JP4124297B2 - 多層配線基板とその製造方法 - Google Patents
多層配線基板とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4124297B2 JP4124297B2 JP26145498A JP26145498A JP4124297B2 JP 4124297 B2 JP4124297 B2 JP 4124297B2 JP 26145498 A JP26145498 A JP 26145498A JP 26145498 A JP26145498 A JP 26145498A JP 4124297 B2 JP4124297 B2 JP 4124297B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring board
- hole
- base substrate
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板とその製造方法に関するもので、特に、高信頼性を有す充填タイプのスルーホールを形成した単層配線基板を積層した多層基板で、各単層配線基板のコア材である金属材料部をグランド基板として使用することができる多層配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、プリント基板、半導体周辺に使用される回路基板、各種ディスプレイに用いられる配線基板等、各種配線基板においても、高密度化の要求が強く、これに対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化が進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製は煩雑で、製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
【０００５】
これに対応するため、基材上に、一面にめっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して、図７に示すような構造の多層配線基板を作製するビルトアップ法と呼ばれる多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
図７中、７００は多層配線基板、７１０は配線基板、７１１はベース基材、７１５は配線、７１７はスルーホール、７２０は１層目の絶縁樹脂層、７２５は配線、７２７はビア、７３０は２層目の絶縁樹脂層、７３５は配線、７３７はビアである。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
ＢＴレジン等からなる絶縁性のベース基材７１１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上への金属層（銅めっき層）からなる配線（７１５、７２５、７３５）およびビア７２７、７３７の形成は、通常、絶縁性の基材７１１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、このビルトアップ法による多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
基材上に金属配線（配線部）と、絶縁層とを１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、且つ、製造コストが割高となるという問題がある。
【０００６】
また、このビルトアップ法による多層基板の作製方法においては、層間絶縁膜や配線保護膜を得るのに一般印刷によるパターン形成は安価で量産的な方法であるが、この方法は、得られるパターンの精度が悪く、細線の印刷ができず、高精度、高密度のパターンの形成には適していない。
この為、高精細、高密度のパターンの層間絶縁膜や配線保護膜を得るための、高精細、高密度のパターンの形成には、印刷法でなく、感光性絶縁材料（樹脂）を用いたフォトリソグラフィー法による形成が用いられるが、フォトリソグラフィー法の場合、工程が長くなり、設備も高価となり、パターン形成に長時間を要し、生産コストが高くなる。更に、現像により捨てる感光性絶縁材料の量が多く、コスト高の一因となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況のもと、多層基板の作製方法においては、ビルトアップ法に比べ、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板を提供しようとするものである。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板は、少なくとも配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している多層配線基板を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板は、少なくとも配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることを特徴とするものである。
そして、上記において、単層配線基板は全て、同じ形状のベース基板を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホールを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール同志が、重なるように各単層配線基板が重ねられていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記における単層配線基板は、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の単層配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としているものであることを特徴とするものである。
また、上記において、隣接する単層配線基板間の、配線と外部端子部との電気的接続は、接触ないし一体的に連結されており、隣接する単層配線基板同志は、隣接する単層配線基板間の電気的接続領域を除き、隣接する単層配線基板間を埋めるように設けられた絶縁性の接着剤層により接着されていることを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質が、銅であることを特徴とするものである。
また、上記において、単層配線基板の配線の最表面に金層を設けていることを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の第２の面側の導電性物質の最表面に金層を設けていることを特徴とするものである。
また、上記における粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層がポリイミド樹脂層であることを特徴とするものである。
また、上記において、金属材料がニッケルであることを特徴とするものである。
また、上記において、多層配線基板の一方の面である、単層配線基板のベース基板の第２の面側に、外部端子部に電気的に接続する配線を設けたことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の多層配線基板の製造方法は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した配線基板で、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としている単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板の製造方法であって、多層配線基板を形成するための上記の各単層配線基板を、それぞれ個別に作製し、且つ、隣接する単層配線基板間に絶縁性の接着剤層を挟んだ状態で、順に繰り返しプレスにより積層して、あるいは一度にプレスにより積層して形成するものであることを特徴とするものである。
【００１０】
そして、上記における多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、（Ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｂ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｃ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｄ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程を行い、作製されるものであることを特徴とするものであり、転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層、あるいは、金、ニッケル、銅の３層をめっき形成したものであることを特徴とするものであり、あるいは、錫、銅の２層をめっき形成したものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、（Ｅ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｆ）導電性を有するフィルムをベース基板の第１の面に圧着する導電性を有するフィルム圧着工程と、（Ｇ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、導電性を有するフィルムに導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｈ）ベース基板の第１の面側に圧着された導電性を有するフィルムの表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程を行い、作製されるものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、少なくとも順に、（ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｂ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｃ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｄ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程を行い、作製されるものであることを特徴とするものである。
【００１１】
また、上記のめっき工程において、ベース基板の第２の面の貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、貫通孔部に充填タイプのスルホールを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部を形成することを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の第２の面側のめっき形成された外部端子部の最表面は、金めっきが施されたものであることを特徴とするものである。
【００１２】
また、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングして形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けて形成するものであることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】
本発明の多層配線基板は、このような構成にすることにより、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板の提供を可能としている。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板は、少なくとも配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにより、これを達成している。
即ち、各単層配線基板は、電気的な接続の面で信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した構造で、表裏の電気的接続を信頼できるものとしている。
そして、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにより、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くできるものとしている。
そしてまた、各単層配線基板の配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。即ち、配線の高精細、高密度配線にも対応できる。
【００１４】
更に具体的には、単層配線基板は全て、同じ形状のベース基板を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホールを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール同志が、重なるように各単層配線基板が重ねられていることにより、各単層配線基板の配線設計を簡単なものとでき、且つ、各単層配線基板のベース基板が同じ形状のものであることにより、作製する際にも有利である。
また、単層配線基板は、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の単層配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としているものであることにより、全体の構成を複雑にせず単純なものとしている。
【００１５】
隣接する単層配線基板間の、配線と外部端子部との電気的接続は、接触ないし一体的に連結する方式が適用できる。
尚、一体的に連結する方式としては、例えば、配線の最表面を金層とし、外部端子部の最表面を金層ないし錫層として、共晶により接合する方式が挙げられる。
また、隣接する単層配線基板同志は、隣接する単層配線基板間の電気的接続領域を除き、隣接する単層配線基板間を埋めるように設けられた絶縁性の接着剤層により接着する方式が適用できる。
【００１６】
ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質としては、導電性、コスト的な面から銅が挙げられるが、特にこれに限定はされない。
また、配線としては、導電性、処理性、経済的な面から銅を主材質とすることが好ましい。
また、単層配線基板の配線の最表面に金層を設けていることにより、配線部全を化学的に安定なものとし、且つ、外部端子部の最表面を金層ないし錫層とした場合には、単層配線基板間の電気的接続を、共晶により接合することができるものとしている。
同様に、ベース基板の第２の面側の導電性物質の最表面に金層を設けていることにより、外部端子部を化学的に安定なものとし、配線の最表面に金層を設けてある場合には、単層配線基板間の電気的接続を、共晶により接合することができるものとしている。
