JP2002026172A - フレキシブル配線基板およびその製造方法 - Google Patents
フレキシブル配線基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002026172A JP2002026172A JP2000206075A JP2000206075A JP2002026172A JP 2002026172 A JP2002026172 A JP 2002026172A JP 2000206075 A JP2000206075 A JP 2000206075A JP 2000206075 A JP2000206075 A JP 2000206075A JP 2002026172 A JP2002026172 A JP 2002026172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- wiring board
- layer
- plating
- flexible wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のサブトラクト配線基板には次の問題が
ある。実用的な銅箔の厚さの下限が１８μｍのため超微
細配線ができない。まためっき電源線がノイズの発生源
またはノイズのアンテナとなり、特に高周波のＩＣに使
用できない。 【解決手段】 基材１１全面に薄い無電解銅めっき層１
２を形成し、次にめっきレジストで配線パターンを形成
し、次に無電解銅めっき層１２をめっき電源線およびめ
っき電極として厚い電気銅めっき層１３およびその保護
めっき層１４，１５を形成する。そしてレジストパター
ンおよびレジストパターン直下の無電解めっき層１２を
除去する。このフレキシブル配線基板１０は、銅層の厚
さが１０μｍ以下にできるため超微細配線が可能であ
る。まためっき電源線がない。さらにニッケルめっき層
にリンまたはボロンが含有されていない。
ある。実用的な銅箔の厚さの下限が１８μｍのため超微
細配線ができない。まためっき電源線がノイズの発生源
またはノイズのアンテナとなり、特に高周波のＩＣに使
用できない。 【解決手段】 基材１１全面に薄い無電解銅めっき層１
２を形成し、次にめっきレジストで配線パターンを形成
し、次に無電解銅めっき層１２をめっき電源線およびめ
っき電極として厚い電気銅めっき層１３およびその保護
めっき層１４，１５を形成する。そしてレジストパター
ンおよびレジストパターン直下の無電解めっき層１２を
除去する。このフレキシブル配線基板１０は、銅層の厚
さが１０μｍ以下にできるため超微細配線が可能であ
る。まためっき電源線がない。さらにニッケルめっき層
にリンまたはボロンが含有されていない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＢＧＡ（ボールグリ
ッドアレイ）、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）など
の半導体実装に使われる、インターポーザーとも呼ばれ
る、半導体と回路基板とを接続するフレキシブル配線基
板に関する。
ッドアレイ）、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）など
の半導体実装に使われる、インターポーザーとも呼ばれ
る、半導体と回路基板とを接続するフレキシブル配線基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンチップとフレームをワイヤーボ
ンディングで結びモールド樹脂から多数の外部端子を四
方に引き出す従来のＩＣパッケージは、端子が数百を超
えるＩＣでは実装面積が大きすぎるため敬遠され、代わ
りにシリコンチップを微細な導電性バンプで配線基板に
接続し、その配線基板を大きな導電性バンプで回路基板
に接続する、ＣＳＰと呼ばれる実装方法が普及してい
る。なお前記配線基板はインターポーザーとも呼ばれ
る。シリコンチップと回路基板の直接接続は、電極ピッ
チが違いすぎる、シリコンチップの品質保証が困難、ク
リーンルームが必要などの問題があるため普及が難し
く、上述のような両者間に配線基板をはさんだ実装が普
通である。本発明は前記配線基板の構造と製造方法に関
する。
ンディングで結びモールド樹脂から多数の外部端子を四
方に引き出す従来のＩＣパッケージは、端子が数百を超
えるＩＣでは実装面積が大きすぎるため敬遠され、代わ
りにシリコンチップを微細な導電性バンプで配線基板に
接続し、その配線基板を大きな導電性バンプで回路基板
に接続する、ＣＳＰと呼ばれる実装方法が普及してい
る。なお前記配線基板はインターポーザーとも呼ばれ
る。シリコンチップと回路基板の直接接続は、電極ピッ
チが違いすぎる、シリコンチップの品質保証が困難、ク
リーンルームが必要などの問題があるため普及が難し
く、上述のような両者間に配線基板をはさんだ実装が普
通である。本発明は前記配線基板の構造と製造方法に関
する。
【０００３】図４に、シリコンチップ４１を微細な導電
性バンプ４２で配線基板４３に接続し、その配線基板４
３を大きな導電性バンプ４４で回路基板４５に接続し
た、従来の実装構造の一例４０の断面図を示す。図示の
ように配線基板４３上の配線４３Ａが中継となって、シ
リコンチップ４１−微細な導電性バンプ４２−配線４３
