JP4390930B2 - 積層配線基板とその製造方法、及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子をプリント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体装置形成用の積層配線基板と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、電子機器の高性能化と軽薄短小の傾向からＬＳＩ、ＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集横化、高性能化の一途をたどってきている。
これに伴い、信号の高速処埋には，パッケージ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になってきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに対応してきた。
この結果、半導体装置の高集積化、高機能化は外部端子総数の増加を招き、半導体装置の多端子化が求められるようになってきた。
多端子ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパフオーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリードフレームを用いたプラステイックＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピンを超えるものまで実用化に至っている。
ＱＦＰは、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード先端部と半導体素子の端子とをワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多端子化に対応できるものとして開発されてきた。
ここで用いる単層リードフレームは、通常、４２合金（４２％ニッケルー鉄合金）あるいは銅合金などの電気伝導率が高く、且つ機械的強度が大きい金属材を素材とし、フオトエッチング法かあるいはスタンピング法により、外形加工されていた。
【０００３】
しかし、半導体素子の信号処理の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになってきた。
ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するため、フオーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題を抱えていた。
このようなＱＦＰの実装面での間題に対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｇ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスッチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の半田ボールを通じて半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケージである。
ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応できた。
このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片面に半導体素子を塔載するダイパッドと半導体素子からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外部接続端子をもち、外部接続端子とボンディングパッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続している構造である。
【０００４】
しかしながら、このＢＧＡは、めっき形成したスルホールを介して、半導体素子とボンディングワイヤで結線を行う配線と、半導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部接続端子部（単に外部端子部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が多かった。
尚、ここでは、ＢＧＡのように、二次元的に端子を配列した構造のものをエリアアレイタイプと言う。
【０００５】
この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の向上をはかり、従来のリードフレームの作製と同様、金属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工し、これ（リードフレームとも言う）をコア材として、配線を形成したエリアアレイタイプの半導体装置も種々提案されている。
このタイプのものは、基本的に、金属薄板の板厚に加工精度、配線の微細化が制限される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を用いたＢＧＡは、多端子化には有利であるものの、信頼性の面、作製上の面で問題が多く、また金属薄板をエッチング加工等により所定の形状に加工したもの（リードフレーム）をコア材として配線を形成したエリアアレイタイプのものは、近年の更なる多端子化には対応できないという問題がある。
本発明は、これらの問題に対応するもので、具体的には、半導体素子を配線基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体素子と一体として半導体装置を形成するための半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い構造の積層配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような積層配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
特に、高密度、微細配線が可能で、且つ、電気接続の面でも信頼性がある、エリアアレイタイプの半導体装置を作製することができる積層配線基板を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層配線基板は、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板であって、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けていることを特徴とするものである。
そして、上記の積層配線基板であって、第２の配線部もめっき形成されたものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの積層配線基板であって、前記導電性物質は、導電性ペーストを乾燥、必要に応じて、熱処理を施したものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板であって、電着樹脂層は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、電着形成された樹脂層で、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施されたものであることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の積層配線基板の製造方法は、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、選択めっき形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ａ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｂ）転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第２の配線部を形成した転写版を作製する、第２の転写版作製工程と、（ｃ）第２の転写版に形成された第２の配線部の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｄ）突起を形成した第２の転写版の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記第２の転写版に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する積層化工程と、（ｅ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板と、第２の転写版のベース基板とを剥離するベース基板剥離工程と、（ｆ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版および第２の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることを特徴とするものである。
【０００９】
あるいは、本発明の積層配線基板の製造方法は、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、エッチング形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ｇ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｈ）金属箔の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｉ）突起を形成した金属箔の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を金属箔側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記金属箔に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する、積層化工程と、（ｊ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板を剥離するベース基板剥離工程と、（ｋ）前記金属箔を選択エッチング処理して、第２の配線部を形成する、第２の配線部エッチング形成処理と、（ｌ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることを特徴とするものである。
そして、上記の積層配線基板の製造方法であって、金属箔が銅箔であることを特徴とするものである。
【００１０】
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部のみを形成するもので、積層化工程の前に、各転写版のレジストを除去しておくことを特徴とするものである。
あるいはまた、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部のみを形成するもので、積層化工程は、各転写版がレジストを付けた状態で行い、積層化工程後、各ベース基板の剥離とともにレジストを除去するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、電着は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、そのポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行うものであることを特徴とするものである。
【００１１】
そして、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版のベース基板ないし第２の転写版のベース基板がステンレス基板であることを特徴とするものである。 また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第２の転写版の配線あるいは金属箔の所定位置に形成される突起は、メタルマスクを用い、導電性ペーストを印刷するメタルマスク印刷法により形成することを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部の、積層化工程の際の、絶縁性樹脂層側の面に、粗面化処理を施しておくことを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部を形成する選択めっきが多層メッキであることを特徴とするものであり、多層メッキが、銅とニッケルの２層からなる、あるいは、多層メッキが、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層からなることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、転写版用の第１のベース基板ないし第２のベース基板の導電性を有する面上に、形成する剥離性のめっき層が、銅単層、あるいは銅層を主体とし、ベース基板側から銅層、ニッケル層の２層からなることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の半導体装置は、本発明の積層配線基板を用いたことを特徴とするものであり、外部回路と接続するための端子部を二次元的に配列した、エリアアレイタイプであることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】
本発明の積層配線基板は、このような構成にすることにより、半導体素子を配線基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体素子と一体として半導体装置を形成するための半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い構造の積層配線基板の提供を可能とするものである。
特に、これにより、高密度、微細配線が可能で、且つ、電気特性の面でも信頼性がある、エリアアレイタイプの半導体装置の作製を可能とするものである。
具体的には、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板であって、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けていることにより、更には、第２の配線部もめっき形成されたものであることにより、これを達成している。
導電性物質は、導電性ペーストを乾燥、必要に応じて、熱処理を施したものが挙げられるが、これに限定はされない。
【００１４】
また、選択めっき形成された第１の配線部の絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けていることにより、第１の配線部の絶縁性樹脂層への固定をより、確実なものとできる。
電着樹脂層としては、機械的強度、安定性の良いものが好ましく、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、電着形成された樹脂層で、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施されたものが挙げられる。
【００１５】
本発明の積層配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、半導体素子を配線基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体素子と一体として半導体装置を形成するための半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い構造の積層配線基板を製造するための、積層配線基板の製造方法の提供を可能とするものである。
具体的には、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、選択めっき形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ａ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｂ）転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第２の配線部を形成した転写版を作製する、第２の転写版作製工程と、（ｃ）第２の転写版に形成された第２の配線部の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｄ）突起を形成した第２の転写版の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記第２の転写版に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する積層化工程と、（ｅ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板と、第２の転写版のベース基板とを剥離するベース基板剥離工程と、（ｆ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版および第２の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることにより、これを達成している。
【００１６】
あるいはまた、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、エッチング形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ｇ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｈ）金属箔の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｉ）突起を形成した金属箔の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を金属箔側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記金属箔に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する、積層化工程と、（ｊ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板を剥離するベース基板剥離工程と、（ｋ）前記金属箔を選択エッチング処理して、第２の配線部を形成する、第２の配線部エッチング形成処理と、（ｌ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることにより、これを達成している。
【００１７】
第１の転写版のベース基板ないし第２の転写版のベース基板としては、処理性の良いものであれば限定はされないが、通常、ステンレス基板が使用できる。
また、第２の転写版の配線、あるいは金属箔の所定位置に形成される突起は、メタルマスクを用い、導電性ペーストを印刷するメタルマスク印刷法による形成することができるが、これには限定されない。
また、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部の、積層化工程の際の、絶縁性樹脂層側の面に、粗面化処理を施しておくことにより、配線の絶縁性樹脂層への固定を確実なものとできる。
また、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部を形成する選択めっきが多層メッキですることもでき、特に、多層メッキが、絶縁性樹脂層側からニッケル、銅の２層（転写版のベース基板側からは銅、ニッケルの２層）とした場合には、マイグレーション防止になり、絶縁性樹脂層側からニッケル、銅、ニッケル、金の４層とした場合には、マイグレーション防止の他に、半導体素子の端子との、金−金共晶による、あるいは半田を介した接続を容易に行える。
ニッケルを最表層にした場合にも、半田を介した半導体素子の端子の端子との接続は可能である。
【００１８】
また、転写版用の第１のベース基板ないし第２のベース基板の導電性を有する面上に、形成する剥離性のめっき層としては、その剥離性、エッチング性からは、銅単層が好ましい。
位置合わせをし易くするには、銅層を主体とし、ベース基板側から銅層、ニッケル層の２層としても良い。
【００１９】
本発明の半導体装置は、このような構造にすることにより、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い半導体装置の提供を可能としている。
特に、益々の高密度化、多端子化が進むエリアアレイタイプの半導体装置の提供を可能とするものである。
【００２０】
尚、本発明の積層配線基板は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置用の配線基板や、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）用の配線基板にも適用できることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の工程を示した一部断面図で、図２は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の工程を示した一部断面図で、図３は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の工程を示した一部断面図で、図４は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程を示した一部断面図で、図５は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程を示した一部断面図で、図９は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例の工程を示した一部断面図で、図１０は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第５例の工程を示した一部断面図で、図１１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第６例の工程を示した一部断面図で、図６（ａ）、図６（ｂ）は、それぞれ、本発明に関わる半導体装置の例で、図７は図１に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の工程を示した一部断面図で、図８は図２に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の変形例の工程を示した一部断面図である。