【００１７】
また、粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層としては、電気絶縁性、強度、化学的安定性等が要求されるが、ポリイミド樹脂層が挙げられる。
【００１８】
また、金属材料としては、導電性、作業性（硬さ）等の性質が要求され、好ましい材質としてはニッケルが挙げられるが、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の他の材質も使用できる。
【００１９】
尚、多層配線基板としては、多層配線基板の一方の面である、単層配線基板のベース基板の第２の面側に、外部端子部に電気的に接続する配線を設けることにより、さらに、その使用適用範囲を広げることができる。
【００２０】
本発明の多層配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、比較的、簡単に、本発明の多層配線基板の作製を可能とするものである。
特に、各単層配線基板のベース基板の第１面側に転写版にめっき形成した配線部を、電着樹脂層を介して転写形成する場合には、配線部の微細化を可能としている。
また、単層配線基板のベース基板の第１面側に、異方性導電性フィルムを圧着して、エッチングにより配線部を形成する場合には、該配線部の形成をより簡単なものとできる。
また、単層配線基板のベース基板の第１面側に、電着樹脂層を介しラミネート銅箔をエッチングして配線部を形成する場合には、該配線部の形成をより簡単なものとできる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図１（ｂ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図２（ａ）は、図１（ａ）、図１（ｂ）に用いられる単層配線基板を示した断面図で、図２（ｂ）はその配線形状を説明するための図で、図２（ｃ）は配線の層構成を説明するための断面図で、図２（ｄ）は別の単層配線基板を示した断面図で、図３（ａ）はベース基板の作製工程図で、図３（ｂ）は所定の位置に貫通孔を設けた金属材料のエッチング加工工程を示した断面図で、図４は転写版を用いた単層配線基板の製造工程図で、図５は別の単層配線基板の製造工程図で、図６は多層配線基板の一面の外部端子部側に更に配線を設け工程を説明するための図である。
各図ともに、説明を分かり易くするために、特徴部の一部断面を示したものである。
図１（ａ）、図１（ｂ）においては、図を分かり易くするため、外部端子部１５５、１５５Ａについては、その表面部の層構成は分けずに示してある。
また、図２（ｃ）は図２（ａ）のＡ１−Ａ２における断面図を示し、図２（ｂ）の点線領域は充填タイプのスルホール領域を示す。
図１〜図６中、１００、１００Ａは単層配線基板、１１０はベース基板、１１０Ａは第１の面、１１０Ｂは第２の面、１１０Ｍは金属材料、１１５、１１５Ｍは貫通孔部、１２０は電着樹脂層、１３３は配線部（めっき導電性層）、１３３Ａは端子部、１３３Ｂはリード、１４１、１４３はニッケル層、１４２は銅層、１４４は金層、１５０、１５０Ａは充填タイプのスルホール、１５５、１５５Ａは外部端子部、１６０は下地めっき層、１６５は金めっき層、１９０、１９５は接着剤層、２１０は導電性基板、２２０はレジスト、２３０はマスキング材、２５０は金属シート、２６０はレジスト、２６５は開口部、２７０はバッキング材、４００は転写版、４１０は導電性基板、４２０はレジスト、４３０導電性層、５４０は銅箔、５５０はレジスト、６１０は銅箔、６２０はレジストである。
尚、ここでは、充填タイプのスルホールのうち金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設け、金属材料１１０Ｍと電気的に接続していないものを１５０とし、金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設けずに金属材料１１０Ｍと電気的に接続しているものを１５０Ａとしている。
そして、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａに一体的に設けられた外部端子部をそれぞれ、１５５、１５５Ａとしている。
【００２２】
はじめに、本発明の多層配線基板の実施の形態の例を挙げる。
先ず、第１の例を図１（ａ）、図２に基づいて説明する。
第１の例の多層配線基板は、図２（ａ）に示す、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層１２０を設けたシート状の金属材料をベース基板１１０とし、該ベース基板１１０の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに配線を１層形成し、配線１３３を前記充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと接続して形成した単層配線基板１００を用いたもので、図１（ａ）に示すように、単層配線基板１００を複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板である。
そして、使用する際に、ベース基板１１０のシート状の金属材料１１０Ｍ部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板１００は、少なくとも配線１３３の一部を、その表面部に電着樹脂層１２０を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホール１５０Ａを介して金属材料１１０Ｍに接続しているものである。
また、第１の例においては、単層配線基板１００は全て、同じ形状のベース基板１１０を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａ同志が、重なるように各単層配線基板１００が重ねられている。
尚、各単層基板の配線１３３は、それぞれ、使用目的に合わせた所定の形状に設けられている。
【００２３】
また、第１の例における単層配線基板１００は、図２（ａ）にも示すように、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面１１０Ａに対向する第２の面１１０Ｂ側の部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の単層配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部１５５、１５５Ａとしている。
充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａは、ベース基板１１０の貫通孔部を埋めるように、導電性物質によりめっき形成されており、配線１３３の端子部１３３Ａに直接めっき接続している。
貫通孔を埋め、外部端子部１５５、１５５Ａの一部を形成する導電性物質としては、銅が挙げられるが、これに限定はされない。
外部端子部１５５、１５５Ａの表面部は、図２（ａ）に示す単層配線基板の場合には、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成する導電性物質と同じで一体的に連結した導電性物質上に、下引き層１６０としてニッケル層を設け、その上に金めっき層１６５が最表面となるように形成されているが、外部端子部１５５、１５５Ａの層構成は、これに限定はされない。
配線１３３はその表面部に金層を設けることにより、化学的に安定となるとともに、単層配線基板を積層した場合、配線部に対応する外部端子部の最表面を金層や錫層としておくことにより、共晶させて接続することができる。
【００２４】
第１の例においては、隣接する単層配線基板間の、配線１３３と外部端子部１５０、１５０Ａとの電気的接続は、接触ないし一体的に連結されている。
そして、隣接する単層配線基板１００同志は、隣接する単層配線基板間の電気的接続領域を除き、隣接する単層配線基板間を埋めるように設けられた絶縁性の接着剤層１９０により接着されている。
【００２５】
配線部１３３は、めっき形成された転写版から転写形成されたもの、あるいは、導電性樹脂層あるいは銅箔をエッチング形成したもので、配線の微細化が可能で、高精細、高密度配線に対応できる。
配線部１３３が、めっき形成された転写版から転写形成されたものの場合、図２（ｃ）に示すように、配線１３３の層構成の１例としては、銅層１４２を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順にニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４を積層した構成が挙げられる。
この場合、ニッケル層１４１は、転写版に銅層１４２をめっき形成する際の下引き層で、１４４は隣接する単層配線基板の外部端子部との接続を容易とするためのもので、ニッケル層１４３は金層１４４の下引き層である。
ニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４の各層厚さはそれぞれ、１μｍ、１０μｍ、１μｍ、０．５μｍ程度が好ましいが、これ以外の厚さでも適用できる。
尚、配線１３３の層構成は、必ずしもこれに限定はされない。
また、配線１３３の表面、全体に金層を設けた場合には、化学的に安定した構成となり、好ましい。
配線１３３の別の層構成としては、例えば、銅層を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、ニッケル層、金層を設けた構成や、銅を主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、錫層を設けた構成が挙げられる。
また、場合によっては、配線１３３を銅単層として配線基板を作製する場合もある。
図２（ｂ）に示すように、各配線部１３３の充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａと接続する端子部１３３Ａは、リード１３３Ｂに接続している。
本例では端子部１３３Ａは、充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａの形成領域全体（図２（ｂ）の点線円領域内）を覆うように設けられているが、必ずしも全体を覆う必要はない。
このことは、配線部１３３（端子部１３３Ａを含む）の形成する際に、形成精度をそれほど必要しないことを意味する。
図２（ｂ）は、配線形状の１例で、配線の形状は使用目的に合わせてとる。
【００２６】
金属材料１１０Ｍとしては導電性、作業性（硬さ）等の性質が要求され、好ましい材質としてはニッケルが挙げられるが、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の他の材質も使用できる。
【００２７】
電着樹脂層１２０は、常温、加熱により接着絶縁性を示すもので、電気的絶縁性、強度等に優れるものが好ましく、特に限定はされないが、ポリイミド樹脂層が挙げられる。
電着樹脂層１２０は、シート状の金属材料１１０Ｍの表面を覆い、金属材料１１０Ｍとともにベース基板１１０を形成しており、配線部１３３は、この電着樹脂層１２０にて金属材料１１０Ｍに接着保持されている。
【００２８】
次いで、第２の例を図１（ｂ）に基づいて説明する。
図１（ｂ）に示す第２の例の多層配線基板は、図１（ａ）第１の例の多層配線基板に、更に、接着剤層１９５を介して配線１３５を設けたものである。
その他の点については、第１の例と同じである。
【００２９】
図１（ａ）に示す第１の例、図１（ｂ）に第２の例ともに、単層配線基板は全て、同じ形状のベース基板を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホールを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール同志が、重なるように各単層配線基板が重ねられていることにより、配線設計を簡単なものとでき、且つ、各単層配線基板のベース基板が同じ形状のものであることにより、作製する際にも有利である。
【００３０】
これらの変形例の多層配線基板としては、異なるベース基板を用いた単層配線基板を積層したものが挙げられる。
また、積層する単層配線基板の数を変えたものが挙げられる。
単層配線基板１００の変形例としては、図２（ｄ）に示すように、外部端子部１５５、１５５Ａを殆ど盛り上げない構造のもの、即ち、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａのベース基板１１０の第２面側１１０Ｂの面に、直接下地めっき層１６０を施し、その上に金めっき層１６５を施した構造のものがある。
図１（ａ）、図１（ｂ）において、単層配線基板１００に代え、図２（ｄ）に示す単層配線基板１００Ａを用いたものも、変形例の多層配線基板として挙げることができる。
【００３１】
次に、本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の１例を挙げる。
図３、図４に基づいて説明する。
本例は、図１（ａ）に示す、本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例で、各単層配線基板１００の配線部１３３が、それぞれめっき形成された転写版から転写形成されたものの、製造方法の１例である。
本例は、簡単には、積層する単層配線基板１００それぞれ作製しておき、接着剤層１９０を介して、これらを位置合わせした状態で重ねた後、プレスにて圧をかけて、隣接する単層配線基板の配線部１３３と外部端子部 １５０、１５０Ａが機械的に接触するようにして、圧着するものである。
位置合わせ方法としては、特に限定はされないが、所定の位置合わせ治具を用いる方法が、通常は採られる。
１度に全単層配線基板をプレスしても良いし、順次、１枚づつ単層配線基板を積層していっても良い。
【００３２】
次に、各単層配線基板１００の作製方法を、以下説明する。
はじめに、以下のようにして、ベース基板１１０を図３（ａ）のようにして作製する。
まず、導電性基材２１０の一面に、貫通孔を形成する領域のみにレジスト２２０を設け（図３（ａ）（イ））、該導電性基板２１０の一面のレジスト２２０に覆われていない領域に導電性層をめっき形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した（図３（ａ）（ロ））後、金属材料１１０Ｍを導電性基材２１０から剥離する。（図３（ａ（ハ））
次に、シート状の金属材料１１０Ｍの所定の貫通孔部１１５Ｍの表面のみマスキング材２３０でマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板１１０を作製する。（図３（ａ）（ニ））
