JP4184540B2 - 配線基板とその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板とその製造方法に関するもので、特に、高信頼性を有す充填タイプのスルーホールを形成した配線基板と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、電子機器の高性能化と軽薄短小の傾向からＬＳＩ、ＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集横化、高性能化の一途をたどってきている。
これに伴い、信号の高速処埋には，パッケージ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になってきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに対応してきた。
この結果、半導体装置の高集積化、高機能化は外部端子総数の増加を招き、半導体装置の多端子化が求められるようになってきた。
多端子ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパフオーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリードフレームを用いたプラステイックＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピンを超えるものまで実用化に至っている。
ＱＦＰは、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード先端部と半導体素子の端子とをワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多端子化に対応できるものとして開発されてきた。
ここで用いる単層リードフレームは、通常、４２合金（４２％ニッケルー鉄合金）あるいは銅合金などの電気伝導率が高く、且つ機械的強度が大きい金属材を素材とし、フオトエッチング法かあるいはスタンピング法により、外形加工されていた。
【０００３】
しかし、半導体素子の信号処理の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになってきた。
ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するため、フオーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題を抱えていた。
このようなＱＦＰの実装面での間題に対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｇ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスッテイックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の半田ボールを通じて半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケージである。
ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応できた。
このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片面に半導体素子を塔載するダイパッドと半導体素子からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外部接続端子をもち、外部接続端子とボンディングパッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続している構造である。
【０００４】
しかしながら、このＢＧＡは、めっき形成したスルホールを介して、半導体素子とボンディングワイヤで結線を行う配線と、半導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部接続端子部（単に外部端子部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が多かった。
【０００５】
この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の向上をはかり、従来のリードフレームの作製と同様、金属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工し、これ（リードフレームとも言う）をコア材として、配線を形成したＢＧＡタイプの半導体装置も種々提案されている。
このタイプのものは、基本的に、金属薄板の板厚に加工精度、配線の微細化が制限される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ビスマレイド樹脂を用いたＢＧＡは、多端子化には有利であるものの、信頼性の面、作製上の面で問題が多く、また金属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工したもの（リードフレーム）をコア材として配線を形成したＢＧＡタイプ（エリアアレイタイプとも言う）のものは、近年の更なる多端子化には対応できないという問題がある。
本発明は、これらの問題に対応するもので、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を形成し、且つ、電気的接続に信頼性の高い充填タイプのスルホールを設けた配線基板を提供しようとするものである。
更には、電気的な特性の面で信頼性できる、配線基板を提供しようとするものである。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、金属材料に接続している配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に関わる配線基板は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることを特徴とものである。
そして、上記において、ベース基板の第１の面に配線を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部を設けたエリアアレイタイプの半導体装置用の配線基板であって、充填タイプのスルホールの第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを外部端子部としていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、外部端子部の最表面に、半田層ないし金層を設けていることを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質が、銅であることを特徴とするものである。
また、上記において、配線は、銅層を主材質とし、少なくとも、配線の表面に金層を積層して設けたことを特徴とするものである。
また、上記において、電着樹脂層が、ポリイミド樹脂であることを特徴とするものである。
また、上記において、金属材料がニッケルであることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（Ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｂ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｃ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｄ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有すること、あるいはまた、少なくとも順に、（Ｅ）充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｆ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｇ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させた後、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｈ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有することを特徴とするものである。
そして、上記において、転写版剥離工程の後に、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、別の転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することを特徴とするものである。
そしてまた、上記における転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層、あるいは、金、ニッケル、銅の３層をめっき形成したものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記おける転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、錫、銅の２層をめっき形成したものであることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｂ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｃ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｄ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程とを有すること、あるいはまた、少なくとも順に、（ｅ）充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｆ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｇ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させた後、ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｈ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程とを有することを特徴とするものである。
そして、上記において、配線部形成工程の後に、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することを特徴とするものである。
【００１０】
そして、上記のめっき工程において、ベース基板の第２の面の貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきを行い、貫通孔部に充填タイプのスルホールを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部を形成することを特徴とするものである。
【００１１】
そしてまた、上記において、めっき形成された外部端子部上に半田めっきないし金めっきを施すことを特徴とするものである。
【００１２】
また、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とするものである。
【００１３】
また、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングして形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けて形成するものであることを特徴とするものである。
【００１４】
尚、ここでは、シート状の金属材料の貫通孔の大きさについては、シート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製する際に、貫通孔が埋まることがない十分な大きさを前提としている。
しかし、仮に何らかの原因により、幾つかの貫通孔が電着樹脂層で埋まってしまった場合には、その部分については、レーザ照射等により電着樹脂層を除去しても良い。
【００１５】
【作用】
本発明に関わる配線基板は、このような構成にすることにより、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を形成し、且つ、電気的接続に対して信頼性の高い充填タイプのスルホールを設け、且つ電気的な特性の面で信頼できる配線基板の提供を可能としている。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることによりこれを達成している。
即ち、信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した構造で、ベース基板の表裏の電気的接続を信頼できるものとしている。そして、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにより、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くでき、また、配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。
【００１６】
更に具体的には、充填タイプのスルホールの第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを外部端子部とした、ベース基板の第１面に配線を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部を設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板とする場合には、特に有効で、第１の面の配線と第２の面側の外部端子部との電気接続を確実にでき、配線部の引き回し距離を短くでき、且つ、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性の面で優れたものとできる。更に、選択めっきにより形成された配線とすることにより、半導体素子の多端子化にも対応できるものとしている。
即ち、ＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）基板を用いたＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）用の基板のように、コア基板の一面に半導体素子を搭載し、他の面には外部端子部を設け、コア部に設けられた充填タイプのスルホールを介して両面を電気的に接続するタイプのエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、近年の更なる多端子化にも対応できる微細配線、多層配線を有し、且つ、コア部に設ける表裏の電気的接続を高い信頼性を有する充填タイプのスルホールとすることができる配線基板の提供を可能としている。
結局、ベース基板の第１面に配線を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部を設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、近年の半導体素子の多端子化、信号の高速化に対応できる配線基板の提供を可能としている。
【００１７】
尚、プリント基板への実装のため外部端子部の最表面に、半田層ないし金層を設けておくことが好ましい。
また、ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質としては、導電性、処理性、経済的な面から銅が好ましい。
また、配線としては、導電性、処理性、経済的な面から銅を主材質とすることが好ましく、半導体素子との電気的接続の点から、および化学的な安定性の面から配線の表面の一部ないし全部に金層を設けておくことが好ましい。
また、電着樹脂層としては、接着絶縁性を有するもので、強度、化学的安定性の面からポリイミド樹脂を好ましい例として挙げることができる。
また、金属材料としては、導電性、処理性、経済的な面から、銅ニッケル、４２合金等が好ましいが、特に、ニッケルであることにより、電気絶縁信頼性の面で有利である。