そして、図１（ｈ）は本発明に関わる積層配線基板の第１の例の一部断面図で、図３（ｆ）は本発明に関わる積層配線基板の第２例の一部断面図で、図４（ｉ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図５（ｇ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図９（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第３例の一部断面図で、図１１（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第４例の一部断面図である。
図１〜図６中、１１０、１１１はベース基板（導電性基板）、１２０、１２１はレジスト、１３０は第２の配線層（めっき層）、１３１は第１の配線部（めっき層）、１４０は突起、１６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、２１０、２１１はベース基板（導電性基板）、２２０、２２１はレジスト、２３０は第２の配線層（めっき層）、２３１は第１の配線部（めっき層）、２４０は突起、２６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、３１０は金属箔（銅箔）、３１５は配線（第２の配線部）、３１１はベース基板（導電性基板）、３２１はレジスト、３３１は第１の配線部（めっき層）、３４０は突起、３６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、４１０、４１１はベース基板（導電性基板）、４２０、４２１はレジスト、４３０は第２の配線層（めっき層）、４３１は第１の配線部（めっき層）、４４０は突起、４５０は電着樹脂層、４６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、５１０は金属箔（銅箔）、５１５は配線（第２の配線部）、５１１はベース基板（導電性基板）、５２１はレジスト、５３１は第１の配線部（めっき層）、５４０は突起、５５０は電着樹脂層、５６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、６００、６００Ａは積層配線基板、６３０は第２の配線部（めっき層）、６３１は第１の配線部（めっき層）、６４０は突起、６６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、６７０、６７０Ａは半導体素子、６７５、６７５Ａは端子部、６８０は封止用樹脂、６９０は半田ボール、７１０、７１１はベース基板（導電性基板）、７１５、７１６はめっき層（ベタめっき層）、７２０、７２１はレジスト、７３０は第２の配線層（めっき層）、７３１は第１の配線部（めっき層）、７４０は突起、７６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、８１０、８１１はベース基板（導電性基板）、８２０、８２１はレジスト、８３０は第２の配線層（めっき層）、８３１は第１の配線部（めっき層）、８４０は突起、８６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、９１０はベース基板（導電性基板）、９１１は金属箔（銅箔）、９１５はめっき層（ベめっき層）、９２０はレジスト、９３０は第１の配線部（めっき層）、９３１は配線（第２の配線部）、９４０は突起、９６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）である。
【００２２】
はじめに、本発明に関わる積層配線基板の第１例を、図１（ｈ）に基づいて説明する。 第１例の積層配線基板は、選択めっき形成された第１の配線部１３１と、絶縁性樹脂層１６０と、選択めっき形成された第２の配線部１３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部１３１と、第２の配線部１３０とは、第２の配線１３０から突出し、絶縁性樹脂層１６０を貫き、第１の配線部１３１に到達する導電性物質からなる突起１４０にて、電気的に接続されている。
第１の配線部１３１の各配線、第２の配線部１３０の各配線は、絶縁性樹脂層１６０に直接、接着されており、絶縁性樹脂層１６０がベース基材の役割を果たしている。
絶縁性樹脂層１６０としては、積層配線基板のベース材と成り得るもので、絶縁性の良いものが好ましく、通常のプリプレグ等を主材質とするものが挙げられるが、これに限定はされない。
突起１４０の材質としては、銀ペースト等の導電性ペーストを乾燥、必要に応じて、熱処理を施したものが挙げられるが、これに限定はされない。
選択めっき形成された第１の配線部１３１、第２の配線部１３０としては、導電性の面、コスト面からめっき銅単体ないしめっき銅を主材質としたものが好ましいが、これに限定はされない。銅とニッケルの２層からなるもの、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層にしたもの等が挙げられる。
配線部上に直接、半導体素子を、その端子と金−金共晶で電気的に接続して搭載するためには、金層側を最表層としたものが挙げられる。
尚、突起１４０は、後述する製造方法のように、絶縁性樹脂層１６０を貫くようにして形成する場合には、第１の配線部１３１と第２の配線部１３０とを電気的に接続する充填タイプのビアホールとなり、第１の配線部１３１と第２の配線部１３０との接続を信頼性高いものとできる。
本例の積層配線基板は、例えば、第１の配線部１３１形成側に半導体素子を搭載し、第２の配線部１３０側に外部回路と接続するための端子部を形成することにより、半導体素子をプリント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは、半導体装置形成用の積層配線基板にも適用できる。
【００２３】
次に、本発明に関わる積層配線基板の第２例を、図３（ｆ）に基づいて説明する。
第２例の積層配線基板は、選択めっき形成された第１の配線部２３１と、絶縁性樹脂層２６０と、銅箔からなる金属箔３１０をエッチングして形成した第２の配線部２３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部２３１と、第２の配線部２３０とは、第２の配線２３０から突出し、絶縁性樹脂層２６０を貫き、第１の配線部２３１に到達する導電性物質からなる突起２４０にて、電気的に接続されている。
本例の場合も、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同様、第１の配線部２３１の各配線、第２の配線部２３０の各配線は、絶縁性樹脂層２６０に直接、接着されており、絶縁性樹脂層２６０がベース基材の役割を果たしている。
本例が、本発明に関わる積層配線基板の第１例と異なるのは、第２の配線部２３０が、銅箔からなる金属箔３１０をエッチングして形成されている点でのみである。
本例の場合、金属箔３１０としては銅箔が一般的で、通常、市販の銅箔を用いた場合に、その厚さは本発明に関わる積層配線基板の第１例の第２の配線部１３０に比べ、厚くなり、コスト的にも高いものとなる。
他の各部については、本発明に関わる積層配線基板の第１例と、同様のものが使用され、ここでは説明を省略する。
【００２４】
次に、本発明の積層配線基板の実施の形態の第１の例を、図４（ｉ）に基づいて説明する。
第１の例は、本発明に関わる積層配線基板の第１例の積層配線基板、選択めっき形成された第１の配線部１３１と、絶縁性樹脂層１６０と、選択めっき形成された第２の配線部１３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部１３１と、第２の配線部１３０とは、第２の配線１３０から突出し、絶縁性樹脂層１６０を貫き、第１の配線部１３１に到達する導電性物質からなる突起１４０にて、電気的に接続されているが、選択めっき形成された第１の配線部４３１の絶縁性樹脂層４６０側（下側）に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層４５０を設けて、第１の配線部４３１は、電着樹脂層４５０を介して、絶縁性樹脂層４６０に接着されている。
第２の配線部４３０は、直接絶縁性樹脂層４６０に接着されている。電着樹脂層４５０としては、機械的強度、安定性の面から、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、電着形成された樹脂層で、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施されたものであることが好ましいが、これに限定はされない。
その他の点については、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同様でここでは説明を省略する。
【００２５】
次に、本発明の積層配線基板の実施の形態の第２の例を、図５（ｇ）に基づいて説明する。
第２の例は、本発明に関わる積層配線基板の第２例と同様、選択めっき形成された第１の配線部５３１と、絶縁性樹脂層５６０と、銅箔からなる金属箔５１０をエッチングして形成した第２の配線部５３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部５３１と、第２の配線部５３０とは、第２の配線５３０から突出し、絶縁性樹脂層５６０を貫き、第１の配線部５３１に到達する導電性物質からなる突起５４０にて、電気的に接続されているが、選択めっき形成された第１の配線部５３１の絶縁性樹脂層５６０側（下側）に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層５５０を設けて、第１の配線部５３１は、電着樹脂層５５０を介して、絶縁性樹脂層５６０に接着されている。
第２の配線部５３０は、直接絶縁性樹脂層５６０に接着されている。電着樹脂層４５０としては、第３の例で用いる電着樹脂層と同様のものを用いる。
その他の点については、本発明に関わる積層配線基板の第２例と同様でここでは説明を省略する。
【００２６】
次に、本発明に関わる積層配線基板の第３例を、図９（ｊ）に基づいて説明する。
第３例は、本発明に関わる積層配線基板の第１例の積層配線基板において、配線部１３０、１３１が絶縁性樹脂層１６０に埋まっている状態のもので、第５の例の方が、第１の例に比べ、配線部は強固に固定される。
その他については、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同じで、ここでは説明を省略する。
【００２７】
次に、本発明に関わる積層配線基板の第４例を、図１１（ｊ）に基づいて説明する。
第４例は、図３（ｆ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第２例の積層配線基板において、配線部３３１が絶縁性樹脂層３６０に埋まっている状態のもので、第４例の方が、第２例に比べ、めっき形成された配線部（図１１の９３０に相当）は強固に固定される。
【００２８】
次に、積層配線基板の製造方法を図に基づいて説明する。
はじめに、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例を図１に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図１（ｇ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第１例を製造する方法の１例である。
まず、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板１１１（図１（ａ１））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト１２１を設け（図１（ｂ１））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部１３１のみを形成する。（図１（ｃ１））
ベース基板１１１としては、めっき剥離性の良いものが好ましく、ステンレス基板（ＳＵＳ４３０ＭＡ、表面粗度Ｒａ＝０．０１９））等が用いられ、めっきに先き立ち、その表面粗度を調整しておく。表面粗度を調整は、アルカリ性脱脂を行い、表面を十分に水洗、乾燥した後、アルミナビーズ（＃１５０〜＃１２００程度）、球状シリカ砥材（粒径２０μｍ程度）の砥粒等を、水等に混ぜ、めっき面に吹きつけて、機械的にめっき面の表面粗度を調整する方法（これを、ここではウエットブラスト処理と言う）等が採られる。
次いで、所定の剥離液にて、レジスト１２１を剥離しておく。（図１（ｄ１））
レジスト１２１としては、所望の解像性があり、耐めっき性があり、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
例えばノボラック系のレジスト等が挙げられる。
本例では、図１（ｄ１）に示すものを、第１の転写版と呼ぶ。
【００２９】
一方、同様にして、導電性基板からなる転写版用の第２のベース基板１１０（図１（ａ））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト１２０を設け（図１（ｂ））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第２の配線部１３０のみを形成し（図１（ｃ））、レジスト１２０を除去した（図１（ｄ））後、第２の配線部１３０の所定位置に、該所定位置と上記第１の転写版に形成された第１の配線部１３１の所定位置とを電気的に接続するための導電性物質からなる突起１４０を形成する。（図１（ｅ））
突起１４０の形成は、第２の配線部１３０の所定の位置に、メタルマスクを用いた印刷により、導電性ペーストを数回重ねて印刷して、所定の形状に形成するものが挙げられるが、これに限定はされない。
通常、突起１４０は第２の配線部１３０上で、０．５ｍｍφ程度で、厚さ０．５ｍｍ程度である。
本例では、図１（ｄ）に示すものを、第２の転写版と呼ぶ。
【００３０】
次いで、突起を形成した第２の転写版の、突起１４０形成面側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０、第１の転写版を、この順に、且つ、第１の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね（図１（ｆ））、これを一度に加圧し、積層する。（図１（ｇ））
本例では、突起を形成した第２の転写版を下側にし、第１の転写版を上側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を介して、積層する。
これにより、突起１４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を貫通させ、第２の転写版の配線１３０上に形成された突起１４０で、第２の配線部１３０とを第１の転写版の配線部１３１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板１１１と、第２の転写版のベース基板１１０とを剥離して、積層配線基板を得る。（図１（ｈ））
このようにして、本発明に関わる第１例の積層配線基板は作製される。
【００３１】
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例としては、第１例の場合と同様にして、第１の転写版（図７（ｄ１））と、第２の転写版（図７（ｄ））を形成し、且つ、第２の転写版の所定の位置に突起１４０を形成した後、第１の例のように、突起を形成した第２の転写版、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０、第１の転写版を、一度に加圧積層するのではなく、はじめに、突起を形成した第２の転写版と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を重ね、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスし、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を貫挿し、突出した状態（図７（ｆ））で、同様に第１の転写版を位置合わせ、積層配置し（図７（ｇ））、プレスし積層体化した（図７（ｈ））後、第１の転写版のベース基板１１１と、第２の転写版のベース基板１１０とを剥離して、積層配線基板を得る（図７（ｉ））方法も挙げられる。
【００３２】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例を図２に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図２（ｈ）に示す、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同じ構成の、積層配線基板を製造する方法の他の１例である。
本例は、第１例の積層配線基板の製造方法における、レジストを除去した第１の転写版（図１（ｄ１））、第２の転写版（図１（ｄ））に代え、レジストを除去しない状態のものを第１の転写（図２（ｃ１））、第２の転写版（図２（ｃ））として用いたものである。
そして、第２の転写版の配線部２３０の所定の位置に、第１の例と同様にして、突起２４０を設けた後、突起を形成した第２の転写版の、突起２４０形成面側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０、第２の転写版を、この順に、且つ、第２の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね（図２（ｅ））、これを一度に加圧し、積層する。（図１（ｆ））
本例も、突起を形成した第２の転写版を下側にし、第１の転写版を上側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０を介して、積層する。
次いで、ベース基板２１１、２１０を剥離し（図１（ｇ））、更に、レジスト２２１、２２０を除去し、必要に応じて、洗浄処理等を施して、所望の積層配線基板を得る。（図２（ｈ））
レジストの除去は所定の剥離液にて行う。
このようにして、本発明に関わる第２例の積層配線基板は作製される。
【００３３】
第２の例の変形例としては、第２例の場合と同様にして、第１の転写版（図８（ｃ１））と、第２の転写版（図８（ｃ））を形成し、且つ、第２の転写版の所定の位置に突起２４０を形成した後、第２の例のように、突起を形成した第２の転写版、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０、第１の転写版を、一度に加圧積層するのではなく、はじめに、突起２４０を形成した第２の転写版と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０を重ね、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスし、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０を貫挿し、突出した状態（図８（ｅ））で、同様に第１の転写版を位置合わせ、積層配置し（図８（ｆ））、プレスし積層体化した（図８（ｇ））後、第１の転写版のベース基板２１１と、第２の転写版のベース基板２１０とを剥離して、更に、レジスト２２１、２２０を除去し（図８（ｈ））、必要に応じて、洗浄処理等を施して、所望の積層配線基板を得る（図８（ｉ））方法も挙げられる。
【００３４】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例を図３に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図３（ｆ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第２例を製造する方法の１例である。
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例と同様、第１の転写版（図３（ｄ１）を形成し、金属箔３１０（図３（ａ）を用い、該金属箔３１０の所定の位置に、第１の転写版（図３（ｄ１））の配線部と電気的に接続するための、突起を、図１に示す第１例の積層配線基板の製造方法と同様にして形成しておく。（図３（ｂ））
本例は、図１に示す第１例の積層配線基板の製造方法において、第２の転写版（図１（ｄ））に代え、図３（ｂ）に示す、金属箔３１０に突起３４０を設けたものを用いる。次いで、突起を形成した金属箔３１０の、突起３４０形成面側に、絶縁性樹脂層（絶縁性シート）３６０、第１の転写版（図３（ｄ１））を、この順に、且つ第１の転写版の第１の配線部３３１側を金属箔３１０側にして、位置合わせして重ね（図３（ｃ））、これを一度に加圧し、積層する。（図３（ｄ））
本例は、突起を形成した金属箔３１０を下側にし、第１の転写版を上側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を介して、積層する。
これにより、突起３４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を貫通させ、金属箔３１０の所定の位置に形成された突起１４０で、金属箔３１０の所定の位置と第１の転写版の配線部３３１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板３１１を剥離する。（図３（ｅ））
次いで、金属箔３１０を選択エッチング処理して、第２の配線部３１５を形成して、所望の積層配線基板を得る。（図３（ｆ））
このようにして、本発明に関わる第２例の積層配線基板は作製される。
【００３５】
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の変形例としては、上記と同様に、第３の例のように、突起３４０を形成した金属箔３１０、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０、第１の転写版を、一度に加圧積層するのではなく、はじめに、突起３４０を形成した金属箔３１０と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を重ね、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスし、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を貫挿し、突出した状態（図示していない）で、同様に第１の転写版を位置合わせ、積層配置し、プレスし積層体化した後、第１の転写版のベース基板２１１を剥離し、更に、金属箔３１０を選択エッチング処理して、第２の配線部３１５を形成して、所望の積層配線基板を得る方法が挙げられる。