充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の作製する第２の方法としては、図３（ｂ）に示すように、所定の厚さの金属シート２６０を素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジスト２６０を該金属シート２５０の一面に製版して、且つ、他の一面を耐エッチング性のバッキング材２７０で覆い（図３（ｂ）（イ））、レジスト２６０を耐エッチング性マスクとして金属シート２５０をエッチングして（図３（ｂ）（ロ））、レジスト２６０、バッキング材２７０を剥がし、シート状の金属材料１１０Ｍを得る（図３（ｂ）（ハ））方法が挙げられる。
更に、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の作製する第３の方法として、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けてシート状の金属材料１１０Ｍを形成する方法が挙げられる。
これらは方法は、適宜、その目的に応じて用いられる。
【００３３】
電着樹脂層１２０は、電着により、金属材料１１０Ｍの表面に形成されるが、常温あるいは加熱により接着性（粘着性）を示すもので、絶縁信頼性、化学的安定性、強度に優れたものが好ましい。
電着樹脂層１２０を電着形成するための電着液に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性高分子樹脂としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００３４】
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から電着樹脂層１２０がポリイミド樹脂であるとが好ましい。
【００３５】
一方、ステンレス（ＳＵＳ３０４）等の導電性基材４１０の一面にレジスト４２０を塗布し、所定形状に開口部を設けた（図４（ａ））後、レジスト４２０の開口から露出した領域に電解めっきにより、導電性層４３０をめっき形成して、配線部形成用の転写版４００を形成しておく。（図４（ｂ））
レジスト４２０としては、ノボラックレジスト等が用いられるが、耐めっき性のもので処理性の良いものであれば、これに限定されない。
尚、必要に応じ、めっき前処理を行っておく。
また、転写版の導電性層４３０（配線部）は、導電性基材基材の面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層形成したものを用いた場合には、作製される配線基板の配線部１３３の層構成は、図２（ｃ）に示すようなる。
【００３６】
次いで、転写版４００と、前記電着樹脂層１２０を形成したベース基板１１０とを、転写版の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にして、位置合わせして、密着させる。（図４（ｃ））
密着は、必要に応じ、所定の圧、熱をかけて行う。
【００３７】
次いで、転写版４００の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に密着させた状態のまま、第１の例と同様、第２の面１１０Ｂ側から露出した、導電性層４３０（配線部）に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図４（ｅ））
尚、この電解めっきはめっき浴中で行うため、転写版４００の裏面（導電性層４３０形成側と反対の面）は、場合によっては、他のレジストやマスキング材で覆っても良い。
【００３８】
次いで、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａの表面に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に金めっき層１６５を設けた後、導電性層４３０（配線部１３３）のみをベース基板１１０に残した状態で、転写版４００を剥がす。（図４（ｆ））
上記のようにして、図１や図２（ａ）に示す単層配線基板１００は作製できる。
【００３９】
次に、単層配線基板を作製する別の方法を挙げ、図５に基づいて説明する。
この方法は、配線１３３を銅箔をエッチングして作製する製造する方法の例である。
先ず、図３（ａ）（イ）〜図３（ａ）（ニ）のようにして、シート状の金属材料１１０Ｍの表面に電着樹脂層１２０を形成したベース基板を用意してお。く
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に銅箔５４０をラミネートする。（図５（ａ））
銅箔５４０は、厚さ９〜１８μｍ程度のものを用い、電着樹脂層１２０を接着剤層としてラミネートする。
【００４０】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａと対向する第２の面１１０Ｂ側から露出した、銅箔部２４０に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部１１５を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（ｂ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図５（ｃ））
電解めっきとしては、銅めっきが挙げられる。
尚、この電解めっきはめっき浴中で行う。
【００４１】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にラミネートされた銅箔５４０の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジスト５５０を製版し（図５（ｄ））、レジスト５５０を 耐エッチング性マスクとしてエッチングし（図５（ｅ））、更にレジスト５５０のみを剥離して配線１３３を形成する。（図５（ｆ））
レジスト５５０としては処理性の良いものが好ましいが、特に限定はされない。
エッチング液としては、塩化第２鉄溶液等が用いられる。
尚、レジスト５５０の塗布は、銅箔５４０をラミネートした後に、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａをめっき形成する前にの行っても良い。
【００４２】
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａの表面に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に金めっき層１６５を設けておく。（図２（ａ））
上記のようにして、図１や図２（ａ）に示す単層配線基板１００は作製できる。
【００４３】
この、単層配線基板を作製する方法の変形例としては、銅箔５４０に代え、導電性樹脂層をベース基板の第１の面１１０Ａに圧着しておき、同様にして、これを用い充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａや外部端子部１５５、１５５Ａを形成し、且つ、これを製版してエッチングして配線１３３を形成する方法もある。
【００４４】
次に、図１、図６に基づいて、図１（ｂ）に示す、本発明の多層配線基板の実施の形態の第２の例の製造方法を説明しておく。
先ず、上記のようにして作製された本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例の多層配線基板（図１（ａ））の、外部端子１５０、１５５０Ａ側に、絶縁性の接着剤層１９５を介して銅箔６１０をラミネートする。（図６（ａ））
次いで、銅箔６１０の露出した面に、作成する配線に合わせた形状に耐エッチング性のレジスト６２０を製版しておく。（図６（ｂ））
次いで、レジスト６２０をマスクとして、銅箔６１０の露出部をエッチングし、レジスト６２０を除去して、配線１３５を形成する。（図１（ｂ））
このようにして、第２の例の多層配線基板は作成される。
【００４５】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を更に説明する。
（実施例１）
実施例１は、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０とする）とし、且つ、各単層配線基板１００の配線１３３の層構成が銅単体とするものを、上記第１の例の多層配線基板の製造方法により作成したものである。
図３、図４に基づいて説明する。
先ず、各単層配線基板用の配線に応じ、転写版４００（図４（ａ））を以下のようにして作成した。
尚、転写版の配線は各単層配線基板とも異なる。
導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図４（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図４（ａ））
上記、導電性基材４１０と含燐銅電極とを対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない導電性基材４１０の露出部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を導電性層４３０として形成し、転写版４００を得た。（図４（ｂ））
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４６】
また、シート状の金属材料１１０Ｍの作製を以下のようにして行った。
導電性基材２１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＡＲ−９００（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約２０μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、６００ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図３（ａ）の２２０に相当）を形成した。（図３（ａ）（イ））
導電性基材２１０とＮｉ電極とを対向させ、下記組成のスルファミン酸ニッケル浴中に浸漬し、直流電源の陽極にＮｉ電極を、陰極に導電性基材２１０を接続し、電流密度５Ａ／ｄｍ2 で２０分間の通電を行い、レジスト２２０に覆われていない導電性基材２１０の露出部に膜厚約２０μｍのＮｉめっき膜を形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した。（図３（ａ）（ロ））
この後これを剥がしてシート状の金属材料１１０Ｍのみを得た。（図３（ａ）（ハ））
（スルファミン酸ニッケル浴の組成）
【００４７】
次いで、シート状の金属材料１１０Ｍの所定位置の貫通孔のみマスキング材２３０でその表面を覆い、シート状の金属材料１１０Ｍを白金電極と対向させ、下記のようにして調整したアニオン型の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極に シート状の金属材料１１０Ｍを、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、金属材料１１０Ｍの表面に厚さ１５μｍの接着性を有する絶縁樹脂層（電着樹脂層１２０に相当）を形成して、ベース基板１１０を得た。（図３（ａ）（ニ））
以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００４８】
上記のようにして作製した転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）形成側を、上記ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに下記条件にて圧着させ（図４（ｃ））、圧着状態のまま、下記の銅めっき浴中で、ベース基板１１０の、第２の面側から露出した、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）上に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図４（ｅ））尚、電解めっきは、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に転写版４００の導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度４Ａ／ｄｍ2 で３０分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約２５μｍの銅めっき膜を形成したものである。
（圧着条件）
圧力 ５ｋｇ／ｃｍ2
温度 ２００°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４９】
次いで、外部端子部１５５、１５５Ａ表面のみにニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施した。
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：日本高純度化学株式会社製のＷＨＮ
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
この後、転写版を剥がして、図１、図２（ａ）に示す第１の例の単層配線基板と同じ形態の、単層配線基板Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０を作製した。
尚、各単層配線基板の配線は、それぞれ使用した転写版の配線形状に対応するもので、各単層配線基板で異なる。
【００５０】
次いで、上記のようにして得られた単層配線基板Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０を絶縁性の接着剤層１９５（ポリイミド樹脂層）を介して、位置合わせして重ねた後、下記条件で圧着し、多層配線基板を得た。
（圧着条件）
圧力 ５ｋｇｆ／ｃｍ2
温度 ２５０°Ｃ
【００５１】
（実施例２）
実施例２も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｂ１０、Ｂ２０、Ｂ３０とする）とするものであるが、実施例１とは異なり、銅を主材質とし、表面部にニッケルめっきを下地とし、表面に金めっき層を設けた配線を有するもので、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）を導電性基材４１０の面側から順に、金めっき、ニッケルめっき、銅めっきとしたものである。
それ以外については、実施例１と同じであるため、ここでは、転写版４００の作成工程のみを説明する。
実施例１と同様にして、導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図４（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図４（ａ））
次いで、上記、導電性基材４１０と白金チタン電極を対向させてテンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）の電解金めっき浴中で浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない露出部に膜厚約１μｍの金めっき層を形成した。