【００１８】
また、ベース基板の両面を充填タイプのスルホールで電気的に接続し、且つ、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を多層に形成した多層配線基板の提供を可能としている。
尚、本発明に関わる配線基板をＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの配線基板や、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）配線基板にも適用できることは言うまでもない。
【００１９】
本発明の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、比較的、簡単に、本発明に関わる上述の配線基板の作製を可能とするものである。
特に、ベース基板の第１面側に転写版にめっき形成した配線部を、電着樹脂層を介して転写形成する場合、配線部の微細化を可能としている。また、ベース基板の第１面側に、電着樹脂層を介しラミネート銅箔をエッチングして配線部を形成する場合には、該配線部の形成をより簡単なものとできる。
ベース基板の第１面側に配線部を転写により形成した後、あるいはエッチングにより形成した後、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、更に転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することにより、微細な配線を多層に設けることを可能としている。
【００２０】
電着樹脂層は、接着絶縁性を有し、電気的絶縁性、強度の点で優れたものが好ましいが、特に限定はされない。
例えば、カルボキシル基を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポリイミド電着液を用いて電着形成されたものが挙げられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明に関わる配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図１（ｂ）はその配線部を説明するための図で、図１（ｃ）は配線の層構成を説明するための断面図で、図２は本発明に関わる配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図３は本発明に関わる配線基板の実施の形態の第３の例の一部断面図で、図４は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程図で、図５は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程図で、図６は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程図で、図７は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程の一部を示した図である。
尚、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２における断面図を示し、図１（ｂ）の点線領域は充填タイプのスルホール領域を示す。
図１〜図５ともに、説明を分かり易くするために、特徴部の一部断面を示したものである。
図１〜図５中、１１０はベース基板、１１０Ａは第１の面、１１０Ｂは第２の面、１１０Ｍは金属材料、１１５、１１５Ｍは貫通孔部、１２０は電着樹脂層、１３０は転写版、１３１は導電性基板、１３３は配線部（めっき導電性層）、１３３Ａは端子部、１３３Ｂはリード、１３３Ｃは接続端子部、１４１、１４３はニッケル層、１４２は銅層、１４４は金層、１５０、１５０Ａは充填タイプのスルホール、１５５、１５５Ａは外部端子部、１６０は下地めっき層、１６５はハンダめっき層、１６５Ａは金めっき層、１７０は配線部（めっき導電性層）、１７５は絶縁性接着剤層、１９０は導電性ペースト、２１０は導電性基板、２２０はレジスト、２３０はマスキング材、２４０は銅箔、２５０はレジスト、４００は転写版、４１０は導電性基板、４２０はレジスト、４３０導電性層である。
【００２２】
はじめに、本発明に関わる配線基板の実施の形態の例を挙げる。
先ず、第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例は、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに配線１３３を設け、第１の面１１０Ａに対向する第２の面１１０Ｂには、外部回路と接続するための外部端子部１５５、１５５Ａを設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、第１の面１１０Ａ側に半導体素子（図示していない）を搭載するものである。
そして、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層１２０を設けたシート状の金属材料１１０Ｍをベース基板１１０とし、該ベース基板１１０の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを設けた配線基板で、使用する際に、ベース基板１１０のシート状の金属材料１１０Ｍ部分をグランド基板として使用することができるように、配線部１３３を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホール１５０Ａを介して金属材料に接続している。
そしてまた、第１の例の配線基板は、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａの第２の面側の部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設け、これを外部端子部１５５としている。
外部端子部１５５は、二次元的に配列（エリアアレイとも言う）されている。
尚、ここでは、充填タイプのスルホールのうち金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設け、金属材料１１０Ｍと電気的に接続していないものを１５０とし、金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設けずに金属材料１１０Ｍと電気的に接続しているものを１５０Ａとしている。
そして、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａに一体的に設けられた外部端子部をそれぞれ、１５５、１５５Ａとしている。
【００２３】
配線部１３３は、めっき形成された転写版から転写形成されたもの、あるいは、銅箔をエッチング形成したもので、配線の微細化が可能で、半導体素子の多端子化に対応できる。
配線部１３３が、めっき形成された転写版から転写形成されたもの場合、図１（ｃ）に示すように、配線１３３の層構成の１例としては、銅層１４２を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順にニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４を積層した構成が挙げられる。
この場合、ニッケル層１４１は、マイグレーション防止及び配線密着性を上げるための層で、１４４は半導体素子の端子（パッド）と直接ないしワイヤを介してと接続する際、接続を容易とするためのもので、ニッケル層１４３は金層１４４の下引き層である。
ニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４の各層厚さはそれぞれ、１μｍ、５〜１０μｍ、１μｍ、０．５μｍ程度である。
尚、配線１３３の層構成は、必ずしもこれに限定はされない。
また、配線１３３の表面、全体に金層を設けた場合には、化学的に安定した構成となり、好ましい。
配線１３３の別の層構成としては、例えば、銅層を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、ニッケル層、金層を設けた構成や、銅を主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、錫層を設けた構成が挙げられる。
また、場合によっては、配線１３３を銅単層として配線基板を作製する場合もある。
【００２４】
金属材料１１０Ｍとしては、硬さ、加工性等の性質が要求され、材質としてはニッケルが挙げられるが、他の材質、銅、４２合金等も使用できる。
【００２５】
充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａは、ベース基板１１０の貫通孔部を埋めるように、導電性物質によりめっき形成されており、配線１３３の端子部１３３Ａに直接めっき接続している。
また、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと一体的に連結して、外部端子部１５５、１５５Ａが第２面１１０Ｂの貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層によりめっき形成されている。
貫通孔を埋める導電性物質、外部端子部１５５の導電性層としては、銅めっきが挙げられるが、これに限定はされない。
【００２６】
外部端子部１５５、１５５Ａの表面には、実装用のめっきを施しておくが、外部端子部１５５が銅めっきの場合は、通常、ニッケル（Ｎｉ）めっきからなる下地めっき層１６０、ハンダめっき層１６５を設けている。
また、異方性導電性層を用いて実装する場合には、これに限定されない。例えば、外部端子部１５５、１５５Ａが銅めっきの場合は、ニッケルめっきからなる下地めっき層１６０上に金めっき層を施し、これを最表面層としておく。
【００２７】
電着樹脂層１２０は、常温、加熱により接着絶縁性を示すもので、電気的絶縁性、強度等に優れるものが好ましく、特に限定はされないが、ポリイミド樹脂層が挙げられる。
電着樹脂層１２０は、シート状の金属材料１１０Ｍの表面を覆い、金属材料１１０Ｍとともにベース基板１１０を形成しており、配線部１３３は、この電着樹脂層１２０にて金属材料１１０Ｍに接着保持されている。
【００２８】
図１（ｂ）に示すように、各配線部１３３の充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａと接続する端子部１３３Ａは、リード１３３Ｂに接続し、更にリード１３３Ｂの端子部１３３Ａとは反対側の延長部に半導体素子の端子（パッド）と直接ないしワイヤを介して接続する接続端子部１３３Ｃを有する。
本例では端子部１３３Ａは、充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａの形成領域全体（図１（ｂ）の点線円領域内）を覆うように設けられているが、必ずしも全体を覆う必要はない。
このことは、配線部１３３（端子部１３３Ａを含む）の形成する際に、形成精度をそれほど必要しないことを意味する。
尚、図１（ｂ）は、配線形状の１例で、配線の形状は使用目的にあわせてとる。
【００２９】
また、本例の配線基板は、半導体素子の端子（パッド）と接続端子部１３３Ｃとを直接接続（フリップチップ方式等）させる場合には、配線基板のサイズをほぼチップサイズとするＣＳＰ用の配線基板とすることもできる。
【００３０】
次いで、第２の例を図２に基づいて説明する。
図２に示す第２の例の配線基板は、第１の例において、外部端子部１５５、１５５Ａをベース基板１１０の第２面側にほぼ揃えたものである。
第１の例と同様、外部端子部１５５、１５５Ａの表面には、実装用のめっきを施しておくが、外部端子部１５５が銅めっきの場合は、ニッケル（Ｎｉ）めっきからなる下地めっき層１６０、ハンダめっき層１６５を最表面層とするか、あるいは、図２のように、ニッケルめっきからなる下地めっき層１６０上に金めっき層１６５Ａを施し、これを最表面層としておく。
【００３１】
次いで、第３の例を図３に基づいて説明する。
第３の例も、第１の例と同様、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに配線１３３を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部１５５、１５５Ａを設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、第１の面１１０Ａ側に半導体素子（図示していない）を搭載するものである。
そして、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層１２０を設けたシート状の金属材料１１０Ｍをベース基板１１０とし、該ベース基板１１０の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプの充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを設けた配線基板で、使用する際に、ベース基板１１０のシート状の金属材料１１０Ｍ部分をグランド基板として使用することができるように、配線１３３の一部を、その表面部に電着樹脂層１２０を設けていない金属材料１１０Ｍの貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホール１５０Ａを介して金属材料１１０Ｍに接続している。
第３の例は、第１の例のように、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａの第２の面１１０Ｂ側の部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて、これを外部端子部１５５としたものでなく、第２の面１１０Ｂ側にも配線１７０を設けたもので、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成する導電性物質を、第２の面１１０Ｂにほぼ沿うように設け、且つ、第２の面１１０Ｂに配線層１７０を絶縁性樹脂層１７５を介して形成し、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと該配線層１７０とを導電性ペースト１９０により電気的に接続している。
【００３２】
配線部１３３は、第１の例のようにめっき形成されたもの、あるいは、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａにラミネートした銅箔をエッチングして形成したものである。
充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａは、この配線１３３の端子部１３３Ａにめっき形成されたものである。
配線部１３３の形状は、少なくとも図１（ｂ）に示す端子部１３３Ａと、リード１３３Ｂとを備えたもので、その使用目的に応じてた形状をとる。
配線部１７０は、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂ側に、第１の例の配線と同様、選択めっき形成された配線を絶縁性の接着材層１７５を介して転写形成したものであり、導電性のペースト１９０により、充填タイプのスルホール１５０に電気的に接続している。
配線部１７０の形状も、その使用目的に応じてとる。
ベース基板１１０や、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａについては、第１の例と同じである。
【００３３】
第１の例〜第３の例の変形例としては、第１面１１０Ａ側の配線部を２層以上に形成したものや、第２面１１０Ｂ側の配線部を２層以上としたものも挙げられる。
【００３４】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態を挙げる。
先ず、第１の例を図４、図１に基づいて説明する。
第１の例は、図１に示す、本発明に関わる配線基板の実施の形態の第１の例で、配線部１３３を銅箔をエッチングして作製する製造する方法の例である。
先ず、充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５を所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを用意する。（図４（ｃ））
充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５を所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを形成する第１の方法としては、図４（ａ）〜図４（ｂ）に示すようなめっき形成による方法が挙げられる。
この方法は、導電性基材２１０の一面に、貫通孔を形成する領域のみにレジスト２２０を設け（図４（ａ））、該導電性基板２１０の一面のレジスト２２０に覆われていない領域に導電性層をめっき形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した（図４（ｂ））後、金属材料１１０Ｍを導電性基材２１０から剥離して使用するものである。
第２の方法としては、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングしてシート状の金属材料１１０Ｍを形成する方法が挙げられる。
第３の方法としては、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けてシート状の金属材料１１０Ｍを形成する方法が挙げられる。
【００３５】
次に、シート状の金属材料１１０Ｍの所定の貫通孔部１１５Ｍの表面のみマスキング材２３０でマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板１１０を作製する。（図４（ｄ））
【００３６】
電着樹脂層１２０は、電着により、金属材料１１０Ｍの表面に形成されるが、常温あるいは加熱により接着性（粘着性）を示すもので、絶縁信頼性、化学的安定性、強度に優れたものが好ましい。
電着樹脂層１２０を電着形成するための電着液に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性高分子樹脂としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００３７】
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から電着樹脂層１２０がポリイミド樹脂であるとが好ましい。
例えば、カルボキシル基を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポリイミド電着液を用いて電着形成されるものが挙げられる。
【００３８】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に銅箔２４０をラミネートする。（図４（ｅ））
銅箔２４０は、厚さ５〜１００μｍ、好ましくは９〜３０μｍ程度のものを用い、電着樹脂層１２０を接着剤層としてラミネートする。
【００３９】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａと対向する第２の面１１０Ｂ側から露出した、銅箔部２４０に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部１１５を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｆ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図４（ｇ））
電解めっきとしては、銅めっきが挙げられる。
尚、この電解めっきはめっき浴中で行う。
【００４０】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にラミネートされた銅箔２４０の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジスト２５０を製版し（図４（ｈ））、レジスト２５０を 耐エッチング性マスクとしてエッチングし（図４（ｉ））、更にレジスト２５０のみを剥離して配線１３３を形成する。（図４（ｊ））
レジスト２５０としては処理性の良いものが好ましいが、特に限定はされない。
エッチング液としては、塩化第２鉄溶液等が用いられる。
尚、レジスト２５０の塗布は、銅箔２４０をラミネートした後に、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａをめっき形成する前にの行っても良い。
【００４１】
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａに実装用に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に半田メッキ層１６５を設けておく。（図１（ａ））
また、配線１３３の表面部には、半導体素子搭載用に、金めっき層を施しておく。
ニッケルめっきを金めっき層の下地層とする場合には、配線１３３の層構成は、ベース基板側から順に、銅層、ニッケル層、金層になる。
【００４２】
先ず、第２の例を図５、図１に基づいて説明する。
第２の例は、図１に示す、本発明の配線基板の実施の形態の第１の例で、配線部１３３がめっき形成された転写版から転写形成される製造方法の１例である。
先ず、第１の例と同様にして、充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５Ｍを所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを用意する。（図４（ｃ））
一方、ステンレス（ＳＵＳ３０４）等の導電性基材４１０の一面にレジスト４２０を塗布し、所定形状に開口部を設けた（図５（ａ））後、レジスト４２０の開口から露出した領域に電解めっきにより、導電性層４３０をめっき形成して、配線部形成用の転写版４００を形成しておく。（図５（ｂ））
レジスト４２０としては、ノボラックレジスト等が用いられるが、耐めっき性のもので処理性の良いものであれば、これに限定されない。
尚、必要に応じ、めっき前処理を行っておく。
尚、転写版の導電性層４３０（配線部）は、導電性基材基材の面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層形成したものを用いた場合には、作製される配線基板の配線部１３３の層構成は、図１（ｃ）に示すようなる。
【００４３】
次いで、転写版４００と、前記電着樹脂層１２０を形成したベース基板１１０とを、転写版の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にして、位置合わせして、密着させる。（図５（ｃ））
密着は、必要に応じ、所定の圧、熱をかけて行う。
【００４４】
次いで、転写版４００の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に密着させた状態のまま、第１の例と同様、第２の面１１０Ｂ側から露出した、導電性層４３０（配線部）に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図５（ｅ））
尚、この電解めっきはめっき浴中で行うため、転写版４００の裏面（導電性層４３０形成側と反対の面）は、場合によっては、他のレジストやマスキング材で覆っても良い。
【００４５】
次いで、導電性層４３０（配線部１３３）のみをベース基板１１０に残した状態で、転写版４００を剥離する。（図５（ｆ））
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａに実装用に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に半田メッキ層１６５を設けておく。（図１（ａ））
上記のようにして、図１に示す配線基板は作製できる。
【００４６】
次いで、第３の例を挙げ、簡単に説明する。
第３の例は、図３に示す第３の例の配線基板を作製する方法である。
第２の例の製造方法のようにして、図５（ｄ）のめっき工程までを行い、この段階でめっきを止めて、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に配線１３３を設け、且つ、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成する。
尚、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂ側にめっき形成された導電性層が多少盛り上った状態でも良いが、できるだけ第２の面１１０Ｂに揃える。
必要に応じては研磨等により、第２の面１１０Ｂに揃える。
次いで、配線部１３３のみをベース基板１１０に残した状態で（転写して）、転写版を剥離した後、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂ側に、配線１３３をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に形成したのと同様にして、絶縁性接着剤層１７５を介して配線１７０を形成し、導電性ペースト１９０を所定の位置に塗布、乾燥して、必要な電気的接続を行った後、必要に応じ、熱処理をして、配線基板を得る。（図３）
尚、絶縁性接着剤層１７５の形成は、ディスペンス塗布法、印刷塗布法等で形成しても良いが、転写版に形成された配線部の上に電着により形成し、これを介して配線部を転写しても良い。
接着剤層１７５としては、常温もしくは、加熱により接着性（粘着性）を示すものであれば良く、使用する高分子としては、電着樹脂層１２０形成に用いられるような合成高分子樹脂が使用できる。
【００４７】
次いで、第４の例を図６、図１に基づいて説明する。
第４の例は、図１に示す、第１の例の配線基板を製造方法で、第１の例と同様、配線部１３３を銅箔をエッチングして作製する製造する方法の１例であるが、第１の例とは異なり、シート状の金属材料１１０Ｍ表面全部へ、電着樹脂層１２０を形成した後、所定の貫通孔１１５の壁面を覆う電着樹脂層１２０、あるいは所定の貫通孔１１５周辺の電着樹脂層１２０を除去して、貫通孔１１５の壁面の一部、あるいは所定の貫通孔周辺の一部分を露出させた後に、充填タイプのスルホールを形成するための電解めっきを行うものである。
第１の例と同様にして、充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５を所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを形成した（図６（ａ））後、シート状の金属材料１１０Ｍの表面に 電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板１１０を作製する。（図６（ｂ））
電着に際しては、図４に示す第１の例のように、貫通孔のマスキングは行わず、全貫通孔の表面を覆うように電着する。
次いで、第１の例と同様、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に銅箔２４０をラミネートする。（図６（ｃ））
次いで、この状態で、所望の貫通孔の壁面（単に面とも言う）を覆う電着樹脂層を除去して、少なくともこの面の一部分、あるいは、この貫通孔周辺の一部分を露出させる。（図６（ｄ））
図６（ｄ）では、貫通孔の壁面全体について露出させるように図示しているが、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させれば良い。
除去方法としては、レーザー光を用いて、電着樹脂層を除去する方法が挙げられるが、これに限定はされない。
これにより、特定の貫通孔の壁面のみが露出した状態となる。
この状態は第１の例の図４（ｅ）に相当する。
以下は、第１の例と同様にして、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａと対向する第２の面１１０Ｂ側から露出した、銅箔部２４０に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部１１５を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図６（ｅ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図６（ｆ））
次いで、第１の例と同様にして、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にラミネートされた銅箔２４０の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジスト２５０を製版し（図６（ｇ））、レジスト２５０を 耐エッチング性マスクとしてエッチングし（図６（ｈ））、更にレジスト２５０のみを剥離して配線１３３を形成する。（図６（ｉ））
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａに実装用に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に半田メッキ層１６５を設けておく。（図１（ａ））
尚、各処理については第１の例に準じるので、ここでは説明を省略する。
【００４８】
次いで、第５の例を挙げる。
第５の例は、図１に示す、第１の例の配線基板を製造方法で、第２の例と同様、配線部１３３がめっき形成された転写版から転写形成される製造方法の１例であるが、第２の例とは異なり、第４の例のように、シート状の金属材料１１０Ｍ表面全部へ、電着樹脂層１２０を形成した後、所定の貫通孔１１５の壁面を覆う電着樹脂層１２０、あるいは所定の貫通孔１１５周辺の電着樹脂層１２０を除去して、貫通孔１１５の壁面の一部、あるいは所定の貫通孔周辺の一部分を露出させた後に、充填タイプのスルホールを形成するための電解めっきを行うものである。
図７に示すように、転写版４００と、電着樹脂層１２０を形成したベース基板１１０とを、転写版の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にして、位置合わせして、密着させた（図７（ａ））後、所望の貫通孔１１５の壁面を覆う、あるいは所望の貫通孔１１５周辺の電着樹脂層をレーザ照射等により除去して、照射部分を露出させる。（図７（ｂ））
以降は、第２の例と同様に処理して配線基板を得る。
【００４９】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を説明する。
（実施例１）
実施例１は、図１に示す第１の例配線基板で、配線層１３３の層構成が銅単体のものを、配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の方法にて作製したものである。図４（ａ）〜図４（ｄ）、図５に基づいて説明する。
先ず、転写版４００（図５（ｂ））の作製の以下のようにして行った。
導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図５（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図５（ａ））
上記、導電性基材４１０とと含燐銅電極とを対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない導電性基材４１０の露出部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を導電性層４３０として形成し、転写版４００を得た。（図５（ｂ））
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５０】
また、シート状の金属材料１１０Ｍの作製を以下のようにして行った。
導電性基材２１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＡＲ−９００（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約２０μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、６００ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図４（ａ）の２２０に相当）を形成した。（図４（ａ））
