JPH0918119A - 配線パターン層およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電着絶縁接着剤層の本来の絶縁性機能の劣化
のおそれがなく、電着絶縁接着剤層形成用の電着液の劣
化や、導電層を構成する、例えば銅の異常析出の発生の
おそれがなく、しかも電着絶縁接着剤層と導電層との密
着性のさらなる向上が図れる配線パターン層およびその
製造方法を提供する。 【構成】 基板上に転写形成される配線パターン層であ
って、該配線パターン層は、基板の上に粘着ないし接着
される電着絶縁接着剤層と、この上に形成される導電層
とを備え、前記電着絶縁接着剤層と前記導電層との間に
は、導電層からのイオン流出防止のためのイオンブロッ
ク層が介在されているように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は配線パターン層およびそ
の製造方法に係り、特に、多層プリント配線板、静電ア
クチュエータ、非接触ＩＣカードの内部に収納されるコ
イル等に用いられる配線パターン層およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体技術の飛躍的な発展により、半導
体パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ化、
電子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密度実
装の時代に突入した。それに伴って、例えば、プリント
配線板は片面配線から両面配線へ、さらに多層化、薄型
化が進められている。

【０００３】現在、プリント配線板の銅パターンの形成
には、主としてサブトラクティブ法と、アディティブ法
が用いられている。

【０００４】サブトラクティブ法は、銅張り積層板に穴
を開けた後に、穴の内部と表面に銅メッキを行い、フォ
トエッチングによりパターンを形成する方法である。こ
のサブトラクティブ法は技術的に完成度が高く、またコ
ストも安いが、銅箔の厚さ等による制約から微細パター
ンの形成は困難である。

【０００５】一方、アディティブ法は無電解メッキ用の
触媒を含有した積層板上の回路パターン形成部以外の部
分にレジストを形成し、積層板の露出している部分に無
電解銅メッキ等により回路パターンを形成する方法であ
る。このアディティブ法は、微細パターンの形成が可能
であるが、コスト、信頼性の面で難がある。

【０００６】多層基板の場合には、上記の方法等で作製
した片面あるいは両面のプリント配線板を、ガラス布に
エポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグと
一緒に加圧積層する方法が用いられている。この場合、
プリプレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接続は
スルーホールを作成し、内部に無電解メッキ等を施して
行っている。

【０００７】また、高密度実装の進展により、多層基板
においては薄型、軽量化と、その一方で単位面積当りの
高い配線能力が要求され、一層当たりの基板の薄型化、
層間の接続や部品の搭載方法等に工夫がなされている。

【０００８】しかしながら、上記のサブトラクティブ法
により作製された両面プリント配線板を用いた多層基板
の作製は、両面プリント配線板の穴形成のためのドリル
加工の精度と、微細化限界の面から高密度化に限界があ
り、製造コストの低減も困難であった。

【０００９】一方、近年では上述のような要求を満たす
ものとして、基材上に導体パターン層と絶縁層とを順次
積層して作製される多層配線板が開発されている。この
多層配線板は、銅メッキ層のフォトエッチングと感光性
樹脂のパターニングを交互に行って作製されるため、高
精細な配線と任意の位置での層間接続が可能となってい
る。

【００１０】しかしながら、この方式では銅メッキとフ
ォトエッチングを交互に複数回行うため、工程が煩雑と
なり、また、基板上に１層づつ積み上げる直列プロセス
のため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生
が困難となり、製造コストの低減に支障を来していた。

【００１１】このような問題を解決するために、本出願
人は、すでに、導電性基板の上に、絶縁パターン層を形
成するとともに導電性基板をパターン露出させて導電部
を形成し、当該導電部の上に導電層および電着絶縁接着
剤層を順次形成して転写版とし、これの工程によって形
成された積層体を一体的に配線基板上に転写することに
よって配線パターン層（プリント配線）を形成する方法
を提案している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
転写版の作成にあたって、配線用の導電層の材質として
は例えば、導電性が良い銅（Ｃｕ）が用いられているた
めに、この導電層の上に電着絶縁接着剤層を電着形成す
る際に、わずかではあるが導電層から銅（Ｃｕ）イオン
が流出して電着絶縁接着剤層内に入り込むことが確認さ
れている。これによって電着絶縁接着剤層の本来の絶縁
性性能が劣化するおそれがある。また、電着絶縁接着剤
層の電着液の性質が特にアニオン型であると、電着液中
に銅の析出が多くなり電着液の劣化や銅の異常析出の発
生のおそれもある。また、さらに電着絶縁接着剤層と導
電層との密着性のさらなる向上も要望されている。

【００１３】このような実状のもとに本発明は創案され
たものであって、その目的は、電着絶縁接着剤層の本来
の絶縁性機能の劣化のおそれがなく、電着絶縁接着剤層
形成用の電着液の劣化や銅等の異常析出の発生のおそれ
がなく、しかも電着絶縁接着剤層と導電層との密着性の
さらなる向上が図れる配線パターン層およびその製造方
法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の配線パターン層は、基板上に転写形
成される配線パターン層であって、該配線パターン層
は、基板の上に粘着ないし接着される電着絶縁接着剤層
と、この上に形成される導電層とを備え、前記電着絶縁
接着剤層と前記導電層との間には、導電層からのイオン
流出防止のためのイオンブロック層が介在されているよ
うに構成される。