次いで、金めっき層を形成した導電性基材４１０を、下記のニッケルめっき液ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）に浸漬し、直流電源の陽極に電解ニッケル板を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で５分間の通電を行い、金めっきが形成されている部分上に約１μｍのニッケル膜を形成した。
次いで、ニッケル膜を形成された導電性基材４１０と、含燐銅電極を対向させ、下記組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を形成した。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５２】
（実施例３）
実施例３も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｃ１０、Ｃ２０、Ｃ３０とする）とするものであるが、実施例１における、外部端子部１５５、１５５Ａ表面にニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施す工程を省いた、外部端子部が銅のみの単層配線基板を用いたものである。
それ以外については、実施例１と同じである。
【００５３】
（実施例４）
実施例４も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｄ１０、Ｄ２０、Ｄ３０とする）とするものであるが、実施例１における、外部端子部１５５、１５５Ａ表面にニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施す工程に代え、外部端子部１５５、１５５Ａの表面に金めっきを以下の条件にて施して、各単層配線基板を得たものである。
それ以外については、実施例１と同じである。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電
【００５４】
（実施例５）
実施例５も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｅ１０、Ｅ２０、Ｅ３０とする）とするものであるが、実施例１における、外部端子部１５５、１５５Ａ表面にニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施す工程に代え、外部端子部１５５、１５５Ａの表面に錫めっきを以下の条件にて施して、各単層配線基板を得たものである。
それ以外については、実施例１と同じである。
（錫めっきえきおよびめっき条件）
硫酸第一錫 ５５ｇ／ｌ
硫酸 １００ｇ／ｌ
クレゾールスルホン酸 １００ｇ／ｌ
ゼラチン ２ｇ／ｌ
ベータナフトール １ｇ／ｌ
電流密度：１Ａ／ｄｍ2
液温 ２０°Ｃ
【００５５】
（実施例６）
実施例６も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｆ１０、Ｆ２０、Ｆ３０とする）とするものであるが、実施例１における各単層配線基板の配線部１３３の形成を、図５に示す工程にて行ったものであり、それ以外については、実施例１と同じである。
以下、図５の工程のみを説明する。
電解銅箔５４０を下記条件にて、ベース基板１１０の第１面１１０Ａ貼り合わせた（ラミネートした）後、ポジ型のレジスト５５０（ＡＲ−９００、東京応化工業株式会社製）を銅箔５４０の全面に塗布して８０°Ｃ３０分間乾燥した。（図５（ａ））
次いで、実施例１と同様にして、ベース基板１１０の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔５４０部に銅めっきしてベース基板の貫通孔部を、 導電性層を電解めっきによりめっき形成して、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（１ｂ）、さらに継続して銅めっきを行い、外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図５（ｃ））
この後、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側の銅箔５４０面にポジ型のレジスト５５０を塗布、所定のマスクで露光し、現像し（図５（ｄ））、銅箔２４０が露出している部分を塩化第２鉄（４３ボーメ）で除去し（図５（ｅ））、レジスト５５０を除去した。（図５（ｆ））
さらに、２５０°Ｃ、１時間硬化熱処理して配線基板を得た。
【００５６】
（実施例７）
実施例７も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｇ１０、Ｇ２０、Ｇ３０とする）とするものであるが、実施例１における、シート状の金属材料１１０Ｍの作製を図３（ｂ）に示す方法にて行ったもので、それ以外については、実施例１と同じである。
以下、金属材料１１０Ｍのエッチング加工工程のみを記す。
約２０μｍ厚の電解銅箔（図３（ｂ）の２５０に相当）にポジ型のレジストＡＲ−９００（図３（ｂ）の２６０に相当）、東京応化工業株式会社製）を約１０μｍ厚に塗布形成した後、所望の充填タイプのスルーホール領域に合わせた形状のマスクを用いて露光し、現像を行い、レジストから露出した部分を塩化第２鉄でエッチング除去し、該レジスト２６０を剥離し、且つバッキング材２７０を剥がして金属材料１１０Ｍを得た。
【００５７】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板の提供を可能とした。
より具体的には、本発明の多層配線基板は、信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した単層配線基板を積層した構造で、電気的接続を信頼できるものとしている。
更に、本発明の多層配線基板は、使用する際に、各単層配線基板のベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにおり、各単層配線基板のベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くできる。
また、各単層配線基板の配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。
そして、同時に、そのような多層配線基板の製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例、第２の例の特徴部を示した図
【図２】単層配線基板を説明するための図
【図３】ベース基板の製造工程を説明するための断面図
【図４】単層配線基板の製造方法の１例を説明するための工程図
【図５】単層配線基板の製造方法の他の１例を説明するための工程図
【図６】本発明の多層配線基板の製造方法を説明するための図
【図７】ビルトアップ法を説明するための図
【符号の説明】
１００、１００Ａ 単層配線基板
１１０ ベース基板
１１０Ａ 第１の面
１１０Ｂ 第２の面
１１０Ｍ 金属材料
１１５、１１５Ｍ 貫通孔部
１２０ 電着樹脂層
１３３ 貫通孔部
１３３Ａ 端子部
１３３Ｂ リード
１４１、１４３ ニッケル層
１４２ 銅層
１４４ 金層
１５０、１５０Ａ 充填タイプのスルホール
１５５、１５５Ａ 外部端子部
１６０ 下地めっき層（Ｎｉめっき層）
１６５ 金めっき層
１９０、１９５ 接着剤層
２１０ 導電性基板
２２０ レジスト
２３０ マスキング材
２５０ 金属シート
２６０ レジスト
２６５ 開口部
２７０ バッキング材
４００ 転写版
４１０ 導電性基板
４２０ レジスト
４３０ 導電性層
５４０ 銅箔
５５０ レジスト
６１０ 銅箔
６２０ レジスト
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板とその製造方法に関するもので、特に、高信頼性を有す充填タイプのスルーホールを形成した単層配線基板を積層した多層基板で、各単層配線基板のコア材である金属材料部をグランド基板として使用することができる多層配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、プリント基板、半導体周辺に使用される回路基板、各種ディスプレイに用いられる配線基板等、各種配線基板においても、高密度化の要求が強く、これに対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化が進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製は煩雑で、製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
【０００５】
これに対応するため、基材上に、一面にめっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して、図７に示すような構造の多層配線基板を作製するビルトアップ法と呼ばれる多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
図７中、７００は多層配線基板、７１０は配線基板、７１１はベース基材、７１５は配線、７１７はスルーホール、７２０は１層目の絶縁樹脂層、７２５は配線、７２７はビア、７３０は２層目の絶縁樹脂層、７３５は配線、７３７はビアである。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
ＢＴレジン等からなる絶縁性のベース基材７１１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上への金属層（銅めっき層）からなる配線（７１５、７２５、７３５）およびビア７２７、７３７の形成は、通常、絶縁性の基材７１１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、このビルトアップ法による多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
基材上に金属配線（配線部）と、絶縁層とを１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、且つ、製造コストが割高となるという問題がある。
【０００６】
また、このビルトアップ法による多層基板の作製方法においては、層間絶縁膜や配線保護膜を得るのに一般印刷によるパターン形成は安価で量産的な方法であるが、この方法は、得られるパターンの精度が悪く、細線の印刷ができず、高精度、高密度のパターンの形成には適していない。
この為、高精細、高密度のパターンの層間絶縁膜や配線保護膜を得るための、高精細、高密度のパターンの形成には、印刷法でなく、感光性絶縁材料（樹脂）を用いたフォトリソグラフィー法による形成が用いられるが、フォトリソグラフィー法の場合、工程が長くなり、設備も高価となり、パターン形成に長時間を要し、生産コストが高くなる。更に、現像により捨てる感光性絶縁材料の量が多く、コスト高の一因となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況のもと、多層基板の作製方法においては、ビルトアップ法に比べ、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板を提供しようとするものである。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板は、少なくとも配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している多層配線基板を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板は、少なくとも配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることを特徴とするものである。
そして、上記において、単層配線基板は全て、同じ形状のベース基板を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホールを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール同志が、重なるように各単層配線基板が重ねられていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記における単層配線基板は、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の単層配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としているものであることを特徴とするものである。
また、上記において、隣接する単層配線基板間の、配線と外部端子部との電気的接続は、接触ないし一体的に連結されており、隣接する単層配線基板同志は、隣接する単層配線基板間の電気的接続領域を除き、隣接する単層配線基板間を埋めるように設けられた絶縁性の接着剤層により接着されていることを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質が、銅であることを特徴とするものである。
また、上記において、単層配線基板の配線の最表面に金層を設けていることを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の第２の面側の導電性物質の最表面に金層を設けていることを特徴とするものである。
また、上記における粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層がポリイミド樹脂層であることを特徴とするものである。
また、上記において、金属材料がニッケルであることを特徴とするものである。
また、上記において、多層配線基板の一方の面である、単層配線基板のベース基板の第２の面側に、外部端子部に電気的に接続する配線を設けたことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の多層配線基板の製造方法は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した配線基板で、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としている単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板の製造方法であって、多層配線基板を形成するための上記の各単層配線基板を、それぞれ個別に作製し、且つ、隣接する単層配線基板間に絶縁性の接着剤層を挟んだ状態で、順に繰り返しプレスにより積層して、あるいは一度にプレスにより積層して形成するものであることを特徴とするものである。
【００１０】