Ａ−大きな導電性バンプ４４−回路基板４５という電気
回路が作られ、シリコンチップ４１と回路基板４５が電
気的に結ばれる。
性バンプ４２で配線基板４３に接続し、その配線基板４
３を大きな導電性バンプ４４で回路基板４５に接続し
た、従来の実装構造の一例４０の断面図を示す。図示の
ように配線基板４３上の配線４３Ａが中継となって、シ
リコンチップ４１−微細な導電性バンプ４２−配線４３
Ａ−大きな導電性バンプ４４−回路基板４５という電気
回路が作られ、シリコンチップ４１と回路基板４５が電
気的に結ばれる。
【０００４】図５に、図４に示したシリコンチップ４１
（破線）と配線基板４３を回路基板４５（図５には図示
しない）に接続する従来の実装構造の一例４０の平面図
（ａ）と配線基板４３の部分拡大断面図（ｂ）を示す。
平面図（ａ）のようにシリコンチップ４１を微細な導電
性バンプ４２で配線基板４３に接続し、その配線基板４
３を大きな導電性バンプ４４で回路基板４５に接続す
る。このようにしてシリコンチップ４１の１００μｍ程
度の細かい電極ピッチを配線基板４３を介在させて３０
０μｍ程度の大きな電極ピッチに変換する。この変換に
より回路基板４５の配線ピッチに合わせ、シリコンチッ
プ４１を無理無く回路基板４５に接続できるようにす
る。
（破線）と配線基板４３を回路基板４５（図５には図示
しない）に接続する従来の実装構造の一例４０の平面図
（ａ）と配線基板４３の部分拡大断面図（ｂ）を示す。
平面図（ａ）のようにシリコンチップ４１を微細な導電
性バンプ４２で配線基板４３に接続し、その配線基板４
３を大きな導電性バンプ４４で回路基板４５に接続す
る。このようにしてシリコンチップ４１の１００μｍ程
度の細かい電極ピッチを配線基板４３を介在させて３０
０μｍ程度の大きな電極ピッチに変換する。この変換に
より回路基板４５の配線ピッチに合わせ、シリコンチッ
プ４１を無理無く回路基板４５に接続できるようにす
る。
【０００５】図５の断面図（ｂ）に示す従来の配線基板
４３の断面構造は、厚さ１２５μｍのフレキシブルなポ
リイミド基材４３Ｂの表面に、接着剤層４３Ｃ、厚さ１
８μｍの銅層４３Ｄ、厚さ２μｍのニッケル層４３Ｅ、
厚さ１μｍの金層４３Ｆの多層構造からなる配線４３Ａ
が設けてある。ここで銅層４３Ｄは電流の主路、ニッケ
ル層４３Ｅは金層４３Ｆが銅層４３Ｄに拡散することの
防止層、金層４３Ｆは銅層４３Ｄおよびニッケル層４３
Ｅの酸化を防ぎ導電性バンプ４２，４４との接続を確実
にするためのものである。なお従来の配線基板には銅層
のみのものもあるが、銅層は表面が酸化しやすいため、
フラックスが使用できる通常のプリント板では問題ない
が、フラックスの使用できないＣＳＰ用配線基板には適
さない。
４３の断面構造は、厚さ１２５μｍのフレキシブルなポ
リイミド基材４３Ｂの表面に、接着剤層４３Ｃ、厚さ１
８μｍの銅層４３Ｄ、厚さ２μｍのニッケル層４３Ｅ、
厚さ１μｍの金層４３Ｆの多層構造からなる配線４３Ａ
が設けてある。ここで銅層４３Ｄは電流の主路、ニッケ
ル層４３Ｅは金層４３Ｆが銅層４３Ｄに拡散することの
防止層、金層４３Ｆは銅層４３Ｄおよびニッケル層４３
Ｅの酸化を防ぎ導電性バンプ４２，４４との接続を確実
にするためのものである。なお従来の配線基板には銅層
のみのものもあるが、銅層は表面が酸化しやすいため、
フラックスが使用できる通常のプリント板では問題ない
が、フラックスの使用できないＣＳＰ用配線基板には適
さない。
【０００６】従来の配線基板４３の製造方法を図６を参
照して以下に説明する。まず厚さ１８μｍの銅箔４３Ｄ
を接着剤４３Ｃで全面に張ったポリイミド基材４３Ｂの
表面に、フォトレジスト（図示せず）で配線４３Ａのネ
ガパターン（図示せず）を形成する。このときネガパタ
ーンには配線４３Ａに加えて、配線４３Ａの周囲のめっ
き枠４３Ｇと、めっき枠４３Ｇと各配線４３Ａを結ぶめ
っき電源線４３Ｈも形成する。次にフォトレジストに隠
れていない部分の銅箔４３Ｄをエッチング除去する。さ
らにフォトレジストを除去する。次にめっき枠４３Ｇに
めっき電源（図示せず）を接続し、パターン化された銅
箔４３Ｄ上にニッケル層４３Ｅ、金層４３Ｆを順次電気
めっきにより形成する。最後に配線４３Ａ周囲のめっき
枠４３Ｇを切り離すと図５に示す配線基板４３が完成す
る。図５のようにめっき電源線４３Ｈが配線４３Ａの周
囲に残る。
照して以下に説明する。まず厚さ１８μｍの銅箔４３Ｄ
を接着剤４３Ｃで全面に張ったポリイミド基材４３Ｂの
表面に、フォトレジスト（図示せず）で配線４３Ａのネ
ガパターン（図示せず）を形成する。このときネガパタ
ーンには配線４３Ａに加えて、配線４３Ａの周囲のめっ
き枠４３Ｇと、めっき枠４３Ｇと各配線４３Ａを結ぶめ
っき電源線４３Ｈも形成する。次にフォトレジストに隠
れていない部分の銅箔４３Ｄをエッチング除去する。さ
らにフォトレジストを除去する。次にめっき枠４３Ｇに
めっき電源（図示せず）を接続し、パターン化された銅
箔４３Ｄ上にニッケル層４３Ｅ、金層４３Ｆを順次電気
めっきにより形成する。最後に配線４３Ａ周囲のめっき
枠４３Ｇを切り離すと図５に示す配線基板４３が完成す
る。図５のようにめっき電源線４３Ｈが配線４３Ａの周
囲に残る。
【０００７】ここで特にニッケル層４３Ｅを無電解めっ
きで形成しない理由は次の通りである。実用となってい
る無電解ニッケルめっき液には必ずリンまたはボロンが
含まれている。周知のとおり、リン、ボロンは微量でも
シリコンチップ４１の特性に影響を与える。配線基板４
３はシリコンチップ４１のごく近くにあるため配線４３
Ａに無電解ニッケルが使われているとシリコンチップ４
１への影響が心配され信頼性が保証できない。したがっ
てニッケル層４３Ｅは必ず電気めっきで形成する。従っ
てめっき電源線４３Ｈは避けられない。
きで形成しない理由は次の通りである。実用となってい
る無電解ニッケルめっき液には必ずリンまたはボロンが
含まれている。周知のとおり、リン、ボロンは微量でも
シリコンチップ４１の特性に影響を与える。配線基板４
３はシリコンチップ４１のごく近くにあるため配線４３
Ａに無電解ニッケルが使われているとシリコンチップ４
１への影響が心配され信頼性が保証できない。したがっ
てニッケル層４３Ｅは必ず電気めっきで形成する。従っ
てめっき電源線４３Ｈは避けられない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したサブトラクト
と呼ばれる従来の配線基板４３には次の問題がある。ま
ず実用的な銅箔の厚さの下限が１８μｍであるため銅層
４３Ｄの厚さの下限が１８μｍとなるが、１８μｍの銅
層４３Ｄは厚すぎて集積度の高いＩＣの配線基板に必要
な超微細配線ができない。次にめっき電源線４３Ｈが配
線基板４３周囲に残っているが、めっき電源線４３Ｈは
ノイズの発生源またはノイズのアンテナとなり、特に高
周波のＩＣの場合に問題を生じる。
と呼ばれる従来の配線基板４３には次の問題がある。ま
ず実用的な銅箔の厚さの下限が１８μｍであるため銅層
４３Ｄの厚さの下限が１８μｍとなるが、１８μｍの銅
層４３Ｄは厚すぎて集積度の高いＩＣの配線基板に必要
な超微細配線ができない。次にめっき電源線４３Ｈが配
線基板４３周囲に残っているが、めっき電源線４３Ｈは
ノイズの発生源またはノイズのアンテナとなり、特に高
周波のＩＣの場合に問題を生じる。
【０００９】なお従来のサブトラクト配線基板の問題を
解決するためフルアディティブ配線基板が提案されてい
るが、フルアディティブ配線基板は生産性が低いうえ
に、リンまたはボロンを含む無電解ニッケルめっき液を
使用しなければならない。前に述べたようにリンまたは
ボロンを含有する無電解ニッケルめっき層はシリコンチ
ップの信頼性を低めるので望ましくない。さらに従来提
案されたフルアディティブ配線基板はスパッタ−、イオ
ンプレーティングのような高価なドライプロセスを含む
ためコストが高い。
解決するためフルアディティブ配線基板が提案されてい
るが、フルアディティブ配線基板は生産性が低いうえ
に、リンまたはボロンを含む無電解ニッケルめっき液を
使用しなければならない。前に述べたようにリンまたは
ボロンを含有する無電解ニッケルめっき層はシリコンチ
ップの信頼性を低めるので望ましくない。さらに従来提
案されたフルアディティブ配線基板はスパッタ−、イオ
ンプレーティングのような高価なドライプロセスを含む
ためコストが高い。
【００１０】
【課題を解決するための手段】従来のサブトラクト配線
基板、フルアディティブ配線基板の問題を解決するた
め、本発明のフレキシブル配線基板では、まず基材全面
に薄い無電解銅めっき層を形成し、次にめっきレジスト
で配線パターンを形成し、次に無電解銅めっき層をめっ
き電源線およびめっき電極として厚い電気銅めっき層お
よびその保護めっき層を形成する。そしてレジストパタ
ーン、ついでレジストパターン直下の無電解銅めっき層
を除去する。このようにして作られたフレキシブル配線
基板は、銅層の厚さが１０μｍ以下にできるため超微細
配線が可能である。また完成品にはめっき電源線がない
のでノイズの発生源またはノイズのアンテナがなく、特
に高周波のＩＣ用に好適である。さらにニッケルめっき
層にリンまたはボロンが含有されていないためシリコン
チップの信頼性の問題が生じない。
基板、フルアディティブ配線基板の問題を解決するた
め、本発明のフレキシブル配線基板では、まず基材全面
に薄い無電解銅めっき層を形成し、次にめっきレジスト
で配線パターンを形成し、次に無電解銅めっき層をめっ
き電源線およびめっき電極として厚い電気銅めっき層お
よびその保護めっき層を形成する。そしてレジストパタ
ーン、ついでレジストパターン直下の無電解銅めっき層
を除去する。このようにして作られたフレキシブル配線
基板は、銅層の厚さが１０μｍ以下にできるため超微細
配線が可能である。また完成品にはめっき電源線がない
のでノイズの発生源またはノイズのアンテナがなく、特
に高周波のＩＣ用に好適である。さらにニッケルめっき
層にリンまたはボロンが含有されていないためシリコン
チップの信頼性の問題が生じない。
【００１１】まためっき前に基材を粗化するため無電解
銅めっきの接着強度が強く、セミアディティブでありな
がらスパッタ−、イオンプレーティングのような高価な
ドライプロセスを必要とせず安価なめっきプロセスで全
工程を実行できる。
銅めっきの接着強度が強く、セミアディティブでありな
がらスパッタ−、イオンプレーティングのような高価な
ドライプロセスを必要とせず安価なめっきプロセスで全
工程を実行できる。
【００１２】請求項１記載の発明は、配線の少なくとも
一部を電気めっきにより形成したフレキシブル配線基板
において、前記フレキシブル配線基板の完成品内に前記
電気めっき用の電源線が存在しないことを特徴とするフ
レキシブル配線基板である。
一部を電気めっきにより形成したフレキシブル配線基板
において、前記フレキシブル配線基板の完成品内に前記
電気めっき用の電源線が存在しないことを特徴とするフ
レキシブル配線基板である。
【００１３】また請求項２記載の発明は、請求項１記載
のフレキシブル配線基板において、前記配線が無電解め
っき層と電気めっき層からなる多層構造であることを特
徴とするフレキシブル配線基板である。
のフレキシブル配線基板において、前記配線が無電解め
っき層と電気めっき層からなる多層構造であることを特
徴とするフレキシブル配線基板である。
【００１４】また請求項３記載の発明は、請求項２記載
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
金めっき層であることを特徴とするフレキシブル配線基
板である。
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
金めっき層であることを特徴とするフレキシブル配線基
板である。
【００１５】また請求項４記載の発明は、請求項２記載
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
銀めっき層またはすずめっき層またはパラジウムめっき
層であることを特徴とするフレキシブル配線基板であ
る。
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
銀めっき層またはすずめっき層またはパラジウムめっき
層であることを特徴とするフレキシブル配線基板であ
る。
【００１６】また請求項５記載の発明は、請求項２記載
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
ニッケルめっき層と、金めっき層であることを特徴とす
るフレキシブル配線基板である。
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
ニッケルめっき層と、金めっき層であることを特徴とす
るフレキシブル配線基板である。
【００１７】また請求項６記載の発明は、請求項２記載
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
ニッケルめっき層と、銀めっき層またはすずめっき層ま
たはパラジウムめっき層であることを特徴とするフレキ
シブル配線基板である。
のフレキシブル配線基板において、前記無電解めっき層
が銅めっき層で、前記電気めっき層が、銅めっき層と、
ニッケルめっき層と、銀めっき層またはすずめっき層ま
たはパラジウムめっき層であることを特徴とするフレキ
シブル配線基板である。
【００１８】また請求項７記載の発明は、請求項１〜６
記載のフレキシブル配線基板において、基材の表面がめ
っき前に粗化されていることを特徴とするフレキシブル
配線基板である。
記載のフレキシブル配線基板において、基材の表面がめ
っき前に粗化されていることを特徴とするフレキシブル
配線基板である。
【００１９】そして請求項８記載の発明は、基材の表面
に粗化処理を施し、次に前記表面にめっき触媒を付与
し、次に前記表面に無電解めっきを施し、次に前記無電
解めっき上にめっき用レジストパターンを付与し、次に
前記無電解めっきをめっき電源線およびめっき電極とし
て電気めっきで配線を形成し、次に前記レジストパター
ンおよび前記レジストパターン直下の前記無電解めっき
を除去し、最終的にフレキシブル配線基板完成品内には
前記電気めっき用の電源線が存在しないようにすること
を特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法である。
に粗化処理を施し、次に前記表面にめっき触媒を付与
し、次に前記表面に無電解めっきを施し、次に前記無電
解めっき上にめっき用レジストパターンを付与し、次に
前記無電解めっきをめっき電源線およびめっき電極とし
て電気めっきで配線を形成し、次に前記レジストパター
ンおよび前記レジストパターン直下の前記無電解めっき
を除去し、最終的にフレキシブル配線基板完成品内には
前記電気めっき用の電源線が存在しないようにすること
を特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法である。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を用いて説
明する。図１は本発明のフレキシブル配線基板の一実施
例１０の平面図（ａ）、部分拡大断面図（ｂ）である。
図において１１は厚さ１２５μｍのポリイミド基材、１
２は厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層、１３は厚さ１
０μｍの電気銅めっき層、１４は厚さ２μｍの電気ニッ
ケルめっき層、１５は厚さ１μｍの電気金めっき層で、
前記の４つのめっき層により配線１６が形成されてい
る。なお基材１１は芳香族ポリエステルを代表とする液
晶ポリマー材でもよい。なお破線１７はシリコンチップ
の位置を示す。
明する。図１は本発明のフレキシブル配線基板の一実施
例１０の平面図（ａ）、部分拡大断面図（ｂ）である。
図において１１は厚さ１２５μｍのポリイミド基材、１
２は厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層、１３は厚さ１
０μｍの電気銅めっき層、１４は厚さ２μｍの電気ニッ
ケルめっき層、１５は厚さ１μｍの電気金めっき層で、
前記の４つのめっき層により配線１６が形成されてい
る。なお基材１１は芳香族ポリエステルを代表とする液
晶ポリマー材でもよい。なお破線１７はシリコンチップ
の位置を示す。
【００２１】従来のフレキシブル配線基板４３と比較し
て本発明のフレキシブル配線基板の一実施例１０のメリ
ットは次の通りである。まず銅層１３の厚さが１０μｍ
と薄いため超微細配線が可能である。なお必要があれば
銅層１３の厚さは５μｍ程度にも薄くできる。次に配線
１６の周辺にめっき電源線がないためノイズの発生源ま
たはノイズのアンテナがなく、特に高周波のＩＣ用に好
適である。さらにニッケルめっきが電気めっきのためニ
ッケルめっき層１４にリンまたはボロンが含有されてお
らずシリコンチップ１７の信頼性の問題が生じない。
て本発明のフレキシブル配線基板の一実施例１０のメリ
ットは次の通りである。まず銅層１３の厚さが１０μｍ
と薄いため超微細配線が可能である。なお必要があれば
銅層１３の厚さは５μｍ程度にも薄くできる。次に配線
１６の周辺にめっき電源線がないためノイズの発生源ま
たはノイズのアンテナがなく、特に高周波のＩＣ用に好
適である。さらにニッケルめっきが電気めっきのためニ
ッケルめっき層１４にリンまたはボロンが含有されてお
らずシリコンチップ１７の信頼性の問題が生じない。
【００２２】次に図２〜３を用いて、図１の本発明のフ
レキシブル配線基板の一実施例１０の製造工程を説明す
る。図２（ａ）は本発明のフレキシブル配線基板１０の
基材１１の、縦７０ｍｍ横１００ｍｍ厚さ１２５μｍの
ポリイミドフィルム１１の部分拡大断面図である。
レキシブル配線基板の一実施例１０の製造工程を説明す
る。図２（ａ）は本発明のフレキシブル配線基板１０の
基材１１の、縦７０ｍｍ横１００ｍｍ厚さ１２５μｍの
ポリイミドフィルム１１の部分拡大断面図である。
【００２３】次に図２（ｂ）に示すように、基材１１の
表面１１Ａをウェットブラストにより粗化する。ウェッ
トブラストは砥粒を混合した高圧液体と高圧エアーを同
時に基材１１表面に吹き付けて基材１１表面を粗化する
粗化方法である。その処理条件の一例は次の通りであ
る。砥粒：ヌープ硬度２２００、平均粒径０．２mmの多
角形砥粒、砥粒濃度：２５％、液体圧力：１００ＫＰ
ａ、エアー圧力：１５０ＫＰａ。そして粗化された表面
１１Ａの平均粗度の一例は０．２μｍである。このよう
に基材１１を粗化する理由は次の通りである。もし基材
１１を粗化しないで後述する無電解銅めっきをおこなう
と、無電解銅めっき層と基材１１の間の接着力が非常に
弱いため無電解銅めっき層は簡単にはがれてしまう。し
かし基材１１を粗化しておくと無電解銅めっき層は基材
１１の粗化面の凹凸に食い込み、アンカー効果により強
固に付着する。そして以後の加工によっても無電解めっ
き層が基材１１からはがれることはない。
表面１１Ａをウェットブラストにより粗化する。ウェッ
トブラストは砥粒を混合した高圧液体と高圧エアーを同
時に基材１１表面に吹き付けて基材１１表面を粗化する
粗化方法である。その処理条件の一例は次の通りであ
る。砥粒：ヌープ硬度２２００、平均粒径０．２mmの多
角形砥粒、砥粒濃度：２５％、液体圧力：１００ＫＰ
ａ、エアー圧力：１５０ＫＰａ。そして粗化された表面
１１Ａの平均粗度の一例は０．２μｍである。このよう
に基材１１を粗化する理由は次の通りである。もし基材
１１を粗化しないで後述する無電解銅めっきをおこなう
と、無電解銅めっき層と基材１１の間の接着力が非常に
弱いため無電解銅めっき層は簡単にはがれてしまう。し
かし基材１１を粗化しておくと無電解銅めっき層は基材
１１の粗化面の凹凸に食い込み、アンカー効果により強
固に付着する。そして以後の加工によっても無電解めっ
き層が基材１１からはがれることはない。
【００２４】次に図２（ｃ）に示すように、基材１１の
粗化された表面１１Ａにパラジウム触媒を付与し、その
パラジウム触媒を核として厚さ０．５μｍの無電解銅め
っき層１２を形成する。
粗化された表面１１Ａにパラジウム触媒を付与し、その
パラジウム触媒を核として厚さ０．５μｍの無電解銅め
っき層１２を形成する。
【００２５】次に図２（ｄ）に示すように、無電解銅め
っき層１２の表面に厚さ１００μｍのフィルムレジスト
１１Ｂをラミネートする。
っき層１２の表面に厚さ１００μｍのフィルムレジスト
１１Ｂをラミネートする。
【００２６】次に図２（ｅ）に示すように、フォトリソ
グラフィーによりフィルムレジスト１１Ｂの、後工程で
配線を形成する部分１１Ｃを除去して、無電解銅めっき
層１２を露出させる。
グラフィーによりフィルムレジスト１１Ｂの、後工程で
配線を形成する部分１１Ｃを除去して、無電解銅めっき
層１２を露出させる。
【００２７】次に図２（ｆ）に示すように、露出した無
電解銅めっき層１２の表面に、無電解銅めっき層１２を
めっき電極として、厚さ１０μｍの電気銅めっき層１３
を形成する。このとき基材１１の端に電気めっき用の端
子１８を接続する。電気めっきの電流は端子１８から無
電解銅めっき層１２を通りめっき液に流れる。このよう
に無電解銅めっき層１２をめっき電極以外に電気めっき
の電源線としても用いるのが本発明のフレキシブル配線
基板の特徴である。
電解銅めっき層１２の表面に、無電解銅めっき層１２を
めっき電極として、厚さ１０μｍの電気銅めっき層１３
を形成する。このとき基材１１の端に電気めっき用の端
子１８を接続する。電気めっきの電流は端子１８から無
電解銅めっき層１２を通りめっき液に流れる。このよう
に無電解銅めっき層１２をめっき電極以外に電気めっき
の電源線としても用いるのが本発明のフレキシブル配線
基板の特徴である。
【００２８】次に図３（ｇ）に示すように、電気銅めっ
き層１３の表面に厚さ２μｍの電気ニッケルめっき層１
４、厚さ１μｍの電気金めっき層１５を形成する。この
ときも電気めっきの電流は端子１８から無電解銅めっき
層１２を通る。
き層１３の表面に厚さ２μｍの電気ニッケルめっき層１
４、厚さ１μｍの電気金めっき層１５を形成する。この
ときも電気めっきの電流は端子１８から無電解銅めっき
層１２を通る。
【００２９】次に図３（ｈ）に示すように、フィルムレ
ジスト１１Ｂを除去する。このままでは各配線１６が、
無電解銅めっき層１２により電気的にショートしている
ため、各配線１６の間隙にある無電解銅めっき層１２を
エッチングして除去する。このとき同時に無電解銅めっ
き層１２のうち電気めっきの端子１８を接続した部分も
除去されるため、結果的に電気めっきの電源線が除去さ
れることになる。これが本発明のフレキシブル配線基板
の製造方法の特徴である。
ジスト１１Ｂを除去する。このままでは各配線１６が、
無電解銅めっき層１２により電気的にショートしている
ため、各配線１６の間隙にある無電解銅めっき層１２を
エッチングして除去する。このとき同時に無電解銅めっ
き層１２のうち電気めっきの端子１８を接続した部分も
除去されるため、結果的に電気めっきの電源線が除去さ
れることになる。これが本発明のフレキシブル配線基板
の製造方法の特徴である。
【００３０】図３（ｉ）は、各配線１６の間隙にあった
無電解銅めっき層１２をエッチング除去した状態を示
し、これが本発明のフレキシブル配線基板の一実施例１
０の完成品である。
無電解銅めっき層１２をエッチング除去した状態を示
し、これが本発明のフレキシブル配線基板の一実施例１
０の完成品である。
【００３１】上述した本発明のフレキシブル配線基板の
一実施例１０においては、配線１６が無電解銅めっき層
１２、電気銅めっき層１３、電気ニッケルめっき層１
４、電気金めっき層１５の４層から構成されていた。配
線の構成としてはほかに次のものも可能である。
一実施例１０においては、配線１６が無電解銅めっき層
１２、電気銅めっき層１３、電気ニッケルめっき層１
４、電気金めっき層１５の４層から構成されていた。配
線の構成としてはほかに次のものも可能である。
【００３２】まず電気ニッケルめっき層を省略した、無
電解銅めっき層、電気銅めっき層、電気金めっき層の３
層構成がある。この構成はめっき工程が短い一方、電気
金めっき層が全部電気銅めっき層に拡散しないように電
気金めっき層を厚くする必要がある。
電解銅めっき層、電気銅めっき層、電気金めっき層の３
層構成がある。この構成はめっき工程が短い一方、電気
金めっき層が全部電気銅めっき層に拡散しないように電
気金めっき層を厚くする必要がある。
【００３３】つぎに無電解銅めっき層、電気銅めっき
層、電気ニッケルめっき層の上に、電気銀めっき層また
は電気すずめっき層または電気パラジウムめっき層を形
成した４層構成がある。この構成は導電性バンプの種類
によって、電気金めっき層よりも、電気銀めっき層また
は電気すずめっき層または電気パラジウムめっき層の方
が適していることがあるときに使われる。
層、電気ニッケルめっき層の上に、電気銀めっき層また
は電気すずめっき層または電気パラジウムめっき層を形
成した４層構成がある。この構成は導電性バンプの種類
によって、電気金めっき層よりも、電気銀めっき層また
は電気すずめっき層または電気パラジウムめっき層の方
が適していることがあるときに使われる。
【００３４】また電気ニッケルめっき層を省略して、無
電解銅めっき層、電気銅めっき層の上に、電気銀めっき
層または電気すずめっき層または電気パラジウムめっき
層を形成した３層構成がある。この構成もめっき工程が
短い一方、電気銀めっき層または電気すずめっき層また
は電気パラジウムめっき層が全部電気銅めっき層に拡散
しないように、電気銀めっき層または電気すずめっき層
または電気パラジウムめっき層を厚くする必要がある。
電解銅めっき層、電気銅めっき層の上に、電気銀めっき
層または電気すずめっき層または電気パラジウムめっき
層を形成した３層構成がある。この構成もめっき工程が
短い一方、電気銀めっき層または電気すずめっき層また
は電気パラジウムめっき層が全部電気銅めっき層に拡散
しないように、電気銀めっき層または電気すずめっき層
または電気パラジウムめっき層を厚くする必要がある。
【００３５】
【発明の効果】本発明のフレキシブル配線基板は、銅層
の厚さが１０μｍ以下にできるため超微細配線が可能で
ある。また完成品にはめっき電源線が残っていないので
ノイズの発生源またはノイズのアンテナがなく、特に高
周波のＩＣ用に好適である。さらにニッケルめっき層に
リンまたはボロンが含有されていないためシリコンチッ
プの信頼性の問題が生じない。またセミアディティブで
ありながらスパッタ−、イオンプレーティングのような
高価なドライプロセスを必要とせず安価なめっきプロセ
スで全工程を実行できる。
の厚さが１０μｍ以下にできるため超微細配線が可能で
ある。また完成品にはめっき電源線が残っていないので
ノイズの発生源またはノイズのアンテナがなく、特に高
周波のＩＣ用に好適である。さらにニッケルめっき層に
リンまたはボロンが含有されていないためシリコンチッ
プの信頼性の問題が生じない。またセミアディティブで
ありながらスパッタ−、イオンプレーティングのような
高価なドライプロセスを必要とせず安価なめっきプロセ
スで全工程を実行できる。
【図１】 本発明のフレキシブル配線基板の一実施例の
平面図（ａ）、部分拡大断面図（ｂ）
平面図（ａ）、部分拡大断面図（ｂ）
【図２】 本発明のフレキシブル配線基板の一実施例の
製造工程の説明図
製造工程の説明図
【図３】 本発明のフレキシブル配線基板の一実施例の
製造工程の説明図
製造工程の説明図
【図４】 従来の実装構造の一例の断面図
【図５】 従来の実装構造の一例の平面図（ａ）、配線
基板の部分拡大断面図（ｂ）
基板の部分拡大断面図（ｂ）
【図６】 従来の配線基板の一例の平面図
１０ フレキシブル配線基板 １１ 基材 １１Ａ 基材表面 １１Ｂ フィルムレジスト １１Ｃ 配線形成部 １２ 無電解銅めっき層 １３ 電気銅めっき層 １４ 電気ニッケルめっき層 １５ 電気金めっき層 １６ 配線 １７ シリコンチップ位置 １８ 電気めっきの端子 ４０ 従来の実装構造の一例 ４１ シリコンチップ ４２，４４ 導電性バンプ ４３ 配線基板 ４３Ａ 配線 ４３Ｂ ポリイミド基材 ４３Ｃ 接着剤 ４３Ｄ 銅層、銅箔 ４３Ｅ ニッケル層 ４３Ｆ 金層 ４３Ｇ めっき枠 ４３Ｈ めっき電源線 ４５ 回路基板
Claims (8)
- 【請求項１】配線の少なくとも一部を電気めっきにより
形成したフレキシブル配線基板において、前記フレキシ
ブル配線基板の完成品内に前記電気めっき用の電源線が
存在しないことを特徴とするフレキシブル配線基板。 - 【請求項２】請求項１記載のフレキシブル配線基板にお
いて、前記配線が無電解めっき層と電気めっき層からな
る多層構造であることを特徴とするフレキシブル配線基
板。 - 【請求項３】請求項２記載のフレキシブル配線基板にお
いて、前記無電解めっき層が銅めっき層で、前記電気め
っき層が、銅めっき層と、金めっき層であることを特徴
とするフレキシブル配線基板。 - 【請求項４】請求項２記載のフレキシブル配線基板にお
いて、前記無電解めっき層が銅めっき層で、前記電気め
っき層が、銅めっき層と、銀めっき層またはすずめっき
層またはパラジウムめっき層であることを特徴とするフ
レキシブル配線基板。 - 【請求項５】請求項２記載のフレキシブル配線基板にお
いて、前記無電解めっき層が銅めっき層で、前記電気め
っき層が、銅めっき層と、ニッケルめっき層と、金めっ
き層であることを特徴とするフレキシブル配線基板。 - 【請求項６】請求項２記載のフレキシブル配線基板にお
いて、前記無電解めっき層が銅めっき層で、前記電気め
っき層が、銅めっき層と、ニッケルめっき層と、銀めっ
き層またはすずめっき層またはパラジウムめっき層であ
ることを特徴とするフレキシブル配線基板。 - 【請求項７】請求項１〜６記載のフレキシブル配線基板
において、基材の表面がめっき前に粗化されていること
を特徴とするフレキシブル配線基板。 - 【請求項８】基材の表面に粗化処理を施し、次に前記表
面にめっき触媒を付与し、次に前記表面に無電解めっき
を施し、次に前記無電解めっき上にめっき用レジストパ
ターンを付与し、次に前記無電解めっきをめっき電源線
およびめっき電極として電気めっきで配線を形成し、次
に前記レジストパターンおよび前記レジストパターン直
下の前記無電解めっきを除去し、最終的にフレキシブル
配線基板完成品内には前記電気めっき用電源線が存在し
ないようにすることを特徴とするフレキシブル配線基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000206075A JP2002026172A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | フレキシブル配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000206075A JP2002026172A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | フレキシブル配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002026172A true JP2002026172A (ja) | 2002-01-25 |
Family
ID=18703060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000206075A Pending JP2002026172A (ja) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | フレキシブル配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002026172A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7458149B2 (en) | 2004-10-19 | 2008-12-02 | Fujitsu Limited | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
| JP2009071066A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | Ｃｏｆ配線基板及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-07-07 JP JP2000206075A patent/JP2002026172A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7458149B2 (en) | 2004-10-19 | 2008-12-02 | Fujitsu Limited | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
| JP2009071066A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | Ｃｏｆ配線基板及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7226807B2 (en) | Method of production of circuit board utilizing electroplating | |
| US7208349B2 (en) | Package substrate manufactured using electrolytic leadless plating process, and method for manufacturing the same | |
| US20070099342A1 (en) | Method and Structure for an Organic Package with Improved BGA Life | |
| JP2003152333A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| KR100568572B1 (ko) | 전자 부품 장착용 필름 캐리어 테이프 | |
| US6666964B2 (en) | Method of manufacturing a circuit board | |
| JP2002026172A (ja) | フレキシブル配線基板およびその製造方法 | |
| JP3357875B1 (ja) | 電解メッキ方法及びプリント配線基板の製造方法 | |
| JP3453663B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JP2002076185A (ja) | 回路基板装置及びその製造方法 | |
| JPH05160208A (ja) | キャリアテープおよびその製造方法 | |
| US20030006489A1 (en) | Flexible wiring substrate interposed between semiconductor element and circuit substrate | |
| US6777314B2 (en) | Method of forming electrolytic contact pads including layers of copper, nickel, and gold | |
| JP2005191131A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2001144398A (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 | |
| JP3916363B2 (ja) | 金属ベース配線板の製造方法 | |
| JP7412735B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2002016347A (ja) | プリント回路板の製造方法 | |
| JP2002050715A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| US7504282B2 (en) | Method of manufacturing the substrate for packaging integrated circuits without multiple photolithography/etching steps | |
| JP2001251050A (ja) | 金属ベース配線板の製造方法 | |
| JP2004111544A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2002208779A (ja) | 柱状金属体の形成方法及び導電構造体 | |
| JP4390908B2 (ja) | 配線部材の製造方法 | |
| JPH08274123A (ja) | 混成集積回路基板用導体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040203 |