【００１５】また、本発明の配線パターン層の製造方法
は、導電性基板の上に、絶縁パターン層を形成するとと
もに導電性基板をパターン露出させて導電部を形成する
工程と、当該導電部の上に導電層を形成する工程と、こ
の導電層の上にイオンブロック層を形成する工程と、こ
のイオンブロック層の上に電着絶縁接着剤層を形成する
工程と、これの工程によって導電性基板の上にパターン
形成された電着絶縁接着剤層、イオンブロック層、導電
層を一体的に配線基板上に転写する工程を含んで構成さ
れる。

【００１６】

【作用】本発明の配線パターン層は、着絶縁接着剤層と
前記導電層との間に導電層からのイオン流出防止のため
のイオンブロック層が介在されているために、電着絶縁
接着剤層を電着させる際に、導電層から導電層を構成す
るイオンの流出のおそれがない。また、イオンブロック
層を介して電着絶縁接着剤層と導電層との密着性のさら
なる向上が図れる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。

【００１８】図１は、基板２上に形成されている本発明
の第１実施例である配線パターン層４を示す概略断面図
である。図１において、配線パターン層４は、電着絶縁
接着剤層１０、イオンブロック層２０および導電層３０
を順次備えて形成される。そして、これらの積層体から
なる配線パターン層４は、後述するように一体的に基板
２上に転写されて形成される。

【００１９】本発明の配線パターン層４が形成される基
板２そのものには特に制限はないが、例えば、基板２を
多層層プリント配線板を構成する基板とする場合には、
ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、アルミナセラミ
ック基板、ガラスエポキシとポリイミドの複合基板等、
の基板を使用することができる。この基板２の厚さは、
通常５〜１０００μｍ程度の範囲とされる。

【００２０】導電層３０は、通常、配線用の層として用
いられ、本発明においては、導電性の良好な金属、特
に、銅（Ｃｕ）を主成分とするもの、すなわち銅（Ｃ
ｕ）の単体あるいは銅（Ｃｕ）を主成分とする材料や、
Ａｌ、Ａｇなどを主成分とするもの等から構成される。
導電層３０の厚さは、１〜２０μｍ、好ましくは３〜１
０μｍ程度である。

【００２１】このような導電層３０の下には、イオンブ
ロック層２０が形成されている。イオンブロック層２０
は、主として、電着絶縁接着剤層１０の本来の絶縁性機
能が劣化するのを防止し、また、電着絶縁接着剤層１０
形成用の電着液の劣化や、例えば銅などの異常析出の発
生を防止する役目を果たしている。さらに電着絶縁接着
剤層１０と導電層３０との密着性を向上させる繋ぎの役
目をも果たしている。これらのことは後述する配線パタ
ーン層の製造方法の説明によって容易に理解することが
できる。

【００２２】図１に示される第１実施例において、イオ
ンブロック層２０は金属層からなり、より好適な具体例
としては、ＮｉもしくはＣｒの単一層、またはＮｉとＣ
ｒもしくはＣｏとの２層積層体（Ｎｉ／Ｃｒ，Ｎｉ／Ｃ
ｏ）が挙げられる。もちろんこれらを含む３層以上の層
としてもよい。このような金属層は通常、電解メッキに
より形成される。金属層からなるイオンブロック層２０
の厚さは、０．１〜５μｍ程度とされる。

【００２３】このようなイオンブロック層２０の下方に
形成される電着絶縁接着剤層１０は、電着性、絶縁性お
よび接着性を備える層であり、常温もしくは加熱により
粘着性を示す電着性絶縁物質であればよい。使用できる
材料としては、例えば、粘着性を有するアニオン性、ま
たはカチオン性の合成高分子樹脂を挙げることができ
る。

【００２４】具体的には、アニオン性合成高分子樹脂と
して、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油
樹脂、ポリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの
樹脂の任意の組み合わせによる混合物として使用でき
る。さらに、上記のアニオン性合成高分子樹脂とメラミ
ン樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂
とを併用してもよい。

【００２５】また、カチオン性合成高分子樹脂として、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタ
ジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独
で、あるいは、これらの任意の組み合わせによる混合物
として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分
子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹
脂とを併用してもよい。

【００２６】また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与す
るためにロジン系、テルペン系、石油樹脂系等の粘着付
与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。

【００２７】上記の高分子樹脂は、後述する本発明の製
造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和し
て水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に
供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、ト
リメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノール
アミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アン
モニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。また、
カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ギ酸、プロピオン
酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和され水に可溶
化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水
に希釈された状態で使用される。

【００２８】また、上記の粘着性を示す電着性絶縁物質
の絶縁性、耐熱性等の信頼性を高める目的で、上記の高
分子樹脂にブロックイソシアネート等の熱重合性不飽和
結合を有する公知の熱硬化性樹脂を添加し、配線パター
ン層を転写形成後、熱処理によって電着絶縁接着剤層１
０を硬化させてもよい。勿論、熱硬化性樹脂以外にも、
重合性不飽和結合（例えば、アクリル基、ビニル基、ア
リル基等）を有する樹脂を電着性絶縁物質に添加してお
けば、配線パターン層を転写形成後、電子線照射によっ
て電着絶縁接着剤層１０を硬化させることができる。

【００２９】電着絶縁接着剤層１０の材料としては、上
記の他に、常温もしくは加熱により粘着性を示すもので
あれば、熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂
で硬化後は粘着性を失うような粘着性樹脂でもよい。ま
た、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラ
ーを含むものでもよい。

【００３０】また、電着絶縁接着剤層１０の材料は 常
温もしくは加熱により流動性を示す電着性の接着剤であ
ってもよい。膜厚については、転写できる程度の接着力
が発揮できる膜厚であればよく特に制限はない。

【００３１】次に、上記の配線パターン層４の製造方法
を図２を参照しながら説明する。

【００３２】まず、配線パターン層４を転写するための
転写用原版を作成するために、転写基板としての導電性
基板１１１上にフォトレジストを塗布してフォトレジス
ト層１１２を形成（図２（ａ））する。そして、所定の
フォトマスクを用いてフォトレジスト層１１２を密着露
光し現像して絶縁層１１２´からなる絶縁パターン層を
形成するとともに、導電性基板１１１のうち導電部１１
１ａをパターン露出させる（図２（ｂ））。次に、導電
性基板１１１の導電部１１１ａ上にメッキ法により、例
えば、Ｃｕを主成分とする導電層３０を形成する（図２
（ｃ））。その後、導電層３０上にメッキ法により金属
層からなるイオンブロック層２０を形成する（図２
（ｄ））。次いでイオンブロック層２０の上に電着法に
より電着絶縁接着剤層１０を形成して、配線パターン層
４を転写するための転写用原版が作製される（図２
（ｅ））。この電着絶縁接着剤層１０を電着する際に、
導電層３０の、例えば、Ｃｕの流出はイオンブロック層
２０により防止されるので、電着絶縁接着剤層１０の本
来の絶縁性性能が劣化することがない。また、電着液の
劣化や銅の異常析出の発生（この現象は電着液の性質が
特にアニオン型であると、顕著であるが、カチオン型で
もわずかに起こることが確認されている）もない。さら
には、イオンブロック層２０を介して電着絶縁接着剤層
１０と導電層３０との密着性のさらなる向上が図れる。

【００３３】このように作製された配線パターン層４を
転写するための転写用原版（図２（ｅ））を、電着絶縁
接着剤層１０が基板２に当接するように圧着する。この
圧着は、ローラ圧着、プレート圧着、真空圧着等、いず
れの方法にしたがってもよい。また、粘着性あるいは接
着性を有する電着絶縁接着剤層１０形成用の樹脂が加熱
により粘着性あるいは接着性を発現する絶縁樹脂からな
る場合には、熱圧着を行うこともできる。

【００３４】その後、導電性基板１１１を剥離して配線
パターン層４を基板２上に転写することにより、電着絶
縁接着剤層１０、イオンブロック層２０、導電層３０を
一体的に配線基板２上に転写形成することができる（図
１）。また、転写後に電着絶縁接着剤層１０を硬化すれ
ばよい。

【００３５】同様にして種々の配線パターン層を設けた
転写用版を複数準備しておき、これらの配線パターン層
を順次、所定位置に転写して積み重ねることによって、
いわゆる多層プリント配線板等が作製できる。

【００３６】次に、図３に基づいて、基板２上に形成さ
れている本発明の第２実施例である配線パターン層５に
ついて説明する。図３において、配線パターン層５は、
電着絶縁接着剤層１０、イオンブロック層２２および導
電層３０を順次備えて形成される。そして、これらの積
層体からなる配線パターン層５は、一体的に基板２上に
転写され形成される。図３に示される第２実施例の配線
パターン層５が前記第１実施例の配線パターン層４と基
本的に異なる点は、イオンブロック層の構成の違いにあ
る。すなわち、第２実施例に示されるイオンブロック層
２２は、導電性を有する樹脂層から構成される（金属層
ではない）。

【００３７】このような導電性を有する樹脂層からなる
イオンブロック層２２は、例えば、前述した電着絶縁接
着剤層１０とほぼ同様な材料から選定され、特に、接着
性ないし粘着性と言った機能が必須と成っていない点
で、その材料選定の範囲は電着絶縁接着剤層１０のそれ
よりも広い。厚さは、０．１〜１０μｍ程度とされる。
このようなイオンブロック層２２は、電着にて形成され
る。

【００３８】図４には、図３に示される配線パターン層
５の製造方法が示される。図４に示される配線パターン
層５の製造方法は、図２に示される製造方法と基本的に
は同じ（イオンブロック層の材質を金属から樹脂に変え
た点のみ異なる）であり、ここでの詳細な説明は省略す
る。なお、図面上、同一符号のものは同一部材を示す。

【００３９】次に、図５に基づいて、基板２上に形成さ
れている本発明の第３実施例である配線パターン層６に
ついて説明する。図５において、配線パターン層６は、
電着絶縁接着剤層１０、導電性を有する樹脂層からなる
イオンブロック層２２、金属層からなるイオンブロック
層２０および導電層３０を順次備えて形成される。そし
て、これらの積層体からなる配線パターン層６の構造的
特徴は、イオンブロック層を２層の積層体とした点にあ
り、前記実施例１および２の組み合わせとも言える。導
電性を有する樹脂層からなるイオンブロック層２２と金
属層からなるイオンブロック層２０の積層順を互いに交
換してもよい。このようにイオンブロック層を樹脂と金
属の２層の積層体とすることにより、イオンブロック層
を１層とするよりも、よりイオンの流出が防止され、本
来もっている絶縁性を保持できるというメリットがあ
る。

【００４０】図６には、図５に示される配線パターン層
６の製造方法が示される。図６に示される配線パターン
層６の製造方法は、図２および図４に示される製造方法
と基本的には同じ（イオンブロック層を樹脂と金属の２
層の積層体とした点で異なる）であり、ここでの詳細な
説明は省略する。なお、図面上、同一符号のものは同一
部材を示す。

【００４１】次に、図７に基づいて、基板２上に形成さ
れている本発明の第４実施例である配線パターン層７に
ついて説明する。図７において、配線パターン層７は、
電着絶縁接着剤層１０、金属酸化処理により形成された
イオンブロック層２４および導電層３０を順次備えて形
成される。そして、これらの積層体からなる配線パター
ン層７の構造的特徴は、導電層３０の一部を酸化処理し
て酸化膜を形成させ、このものをイオンブロック層２４
としている点にある。このようにイオンブロック層２４
を導電層３０の一部を酸化処理して形成することによっ
て、工程を簡略化可能とすることができるというメリッ
トがある。

【００４２】図８には、図７に示される配線パターン層
７の製造方法が示される。

【００４３】まず、配線パターン層７を転写するための
転写用原版を作成するために、転写基板としての導電性
基板１１１上にフォトレジストを塗布してフォトレジス
ト層１１２を形成（図８（ａ））する。そして、所定の
フォトマスクを用いてフォトレジスト層１１２を密着露
光し現像して絶縁層１１２´からなる絶縁パターン層を
形成するとともに、導電性基板１１１のうち導電部１１
１ａをパターン露出させる（図８（ｂ））。次に、導電
性基板１１１の導電部１１１ａ上にメッキ法により、例
えば、Ｃｕを主成分とする導電層３０を形成する（図２
（ｃ））。その後、導電層３０の表面を酸化処理して金
属酸化膜を形成させ、このものをイオンブロック層２４
とする。

【００４４】酸化処理方法としては、過マンガン酸塩処
理法、亜塩素酸ソーダ処理法等の方法が挙げられる。こ
れの中でも、過マンガン酸塩処理法の方法が平滑で光沢
のある膜が得られるという観点から特に好ましい。この
ような金属酸化膜の厚さは、数Å程度とされる。

【００４５】次いで、このような金属酸化膜からなるイ
オンブロック層２４の上に電着法により電着絶縁接着剤
層１０を形成して、配線パターン層７を転写するための
転写用原版が作製される（図８（ｅ））。

【００４６】このように作製された配線パターン層７の
転写用原版を用い、配線パターン層７が上述のごとく転
写法により基板２上に形成される（図７）。

【００４７】上述してきた種々のイオンブロック層の形
成は互いに組み合わせて用いることもできる（すでに図
５に例示のものは組み合わせである）。すなわち、図
８に示される金属酸化膜からなるイオンブロック層２４
の上に、導電性を有する樹脂層からなるイオンブロック
層２２を形成したり、図２に示される金属積層タイプ
において、金属層であるイオンブロック層２０の表面お
よび／または導電層３０の表面に金属酸化膜からなるイ
オンブロック層２４を形成し、さらに必要に応じて導電
性を有する樹脂層からなるイオンブロック層２２を形成
したりする態様などが挙げられる。さらに、導電性を有
する樹脂層からなるイオンブロック層２２および金属層
であるイオンブロック層２０は２層以上の多層化が可能
である。

【００４８】次いで、導電性基板の上に、絶縁パターン
層を形成するとともに導電性基板をパターン露出させて
導電部を形成する工程の他の態様を、図９〜１１に基づ
いて説明する。

【００４９】図９において、まず公知の方法によって導
電性基板１１１上にフォトレジスト層を形成し、所定パ
ターンのフォトマスクを介して該フォトレジスト層に紫
外線を照射後、露光・除去（現像）して所定パターンの
マスキング層１１７を形成する（図９（ａ））。次に、
このマスキング層１１７をエッチング用マスクとして導
電性基板１１１のマスキング層非形成部分をエッチング
して凹部１１８を形成するが、この際、マスキング層１
１７縁辺下部の基板部分に入り込んでサイドエッチング
部が形成され、このサイドエッチング部を含む凹部１１
８の上面面積はマスキング層非形成部分の面積よりも大
きく形成され、凹部１１８は椀状をなす（図９
（ｂ））。

【００５０】次に、このように椀状に形成された凹部１
１８内に絶縁性物質を電着させることによって絶縁層１
１６の絶縁パターン層を形成する（図９（ｃ））。絶縁
層１１６の表面はマスキング層１１７の表面と略同一の
高さに形成される。その後、このマスキング層１１７を
除去して導電性基板１１１の導電面を裸出して凹版状の
導電部１１９が形成される（図９（ｄ））。そして、こ
の導電部１１９に上述のごとく転写されるべく配線パタ
ーン層が形成されるのである。

【００５１】図１０において、図９の場合と同様にして
導電性基板１１１上にフォトレジスト層を形成し、所定
パターンのフォトマスクを介して該フォトレジスト層に
紫外線を照射し後、露光・除去（現像）して所定パター
ンのマスキング層１１７を形成する（図１０（ａ））。
次に、このマスキング層１１７をエッチング用マスクと
して導電性基板１１１のマスキング層非形成部分をエッ
チングして凹部１１８を形成するが、図９の場合と同様
にマスキング層１１７の縁辺の基板部分に入り込んでサ
イドエッチング部が形成され、このサイドエッチング部
を含む凹部１１８の上面面積はマスキング層非形成部分
の面積よりも大きく形成され、凹部１１８は椀状をなす
（図１０（ｂ））。