導電性基材２１０とＮｉ電極とを対向させ、下記組成のスルファミン酸ニッケル浴中に浸漬し、直流電源の陽極にＮｉ電極を、陰極に導電性基材２１０を
接続し、電流密度５Ａ／ｄｍ2 で２０分間の通電を行い、レジスト２２０に覆われていない導電性基材２１０の露出部に膜厚約２０μｍのＮｉめっき膜を形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した。（図４（ｂ））
この後これを剥がしてシート状の金属材料１１０Ｍのみを得た。（図４（ｃ））
（スルファミン酸ニッケル浴の組成）
Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・６Ｈ2 ０ ４００ｇ／ｌ
Ｈ3 ＢＯ3 ３０ｇ／ｌ
ＮｉＣｌ2 ／６Ｈ2 ０ １５ｇ／ｌ
添加剤（メルテック株式会社製）
ナイカルＰＣ−３ ３０ｍｌ／ｌ
ニッケルグリームＮＡＷ−４ ０．０２ｍｌ／ｌ
浴温度 ５５°Ｃ
ｐＨ ４．０
【００５１】
次いで、シート状の金属材料１１０Ｍの所定位置の貫通孔のみマスキング材２３０でその表面を覆い、シート状の金属材料１１０Ｍを白金電極と対向させ、下記のようにして調整したアニオン型の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極にシート状の金属材料１１０Ｍを、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、金属材料１１０Ｍの表面に厚さ１５μｍの接着性を有する絶縁樹脂層（電着樹脂層１２０に相当）を形成して、ベース基板１１０を得た。（図４（ｄ））
以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００５２】
上記のようにして作製した転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）形成側を、上記ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに下記条件にて圧着させ（図５（ｃ））、圧着状態のまま、下記の銅めっき浴中で、ベース基板１１０の、第２の面側から露出した、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）上に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図５（ｅ））尚、電解めっきは、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に転写版４００の導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度４Ａ／ｄｍ2 で３０分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約２５μｍの銅めっき膜を形成したものである。
（圧着条件）
圧力 ５ｋｇ／ｃｍ2
温度 ２００°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５３】
次いで、外部端子部１５５、１５５Ａ表面のみにニッケルめっきを施し、次いで定法による半田めっきを施した。
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：日本高純度化学株式会社製のＷＨＮ
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
このようにして、図１に示す第１の例の配線基板を作製した。
【００５４】
（実施例２）
実施例２は、実施例１における銅単層の配線部１３３に代え、表面部にニッケルめっきを下地とし、表面に金めっき層を設けた配線を有するものとし、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）を導電性基材４１０の面側から順に、金めっき、ニッケルめっき、銅めっきとしたものである。
それ以外については、実施例１と同じであるため、ここでは、転写版４００の作成工程のみを説明する。
実施例１と同様にして、導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。
そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図５（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図５（ａ））
次いで、上記、導電性基材４１０と白金チタン電極を対向させてテンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）の電解金めっき浴中で浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない露出部に膜厚約１μｍの金めっき層を形成した。次いで、金めっき層を形成した導電性基材４１０を、下記のニッケルめっき液ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）に浸漬し、直流電源の陽極に電解ニッケル板を、陰極に導電性基材４１０を接続
し、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で５分間の通電を行い、金めっきが形成されている部分上に約１μｍのニッケル膜を形成した。
次いで、ニッケル膜を形成された導電性基材４１０と、含燐銅電極を対向させ、下記組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を形成した。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５５】
（実施例３）
実施例３は、実施例１と同様、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと外部端子部１５５、１５５Ａを形成した後、外部端子部の表面に、下記の条件にて金めっきを行ったもので、外部端子部の表面部に金層を設けた配線基板の作製である。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電
【００５６】
（実施例４）
実施例４は、実施例１と同様、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと外部端子部１５５、１５５Ａを形成した後、外部端子部の表面に、下記の条件にて錫めっきを行ったもので、外部端子部の表面部に錫めっき層を設けた配線基板の作製である。
（錫めっきえきおよびめっき条件）
硫酸第一錫 ５５ｇ／ｌ
硫酸 １００ｇ／ｌ
クレゾールスルホン酸 １００ｇ／ｌ
ゼラチン ２ｇ／ｌ
ベータナフトール １ｇ／ｌ
電流密度：１Ａ／ｄｍ2
液温 ２０°Ｃ
【００５７】
（実施例５）
実施例５は、実施例１において配線部１３３の形成を、図４に示すように工程にて行ったものであり、ベース基板１１０の作製は同じ条件で行い、図４（ｅ）以降の工程を以下のように実施した。
電解銅箔２４０を下記条件にて、ベース基板１１０の第１面１１０Ａ貼り合わせた（ラミネートした）後、ポジ型のレジスト２５０（ＡＲ−９００、東京応化工業株式会社製）を銅箔２４０の全面に塗布して８０°Ｃ３０分間乾燥した。（図４（ｅ））
次いで、実施例１と同様にして、ベース基板１１０の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔２４０部に銅めっきしてベース基板の貫通孔部を、導電性層を電解めっきによりめっき形成して、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｆ））、さらに継続して銅めっきを行い、外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図４（ｇ））
この後、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側の銅箔２４０面にポジ型のレジスト２５０を塗布、所定のマスクで露光し、現像し（図４（ｈ））、銅箔２４０が露出している部分を塩化第２鉄（４３ボーメ）で除去し（図４（ｉ））、レジスト２５０を除去した。（図４（ｊ））
さらに、２５０°Ｃ、１時間硬化熱処理して配線基板を得た。
【００５８】
（実施例６）
実施例６は、実施例１において、所定厚さの金属材料をエッチング加工して、シート状の金属材料１１０Ｍを、形成したものである。
以下、金属材料１１０Ｍをエッチング加工工程のみを記す。
約２０μｍ厚の電解銅箔にポジ型のレジストＡＲ−９００、東京応化工業株式会社製）を約１０μｍ厚に塗布形成した後、所望の充填タイプのスルーホール領域に合わせた形状のマスクを用いて露光し、現像を行い、レジストから露出した部分を塩化第２鉄でエッチング除去し、該レジストを剥離して金属材料１１０Ｍを得た。
【００５９】
（実施例７）
実施例７は、実施例１と同様の、図１に示す第１の例配線基板で、配線層１３３の層構成が銅単体のものを、配線基板の製造方法の実施の形態の第５の例の方法にて作製したもので、金属シード１１０Ｍの貫通孔１１５にマスキングをせずに、電着樹脂層１２０の形成を行って形成したベース基板１１０を、転写版４００（図７（ａ））と密着した（図７（ｂ））後、レーザ照射により、所望の貫通孔の壁面を覆う電着樹脂層を除去した。（図７（ｃ））
レーザ光としてはＵＶ−ＹＡＧレーザを用いた。
その他の処理については実施例１と同様で、ここでは説明を省略する。
【００６０】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を形成し、且つ、電気的接続に対して信頼性の高い充填タイプのスルホールを設け、且つ電気的な特性の面で信頼できる配線基板の提供を可能とした。
より具体的には、本発明に関わる配線基板は、信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した構造で、ベース基板の表裏の電気的接続を信頼できるもので、更に、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにおり、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くできる。
更にまた、配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。
そして、同時に、そのような製造方法により作製された配線基板の提供を可能とした。 これにより、具体的には、充填タイプのスルホールを有する多層配線基板や、近年の多端子化に対応でき、且つ、電気的接続に対し信頼性の高いエリアアレイタイプ半導体装置用の配線基板の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に関わる配線基板の実施の形態の第１の例の特徴部を示した図
【図２】 本発明に関わる配線基板の実施の形態の第２の例の特徴部を示した断面図
【図３】 本発明に関わる配線基板の実施の形態の第３の例の特徴部を示した断面図
【図４】 本発明に関わる配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程図
【図５】 本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程図
【図６】 本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程図
【図７】 本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第５の例の工程の一部を示した図
【符号の説明】
１１０ ベース基板
１１０Ａ 第１の面
１１０Ｂ 第２の面
１１０Ｍ 金属材料
１１５、１１５Ｍ 貫通孔部
１２０ 電着樹脂層
１３０ 転写版
１３１ 導電性基板
１３３ 配線部
１３３Ａ 端子部
１３３Ｂ リード
１３３Ｃ （半導体素子との接続用の）端子部
１４１、１４３ ニッケル層
１４２ 銅層
１４４ 金層
１５０、１５０Ａ 充填タイプのスルホール
１５５、１５５Ａ 外部端子部
１６０ 下地めっき層（Ｎｉめっき層）
１６５ ハンダめっき層
１６５Ａ 金めっき層
１７０ 配線部（めっき導電性層）
１７５ 絶縁性接着剤層
１９０ 導電性ペースト
２１０ 導電性基板
２２０ レジスト
２３０ マスキング材
２４０ 銅箔
２５０ レジスト
４００ 転写版
４１０ 導電性基板
４２０ レジスト
４３０ 導電性層
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板とその製造方法に関するもので、特に、高信頼性を有す充填タイプのスルーホールを形成した配線基板と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、電子機器の高性能化と軽薄短小の傾向からＬＳＩ、ＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集横化、高性能化の一途をたどってきている。
これに伴い、信号の高速処埋には，パッケージ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になってきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに対応してきた。
この結果、半導体装置の高集積化、高機能化は外部端子総数の増加を招き、半導体装置の多端子化が求められるようになってきた。
多端子ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパフオーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリードフレームを用いたプラステイックＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピンを超えるものまで実用化に至っている。
ＱＦＰは、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード先端部と半導体素子の端子とをワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多端子化に対応できるものとして開発されてきた。
ここで用いる単層リードフレームは、通常、４２合金（４２％ニッケルー鉄合金）あるいは銅合金などの電気伝導率が高く、且つ機械的強度が大きい金属材を素材とし、フオトエッチング法かあるいはスタンピング法により、外形加工されていた。
【０００３】
しかし、半導体素子の信号処理の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになってきた。
ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するため、フオーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題を抱えていた。
このようなＱＦＰの実装面での間題に対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｇ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスッテイックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の半田ボールを通じて半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケージである。
ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応できた。
このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片面に半導体素子を塔載するダイパッドと半導体素子からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外部接続端子をもち、外部接続端子とボンディングパッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続している構造である。
【０００４】
しかしながら、このＢＧＡは、めっき形成したスルホールを介して、半導体素子とボンディングワイヤで結線を行う配線と、半導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部接続端子部（単に外部端子部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が多かった。
【０００５】
この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の向上をはかり、従来のリードフレームの作製と同様、金属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工し、これ（リードフレームとも言う）をコア材として、配線を形成したＢＧＡタイプの半導体装置も種々提案されている。
このタイプのものは、基本的に、金属薄板の板厚に加工精度、配線の微細化が制限される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ビスマレイド樹脂を用いたＢＧＡは、多端子化には有利であるものの、信頼性の面、作製上の面で問題が多く、また金属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工したもの（リードフレーム）をコア材として配線を形成したＢＧＡタイプ（エリアアレイタイプとも言う）のものは、近年の更なる多端子化には対応できないという問題がある。
本発明は、これらの問題に対応するもので、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を形成し、且つ、電気的接続に信頼性の高い充填タイプのスルホールを設けた配線基板を提供しようとするものである。
更には、電気的な特性の面で信頼性できる、配線基板を提供しようとするものである。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、金属材料に接続している配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に関わる配線基板は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることを特徴とものである。
そして、上記において、ベース基板の第１の面に配線を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部を設けたエリアアレイタイプの半導体装置用の配線基板であって、充填タイプのスルホールの第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを外部端子部としていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、外部端子部の最表面に、半田層ないし金層を設けていることを特徴とするものである。
また、上記において、ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質が、銅であることを特徴とするものである。
また、上記において、配線は、銅層を主材質とし、少なくとも、配線の表面に金層を積層して設けたことを特徴とするものである。
また、上記において、電着樹脂層が、ポリイミド樹脂であることを特徴とするものである。
また、上記において、金属材料がニッケルであることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（Ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｂ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｃ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｄ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有すること、あるいはまた、少なくとも順に、（Ｅ）充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｆ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｇ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させた後、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｈ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有することを特徴とするものである。
そして、上記において、転写版剥離工程の後に、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、別の転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することを特徴とするものである。
そしてまた、上記における転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層、あるいは、金、ニッケル、銅の３層をめっき形成したものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記おける転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、錫、銅の２層をめっき形成したものであることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｂ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｃ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｄ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程とを有すること、あるいはまた、少なくとも順に、（ｅ）充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｆ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｇ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させた後、ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｈ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程とを有することを特徴とするものである。
そして、上記において、配線部形成工程の後に、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することを特徴とするものである。
【００１０】
そして、上記のめっき工程において、ベース基板の第２の面の貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきを行い、貫通孔部に充填タイプのスルホールを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部を形成することを特徴とするものである。
【００１１】
そしてまた、上記において、めっき形成された外部端子部上に半田めっきないし金めっきを施すことを特徴とするものである。
【００１２】
また、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とするものである。
【００１３】
また、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングして形成するものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けて形成するものであることを特徴とするものである。
【００１４】
尚、ここでは、シート状の金属材料の貫通孔の大きさについては、シート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製する際に、貫通孔が埋まることがない十分な大きさを前提としている。
しかし、仮に何らかの原因により、幾つかの貫通孔が電着樹脂層で埋まってしまった場合には、その部分については、レーザ照射等により電着樹脂層を除去しても良い。
【００１５】
【作用】
本発明に関わる配線基板は、このような構成にすることにより、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を形成し、且つ、電気的接続に対して信頼性の高い充填タイプのスルホールを設け、且つ電気的な特性の面で信頼できる配線基板の提供を可能としている。
具体的には、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板であって、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることによりこれを達成している。
即ち、信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した構造で、ベース基板の表裏の電気的接続を信頼できるものとしている。そして、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにより、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くでき、また、配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。
【００１６】
更に具体的には、充填タイプのスルホールの第２の面側の部分を、あるいは、該部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設けてこれを外部端子部とした、ベース基板の第１面に配線を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部を設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板とする場合には、特に有効で、第１の面の配線と第２の面側の外部端子部との電気接続を確実にでき、配線部の引き回し距離を短くでき、且つ、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性の面で優れたものとできる。更に、選択めっきにより形成された配線とすることにより、半導体素子の多端子化にも対応できるものとしている。
即ち、ＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）基板を用いたＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）用の基板のように、コア基板の一面に半導体素子を搭載し、他の面には外部端子部を設け、コア部に設けられた充填タイプのスルホールを介して両面を電気的に接続するタイプのエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、近年の更なる多端子化にも対応できる微細配線、多層配線を有し、且つ、コア部に設ける表裏の電気的接続を高い信頼性を有する充填タイプのスルホールとすることができる配線基板の提供を可能としている。
結局、ベース基板の第１面に配線を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部を設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、近年の半導体素子の多端子化、信号の高速化に対応できる配線基板の提供を可能としている。
【００１７】
尚、プリント基板への実装のため外部端子部の最表面に、半田層ないし金層を設けておくことが好ましい。
また、ベース基板の貫通孔に充填形成される導電性物質としては、導電性、処理性、経済的な面から銅が好ましい。
また、配線としては、導電性、処理性、経済的な面から銅を主材質とすることが好ましく、半導体素子との電気的接続の点から、および化学的な安定性の面から配線の表面の一部ないし全部に金層を設けておくことが好ましい。
また、電着樹脂層としては、接着絶縁性を有するもので、強度、化学的安定性の面からポリイミド樹脂を好ましい例として挙げることができる。
また、金属材料としては、導電性、処理性、経済的な面から、銅ニッケル、４２合金等が好ましいが、特に、ニッケルであることにより、電気絶縁信頼性の面で有利である。
【００１８】
また、ベース基板の両面を充填タイプのスルホールで電気的に接続し、且つ、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を多層に形成した多層配線基板の提供を可能としている。
尚、本発明に関わる配線基板をＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの配線基板や、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）配線基板にも適用できることは言うまでもない。
【００１９】
本発明の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、比較的、簡単に、本発明に関わる上述の配線基板の作製を可能とするものである。
特に、ベース基板の第１面側に転写版にめっき形成した配線部を、電着樹脂層を介して転写形成する場合、配線部の微細化を可能としている。また、ベース基板の第１面側に、電着樹脂層を介しラミネート銅箔をエッチングして配線部を形成する場合には、該配線部の形成をより簡単なものとできる。
ベース基板の第１面側に配線部を転写により形成した後、あるいはエッチングにより形成した後、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、更に転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することにより、微細な配線を多層に設けることを可能としている。
【００２０】
電着樹脂層は、接着絶縁性を有し、電気的絶縁性、強度の点で優れたものが好ましいが、特に限定はされない。
例えば、カルボキシル基を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポリイミド電着液を用いて電着形成されたものが挙げられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明に関わる配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図１（ｂ）はその配線部を説明するための図で、図１（ｃ）は配線の層構成を説明するための断面図で、図２は本発明に関わる配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図３は本発明に関わる配線基板の実施の形態の第３の例の一部断面図で、図４は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程図で、図５は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程図で、図６は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程図で、図７は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程の一部を示した図である。
尚、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２における断面図を示し、図１（ｂ）の点線領域は充填タイプのスルホール領域を示す。
図１〜図５ともに、説明を分かり易くするために、特徴部の一部断面を示したものである。
図１〜図５中、１１０はベース基板、１１０Ａは第１の面、１１０Ｂは第２の面、１１０Ｍは金属材料、１１５、１１５Ｍは貫通孔部、１２０は電着樹脂層、１３０は転写版、１３１は導電性基板、１３３は配線部（めっき導電性層）、１３３Ａは端子部、１３３Ｂはリード、１３３Ｃは接続端子部、１４１、１４３はニッケル層、１４２は銅層、１４４は金層、１５０、１５０Ａは充填タイプのスルホール、１５５、１５５Ａは外部端子部、１６０は下地めっき層、１６５はハンダめっき層、１６５Ａは金めっき層、１７０は配線部（めっき導電性層）、１７５は絶縁性接着剤層、１９０は導電性ペースト、２１０は導電性基板、２２０はレジスト、２３０はマスキング材、２４０は銅箔、２５０はレジスト、４００は転写版、４１０は導電性基板、４２０はレジスト、４３０導電性層である。
【００２２】
はじめに、本発明に関わる配線基板の実施の形態の例を挙げる。
先ず、第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例は、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに配線１３３を設け、第１の面１１０Ａに対向する第２の面１１０Ｂには、外部回路と接続するための外部端子部１５５、１５５Ａを設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、第１の面１１０Ａ側に半導体素子（図示していない）を搭載するものである。
そして、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層１２０を設けたシート状の金属材料１１０Ｍをベース基板１１０とし、該ベース基板１１０の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを設けた配線基板で、使用する際に、ベース基板１１０のシート状の金属材料１１０Ｍ部分をグランド基板として使用することができるように、配線部１３３を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホール１５０Ａを介して金属材料に接続している。
そしてまた、第１の例の配線基板は、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａの第２の面側の部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて設け、これを外部端子部１５５としている。
外部端子部１５５は、二次元的に配列（エリアアレイとも言う）されている。
尚、ここでは、充填タイプのスルホールのうち金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設け、金属材料１１０Ｍと電気的に接続していないものを１５０とし、金属材料１１０Ｍの貫通孔の表面に電着樹脂層１２０を設けずに金属材料１１０Ｍと電気的に接続しているものを１５０Ａとしている。
そして、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａに一体的に設けられた外部端子部をそれぞれ、１５５、１５５Ａとしている。
【００２３】
配線部１３３は、めっき形成された転写版から転写形成されたもの、あるいは、銅箔をエッチング形成したもので、配線の微細化が可能で、半導体素子の多端子化に対応できる。
配線部１３３が、めっき形成された転写版から転写形成されたもの場合、図１（ｃ）に示すように、配線１３３の層構成の１例としては、銅層１４２を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順にニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４を積層した構成が挙げられる。
この場合、ニッケル層１４１は、マイグレーション防止及び配線密着性を上げるための層で、１４４は半導体素子の端子（パッド）と直接ないしワイヤを介してと接続する際、接続を容易とするためのもので、ニッケル層１４３は金層１４４の下引き層である。
ニッケル層１４１、銅層１４２、ニッケル層１４３、金層１４４の各層厚さはそれぞれ、１μｍ、５〜１０μｍ、１μｍ、０．５μｍ程度である。
尚、配線１３３の層構成は、必ずしもこれに限定はされない。
また、配線１３３の表面、全体に金層を設けた場合には、化学的に安定した構成となり、好ましい。
配線１３３の別の層構成としては、例えば、銅層を配線１３３の主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、ニッケル層、金層を設けた構成や、銅を主材質とし、電着樹脂層１２０側から順に銅層、錫層を設けた構成が挙げられる。
また、場合によっては、配線１３３を銅単層として配線基板を作製する場合もある。
【００２４】
金属材料１１０Ｍとしては、硬さ、加工性等の性質が要求され、材質としてはニッケルが挙げられるが、他の材質、銅、４２合金等も使用できる。
【００２５】
充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａは、ベース基板１１０の貫通孔部を埋めるように、導電性物質によりめっき形成されており、配線１３３の端子部１３３Ａに直接めっき接続している。
また、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと一体的に連結して、外部端子部１５５、１５５Ａが第２面１１０Ｂの貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層によりめっき形成されている。
貫通孔を埋める導電性物質、外部端子部１５５の導電性層としては、銅めっきが挙げられるが、これに限定はされない。
【００２６】
外部端子部１５５、１５５Ａの表面には、実装用のめっきを施しておくが、外部端子部１５５が銅めっきの場合は、通常、ニッケル（Ｎｉ）めっきからなる下地めっき層１６０、ハンダめっき層１６５を設けている。
また、異方性導電性層を用いて実装する場合には、これに限定されない。例えば、外部端子部１５５、１５５Ａが銅めっきの場合は、ニッケルめっきからなる下地めっき層１６０上に金めっき層を施し、これを最表面層としておく。
【００２７】
電着樹脂層１２０は、常温、加熱により接着絶縁性を示すもので、電気的絶縁性、強度等に優れるものが好ましく、特に限定はされないが、ポリイミド樹脂層が挙げられる。
電着樹脂層１２０は、シート状の金属材料１１０Ｍの表面を覆い、金属材料１１０Ｍとともにベース基板１１０を形成しており、配線部１３３は、この電着樹脂層１２０にて金属材料１１０Ｍに接着保持されている。
【００２８】
図１（ｂ）に示すように、各配線部１３３の充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａと接続する端子部１３３Ａは、リード１３３Ｂに接続し、更にリード１３３Ｂの端子部１３３Ａとは反対側の延長部に半導体素子の端子（パッド）と直接ないしワイヤを介して接続する接続端子部１３３Ｃを有する。
本例では端子部１３３Ａは、充填タイプのスルホール１５０あるいは１５０Ａの形成領域全体（図１（ｂ）の点線円領域内）を覆うように設けられているが、必ずしも全体を覆う必要はない。
このことは、配線部１３３（端子部１３３Ａを含む）の形成する際に、形成精度をそれほど必要しないことを意味する。
尚、図１（ｂ）は、配線形状の１例で、配線の形状は使用目的にあわせてとる。
【００２９】
また、本例の配線基板は、半導体素子の端子（パッド）と接続端子部１３３Ｃとを直接接続（フリップチップ方式等）させる場合には、配線基板のサイズをほぼチップサイズとするＣＳＰ用の配線基板とすることもできる。
【００３０】
次いで、第２の例を図２に基づいて説明する。
図２に示す第２の例の配線基板は、第１の例において、外部端子部１５５、１５５Ａをベース基板１１０の第２面側にほぼ揃えたものである。
第１の例と同様、外部端子部１５５、１５５Ａの表面には、実装用のめっきを施しておくが、外部端子部１５５が銅めっきの場合は、ニッケル（Ｎｉ）めっきからなる下地めっき層１６０、ハンダめっき層１６５を最表面層とするか、あるいは、図２のように、ニッケルめっきからなる下地めっき層１６０上に金めっき層１６５Ａを施し、これを最表面層としておく。
【００３１】
次いで、第３の例を図３に基づいて説明する。
第３の例も、第１の例と同様、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに配線１３３を設け、第１の面に対向する第２の面には、外部回路と接続するための外部端子部１５５、１５５Ａを設けたエリアアレイタイプの半導体素子搭載用の配線基板で、第１の面１１０Ａ側に半導体素子（図示していない）を搭載するものである。
そして、所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層１２０を設けたシート状の金属材料１１０Ｍをベース基板１１０とし、該ベース基板１１０の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプの充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを設けた配線基板で、使用する際に、ベース基板１１０のシート状の金属材料１１０Ｍ部分をグランド基板として使用することができるように、配線１３３の一部を、その表面部に電着樹脂層１２０を設けていない金属材料１１０Ｍの貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホール１５０Ａを介して金属材料１１０Ｍに接続している。
第３の例は、第１の例のように、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａの第２の面１１０Ｂ側の部分に一体的に連結した導電性層を盛り上げて、これを外部端子部１５５としたものでなく、第２の面１１０Ｂ側にも配線１７０を設けたもので、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成する導電性物質を、第２の面１１０Ｂにほぼ沿うように設け、且つ、第２の面１１０Ｂに配線層１７０を絶縁性樹脂層１７５を介して形成し、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと該配線層１７０とを導電性ペースト１９０により電気的に接続している。
【００３２】
配線部１３３は、第１の例のようにめっき形成されたもの、あるいは、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａにラミネートした銅箔をエッチングして形成したものである。
充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａは、この配線１３３の端子部１３３Ａにめっき形成されたものである。
配線部１３３の形状は、少なくとも図１（ｂ）に示す端子部１３３Ａと、リード１３３Ｂとを備えたもので、その使用目的に応じてた形状をとる。
配線部１７０は、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂ側に、第１の例の配線と同様、選択めっき形成された配線を絶縁性の接着材層１７５を介して転写形成したものであり、導電性のペースト１９０により、充填タイプのスルホール１５０に電気的に接続している。
配線部１７０の形状も、その使用目的に応じてとる。
ベース基板１１０や、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａについては、第１の例と同じである。
【００３３】
第１の例〜第３の例の変形例としては、第１面１１０Ａ側の配線部を２層以上に形成したものや、第２面１１０Ｂ側の配線部を２層以上としたものも挙げられる。
【００３４】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態を挙げる。
先ず、第１の例を図４、図１に基づいて説明する。
第１の例は、図１に示す、本発明に関わる配線基板の実施の形態の第１の例で、配線部１３３を銅箔をエッチングして作製する製造する方法の例である。
先ず、充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５を所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを用意する。（図４（ｃ））
充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５を所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを形成する第１の方法としては、図４（ａ）〜図４（ｂ）に示すようなめっき形成による方法が挙げられる。
この方法は、導電性基材２１０の一面に、貫通孔を形成する領域のみにレジスト２２０を設け（図４（ａ））、該導電性基板２１０の一面のレジスト２２０に覆われていない領域に導電性層をめっき形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した（図４（ｂ））後、金属材料１１０Ｍを導電性基材２１０から剥離して使用するものである。
第２の方法としては、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングしてシート状の金属材料１１０Ｍを形成する方法が挙げられる。
第３の方法としては、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けてシート状の金属材料１１０Ｍを形成する方法が挙げられる。
【００３５】
次に、シート状の金属材料１１０Ｍの所定の貫通孔部１１５Ｍの表面のみマスキング材２３０でマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板１１０を作製する。（図４（ｄ））
【００３６】
電着樹脂層１２０は、電着により、金属材料１１０Ｍの表面に形成されるが、常温あるいは加熱により接着性（粘着性）を示すもので、絶縁信頼性、化学的安定性、強度に優れたものが好ましい。
電着樹脂層１２０を電着形成するための電着液に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性高分子樹脂としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００３７】
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から電着樹脂層１２０がポリイミド樹脂であるとが好ましい。
例えば、カルボキシル基を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポリイミド電着液を用いて電着形成されるものが挙げられる。
【００３８】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に銅箔２４０をラミネートする。（図４（ｅ））
銅箔２４０は、厚さ５〜１００μｍ、好ましくは９〜３０μｍ程度のものを用い、電着樹脂層１２０を接着剤層としてラミネートする。
【００３９】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａと対向する第２の面１１０Ｂ側から露出した、銅箔部２４０に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部１１５を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｆ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図４（ｇ））
電解めっきとしては、銅めっきが挙げられる。
尚、この電解めっきはめっき浴中で行う。
【００４０】
次いで、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にラミネートされた銅箔２４０の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジスト２５０を製版し（図４（ｈ））、レジスト２５０を 耐エッチング性マスクとしてエッチングし（図４（ｉ））、更にレジスト２５０のみを剥離して配線１３３を形成する。（図４（ｊ））
レジスト２５０としては処理性の良いものが好ましいが、特に限定はされない。
エッチング液としては、塩化第２鉄溶液等が用いられる。
尚、レジスト２５０の塗布は、銅箔２４０をラミネートした後に、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａをめっき形成する前にの行っても良い。
【００４１】
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａに実装用に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に半田メッキ層１６５を設けておく。（図１（ａ））
また、配線１３３の表面部には、半導体素子搭載用に、金めっき層を施しておく。
ニッケルめっきを金めっき層の下地層とする場合には、配線１３３の層構成は、ベース基板側から順に、銅層、ニッケル層、金層になる。
【００４２】
先ず、第２の例を図５、図１に基づいて説明する。
第２の例は、図１に示す、本発明の配線基板の実施の形態の第１の例で、配線部１３３がめっき形成された転写版から転写形成される製造方法の１例である。
先ず、第１の例と同様にして、充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５Ｍを所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを用意する。（図４（ｃ））
一方、ステンレス（ＳＵＳ３０４）等の導電性基材４１０の一面にレジスト４２０を塗布し、所定形状に開口部を設けた（図５（ａ））後、レジスト４２０の開口から露出した領域に電解めっきにより、導電性層４３０をめっき形成して、配線部形成用の転写版４００を形成しておく。（図５（ｂ））
レジスト４２０としては、ノボラックレジスト等が用いられるが、耐めっき性のもので処理性の良いものであれば、これに限定されない。
尚、必要に応じ、めっき前処理を行っておく。
尚、転写版の導電性層４３０（配線部）は、導電性基材基材の面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層形成したものを用いた場合には、作製される配線基板の配線部１３３の層構成は、図１（ｃ）に示すようなる。
【００４３】
次いで、転写版４００と、前記電着樹脂層１２０を形成したベース基板１１０とを、転写版の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にして、位置合わせして、密着させる。（図５（ｃ））
密着は、必要に応じ、所定の圧、熱をかけて行う。
【００４４】
次いで、転写版４００の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に密着させた状態のまま、第１の例と同様、第２の面１１０Ｂ側から露出した、導電性層４３０（配線部）に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図５（ｅ））
尚、この電解めっきはめっき浴中で行うため、転写版４００の裏面（導電性層４３０形成側と反対の面）は、場合によっては、他のレジストやマスキング材で覆っても良い。
【００４５】
次いで、導電性層４３０（配線部１３３）のみをベース基板１１０に残した状態で、転写版４００を剥離する。（図５（ｆ））
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａに実装用に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に半田メッキ層１６５を設けておく。（図１（ａ））
上記のようにして、図１に示す配線基板は作製できる。
【００４６】
次いで、第３の例を挙げ、簡単に説明する。
第３の例は、図３に示す第３の例の配線基板を作製する方法である。
第２の例の製造方法のようにして、図５（ｄ）のめっき工程までを行い、この段階でめっきを止めて、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に配線１３３を設け、且つ、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成する。
尚、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂ側にめっき形成された導電性層が多少盛り上った状態でも良いが、できるだけ第２の面１１０Ｂに揃える。
必要に応じては研磨等により、第２の面１１０Ｂに揃える。
次いで、配線部１３３のみをベース基板１１０に残した状態で（転写して）、転写版を剥離した後、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂ側に、配線１３３をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に形成したのと同様にして、絶縁性接着剤層１７５を介して配線１７０を形成し、導電性ペースト１９０を所定の位置に塗布、乾燥して、必要な電気的接続を行った後、必要に応じ、熱処理をして、配線基板を得る。（図３）
尚、絶縁性接着剤層１７５の形成は、ディスペンス塗布法、印刷塗布法等で形成しても良いが、転写版に形成された配線部の上に電着により形成し、これを介して配線部を転写しても良い。
接着剤層１７５としては、常温もしくは、加熱により接着性（粘着性）を示すものであれば良く、使用する高分子としては、電着樹脂層１２０形成に用いられるような合成高分子樹脂が使用できる。
【００４７】
次いで、第４の例を図６、図１に基づいて説明する。
第４の例は、図１に示す、第１の例の配線基板を製造方法で、第１の例と同様、配線部１３３を銅箔をエッチングして作製する製造する方法の１例であるが、第１の例とは異なり、シート状の金属材料１１０Ｍ表面全部へ、電着樹脂層１２０を形成した後、所定の貫通孔１１５の壁面を覆う電着樹脂層１２０、あるいは所定の貫通孔１１５周辺の電着樹脂層１２０を除去して、貫通孔１１５の壁面の一部、あるいは所定の貫通孔周辺の一部分を露出させた後に、充填タイプのスルホールを形成するための電解めっきを行うものである。
第１の例と同様にして、充填タイプのスルホールを形成するための貫通孔１１５を所定の位置に設けたシート状の金属材料１１０Ｍを形成した（図６（ａ））後、シート状の金属材料１１０Ｍの表面に 電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板１１０を作製する。（図６（ｂ））
電着に際しては、図４に示す第１の例のように、貫通孔のマスキングは行わず、全貫通孔の表面を覆うように電着する。
次いで、第１の例と同様、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側に銅箔２４０をラミネートする。（図６（ｃ））
次いで、この状態で、所望の貫通孔の壁面（単に面とも言う）を覆う電着樹脂層を除去して、少なくともこの面の一部分、あるいは、この貫通孔周辺の一部分を露出させる。（図６（ｄ））
図６（ｄ）では、貫通孔の壁面全体について露出させるように図示しているが、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させれば良い。
除去方法としては、レーザー光を用いて、電着樹脂層を除去する方法が挙げられるが、これに限定はされない。
これにより、特定の貫通孔の壁面のみが露出した状態となる。
この状態は第１の例の図４（ｅ）に相当する。
以下は、第１の例と同様にして、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａと対向する第２の面１１０Ｂ側から露出した、銅箔部２４０に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部１１５を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図６（ｅ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成する。（図６（ｆ））
次いで、第１の例と同様にして、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にラミネートされた銅箔２４０の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジスト２５０を製版し（図６（ｇ））、レジスト２５０を 耐エッチング性マスクとしてエッチングし（図６（ｈ））、更にレジスト２５０のみを剥離して配線１３３を形成する。（図６（ｉ））
この後、必要に応じ、更に外部端子部１５５、１５５Ａに実装用に、下地めっき層１６０としてニッケルめっき層をめっきし、最表層に半田メッキ層１６５を設けておく。（図１（ａ））
尚、各処理については第１の例に準じるので、ここでは説明を省略する。
【００４８】
次いで、第５の例を挙げる。
第５の例は、図１に示す、第１の例の配線基板を製造方法で、第２の例と同様、配線部１３３がめっき形成された転写版から転写形成される製造方法の１例であるが、第２の例とは異なり、第４の例のように、シート状の金属材料１１０Ｍ表面全部へ、電着樹脂層１２０を形成した後、所定の貫通孔１１５の壁面を覆う電着樹脂層１２０、あるいは所定の貫通孔１１５周辺の電着樹脂層１２０を除去して、貫通孔１１５の壁面の一部、あるいは所定の貫通孔周辺の一部分を露出させた後に、充填タイプのスルホールを形成するための電解めっきを行うものである。
図７に示すように、転写版４００と、電着樹脂層１２０を形成したベース基板１１０とを、転写版の導電性層４３０（配線部）側をベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側にして、位置合わせして、密着させた（図７（ａ））後、所望の貫通孔１１５の壁面を覆う、あるいは所望の貫通孔１１５周辺の電着樹脂層をレーザ照射等により除去して、照射部分を露出させる。（図７（ｂ））
以降は、第２の例と同様に処理して配線基板を得る。
【００４９】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を説明する。
（実施例１）
実施例１は、図１に示す第１の例配線基板で、配線層１３３の層構成が銅単体のものを、配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の方法にて作製したものである。図４（ａ）〜図４（ｄ）、図５に基づいて説明する。
先ず、転写版４００（図５（ｂ））の作製の以下のようにして行った。
導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図５（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図５（ａ））
上記、導電性基材４１０とと含燐銅電極とを対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない導電性基材４１０の露出部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を導電性層４３０として形成し、転写版４００を得た。（図５（ｂ））
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５０】
また、シート状の金属材料１１０Ｍの作製を以下のようにして行った。
導電性基材２１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＡＲ−９００（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約２０μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、６００ｃｏｕｎｔとした。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図４（ａ）の２２０に相当）を形成した。（図４（ａ））
導電性基材２１０とＮｉ電極とを対向させ、下記組成のスルファミン酸ニッケル浴中に浸漬し、直流電源の陽極にＮｉ電極を、陰極に導電性基材２１０を
接続し、電流密度５Ａ／ｄｍ2 で２０分間の通電を行い、レジスト２２０に覆われていない導電性基材２１０の露出部に膜厚約２０μｍのＮｉめっき膜を形成して、シート状の金属材料１１０Ｍを形成した。（図４（ｂ））
この後これを剥がしてシート状の金属材料１１０Ｍのみを得た。（図４（ｃ））
（スルファミン酸ニッケル浴の組成）
Ｎｉ（ＮＨ2 ＳＯ3 ）2 ・６Ｈ2 ０ ４００ｇ／ｌ
Ｈ3 ＢＯ3 ３０ｇ／ｌ
ＮｉＣｌ2 ／６Ｈ2 ０ １５ｇ／ｌ
添加剤（メルテック株式会社製）
ナイカルＰＣ−３ ３０ｍｌ／ｌ
ニッケルグリームＮＡＷ−４ ０．０２ｍｌ／ｌ
浴温度 ５５°Ｃ
ｐＨ ４．０
【００５１】
次いで、シート状の金属材料１１０Ｍの所定位置の貫通孔のみマスキング材２３０でその表面を覆い、シート状の金属材料１１０Ｍを白金電極と対向させ、下記のようにして調整したアニオン型の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極にシート状の金属材料１１０Ｍを、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、金属材料１１０Ｍの表面に厚さ１５μｍの接着性を有する絶縁樹脂層（電着樹脂層１２０に相当）を形成して、ベース基板１１０を得た。（図４（ｄ））
以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００５２】
上記のようにして作製した転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）形成側を、上記ベース基板１１０の第１の面１１０Ａに下記条件にて圧着させ（図５（ｃ））、圧着状態のまま、下記の銅めっき浴中で、ベース基板１１０の、第２の面側から露出した、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）上に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板１１０の貫通孔部を、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図５（ｄ））、更に電解めっきを継続し、ベース基板１１０の第２の面１１０Ｂの貫通孔１１５領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を形成し、貫通孔部１１５に充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図５（ｅ））尚、電解めっきは、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に転写版４００の導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度４Ａ／ｄｍ2 で３０分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約２５μｍの銅めっき膜を形成したものである。
（圧着条件）
圧力 ５ｋｇ／ｃｍ2
温度 ２００°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５３】
次いで、外部端子部１５５、１５５Ａ表面のみにニッケルめっきを施し、次いで定法による半田めっきを施した。
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：日本高純度化学株式会社製のＷＨＮ
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
このようにして、図１に示す第１の例の配線基板を作製した。
【００５４】
（実施例２）
実施例２は、実施例１における銅単層の配線部１３３に代え、表面部にニッケルめっきを下地とし、表面に金めっき層を設けた配線を有するものとし、転写版４００の導電性層４３０（配線部に相当）を導電性基材４１０の面側から順に、金めっき、ニッケルめっき、銅めっきとしたものである。
それ以外については、実施例１と同じであるため、ここでは、転写版４００の作成工程のみを説明する。
実施例１と同様にして、導電性基材４１０として厚さ０．１ｍｍのステンレス材（ＳＵＳ３０４）を用意し、この一面に市販のフォトレジスト、ＯＭＲ−８５（東京応化工業株式会社製）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布して、オーブン８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。
そして、所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト層（図５（ａ）の４２０に相当）を形成した。（図５（ａ））
次いで、上記、導電性基材４１０と白金チタン電極を対向させてテンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）の電解金めっき浴中で浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を、陰極に導電性基材４１０を接続し、電流密度０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電を行い、レジスト４２０に覆われていない露出部に膜厚約１μｍの金めっき層を形成した。次いで、金めっき層を形成した導電性基材４１０を、下記のニッケルめっき液ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）に浸漬し、直流電源の陽極に電解ニッケル板を、陰極に導電性基材４１０を接続
し、電流密度１Ａ／ｄｍ2 で５分間の通電を行い、金めっきが形成されている部分上に約１μｍのニッケル膜を形成した。
次いで、ニッケル膜を形成された導電性基材４１０と、含燐銅電極を対向させ、下記組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極、陰極に導電性基材４１０を接続し、接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、ベース基板の貫通孔部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を形成した。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
（ニッケルめっき浴組成）
めっき液：ＷＨＮ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ２．８
液温 ５０°Ｃ
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００５５】
（実施例３）
実施例３は、実施例１と同様、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと外部端子部１５５、１５５Ａを形成した後、外部端子部の表面に、下記の条件にて金めっきを行ったもので、外部端子部の表面部に金層を設けた配線基板の作製である。
（金めっき液）
メッキ液：テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学株式会社製）
ｐＨ ７．３
液温 ６５°Ｃ
電流密度：０．４Ａ／ｄｍ2 で４．５分間の通電
【００５６】
（実施例４）
実施例４は、実施例１と同様、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａと外部端子部１５５、１５５Ａを形成した後、外部端子部の表面に、下記の条件にて錫めっきを行ったもので、外部端子部の表面部に錫めっき層を設けた配線基板の作製である。
（錫めっきえきおよびめっき条件）
硫酸第一錫 ５５ｇ／ｌ
硫酸 １００ｇ／ｌ
クレゾールスルホン酸 １００ｇ／ｌ
ゼラチン ２ｇ／ｌ
ベータナフトール １ｇ／ｌ
電流密度：１Ａ／ｄｍ2
液温 ２０°Ｃ
【００５７】
（実施例５）
実施例５は、実施例１において配線部１３３の形成を、図４に示すように工程にて行ったものであり、ベース基板１１０の作製は同じ条件で行い、図４（ｅ）以降の工程を以下のように実施した。
電解銅箔２４０を下記条件にて、ベース基板１１０の第１面１１０Ａ貼り合わせた（ラミネートした）後、ポジ型のレジスト２５０（ＡＲ−９００、東京応化工業株式会社製）を銅箔２４０の全面に塗布して８０°Ｃ３０分間乾燥した。（図４（ｅ））
次いで、実施例１と同様にして、ベース基板１１０の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔２４０部に銅めっきしてベース基板の貫通孔部を、導電性層を電解めっきによりめっき形成して、埋めて、充填タイプのスルホール１５０、１５０Ａを形成し（図４（ｆ））、さらに継続して銅めっきを行い、外部端子部１５５、１５５Ａを形成した。（図４（ｇ））
この後、ベース基板１１０の第１の面１１０Ａ側の銅箔２４０面にポジ型のレジスト２５０を塗布、所定のマスクで露光し、現像し（図４（ｈ））、銅箔２４０が露出している部分を塩化第２鉄（４３ボーメ）で除去し（図４（ｉ））、レジスト２５０を除去した。（図４（ｊ））
さらに、２５０°Ｃ、１時間硬化熱処理して配線基板を得た。
【００５８】
（実施例６）
実施例６は、実施例１において、所定厚さの金属材料をエッチング加工して、シート状の金属材料１１０Ｍを、形成したものである。
以下、金属材料１１０Ｍをエッチング加工工程のみを記す。
約２０μｍ厚の電解銅箔にポジ型のレジストＡＲ−９００、東京応化工業株式会社製）を約１０μｍ厚に塗布形成した後、所望の充填タイプのスルーホール領域に合わせた形状のマスクを用いて露光し、現像を行い、レジストから露出した部分を塩化第２鉄でエッチング除去し、該レジストを剥離して金属材料１１０Ｍを得た。
【００５９】
（実施例７）
実施例７は、実施例１と同様の、図１に示す第１の例配線基板で、配線層１３３の層構成が銅単体のものを、配線基板の製造方法の実施の形態の第５の例の方法にて作製したもので、金属シード１１０Ｍの貫通孔１１５にマスキングをせずに、電着樹脂層１２０の形成を行って形成したベース基板１１０を、転写版４００（図７（ａ））と密着した（図７（ｂ））後、レーザ照射により、所望の貫通孔の壁面を覆う電着樹脂層を除去した。（図７（ｃ））
レーザ光としてはＵＶ−ＹＡＧレーザを用いた。
その他の処理については実施例１と同様で、ここでは説明を省略する。
【００６０】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、ベース基板の少なくとも一面に微細な配線を形成し、且つ、電気的接続に対して信頼性の高い充填タイプのスルホールを設け、且つ電気的な特性の面で信頼できる配線基板の提供を可能とした。
より具体的には、本発明に関わる配線基板は、信頼性の高い充填タイプのスルホールを形成した構造で、ベース基板の表裏の電気的接続を信頼できるもので、更に、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続していることにおり、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することにより、電気的な特性を良くできる。
更にまた、配線部を選択めっき形成により作製した転写版より、転写形成することもできる構造で、配線の微細化にも対応できる。
そして、同時に、そのような製造方法により作製された配線基板の提供を可能とした。 これにより、具体的には、充填タイプのスルホールを有する多層配線基板や、近年の多端子化に対応でき、且つ、電気的接続に対し信頼性の高いエリアアレイタイプ半導体装置用の配線基板の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に関わる配線基板の実施の形態の第１の例の特徴部を示した図
【図２】 本発明に関わる配線基板の実施の形態の第２の例の特徴部を示した断面図
【図３】 本発明に関わる配線基板の実施の形態の第３の例の特徴部を示した断面図
【図４】 本発明に関わる配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程図
【図５】 本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程図
【図６】 本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程図
【図７】 本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第５の例の工程の一部を示した図
【符号の説明】
１１０ ベース基板
１１０Ａ 第１の面
１１０Ｂ 第２の面
１１０Ｍ 金属材料
１１５、１１５Ｍ 貫通孔部
１２０ 電着樹脂層
１３０ 転写版
１３１ 導電性基板
１３３ 配線部
１３３Ａ 端子部
１３３Ｂ リード
１３３Ｃ （半導体素子との接続用の）端子部
１４１、１４３ ニッケル層
１４２ 銅層
１４４ 金層
１５０、１５０Ａ 充填タイプのスルホール
１５５、１５５Ａ 外部端子部
１６０ 下地めっき層（Ｎｉめっき層）
１６５ ハンダめっき層
１６５Ａ 金めっき層
１７０ 配線部（めっき導電性層）
１７５ 絶縁性接着剤層
１９０ 導電性ペースト
２１０ 導電性基板
２２０ レジスト
２３０ マスキング材
２４０ 銅箔
２５０ レジスト
４００ 転写版
４１０ 導電性基板
４２０ レジスト
４３０ 導電性層
Claims (13)
- 所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（Ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｂ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｃ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｄ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（Ｅ）充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（Ｆ）少なくとも一面が導電性である基材の導電性面に、充填タイプのスルホールと接続し、且つ充填タイプのスルホール形成領域を覆うための端子部を含む配線部を選択めっきによりめっき形成した転写版と、前記電着樹脂層を形成したベース基板とを、転写版の配線部側をベース基板の第１の面側にして、位置合わせして、密着させる工程と、（Ｇ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させた後、第２の面側から露出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（Ｈ）配線部のみをベース基板に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし２における転写版剥離工程の後に、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、別の転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし３における転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層、あるいは、金、ニッケル、銅の３層をめっき形成したものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし３における転写版の配線部は、導電性である基材の導電性面側から順に、錫、銅の２層をめっき形成したものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプの充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（ａ）所定の貫通孔部の表面のみマスキングしながら、充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｂ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｃ）ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｄ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 所定の位置に複数の貫通孔を設け、貫通孔の少なくとも１つの表面部を除き、表面に接着絶縁性の電着樹脂層を設けたシート状の金属材料をベース基板とし、該ベース基板の貫通孔に導電性物質を充填形成して、充填タイプのスルホールを設け、且つ、該ベース基板の片面ないし両面に、配線部を１層ないし複数層形成した配線基板で、使用する際に、ベース基板のシート状の金属材料部分をグランド基板として使用することができるように、配線の一部を、その表面部に電着樹脂層を設けていない金属材料の貫通孔部に設けられた充填タイプの充填タイプのスルホールを介して金属材料に接続している配線基板の製造方法であって、少なくとも順に、（ｅ）充填タイプのスルホール形成用の貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の表面に、電着により絶縁性の電着樹脂層を形成して、ベース基板を作製するベース基板作製工程と、（ｆ）ベース基板の第１の面側に銅箔をラミネートするラミネート工程と、（ｇ）転写版の配線部側をベース基板の第１の面側に密着させた状態のまま、少なくとも、電着樹脂層に覆われている所望の貫通孔の面の一部分を、あるいは所望の貫通孔周辺の一部分を露出させた後、ベース基板の第１の面と対向する第２の面側から露出した、銅箔部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、ベース基板の貫通孔部を、第２の面に達するように埋めて、充填タイプのスルホールを形成するめっき工程と、（ｈ）ベース基板の第１の面側にラミネートされた銅箔の表面に作製する配線部の形状に合わせてレジストを製版し、レジストを耐エッチング性マスクとしてエッチングし、更にレジストのみを剥離して配線部を形成する配線部形成工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項６ないし７における配線部形成工程の後に、ベース基板の第１の面側およびまたは第２の面側に、転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし８のめっき工程において、ベース基板の第２の面の貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきを行い、貫通孔部に充填タイプのスルホールを形成するとともに、該充填タイプのスルホールに一体的に連結した外部端子部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし９において、めっき形成された外部端子部上に半田めっきないし金めっきを施すことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし１０における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、少なくとも一面が導電性である基材の、導電性面に、貫通孔を形成する領域のみにレジストを設け、該導電性面のレジストに覆われていない領域に導電性層をめっき形成した後、めっき形成された導電性層を前記基材から剥離して形成するものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし１０における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、形成する貫通孔部に対応する形状にレジストを該金属シート面に製版して、レジストを耐エッチング性マスクとして金属シートをエッチングして形成するものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし１０における貫通孔を所定の位置に設けたシート状の金属材料の形成は、所定の厚さの金属シートを素材として用い、打抜きにより貫通孔を設けて形成するものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
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