そして、上記における多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、（Ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｂ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｃ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｄ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程を行い、作製されるものであることを特徴とするものであり、転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層、あるいは、金、ニッケル、銅の３層をめっき形成したものであることを特徴とするものであり、あるいは、錫、銅の２層をめっき形成したものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、（Ｅ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｆ）導電性を有するフィルムをベース基板の第１の面に圧着する導電性を有するフィルム圧着工程と、（Ｇ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、導電性を有するフィルムに導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｈ）ベース基板の第１の面側に圧着された導電性を有するフィルムの表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程を行い、作製されるものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、少なくとも順に、（ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｂ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｃ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｄ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程を行い、作製されるものであることを特徴とするものである。
【００１１】
また、上記のめっき工程において、ベース基板の第２の面の貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、貫通孔部に充填タイプのスルホールを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部を形成することを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の第２の面側のめっき形成された外部端子部の最表面は、金めっきが施されたものであることを特徴とするものである。
【００１２】
また、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングして形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けて形成するものであることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】
本発明の多層配線基板は、このような構成にすることにより、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板の提供を可能としている。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板は、少なくとも配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにより、これを達成している。
即ち、各単層配線基板は、電気的な接続の面で信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した構造で、表裏の電気的接続を信頼できるものとしている。
そして、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにより、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くできるものとしている。
そしてまた、各単層配線基板の配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。即ち、配線の高精細、高密度配線にも対応できる。
【００１４】
更に具体的には、単層配線基板は全て、同じ形状のベース基板を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホールを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール同志が、重なるように各単層配線基板が重ねられていることにより、各単層配線基板の配線設計を簡単なものとでき、且つ、各単層配線基板のベース基板が同じ形状のものであることにより、作製する際にも有利である。
また、単層配線基板は、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の単層配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としているものであることにより、全体の構成を複雑にせず単純なものとしている。
【００１５】
隣接する単層配線基板間の、配線と外部端子部との電気的接続は、接触ないし一体的に連結する方式が適用できる。
尚、一体的に連結する方式としては、例えば、配線の最表面を金層とし、外部端子部の最表面を金層ないし錫層として、共晶により接合する方式が挙げられる。
また、隣接する単層配線基板同志は、隣接する単層配線基板間の電気的接続領域を除き、隣接する単層配線基板間を埋めるように設けられた絶縁性の接着剤層により接着する方式が適用できる。
【００１６】
ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質としては、導電性、コスト的な面から銅が挙げられるが、特にこれに限定はされない。
また、配線としては、導電性、処理性、経済的な面から銅を主材質とすることが好ましい。
また、単層配線基板の配線の最表面に金層を設けていることにより、配線部全を化学的に安定なものとし、且つ、外部端子部の最表面を金層ないし錫層とした場合には、単層配線基板間の電気的接続を、共晶により接合することができるものとしている。
同様に、ベース基板の第２の面側の導電性物質の最表面に金層を設けていることにより、外部端子部を化学的に安定なものとし、配線の最表面に金層を設けてある場合には、単層配線基板間の電気的接続を、共晶により接合することができるものとしている。
【００１７】
また、粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層としては、電気絶縁性、強度、化学的安定性等が要求されるが、ポリイミド樹脂層が挙げられる。
【００１８】
また、金属材料としては、導電性、作業性（硬さ）等の性質が要求され、好ましい材質としてはニッケルが挙げられるが、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の他の材質も使用できる。
【００１９】
尚、多層配線基板としては、多層配線基板の一方の面である、単層配線基板のベース基板の第２の面側に、外部端子部に電気的に接続する配線を設けることにより、さらに、その使用適用範囲を広げることができる。
【００２０】
本発明の多層配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、比較的、簡単に、本発明の多層配線基板の作製を可能とするものである。
特に、各単層配線基板のベース基板の第１面側に転写版にめっき形成した配線部を、電着樹脂層を介して転写形成する場合には、配線部の微細化を可能としている。
また、単層配線基板のベース基板の第１面側に、異方性導電性フィルムを圧着して、エッチングにより配線部を形成する場合には、該配線部の形成をより簡単なものとできる。
また、単層配線基板のベース基板の第１面側に、電着樹脂層を介しラミネート銅箔をエッチングして配線部を形成する場合には、該配線部の形成をより簡単なものとできる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図１（ｂ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図２（ａ）は、図１（ａ）、図１（ｂ）に用いられる単層配線基板を示した断面図で、図２（ｂ）はその配線形状を説明するための図で、図２（ｃ）は配線の層構成を説明するための断面図で、図２（ｄ）は別の単層配線基板を示した断面図で、図３（ａ）はベース基板の作製工程図で、図３（ｂ）は所定の位置に貫通孔を設けた金属材料のエッチング加工工程を示した断面図で、図４は転写版を用いた単層配線基板の製造工程図で、図５は別の単層配線基板の製造工程図で、図６は多層配線基板の一面の外部端子部側に更に配線を設け工程を説明するための図である。
各図ともに、説明を分かり易くするために、特徴部の一部断面を示したものである。
図１（ａ）、図１（ｂ）においては、図を分かり易くするため、外部端子部１５５、１５５Ａについては、その表面部の層構成は分けずに示してある。
また、図２（ｃ）は図２（ａ）のＡ１−Ａ２における断面図を示し、図２（ｂ）の点線領域は充填タイプのスルホール領域を示す。
図１〜図６中、１００、１００Ａは単層配線基板、１１０はベース基板、１１０Ａは第１の面、１１０Ｂは第２の面、１１０Ｍは金属材料、１１５、１１５Ｍは貫通孔部、１２０は電着樹脂層、１３３は配線部（めっき導電性層）、１３３Ａは端子部、１３３Ｂはリード、１４１、１４３はニッケル層、１４２は銅層、１４４は金層、１５０、１５０Ａは充填タイプのスルホール、１５５、１５５Ａは外部端子部、１６０は下地めっき層、１６５は金めっき層、１９０、１９５は接着剤層、２１０は導電性基板、２２０はレジスト、２３０はマスキング材、２５０は金属シート、２６０はレジスト、２６５は開口部、２７０はバッキング材、４００は転写版、４１０は導電性基板、４２０はレジスト、４３０導電性層、５４０は銅箔、５５０はレジスト、６１０は銅箔、６２０はレジストである。
尚、ここでは、充填タイプのスルホールのうち金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設け、金属材料１１０Ｍと電気的に接続していないものを１５０とし、金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設けずに金属材料１１０Ｍと電気的に接続しているものを１５０Ａとしている。
そして、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａに一体的に設けられた外部端子部をそれぞれ、１５５、１５５Ａとしている。
【００２２】
はじめに、本発明の多層配線基板の実施の形態の例を挙げる。
先ず、第１の例を図１（ａ）、図２に基づいて説明する。
第１の例の多層配線基板は、図２（ａ）に示す、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層１２０を設けたシート状の金属材料をベース基板１１０とし、該ベース基板１１０の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに配線を１層形成し、配線１３３を前記充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと接続して形成した単層配線基板１００を用いたもので、図１（ａ）に示すように、単層配線基板１００を複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板である。
そして、使用する際に、ベース基板１１０のシート状の金属材料１１０Ｍ部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板１００は、少なくとも配線１３３の一部を、その表面部に電着樹脂層１２０を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホール１５０Ａを介して金属材料１１０Ｍに接続しているものである。
また、第１の例においては、単層配線基板１００は全て、同じ形状のベース基板１１０を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａ同志が、重なるように各単層配線基板１００が重ねられている。
尚、各単層基板の配線１３３は、それぞれ、使用目的に合わせた所定の形状に設けられている。
【００２３】
また、第１の例における単層配線基板１００は、図２（ａ）にも示すように、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面１１０Ａに対向する第２の面１１０Ｂ側の部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の単層配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部１５５、１５５Ａとしている。
充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａは、ベース基板１１０の貫通孔部を埋めるように、導電性物質によりめっき形成されており、配線１３３の端子部１３３Ａに直接めっき接続している。
貫通孔を埋め、外部端子部１５５、１５５Ａの一部を形成する導電性物質としては、銅が挙げられるが、これに限定はされない。
外部端子部１５５、１５５Ａの表面部は、図２（ａ）に示す単層配線基板の場合には、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成する導電性物質と同じで一体的に連結した導電性物質上に、下引き層１６０としてニッケル層を設け、その上に金めっき層１６５が最表面となるように形成されているが、外部端子部１５５、１５５Ａの層構成は、これに限定はされない。
配線１３３はその表面部に金層を設けることにより、化学的に安定となるとともに、単層配線基板を積層した場合、配線部に対応する外部端子部の最表面を金層や錫層としておくことにより、共晶させて接続することができる。
【００２４】
第１の例においては、隣接する単層配線基板間の、配線１３３と外部端子部１５０、１５０Ａとの電気的接続は、接触ないし一体的に連結されている。
そして、隣接する単層配線基板１００同志は、隣接する単層配線基板間の電気的接続領域を除き、隣接する単層配線基板間を埋めるように設けられた絶縁性の接着剤層１９０により接着されている。
【００２５】
配線部１３３は、めっき形成された転写版から転写形成されたもの、あるいは、導電性樹脂層あるいは銅箔をエッチング形成したもので、配線の微細化が可能で、高精細、高密度配線に対応できる。