【００５２】次に、このように椀状に形成された凹部１
１８内に絶縁性物質を電着させることによって絶縁層１
１６の絶縁パターン層を形成する（図１０（ｃ））。平
版タイプの原版においては絶縁層１１６は導電性基板１
１１の表面と略同一の高さに形成される。その後、マス
キング層１１７を除去して導電性基板１１１の導電面を
裸出して導電部１１９が形成される（図１０（ｄ））。
そして、この導電部１１９に上述のごとく転写されるべ
く配線パターン層が形成されるのである。

【００５３】図１１において、まず公知の方法によって
導電性基板１１１上にフォトレジスト層を形成し、所定
パターンのフォトマスクを介して該フォトレジスト層に
紫外線を照射後、露光・除去（現像）して所定パターン
のマスキング層１１７を形成する（図１１（ａ））。次
に、このマスキング層１１７をエッチング用マスクとし
て導電性基板１１１のマスキング層非形成部分をエッチ
ングしてマスクパターンに忠実な凹部１１８を形成する
（図１１（ｂ））。

【００５４】次に、このように形成された凹部１１８内
に絶縁性物質を電着させることによって絶縁層１１６の
絶縁パターン層を形成する（図１１（ｃ））。絶縁層１
１６の表面はマスキング層１１７の表面より低くなるよ
うに形成される。その後、このマスキング層１１７を除
去して導電性基板１１１の導電面を裸出して導電部１１
９が形成される（図１１（ｄ））。そして、この導電部
１１９に上述のごとく転写されるべく配線パターン層が
形成されるのである。

【００５５】次に、具体的実験例を示して本発明の配線
パターン層についてさらに詳細に説明する。

【００５６】実験例１ （１）転写用の配線パターン層４の形成（図２（ｅ）対
応））および基板上への配線パターン層４の転写による
形成（図１対応） 導電性基板１１１として、表面を研磨した厚さ０．２ｍ
ｍのステンレス板を準備し、このステンレス板上に市販
のメッキ用フォトレジスト（東京応化工業（株）製 PM
ER P-AR900）を厚さ２０μｍに塗布乾燥し、配線パター
ンが形成されているフォトマスクを用いてそれぞれ密着
露光を行った後、現像・水洗・乾燥し、さらに熱硬化を
行って絶縁層１１２’からなる絶縁パターン層を備えた
転写用原版を作製した（図２（ｂ）対応）。

【００５７】上記の転写用原版と白金電極を対向させて
下記の組成のピロ燐酸銅メッキ浴（ｐＨ＝８，液温＝５
５℃）中に浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を陰極に
上記の転写用原版を接続し、電流密度１０Ａ／ｄｍ² で
５分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていな
い導電性基板の裸出部に厚さ１０μｍの銅メッキ膜を形
成し導電層３０とした（図２（ｃ）対応）。

【００５８】 （ピロ燐酸銅メッキ浴の組成） ピロ燐酸銅 … ９４ｇ／ｌ ピロ燐酸銅カリウム … ３４０ｇ／ｌ アンモニア水 … ３ｃｃ／ｌ 次いで、このＣｕメッキ膜（導電層３０）の上に厚さ約
１μｍのＮｉを下記の要領で電解メッキにより形成し
た。すなわち、下記の組成のメッキ浴（ｐＨ＝４．５，
液温＝５０℃）中に浸漬し、直流電源の陽極に白金電極
を陰極に上記の転写用原版を接続し、電流密度０．０５
Ａ／ｄｍ² で１０分間の通電を行い、Ｎｉメッキ膜を形
成しイオンブロック層２０とした（図２（ｄ）相当）。

【００５９】 （メッキ浴組成） スルファミン酸ニッケル … ３５０ｇ／ｌ ほう酸 … ４０ｇ／ｌ 次いでこのイオンブロック層２０の上に、以下の要領で
電着絶縁接着剤層１０を形成した。

【００６０】電着絶縁接着剤層用電着液の調製 アクリル酸ブチル１３．２重量部、メタクリル酸メチル
１．６重量部、ジビニルベンゼン０．２重量部および過
硫酸カリウム１％水溶液８５重量部を混合し、８０℃、
５時間重合して無乳化剤の乳化重合を行ってポリアクリ
ル酸ブチルポリメタクリル酸メチル共重合エマルジョン
溶液を調製した。

【００６１】次に、このエマルジョン溶液７２重量部、
電着担体としてカルボキシル基を有するアクリル系共重
合体樹脂２重量部、ヘキサメトキシメラミン０．８５重
量部、中和剤としてトリメチルアミン０．３５重量部、
エタノール３重量部、ブチルセロソルブ３重量部および
水１８．８重量部を混合攪拌してアニオン型電着液を調
製した。

【００６２】このように調製したアニオン型電着液の中
に、上記の転写用原版を浸漬し、直流電源の陽極に転写
用原版を陰極に白金電極をそれぞれ接続し、５０Ｖの電
圧で１分間の電着を行い、これを１８０℃、３０分間で
乾燥・熱処理して、イオンブロック層２０（Ｎｉ層）の
上に厚さ１５μｍの粘着性を有する電着絶縁接着剤層１
０を形成し、配線パターン層を備える転写用原版を作製
した（図２（ｅ）相当）。