【００３６】
次に、本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例を図４に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図４（ｉ）に示す本発明の実施の形態の第１の例の積層配線基板を製造する方法の１例である。
本例の積層配線基板の製造方法は、図７に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の積層配線基板の製造方法において、第１の転写版（図１（ｄ１））に代え、図４（ｄ１）に示す転写版を用いたもので、基本的には、その他の工程は、第１の例の変形例の積層配線基板の製造方法と同じで、ここでは、第１の転写版の製造方法のみを説明する。
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の積層配線基板の製造方法と同様、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板４１１（図４（ａ１））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト４２１を設け（図４（ｂ１））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部４３１のみを形成した（図４（ｃ１））後、所定の電着液を用い、露出した配線部４３１上に絶縁性の樹脂層を電着形成する。（図４（ｄ１））
【００３７】
電着樹脂層は、電気的絶縁性、化学的安定性、強度の点で優れたものが好ましいが、特に限定はされない。
電着樹脂層１３０を電着形成するための電着液に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性高分子樹脂としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から電着樹脂層１３０がポリイミド樹脂であるとが好ましい。
例えば、カルボキシル基を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポリイミド電着液を用いて電着形成されるものが挙げられる。
このようにして、第１の転写版（図４（ｄ１））が得られる。
【００３８】
次に、本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例を図５に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図５（ｇ）に示す本発明の実施の形態の第２の例の積層配線基板を製造する方法の１例である。
本例の積層配線基板の製造方法は、図３に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の変形例の積層配線基板の製造方法において、第１の転写版（図３（ｄ１））に代え、図５（ｄ１）に示す転写版を用いたもので、基本的には、その他の工程は、第３例の積層配線基板の製造方法と同じで、ここでは、第１の転写版の製造方法のみを説明する。
第３例の積層配線基板の製造方法と同様、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板５１１（図５（ａ１））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト５２１を設け（図５（ｂ１））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部５３１のみを形成した（図５（ｃ１））後、前述の第４の実施の形態と同様、所定の電着液を用い、露出した配線部５３１上に絶縁性の樹脂層を電着形成する。（図５（ｄ１））
このようにして、第１の転写版（図５（ｄ１））が得られる。
【００３９】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例を図９に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図９（ｊ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第３例を製造する方法の１例である。
まず、導電性基板からなる転写版用の第２のベース基板７１０（図９（ａ））の一面上に剥離性のめっき層７１５を形成し（図７（ｂ））、剥離性のめっき層７１５上に、第１の例の積層配線基板の製造方法と同様にして、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト１２０を設け（図示していない））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第２の配線部７３０のみを形成した後、所定の剥離液にて、レジストを剥離しておく。（図９（ｅ））
ベース基板７１０としては、第１の例の製造方法と同様、めっき剥離性の良いものが好ましく、ステンレス基板（ＳＵＳ４３０ＭＡ、表面粗度Ｒａ＝０．０１９））等が用いられ、めっきに先き立ち、その表面粗度を調整しておく。
転写版用の第２のベース基板７１０の導電性を有する面上に、形成する剥離性のめっき層７１５としては、後述する工程にてベース基板７１０から剥離され、更にエッチング処理が施されるため、剥離性の良いもの、エッチング処理性の良いものが好ましく、数１００Å〜数μｍ程度の厚さの、銅単層が適用できるが、位置合わせをし易くするには、前述の厚さの銅層を主体とし、ベース基板側から銅層、数１００Å程度のニッケル層の２層としても良い。
一方、同様にして、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板７１１（図９（ａ１））の一面上に剥離性のめっき層７１６を形成し（図９（ｂ１）、剥離性のめっき層７１６上に、第１の例の積層配線基板の製造方法と同様にして、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け（図示していない））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部７３１のみを形成した後、所定の剥離液にて、レジストを剥離しておく。（図９（ｅ１））
ベース基板７１１、剥離性のめっき層７１６としては、それぞれ、ベース基板７１０、めっき層７１５と同様のものが使用される。
次いで、第２の転写版の第２の配線部７３０の所定位置に、該所定位置と上記第１の転写版に形成された第１の配線部７３１の所定位置とを電気的に接続するための導電性物質からなる突起７４０を形成する。（図９（ｆ））
【００４０】
次いで、第１の転写版の配線部７３１形成側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）７６０、突起７４０を形成した第２の転写版を、この順に、且つ、第２の転写版の突起７４０側を第１の転写版側にして、位置合わせして重ね（図９（ｇ））、これを一度に加圧し、積層する。（図９（ｈ））
本例では、突起を形成した第２の転写版を上側にし、第１の転写版を下側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）７６０を介して、積層する。
これにより、突起７４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）７６０を貫通させ、第２の転写版の配線７３０上に形成された突起７４０で、第２の配線部７３０と第１の転写版の配線部７３１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板７１１と、第２の転写版のベース基板７１０とを剥離した（図９（ｉ））後、更に、第１の転写版および第２の転写版の剥離性のめっき層７１５、７１６をエッチングにて除去し、洗浄処理等を施し、積層配線基板を得る。（（図９（ｊ））
剥離性のめっき層７１５、７１６のエッチング液としては、所定の市販の、銅用（硫酸）系、Ｎｉ用（硫酸＋過酸化水素）系等のソフトエッチング液等が用いられる。
このようにして、第５の例の積層配線基板は作製される。
【００４１】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第５例を図１０に基づいて説明する。 本例の積層配線基板の製造方法は、図１（ｈ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第１例を製造する方法の１例である。
本例は、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例と、同様にして、配線部８３０、８３１を選択めっき形成するためレジスト８２０、８２１を、除去しない状態のものを第１の転写（図１０（ｃ１））、第２の転写版（図１０（ｃ））として形成し、第２の転写版の配線部８３０の所定の位置に、突起８４０を設けた（図１０（ｄ））後、第１の転写版の配線部８３１側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）８６０、第２の転写版を、この順に、且つ突起８４０を形成した第２の転写版の、突起８４０形成面側を第１の転写版側にして、位置合わせして重ね（図１０（ｆ））、これを一度に加圧し、積層する。（図１０（ｇ））
本例では、突起を形成した第２の転写版を上側にし、第１の転写版を下側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）８６０を介して、積層する。第２の例では、積層する際に突起を形成した転写版（図２（ｄ））が下側であるのに対し、本例では、積層する際に突起を形成した転写版（図１０（ｄ））が上側である。
それ以外については、本例は、第２の例と同じである。
このようにして、本発明に関わる第１例の積層配線基板は作製される。
【００４２】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第６例を図１１に基づいて説明する。 本例の積層配線基板の製造方法は、図１１（ｊ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第４例を製造する方法の１例である。
先ず、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例と同様にして、剥離性のめっき層９１５を設け、第１の転写版（図１１（ｅ））を形成した後、配線部９３０の所定の位置に突起９４０を形成しておく。（図１１（ｆ））
次いで、金属箔９１１の一面に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）９６０、突起９４０を形成した第１の転写版を、この順に、重ね（図９（ｇ））、これを一度に加圧し、積層する。（図９（ｈ））
本例では、突起を形成した第１の転写版を上側にし、金属箔９１１を下側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）９６０を介して、積層する。
これにより、突起９４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）９６０を貫通させ、第１の転写版の配線９３０上に形成された突起９４０で、第１の配線部９３０と金属箔９１１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板９１０を剥離した（図９（ｉ））後、更に、第１の転写版の剥離性のめっき層９１５をエッチングにて除去し、また、金属箔９１１を所定形状にエッチングし、洗浄処理等を施し、積層配線基板を得る。（（図９（ｊ））
このようにして、本発明に関わる第４例の積層配線基板は作製される。
【００４３】
積層配線基板の製造方法は、上記例、実施の形態例、および変形例に限定されない。
例えば、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例、第３例、本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例、第２の例における、積層化工程において、突起形成側を上側にして、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）を介して積層する形態も、挙げることができる。
場合によっては、突起形成側を上側にした方が、精度良く、また、積層化がし易いことがある。
更にまた、突起形成側を上側にした場合についても、一度に積層せず、下側の配線部と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）とを重ねた後、更に突起形成側の配線部を積層する形態、あるいは、突起形成側の配線部と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）とを、突起を貫挿し、重ねた後、更に突起を形成していない側の配線部を積層する形態もある。
また、図４に示す本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例において、配線層を形成の前に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例、第６例のように、剥離性のめっき層を設けておき、積層化工程の後に、剥離性のめっき層を除去する形態のものも挙げられる。
【００４４】
次に、本発明に関わる半導体装置の例を、図６に基づいて説明する。
図６（ａ）に示す第１の例の半導体装置は、図１（ｈ）に示す第１の例の積層配線基板を用いたもので、第１の配線部６３１の所定の位置に、半導体素子６７０の端子６７５と、金−金共晶にて接続し、半導体素子６７０を搭載し、半導体素子６７０、配線部６３１を覆うように封止用樹脂６８０が設けられている。第１の配線部６３１と第２の配線部６３０（外部回路と接続するための端子部に相当）とは、第２の配線部の所定位置から突出する突起６４０により電気的に接続されている。
各部については、図１（ｈ）に示す本発明に関わる第１例の積層配線基板の説明にて、述べたので、ここでは説明を省略する。
尚、本例では、半導体素子６７０の端子６７５は、各辺に沿い、四角状に配列されている。また、第２の配線部６３０（外部回路と接続するための端子部に相当）は、二次元的に設けられている。
即ち、エリアレイ配列である。半導体素子６７０の端子６７５と第１の配線部６３１との接続を金−金共晶に代え、半田接続としても良い。
【００４５】
図６（ｂ）に示す第２の例の半導体装置は、図１（ｈ）に示す第１の例の積層配線基板を用いたもので、第１の例の半導体装置と同様、第１の配線部６３１の所定の位置に、半導体素子６７０Ａの端子６７５Ａと、金−金共晶にて接続し、半導体素子６７０Ａを搭載し、半導体導体素子６７０Ａ、配線部６３１を覆うように封止用樹脂６８０が設けられている。
本例では、半導体素子６７０Ａの端子６７５Ａは、各辺に沿い、四角状に２列に、二次元的に設けられている。エリアレイ配列である。
また、第１の例の半導体装置と同様、第２の配線部６３０（外部回路と接続するための端子部に相当）は、二次元的に設けられている。即ち、エリアレイ配列である。
これらの半導体装置の外部端子部（図６の６３０に相当）は二次元的な配列（エリアアレイ配列）で、配線部１３０の配線の引きまわしも比較的簡単となるとともに、半導体素子の多端子化にも対応でき、外部回路基板（マザーボード）への実装も実用レベルで行える。
本例においても、半導体素子６７０の端子６７５と第１の配線部６３１との接続を金−金共晶に代え、半田接続としても良い。
【００４６】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を説明する。
（参考実施例１）
参考実施例１は、図７に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の積層配線基板の製造方法にて、図１（ｈ）に示す本発明に関わる第１例の積層配線基板を得たものである。
先ず、第１の転写版Ａ１（図７（ｄ１））、第２の転写版Ａ２（図７（ｄ））を以下のようにして作製した。
転写版Ａ１、Ａ２、それぞれのベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、このベース基板上に、それぞれ、市販のフォトレジスト( 東京応化工業製、ＡＲ−９００）をスピンコート法により膜厚約１５μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ３０分間乾燥を行った。そして所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造製) を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３００カウントとした。
次いで、現像、水洗、乾燥し、所定のパタ−ンを有するフォトレジスト層を形成した後、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、１２分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、これを配線パターン層（配線部）として、その後、フォトレジストを全面を露光し、アセトンに揺動浸漬し、フォトレジストの剥離を行い転写版Ａ１、Ａ２を得た。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４７】
次いで、第２の転写版Ａ２（図７（ｄ））の配線部１３０の所定の位置に、以下のようにして、図７（ｅ）に示す突起を形成した。
転写版Ａ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００４８】
次いで、前記作製した第２の転写版Ａ２の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。（図７（ｆ））
更に、前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿し、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に第１の転写版Ａ１を位置合わせ、積層配置し（図７（ｇ））、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。（図７（ｈ））
この後、第１の転写版Ａ１のベース基板、第２の転写版Ａ２のベース基板を剥離することにより、両面に配線部を設けた積層配線基板を得た。（図７（ｉ））
【００４９】
（参考実施例２）
参考実施例２は、図８に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の変形例の積層配線基板の製造方法にて、図８（ｉ）に示す積層配線基板（図１（ｈ）と同じ構造のもの）を得たものである。
先ず、第１の転写版Ｂ１（図８（ｃ１））、第２の転写版Ｂ２（図８（ｃ））を以下のようにして作製した。
転写版Ｂ１、Ｂ２、それぞれのベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、このベース基板上に、それぞれ、市販のドライフィルムレジスト（旭化成（株）製ＡＱ２５５８）を下記の条件により所望の配線パターン（配線部）形状に開口するように露光現像を行った。
尚、ドライフィルムレジストを以下ＤＦＲとも言う。
次いで、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、１２分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し配線パターン層（配線部）とし、フォトレジストが付いた状態の転写版Ｂ１、Ｂ２を得た。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
（ＤＦＲラミネート条件他）
ラミネート １０５°Ｃ、０．５ｍ１／分、３．５ｋｇ／ｃｍ2
露光 ５００ｍＪ／ｃｍ2
現像 １％炭酸ナトリウム、２８°Ｃ、１分
水洗 ６０ｓｅｃ
乾燥 ８０°Ｃ、１０分
１３０°Ｃ、１５分
【００５０】
次いで、第２の転写版Ｂ２（図８（ｃ））の配線部１３０の所定の位置に、以下のようにして、図８（ｄ）に示す突起を形成した。
転写版Ｂ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００５１】
次いで、前記作製した第２の転写版Ｂ２の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。（図８（ｅ））
更に、前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿し、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に第１の転写版Ｂ１を位置合わせ、積層配置し（図８（ｆ））、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。（図８（ｇ））
この後、第１の転写版Ｂ１のベース基板、第２の転写版Ｂ２のベース基板を剥離することにより、両面に配線部を設けた積層配線基板を得た。（図８（ｈ））更に、その後、レジスト層を下記条件にて剥離を行ない両面配線基板を得た。（図８（ｉ））
（ＤＦＲ剥離条件）
３％苛性ソーダ ６０°Ｃ、２分
水洗 ６０ｓｅｃ
【００５２】
（参考実施例３）
参考実施例３は、図３に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の変形例の積層配線基板の製造方法により、図３（ｆ）に示す本発明に関わる第２例の積層配線基板を得たものである。
図３に示す第３例の積層配線基板の製造方法のように、第１の転写版Ｃ１（図３（ｄ１）に相当）を作製し、銅箔（図３（ａ）の３１０に相当）の所定の位置に突起（図３（ｂ）の３４０に相当）を作製した後、先ず、第１の転写版Ｃ１（図３（ｄ１）に相当）を、実施例１の転写版Ａ１、Ａ２の作製と同様にして、作製した。
転写版Ｃ１のベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を用いた。
【００５３】
銅箔の所定の位置への突起の作製は以下のようにして行った。
厚さ１８μｍの銅箔上に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００５４】
次いで、前記作製した銅箔の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、過熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。