配線部１３３が、めっき形成された転写版から転写形成されたものの場合、図２（ｃ）に示すように、配線１３３の層構成の１例としては、銅層１４２を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順にニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４を積層した構成が挙げられる。
この場合、ニッケル層１４１は、転写版に銅層１４２をめっき形成する際の下引き層で、１４４は隣接する単層配線基板の外部端子部との接続を容易とするためのもので、ニッケル層１４３は金層１４４の下引き層である。
ニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４の各層厚さはそれぞれ、１μｍ、１０μｍ、１μｍ、０．５μｍ程度が好ましいが、これ以外の厚さでも適用できる。
尚、配線１３３の層構成は、必ずしもこれに限定はされない。
また、配線１３３の表面、全体に金層を設けた場合には、化学的に安定した構成となり、好ましい。
配線１３３の別の層構成としては、例えば、銅層を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、ニッケル層、金層を設けた構成や、銅を主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、錫層を設けた構成が挙げられる。
また、場合によっては、配線１３３を銅単層として配線基板を作製する場合もある。
図２（ｂ）に示すように、各配線部１３３の充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａと接続する端子部１３３Ａは、リード１３３Ｂに接続している。
本例では端子部１３３Ａは、充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａの形成領域全体（図２（ｂ）の点線円領域内）を覆うように設けられているが、必ずしも全体を覆う必要はない。
このことは、配線部１３３（端子部１３３Ａを含む）の形成する際に、形成精度をそれほど必要しないことを意味する。
図２（ｂ）は、配線形状の１例で、配線の形状は使用目的に合わせてとる。
【００２６】
金属材料１１０Ｍとしては導電性、作業性（硬さ）等の性質が要求され、好ましい材質としてはニッケルが挙げられるが、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の他の材質も使用できる。
【００２７】
電着樹脂層１２０は、常温、加熱により接着絶縁性を示すもので、電気的絶縁性、強度等に優れるものが好ましく、特に限定はされないが、ポリイミド樹脂層が挙げられる。
電着樹脂層１２０は、シート状の金属材料１１０Ｍの表面を覆い、金属材料１１０Ｍとともにベース基板１１０を形成しており、配線部１３３は、この電着樹脂層１２０にて金属材料１１０Ｍに接着保持されている。
【００２８】
次いで、第２の例を図１（ｂ）に基づいて説明する。
図１（ｂ）に示す第２の例の多層配線基板は、図１（ａ）第１の例の多層配線基板に、更に、接着剤層１９５を介して配線１３５を設けたものである。
その他の点については、第１の例と同じである。
【００２９】
図１（ａ）に示す第１の例、図１（ｂ）に第２の例ともに、単層配線基板は全て、同じ形状のベース基板を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホールを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール同志が、重なるように各単層配線基板が重ねられていることにより、配線設計を簡単なものとでき、且つ、各単層配線基板のベース基板が同じ形状のものであることにより、作製する際にも有利である。
【００３０】
これらの変形例の多層配線基板としては、異なるベース基板を用いた単層配線基板を積層したものが挙げられる。
また、積層する単層配線基板の数を変えたものが挙げられる。
単層配線基板１００の変形例としては、図２（ｄ）に示すように、外部端子部１５５、１５５Ａを殆ど盛り上げない構造のもの、即ち、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａのベース基板１１０の第２面側１１０Ｂの面に、直接下地めっき層１６０を施し、その上に金めっき層１６５を施した構造のものがある。
図１（ａ）、図１（ｂ）において、単層配線基板１００に代え、図２（ｄ）に示す単層配線基板１００Ａを用いたものも、変形例の多層配線基板として挙げることができる。
【００３１】
次に、本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の１例を挙げる。
図３、図４に基づいて説明する。
本例は、図１（ａ）に示す、本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例で、各単層配線基板１００の配線部１３３が、それぞれめっき形成された転写版から転写形成されたものの、製造方法の１例である。
本例は、簡単には、積層する単層配線基板１００それぞれ作製しておき、接着剤層１９０を介して、これらを位置合わせした状態で重ねた後、プレスにて圧をかけて、隣接する単層配線基板の配線部１３３と外部端子部 １５０、１５０Ａが機械的に接触するようにして、圧着するものである。
位置合わせ方法としては、特に限定はされないが、所定の位置合わせ治具を用いる方法が、通常は採られる。
１度に全単層配線基板をプレスしても良いし、順次、１枚づつ単層配線基板を積層していっても良い。
【００３２】
次に、各単層配線基板１００の作製方法を、以下説明する。
はじめに、以下のようにして、ベース基板１１０を図３（ａ）のようにして作製する。
まず、導電性基材２１０の一面に、貫通孔を形成する領域のみにレジスト２２０を設け（図３（ａ）（イ））、該導電性基板２１０の一面のレジスト２２０に覆われていない領域に導電性層をめっき形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した（図３（ａ）（ロ））後、金属材料１１０Ｍを導電性基材２１０から剥離する。（図３（ａ（ハ））
次に、シート状の金属材料１１０Ｍの所定の貫通孔部１１５Ｍの表面のみマスキング材２３０でマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板１１０を作製する。（図３（ａ）（ニ））
充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の作製する第２の方法としては、図３（ｂ）に示すように、所定の厚さの金属シート２６０を素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジスト２６０を該金属シート２５０の一面に製版して、且つ、他の一面を耐エッチング性のバッキング材２７０で覆い（図３（ｂ）（イ））、レジスト２６０を耐エッチング性マスクとして金属シート２５０をエッチングして（図３（ｂ）（ロ））、レジスト２６０、バッキング材２７０を剥がし、シート状の金属材料１１０Ｍを得る（図３（ｂ）（ハ））方法が挙げられる。
更に、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の作製する第３の方法として、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けてシート状の金属材料１１０Ｍを形成する方法が挙げられる。
これらは方法は、適宜、その目的に応じて用いられる。
【００３３】
電着樹脂層１２０は、電着により、金属材料１１０Ｍの表面に形成されるが、常温あるいは加熱により接着性（粘着性）を示すもので、絶縁信頼性、化学的安定性、強度に優れたものが好ましい。
電着樹脂層１２０を電着形成するための電着液に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性高分子樹脂としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００３４】
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から電着樹脂層１２０がポリイミド樹脂であるとが好ましい。
【００３５】
一方、ステンレス（ＳＵＳ３０４）等の導電性基材４１０の一面にレジスト４２０を塗布し、所定形状に開口部を設けた（図４（ａ））後、レジスト４２０の開口から露出した領域に電解めっきにより、導電性層４３０をめっき形成して、配線部形成用の転写版４００を形成しておく。（図４（ｂ））
レジスト４２０としては、ノボラックレジスト等が用いられるが、耐めっき性のもので処理性の良いものであれば、これに限定されない。
尚、必要に応じ、めっき前処理を行っておく。
また、転写版の導電性層４３０（配線部）は、導電性基材基材の面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層形成したものを用いた場合には、作製される配線基板の配線部１３３の層構成は、図２（ｃ）に示すようなる。
【００３６】
次いで、転写版４００と、前記電着樹脂層１２０を形成したベース基板１１０とを、転写版の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にして、位置合わせして、密着させる。（図４（ｃ））
密着は、必要に応じ、所定の圧、熱をかけて行う。
【００３７】
次いで、転写版４００の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に密着させた状態のまま、第１の例と同様、第２の面１１０Ｂ側から露出した、導電性層４３０（配線部）に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図４（ｅ））
尚、この電解めっきはめっき浴中で行うため、転写版４００の裏面（導電性層４３０形成側と反対の面）は、場合によっては、他のレジストやマスキング材で覆っても良い。
【００３８】
次いで、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａの表面に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に金めっき層１６５を設けた後、導電性層４３０（配線部１３３）のみをベース基板１１０に残した状態で、転写版４００を剥がす。（図４（ｆ））
上記のようにして、図１や図２（ａ）に示す単層配線基板１００は作製できる。
【００３９】
次に、単層配線基板を作製する別の方法を挙げ、図５に基づいて説明する。
この方法は、配線１３３を銅箔をエッチングして作製する製造する方法の例である。
先ず、図３（ａ）（イ）〜図３（ａ）（ニ）のようにして、シート状の金属材料１１０Ｍの表面に電着樹脂層１２０を形成したベース基板を用意してお。く
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に銅箔５４０をラミネートする。（図５（ａ））
銅箔５４０は、厚さ９〜１８μｍ程度のものを用い、電着樹脂層１２０を接着剤層としてラミネートする。
【００４０】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａと対向する第２の面１１０Ｂ側から露出した、銅箔部２４０に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部１１５を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（ｂ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図５（ｃ））
電解めっきとしては、銅めっきが挙げられる。
尚、この電解めっきはめっき浴中で行う。
【００４１】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にラミネートされた銅箔５４０の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジスト５５０を製版し（図５（ｄ））、レジスト５５０を 耐エッチング性マスクとしてエッチングし（図５（ｅ））、更にレジスト５５０のみを剥離して配線１３３を形成する。（図５（ｆ））
レジスト５５０としては処理性の良いものが好ましいが、特に限定はされない。
エッチング液としては、塩化第２鉄溶液等が用いられる。
尚、レジスト５５０の塗布は、銅箔５４０をラミネートした後に、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａをめっき形成する前にの行っても良い。
【００４２】
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａの表面に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に金めっき層１６５を設けておく。（図２（ａ））
上記のようにして、図１や図２（ａ）に示す単層配線基板１００は作製できる。
【００４３】
この、単層配線基板を作製する方法の変形例としては、銅箔５４０に代え、導電性樹脂層をベース基板の第１の面１１０Ａに圧着しておき、同様にして、これを用い充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａや外部端子部１５５、１５５Ａを形成し、且つ、これを製版してエッチングして配線１３３を形成する方法もある。
【００４４】
次に、図１、図６に基づいて、図１（ｂ）に示す、本発明の多層配線基板の実施の形態の第２の例の製造方法を説明しておく。
先ず、上記のようにして作製された本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例の多層配線基板（図１（ａ））の、外部端子１５０、１５５０Ａ側に、絶縁性の接着剤層１９５を介して銅箔６１０をラミネートする。（図６（ａ））
次いで、銅箔６１０の露出した面に、作成する配線に合わせた形状に耐エッチング性のレジスト６２０を製版しておく。（図６（ｂ））
次いで、レジスト６２０をマスクとして、銅箔６１０の露出部をエッチングし、レジスト６２０を除去して、配線１３５を形成する。（図１（ｂ））
このようにして、第２の例の多層配線基板は作成される。
【００４５】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を更に説明する。
（実施例１）
実施例１は、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０とする）とし、且つ、各単層配線基板１００の配線１３３の層構成が銅単体とするものを、上記第１の例の多層配線基板の製造方法により作成したものである。
図３、図４に基づいて説明する。
先ず、各単層配線基板用の配線に応じ、転写版４００（図４（ａ））を以下のようにして作成した。