【００６３】しかる後、このように作製した配線パター
ン層の基板２への転写を以下の要領で行った。すなわ
ち、２５μｍ厚さのポリイミドフィルムに、室温下、圧
力１０ｋｇｆ／ｃｍ² の圧着条件で配線パターン層の転
写を行い、配線パターン層４を形成した（図１相当）。

【００６４】このようにして本発明の配線パターン層４
の具体的作製の実験を行ない、電着絶縁接着剤層１０の
絶縁性機能（性能）を確認したところＣｕの存在は確認
されず極めて優れた絶縁性を発揮することが確認でき
た。また、電着液の劣化もなく、電着絶縁接着剤層の密
着性も良好であることが確認できた。

【００６５】実験例２ （２）転写用の配線パターン層５の形成（図４（ｅ）対
応））および基板上への配線パターン層５の転写による
形成（図３対応） 導電性基板１１１として、表面を研磨した厚さ０．２ｍ
ｍのステンレス板を準備し、このステンレス板上に市販
のメッキ用フォトレジスト（東京応化工業（株）製 PM
ER P-AR900）を厚さ２０μｍに塗布乾燥し、配線パター
ンが形成されているフォトマスクを用いてそれぞれ密着
露光を行った後、現像・水洗・乾燥し、さらに熱硬化を
行って絶縁層１１２’からなる絶縁パターン層を備えた
転写用原版を作製した（図４（ｂ）対応）。

【００６６】上記の転写用原版と白金電極を対向させて
下記の組成のピロ燐酸銅メッキ浴（ｐＨ＝８，液温＝５
５℃）中に浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を陰極に
上記の転写基板を接続し、電流密度１０Ａ／ｄｍ² で５
分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていない
導電性基板の裸出部に厚さ１０μｍの銅メッキ膜を形成
し導電層３０とした（図４（ｃ）対応）。

【００６７】 （ピロ燐酸銅メッキ浴の組成） ピロ燐酸銅 … ９４ｇ／ｌ ピロ燐酸銅カリウム … ３４０ｇ／ｌ アンモニア水 … ３ｃｃ／ｌ 次いで、このＣｕメッキ膜（導電層３０）の上に厚さ約
１μｍの導電性の樹脂層を下記の要領で電着により形成
した。すなわち、下記の組成の電着性樹脂用の電着液
（カチオン電着塗料）の中に浸漬し、直流電源の陽極に
白金電極を陰極に上記の転写用原版を接続し、２０Ｖ、
１分間の通電を行い、導電性の樹脂層を形成しイオンブ
ロック層２２とした（図４（ｄ）相当）。

【００６８】（電着性樹脂（カチオン性）用の電着液組
成の調整） ［樹脂Ｉ］ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル
（エポキシ当量９１０）１０００重量部を、撹拌下に７
０℃に保ちながらエチレングリコールモノエチルエーテ
ル４６３重量部に溶解させ、さらにジエチルアミン８
０．３重量部を加えて１００℃で２時間反応させてアミ
ンエポキシ付加物（成分Ａ）を調製した。

【００６９】コロネートＬ（日本ポリウレタン（株）製
ポリイソシアネート；ＮＣＯ１３％の不揮発分７５重量
％）８７５重量部にジブチル錫ラウレート０．０５重量
部を加え、５０℃に加熱して２−エチルヘキサノール３
９０重量部を添加し、その後、１２０℃で９０分間反応
させた。得られた反応生物をエチレングリコールモノエ
チルエーテル １３０重量部で希釈した（成分Ｂ）。

【００７０】上記成分Ａ１０００重量部および上記成分
Ｂ４００重量部から成る混合物を氷酢酸３０重量部で中
和した後、脱イオン水５７０重量部を用いて希釈し、不
揮発分５０重量％の樹脂Ｉを調製した。

【００７１】カチオン電着塗料の調製方法 上記樹脂Ｉ ２００．２重量部（樹脂成分８６．３容量
部）、顔料ペーストＩ１６３．１重量部（樹脂成分１
３．７容量部、顔料成分１８．０容量部、その内、トリ
ポリリン酸アルミニウム４容量％）、ジブチル錫ラウレ
ート２．４重量部および脱イオン水５８３．３重量部を
配合してカチオン電着塗料を電着液組成を調製した。

【００７２】次いで、この導電性の樹脂層からなるイオ
ンブロック層２２の上に、以下の要領で電着絶縁接着剤
層１０を形成した。

【００７３】電着絶縁接着剤層用電着液の調製 アクリル酸ブチル１３．２重量部、メタクリル酸メチル
１．６重量部、ジビニルベンゼン０．２重量部および過
硫酸カリウム１％水溶液８５重量部を混合し、８０℃、
５時間重合して無乳化剤の乳化重合を行ってポリアクリ
ル酸ブチルポリメタクリル酸メチル共重合エマルジョン
溶液を調製した。

【００７４】次に、このエマルジョン溶液７２重量部、
電着担体としてカルボキシル基を有するアクリル系共重
合体樹脂２重量部、ヘキサメトキシメラミン０．８５重
量部、中和剤としてトリメチルアミン０．３５重量部、
エタノール３重量部、ブチルセロソルブ３重量部および
水１８．８重量部を混合攪拌してアニオン型電着液を調
製した。

【００７５】このように調製したアニオン型電着液の中
に、上記の転写用原版を浸漬し、直流電源の陽極に転写
用原版を陰極に白金電極をそれぞれ接続し、５０Ｖの電
圧で１分間の電着を行い、これを１８０℃、３０分間で
乾燥・熱処理して、イオンブロック層２２（導電性の樹
脂層）上に厚さ１５μｍの粘着性を有する電着絶縁接着
剤層１０を形成し、配線パターン層を備える転写用原版
を作製した（図４（ｅ）相当）。

【００７６】しかる後、このように作製した配線パター
ン層の基板２への転写を以下の要領で行った。すなわ
ち、２５μｍ厚さのポリイミドフィルムに、室温下、圧
力１０ｋｇｆ／ｃｍ² の圧着条件で配線パターン層の転
写を行い、配線パターン層５を形成した（図３相当）。

【００７７】このようにして本発明の配線パターン層５
の具体的作製の実験を行ない、電着絶縁接着剤層１０の
絶縁性機能（性能）を確認したところＣｕの存在は確認
されず極めて優れた絶縁性を発揮することが確認でき
た。また、電着液の劣化もなく、電着絶縁接着剤層１０
の密着性も良好であることが確認できた。

【００７８】実験例３ （３）転写用の配線パターン層７の形成（図８（ｅ）対
応））および基板上への配線パターン層７の転写による
形成（図７対応） 導電性基板１１１として、表面を研磨した厚さ０．２ｍ
ｍのステンレス板を準備し、このステンレス板上に市販
のメッキ用フォトレジスト（東京応化工業（株）製 PM
ER P-AR900）を厚さ２０μｍに塗布乾燥し、配線パター
ンが形成されているフォトマスクを用いてそれぞれ密着
露光を行った後、現像・水洗・乾燥し、さらに熱硬化を
行って絶縁層１１２’からなる絶縁パターン層を備えた
転写用原版を作製した（図８（ｂ）対応）。

【００７９】上記の転写用原版と白金電極を対向させて
下記の組成のピロ燐酸銅メッキ浴（ｐＨ＝８，液温＝５
５℃）中に浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を陰極に
上記の転写基板を接続し、電流密度１０Ａ／ｄｍ² で５
分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていない
導電性基板の裸出部に厚さ１０μｍの銅メッキ膜を形成
し導電層３０とした（図８（ｃ）対応）。

【００８０】 （ピロ燐酸銅メッキ浴の組成） ピロ燐酸銅 … ９４ｇ／ｌ ピロ燐酸銅カリウム … ３４０ｇ／ｌ アンモニア水 … ３ｃｃ／ｌ 次いで、このＣｕメッキ膜（導電層３０）の表面を、過
マンガン酸塩処理法、すなわち、ａ）パークロルエチレ
ンで蒸気脱脂、ｂ）濃りん酸、濃硝酸、水の７５：１
０：１５の混合液に３０秒浸漬、ｃ）流水で洗浄、ｄ）
１％過マンガン酸カリと１％苛性ソーダ溶液の混合溶液
に９５℃で５分間浸漬、ｅ）流水で洗浄、ｆ）７７℃で
乾燥という条件で酸化処理して酸化膜（膜厚約０．１μ
ｍ程度）を形成し、イオンブロック層２４とした（図８
（ｄ）相当）。

【００８１】次いでこの酸化膜からなるイオンブロック
層２４の上に、以下の要領で電着絶縁接着剤層１０を形
成した。

【００８２】電着絶縁接着剤層用電着液の調製 アクリル酸ブチル１３．２重量部、メタクリル酸メチル
１．６重量部、ジビニルベンゼン０．２重量部および過
硫酸カリウム１％水溶液８５重量部を混合し、８０℃、
５時間重合して無乳化剤の乳化重合を行ってポリアクリ
ル酸ブチルポリメタクリル酸メチル共重合エマルジョン
溶液を調製した。

【００８３】次に、このエマルジョン溶液７２重量部、
電着担体としてカルボキシル基を有するアクリル系共重
合体樹脂２重量部、ヘキサメトキシメラミン０．８５重
量部、中和剤としてトリメチルアミン０．３５重量部、
エタノール３重量部、ブチルセロソルブ３重量部および
水１８．８重量部を混合攪拌してアニオン型電着液を調
製した。

【００８４】このように調製したアニオン型電着液の中
に、上記の転写用原版を浸漬し、直流電源の陽極に転写
用原版を陰極に白金電極をそれぞれ接続し、５０Ｖの電
圧で１分間の電着を行い、これを１８０℃、３０分間で
乾燥・熱処理して、イオンブロック層２４（金属酸化
膜）上に厚さ１５μｍの粘着性を有する電着絶縁接着剤
層１０を形成し、配線パターン層を備える転写用原版を
作製した（図８（ｅ）相当）。

【００８５】しかる後、このように作製した配線パター
ン層の基板２への転写を以下の要領で行った。すなわ
ち、２５μｍ厚さのポリイミドフィルムに、室温下、圧
力１０ｋｇｆ／ｃｍ² の圧着条件で配線パターン層の転
写を行い、配線パターン層７を形成した（図７相当）。

【００８６】このようにして本発明の配線パターン層７
の具体的作製の実験を行ない、電着絶縁接着剤層１０の
絶縁性機能（性能）を確認したところＣｕの存在は確認
されず極めて優れた絶縁性を発揮することが確認でき
た。また、電着液の劣化もなく、電着絶縁接着剤層１０
の密着性も良好であることが確認できた。

【００８７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配線パタ
ーン層は、基板上に転写形成される配線パターン層であ
って、該配線パターン層は、基板の上に粘着ないし接着
される電着絶縁接着剤層と、この上に形成される導電層
とを備え、前記電着絶縁接着剤層と前記導電層との間に
は、導電層からのイオン流出防止のためのイオンブロッ
ク層が介在されているように構成される。

【００８８】また、本発明の配線パターン層の製造方法
は、導電性基板の上に、絶縁パターン層を形成するとと
もに導電性基板をパターン露出させて導電部を形成する
工程と、当該導電部の上に導電層を形成する工程と、こ
の導電層の上にイオンブロック層を形成する工程と、こ
のイオンブロック層の上に電着絶縁接着剤層を形成する
工程と、これの工程によって導電性基板の上にパターン
形成された電着絶縁接着剤層、イオンブロック層、導電
層を一体的に配線基板上に転写する工程を含んで構成さ
れる。従って、これらの構成からなる本発明によれば、
電着絶縁接着剤層の本来の絶縁性能の劣化のおそれがな
く、電着絶縁接着剤層の電着液の劣化や導電層を構成す
る、例えば、銅などの異常析出の発生のおそれがなく、
しかも電着絶縁接着剤層と導電層との密着性のさらなる
向上が図れるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線パターン層の構造の一例を示す概
略断面図である。

【図２】図１に示される配線パターン層の製造方法を説
明するための図面である。

【図３】本発明の配線パターン層の構造の一例を示す概
略断面図である。

【図４】図３に示される配線パターン層の製造方法を説
明するための図面である。

【図５】本発明の配線パターン層の構造の一例を示す概
略断面図である。

【図６】図５に示される配線パターン層の製造方法を説
明するための図面である。

【図７】本発明の配線パターン層の構造の一例を示す概
略断面図である。

【図８】図７に示される配線パターン層の製造方法を説
明するための図面である。

【図９】本発明の多層プリント配線板の製造方法に使用
する本発明の転写用原版の一例を示す概略断面図であ
る。

【図１０】本発明の多層プリント配線板の製造方法に使
用する本発明の転写用原版の一例を示す概略断面図であ
る。

【図１１】本発明の多層プリント配線板の製造方法に使
用する本発明の転写用原版の一例を示す概略断面図であ
る。

【符号の説明】

２…基板 ４，５，６，７…配線パターン層 １０…電着絶縁接着剤層 ２０，２２，２４…イオンブロック層 ３０…導電層 １１１…導電性基板 １１１ａ，１１９…導電部

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に転写形成される配線パターン層
   であって、該配線パターン層は、基板の上に粘着ないし
   接着される電着絶縁接着剤層と、この上に形成される導
   電層とを備え、前記電着絶縁接着剤層と前記導電層との
   間には、導電層からのイオン流出防止のためのイオンブ
   ロック層が介在されていることを特徴とする配線パター
   ン層。
2. 【請求項２】 前記イオンブロック層は、金属層である
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線パターン層。
3. 【請求項３】 前記イオンブロック層は、Ｎｉもしくは
   Ｃｒの単一層または、ＮｉとＣｒもしくはＣｏとの２層
   積層体であることを特徴とする請求項２に記載の配線パ
   ターン層。
4. 【請求項４】 前記イオンブロック層は、導電性を有す
   る樹脂層であることを特徴とする請求項１に記載の配線
   パターン層。
5. 【請求項５】 前記イオンブロック層は、前記金属層と
   導電性を有する樹脂層との積層体であることを特徴とす
   る請求項１に記載の配線パターン層。
6. 【請求項６】 前記イオンブロック層は、前記導電層の
   表面または前記金属層の表面に形成された酸化膜である
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに
   記載の配線パターン層。
7. 【請求項７】 導電性基板の上に、絶縁パターン層を形
   成するとともに導電性基板をパターン露出させて導電部
   を形成する工程と、当該導電部の上に導電層を形成する
   工程と、この導電層の上にイオンブロック層を形成する
   工程と、このイオンブロック層の上に電着絶縁接着剤層
   を形成する工程と、これの工程によって導電性基板の上
   にパターン形成された電着絶縁接着剤層、イオンブロッ
   ク層、導電層を一体的に配線基板上に転写する工程を含
   むことを特徴とする配線パターン層の製造方法。
8. 【請求項８】 前記導電層の上にイオンブロック層を形
   成する工程は、金属層を電解メッキにより電着して形成
   することにより行われることを特徴とする請求項７記載
   の配線パターン層の製造方法。
9. 【請求項９】 前記導電層の上にイオンブロック層を形
   成する工程は、導電性を有する樹脂層を電解メッキによ
   り電着して形成することにより行われることを特徴とす
   る請求項７記載の配線パターン層の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記導電層の上にイオンブロック層を
    形成する工程は、銅（Ｃｕ）を主成分とする導電層の表
    面または前記金属層の表面を酸化処理して酸化膜を形成
    することにより行われることを特徴とする請求項７記載
    の配線パターン層の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記導電層の上にイオンブロック層を
    形成する工程は、前記請求項８〜請求項１０に記載され
    たイオンブロック層形成方法の組み合わせにより行われ
    ることを特徴とする請求項７記載の配線パターン層の製
    造方法。