。
<實施例2I>
使用Photec RY3415(15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)，作為實施例1I之凸部圖型的形成時所使用之光阻薄膜，使用鈦板(#400研磨加工、厚度0.5mm、Micron株式會社(日本)製)作為導電性基材，除此之外均與實施例1I相同而製造出附導體層圖型之基材。於所獲得之附導體層圖型之基材上，以與實施例1I相同之方式進行紅色且接著為黑色之電解鍍敷，且以與實施例1I相同之方式轉印至轉印用黏著薄膜後，形成保護膜。
以與實施例1I相同之方式測定所獲得之導體層圖型的明度及色度。測定對象為表面經黑化處理後的導體層圖型，開口面積約為80%。測定後的結果為明度L*為47，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為1.4，b*為1.7，均可獲得色相較低之值。
<實施例3I>
電解銅鍍敷浴的浴組成及電解條件如下所述，其他係以與實施例2I相同之方式製造出附導體層圖型之基材。
硫酸銅(5水合物)的濃度：60g/L
硫酸的濃度：170g/L
鹽酸(35%)的使用量：0.2mL/L
添加劑：Cupracid GS(Atotech Japan株式會社(日 本)製、有機硫化合物)0.1mL/L
Cupracid HL(Atotech Japan株式會社(日本)製、界面活性劑)20mL/L
浴溫：25℃
陽極：鈦基材白金塗膜板
以與實施例1I相同之方式測定所獲得之導體層圖型的明度及色度。測定對象為表面經黑化處理後的導體層圖型，開口面積約為80%。測定後的結果為明度L*為48，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為1.9，b*為-1.0，均可獲得色相較低之值。
接下來使用實施例1J~4J，更具體地說明本發明。
<實施例1J> (具有凸部的圖型及藉此所描繪之幾何學圖形狀的凹部之導電性基材的製作)
將光阻薄膜(Photec H-Y920、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於750mm×1100mm的不鏽鋼板(SUS316L、加工3/4H、厚度0.3mm、日新製鋼株式會社(日本)製)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將光透射部的線寬度為30μm、線間距為300μm、偏角為45°且形成為格子狀之負型薄膜，靜置於貼附有光阻薄膜之不鏽鋼板上。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從負型薄膜的上方照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以 1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由線寬度30μm、線間距300μm、偏角45°之光阻遮罩。之後使用加溫至40℃的氯化鐵水溶液(45°B、鶴見曹達株式會社(日本)製)對SUS板進行蝕刻。蝕刻係進行至SUS板的線寬度成為20μm為止。接著使用5%的氫氧化鈉溶液，將SUS板上所形成之光阻薄膜予以剝離，形成格子模樣狀的圖型(線寬度、亦即凸部上面的寬度20μm、間距300μm、凸部的高度15μm、凸部的剖面形狀為曲面(與第2圖c相同))，而製作出具備具有上面之凸部的圖型及藉此所描繪之幾何學圖形狀的凹部之凹版。
於凹版的外周部40mm處，形成有凸部上面的寬度80μm、間距300μm、凸部的高度15μm之凸部的網目狀圖型之接地對應部(區域B)。
(絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為2μm之方式於中間層上形成DLC層。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為2μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基 材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸部圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖D)。
凹部的形狀為，凸部上面端部之DLC膜的厚度為1.8μm，凹部之DLC膜的厚度為2μm。此導電性基材除了凸部上面以外，均以絕緣膜所覆蓋。凸部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
接著，以具有絕緣膜之導電性基材為陰極，並使用鐵氟龍(Teflon；註冊商標)膠帶固定於旋轉鼓輪電極而進行電解銅鍍敷。
旋轉鼓輪電極的主要規格如下所述。
鼓輪直徑：425mm
鼓輪寬度：900mm
鍍敷槽：直徑600mm、液體容量：80L
陽極：不溶性電極板
鼓輪轉數：0.4rpm
電解銅鍍敷浴的浴組成及電解條件如下所述。
焦磷酸銅的濃度：100g/L
焦磷酸鉀的濃度：250g/L
氨水(30%)使用量：2ml/L
pH：8~9
浴溫：30℃
陽極：鈦基材氧化銥塗膜板
鍍敷浴的攪拌僅以穩定的液體循環進行。於導電性基材之凸部的上面上，以電流密度10A/dm2 進行鍍敷至所析出之金屬的厚度成為5μm為止。此階段所析出之金屬為紅色，導電度為0.1Ω/□。之後，以高通電條件為150A/dm2 、低通電條件為10A/dm2 且處理時間分別設定為5ms、10ms作為定電流的脈衝通電處理，並將循環率(E)設定為33%，持續進行5秒的鍍敷而使表面黑化。從鍍敷浴中取出附著有表面經黑化處理後的導體圖型之導電性基材，進行水洗並加以乾燥。
(黏著薄膜的製作)
於厚度125μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合 物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述黏著薄膜之黏著劑的面以及上述導電性基材之具有表面經黑化處理後的銅鍍敷之面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa。接著，於將貼合於導電性基材之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述導電性基材之凸部的上面之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度28μm、線間距300μm、導體層厚度5μm的導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。
於觀察轉印後之導電性基材時，結果並未發現到絕緣膜產生剝離之處。線寬度及導體層厚度的測定，係將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對凸部的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值(以下亦相同)。線間距的測定，係使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下進行觀察並測定，測定係隨機採取5點而進行(以下亦相同)。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之表面經黑化處理後的附導體層圖型之 基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(明度及色度的測定)
使用分光測色計CM-508d(Konica-Minolta Holdings株式會社(日本)製)測定所獲得的附導體層圖型之基材之明度及色度。此測定係於基材的下側鋪設明度L*=25的黑色紙，並於反射模式下，C光源為10°之SCI(包含正反射光)方式中進行(以下亦相同)。
測定對象為於表面經黑化處理之導體層圖型的外側上所形成之接地部，接地部的開口面積約為50%。測定後的結果為明度L*為34，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為0.4，b*為0.9，均可獲得色相較低之值。此外，導體層圖型的線形狀並無黑色的異常析出，且成為良好的形狀。
<實施例2J> (凸部圖型的形成)
將Photec RY3525(25μm厚、日立化成工業株式會 社(日本)製)貼合於150mm見方之鈦板(鏡面研磨加工、厚度0.5mm、Micron株式會社製)的兩面。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於鈦板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為15μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之鈦板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於鈦板上形成有由線寬度16~19μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。由於形成有凸部圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜。
(絕緣層的形成)
以與實施例1J相同之方式，形成由DLC膜所構成之絕緣膜。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸部圖型的去除)
將附著有絕緣層之鈦基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全 面剝離而獲得凹版(對應於第3圖(d))。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為2μm。此外，凹部之底部的寬度為16~19μm，開口部的寬度(最大寬度)為21~27μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極而進行電解銅鍍敷。電解銅鍍敷浴的浴組成，係與實施例1J相同。
鍍敷浴的攪拌係以穩定的通氣而進行。於導電性基材之凹部的金屬面上，以電流密度10A/dm2 進行鍍敷至所析出之金屬的厚度成為5μm為止。此階段所析出之金屬為紅色，導電度為0.1Ω/□。之後，以高通電條件為250A/dm2 、低通電條件為10A/dm2 且處理時間分別設定為10ms、60ms作為定電流的脈衝通電處理，並將循環率(E)設定為14%，持續進行10秒的鍍敷而使表面黑化，從鍍敷浴中取出附著有表面經黑化處理後的導體圖型之導電性基材，進行水洗並加以乾燥。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度20~25μm、線間距300±2μm、導體層厚度平均為5μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第5圖(h)所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
(保護膜的形成)
於上述所獲得的附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立 化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(明度及色度的測定)
以與實施例1J相同之方式，測定所獲得的附導體層圖型之基材之明度及色度。
測定對象為於表面經黑化處理之導體層圖型，開口面積約為80%。測定後的結果為明度L*為40，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為2.2，b*為1.7，均可獲得色相較低之值。
此外，導體層圖型的線形狀並無黑色的異常析出，且成為良好的形狀。
<實施例3J> (凸部圖型的形成)
使用Photec RY3415(15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)作為光阻薄膜，並貼合於作為導電性基材之150mm見方的鈦板(#400研磨加工、厚度0.5mm、Micron株式會社(日本)製)的兩面(對應於第3圖(a))。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5 MPa、線速度1m/min下進行。接著，將以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於鈦板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為15μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之鈦板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於鈦板上形成有由線寬度16~19μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~1μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
由於形成有凸部圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜。
(絕緣層的形成、凹部的形成；附著有絕緣層之凸部圖型的去除)
係以與實施例2J相同之方式，形成由DLC膜所構成之絕緣膜，之後並將凸部圖型予以去除。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極而進行電解銅鍍敷。電解銅鍍敷浴的浴組成及電解條件如下所述。
硫酸銅(5水合物)的濃度：200g/L
硫酸的濃度：100g/L
鹽酸(35%)的使用量：0.2mL/L
添加劑：Microfil VF-AN(Meltec(日本)製、有機硫化合物(雙(3-磺丙基)二硫化物))0.3mL/L
Microfil VF-BN(Meltec(日本)製、界面活性劑、含1~4級銨基之聚乙二醇類)15mL/L
浴溫：25℃
陽極：鈦基材白金塗膜板
鍍敷浴的攪拌，係進行通氣使液體充分攪拌。於導電性基材之凹部的金屬面上，以電流密度10A/dm2 進行鍍敷至所析出之金屬的厚度成為4μm為止。此階段所析出之金屬為紅色，導電度為0.05Ω/□。之後停止通氣且停止液體攪拌，然後以高通電條件為85A/dm2 、低通電條件為0A/dm2 且處理時間分別設定為10ms、5ms作為定電流的脈衝通電處理，並將循環率(E)設定為67%，持續進行5秒的鍍敷而使表面黑化。從鍍敷浴中取出附著有表面經黑化處理後的導體圖型之導電性基材，進行水洗並加以乾燥。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度20~25μm、線間距300±2μm、導體層厚度平均為5μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，且如第5圖(h)所示，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣層產生剝離之處。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(明度及色度的測定)
係以與實施例1J相同之方式，測定所獲得的附導體層圖型之基材之明度及色度。測定對象為於表面經黑化處理之導體層圖型，開口面積約為85%。測定後的結果為明度L*為43，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為1.1，b*為1.3，均可獲得色相較低之值。
此外，導體層圖型的線形狀並無黑色的異常析出，且成為良好的形狀。
<實施例4J> (具有凸部的圖型及藉此所描繪之幾何學圖形狀的凹部之導電性基材的製作)
使用Photec RY3415(15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)作為光阻薄膜，並將導電性基材貼合於750×1200mm之鈦板(#400研磨加工、厚度0.5mm、 Micron株式會社(日本)製)。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於鈦板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為15μm、線間距為300μm、偏角為45°。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，從載置有負型薄膜之鈦板的上下方，照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於鈦板上形成有由線寬度16~19μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~1μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
由於形成有凸部圖型之一面的相反面為全面曝光，因此未予顯影而於全面上形成有光阻膜。
(絕緣層的形成)
除了將基板改變為鈦板之外，其他以與實施例1J相同之方式形成DLC膜。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為2μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於 倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸部圖型的去除)
將附著有絕緣層之鈦板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸部圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版(對應於第3圖(d))。
凹部的形狀為，凸部上面端部之DLC膜的厚度為1.8μm，凹部之DLC膜的厚度為2μm。此導電性基材除了凸部上面以外，均以絕緣膜所覆蓋。凸部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
接著，以具有絕緣膜之導電性基材為陰極，並使用鐵氟龍(Teflon；註冊商標)膠帶固定於旋轉鼓輪電極，並以與實施例1J相同之設備及鍍敷浴進行電解銅鍍敷。
鍍敷通電處理係於以下條件中進行。
於導電性基材之凹部的金屬面上，以電流密度8A/dm2 進行鍍敷至所析出之金屬的厚度成為4μm為止。之後，以高通電條件為7.5V、低通電條件為0V且處理時間分別設定為3ms、100ms作為定電壓的脈衝通電處 理，並將循環率(E)設定為3%，持續進行5秒的鍍敷而使表面黑化。從鍍敷浴中取出附著有表面經黑化處理後的導體圖型之導電性基材，進行水洗並加以乾燥。
轉印用黏著薄膜的製造、轉印及保護膜的形成，均以與實施例2J相同之方式進行處理。
(明度及色度的測定)
以與實施例1J相同之方式，測定所獲得的附導體層圖型之基材之明度及色度。測定對象為於表面經黑化處理之導體層圖型，開口面積約為85%。測定後的結果為明度L*為43，係位於適合值的範圍內。此外，色度a*為2.8，b*為2.2，均可獲得色相較低之值。
此外，導體層圖型的線形狀並無黑色的異常析出，且成為良好的形狀。
以下係使用實施例1K~2K，具體說明本申請案的發明。
<實施例1K> (凸狀圖型的形成)
將光阻薄膜(Photec RY3315、15μm厚、日立化成工業株式會社(日本)製)貼合於150mm見方的不鏽鋼板(SUS316L、鏡面研磨加工、厚度300μm、日新製鋼株式會社(日本)製)的單面。且於貼合條件為滾輪溫度105℃、壓力0.5MPa、線速度1m/min下進行。接著，將 以120mm見方的尺寸形成有格子狀的圖型之負型薄膜，靜置於不鏽鋼板的單面，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為15μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下，將負型薄膜載置於不鏽鋼板之貼合有光阻薄膜的一面，並照射120mJ/cm2 的紫外線。之後，以1%的碳酸鈉水溶液進行顯影，藉此，於SUS板上形成有由線寬度16~19μm、線間距300μm、偏角45°之突起部光阻膜(突起部；高度15μm)所構成之格子狀圖型。上述線寬度為突起部的最大寬度(d1 )，且為突起部上部的寬度。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~0.8μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~1.5μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出，測定點係設定為5點以上。
(第一絕緣層的形成)
藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。 然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為2~3μm之方式於中間層上形成DLC層。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為2~3μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將與導電性基材同時製造之形成有同樣圖型之同步測試片的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(第二絕緣層的形成)
接著，於上述形成有第一絕緣層之導電性基材之形成有凸狀圖型的相反面上，將保護用的黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)予以貼合(其一端為了形成通電而維持於導電性基材暴露出之狀態)而成，以此作為陰極，且以不鏽鋼板(SUS304)作為陽極，於陽離子型電層積塗料(Insuleed 1004、酚醛環氧系、日本Paint株式會社(日本)製)中，於6V及5分鐘的條件下予以電層積塗裝。接著，於105℃中進行5分鐘的預乾燥後，於200℃進行20分鐘的燒結。以顯微鏡觀察可確認出，電層積塗料係選擇性地埋填於孔的部分。以雷射顯微鏡(Keyence株式會社(日本)製、VK8500)確認由電層積塗料所形成之凸部分的厚度，其結果為1~2μm。如此，係藉由電層積塗裝，於凹版的凸狀圖型側形 成由電性絕緣樹脂所構成之第二絕緣膜。
(第三絕緣層的形成)
與第一絕緣層相同，藉由PBII/D裝置(Type III、株式會社栗田製作所(日本)製)形成DLC膜。將附有光阻膜之狀態的不鏽鋼基板放入於處理室內，將處理室內形成為真空狀態後，以氬氣對基板表面進行潔淨。接著將六甲基二矽氧烷導入至處理室內，以使膜厚成為0.1μm之方式形成中間層。然後導入甲苯、甲烷、乙炔氣體，以使膜厚成為2~3μm之方式於中間層上形成DLC層。所形成之DLC的合計厚度為4~6μm。第二絕緣層(電層積塗料)之層的部分，另以雷射顯微鏡觀察時，由於在形成第三絕緣層之後，亦僅隆起電層積的量(1~2μm)，因此該部分係計算為5~8μm。此外，此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度，第一及第三絕緣層的合計為4~6μm。交界面的角度為45~51度。絕緣層的厚度及交界面的角度之測定，係將導電性基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對光阻膜的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於氫氧化鈉水溶液(10%、50℃)，偶爾一邊搖動並放置8小時。將形成凸 狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為4~6μm。此外，凹部之底部的寬度為16~19μm，開口部的寬度(最大寬度)為26~31μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
此外，於上述所獲得的凹版之未形成有圖型的一面(內面)上，貼附黏著薄膜(Hitalex K-3940B、日立化成工業株式會社(日本)製)。以貼附有此黏著薄膜之凹版為陰極，並以含磷銅為陽極而浸漬於電解銅鍍敷用的電解浴(硫酸銅(5水合物)250g/L、硫酸70g/L、CUBRITE AR(Ebara-Udylite株式會社(日本)製、添加劑)4ml/L之水溶液、30℃)中，將電壓施加於兩電極並設定電流密度為10A/dm2 ，進行鍍敷至析出於凹版的凹部之金屬的厚度大致為7μm為止。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式地形成鍍敷。
(初期針孔)
於進行第1次的金屬鍍敷後之狀態下，使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本) 製)，於倍率200倍下觀察位於10mm□中之線以外的銅之析出處並進行測定。此時，所析出的銅係以銅粒的形式被觀測出。所測定的銅粒數目為13個。
(轉印用黏著薄膜的製作)
於厚度100μm的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)薄膜(A-4100、東洋紡織株式會社(日本)製)的表面上，依序塗佈厚度1μm的引體(HP-1、日立化成工業株式會社(日本)製)，及作為黏著層之厚度10μm的丙烯酸聚合物(HTR-280、長瀨Chemtex株式會社(日本)製)，而製作出轉印用黏著薄膜。
(轉印)
使用層壓滾輪，將上述轉印用黏著薄膜之黏著層的面以及上述凹版之施以銅鍍敷的面予以貼合。層壓條件為滾輪溫度25℃、壓力0.1MPa、線速度1m/min。接著，於將貼合於鍍敷轉印用版之黏著薄膜予以剝離時，使析出於上述凹版上之銅轉印至黏著薄膜。藉此可獲得由線寬度30~35μm、線間距300±2μm、導體層厚度(最大)7~8μm的格子狀導體層圖型所構成之附導體層圖型之基材。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
於觀察轉印後之凹版的表面時，結果並未發現到絕緣 層產生剝離之處。線寬度及導體層厚度的測定，係將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除並以樹脂予以注模，再以掃描式電子顯微鏡，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點為5點，且對凹部的兩側進行測定，因此係採用合計10點中之最大值及最小值(以下亦相同)。線間距的測定，係使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下進行觀察並測定，測定係隨機採取5點而進行(以下亦相同)。
(保護膜的形成)
於上述所獲得之附導體層圖型之基材之存在有導體層圖型的面上，將UV硬化型樹脂Hitaloid 7983AA3(日立化成工業株式會社(日本)製)予以塗膜，並以聚碳酸酯薄膜(Microhole DE、Bayer株式會社(日本)製、75μm)予以層壓，使導體層圖型埋入於UV硬化型樹脂中之後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線而使UV硬化型樹脂硬化，藉此獲得具有保護膜之附導體層圖型之基材。
(重複使用)
接著使用上述凹版，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為200次，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層(尤其於施以電層積塗裝之 處)的剝離處。
<實施例2K> (凸狀圖型的形成)
將液狀光阻(SU-8、日本化藥株式會社製)以7μm的厚度塗佈於不鏽鋼基板(SUS304、314×150mm、日新製鋼株式會社(日本)製)的單面。於90℃進行10分鐘的預烘烤後，將以110mm□的尺寸形成有格子狀的圖型之負型的鉻遮罩，排列2片並靜置於不鏽鋼板的單面上，此格子狀的圖型之光透射部的線寬度為5μm、線間距為300μm、偏角為45°(於正四角形當中，線係以對正四角形的邊呈45度的角度而配置)。使用紫外線照射裝置，於600mmHg以下的真空下將基板予以吸附，從載置有鉻遮罩之不鏽鋼板的上方，照射200mJ/cm2 的紫外線。於95℃加熱7分鐘後，以丙二醇單甲基醚(PGMEA)進行顯影，藉此，於不鏽鋼板上形成有由線寬度5~7μm、線間距300μm、偏角45°之光阻膜所構成之格子狀圖型。上述線寬度為突起部的最大寬度(d1 )，且為突起部上部的寬度。突起部與導電性基材之接觸部的寬度(d0 )，係較此最大寬度還小約0~1μm。此外，突起部的最小寬度，係較最大寬度(d1 )還小約0~2μm，為僅較突起部與導電性基材之接觸部稍微高之處的寬度。這些高度係以掃描式電子顯微鏡(SEM)，於倍率3000倍下觀察剖面而實測出。測定點係設定為5點以上。
(第一絕緣層的形成)
以與實施例1K相同之方式，使膜厚成為3~4μm之方式將DLC予以塗膜。此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度為3~4μm。交界面的角度為45~47度。
(第二絕緣層的形成)
以與實施例1K相同之方式，於陽離子型電層積塗料(Insuleed 1004)中，於6V及5分鐘的條件下予以電層積塗裝，於105℃中進行5分鐘的預乾燥後，於200℃進行20分鐘的燒結。以顯微鏡觀察可確認出，電層積塗料係選擇性地埋填於孔的部分。以雷射顯微鏡(KEYENCE株式會社(日本)製、VK8500)確認由電層積塗料所形成之凸部分的厚度，其結果為2~3μm(最厚的部分)。
(第三絕緣層的形成)
與實施例1K相同，以使膜厚成為1~2μm之方式塗膜DLC。所形成之DLC的合計厚度為4~6μm。第二絕緣層(電層積塗料)之層的部分，另以雷射顯微鏡觀察時，由於在形成第三絕緣層之後，亦僅隆起電層積的量(2~3μm)，因此該部分係計算為6~9μm。此外，此時以光阻膜所形成之凸部兩側之DLC膜的厚度，第一及第三絕緣層的合計為4~6μm。交界面的角度為45~49 度。
(凹部的形成；附著有絕緣層之凸狀圖型的去除)
將附著有絕緣層之不鏽鋼基板浸漬於水，施加超音波(28kHz)並放置3小時。將形成凸狀圖型之光阻膜與附著於其之DLC膜予以剝離。由於具有一部分不易剝離的部分，因此以布輕輕擦拭，藉此使全面剝離而獲得凹版。
凹部的形狀係寬度朝向開口方向變寬，該凹部側面的傾斜角係與上述交界面的角度相同。凹部的深度為4~6μm。此外，凹部之底部的寬度為5~7μm，開口部的寬度(最大寬度)為13~17μm。凹部的間距為300μm。
(銅鍍敷)
以使上述所製作之凹版的背面與滾輪接觸之方式，捲取於100mm、寬度200mm的不鏽鋼滾輪，並以絕緣膠帶將接合處予以貼合。此外，以使鍍敷液不會從側部滲入之方式，以絕緣膠帶將導電性基材的兩端5mm全周圍予以覆蓋，並將滾輪與導電性基材貼合而構成1個旋轉體。
接著以第16圖所示之裝置構成，對旋轉體104進行電解銅鍍敷。陽極103係使用以白金形成塗膜後之鈦製的不溶性電極。陰極係以上述不鏽鋼製的滾輪作為鼓輪電極。於電解銅鍍敷用的電解浴100中，係收納有焦磷酸銅：100g/L、焦磷酸鉀：250g/L、氨水(30%)：2ml/L、pH：8~9的水溶液之40℃的電荷液102，並藉由 泵浦106，通過配管105傳送至陽極103與旋轉體104之間予以注滿。旋轉體104的大致一半係浸漬於此電解液中。以使電流密度成為15A/dm2 之方式將電壓施加於兩電極，並進行鍍敷至析出於上述導電性基材之金屬的厚度成為5μm為止。此時係以0.1m/分的速度使上述不鏽鋼滾輪旋轉。並且以於凹版的凹部中以及從凹部顯露出之方式形成鍍敷。
(初期針孔)
於進行第1次的金屬鍍敷後之狀態下，暫時從滾輪中取出凹版，使用顯微鏡(數位顯微鏡VHX-500、Keyence株式會社(日本)製)，於倍率200倍下觀察位於10mm□中之線以外的銅之析出處並進行測定。此時，所析出的銅係以銅粒的形式被觀測出。所測定的銅粒數目為15個。
(轉印)
將實施例1K中所製作之黏著薄膜暫時捲取為滾輪狀，而構成滾輪狀的黏著薄膜。從該滾輪狀的黏著薄膜當中，將黏著薄膜108予以捲出，並藉由層壓滾輪110，於與實施例1K相同之層壓條件下，將該黏著劑層的面連續貼合於再次安裝有凹版之上述旋轉體(不鏽鋼滾輪)上所析出之金屬(銅)108並予以剝離，藉此將金屬108轉印至黏著薄膜的黏著劑層，而連續製作出附導體層圖型之基 材111。附導體層圖型之基材111係捲取為滾輪狀(圖中未顯示)。此外，此時係一邊將離型PET(S-32、帝人Du Pont株式會社(日本)製)層壓於黏著薄膜之轉印有導體層圖型的面，一邊予以捲取，藉此防止捲取時的阻礙。導體層圖型之線寬度為14~18μm、線間距為300±2μm、導體層厚度為4.5~6.5μm。即使將轉印有銅鍍敷之黏著薄膜捲取50m之後，形成於不鏽鋼滾輪之銅鍍敷與其轉印性，並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。導體層的形狀係反映出凹部的形狀，寬度從下部朝向上部(黏著層)變寬，並且從凹部顯露出之部分係如傘狀般擴大。
(保護膜的形成)
將所獲得之附導體層圖型之基材的一部分切除，並於形成有導體層圖型的面上，使用散佈機(Yoshimitsu精機株式會社(日本)製、YBA型)將UV硬化型樹脂(Aronix UV-3701、東亞合成株式會社(日本)製)予以塗膜為15μm厚，並使用手滾輪，以不使氣泡進入之方式將PET薄膜(Mylar D、帝人Du Pont株式會社(日本)製、75μm)緩慢地層壓後，使用紫外線照射燈照射1J/cm2 的紫外線，而形成保護膜。
(重複使用)
使用上述所獲得之鍍敷轉印用導體層基材，重複進行與上述相同之銅鍍敷-轉印製程為5000次(使旋轉體旋 轉5000次)，結果發現，於銅鍍敷的轉印性並未產生變化，並且未觀測到絕緣層的剝離處。
以上結果如第6表所示。
1‧‧‧凹版
2‧‧‧基材
3‧‧‧絕緣層
4‧‧‧凹部
5‧‧‧感光性光阻層
6‧‧‧突起部
7‧‧‧絕緣層
9‧‧‧導體層圖型
10‧‧‧轉印用基材
11‧‧‧第1基材
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧附導體層圖型之基材
13’‧‧‧第2基材
14‧‧‧保護樹脂
15‧‧‧接著劑層
16‧‧‧第3基材
17‧‧‧透明樹脂
20‧‧‧孔
21‧‧‧階差部
22‧‧‧傾斜部
101‧‧‧電解浴槽
102‧‧‧鍍敷液
103‧‧‧第1陽極
103a‧‧‧陽極
104‧‧‧旋轉體
105‧‧‧配管
106‧‧‧泵浦
107‧‧‧第2陽極
108‧‧‧析出之金屬
109‧‧‧接著支撐體
110‧‧‧壓合滾輪
111‧‧‧附導體圖型之接著支撐體
151‧‧‧遮蔽構件
210‧‧‧具有鍍敷形成部之凹版
211~228‧‧‧搬運滾輪
229‧‧‧前處理槽
230‧‧‧鍍敷槽
231、233、235‧‧‧水洗槽
232‧‧‧黑化處理槽
233‧‧‧水洗槽
234‧‧‧防鏽處理槽
236‧‧‧塑膠薄膜基材
237‧‧‧壓合滾輪
238‧‧‧附導體層圖型之基材
第1圖係顯示本發明之凹版的一例之部分立體圖。
第2圖A係顯示第1圖的凹版之A-A剖面的一例。
第2圖B係顯示第1圖的凹版之A-A剖面的一例。
第3圖A係顯示本發明之凹版之製程的一例之剖面圖。
第3圖B係顯示本發明之凹版之製程的一例之剖面圖。
第3圖C係顯示本發明之凹版之製程的一例之剖面圖。
第3圖D係顯示本發明之凹版之製程的一例之剖面圖。
第4圖C-1係顯示本發明之具有中間層的凹版之製程的一例之剖面圖。
第4圖D-1係顯示本發明之具有中間層的凹版之製造方法的一例之剖面圖。
第5圖E係顯示本發明之附導體層圖型之基材的製作例之剖面圖。
第5圖F係顯示本發明之附導體層圖型之基材的製作例之剖面圖。
第6圖G係顯示本發明之附導體層圖型之基材的製作例之剖面圖。
第6圖H係顯示本發明之附導體層圖型之基材的製作例之剖面圖。
第7圖係顯示本發明之形成有導體層圖型之凹版的一例之剖面圖。
第8圖係顯示本發明之附導體層圖型之基材的一例之剖面圖。
第9圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之剖面的一例。
第10圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之剖面的一例。
第11圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之剖面的一例。
第12圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之剖面的一例。
第13圖係顯示本發明之開孔金屬箔、亦即圖型化金屬箔的一部分之底面圖。
第14圖係顯示第13圖的圖型化金屬箔之A-A剖面圖。
第15圖係顯示本發明之導體層圖型之剖面圖的一例。
第16圖係顯示本發明之旋轉體之一剖面圖。
第17圖係顯示本發明之旋轉體之一剖面圖。
第18圖係顯示本發明之箍狀凹版之一剖面圖。
第19圖A係顯示本發明之具有鍍敷箔部之電磁波遮蔽構件的一例。
第19圖B係顯示本發明之具有鍍敷箔部之電磁波遮 蔽構件的一例。
第20圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之部分擴大圖的一例。
第21圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之部分擴大圖的一例。
第22圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之部分擴大圖的一例。
第23圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之部分擴大圖的一例。
第24圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之部分擴大圖的一例。
第25圖係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之部分擴大圖的一例。
第26圖A係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之全體圖的例子。
第26圖B係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之全體圖的例子。
第26圖C係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之全體圖的例子。
第26圖D係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之全體圖的例子。
第26圖E係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之全體圖的例子。
第26圖F係顯示本發明之電磁波遮蔽構件之全體圖 的例子。
1‧‧‧凹版
2‧‧‧基材
3‧‧‧絕緣層
4‧‧‧凹部

Claims (50)

  1. 一種凹版，其特徵為：係具備基材及於該基材的表面具有絕緣層；於該絕緣層上，形成有寬度朝向開口方向變寬的凹部，上述凹部為用以形成鍍敷之部分；上述基材的表面露出於上述凹部的底部，上述基材的表面是由導電性材料所構成；並且，上述絕緣層為包含類鑽碳之層。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之凹版，其中，上述凹部，係以於絕緣層上描繪幾何學圖形之方式或其本身描繪為幾何學圖形之方式而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之凹版，其中，上述絕緣層的厚度為0.1~100μm。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之凹版，其中，上述包含類鑽碳之層的硬度為10~40GPa。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之凹版，其中，於包含類鑽碳之層與上述基材之間，具備包含有從Ti、Cr、W、Si、及這些元素的氮化物與這些元素的碳化物中所選擇之1種以上之中間層。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹部側面的角度為30度以上且未滿90度。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹部側面的角度為30度以上80度以下。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹版為滾輪或捲繞於滾輪上者。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹版大致為平板。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之凹版，其中，上述導電性材料，係由鋼、Ti、導電性類鑽碳或導電性無機材料所形成。
  11. 如申請專利範圍第1至5項與第10項中任一項所記載之凹版，其中，上述凹部的最小寬度為1~40μm，最大寬度為2~60μm，且間隔為50~1000μm。
  12. 如申請專利範圍第1至5項與第10項中任一項所記載之凹版，其中，上述絕緣層，係由底面的面積為1~1×106 平方微米的凸形狀所形成，上述凸形狀係以1~1000μm的間隔分布。
  13. 一種凹版之製造方法，其特徵為：係包含：(i)於基材的表面形成可予以去除之凸狀圖型之製程；及(ii)於形成有可予以去除之凸狀圖型之基材的表面，形成絕緣層之製程；及(iii)將附著有絕緣層之凸狀圖型予以去除之製程。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之凹版之製造方法，其中，上述凸狀圖型，其平面形狀為幾何學圖形之形 狀或用以描繪幾何學圖形。
  15. 如申請專利範圍第13或14項所記載之凹版之製造方法，其中，上述基材為導電性。
  16. 如申請專利範圍第13或14項所記載之凹版之製造方法，其中，上述凸狀圖型，係藉由使用有感光性光阻之微影技術所形成。
  17. 如申請專利範圍第13或14項所記載之凹版之製造方法，其中，係於上述基材上及上述凸狀圖型的側面，形成性質或特性為不同之絕緣層。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之凹版之製造方法，其中，上述基材上所形成之絕緣層與上述凸狀圖型的側面上所形成之絕緣層之交界面，與凸狀圖型的側面(對基材為垂直面)之間的距離，並未隨著朝向凸狀圖型的豎立方向變小，而是全體變大。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之凹版之製造方法，其中，上述交界面的角度相對於上述基材係形成為30度以上且未滿90度。
  20. 如申請專利範圍第18項所記載之凹版之製造方法，其中，上述交界面的角度相對於上述基材係形成為30度以上80度以下。
  21. 如申請專利範圍第13或14項所記載之凹版之製造方法，其中，上述凸部的圖型形狀，其寬度為1~40μm，間隔為50~1000μm，且高度為1~30μm，並藉此描繪為幾何學圖形。
  22. 如申請專利範圍第13或14項所記載之凹版之製造方法，其中，上述絕緣層，為包含類鑽碳或無機材料之層。
  23. 如申請專利範圍第22項所記載之凹版之製造方法，其中，上述無機材料為Al2 O3 或SiO2 。
  24. 如申請專利範圍第22項所記載之凹版之製造方法，其中，上述絕緣層係由類鑽碳所形成。
  25. 如申請專利範圍第24項所記載之凹版之製造方法，其中，上述基材上所形成之類鑽碳層的硬度，係較上述凸狀圖型的側面上所形成之類鑽碳層的硬度還大。
  26. 如申請專利範圍第24項所記載之凹版之製造方法，其中，上述基材上所形成之類鑽碳層的硬度為10~40GPa，上述凸狀圖型的側面上所形成之類鑽碳層的硬度為1~15GPa。
  27. 如申請專利範圍第24項所記載之凹版之製造方法，其中，上述類鑽碳層，係藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、電弧放電法、離子蒸鍍法或電漿CVD法所形成。
  28. 如申請專利範圍第27項所記載之凹版之製造方法，其中，上述類鑽碳層，係藉由電漿CVD法所形成。
  29. 如申請專利範圍第13或14項所記載之凹版之製造方法，其中，於進行在形成有上述凸狀圖型之基材的表面上形成絕緣層之製程前，係進行於形成有凸狀圖型之基材的表面上形成中間層之製程。
  30. 如申請專利範圍第29項所記載之凹版之製造方法，其中，上述中間層，係包含Ti、Cr、W、Si或這些元素的氮化物或碳化物當中任1種以上。
  31. 如申請專利範圍第13或14項所記載之凹版之製造方法，其中，上述絕緣層的厚度為0.5~20μm。
  32. 一種凹版之製造方法，其特徵為：係包含：(i)於基材的表面形成絕緣層之製程；及(ii)於上述絕緣層上，藉由雷射形成寬度朝向開口方向變寬的凹部之製程；上述基材的表面露出於上述凹部的底部，上述基材的表面是由導電性材料所構成；並且，上述絕緣層為包含類鑽碳之層。
  33. 如申請專利範圍第32項所記載之凹版之製造方法，其中，上述雷射為飛秒雷射。
  34. 一種圖型化金屬箔之製造法，其特徵為：係藉由鍍敷，於申請專利範圍第1至5以及10項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬。
  35. 如申請專利範圍第33項所記載之圖型化金屬箔之製造法，其中，於析出上述金屬後，將所析出之金屬予以剝離。
  36. 一種圖型化金屬箔之製造法，其特徵為：係包含：(i)藉由鍍敷，於申請專利範圍第1至5以及10項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之導體 層形成製程；及(ii)對所析出之金屬進行黑化處理之黑化處理製程。
  37. 如申請專利範圍第36項所記載之圖型化金屬箔之製造法，其中，係於同一鍍敷液中進行上述導體層形成製程及上述黑化處理製程。
  38. 如申請專利範圍第37項所記載之圖型化金屬箔之製造法，其中，上述鍍敷液為焦磷酸(Pyrophosphoric Acid)銅鍍敷液或包含光澤劑之硫酸銅鍍敷液。
  39. 一種圖型化金屬箔之製造方法，其特徵為：係包含：(i)藉由鍍敷，於申請專利範圍第1至5以及10項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之導體層形成製程；及(ii)對所析出之金屬進行黑化處理之黑化處理製程；及(iii)將進行黑化處理後的金屬予以剝離之製程。
  40. 一種附圖型化金屬箔之基材之製造方法，其特徵為：係包含：(i)藉由鍍敷，於申請專利範圍第1至5以及10項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之導體層形成製程；及(ii)對所析出之金屬進行黑化處理之黑化處理製程；及(iii)將進行黑化處理後的金屬轉印至其他基材之製 程。
  41. 一種附導體層圖型之基材之製造方法，其特徵為：係包含：(i)藉由鍍敷，於申請專利範圍第1或5以及10項中任一項所記載之凹版的凹部析出金屬之製程；及(ii)將析出於上述凹部之金屬轉印至其他基材之製程。
  42. 如申請專利範圍第41項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，係將析出於上述凹部之金屬的厚度，形成為凹部之深度的2倍以下。
  43. 如申請專利範圍第41或42項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，上述其他基材，係具備於表面具有接著性之接著層。
  44. 如申請專利範圍第43項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，上述接著層係包含光硬化性黏著劑，上述(ii)製程係包含：將接著層配置於上述基材並照射光使接著層硬化之製程；及將金屬轉印至其他基材之製程。
  45. 如申請專利範圍第41或42項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，上述(i)製程係包含：於凹部析出金屬後，對上述金屬進行黑化處理之製程。
  46. 申請專利範圍第41或42項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法，其中，上述(ii)製程係包含：於 將金屬轉印至其他基材後，對金屬進行黑化處理之製程。
  47. 一種附導體層圖型之基材，其特徵為：係藉由申請專利範圍第41至46項中任一項所記載之附導體層圖型之基材之製造方法所製造。
  48. 一種透光性電磁波遮蔽構件，其特徵為：係以樹脂將申請專利範圍第47項所記載之附導體層圖型之基材的導體層圖型予以被覆而成。
  49. 一種透光性電磁波遮蔽板，其特徵為：係將申請專利範圍第47項所記載之附導體層圖型之基材或申請專利範圍第48項所記載之透光性電磁波遮蔽構件，貼附於透明基板而成。
  50. 如申請專利範圍第49項所記載之透光性電磁波遮蔽板，其中，於形成有上述導體層圖型之區域的內部，具備與上述導體層圖型為不同之圖型。
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