尚、転写版の配線は各単層配線基板とも異なる。
導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図４（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図４（ａ））
上記、導電性基材４１０と含燐銅電極とを対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない導電性基材４１０の露出部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を導電性層４３０として形成し、転写版４００を得た。（図４（ｂ））
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４６】
また、シート状の金属材料１１０Ｍの作製を以下のようにして行った。
導電性基材２１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＡＲ−９００（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約２０μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、６００ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図３（ａ）の２２０に相当）を形成した。（図３（ａ）（イ））
導電性基材２１０とＮｉ電極とを対向させ、下記組成のスルファミン酸ニッケル浴中に浸漬し、直流電源の陽極にＮｉ電極を、陰極に導電性基材２１０を接続し、電流密度５Ａ／ｄｍ2 で２０分間の通電を行い、レジスト２２０に覆われていない導電性基材２１０の露出部に膜厚約２０μｍのＮｉめっき膜を形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した。（図３（ａ）（ロ））
この後これを剥がしてシート状の金属材料１１０Ｍのみを得た。（図３（ａ）（ハ））
（スルファミン酸ニッケル浴の組成）
次いで、シート状の金属材料１１０Ｍの所定位置の貫通孔のみマスキング材２３０でその表面を覆い、シート状の金属材料１１０Ｍを白金電極と対向させ、下記のようにして調整したアニオン型の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極に シート状の金属材料１１０Ｍを、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、金属材料１１０Ｍの表面に厚さ１５μｍの接着性を有する絶縁樹脂層（電着樹脂層１２０に相当）を形成して、ベース基板１１０を得た。（図３（ａ）（ニ））
以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００４８】
上記のようにして作製した転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）形成側を、上記ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに下記条件にて圧着させ（図４（ｃ））、圧着状態のまま、下記の銅めっき浴中で、ベース基板１１０の、第２の面側から露出した、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）上に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図４（ｅ））尚、電解めっきは、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に転写版４００の導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度４Ａ／ｄｍ2 で３０分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約２５μｍの銅めっき膜を形成したものである。
（圧着条件）
圧力 ５ｋｇ／ｃｍ2
温度 ２００°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４９】
次いで、外部端子部１５５、１５５Ａ表面のみにニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施した。
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：日本高純度化学株式会社製のＷＨＮ
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
この後、転写版を剥がして、図１、図２（ａ）に示す第１の例の単層配線基板と同じ形態の、単層配線基板Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０を作製した。
尚、各単層配線基板の配線は、それぞれ使用した転写版の配線形状に対応するもので、各単層配線基板で異なる。
【００５０】
次いで、上記のようにして得られた単層配線基板Ａ１０、Ａ２０、Ａ３０を絶縁性の接着剤層１９５（ポリイミド樹脂層）を介して、位置合わせして重ねた後、下記条件で圧着し、多層配線基板を得た。
（圧着条件）
圧力 ５ｋｇｆ／ｃｍ2
温度 ２５０°Ｃ
【００５１】
（実施例２）
実施例２も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｂ１０、Ｂ２０、Ｂ３０とする）とするものであるが、実施例１とは異なり、銅を主材質とし、表面部にニッケルめっきを下地とし、表面に金めっき層を設けた配線を有するもので、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）を導電性基材４１０の面側から順に、金めっき、ニッケルめっき、銅めっきとしたものである。
それ以外については、実施例１と同じであるため、ここでは、転写版４００の作成工程のみを説明する。
実施例１と同様にして、導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図４（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図４（ａ））
次いで、上記、導電性基材４１０と白金チタン電極を対向させてテンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）の電解金めっき浴中で浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない露出部に膜厚約１μｍの金めっき層を形成した。
次いで、金めっき層を形成した導電性基材４１０を、下記のニッケルめっき液ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）に浸漬し、直流電源の陽極に電解ニッケル板を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で５分間の通電を行い、金めっきが形成されている部分上に約１μｍのニッケル膜を形成した。
次いで、ニッケル膜を形成された導電性基材４１０と、含燐銅電極を対向させ、下記組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を形成した。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５２】
（実施例３）
実施例３も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｃ１０、Ｃ２０、Ｃ３０とする）とするものであるが、実施例１における、外部端子部１５５、１５５Ａ表面にニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施す工程を省いた、外部端子部が銅のみの単層配線基板を用いたものである。
それ以外については、実施例１と同じである。
【００５３】
（実施例４）
実施例４も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｄ１０、Ｄ２０、Ｄ３０とする）とするものであるが、実施例１における、外部端子部１５５、１５５Ａ表面にニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施す工程に代え、外部端子部１５５、１５５Ａの表面に金めっきを以下の条件にて施して、各単層配線基板を得たものである。
それ以外については、実施例１と同じである。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電
【００５４】
（実施例５）
実施例５も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｅ１０、Ｅ２０、Ｅ３０とする）とするものであるが、実施例１における、外部端子部１５５、１５５Ａ表面にニッケルめっきを施し、次いで金めっきを施す工程に代え、外部端子部１５５、１５５Ａの表面に錫めっきを以下の条件にて施して、各単層配線基板を得たものである。
それ以外については、実施例１と同じである。
（錫めっきえきおよびめっき条件）
硫酸第一錫 ５５ｇ／ｌ
硫酸 １００ｇ／ｌ
クレゾールスルホン酸 １００ｇ／ｌ
ゼラチン ２ｇ／ｌ
ベータナフトール １ｇ／ｌ
電流密度：１Ａ／ｄｍ2
液温 ２０°Ｃ
【００５５】
（実施例６）
実施例６も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｆ１０、Ｆ２０、Ｆ３０とする）とするものであるが、実施例１における各単層配線基板の配線部１３３の形成を、図５に示す工程にて行ったものであり、それ以外については、実施例１と同じである。
以下、図５の工程のみを説明する。
電解銅箔５４０を下記条件にて、ベース基板１１０の第１面１１０Ａ貼り合わせた（ラミネートした）後、ポジ型のレジスト５５０（ＡＲ−９００、東京応化工業株式会社製）を銅箔５４０の全面に塗布して８０°Ｃ３０分間乾燥した。（図５（ａ））
次いで、実施例１と同様にして、ベース基板１１０の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔５４０部に銅めっきしてベース基板の貫通孔部を、 導電性層を電解めっきによりめっき形成して、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（１ｂ）、さらに継続して銅めっきを行い、外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図５（ｃ））
この後、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側の銅箔５４０面にポジ型のレジスト５５０を塗布、所定のマスクで露光し、現像し（図５（ｄ））、銅箔２４０が露出している部分を塩化第２鉄（４３ボーメ）で除去し（図５（ｅ））、レジスト５５０を除去した。（図５（ｆ））
さらに、２５０°Ｃ、１時間硬化熱処理して配線基板を得た。
【００５６】
（実施例７）
実施例７も、実施例１と同様、図１に示す第１の例の多層配線基板と同じ形態のもので、単層配線基板を３層（それぞれ単層配線基板Ｇ１０、Ｇ２０、Ｇ３０とする）とするものであるが、実施例１における、シート状の金属材料１１０Ｍの作製を図３（ｂ）に示す方法にて行ったもので、それ以外については、実施例１と同じである。
以下、金属材料１１０Ｍのエッチング加工工程のみを記す。
約２０μｍ厚の電解銅箔（図３（ｂ）の２５０に相当）にポジ型のレジストＡＲ−９００（図３（ｂ）の２６０に相当）、東京応化工業株式会社製）を約１０μｍ厚に塗布形成した後、所望の充填タイプのスルーホール領域に合わせた形状のマスクを用いて露光し、現像を行い、レジストから露出した部分を塩化第２鉄でエッチング除去し、該レジスト２６０を剥離し、且つバッキング材２７０を剥がして金属材料１１０Ｍを得た。
【００５７】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、簡単に、低コストで作製でき、且つ、多層基板を形成する各配線基板間の電気的接続が信頼でき、更には、電気的特性の優れた、高精細、高密度配線の多層配線基板の提供を可能とした。
より具体的には、本発明の多層配線基板は、信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した単層配線基板を積層した構造で、電気的接続を信頼できるものとしている。
更に、本発明の多層配線基板は、使用する際に、各単層配線基板のベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにおり、各単層配線基板のベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くできる。
また、各単層配線基板の配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。
そして、同時に、そのような多層配線基板の製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例、第２の例の特徴部を示した図
【図２】単層配線基板を説明するための図
【図３】ベース基板の製造工程を説明するための断面図
【図４】単層配線基板の製造方法の１例を説明するための工程図
【図５】単層配線基板の製造方法の他の１例を説明するための工程図
【図６】本発明の多層配線基板の製造方法を説明するための図
【図７】ビルトアップ法を説明するための図
【符号の説明】
１００、１００Ａ 単層配線基板
１１０ ベース基板
１１０Ａ 第１の面
１１０Ｂ 第２の面
１１０Ｍ 金属材料
１１５、１１５Ｍ 貫通孔部
１２０ 電着樹脂層
１３３ 貫通孔部
１３３Ａ 端子部
１３３Ｂ リード
１４１、１４３ ニッケル層
１４２ 銅層
１４４ 金層
１５０、１５０Ａ 充填タイプのスルホール
１５５、１５５Ａ 外部端子部
１６０ 下地めっき層（Ｎｉめっき層）
１６５ 金めっき層
１９０、１９５ 接着剤層
２１０ 導電性基板
２２０ レジスト
２３０ マスキング材
２５０ 金属シート
２６０ レジスト
２６５ 開口部
２７０ バッキング材
４００ 転写版
４１０ 導電性基板
４２０ レジスト
４３０ 導電性層
５４０ 銅箔
５５０ レジスト
６１０ 銅箔
６２０ レジスト
Claims (20)
