JP2002198635A - 配線板及びその製造方法 - Google Patents
配線板及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 はんだボールの長期接続強度とワイヤボンデ
ィング性を同時に満足することができる配線板及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の配線板２０は、絶縁性基板１
と、絶縁性基板に設けられたビアホール３と、絶縁性基
板１に設けられた配線導体２とを備えた配線板２０であ
って、電気めっき法によって形成された、ビアホール内
における配線導体の裏面の金めっき層９が、配線導体２
の表面の金めっき層７よりも薄い構成としたものであ
り、その製造方法は、絶縁性基板１と、絶縁性基板１に
設けられたビアホール３と、絶縁性基板１に設けられた
配線導体２とを備えた配線板２０の製造方法であって、
電気めっき法によって、ビアホール３内における配線導
体２の裏面の金めっき層９を、配線導体の表面の金めっ
き層７よりも薄く形成する構成とした。
ィング性を同時に満足することができる配線板及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の配線板２０は、絶縁性基板１
と、絶縁性基板に設けられたビアホール３と、絶縁性基
板１に設けられた配線導体２とを備えた配線板２０であ
って、電気めっき法によって形成された、ビアホール内
における配線導体の裏面の金めっき層９が、配線導体２
の表面の金めっき層７よりも薄い構成としたものであ
り、その製造方法は、絶縁性基板１と、絶縁性基板１に
設けられたビアホール３と、絶縁性基板１に設けられた
配線導体２とを備えた配線板２０の製造方法であって、
電気めっき法によって、ビアホール３内における配線導
体２の裏面の金めっき層９を、配線導体の表面の金めっ
き層７よりも薄く形成する構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣカード端子等
の半導体パッケージングおよび携帯情報端末等の電子機
器に組み込まれる高密度プリント配線板、多層プリント
配線板、フレキシブルプリント配線板等や薄型モータや
各種磁気センサーに組み込まれるコイル状配線板や、Ｃ
ＳＰ、ＢＧＡ等に用いられる配線板等の配線板及びその
製造方法に関し、特に、絶縁性基板に、ビアホール、配
線導体を備え、配線導体に金めっき層を備えた配線板お
よびその製造方法に関する。
の半導体パッケージングおよび携帯情報端末等の電子機
器に組み込まれる高密度プリント配線板、多層プリント
配線板、フレキシブルプリント配線板等や薄型モータや
各種磁気センサーに組み込まれるコイル状配線板や、Ｃ
ＳＰ、ＢＧＡ等に用いられる配線板等の配線板及びその
製造方法に関し、特に、絶縁性基板に、ビアホール、配
線導体を備え、配線導体に金めっき層を備えた配線板お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、一般的な配線板の平面図であ
る。また、図５（ａ）は、一般的な配線板の部分拡大平
面図であり、図５（ｂ）は、一般的な配線板の部分拡大
断面図である。なお、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−
Ａ線断面図である。
る。また、図５（ａ）は、一般的な配線板の部分拡大平
面図であり、図５（ｂ）は、一般的な配線板の部分拡大
断面図である。なお、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−
Ａ線断面図である。
【０００３】図４，５において、１は絶縁性基板、２は
配線導体、３はビアホールであり、４はソルダーレジス
ト、５はボンディングエリアを示している。また、２０
は配線板を示す。
配線導体、３はビアホールであり、４はソルダーレジス
ト、５はボンディングエリアを示している。また、２０
は配線板を示す。
【０００４】図４に示すように、配線板２０は、テープ
状のポリイミドフィルム等の絶縁性基板１に、配線導体
２の特定パターンが繰り返し形成されている。
状のポリイミドフィルム等の絶縁性基板１に、配線導体
２の特定パターンが繰り返し形成されている。
【０００５】また、図５（ａ），（ｂ）に示すように、
絶縁性基板１には、配線導体２と電気的に導通している
ビアホール３が形成されている。更に、配線導体２の特
定パターンの中央部には半導体チップ（図示せず）と配
線導体２と絶縁性を保つためにソルダーレジスト４が積
層され、半導体チップとボンディングするため、配線導
体２の端部にはボンディングエリア５が形成されてい
る。
絶縁性基板１には、配線導体２と電気的に導通している
ビアホール３が形成されている。更に、配線導体２の特
定パターンの中央部には半導体チップ（図示せず）と配
線導体２と絶縁性を保つためにソルダーレジスト４が積
層され、半導体チップとボンディングするため、配線導
体２の端部にはボンディングエリア５が形成されてい
る。
【０００６】そして、この配線導体２の表面（図５
（ｂ）中上側）と、ビアホール３内において露出する配
線導体２の裏面（図５（ｂ）中下側）に、ニッケル（以
下、Ｎｉと記述）めっきや、金（以下、Ａｕと記述）め
っきが施される。
（ｂ）中上側）と、ビアホール３内において露出する配
線導体２の裏面（図５（ｂ）中下側）に、ニッケル（以
下、Ｎｉと記述）めっきや、金（以下、Ａｕと記述）め
っきが施される。
【０００７】半導体の実装工程では、ソルダーレジスト
４上に搭載された半導体チップと、配線導体２がＡｕ線
などによるワイヤボンディングで接続され、その後、レ
ジンモールドされる。そして、このレジンモールドされ
た配線板及び半導体からなるパッケージを実装する基板
との接続のために、はんだボールがビアホール３に加熱
処理により接続される。
４上に搭載された半導体チップと、配線導体２がＡｕ線
などによるワイヤボンディングで接続され、その後、レ
ジンモールドされる。そして、このレジンモールドされ
た配線板及び半導体からなるパッケージを実装する基板
との接続のために、はんだボールがビアホール３に加熱
処理により接続される。
【０００８】従来、多くのＢＧＡ、ＣＳＰ等の電気めっ
きフィルム状配線板では。Ａｕ／Ｎｉの２層めっきが行
われている。ボンディングエリア５を含む配線導体２の
表面とビアホール３内における配線導体２の裏面には、
Ｎｉめっき、Ａｕめっきを同じ膜厚で形成していた。
きフィルム状配線板では。Ａｕ／Ｎｉの２層めっきが行
われている。ボンディングエリア５を含む配線導体２の
表面とビアホール３内における配線導体２の裏面には、
Ｎｉめっき、Ａｕめっきを同じ膜厚で形成していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この場合、配線導体２
表面側のＡｕめっきは、加熱処理による下地Ｎｉの熱拡
散の影響を少なくし、良好なＡｕワイヤボンディング性
を得るためには、厚い方が良いとされている（岩倉
修；表面実装技術、５，６０（１９９７））。
表面側のＡｕめっきは、加熱処理による下地Ｎｉの熱拡
散の影響を少なくし、良好なＡｕワイヤボンディング性
を得るためには、厚い方が良いとされている（岩倉
修；表面実装技術、５，６０（１９９７））。
【００１０】一方、はんだボール付け性に関しては、は
んだ中のＳｎに対するＡｕの割合が一定以上に増える
と、ＡｕとＳｎの脆い金属間化合物が厚く形成され、は
んだボール強度が経時的に低下するため、Ａｕめっきは
薄い方が良いとされている（日経マイクロデバイス、
２、４８、（１９９８））。
んだ中のＳｎに対するＡｕの割合が一定以上に増える
と、ＡｕとＳｎの脆い金属間化合物が厚く形成され、は
んだボール強度が経時的に低下するため、Ａｕめっきは
薄い方が良いとされている（日経マイクロデバイス、
２、４８、（１９９８））。
【００１１】そこで、はんだボールの長期接続強度を維
持するためにＡｕめっきを０．０５μｍ程度に薄くし、
熱処理で表面に拡散したＮｉをプラズマアッシングで除
去し、ワイヤボンディング性を確保する方法や、Ａｕ／
Ｐｄ／Ｎｉの３層めっき構成にする方法などが提案され
ているが、加工工程増加、組立工程煩雑などの問題があ
る。
持するためにＡｕめっきを０．０５μｍ程度に薄くし、
熱処理で表面に拡散したＮｉをプラズマアッシングで除
去し、ワイヤボンディング性を確保する方法や、Ａｕ／
Ｐｄ／Ｎｉの３層めっき構成にする方法などが提案され
ているが、加工工程増加、組立工程煩雑などの問題があ
る。
【００１２】また、Ａｕめっきを０．２μｍ程度の厚さ
にすることで、はんだボールの長期接続強度とワイヤボ
ンディング性を同時に満足させようとする試み（珍田
聡；表面技術、４９、１２、（１９９８））もあるが、
Ａｕめっき厚が厚くなっても薄くなっても片方の特性が
低下するという危険性があり、Ａｕ膜厚の管理が難しい
という問題があった。
にすることで、はんだボールの長期接続強度とワイヤボ
ンディング性を同時に満足させようとする試み（珍田
聡；表面技術、４９、１２、（１９９８））もあるが、
Ａｕめっき厚が厚くなっても薄くなっても片方の特性が
低下するという危険性があり、Ａｕ膜厚の管理が難しい
という問題があった。
【００１３】そこで、本発明は、はんだボールの長期接
続強度とワイヤボンディング性を同時に満足することが
できる配線板及びその製造方法を提供することを目的と
する。
続強度とワイヤボンディング性を同時に満足することが
できる配線板及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の配線板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板
に設けられたビアホールと、前記絶縁性基板に設けられ
た配線導体とを備えた配線板であって、電気めっき法に
よって形成された、ビアホール内における前記配線導体
の裏面の金めっき層が、配線導体の表面の金めっき層よ
りも薄い構成としたものであり、その製造方法は、絶縁
性基板と、絶縁性基板に設けられたビアホールと、絶縁
性基板に設けられた配線導体とを備えた配線板の製造方
法であって、電気めっき法によって、ビアホール内にお
ける配線導体の裏面の金めっき層を、配線導体の表面の
金めっき層よりも薄く形成する構成とした。
に、本発明の配線板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板
に設けられたビアホールと、前記絶縁性基板に設けられ
た配線導体とを備えた配線板であって、電気めっき法に
よって形成された、ビアホール内における前記配線導体
の裏面の金めっき層が、配線導体の表面の金めっき層よ
りも薄い構成としたものであり、その製造方法は、絶縁
性基板と、絶縁性基板に設けられたビアホールと、絶縁
性基板に設けられた配線導体とを備えた配線板の製造方
法であって、電気めっき法によって、ビアホール内にお
ける配線導体の裏面の金めっき層を、配線導体の表面の
金めっき層よりも薄く形成する構成とした。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁性基板と、絶縁性基板に設けられたビアホール
と、絶縁性基板に設けられた配線導体とを備えた配線板
であって、配線導体の表面と、ビアホール内における裏
面には、金めっき層が形成され、配線導体の裏面に形成
された金めっき層の膜厚は、配線導体の表面に形成され
た膜厚よりも薄いことを特徴とする配線板であって、ビ
アホール内における配線導体のＡｕめっき厚さを、Ａｕ
ワイヤボンディングされる配線導体のＡｕめっき厚さよ
りも薄く形成することができ、はんだボールの長期接続
強度とワイヤボンディング性を同時に満足させることが
できる。
は、絶縁性基板と、絶縁性基板に設けられたビアホール
と、絶縁性基板に設けられた配線導体とを備えた配線板
であって、配線導体の表面と、ビアホール内における裏
面には、金めっき層が形成され、配線導体の裏面に形成
された金めっき層の膜厚は、配線導体の表面に形成され
た膜厚よりも薄いことを特徴とする配線板であって、ビ
アホール内における配線導体のＡｕめっき厚さを、Ａｕ
ワイヤボンディングされる配線導体のＡｕめっき厚さよ
りも薄く形成することができ、はんだボールの長期接続
強度とワイヤボンディング性を同時に満足させることが
できる。
【００１６】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１において、絶縁性基板が可撓性を有することを特徴と
する配線板であって、フレキシブル配線板に用いること
ができ、加工も容易である。
１において、絶縁性基板が可撓性を有することを特徴と
する配線板であって、フレキシブル配線板に用いること
ができ、加工も容易である。
【００１７】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１，２において、絶縁性基板が高分子フィルムであるこ
とを特徴とする配線板であって、安価であり、加工も容
易である。
１，２において、絶縁性基板が高分子フィルムであるこ
とを特徴とする配線板であって、安価であり、加工も容
易である。
【００１８】本発明の請求項４に記載の発明は、絶縁性
基板と、絶縁性基板に設けられたビアホールと、絶縁性
基板に設けられた配線導体とを備えた配線板の製造方法
であって、電気めっき法によって、ビアホール内におけ
る配線導体の裏面の金めっき層を、配線導体の表面の金
めっき層よりも薄く形成することを特徴とする配線板の
製造方法であって、ビアホール内における配線導体のＡ
ｕめっき厚さを、Ａｕワイヤボンディングされる配線導
体のＡｕめっき厚さよりも薄く形成することができ、は
んだボールの長期接続強度とワイヤボンディング性を同
時に満足させることができる配線板を製造することがで
きる。
基板と、絶縁性基板に設けられたビアホールと、絶縁性
基板に設けられた配線導体とを備えた配線板の製造方法
であって、電気めっき法によって、ビアホール内におけ
る配線導体の裏面の金めっき層を、配線導体の表面の金
めっき層よりも薄く形成することを特徴とする配線板の
製造方法であって、ビアホール内における配線導体のＡ
ｕめっき厚さを、Ａｕワイヤボンディングされる配線導
体のＡｕめっき厚さよりも薄く形成することができ、は
んだボールの長期接続強度とワイヤボンディング性を同
時に満足させることができる配線板を製造することがで
きる。
【００１９】請求項５に記載の発明は、請求項４におい
て、絶縁性基板のビアホールの開口側と遮蔽板とを略密
着させて、電気めっきすることを特徴とする配線板の製
造方法であって、ビアホール内における配線導体のＡｕ
めっき厚さと、Ａｕワイヤボンディングされる配線導体
のＡｕめっき厚さの膜厚のコントロールが容易である。
て、絶縁性基板のビアホールの開口側と遮蔽板とを略密
着させて、電気めっきすることを特徴とする配線板の製
造方法であって、ビアホール内における配線導体のＡｕ
めっき厚さと、Ａｕワイヤボンディングされる配線導体
のＡｕめっき厚さの膜厚のコントロールが容易である。
【００２０】請求項６に記載の発明は、請求項４，５に
おいて、電気めっきの前に、絶縁性基板の両面に薄い金
層を形成するための金ストライクめっき工程を備えたこ
とを特徴とする配線板の製造方法であって、請求項７に
記載の発明は、請求項４〜６において、絶縁性基板が可
撓性を有することを特徴とする配線板の製造方法であっ
て、フレキシブル配線板に用いることができ、加工も容
易な配線板を容易に製造することができる。
おいて、電気めっきの前に、絶縁性基板の両面に薄い金
層を形成するための金ストライクめっき工程を備えたこ
とを特徴とする配線板の製造方法であって、請求項７に
記載の発明は、請求項４〜６において、絶縁性基板が可
撓性を有することを特徴とする配線板の製造方法であっ
て、フレキシブル配線板に用いることができ、加工も容
易な配線板を容易に製造することができる。
【００２１】請求項８に記載の発明は、請求項４〜７に
おいて、前記絶縁性基板が高分子フィルムであることを
特徴とする配線板の製造方法であって、安価であり、加
工も容易な配線板を容易に製造することができる。
おいて、前記絶縁性基板が高分子フィルムであることを
特徴とする配線板の製造方法であって、安価であり、加
工も容易な配線板を容易に製造することができる。
【００２２】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。
る。
【００２３】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１による配線板の要部断面図であり、図２は、Ａｕ
めっき槽の概略図である。
形態１による配線板の要部断面図であり、図２は、Ａｕ
めっき槽の概略図である。
【００２４】図１において、１は絶縁性基板、２は配線
導体、３はビアホールである。また、６，８はＮｉめっ
き層、７，９はＡｕめっき層である。
導体、３はビアホールである。また、６，８はＮｉめっ
き層、７，９はＡｕめっき層である。
【００２５】また、図２において、１０はめっき槽、１
１は絶縁性フィルムキャリアテープ、１２，１２’は遮
蔽板、１３はアノードを示している。
１は絶縁性フィルムキャリアテープ、１２，１２’は遮
蔽板、１３はアノードを示している。
【００２６】図１に示すように、配線板２０は、絶縁性
基板１に、ビアホール３が形成され、このビアホール３
の一方の開口部を覆うように、配線導体２が形成されて
いる。配線導体２は図４に示すように所定のパターンを
有するものであり、この配線導体２０の表面（図１中上
方向）と、配線導体２の裏面（図１中下方向）のビアホ
ール３内に露出する部分には、Ｎｉめっき層６，８が形
成され、更に、Ａｕめっき層７，９が形成されている。
基板１に、ビアホール３が形成され、このビアホール３
の一方の開口部を覆うように、配線導体２が形成されて
いる。配線導体２は図４に示すように所定のパターンを
有するものであり、この配線導体２０の表面（図１中上
方向）と、配線導体２の裏面（図１中下方向）のビアホ
ール３内に露出する部分には、Ｎｉめっき層６，８が形
成され、更に、Ａｕめっき層７，９が形成されている。
【００２７】また、配線導体２の表裏について個別に説
明すると、配線導体２の表面の全面に、Ｎｉめっき層６
が形成され、さらに、Ａｕめっき層７が形成されてい
る。
明すると、配線導体２の表面の全面に、Ｎｉめっき層６
が形成され、さらに、Ａｕめっき層７が形成されてい
る。
【００２８】そして、配線導体２の裏面は、絶縁性基板
１に密着する面である。しかし、ビアホール３内におい
ては、絶縁性基板１における配線導体２形成面の逆側
で、配線導体２の裏面は露出している。そして、ビアホ
ール３内における、この配線導体２の裏面にも、Ｎｉめ
っき層８、Ａｕめっき層９が順次形成されている。
１に密着する面である。しかし、ビアホール３内におい
ては、絶縁性基板１における配線導体２形成面の逆側
で、配線導体２の裏面は露出している。そして、ビアホ
ール３内における、この配線導体２の裏面にも、Ｎｉめ
っき層８、Ａｕめっき層９が順次形成されている。
【００２９】ここで重要な事は、ビアホール３内におけ
る配線導体２の裏面に、Ｎｉめっき層８を介して形成さ
れた、Ａｕめっき層９の膜厚は、配線導体２の表面に、
Ｎｉめっき層６を介して形成された、Ａｕめっき層７の
膜厚よりも薄い事である。
る配線導体２の裏面に、Ｎｉめっき層８を介して形成さ
れた、Ａｕめっき層９の膜厚は、配線導体２の表面に、
Ｎｉめっき層６を介して形成された、Ａｕめっき層７の
膜厚よりも薄い事である。
【００３０】また、配線導体２の表面にＮｉめっき層６
を介して形成されるＡｕめっき層７の膜厚は、好ましく
は０．３μｍ以上であり、ビアホール３内における配線
導体２の裏面にＮｉめっき層８を介して形成されるＡｕ
めっき層９の膜厚は、好ましくは０．３μｍ未満であ
り、更に好ましくは０．２μｍ未満である。
を介して形成されるＡｕめっき層７の膜厚は、好ましく
は０．３μｍ以上であり、ビアホール３内における配線
導体２の裏面にＮｉめっき層８を介して形成されるＡｕ
めっき層９の膜厚は、好ましくは０．３μｍ未満であ
り、更に好ましくは０．２μｍ未満である。
【００３１】また、絶縁性基板１としては、柔軟性を有
するポリイミドフィルムを用いることができる。そし
て、配線導体２としては、銅箔があげられる。より具体
的には、絶縁性基板１として、接着剤付きのポリイミド
フィルムを用い、これに孔加工を施してビアホール３を
形成し、銅箔をラミネートする。そして、銅箔に所定の
パターンを形成したものを用いることができる。また、
銅箔に限らず、他の金属箔を用いてもよく、金属箔以外
にも、従来公知のプリント配線板の配線導体として使用
される導電物質であってもよい。また、その基板として
ポリイミドフィルムのような高分子フィルム以外に、従
来公知のプリント配線板に使用される絶縁性の基板を用
いることができる。
するポリイミドフィルムを用いることができる。そし
て、配線導体２としては、銅箔があげられる。より具体
的には、絶縁性基板１として、接着剤付きのポリイミド
フィルムを用い、これに孔加工を施してビアホール３を
形成し、銅箔をラミネートする。そして、銅箔に所定の
パターンを形成したものを用いることができる。また、
銅箔に限らず、他の金属箔を用いてもよく、金属箔以外
にも、従来公知のプリント配線板の配線導体として使用
される導電物質であってもよい。また、その基板として
ポリイミドフィルムのような高分子フィルム以外に、従
来公知のプリント配線板に使用される絶縁性の基板を用
いることができる。
【００３２】次に、本実施の形態１による配線板の製造
方法について説明する。
方法について説明する。
【００３３】ポリイミドフィルム等の絶縁性基板１に接
着剤を塗布し、孔加工してビアホール３を形成する。次
に、銅箔等の金属箔をラミネート加工後、フォトエッチ
ング法などで金属箔に所定のパターンを形成する。
着剤を塗布し、孔加工してビアホール３を形成する。次
に、銅箔等の金属箔をラミネート加工後、フォトエッチ
ング法などで金属箔に所定のパターンを形成する。
【００３４】次に、半導体チップが搭載される必要な部
分に、ソルダーレジスト４を形成する（図３，４参
照）。
分に、ソルダーレジスト４を形成する（図３，４参
照）。
【００３５】以上の工程によって、絶縁性基板１にパタ
ーン形成された配線導体２とビアホール３を持つ絶縁性
キャリアテープ１１を得ることができる。
ーン形成された配線導体２とビアホール３を持つ絶縁性
キャリアテープ１１を得ることができる。
【００３６】また、この絶縁性キャリアテープ１１の配
線導体２が露出している部分にめっきを形成するため、
脱脂、酸活性などの前処理を行い、電気めっきを行っ
て、配線導体２の表裏にＮｉめっき層６，８を形成す
る。
線導体２が露出している部分にめっきを形成するため、
脱脂、酸活性などの前処理を行い、電気めっきを行っ
て、配線導体２の表裏にＮｉめっき層６，８を形成す
る。
【００３７】次に、図２に示すような、めっき槽１０を
用いて、絶縁性キャリアテープ１１のビアホール３の開
口側を遮蔽板１２に密着させて電気めっきを行う。な
お、ビアホール３の開口側とは、絶縁性基板１の配線導
体２が形成されていない側であり、ビアホール３が配線
導体２に覆われておらず開口している側であり、図１に
おける下側である。
用いて、絶縁性キャリアテープ１１のビアホール３の開
口側を遮蔽板１２に密着させて電気めっきを行う。な
お、ビアホール３の開口側とは、絶縁性基板１の配線導
体２が形成されていない側であり、ビアホール３が配線
導体２に覆われておらず開口している側であり、図１に
おける下側である。
【００３８】また、絶縁性キャリアテープ１１のビアホ
ール３の開口側を遮蔽板１２に密着させて電気めっきを
行うことによって、ビアホール３内における配線導体２
裏面のＡｕめっき層９の厚さを、反対側の配線導体２表
面側のＡｕめっき層７の厚さよりも薄くすることができ
る。なお、絶縁性キャリアテープ１１の絶縁性基板１と
遮蔽板１２は略密着しているが、両者のわずかな隙間に
よって、ビアホール３内における配線導体２裏面にＡｕ
めっき層９が形成される。そして、そのＡｕめっきの量
は、配線導体２表面への供給量に比して、相対的に少な
いので、ビアホール３内における配線導体２裏面にＡｕ
めっき層９の膜厚は、配線導体２表面のＡｕめっき層７
の厚さよりも薄くすることが可能となる。このように、
本実施の形態１による配線板の製造方法において重要な
ことは、一回の電気めっき工程にて、配線導体２の表裏
の膜厚に差異を生じさせることができることである。
ール３の開口側を遮蔽板１２に密着させて電気めっきを
行うことによって、ビアホール３内における配線導体２
裏面のＡｕめっき層９の厚さを、反対側の配線導体２表
面側のＡｕめっき層７の厚さよりも薄くすることができ
る。なお、絶縁性キャリアテープ１１の絶縁性基板１と
遮蔽板１２は略密着しているが、両者のわずかな隙間に
よって、ビアホール３内における配線導体２裏面にＡｕ
めっき層９が形成される。そして、そのＡｕめっきの量
は、配線導体２表面への供給量に比して、相対的に少な
いので、ビアホール３内における配線導体２裏面にＡｕ
めっき層９の膜厚は、配線導体２表面のＡｕめっき層７
の厚さよりも薄くすることが可能となる。このように、
本実施の形態１による配線板の製造方法において重要な
ことは、一回の電気めっき工程にて、配線導体２の表裏
の膜厚に差異を生じさせることができることである。
【００３９】また、絶縁性キャリアテープ１１と密着さ
せる遮蔽板１２と間隙を開けて、これに対向するように
配置された遮蔽板１２’は、パターン形成された配線導
体２上に形成されるＡｕめっき厚さが均一となる様に、
アノード１３から配線導体への電気力線をコントロール
するものであり、図示はしていないが、必要部分に開口
部を有している。
せる遮蔽板１２と間隙を開けて、これに対向するように
配置された遮蔽板１２’は、パターン形成された配線導
体２上に形成されるＡｕめっき厚さが均一となる様に、
アノード１３から配線導体への電気力線をコントロール
するものであり、図示はしていないが、必要部分に開口
部を有している。
【００４０】そして、以上の電気めっき工程の後、水洗
工程、乾燥工程を経て配線板２０として完成する。
工程、乾燥工程を経て配線板２０として完成する。
【００４１】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２による配線板の要部断面図である。
形態２による配線板の要部断面図である。
【００４２】図３において、１４，１５はＡｕストライ
ク層である。また２１は配線板である。なお、図１で説
明した部分と同様な部分には、同じ符号を付してある。
ク層である。また２１は配線板である。なお、図１で説
明した部分と同様な部分には、同じ符号を付してある。
【００４３】図３に示すように、配線板２１は、絶縁性
基板１に、ビアホール３が形成され、このビアホール３
の一方の開口部を覆うように、配線導体２が形成されて
いる。配線導体２は図４に示すように所定のパターンを
有するものであり、この配線導体２の表面（図３中上方
向）と、配線導体２の裏面（図３中下方向）のビアホー
ル３内に露出する部分には、Ｎｉめっき層６，８が形成
され、Ａｕストライク層１４，１５が形成され、更に、
Ａｕめっき層７，９が形成されている。
基板１に、ビアホール３が形成され、このビアホール３
の一方の開口部を覆うように、配線導体２が形成されて
いる。配線導体２は図４に示すように所定のパターンを
有するものであり、この配線導体２の表面（図３中上方
向）と、配線導体２の裏面（図３中下方向）のビアホー
ル３内に露出する部分には、Ｎｉめっき層６，８が形成
され、Ａｕストライク層１４，１５が形成され、更に、
Ａｕめっき層７，９が形成されている。
【００４４】本実施の形態２においては、実施の形態１
と異なる点は、Ｎｉめっき層６，８と、Ａｕめっき層
７，９の間に、Ａｕストライク層１４，１５が形成され
ている点である。
と異なる点は、Ｎｉめっき層６，８と、Ａｕめっき層
７，９の間に、Ａｕストライク層１４，１５が形成され
ている点である。
【００４５】ここで、Ａｕストライク層１４，１５の機
能を説明する。実施の形態１で説明したように、Ａｕめ
っき層形成時にビアホール３の開口側を略密着すること
でビアホール内における配線導体２裏面のＡｕめっき層
９の厚さを、反対側の配線導体２表面側のＡｕめっき層
７の厚さよりも薄くすることが可能である。しかし、一
定厚さのＡｕめっき皮膜しか形成できないので、十分な
膜厚を得ながら、表裏の膜厚を制御する事は容易ではな
い。そこで、前工程として、Ａｕストライク電気めっき
の条件を変更することにより、膜厚を容易に制御でき
る。更に、Ａｕストライク層１４，１５は、次工程で形
成されるＡｕめっき層７，９の下地めっき層としても機
能し、Ｎｉめっき層６，８へのＡｕめっき層７，９の密
着性をも向上させる。
能を説明する。実施の形態１で説明したように、Ａｕめ
っき層形成時にビアホール３の開口側を略密着すること
でビアホール内における配線導体２裏面のＡｕめっき層
９の厚さを、反対側の配線導体２表面側のＡｕめっき層
７の厚さよりも薄くすることが可能である。しかし、一
定厚さのＡｕめっき皮膜しか形成できないので、十分な
膜厚を得ながら、表裏の膜厚を制御する事は容易ではな
い。そこで、前工程として、Ａｕストライク電気めっき
の条件を変更することにより、膜厚を容易に制御でき
る。更に、Ａｕストライク層１４，１５は、次工程で形
成されるＡｕめっき層７，９の下地めっき層としても機
能し、Ｎｉめっき層６，８へのＡｕめっき層７，９の密
着性をも向上させる。
【００４６】また、Ａｕストライク電気めっきを行うめ
っき槽をＡｕめっき槽の前段に配置することで、Ａｕめ
っき槽へのＮｉめっき液成分の持ち込みを少なくするこ
とができ、Ａｕめっき液中の不純物増加を防止するとい
う効果もある。
っき槽をＡｕめっき槽の前段に配置することで、Ａｕめ
っき槽へのＮｉめっき液成分の持ち込みを少なくするこ
とができ、Ａｕめっき液中の不純物増加を防止するとい
う効果もある。
【００４７】そして、実施の形態１と同様に、Ａｕスト
ライク層１４，１５の上には、それぞれ、Ａｕめっき層
７，９が形成されている。
ライク層１４，１５の上には、それぞれ、Ａｕめっき層
７，９が形成されている。
【００４８】また本実施の形態２においても、ビアホー
ル３内における配線導体２の裏面に、Ｎｉめっき層８、
Ａｕストライク層１５を介して形成された、Ａｕめっき
層９の膜厚は、配線導体２の表面に、Ｎｉめっき層６、
Ａｕストライク層１４を介して形成された、Ａｕめっき
層７の膜厚よりも薄い事が重要である。
ル３内における配線導体２の裏面に、Ｎｉめっき層８、
Ａｕストライク層１５を介して形成された、Ａｕめっき
層９の膜厚は、配線導体２の表面に、Ｎｉめっき層６、
Ａｕストライク層１４を介して形成された、Ａｕめっき
層７の膜厚よりも薄い事が重要である。
【００４９】また、配線導体２の表面にＮｉめっき層６
を介して形成されるＡｕストライク層１４の膜厚は、め
っき条件により０．０１〜０．２μｍ程度は任意にコン
トロールでき、Ａｕめっき層７は０．３〜０．５μｍ程
度に形成できるので、Ａｕストライク層１４及びＡｕめ
っき層７の膜厚は、０．３１〜０．７μｍ程度にコント
ロールすることができる。ビアホール３内における配線
導体２の裏面にＮｉめっき層８を介して形成されるＡｕ
ストライク層１５の膜厚も同様にして、めっき条件によ
り０．０１〜０．２μｍ程度は任意にコントロールで
き、Ａｕめっき層９は０．０３〜０．０７μｍ程度に形
成できるので、Ａｕストライク層１５及びＡｕめっき層
９の膜厚は、０．０４〜０．２７μｍ程度は任意にコン
トロールすることができる。
を介して形成されるＡｕストライク層１４の膜厚は、め
っき条件により０．０１〜０．２μｍ程度は任意にコン
トロールでき、Ａｕめっき層７は０．３〜０．５μｍ程
度に形成できるので、Ａｕストライク層１４及びＡｕめ
っき層７の膜厚は、０．３１〜０．７μｍ程度にコント
ロールすることができる。ビアホール３内における配線
導体２の裏面にＮｉめっき層８を介して形成されるＡｕ
ストライク層１５の膜厚も同様にして、めっき条件によ
り０．０１〜０．２μｍ程度は任意にコントロールで
き、Ａｕめっき層９は０．０３〜０．０７μｍ程度に形
成できるので、Ａｕストライク層１５及びＡｕめっき層
９の膜厚は、０．０４〜０．２７μｍ程度は任意にコン
トロールすることができる。
【００５０】また、配線導体２の表面にＮｉめっき層６
を介して形成される、Ａｕストライク層１４及びＡｕめ
っき層７の２層の合計膜厚は、０．３μｍ以上が好まし
い。
を介して形成される、Ａｕストライク層１４及びＡｕめ
っき層７の２層の合計膜厚は、０．３μｍ以上が好まし
い。
【００５１】そして、ビアホール３内における配線導体
２の裏面にＮｉめっき層８を介して形成される、Ａｕス
トライク層１５及びＡｕめっき層９の２層の合計膜厚
は、０．３μｍ未満が好ましく、０．２μｍ未満である
ことが更に好ましい。
２の裏面にＮｉめっき層８を介して形成される、Ａｕス
トライク層１５及びＡｕめっき層９の２層の合計膜厚
は、０．３μｍ未満が好ましく、０．２μｍ未満である
ことが更に好ましい。
【００５２】次に、本実施の形態２による配線板の製造
方法について説明する。
方法について説明する。
【００５３】実施の形態１と同様に、ポリイミドフィル
ム等の絶縁性基板１に接着剤を塗布し、孔加工してビア
ホール３を形成する。次に、銅箔等の金属箔をラミネー
ト加工後、フォトエッチング法などで金属箔に所定のパ
ターンを形成する。次に、半導体チップが搭載される必
要な部分に、ソルダーレジスト４を形成する。そして、
以上の工程によって、絶縁性基板１にパターン形成され
た配線導体２とビアホール３を持つ絶縁性キャリアテー
プ１１を得ることができる。また、この絶縁性キャリア
テープ１１の配線導体２が露出している部分にめっきを
形成するため、脱脂、酸活性などの前処理を行い、電気
めっきを行って、配線導体２の表裏にＮｉめっき層６，
８を形成する。
ム等の絶縁性基板１に接着剤を塗布し、孔加工してビア
ホール３を形成する。次に、銅箔等の金属箔をラミネー
ト加工後、フォトエッチング法などで金属箔に所定のパ
ターンを形成する。次に、半導体チップが搭載される必
要な部分に、ソルダーレジスト４を形成する。そして、
以上の工程によって、絶縁性基板１にパターン形成され
た配線導体２とビアホール３を持つ絶縁性キャリアテー
プ１１を得ることができる。また、この絶縁性キャリア
テープ１１の配線導体２が露出している部分にめっきを
形成するため、脱脂、酸活性などの前処理を行い、電気
めっきを行って、配線導体２の表裏にＮｉめっき層６，
８を形成する。
【００５４】次に、Ａｕストライク電気めっきを行っ
て、配線導体２の表裏に形成されたＮｉめっき層６，８
の上に、それぞれＡｕストライク層１４，１５を形成す
る。
て、配線導体２の表裏に形成されたＮｉめっき層６，８
の上に、それぞれＡｕストライク層１４，１５を形成す
る。
【００５５】ここで、Ａｕストライク電気めっきは、金
属濃度の低いめっき浴を用い、高電流密度を短時間かけ
てめっきを行う。そして、上述したように、Ａｕストラ
イク電気めっきの条件を変更することにより、膜厚を容
易に制御し、形成されたＡｕストライク層１４，１５
は、次工程で形成されるＡｕめっき層７，９の下地めっ
き層としても機能し、Ｎｉめっき層６，８へのＡｕめっ
き層７，９の密着性をも向上させる。
属濃度の低いめっき浴を用い、高電流密度を短時間かけ
てめっきを行う。そして、上述したように、Ａｕストラ
イク電気めっきの条件を変更することにより、膜厚を容
易に制御し、形成されたＡｕストライク層１４，１５
は、次工程で形成されるＡｕめっき層７，９の下地めっ
き層としても機能し、Ｎｉめっき層６，８へのＡｕめっ
き層７，９の密着性をも向上させる。
【００５６】また、このＡｕストライク電気めっきで
は、電解脱脂作用、表面洗浄作用もあり、Ａｕの付き回
りが良好で、非常に密着の良いめっきをつけることが可
能である。
は、電解脱脂作用、表面洗浄作用もあり、Ａｕの付き回
りが良好で、非常に密着の良いめっきをつけることが可
能である。
【００５７】次に、実施の形態１と同様に、図２に示す
ような、めっき槽１０を用いて、絶縁性キャリアテープ
１１のビアホール３の開口側を遮蔽板１２に密着させて
電気めっきを行う。
ような、めっき槽１０を用いて、絶縁性キャリアテープ
１１のビアホール３の開口側を遮蔽板１２に密着させて
電気めっきを行う。
【００５８】そして、絶縁性キャリアテープ１１のビア
ホール３の開口側を遮蔽板１２に密着させて電気めっき
を行うことによって、ビアホール３内における配線導体
２裏面のＡｕめっき層９の厚さを、反対側の配線導体２
表面側のＡｕめっき層７の厚さよりも薄くすることがで
き、配線導体２の表裏の膜厚に差異を生じさせることが
できる。また、この電気めっき後、水洗工程、乾燥工程
を経て配線板２１として完成する。
ホール３の開口側を遮蔽板１２に密着させて電気めっき
を行うことによって、ビアホール３内における配線導体
２裏面のＡｕめっき層９の厚さを、反対側の配線導体２
表面側のＡｕめっき層７の厚さよりも薄くすることがで
き、配線導体２の表裏の膜厚に差異を生じさせることが
できる。また、この電気めっき後、水洗工程、乾燥工程
を経て配線板２１として完成する。
【００５９】次に、実施例にて具体的に説明する。
【００６０】
【実施例】（実施例１）半導体装置用絶縁性フィルム状
配線板に使用される絶縁性フィルムテープは、複数種類
の材質のテープが用いられるが、本実施例ではポリイミ
ドテープを用いた。最初、このポリイミドテープに銅箔
を貼り付けるための接着剤を塗布する。
配線板に使用される絶縁性フィルムテープは、複数種類
の材質のテープが用いられるが、本実施例ではポリイミ
ドテープを用いた。最初、このポリイミドテープに銅箔
を貼り付けるための接着剤を塗布する。
【００６１】このポリイミドテープに孔を形成するため
の金型を造り、この金型を用いてプレス装置により打ち
抜き加工した後に銅箔を接着剤で貼り合わせる方法と、
接着剤を塗布しないポリイミドを用いて感光レジストを
ポリイミドに塗布しパターンを形成した後、現像し感光
レジストを絶縁性フィルムテープのポジパターンとして
残し、ヒドラジン等のエッチング液で加工しＣｕスパッ
タなどによりＣｕ箔を形成する方法がある。本実施例で
はプレス法により、接着剤付き絶縁性フィルムテープに
孔加工した後、銅箔を貼り合わせた。
の金型を造り、この金型を用いてプレス装置により打ち
抜き加工した後に銅箔を接着剤で貼り合わせる方法と、
接着剤を塗布しないポリイミドを用いて感光レジストを
ポリイミドに塗布しパターンを形成した後、現像し感光
レジストを絶縁性フィルムテープのポジパターンとして
残し、ヒドラジン等のエッチング液で加工しＣｕスパッ
タなどによりＣｕ箔を形成する方法がある。本実施例で
はプレス法により、接着剤付き絶縁性フィルムテープに
孔加工した後、銅箔を貼り合わせた。
【００６２】銅箔部分に配線パターンを形成する方法と
して、感光レジストを表面に塗布しパターンを焼き付け
た後、現像し感光レジストをリードのポジパターンとし
て残し、塩化第二鉄または塩化第二銅等のエッチング液
で加工する方法が一般的に用いられている。本実施例で
は、別のプレートにフォトリソグラフ法で予め形成した
ポジレジストパターンをこのテープの銅箔面に転写しエ
ッチングレジストとした後、塩化第二鉄のエッチング液
で加工して銅箔部分に配線パターンを形成した。
して、感光レジストを表面に塗布しパターンを焼き付け
た後、現像し感光レジストをリードのポジパターンとし
て残し、塩化第二鉄または塩化第二銅等のエッチング液
で加工する方法が一般的に用いられている。本実施例で
は、別のプレートにフォトリソグラフ法で予め形成した
ポジレジストパターンをこのテープの銅箔面に転写しエ
ッチングレジストとした後、塩化第二鉄のエッチング液
で加工して銅箔部分に配線パターンを形成した。
【００６３】半導体チップが搭載される必要な部分に、
絶縁性レジスト層を形成する。本実施例では、スクリー
ン印刷法により１０μｍの絶縁性レジスト層を形成し
た。
絶縁性レジスト層を形成する。本実施例では、スクリー
ン印刷法により１０μｍの絶縁性レジスト層を形成し
た。
【００６４】次に、このテープの銅が露出している部分
にめっき皮膜を形成するため、脱脂、酸活性などの前処
理を行い、Ｎｉめっき、Ａｕめっきを行う。本実施例の
前処理は、アルカリ脱脂、５％塩酸水溶液を用いた。
にめっき皮膜を形成するため、脱脂、酸活性などの前処
理を行い、Ｎｉめっき、Ａｕめっきを行う。本実施例の
前処理は、アルカリ脱脂、５％塩酸水溶液を用いた。
【００６５】Ｎｉめっき浴はワット浴、スルファミン酸
Ｎｉ浴などを用いることができるが、本実施例では、塩
化物含有スルファミン酸Ｎｉ浴にＮｉめっき皮膜の内部
応力を調整する応力減少剤を加えたものを用い、Ｎｉ皮
膜０．５μｍをめっきした。
Ｎｉ浴などを用いることができるが、本実施例では、塩
化物含有スルファミン酸Ｎｉ浴にＮｉめっき皮膜の内部
応力を調整する応力減少剤を加えたものを用い、Ｎｉ皮
膜０．５μｍをめっきした。
【００６６】Ａｕめっき浴はシアンＡｕ浴、亜硫酸Ａｕ
浴などを用いることができる。本実施例では、酸性電解
純Ａｕめっき液Ｎ−４４（Ｎ．Ｅ．Ｃｈｅｍｃａｔ製）
を用いた。Ａｕめっき層を形成する際、図２で示した様
なめっき槽を用いて、ビアホール部（銅箔配線パターン
裏面）のＡｕめっき厚さが、反対側（銅箔配線パターン
表面）のＡｕめっき厚さより薄くなる様に、ビアホール
開口側に遮蔽板を略密着させてＡｕめっきを行った。こ
の際、被めっき物であるこのテープと遮蔽板の間に数ｍ
ｍ程度のわずかな隙間が生じても、ビアホール部には反
対側と同じ厚みのＡｕめっきがついてしまうのでテープ
の反りもなるだけ小さくして密着させる必要がある。ア
ノードはＰｔ／Ｔｉ不溶性電極を用い、配線導体表面側
にのみアノードを配置した。Ａｕめっき後、純水洗工
程、温純水洗工程、乾燥工程を経て半導体装置用絶縁性
フィルム状配線板を完成させた。
浴などを用いることができる。本実施例では、酸性電解
純Ａｕめっき液Ｎ−４４（Ｎ．Ｅ．Ｃｈｅｍｃａｔ製）
を用いた。Ａｕめっき層を形成する際、図２で示した様
なめっき槽を用いて、ビアホール部（銅箔配線パターン
裏面）のＡｕめっき厚さが、反対側（銅箔配線パターン
表面）のＡｕめっき厚さより薄くなる様に、ビアホール
開口側に遮蔽板を略密着させてＡｕめっきを行った。こ
の際、被めっき物であるこのテープと遮蔽板の間に数ｍ
ｍ程度のわずかな隙間が生じても、ビアホール部には反
対側と同じ厚みのＡｕめっきがついてしまうのでテープ
の反りもなるだけ小さくして密着させる必要がある。ア
ノードはＰｔ／Ｔｉ不溶性電極を用い、配線導体表面側
にのみアノードを配置した。Ａｕめっき後、純水洗工
程、温純水洗工程、乾燥工程を経て半導体装置用絶縁性
フィルム状配線板を完成させた。
【００６７】次に、形成したＡｕめっきの膜厚を、蛍光
Ｘ線膜厚計（フィッシャーインスツルメンツ ＸＤＶＭ
−Ｗ）を使用し、０．０５ｍｍのコリメーターを用い
て、計測時間６０秒で、Ａｕ、Ｎｉの膜厚を同時測定し
た。
Ｘ線膜厚計（フィッシャーインスツルメンツ ＸＤＶＭ
−Ｗ）を使用し、０．０５ｍｍのコリメーターを用い
て、計測時間６０秒で、Ａｕ、Ｎｉの膜厚を同時測定し
た。
【００６８】（実施例２）半導体装置用絶縁性フィルム
状配線板のテープで銅が露出している部分にめっき皮膜
を形成するため、絶縁性フィルムの両面に薄いＡｕ層を
形成するためのＡｕストライクめっき工程をＮｉめっき
工程とＡｕめっき工程の間に備えたこと以外は、実施例
１の記載内容と同様に試作を行なった。なお、本実施例
ではＡｕストライクめっき浴として、酸性電解純Ａｕめ
っき液Ｎ−１３０（Ｎ．Ｅ．Ｃｈｅｍｃａｔ製）を用い
た。
状配線板のテープで銅が露出している部分にめっき皮膜
を形成するため、絶縁性フィルムの両面に薄いＡｕ層を
形成するためのＡｕストライクめっき工程をＮｉめっき
工程とＡｕめっき工程の間に備えたこと以外は、実施例
１の記載内容と同様に試作を行なった。なお、本実施例
ではＡｕストライクめっき浴として、酸性電解純Ａｕめ
っき液Ｎ−１３０（Ｎ．Ｅ．Ｃｈｅｍｃａｔ製）を用い
た。
【００６９】次に、形成したＡｕめっきの膜厚を、実施
例１と同様の方法で測定した。
例１と同様の方法で測定した。
【００７０】（比較例１）Ａｕめっき層を形成する際、
図２の様なめっき槽において、被めっき物であるテープ
と遮蔽板の間に１ｍｍの隙間を設けたこと以外は、実施
例１の記載内容と同様に試作、測定を行なった。
図２の様なめっき槽において、被めっき物であるテープ
と遮蔽板の間に１ｍｍの隙間を設けたこと以外は、実施
例１の記載内容と同様に試作、測定を行なった。
【００７１】（比較例２）Ａｕめっき層を形成する際、
被めっき物であるテープの両面に３０ｍｍの同じ距離に
アノードを配置したこと以外は、実施例１の記載内容と
同様に試作、測定を行なった。
被めっき物であるテープの両面に３０ｍｍの同じ距離に
アノードを配置したこと以外は、実施例１の記載内容と
同様に試作、測定を行なった。
【００７２】以上の結果を（表１）に示す。
【００７３】
【表１】
【００７４】以上、本実施例で示した様に、半導体装置
用フィルム状配線板の製造方法は、絶縁性フィルムのビ
アホール開口側と遮蔽板とを略密着させる工程を含む電
気めっき工程を備えることによって、ビアホール部のＡ
ｕめっき層を反対側のＡｕめっき層よりも薄く形成する
ことが可能であり、更に、絶縁性フィルムの両面に薄い
Ａｕ層を形成するためのＡｕストライクめっき工程を備
えたことにより、Ａｕめっきの膜厚が制御可能であっ
た。
用フィルム状配線板の製造方法は、絶縁性フィルムのビ
アホール開口側と遮蔽板とを略密着させる工程を含む電
気めっき工程を備えることによって、ビアホール部のＡ
ｕめっき層を反対側のＡｕめっき層よりも薄く形成する
ことが可能であり、更に、絶縁性フィルムの両面に薄い
Ａｕ層を形成するためのＡｕストライクめっき工程を備
えたことにより、Ａｕめっきの膜厚が制御可能であっ
た。
【００７５】以上の方法により製造された半導体装置用
フィルム状配線板は、はんだボールの長期接続強度とワ
イヤボンディング性を同時に満足することができた。
フィルム状配線板は、はんだボールの長期接続強度とワ
イヤボンディング性を同時に満足することができた。
【００７６】以上の実施例は半導体装置用フィルム状配
線板へのＡｕめっきについて記述したが、本発明はこの
用途に限定されるものではない。
線板へのＡｕめっきについて記述したが、本発明はこの
用途に限定されるものではない。
【００７７】
【発明の効果】以上のように、本発明では、絶縁性基板
のビアホールの開口側と遮蔽板とを略密着させて、電気
めっきする工程を備えたことにより、ビアホール内にお
ける配線導体裏面のＡｕめっき層を配線導体表面のＡｕ
めっき層よりも薄く形成することができる。
のビアホールの開口側と遮蔽板とを略密着させて、電気
めっきする工程を備えたことにより、ビアホール内にお
ける配線導体裏面のＡｕめっき層を配線導体表面のＡｕ
めっき層よりも薄く形成することができる。
【００７８】更に、絶縁性基板の両面に薄いＡｕ層を形
成するためのＡｕストライクめっき工程を備えたことに
より、Ａｕめっきの膜厚を容易に制御可能である。
成するためのＡｕストライクめっき工程を備えたことに
より、Ａｕめっきの膜厚を容易に制御可能である。
【００７９】更に、ビアホール内における配線導体裏面
のＡｕめっき層が配線導体表面のＡｕめっき層よりも薄
い配線板、即ち、ビアホール部のＡｕめっき厚さがＡｕ
ワイヤボンディング部のＡｕめっき厚さよりも薄い配線
板は、はんだボールの長期接続強度とワイヤボンディン
グ性を同時に満足できるという有利な効果が得られる。
のＡｕめっき層が配線導体表面のＡｕめっき層よりも薄
い配線板、即ち、ビアホール部のＡｕめっき厚さがＡｕ
ワイヤボンディング部のＡｕめっき厚さよりも薄い配線
板は、はんだボールの長期接続強度とワイヤボンディン
グ性を同時に満足できるという有利な効果が得られる。
【００８０】よって、本発明は、はんだボールの長期接
続強度とワイヤボンディング性を同時に満足することが
できる配線板及びその製造方法を提供することができ
る。
続強度とワイヤボンディング性を同時に満足することが
できる配線板及びその製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態１による配線板の要部断面
図
図
【図２】Ａｕめっき槽の概略図
【図３】本発明の実施の形態２による配線板の要部断面
図
図
【図４】一般的な配線板の平面図
【図５】（ａ）一般的な配線板の部分拡大平面図 （ｂ）一般的な配線板の部分拡大断面図
１ 絶縁性基板 ２ 配線導体 ３ ビアホール ４ ソルダーレジスト ５ ボンディングエリア ６，８ Ｎｉめっき層 ７，９ Ａｕめっき層 １０ めっき槽 １１ 絶縁性キャリアテープ １２，１２’ 遮蔽板 １３ アノード １４ Ａｕストライク層 １５ Ａｕストライク層 ２０，２１ 配線板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｂ 1/03 ６７０ 1/03 ６７０Ｚ 3/42 ６１０ 3/42 ６１０Ｂ Ｆターム(参考） 4K024 AA03 AA11 AB02 AB03 AB07 BA09 BB11 BC01 CB03 CB06 CB08 DA09 GA14 5E317 AA01 AA24 BB03 BB12 CC33 CC38 CC52 CD01 CD03 CD34 GG07 GG11 5E338 AA02 AA12 AA16 BB02 BB19 BB25 BB28 CC01 CD03 CD33 CD40 EE26 EE51 5E343 AA03 AA07 AA18 AA33 BB09 BB18 BB23 BB24 BB44 BB71 DD43 DD76 EE02 EE15 EE52 ER22 FF17 FF18 FF20 GG13 GG18
Claims (8)
- 【請求項１】絶縁性基板と、前記絶縁性基板に設けられ
たビアホールと、前記絶縁性基板に設けられた配線導体
とを備えた配線板であって、 電気めっき法によって形成された、前記ビアホール内に
おける前記配線導体の裏面の金めっき層が、前記配線導
体の表面の金めっき層よりも薄いことを特徴とする配線
板。 - 【請求項２】前記絶縁性基板が可撓性を有することを特
徴とする請求項１記載の配線板。 - 【請求項３】前記絶縁性基板が高分子フィルムであるこ
とを特徴とする請求項１，２いずれか１記載の配線板。 - 【請求項４】絶縁性基板と、前記絶縁性基板に設けられ
たビアホールと、前記絶縁性基板に設けられた配線導体
とを備えた配線板の製造方法であって、 電気めっき法によって、前記ビアホール内における前記
配線導体の裏面の金めっき層を、前記配線導体の表面の
金めっき層よりも薄く形成することを特徴とする配線板
の製造方法。 - 【請求項５】前記絶縁性基板のビアホールの開口側と遮
蔽板とを略密着させて、電気めっきすることを特徴とす
る請求項４記載の配線板の製造方法。 - 【請求項６】前記電気めっきの前に、前記絶縁性基板の
両面に薄い金層を形成するための金ストライクめっき工
程を備えたことを特徴とする請求項４，５いずれか１記
載の配線板の製造方法。 - 【請求項７】前記絶縁性基板が可撓性を有することを特
徴とする請求項４〜６いずれか１記載の配線板の製造方
法。 - 【請求項８】前記絶縁性基板が高分子フィルムであるこ
とを特徴とする請求項４〜７いずれか１記載の配線板の
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000397683A JP2002198635A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 配線板及びその製造方法 |
| US10/026,660 US6666964B2 (en) | 2000-12-27 | 2001-12-27 | Method of manufacturing a circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000397683A JP2002198635A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002198635A true JP2002198635A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=18862781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000397683A Pending JP2002198635A (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 配線板及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6666964B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002198635A (ja) |
Cited By (2)
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| US7521287B2 (en) * | 2006-11-20 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | Wire and solder bond forming methods |
| WO2009038565A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Agere Systems, Inc. | Soldering method and related device for improved resistance to brittle fracture |
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| JPS5636933Y2 (ja) * | 1976-03-31 | 1981-08-31 | ||
| US4186062A (en) * | 1978-07-13 | 1980-01-29 | Micro-Plate, Inc. | Continuous tab plater and method |
| US4230538A (en) * | 1979-11-08 | 1980-10-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Strip line plating cell |
| US5176811A (en) * | 1991-02-01 | 1993-01-05 | International Business Machines Corporation | Gold plating bath additives for copper circuitization on polyimide printed circuit boards |
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| JP4075178B2 (ja) | 1998-12-14 | 2008-04-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 信頼性に優れたブラインドビア孔を有するプリント配線板用銅張板の製造方法 |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000397683A patent/JP2002198635A/ja active Pending
-
2001
- 2001-12-27 US US10/026,660 patent/US6666964B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US11674235B2 (en) | 2018-04-11 | 2023-06-13 | Hutchinson Technology Incorporated | Plating method to reduce or eliminate voids in solder applied without flux |
| JP7408566B2 (ja) | 2018-04-11 | 2024-01-05 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッド | フラックスを用いずに付与されるはんだにおけるボイドを減少させるまたは除去するためのメッキ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6666964B2 (en) | 2003-12-23 |
| US20020112884A1 (en) | 2002-08-22 |
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