前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿して、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に転写版Ｃ１を位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。
次いで、転写版Ｃ１のベース基板のみを剥離した後、さらに、銅箔面をいわゆるフォトエッチング処理を施して配線パターンを形成し、両面配線に配線が形成された積層配線基板を得た。
【００５５】
（実施例１）
実施例１は、図４に示す本発明の実施の形態の第１の例の積層配線基板の製造方法により、図４（ｉ）に示す本発明の実施の形態の第１の例の積層配線基板を得たものである。 第２の転写版Ｄ２（図４（ｄ）に相当）は、参考実施例１と同様にして作製し、第１の転写版Ｄ１（図４（ｄ１）に相当）は以下のようにして作製した。
転写版Ｄ１のベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、このステンレス板上に市販のフォトレジスト( 東京応化工業製ＯＭＲ−８５）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。
そして所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造製) を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３００カウントとした。
次いで、現像、水洗、乾燥し、所定のパタ−ンを有するフォトレジスト層を形成した後、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度２Ａ／ｃｍ2 、２４分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、これを配線パターン層（配線部）とした。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
次いで、下記のようにして調整した絶縁性の樹脂層形成用の電着液を用い、露出した配線部上に絶縁性の樹脂層を電着形成した。
電着形成は、ベース基板と白金電極とを対向させて、調整したアニオン型の絶縁性の樹脂層用の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極にベース基板を、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、配線層上に厚さ１５μm の接着性を有する絶縁性の樹脂層を形成した転写版Ｄ１を得た。
【００５６】
（電着液の調整)
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
酸当量（１個のＣＯＯＨ当たりのポリマー量は１５５４）は７０である。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００５７】
一方、転写版Ｄ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂から一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００５８】
次いで、転写版Ｄ２の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、過熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。
前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿して、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に転写版Ｄ１を位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。
この後、転写版Ｄ１のベース基板とレジストを同時に剥離し、絶縁性の樹脂層の硬化を行ない、両面に配線部が形成された積層配線基板を得た。
【００５９】
（実施例２）
実施例２は、図５に示す本発明の実施の形態の第２の例の積層配線基板の製造方法により、図５（ｇ）に示す本発明の実施の形態の第２の例の積層配線基板を得たものである。 第１の転写版Ｅ１（図５（ｄ１））は、実施例１の転写版Ｄ１の作製と同様にして、作製した。
銅箔（図５（ａ）の５１０）の所定の位置への突起の作製は、参考実施例３と同様にして行い、同様の突起を形成した。
【００６０】
次いで、前記作製した銅箔の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、過熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。
前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿して、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に転写版Ｃ１を位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。
次いで、転写版ＣＥのベース基板とレジストを同時に剥離した後、実施例３と同様に、さらに、銅箔面をいわゆるフォトエッチング処理を施して配線パターンを形成し、両面配線に配線が形成された積層配線基板を得た。
【００６１】
（参考実施例４）
参考実施例４は、図９に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例の積層配線基板の製造方法おいて、積層化工程を第４例の方法とは異なり、段階的に行ったもので、図９（ｊ）に示す第３例の積層配線基板を得た。
第４例の方法とは、積層化工程が段階的である点のみが異なるだけなので、図９に基づいて説明する。
先ず、以下のようにして、第１の転写版Ｆ１（図９（ｅ１））、第２の転写版Ｆ２（図９（ｅ））を作製した。転写版Ｆ１、Ｆ２、それぞれのベース基板７１０、７１１として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、２分間の通電を行い、ベース基板の一面に膜厚約２μｍの銅めっき膜を形成し、これを剥離性の銅めっき層７１５、７１６とした。（図９（ｂ）、図９（ｂ１））
次いで、銅めっき層７１５、７１６上に、それぞれ、市販のフォトレジスト( 東京応化工業製、ＡＲ−９００）をスピンコート法により膜厚約１５μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ３０分間乾燥を行った。
そして所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造製) を用いて密着露光を行った。露光条件は、３００カウントとした。
次いで、現像、水洗、乾燥し、所定のパタ−ンを有するフォトレジスト層を形成した（図９（ｃ）、図９（ｃ１））後、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、１２分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、これを配線パターン層（配線部）として、その後、フォトレジストを全面を露光し、アセトンに揺動浸漬し、フォトレジストの剥離を行い転写版Ｆ１、Ｆ２を得た。（図９（ｅ）、図９（ｅ１））
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００６２】
次いで、転写版Ｆ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。（図９（ｆ））
【００６３】
次いで、以下のようにして、積層化工程を段階的に行った。
前記作製した第２の転写版Ｆ２の突起形成面に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）である厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。（図７（ｆ）に相当）
更に、第１の転写版Ｆ１を下側にして、一体となった、突起を形成した第２の転写版と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）を上側とし、且つ、前記突起の先端を第１の転写版側に向け、下側にして、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）を貫挿し、突出した絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）面に、前記と同様に、第１の転写版Ｆ１とを位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。（図９（ｈ））
この後、第１の転写版のベース基板７１１と、第２の転写版のベース基板７１０とを剥離した（図９（ｉ））後、更に、第１の転写版Ｆ１および第２の転写版Ｆ２の剥離性のめっき層７１５、７１６をエッチングにて除去し、洗浄処理等を施し、積層配線基板を得た。（（図９（ｊ））
剥離性のめっき層７１５、７１６のエッチング液としては、ＡＤ−４８５（旭電化工業株式会社製）を用いた。
このようにして、図１（ｈ）に示す第１の例の積層配線基板を得た。
【００６４】
（参考実施例５）
参考実施例５は、参考実施例４において、市販のフォトレジスト( 東京応化工業製、ＡＲ−９００）に代え、ドライフィルムレジスト（旭化成株式会社製ＡＱ２５５８）を用いて、銅めっき層（図９の７１５、７１６に相当）上に、所望の開口を有するレジスト（図９の７２０に相当）を、下記の条件にて、形成し、配線部を前記開口部に形成したものである。
その他については、実施例７と同じで、説明は省略する。
（ドライフィルムレジスト処理条件）
ラミネート １０５°Ｃ、０．５ｍ／分、３．５ｋｇ／ｃｍ2
露光 ５０ｍＪ／ｃｍ2
水洗 ６０秒
乾燥 ８０°Ｃ、１０分
ベーク １３０°Ｃ、１５分
このようにして、図１（ｈ）に示す本発明に関わる第１例の積層配線基板を得た。
【００６５】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、半導体素子をプリント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも優れ、且つ、生産性の面で優れた積層配線基板の提供と、その製造方法の提供を可能とした。
これにより、多端子の半導体素子のプリント回路基板（マザーボード）への搭載を実用レベルで可能とし、益々の高密度実装に対応できるものとした。
特に、高密度、微細配線が可能で、且つ、電気接続の面でも優れたエリアアレイタイプの半導体装置の量産を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の工程を示した一部断面図で、図１（ｈ）は本発明に関わる積層配線基板の第１例の一部断面図である。
【図２】 本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の工程を示した一部断面図である。
【図３】 図３は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の工程を示した一部断面図で、図３（ｆ）は本発明に関わる積層配線基板の第２例の一部断面図である。
【図４】 図４は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程を示した一部断面図で、図４（ｉ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図である。
【図５】 図５は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程を示した一部断面図で、図５（ｇ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図である。
【図６】 図６（ａ）、図６（ｂ）は、それぞれ、本発明に関わる半導体装置の例を示した図である。
【図７】 図１に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の工程を示した一部断面図である。
【図８】 図２に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の変形例の工程を示した一部断面図である。
【図９】 図９は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例の工程を示した一部断面図で、図９（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第３例の一部断面図である。
【図１０】 本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第５例の工程を示した一部断面図である。
【図１１】 図１１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第６例の工程を示した一部断面図で、図１１（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第４例の一部断面図である。
【符号の説明】
１１０、１１１ ベース基板（導電性基板）
１２０、１２１ レジスト
１３０ 第２の配線層（めっき層）
１３１ 第１の配線部（めっき層）
１４０ 突起
１６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
２１０、２１１ ベース基板（導電性基板）
２２０、２２１ レジスト
２３０ 第２の配線層（めっき層）
２３１ 第１の配線部（めっき層）
２４０ 突起
２６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
３１０ 金属箔（銅箔）
３１１ ベース基板（導電性基板）
３２１ レジスト
３１５ 配線（第２の配線部）
３３１ 第１の配線部（めっき層）
３４０ 突起
３６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
４１０、４１１ ベース基板（導電性基板）
４２０、４２１ レジスト
４３０ 第２の配線層（めっき層）
４３１ 第１の配線部（めっき層）
４４０ 突起
４５０ 電着樹脂層
４６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
５１０ 金属箔（銅箔）
５１１ ベース基板（導電性基板）
５２１ レジスト
５１５ 配線（第２の配線部）
５３１ 第１の配線部（めっき層）
５４０ 突起
５５０ 電着樹脂層
５６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
６００、６００Ａ 積層配線基板
６３０ 第２の配線部（めっき層）
６３１ 第１の配線部（めっき層）
６４０ 突起
６６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
６７０、６７０Ａ 半導体素子
６７５、６７５Ａ 端子部
６８０ 封止用樹脂
６９０ 半田ボール
７１０、７１１ ベース基板（導電性基板）
７１５、７１６ めっき層（ベタめっき層）
７２０、７２１ レジスト
７３０ 第２の配線層（めっき層）
７３１ 第１の配線部（めっき層）
７４０ 突起
７６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
８１０、８１１ ベース基板（導電性基板）
８２０、８２１ レジスト
８３０ 第２の配線層（めっき層）
８３１ 第１の配線部（めっき層）
８６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
９１０ ベース基板（導電性基板）
９１１ 金属箔（銅箔）
９１５ めっき層（ベめっき層）
９２０ レジスト
９３０ 第１の配線部（めっき層）
９３１ 配線（第２の配線部）
９４０ 突起
９６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子をプリント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体装置形成用の積層配線基板と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、電子機器の高性能化と軽薄短小の傾向からＬＳＩ、ＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集横化、高性能化の一途をたどってきている。
これに伴い、信号の高速処埋には，パッケージ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になってきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに対応してきた。
この結果、半導体装置の高集積化、高機能化は外部端子総数の増加を招き、半導体装置の多端子化が求められるようになってきた。
多端子ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパフオーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリードフレームを用いたプラステイックＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピンを超えるものまで実用化に至っている。
ＱＦＰは、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード先端部と半導体素子の端子とをワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多端子化に対応できるものとして開発されてきた。
ここで用いる単層リードフレームは、通常、４２合金（４２％ニッケルー鉄合金）あるいは銅合金などの電気伝導率が高く、且つ機械的強度が大きい金属材を素材とし、フオトエッチング法かあるいはスタンピング法により、外形加工されていた。
【０００３】
しかし、半導体素子の信号処理の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになってきた。
ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するため、フオーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題を抱えていた。
このようなＱＦＰの実装面での間題に対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｇ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスッチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の半田ボールを通じて半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケージである。
ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応できた。
このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片面に半導体素子を塔載するダイパッドと半導体素子からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外部接続端子をもち、外部接続端子とボンディングパッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続している構造である。
【０００４】
しかしながら、このＢＧＡは、めっき形成したスルホールを介して、半導体素子とボンディングワイヤで結線を行う配線と、半導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部接続端子部（単に外部端子部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が多かった。
尚、ここでは、ＢＧＡのように、二次元的に端子を配列した構造のものをエリアアレイタイプと言う。
【０００５】
この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の向上をはかり、従来のリードフレームの作製と同様、金属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工し、これ（リードフレームとも言う）をコア材として、配線を形成したエリアアレイタイプの半導体装置も種々提案されている。
このタイプのものは、基本的に、金属薄板の板厚に加工精度、配線の微細化が制限される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を用いたＢＧＡは、多端子化には有利であるものの、信頼性の面、作製上の面で問題が多く、また金属薄板をエッチング加工等により所定の形状に加工したもの（リードフレーム）をコア材として配線を形成したエリアアレイタイプのものは、近年の更なる多端子化には対応できないという問題がある。
本発明は、これらの問題に対応するもので、具体的には、半導体素子を配線基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体素子と一体として半導体装置を形成するための半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い構造の積層配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような積層配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
特に、高密度、微細配線が可能で、且つ、電気接続の面でも信頼性がある、エリアアレイタイプの半導体装置を作製することができる積層配線基板を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層配線基板は、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板であって、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けていることを特徴とするものである。
そして、上記の積層配線基板であって、第２の配線部もめっき形成されたものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの積層配線基板であって、前記導電性物質は、導電性ペーストを乾燥、必要に応じて、熱処理を施したものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板であって、電着樹脂層は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、電着形成された樹脂層で、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施されたものであることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の積層配線基板の製造方法は、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、選択めっき形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ａ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｂ）転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第２の配線部を形成した転写版を作製する、第２の転写版作製工程と、（ｃ）第２の転写版に形成された第２の配線部の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｄ）突起を形成した第２の転写版の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記第２の転写版に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する積層化工程と、（ｅ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板と、第２の転写版のベース基板とを剥離するベース基板剥離工程と、（ｆ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版および第２の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることを特徴とするものである。
【０００９】
あるいは、本発明の積層配線基板の製造方法は、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、エッチング形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ｇ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｈ）金属箔の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｉ）突起を形成した金属箔の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を金属箔側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記金属箔に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する、積層化工程と、（ｊ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板を剥離するベース基板剥離工程と、（ｋ）前記金属箔を選択エッチング処理して、第２の配線部を形成する、第２の配線部エッチング形成処理と、（ｌ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることを特徴とするものである。
そして、上記の積層配線基板の製造方法であって、金属箔が銅箔であることを特徴とするものである。
【００１０】
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部のみを形成するもので、積層化工程の前に、各転写版のレジストを除去しておくことを特徴とするものである。
あるいはまた、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部のみを形成するもので、積層化工程は、各転写版がレジストを付けた状態で行い、積層化工程後、各ベース基板の剥離とともにレジストを除去するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、電着は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、そのポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行うものであることを特徴とするものである。
【００１１】
そして、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版のベース基板ないし第２の転写版のベース基板がステンレス基板であることを特徴とするものである。 また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第２の転写版の配線あるいは金属箔の所定位置に形成される突起は、メタルマスクを用い、導電性ペーストを印刷するメタルマスク印刷法により形成することを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部の、積層化工程の際の、絶縁性樹脂層側の面に、粗面化処理を施しておくことを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部を形成する選択めっきが多層メッキであることを特徴とするものであり、多層メッキが、銅とニッケルの２層からなる、あるいは、多層メッキが、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層からなることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの積層配線基板の製造方法であって、転写版用の第１のベース基板ないし第２のベース基板の導電性を有する面上に、形成する剥離性のめっき層が、銅単層、あるいは銅層を主体とし、ベース基板側から銅層、ニッケル層の２層からなることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の半導体装置は、本発明の積層配線基板を用いたことを特徴とするものであり、外部回路と接続するための端子部を二次元的に配列した、エリアアレイタイプであることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】
本発明の積層配線基板は、このような構成にすることにより、半導体素子を配線基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体素子と一体として半導体装置を形成するための半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い構造の積層配線基板の提供を可能とするものである。
特に、これにより、高密度、微細配線が可能で、且つ、電気特性の面でも信頼性がある、エリアアレイタイプの半導体装置の作製を可能とするものである。
具体的には、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板であって、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けていることにより、更には、第２の配線部もめっき形成されたものであることにより、これを達成している。
導電性物質は、導電性ペーストを乾燥、必要に応じて、熱処理を施したものが挙げられるが、これに限定はされない。
【００１４】
また、選択めっき形成された第１の配線部の絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けていることにより、第１の配線部の絶縁性樹脂層への固定をより、確実なものとできる。
電着樹脂層としては、機械的強度、安定性の良いものが好ましく、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、電着形成された樹脂層で、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施されたものが挙げられる。
【００１５】
本発明の積層配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、半導体素子を配線基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体素子と一体として半導体装置を形成するための半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い構造の積層配線基板を製造するための、積層配線基板の製造方法の提供を可能とするものである。
具体的には、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、選択めっき形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ａ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｂ）転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第２の配線部を形成した転写版を作製する、第２の転写版作製工程と、（ｃ）第２の転写版に形成された第２の配線部の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｄ）突起を形成した第２の転写版の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記第２の転写版に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する積層化工程と、（ｅ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板と、第２の転写版のベース基板とを剥離するベース基板剥離工程と、（ｆ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版および第２の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることにより、これを達成している。
【００１６】
あるいはまた、選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、エッチング形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ｇ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｈ）金属箔の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｉ）突起を形成した金属箔の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を金属箔側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記金属箔に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する、積層化工程と、（ｊ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板を剥離するベース基板剥離工程と、（ｋ）前記金属箔を選択エッチング処理して、第２の配線部を形成する、第２の配線部エッチング形成処理と、（ｌ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることにより、これを達成している。
【００１７】
第１の転写版のベース基板ないし第２の転写版のベース基板としては、処理性の良いものであれば限定はされないが、通常、ステンレス基板が使用できる。
また、第２の転写版の配線、あるいは金属箔の所定位置に形成される突起は、メタルマスクを用い、導電性ペーストを印刷するメタルマスク印刷法による形成することができるが、これには限定されない。
また、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部の、積層化工程の際の、絶縁性樹脂層側の面に、粗面化処理を施しておくことにより、配線の絶縁性樹脂層への固定を確実なものとできる。
また、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部を形成する選択めっきが多層メッキですることもでき、特に、多層メッキが、絶縁性樹脂層側からニッケル、銅の２層（転写版のベース基板側からは銅、ニッケルの２層）とした場合には、マイグレーション防止になり、絶縁性樹脂層側からニッケル、銅、ニッケル、金の４層とした場合には、マイグレーション防止の他に、半導体素子の端子との、金−金共晶による、あるいは半田を介した接続を容易に行える。
ニッケルを最表層にした場合にも、半田を介した半導体素子の端子の端子との接続は可能である。
【００１８】
また、転写版用の第１のベース基板ないし第２のベース基板の導電性を有する面上に、形成する剥離性のめっき層としては、その剥離性、エッチング性からは、銅単層が好ましい。
位置合わせをし易くするには、銅層を主体とし、ベース基板側から銅層、ニッケル層の２層としても良い。
【００１９】
本発明の半導体装置は、このような構造にすることにより、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも信頼性があり、且つ、生産性の良い半導体装置の提供を可能としている。
特に、益々の高密度化、多端子化が進むエリアアレイタイプの半導体装置の提供を可能とするものである。
【００２０】
尚、本発明の積層配線基板は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの半導体装置用の配線基板や、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）用の配線基板にも適用できることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の工程を示した一部断面図で、図２は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の工程を示した一部断面図で、図３は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の工程を示した一部断面図で、図４は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程を示した一部断面図で、図５は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程を示した一部断面図で、図９は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例の工程を示した一部断面図で、図１０は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第５例の工程を示した一部断面図で、図１１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第６例の工程を示した一部断面図で、図６（ａ）、図６（ｂ）は、それぞれ、本発明に関わる半導体装置の例で、図７は図１に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の工程を示した一部断面図で、図８は図２に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の変形例の工程を示した一部断面図である。
そして、図１（ｈ）は本発明に関わる積層配線基板の第１の例の一部断面図で、図３（ｆ）は本発明に関わる積層配線基板の第２例の一部断面図で、図４（ｉ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図５（ｇ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図９（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第３例の一部断面図で、図１１（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第４例の一部断面図である。
図１〜図６中、１１０、１１１はベース基板（導電性基板）、１２０、１２１はレジスト、１３０は第２の配線層（めっき層）、１３１は第１の配線部（めっき層）、１４０は突起、１６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、２１０、２１１はベース基板（導電性基板）、２２０、２２１はレジスト、２３０は第２の配線層（めっき層）、２３１は第１の配線部（めっき層）、２４０は突起、２６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、３１０は金属箔（銅箔）、３１５は配線（第２の配線部）、３１１はベース基板（導電性基板）、３２１はレジスト、３３１は第１の配線部（めっき層）、３４０は突起、３６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、４１０、４１１はベース基板（導電性基板）、４２０、４２１はレジスト、４３０は第２の配線層（めっき層）、４３１は第１の配線部（めっき層）、４４０は突起、４５０は電着樹脂層、４６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、５１０は金属箔（銅箔）、５１５は配線（第２の配線部）、５１１はベース基板（導電性基板）、５２１はレジスト、５３１は第１の配線部（めっき層）、５４０は突起、５５０は電着樹脂層、５６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、６００、６００Ａは積層配線基板、６３０は第２の配線部（めっき層）、６３１は第１の配線部（めっき層）、６４０は突起、６６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、６７０、６７０Ａは半導体素子、６７５、６７５Ａは端子部、６８０は封止用樹脂、６９０は半田ボール、７１０、７１１はベース基板（導電性基板）、７１５、７１６はめっき層（ベタめっき層）、７２０、７２１はレジスト、７３０は第２の配線層（めっき層）、７３１は第１の配線部（めっき層）、７４０は突起、７６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、８１０、８１１はベース基板（導電性基板）、８２０、８２１はレジスト、８３０は第２の配線層（めっき層）、８３１は第１の配線部（めっき層）、８４０は突起、８６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）、９１０はベース基板（導電性基板）、９１１は金属箔（銅箔）、９１５はめっき層（ベめっき層）、９２０はレジスト、９３０は第１の配線部（めっき層）、９３１は配線（第２の配線部）、９４０は突起、９６０は絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）である。
【００２２】
はじめに、本発明に関わる積層配線基板の第１例を、図１（ｈ）に基づいて説明する。 第１例の積層配線基板は、選択めっき形成された第１の配線部１３１と、絶縁性樹脂層１６０と、選択めっき形成された第２の配線部１３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部１３１と、第２の配線部１３０とは、第２の配線１３０から突出し、絶縁性樹脂層１６０を貫き、第１の配線部１３１に到達する導電性物質からなる突起１４０にて、電気的に接続されている。
第１の配線部１３１の各配線、第２の配線部１３０の各配線は、絶縁性樹脂層１６０に直接、接着されており、絶縁性樹脂層１６０がベース基材の役割を果たしている。
絶縁性樹脂層１６０としては、積層配線基板のベース材と成り得るもので、絶縁性の良いものが好ましく、通常のプリプレグ等を主材質とするものが挙げられるが、これに限定はされない。
突起１４０の材質としては、銀ペースト等の導電性ペーストを乾燥、必要に応じて、熱処理を施したものが挙げられるが、これに限定はされない。
選択めっき形成された第１の配線部１３１、第２の配線部１３０としては、導電性の面、コスト面からめっき銅単体ないしめっき銅を主材質としたものが好ましいが、これに限定はされない。銅とニッケルの２層からなるもの、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層にしたもの等が挙げられる。
配線部上に直接、半導体素子を、その端子と金−金共晶で電気的に接続して搭載するためには、金層側を最表層としたものが挙げられる。
尚、突起１４０は、後述する製造方法のように、絶縁性樹脂層１６０を貫くようにして形成する場合には、第１の配線部１３１と第２の配線部１３０とを電気的に接続する充填タイプのビアホールとなり、第１の配線部１３１と第２の配線部１３０との接続を信頼性高いものとできる。
本例の積層配線基板は、例えば、第１の配線部１３１形成側に半導体素子を搭載し、第２の配線部１３０側に外部回路と接続するための端子部を形成することにより、半導体素子をプリント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは、半導体装置形成用の積層配線基板にも適用できる。
【００２３】
次に、本発明に関わる積層配線基板の第２例を、図３（ｆ）に基づいて説明する。
第２例の積層配線基板は、選択めっき形成された第１の配線部２３１と、絶縁性樹脂層２６０と、銅箔からなる金属箔３１０をエッチングして形成した第２の配線部２３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部２３１と、第２の配線部２３０とは、第２の配線２３０から突出し、絶縁性樹脂層２６０を貫き、第１の配線部２３１に到達する導電性物質からなる突起２４０にて、電気的に接続されている。
本例の場合も、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同様、第１の配線部２３１の各配線、第２の配線部２３０の各配線は、絶縁性樹脂層２６０に直接、接着されており、絶縁性樹脂層２６０がベース基材の役割を果たしている。
本例が、本発明に関わる積層配線基板の第１例と異なるのは、第２の配線部２３０が、銅箔からなる金属箔３１０をエッチングして形成されている点でのみである。
本例の場合、金属箔３１０としては銅箔が一般的で、通常、市販の銅箔を用いた場合に、その厚さは本発明に関わる積層配線基板の第１例の第２の配線部１３０に比べ、厚くなり、コスト的にも高いものとなる。
他の各部については、本発明に関わる積層配線基板の第１例と、同様のものが使用され、ここでは説明を省略する。
【００２４】
次に、本発明の積層配線基板の実施の形態の第１の例を、図４（ｉ）に基づいて説明する。
第１の例は、本発明に関わる積層配線基板の第１例の積層配線基板、選択めっき形成された第１の配線部１３１と、絶縁性樹脂層１６０と、選択めっき形成された第２の配線部１３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部１３１と、第２の配線部１３０とは、第２の配線１３０から突出し、絶縁性樹脂層１６０を貫き、第１の配線部１３１に到達する導電性物質からなる突起１４０にて、電気的に接続されているが、選択めっき形成された第１の配線部４３１の絶縁性樹脂層４６０側（下側）に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層４５０を設けて、第１の配線部４３１は、電着樹脂層４５０を介して、絶縁性樹脂層４６０に接着されている。
第２の配線部４３０は、直接絶縁性樹脂層４６０に接着されている。電着樹脂層４５０としては、機械的強度、安定性の面から、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、電着形成された樹脂層で、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施されたものであることが好ましいが、これに限定はされない。
その他の点については、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同様でここでは説明を省略する。
【００２５】
次に、本発明の積層配線基板の実施の形態の第２の例を、図５（ｇ）に基づいて説明する。
第２の例は、本発明に関わる積層配線基板の第２例と同様、選択めっき形成された第１の配線部５３１と、絶縁性樹脂層５６０と、銅箔からなる金属箔５１０をエッチングして形成した第２の配線部５３０とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部５３１と、第２の配線部５３０とは、第２の配線５３０から突出し、絶縁性樹脂層５６０を貫き、第１の配線部５３１に到達する導電性物質からなる突起５４０にて、電気的に接続されているが、選択めっき形成された第１の配線部５３１の絶縁性樹脂層５６０側（下側）に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層５５０を設けて、第１の配線部５３１は、電着樹脂層５５０を介して、絶縁性樹脂層５６０に接着されている。
第２の配線部５３０は、直接絶縁性樹脂層５６０に接着されている。電着樹脂層４５０としては、第３の例で用いる電着樹脂層と同様のものを用いる。
その他の点については、本発明に関わる積層配線基板の第２例と同様でここでは説明を省略する。
【００２６】
次に、本発明に関わる積層配線基板の第３例を、図９（ｊ）に基づいて説明する。
第３例は、本発明に関わる積層配線基板の第１例の積層配線基板において、配線部１３０、１３１が絶縁性樹脂層１６０に埋まっている状態のもので、第５の例の方が、第１の例に比べ、配線部は強固に固定される。
その他については、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同じで、ここでは説明を省略する。
【００２７】
次に、本発明に関わる積層配線基板の第４例を、図１１（ｊ）に基づいて説明する。
第４例は、図３（ｆ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第２例の積層配線基板において、配線部３３１が絶縁性樹脂層３６０に埋まっている状態のもので、第４例の方が、第２例に比べ、めっき形成された配線部（図１１の９３０に相当）は強固に固定される。
【００２８】
次に、積層配線基板の製造方法を図に基づいて説明する。
はじめに、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例を図１に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図１（ｇ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第１例を製造する方法の１例である。
まず、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板１１１（図１（ａ１））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト１２１を設け（図１（ｂ１））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部１３１のみを形成する。（図１（ｃ１））
ベース基板１１１としては、めっき剥離性の良いものが好ましく、ステンレス基板（ＳＵＳ４３０ＭＡ、表面粗度Ｒａ＝０．０１９））等が用いられ、めっきに先き立ち、その表面粗度を調整しておく。表面粗度を調整は、アルカリ性脱脂を行い、表面を十分に水洗、乾燥した後、アルミナビーズ（＃１５０〜＃１２００程度）、球状シリカ砥材（粒径２０μｍ程度）の砥粒等を、水等に混ぜ、めっき面に吹きつけて、機械的にめっき面の表面粗度を調整する方法（これを、ここではウエットブラスト処理と言う）等が採られる。
次いで、所定の剥離液にて、レジスト１２１を剥離しておく。（図１（ｄ１））
レジスト１２１としては、所望の解像性があり、耐めっき性があり、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
例えばノボラック系のレジスト等が挙げられる。
本例では、図１（ｄ１）に示すものを、第１の転写版と呼ぶ。
【００２９】
一方、同様にして、導電性基板からなる転写版用の第２のベース基板１１０（図１（ａ））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト１２０を設け（図１（ｂ））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第２の配線部１３０のみを形成し（図１（ｃ））、レジスト１２０を除去した（図１（ｄ））後、第２の配線部１３０の所定位置に、該所定位置と上記第１の転写版に形成された第１の配線部１３１の所定位置とを電気的に接続するための導電性物質からなる突起１４０を形成する。（図１（ｅ））
突起１４０の形成は、第２の配線部１３０の所定の位置に、メタルマスクを用いた印刷により、導電性ペーストを数回重ねて印刷して、所定の形状に形成するものが挙げられるが、これに限定はされない。
通常、突起１４０は第２の配線部１３０上で、０．５ｍｍφ程度で、厚さ０．５ｍｍ程度である。
本例では、図１（ｄ）に示すものを、第２の転写版と呼ぶ。
【００３０】
次いで、突起を形成した第２の転写版の、突起１４０形成面側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０、第１の転写版を、この順に、且つ、第１の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね（図１（ｆ））、これを一度に加圧し、積層する。（図１（ｇ））
本例では、突起を形成した第２の転写版を下側にし、第１の転写版を上側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を介して、積層する。
これにより、突起１４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を貫通させ、第２の転写版の配線１３０上に形成された突起１４０で、第２の配線部１３０とを第１の転写版の配線部１３１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板１１１と、第２の転写版のベース基板１１０とを剥離して、積層配線基板を得る。（図１（ｈ））
このようにして、本発明に関わる第１例の積層配線基板は作製される。
【００３１】
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例としては、第１例の場合と同様にして、第１の転写版（図７（ｄ１））と、第２の転写版（図７（ｄ））を形成し、且つ、第２の転写版の所定の位置に突起１４０を形成した後、第１の例のように、突起を形成した第２の転写版、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０、第１の転写版を、一度に加圧積層するのではなく、はじめに、突起を形成した第２の転写版と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を重ね、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスし、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）１６０を貫挿し、突出した状態（図７（ｆ））で、同様に第１の転写版を位置合わせ、積層配置し（図７（ｇ））、プレスし積層体化した（図７（ｈ））後、第１の転写版のベース基板１１１と、第２の転写版のベース基板１１０とを剥離して、積層配線基板を得る（図７（ｉ））方法も挙げられる。
【００３２】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例を図２に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図２（ｈ）に示す、本発明に関わる積層配線基板の第１例と同じ構成の、積層配線基板を製造する方法の他の１例である。
本例は、第１例の積層配線基板の製造方法における、レジストを除去した第１の転写版（図１（ｄ１））、第２の転写版（図１（ｄ））に代え、レジストを除去しない状態のものを第１の転写（図２（ｃ１））、第２の転写版（図２（ｃ））として用いたものである。
そして、第２の転写版の配線部２３０の所定の位置に、第１の例と同様にして、突起２４０を設けた後、突起を形成した第２の転写版の、突起２４０形成面側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０、第２の転写版を、この順に、且つ、第２の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね（図２（ｅ））、これを一度に加圧し、積層する。（図１（ｆ））
本例も、突起を形成した第２の転写版を下側にし、第１の転写版を上側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０を介して、積層する。
次いで、ベース基板２１１、２１０を剥離し（図１（ｇ））、更に、レジスト２２１、２２０を除去し、必要に応じて、洗浄処理等を施して、所望の積層配線基板を得る。（図２（ｈ））
レジストの除去は所定の剥離液にて行う。
このようにして、本発明に関わる第２例の積層配線基板は作製される。
【００３３】
第２の例の変形例としては、第２例の場合と同様にして、第１の転写版（図８（ｃ１））と、第２の転写版（図８（ｃ））を形成し、且つ、第２の転写版の所定の位置に突起２４０を形成した後、第２の例のように、突起を形成した第２の転写版、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０、第１の転写版を、一度に加圧積層するのではなく、はじめに、突起２４０を形成した第２の転写版と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０を重ね、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスし、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）２６０を貫挿し、突出した状態（図８（ｅ））で、同様に第１の転写版を位置合わせ、積層配置し（図８（ｆ））、プレスし積層体化した（図８（ｇ））後、第１の転写版のベース基板２１１と、第２の転写版のベース基板２１０とを剥離して、更に、レジスト２２１、２２０を除去し（図８（ｈ））、必要に応じて、洗浄処理等を施して、所望の積層配線基板を得る（図８（ｉ））方法も挙げられる。
【００３４】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例を図３に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図３（ｆ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第２例を製造する方法の１例である。
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例と同様、第１の転写版（図３（ｄ１）を形成し、金属箔３１０（図３（ａ）を用い、該金属箔３１０の所定の位置に、第１の転写版（図３（ｄ１））の配線部と電気的に接続するための、突起を、図１に示す第１例の積層配線基板の製造方法と同様にして形成しておく。（図３（ｂ））
本例は、図１に示す第１例の積層配線基板の製造方法において、第２の転写版（図１（ｄ））に代え、図３（ｂ）に示す、金属箔３１０に突起３４０を設けたものを用いる。次いで、突起を形成した金属箔３１０の、突起３４０形成面側に、絶縁性樹脂層（絶縁性シート）３６０、第１の転写版（図３（ｄ１））を、この順に、且つ第１の転写版の第１の配線部３３１側を金属箔３１０側にして、位置合わせして重ね（図３（ｃ））、これを一度に加圧し、積層する。（図３（ｄ））
本例は、突起を形成した金属箔３１０を下側にし、第１の転写版を上側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を介して、積層する。
これにより、突起３４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を貫通させ、金属箔３１０の所定の位置に形成された突起１４０で、金属箔３１０の所定の位置と第１の転写版の配線部３３１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板３１１を剥離する。（図３（ｅ））
次いで、金属箔３１０を選択エッチング処理して、第２の配線部３１５を形成して、所望の積層配線基板を得る。（図３（ｆ））
このようにして、本発明に関わる第２例の積層配線基板は作製される。
【００３５】
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の変形例としては、上記と同様に、第３の例のように、突起３４０を形成した金属箔３１０、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０、第１の転写版を、一度に加圧積層するのではなく、はじめに、突起３４０を形成した金属箔３１０と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を重ね、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスし、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）３６０を貫挿し、突出した状態（図示していない）で、同様に第１の転写版を位置合わせ、積層配置し、プレスし積層体化した後、第１の転写版のベース基板２１１を剥離し、更に、金属箔３１０を選択エッチング処理して、第２の配線部３１５を形成して、所望の積層配線基板を得る方法が挙げられる。
【００３６】
次に、本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例を図４に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図４（ｉ）に示す本発明の実施の形態の第１の例の積層配線基板を製造する方法の１例である。
本例の積層配線基板の製造方法は、図７に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の積層配線基板の製造方法において、第１の転写版（図１（ｄ１））に代え、図４（ｄ１）に示す転写版を用いたもので、基本的には、その他の工程は、第１の例の変形例の積層配線基板の製造方法と同じで、ここでは、第１の転写版の製造方法のみを説明する。
本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の積層配線基板の製造方法と同様、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板４１１（図４（ａ１））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト４２１を設け（図４（ｂ１））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部４３１のみを形成した（図４（ｃ１））後、所定の電着液を用い、露出した配線部４３１上に絶縁性の樹脂層を電着形成する。（図４（ｄ１））
【００３７】
電着樹脂層は、電気的絶縁性、化学的安定性、強度の点で優れたものが好ましいが、特に限定はされない。
電着樹脂層１３０を電着形成するための電着液に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性高分子樹脂としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から電着樹脂層１３０がポリイミド樹脂であるとが好ましい。
例えば、カルボキシル基を有する溶剤可溶性ポリイミド、溶剤、中和剤を含むポリイミド電着液を用いて電着形成されるものが挙げられる。
このようにして、第１の転写版（図４（ｄ１））が得られる。
【００３８】
次に、本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例を図５に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図５（ｇ）に示す本発明の実施の形態の第２の例の積層配線基板を製造する方法の１例である。
本例の積層配線基板の製造方法は、図３に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の変形例の積層配線基板の製造方法において、第１の転写版（図３（ｄ１））に代え、図５（ｄ１）に示す転写版を用いたもので、基本的には、その他の工程は、第３例の積層配線基板の製造方法と同じで、ここでは、第１の転写版の製造方法のみを説明する。
第３例の積層配線基板の製造方法と同様、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板５１１（図５（ａ１））の一面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト５２１を設け（図５（ｂ１））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部５３１のみを形成した（図５（ｃ１））後、前述の第４の実施の形態と同様、所定の電着液を用い、露出した配線部５３１上に絶縁性の樹脂層を電着形成する。（図５（ｄ１））
このようにして、第１の転写版（図５（ｄ１））が得られる。
【００３９】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例を図９に基づいて説明する。
本例の積層配線基板の製造方法は、図９（ｊ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第３例を製造する方法の１例である。
まず、導電性基板からなる転写版用の第２のベース基板７１０（図９（ａ））の一面上に剥離性のめっき層７１５を形成し（図７（ｂ））、剥離性のめっき層７１５上に、第１の例の積層配線基板の製造方法と同様にして、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジスト１２０を設け（図示していない））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第２の配線部７３０のみを形成した後、所定の剥離液にて、レジストを剥離しておく。（図９（ｅ））
ベース基板７１０としては、第１の例の製造方法と同様、めっき剥離性の良いものが好ましく、ステンレス基板（ＳＵＳ４３０ＭＡ、表面粗度Ｒａ＝０．０１９））等が用いられ、めっきに先き立ち、その表面粗度を調整しておく。
転写版用の第２のベース基板７１０の導電性を有する面上に、形成する剥離性のめっき層７１５としては、後述する工程にてベース基板７１０から剥離され、更にエッチング処理が施されるため、剥離性の良いもの、エッチング処理性の良いものが好ましく、数１００Å〜数μｍ程度の厚さの、銅単層が適用できるが、位置合わせをし易くするには、前述の厚さの銅層を主体とし、ベース基板側から銅層、数１００Å程度のニッケル層の２層としても良い。
一方、同様にして、導電性基板からなる転写版用の第１のベース基板７１１（図９（ａ１））の一面上に剥離性のめっき層７１６を形成し（図９（ｂ１）、剥離性のめっき層７１６上に、第１の例の積層配線基板の製造方法と同様にして、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け（図示していない））、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して、第１の配線部７３１のみを形成した後、所定の剥離液にて、レジストを剥離しておく。（図９（ｅ１））
ベース基板７１１、剥離性のめっき層７１６としては、それぞれ、ベース基板７１０、めっき層７１５と同様のものが使用される。
次いで、第２の転写版の第２の配線部７３０の所定位置に、該所定位置と上記第１の転写版に形成された第１の配線部７３１の所定位置とを電気的に接続するための導電性物質からなる突起７４０を形成する。（図９（ｆ））
【００４０】
次いで、第１の転写版の配線部７３１形成側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）７６０、突起７４０を形成した第２の転写版を、この順に、且つ、第２の転写版の突起７４０側を第１の転写版側にして、位置合わせして重ね（図９（ｇ））、これを一度に加圧し、積層する。（図９（ｈ））
本例では、突起を形成した第２の転写版を上側にし、第１の転写版を下側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）７６０を介して、積層する。
これにより、突起７４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）７６０を貫通させ、第２の転写版の配線７３０上に形成された突起７４０で、第２の配線部７３０と第１の転写版の配線部７３１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板７１１と、第２の転写版のベース基板７１０とを剥離した（図９（ｉ））後、更に、第１の転写版および第２の転写版の剥離性のめっき層７１５、７１６をエッチングにて除去し、洗浄処理等を施し、積層配線基板を得る。（（図９（ｊ））
剥離性のめっき層７１５、７１６のエッチング液としては、所定の市販の、銅用（硫酸）系、Ｎｉ用（硫酸＋過酸化水素）系等のソフトエッチング液等が用いられる。
このようにして、第５の例の積層配線基板は作製される。
【００４１】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第５例を図１０に基づいて説明する。 本例の積層配線基板の製造方法は、図１（ｈ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第１例を製造する方法の１例である。
本例は、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例と、同様にして、配線部８３０、８３１を選択めっき形成するためレジスト８２０、８２１を、除去しない状態のものを第１の転写（図１０（ｃ１））、第２の転写版（図１０（ｃ））として形成し、第２の転写版の配線部８３０の所定の位置に、突起８４０を設けた（図１０（ｄ））後、第１の転写版の配線部８３１側に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）８６０、第２の転写版を、この順に、且つ突起８４０を形成した第２の転写版の、突起８４０形成面側を第１の転写版側にして、位置合わせして重ね（図１０（ｆ））、これを一度に加圧し、積層する。（図１０（ｇ））
本例では、突起を形成した第２の転写版を上側にし、第１の転写版を下側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）８６０を介して、積層する。第２の例では、積層する際に突起を形成した転写版（図２（ｄ））が下側であるのに対し、本例では、積層する際に突起を形成した転写版（図１０（ｄ））が上側である。
それ以外については、本例は、第２の例と同じである。
このようにして、本発明に関わる第１例の積層配線基板は作製される。
【００４２】
次に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第６例を図１１に基づいて説明する。 本例の積層配線基板の製造方法は、図１１（ｊ）に示す本発明に関わる積層配線基板の第４例を製造する方法の１例である。
先ず、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例と同様にして、剥離性のめっき層９１５を設け、第１の転写版（図１１（ｅ））を形成した後、配線部９３０の所定の位置に突起９４０を形成しておく。（図１１（ｆ））
次いで、金属箔９１１の一面に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）９６０、突起９４０を形成した第１の転写版を、この順に、重ね（図９（ｇ））、これを一度に加圧し、積層する。（図９（ｈ））
本例では、突起を形成した第１の転写版を上側にし、金属箔９１１を下側にして、間に絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）９６０を介して、積層する。
これにより、突起９４０で絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）９６０を貫通させ、第１の転写版の配線９３０上に形成された突起９４０で、第１の配線部９３０と金属箔９１１とを電気的に接続する。
この後、第１の転写版のベース基板９１０を剥離した（図９（ｉ））後、更に、第１の転写版の剥離性のめっき層９１５をエッチングにて除去し、また、金属箔９１１を所定形状にエッチングし、洗浄処理等を施し、積層配線基板を得る。（（図９（ｊ））
このようにして、本発明に関わる第４例の積層配線基板は作製される。
【００４３】
積層配線基板の製造方法は、上記例、実施の形態例、および変形例に限定されない。
例えば、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例、第３例、本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例、第２の例における、積層化工程において、突起形成側を上側にして、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）を介して積層する形態も、挙げることができる。
場合によっては、突起形成側を上側にした方が、精度良く、また、積層化がし易いことがある。
更にまた、突起形成側を上側にした場合についても、一度に積層せず、下側の配線部と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）とを重ねた後、更に突起形成側の配線部を積層する形態、あるいは、突起形成側の配線部と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）とを、突起を貫挿し、重ねた後、更に突起を形成していない側の配線部を積層する形態もある。
また、図４に示す本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例において、配線層を形成の前に、本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例、第６例のように、剥離性のめっき層を設けておき、積層化工程の後に、剥離性のめっき層を除去する形態のものも挙げられる。
【００４４】
次に、本発明に関わる半導体装置の例を、図６に基づいて説明する。
図６（ａ）に示す第１の例の半導体装置は、図１（ｈ）に示す第１の例の積層配線基板を用いたもので、第１の配線部６３１の所定の位置に、半導体素子６７０の端子６７５と、金−金共晶にて接続し、半導体素子６７０を搭載し、半導体素子６７０、配線部６３１を覆うように封止用樹脂６８０が設けられている。第１の配線部６３１と第２の配線部６３０（外部回路と接続するための端子部に相当）とは、第２の配線部の所定位置から突出する突起６４０により電気的に接続されている。
各部については、図１（ｈ）に示す本発明に関わる第１例の積層配線基板の説明にて、述べたので、ここでは説明を省略する。
尚、本例では、半導体素子６７０の端子６７５は、各辺に沿い、四角状に配列されている。また、第２の配線部６３０（外部回路と接続するための端子部に相当）は、二次元的に設けられている。
即ち、エリアレイ配列である。半導体素子６７０の端子６７５と第１の配線部６３１との接続を金−金共晶に代え、半田接続としても良い。
【００４５】
図６（ｂ）に示す第２の例の半導体装置は、図１（ｈ）に示す第１の例の積層配線基板を用いたもので、第１の例の半導体装置と同様、第１の配線部６３１の所定の位置に、半導体素子６７０Ａの端子６７５Ａと、金−金共晶にて接続し、半導体素子６７０Ａを搭載し、半導体導体素子６７０Ａ、配線部６３１を覆うように封止用樹脂６８０が設けられている。
本例では、半導体素子６７０Ａの端子６７５Ａは、各辺に沿い、四角状に２列に、二次元的に設けられている。エリアレイ配列である。
また、第１の例の半導体装置と同様、第２の配線部６３０（外部回路と接続するための端子部に相当）は、二次元的に設けられている。即ち、エリアレイ配列である。
これらの半導体装置の外部端子部（図６の６３０に相当）は二次元的な配列（エリアアレイ配列）で、配線部１３０の配線の引きまわしも比較的簡単となるとともに、半導体素子の多端子化にも対応でき、外部回路基板（マザーボード）への実装も実用レベルで行える。
本例においても、半導体素子６７０の端子６７５と第１の配線部６３１との接続を金−金共晶に代え、半田接続としても良い。
【００４６】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を説明する。
（参考実施例１）
参考実施例１は、図７に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の積層配線基板の製造方法にて、図１（ｈ）に示す本発明に関わる第１例の積層配線基板を得たものである。
先ず、第１の転写版Ａ１（図７（ｄ１））、第２の転写版Ａ２（図７（ｄ））を以下のようにして作製した。
転写版Ａ１、Ａ２、それぞれのベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、このベース基板上に、それぞれ、市販のフォトレジスト( 東京応化工業製、ＡＲ−９００）をスピンコート法により膜厚約１５μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ３０分間乾燥を行った。そして所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造製) を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３００カウントとした。
次いで、現像、水洗、乾燥し、所定のパタ−ンを有するフォトレジスト層を形成した後、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、１２分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、これを配線パターン層（配線部）として、その後、フォトレジストを全面を露光し、アセトンに揺動浸漬し、フォトレジストの剥離を行い転写版Ａ１、Ａ２を得た。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４７】
次いで、第２の転写版Ａ２（図７（ｄ））の配線部１３０の所定の位置に、以下のようにして、図７（ｅ）に示す突起を形成した。
転写版Ａ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００４８】
次いで、前記作製した第２の転写版Ａ２の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。（図７（ｆ））
更に、前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿し、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に第１の転写版Ａ１を位置合わせ、積層配置し（図７（ｇ））、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。（図７（ｈ））
この後、第１の転写版Ａ１のベース基板、第２の転写版Ａ２のベース基板を剥離することにより、両面に配線部を設けた積層配線基板を得た。（図７（ｉ））
【００４９】
（参考実施例２）
参考実施例２は、図８に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の変形例の積層配線基板の製造方法にて、図８（ｉ）に示す積層配線基板（図１（ｈ）と同じ構造のもの）を得たものである。
先ず、第１の転写版Ｂ１（図８（ｃ１））、第２の転写版Ｂ２（図８（ｃ））を以下のようにして作製した。
転写版Ｂ１、Ｂ２、それぞれのベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、このベース基板上に、それぞれ、市販のドライフィルムレジスト（旭化成（株）製ＡＱ２５５８）を下記の条件により所望の配線パターン（配線部）形状に開口するように露光現像を行った。
尚、ドライフィルムレジストを以下ＤＦＲとも言う。
次いで、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、１２分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し配線パターン層（配線部）とし、フォトレジストが付いた状態の転写版Ｂ１、Ｂ２を得た。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
（ＤＦＲラミネート条件他）
ラミネート １０５°Ｃ、０．５ｍ１／分、３．５ｋｇ／ｃｍ2
露光 ５００ｍＪ／ｃｍ2
現像 １％炭酸ナトリウム、２８°Ｃ、１分
水洗 ６０ｓｅｃ
乾燥 ８０°Ｃ、１０分
１３０°Ｃ、１５分
【００５０】
次いで、第２の転写版Ｂ２（図８（ｃ））の配線部１３０の所定の位置に、以下のようにして、図８（ｄ）に示す突起を形成した。
転写版Ｂ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００５１】
次いで、前記作製した第２の転写版Ｂ２の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。（図８（ｅ））
更に、前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿し、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に第１の転写版Ｂ１を位置合わせ、積層配置し（図８（ｆ））、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。（図８（ｇ））
この後、第１の転写版Ｂ１のベース基板、第２の転写版Ｂ２のベース基板を剥離することにより、両面に配線部を設けた積層配線基板を得た。（図８（ｈ））更に、その後、レジスト層を下記条件にて剥離を行ない両面配線基板を得た。（図８（ｉ））
（ＤＦＲ剥離条件）
３％苛性ソーダ ６０°Ｃ、２分
水洗 ６０ｓｅｃ
【００５２】
（参考実施例３）
参考実施例３は、図３に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の変形例の積層配線基板の製造方法により、図３（ｆ）に示す本発明に関わる第２例の積層配線基板を得たものである。
図３に示す第３例の積層配線基板の製造方法のように、第１の転写版Ｃ１（図３（ｄ１）に相当）を作製し、銅箔（図３（ａ）の３１０に相当）の所定の位置に突起（図３（ｂ）の３４０に相当）を作製した後、先ず、第１の転写版Ｃ１（図３（ｄ１）に相当）を、実施例１の転写版Ａ１、Ａ２の作製と同様にして、作製した。
転写版Ｃ１のベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を用いた。
【００５３】
銅箔の所定の位置への突起の作製は以下のようにして行った。
厚さ１８μｍの銅箔上に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００５４】
次いで、前記作製した銅箔の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、過熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。
前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿して、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に転写版Ｃ１を位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。
次いで、転写版Ｃ１のベース基板のみを剥離した後、さらに、銅箔面をいわゆるフォトエッチング処理を施して配線パターンを形成し、両面配線に配線が形成された積層配線基板を得た。
【００５５】
（実施例１）
実施例１は、図４に示す本発明の実施の形態の第１の例の積層配線基板の製造方法により、図４（ｉ）に示す本発明の実施の形態の第１の例の積層配線基板を得たものである。 第２の転写版Ｄ２（図４（ｄ）に相当）は、参考実施例１と同様にして作製し、第１の転写版Ｄ１（図４（ｄ１）に相当）は以下のようにして作製した。
転写版Ｄ１のベース基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、このステンレス板上に市販のフォトレジスト( 東京応化工業製ＯＭＲ−８５）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。
そして所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造製) を用いて密着露光を行った。
露光条件は、３００カウントとした。
次いで、現像、水洗、乾燥し、所定のパタ−ンを有するフォトレジスト層を形成した後、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度２Ａ／ｃｍ2 、２４分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、これを配線パターン層（配線部）とした。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
次いで、下記のようにして調整した絶縁性の樹脂層形成用の電着液を用い、露出した配線部上に絶縁性の樹脂層を電着形成した。
電着形成は、ベース基板と白金電極とを対向させて、調整したアニオン型の絶縁性の樹脂層用の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極にベース基板を、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、配線層上に厚さ１５μm の接着性を有する絶縁性の樹脂層を形成した転写版Ｄ１を得た。
【００５６】
（電着液の調整)
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
酸当量（１個のＣＯＯＨ当たりのポリマー量は１５５４）は７０である。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
【００５７】
一方、転写版Ｄ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂から一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。
【００５８】
次いで、転写版Ｄ２の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、過熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。
前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿して、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に転写版Ｄ１を位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。
この後、転写版Ｄ１のベース基板とレジストを同時に剥離し、絶縁性の樹脂層の硬化を行ない、両面に配線部が形成された積層配線基板を得た。
【００５９】
（実施例２）
実施例２は、図５に示す本発明の実施の形態の第２の例の積層配線基板の製造方法により、図５（ｇ）に示す本発明の実施の形態の第２の例の積層配線基板を得たものである。 第１の転写版Ｅ１（図５（ｄ１））は、実施例１の転写版Ｄ１の作製と同様にして、作製した。
銅箔（図５（ａ）の５１０）の所定の位置への突起の作製は、参考実施例３と同様にして行い、同様の突起を形成した。
【００６０】
次いで、前記作製した銅箔の突起形成面に、厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、過熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。
前記突起の先端が、ガラスエポキシ系プリプレグ層を貫挿して、突出したガラスエポキシ系プリプレグ層の表面に、前記と同様に転写版Ｃ１を位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。
次いで、転写版ＣＥのベース基板とレジストを同時に剥離した後、実施例３と同様に、さらに、銅箔面をいわゆるフォトエッチング処理を施して配線パターンを形成し、両面配線に配線が形成された積層配線基板を得た。
【００６１】
（参考実施例４）
参考実施例４は、図９に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例の積層配線基板の製造方法おいて、積層化工程を第４例の方法とは異なり、段階的に行ったもので、図９（ｊ）に示す第３例の積層配線基板を得た。
第４例の方法とは、積層化工程が段階的である点のみが異なるだけなので、図９に基づいて説明する。
先ず、以下のようにして、第１の転写版Ｆ１（図９（ｅ１））、第２の転写版Ｆ２（図９（ｅ））を作製した。転写版Ｆ１、Ｆ２、それぞれのベース基板７１０、７１１として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、２分間の通電を行い、ベース基板の一面に膜厚約２μｍの銅めっき膜を形成し、これを剥離性の銅めっき層７１５、７１６とした。（図９（ｂ）、図９（ｂ１））
次いで、銅めっき層７１５、７１６上に、それぞれ、市販のフォトレジスト( 東京応化工業製、ＡＲ−９００）をスピンコート法により膜厚約１５μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ３０分間乾燥を行った。
そして所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造製) を用いて密着露光を行った。露光条件は、３００カウントとした。
次いで、現像、水洗、乾燥し、所定のパタ−ンを有するフォトレジスト層を形成した（図９（ｃ）、図９（ｃ１））後、各ベース基板と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に上記ベース基板を接続し、電流密度４Ａ／ｃｍ2 、１２分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていないベース基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、これを配線パターン層（配線部）として、その後、フォトレジストを全面を露光し、アセトンに揺動浸漬し、フォトレジストの剥離を行い転写版Ｆ１、Ｆ２を得た。（図９（ｅ）、図９（ｅ１））
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳｏ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 Ｓｏ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ
（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００６２】
次いで、転写版Ｆ２の配線部が形成されている面に、直径０．３ｍｍの孔が形成されたメタルスクリーンを位置合わせ、配置して、銀紛及びフェノール樹脂からなる導電性ペーストを印刷し、その後、仮乾燥してから、前記メタルスクリーンを同一位置に位置合わせ、配置して、導電性ペーストの印刷、仮乾燥を３回繰り返し、底面から直径０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円錐状の突起を形成した。（図９（ｆ））
【００６３】
次いで、以下のようにして、積層化工程を段階的に行った。
前記作製した第２の転写版Ｆ２の突起形成面に、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）である厚さ０．１ｍｍのガラスエポキシ系プリプレグを位置合わせ、積層配置し、加熱した状態で、シリコーンゴム層の様な弾性体を介してプレスした。（図７（ｆ）に相当）
更に、第１の転写版Ｆ１を下側にして、一体となった、突起を形成した第２の転写版と絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）を上側とし、且つ、前記突起の先端を第１の転写版側に向け、下側にして、突起の先端が、絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）を貫挿し、突出した絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）面に、前記と同様に、第１の転写版Ｆ１とを位置合わせ、積層配置し、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化した。（図９（ｈ））
この後、第１の転写版のベース基板７１１と、第２の転写版のベース基板７１０とを剥離した（図９（ｉ））後、更に、第１の転写版Ｆ１および第２の転写版Ｆ２の剥離性のめっき層７１５、７１６をエッチングにて除去し、洗浄処理等を施し、積層配線基板を得た。（（図９（ｊ））
剥離性のめっき層７１５、７１６のエッチング液としては、ＡＤ−４８５（旭電化工業株式会社製）を用いた。
このようにして、図１（ｈ）に示す第１の例の積層配線基板を得た。
【００６４】
（参考実施例５）
参考実施例５は、参考実施例４において、市販のフォトレジスト( 東京応化工業製、ＡＲ−９００）に代え、ドライフィルムレジスト（旭化成株式会社製ＡＱ２５５８）を用いて、銅めっき層（図９の７１５、７１６に相当）上に、所望の開口を有するレジスト（図９の７２０に相当）を、下記の条件にて、形成し、配線部を前記開口部に形成したものである。
その他については、実施例７と同じで、説明は省略する。
（ドライフィルムレジスト処理条件）
ラミネート １０５°Ｃ、０．５ｍ／分、３．５ｋｇ／ｃｍ2
露光 ５０ｍＪ／ｃｍ2
水洗 ６０秒
乾燥 ８０°Ｃ、１０分
ベーク １３０°Ｃ、１５分
このようにして、図１（ｈ）に示す本発明に関わる第１例の積層配線基板を得た。
【００６５】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、半導体素子をプリント回路基板に搭載するためのインターポーザ用の積層配線基板、あるいは半導体装置形成用の積層配線基板で、高密度、微細配線が可能で、電気接続の面でも優れ、且つ、生産性の面で優れた積層配線基板の提供と、その製造方法の提供を可能とした。
これにより、多端子の半導体素子のプリント回路基板（マザーボード）への搭載を実用レベルで可能とし、益々の高密度実装に対応できるものとした。
特に、高密度、微細配線が可能で、且つ、電気接続の面でも優れたエリアアレイタイプの半導体装置の量産を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の工程を示した一部断面図で、図１（ｈ）は本発明に関わる積層配線基板の第１例の一部断面図である。
【図２】 本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の工程を示した一部断面図である。
【図３】 図３は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第３例の工程を示した一部断面図で、図３（ｆ）は本発明に関わる積層配線基板の第２例の一部断面図である。
【図４】 図４は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程を示した一部断面図で、図４（ｉ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第１の例の一部断面図である。
【図５】 図５は本発明の積層配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例の工程を示した一部断面図で、図５（ｇ）は本発明の積層配線基板の実施の形態の第２の例の一部断面図である。
【図６】 図６（ａ）、図６（ｂ）は、それぞれ、本発明に関わる半導体装置の例を示した図である。
【図７】 図１に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第１例の変形例の工程を示した一部断面図である。
【図８】 図２に示す本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第２例の変形例の工程を示した一部断面図である。
【図９】 図９は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第４例の工程を示した一部断面図で、図９（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第３例の一部断面図である。
【図１０】 本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第５例の工程を示した一部断面図である。
【図１１】 図１１は本発明に関わる積層配線基板の製造方法の第６例の工程を示した一部断面図で、図１１（ｊ）は本発明に関わる積層配線基板の第４例の一部断面図である。
【符号の説明】
１１０、１１１ ベース基板（導電性基板）
１２０、１２１ レジスト
１３０ 第２の配線層（めっき層）
１３１ 第１の配線部（めっき層）
１４０ 突起
１６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
２１０、２１１ ベース基板（導電性基板）
２２０、２２１ レジスト
２３０ 第２の配線層（めっき層）
２３１ 第１の配線部（めっき層）
２４０ 突起
２６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
３１０ 金属箔（銅箔）
３１１ ベース基板（導電性基板）
３２１ レジスト
３１５ 配線（第２の配線部）
３３１ 第１の配線部（めっき層）
３４０ 突起
３６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
４１０、４１１ ベース基板（導電性基板）
４２０、４２１ レジスト
４３０ 第２の配線層（めっき層）
４３１ 第１の配線部（めっき層）
４４０ 突起
４５０ 電着樹脂層
４６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
５１０ 金属箔（銅箔）
５１１ ベース基板（導電性基板）
５２１ レジスト
５１５ 配線（第２の配線部）
５３１ 第１の配線部（めっき層）
５４０ 突起
５５０ 電着樹脂層
５６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
６００、６００Ａ 積層配線基板
６３０ 第２の配線部（めっき層）
６３１ 第１の配線部（めっき層）
６４０ 突起
６６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
６７０、６７０Ａ 半導体素子
６７５、６７５Ａ 端子部
６８０ 封止用樹脂
６９０ 半田ボール
７１０、７１１ ベース基板（導電性基板）
７１５、７１６ めっき層（ベタめっき層）
７２０、７２１ レジスト
７３０ 第２の配線層（めっき層）
７３１ 第１の配線部（めっき層）
７４０ 突起
７６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
８１０、８１１ ベース基板（導電性基板）
８２０、８２１ レジスト
８３０ 第２の配線層（めっき層）
８３１ 第１の配線部（めっき層）
８６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
９１０ ベース基板（導電性基板）
９１１ 金属箔（銅箔）
９１５ めっき層（ベめっき層）
９２０ レジスト
９３０ 第１の配線部（めっき層）
９３１ 配線（第２の配線部）
９４０ 突起
９６０ 絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂シート）
Claims (19)
- 選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板であって、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けていることを特徴とする積層配線基板。
- 請求項１に記載の積層配線基板であって、第２の配線部もめっき形成されたものであることを特徴とする積層配線基板。
- 請求項１ないし２のいずれか１項に記載の積層配線基板であって、前記導電性物質は、導電性ペーストを乾燥、必要に応じて、熱処理を施したものであることを特徴とする積層配線基板。
- 請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の積層配線基板であって、電着樹脂層は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行い、電着形成された樹脂層で、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施されたものであることを特徴とする積層配線基板。
- 選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、選択めっき形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ａ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｂ）転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第２のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第２の配線部を形成した転写版を作製する、第２の転写版作製工程と、（ｃ）第２の転写版に形成された第２の配線部の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｄ）突起を形成した第２の転写版の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を第２の転写版側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記第２の転写版に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する積層化工程と、（ｅ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板と、第２の転写版のベース基板とを剥離するベース基板剥離工程と、（ｆ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版および第２の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 選択めっき形成された第１の配線部と、ベース基材である絶縁性樹脂層と、エッチング形成された第２の配線部とをこの順に、積層している配線基板で、第１の配線部と、第２の配線部とは、第２の配線から突出し、絶縁性樹脂層を貫き、第１の配線部に到達する導電性物質からなる突起にて、電気的に接続されており、前記選択めっき形成された第１の配線部のベース基材である絶縁性樹脂層側に、該配線形状に、電着形成された電着樹脂層を設けている積層配線基板を、製造するための、積層配線基板の製造方法であって、（ｇ）転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に剥離性のめっき層を形成した後、該剥離性のめっき層上に、あるいは、前記転写版用の第１のベース基板の導電性を有する面上に直接、配線を、選択めっきにて形成して第１の配線部を形成した転写版を作製する、第１の転写版作製工程と、（ｈ）金属箔の所定位置に、該所定位置と第１の転写版に形成された第１の配線部の所定位置とを電気的に接続するための、導電性物質からなる突起を形成する、突起形成工程と、（ｉ）突起を形成した金属箔の、突起形成面側に、絶縁性樹脂シート、第１の転写版を、この順に、順次あるいは一度に、第１の転写版の第１の配線部側を金属箔側にして、位置合わせして重ね、更にこれを加圧し、絶縁性樹脂シートを貫通させ、前記金属箔に形成された突起を第１の転写版の配線に電気的に接続する、積層化工程と、（ｊ）積層化工程後、第１の転写版のベース基板を剥離するベース基板剥離工程と、（ｋ）前記金属箔を選択エッチング処理して、第２の配線部を形成する、第２の配線部エッチング形成処理と、（ｌ）ベース基板剥離工程後、必要に応じて、更に、第１の転写版の剥離性のめっき層を除去するエッチング工程とを、行うもので、前記第１の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部を形成し、更に配線部上に電着により絶縁性の樹脂層を形成するものであることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項６に記載の積層配線基板の製造方法であって、金属箔が銅箔であることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし７のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部のみを形成するもので、積層化工程の前に、各転写版のレジストを除去しておくことを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし７のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の形成は、ベース基板の導電性を有する面上に、形成する配線の形状に合わせた開口を有する耐めっき性のレジストを設け、開口から露出した部分にめっきを選択的に施して配線部のみを形成するもので、積層化工程は、各転写版がレジストを付けた状態で行い、積層化工程後、各ベース基板の剥離とともにレジストを除去するものであることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし９のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、電着は、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、そのポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物にて、電着を行うものであることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし１０のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版のベース基板ないし第２の転写版のベース基板がステンレス基板であることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし１１のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、第２の転写版の配線あるいは金属箔の所定位置に形成される突起は、メタルマスクを用い、導電性ペーストを印刷するメタルマスク印刷法により形成することを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし１２のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部の、積層化工程の際の、絶縁性樹脂層側の面に、粗面化処理を施しておくことを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし１３のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、第１の転写版ないし第２の転写版の配線部を形成する選択めっきが多層メッキであることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項１４に記載の積層配線基板の製造方法であって、前記多層メッキが、銅とニッケルの２層からなることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項１４に記載の積層配線基板の製造方法であって、前記多層メッキが、金、ニッケル、銅、ニッケルの４層からなることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項５ないし１６のいずれか１項に記載の積層配線基板の製造方法であって、転写版用の第１のベース基板ないし第２のベース基板の導電性を有する面上に、形成する剥離性のめっき層が、銅単層、あるいは銅層を主体とし、ベース基板側から銅層、ニッケル層の２層からなることを特徴とする積層配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の積層配線基板を用いたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項１８に記載の半導体装置であって、外部回路と接続するための端子部を二次元的に配列した、エリアアレイタイプであることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28752399A JP4390930B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-10-08 | 積層配線基板とその製造方法、及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17617999 | 1999-06-23 | ||
| JP11-176179 | 1999-06-23 | ||
| JP28752399A JP4390930B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-10-08 | 積層配線基板とその製造方法、及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068810A JP2001068810A (ja) | 2001-03-16 |
| JP4390930B2 true JP4390930B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=26497205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28752399A Expired - Fee Related JP4390930B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-10-08 | 積層配線基板とその製造方法、及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4390930B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3752949B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2006-03-08 | 日立化成工業株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
| JP4247880B2 (ja) | 2002-12-24 | 2009-04-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| JP2004214265A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-10-08 JP JP28752399A patent/JP4390930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001068810A (ja) | 2001-03-16 |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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