- 所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、各単層配線基板は、少なくとも配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１において、単層配線基板は全て、同じ形状のベース基板を用い、同じ位置、形状に充填タイプのスルホールを設けたもので、各単層配線基板の同じ位置、形状に充填タイプのスルホール同志が、重なるように各単層配線基板が重ねられていることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１または２における単層配線基板は、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の単層配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としているものであることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１ないし３のいずれかにおいて、隣接する単層配線基板間の、配線と外部端子部との電気的接続は、接触ないし一体的に連結されており、隣接する単層配線基板同志は、隣接する単層配線基板間の電気的接続領域を除き、隣接する単層配線基板間を埋めるように設けられた絶縁性の接着剤層により接着されていることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１ないし４のいずれかにおいて、ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質が、銅であることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１ないし５のいずれかにおいて、単層配線基板の配線の最表面に金層を設けていることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１ないし６のいずれかにおいて、ベース基板の第２の面側の導電性物質の最表面に金層を設けていることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１ないし７のいずれかにおける粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層がポリイミド樹脂層であることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１ないし８のいずれかにおいて、金属材料がニッケルであることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項１ないし９のいずれかにおいて、多層配線基板の一方の面である、単層配線基板のベース基板の第２の面側に、外部端子部に電気的に接続する配線を設けたことを特徴とする多層配線基板。
- 所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に粘着絶縁性あるいは接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成し、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の第１の面に配線を１層形成し、配線を前記充填タイプのスルホールと接続して形成した配線基板で、充填タイプのスルホールの、ベース基板の第１の面に対向する第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを、他の配線基板あるいは外部回路と電気的に接続するための外部端子部としている単層配線基板を、複数個、それぞれ、同じ向きにして積層した多層配線基板の製造方法であって、多層配線基板を形成するための上記の各単層配線基板を、それぞれ個別に作製し、且つ、隣接する単層配線基板間に絶縁性の接着剤層を挟んだ状態で、順に繰り返しプレスにより積層して、あるいは一度にプレスにより積層して形成するものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１１における多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、（Ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｂ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｃ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｄ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程を行い、作製されるものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１２における転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層、あるいは、金、ニッケル、銅の３層をめっき形成したもの、あるいは、錫、銅の２層をめっき形成したものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１１における、多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、（Ｅ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｆ）導電性を有するフィルムをベース基板の第１の面に圧着する導電性を有するフィルム圧着工程と、（Ｇ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、導電性を有するフィルムに導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｈ）ベース基板の第１の面側に圧着された導電性を有するフィルムの表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程を行い、作製されるものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１１における、多層配線基板を形成するための単層配線基板は、少なくとも順に、少なくとも順に、（ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｂ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｃ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｄ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程を行い、作製されるものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１２ないし１５のいずれかのめっき工程において、ベース基板の第２の面の貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、貫通孔部に充填タイプのスルホールを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１２ないし１６のいずれかにおいて、ベース基板の第２の面側のめっき形成された外部端子部の最表面は、金めっきが施されたものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１２ない１７のいずれかにおける貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１２ないし１７のいずれかにおける貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングして形成するものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
- 請求項１２ないし１７のいずれかにおける貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けて形成するものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26145498A JP4124297B2 (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 多層配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26145498A JP4124297B2 (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 多層配線基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091748A JP2000091748A (ja) | 2000-03-31 |
| JP4124297B2 true JP4124297B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=17362127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26145498A Expired - Fee Related JP4124297B2 (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 多層配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4124297B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW512653B (en) | 1999-11-26 | 2002-12-01 | Ibiden Co Ltd | Multilayer circuit board and semiconductor device |
| JP4434163B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-03-17 | 日本電気株式会社 | 半導体パッケージ基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP4094286B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2008-06-04 | 住友ベークライト株式会社 | アライメント方法 |
| JP3840921B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2006-11-01 | 株式会社デンソー | プリント基板のおよびその製造方法 |
| JP2003023250A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Denso Corp | 多層基板のおよびその製造方法 |
| CN114521041A (zh) * | 2020-11-18 | 2022-05-20 | 深南电路股份有限公司 | 一种线路板及其制造方法 |
-
1998
- 1998-09-16 JP JP26145498A patent/JP4124297B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000091748A (ja) | 2000-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4124297B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JP4287000B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JP4184540B2 (ja) | 配線基板とその製造方法 | |
| JP3735395B2 (ja) | 配線パターン層およびその製造方法 | |
| JP4240597B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JPH08288603A (ja) | プリント配線板とその製造方法および転写用原版 | |
| JP2000091719A (ja) | 絶縁被膜付き部材とそれを用いた配線基板、及び絶縁被膜付き部材の製造方法と配線基板の製造方法 | |
| JP3265366B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP4390930B2 (ja) | 積層配線基板とその製造方法、及び半導体装置 | |
| JP4101919B2 (ja) | 転写用部材の製造法及び転写用部材 | |
| JP3469620B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP4153602B2 (ja) | 回路基板の製造方法、回路基板及び磁気ヘッドサスペンション | |
| JP3953621B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JP4043611B2 (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
| JP3953616B2 (ja) | 配線基板とその製造方法 | |
| JPH11274724A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP3953622B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JP2001060754A (ja) | 配線形成用転写部材とその製造方法、及び配線基板 | |
| JP4270678B2 (ja) | 配線形成方法および転写版 | |
| JP4090582B2 (ja) | ビルトアップ多層配線基板の製造方法および絶縁膜の形成方法 | |
| JPH11261223A (ja) | 多層配線基板の製造方法と多層配線基板 | |
| JP2001085822A (ja) | 転写版の作製方法と転写版、および配線基板の製造方法と配線基板 | |
| JP3588931B2 (ja) | 両面導体層付きフィルムキャリア及びその形成方法 | |
| JP4024918B2 (ja) | 回路基板の製造方法および回路基板 | |
| JP2001077513A (ja) | 被膜配線の形成方法と配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050914 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071031 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071207 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080430 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080430 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |