JPH05160208A - キャリアテープおよびその製造方法 - Google Patents
キャリアテープおよびその製造方法Info
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- JPH05160208A JPH05160208A JP32416091A JP32416091A JPH05160208A JP H05160208 A JPH05160208 A JP H05160208A JP 32416091 A JP32416091 A JP 32416091A JP 32416091 A JP32416091 A JP 32416091A JP H05160208 A JPH05160208 A JP H05160208A
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- electrolytic copper
- carrier tape
- lead pattern
- base film
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】従来よりも大きなリード強度を持つ狭ピッチの
リードパターンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテ
ープを提供する。 【構成】絶縁性のベースフィルム１３上に接着剤１２に
より接着された電解銅箔１１がエッチングによってリー
ドパターン１１ｃとして形成されているキャリアテープ
１０において、上記電解銅箔は、電解析出により得られ
たマット面１１ｂの全面が整面されたものが使用されて
いることを特徴とする。
リードパターンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテ
ープを提供する。 【構成】絶縁性のベースフィルム１３上に接着剤１２に
より接着された電解銅箔１１がエッチングによってリー
ドパターン１１ｃとして形成されているキャリアテープ
１０において、上記電解銅箔は、電解析出により得られ
たマット面１１ｂの全面が整面されたものが使用されて
いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装
置、特に、狭インナーピッチの半導体装置や多ピンの半
導体装置に使用され、半導体チップから信号を取り出す
ためのキャリアテープおよびその製造方法に関する。
置、特に、狭インナーピッチの半導体装置や多ピンの半
導体装置に使用され、半導体チップから信号を取り出す
ためのキャリアテープおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、ＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）技術を用いたＴＡＢ構造の樹脂封止型半導体装置の
製造に際して使用されるキャリアテープ３０に半導体チ
ップのボンディング工程を行った後（樹脂封止前）の状
態を概略的に示す平面図である。
ng）技術を用いたＴＡＢ構造の樹脂封止型半導体装置の
製造に際して使用されるキャリアテープ３０に半導体チ
ップのボンディング工程を行った後（樹脂封止前）の状
態を概略的に示す平面図である。
【０００３】ここで、３１は絶縁性のベースフィルム、
３２はこのベースフィルムにより支持された銅箔からな
るリードパターン、３３はアウターリード切断用の穴、
３４は上記リードパターン３２のインナーリード先端部
にバンプ電極がボンディングされた半導体チップであ
る。
３２はこのベースフィルムにより支持された銅箔からな
るリードパターン、３３はアウターリード切断用の穴、
３４は上記リードパターン３２のインナーリード先端部
にバンプ電極がボンディングされた半導体チップであ
る。
【０００４】一般に、上記キャリアテープ３０を製造す
る際、絶縁性のベースフィルム３１に所要の穴３３を開
け、絶縁性の接着剤を塗布する。そして、電解銅箔のマ
ット面を上記ベースフィルム上に接着し、この電解銅箔
をエッチングしてリードパターン３２を形成する。この
際、従来、上記電解銅箔は、銅箔メーカーから購入した
電解析出状態のままで使用されている。
る際、絶縁性のベースフィルム３１に所要の穴３３を開
け、絶縁性の接着剤を塗布する。そして、電解銅箔のマ
ット面を上記ベースフィルム上に接着し、この電解銅箔
をエッチングしてリードパターン３２を形成する。この
際、従来、上記電解銅箔は、銅箔メーカーから購入した
電解析出状態のままで使用されている。
【０００５】図４は、電解析出状態のままの電解銅箔４
０の断面構造を示している。ここで、４１は電解銅箔の
シャイン面、４２は電解銅箔のマット面である。この電
解析出状態のままの電解銅箔のマット面粗さＲｚは、ベ
ースフィルム上の接着に必要なマット面粗さ（２〜３μ
ｍ）よりも粗く、不均一である。
０の断面構造を示している。ここで、４１は電解銅箔の
シャイン面、４２は電解銅箔のマット面である。この電
解析出状態のままの電解銅箔のマット面粗さＲｚは、ベ
ースフィルム上の接着に必要なマット面粗さ（２〜３μ
ｍ）よりも粗く、不均一である。
【０００６】ところで、上記電解銅箔４０から前記リー
ドパターン３２を形成する際のエッチング特性を左右す
る大きな要因として、電解銅箔のマット面粗さＲｚと厚
みｔが挙げられる。狭ピッチのリードパターンを形成す
るためには、マット面粗さＲｚは小さい方が、また、厚
みｔは薄い方が有利である。また、キャリアテープ３０
の信頼性の面では、電解銅箔４０の抗張力は小さい方が
望ましい。
ドパターン３２を形成する際のエッチング特性を左右す
る大きな要因として、電解銅箔のマット面粗さＲｚと厚
みｔが挙げられる。狭ピッチのリードパターンを形成す
るためには、マット面粗さＲｚは小さい方が、また、厚
みｔは薄い方が有利である。また、キャリアテープ３０
の信頼性の面では、電解銅箔４０の抗張力は小さい方が
望ましい。
【０００７】
【表１】
【０００８】上記の表１は、従来例の方法により製造さ
れた３種類のキャリアテープ上にそれぞれ半導体チップ
を実装した状態で熱サイクル試験を行った時の結果を示
している。即ち、３種類（Ａ、Ｂ、Ｃ）の電解銅箔（そ
れぞれの厚みは同じ、マット面粗さＲｚの１０カ所平均
値および抗張力が異なる。）を使用して前記従来例の方
法によりそれぞれ製造された３種類のキャリアテープ上
に半導体チップを実装した状態で熱サイクル試験を行っ
た時に、リードパターンのインナーリードが切断した本
数と総インナーリード数との比を示している。
れた３種類のキャリアテープ上にそれぞれ半導体チップ
を実装した状態で熱サイクル試験を行った時の結果を示
している。即ち、３種類（Ａ、Ｂ、Ｃ）の電解銅箔（そ
れぞれの厚みは同じ、マット面粗さＲｚの１０カ所平均
値および抗張力が異なる。）を使用して前記従来例の方
法によりそれぞれ製造された３種類のキャリアテープ上
に半導体チップを実装した状態で熱サイクル試験を行っ
た時に、リードパターンのインナーリードが切断した本
数と総インナーリード数との比を示している。
【０００９】この結果から、前記したように狭ピッチの
リードパターンを形成するための要件（マット面粗さＲ
ｚが小さい、厚みが薄い、抗張力が小さいという）を全
て満たす電解銅箔は存在しないことが分る。この理由
は、抗張力が小さい電解銅箔は、しわなどが発生するの
で、薄いものを安定して作ることができないことにあ
る。しかも、電解銅箔のマット面粗さＲｚと抗張力とは
物性的に決まる（結晶粒が大きいほど抗張力が小さい）
相関があり、共に小さいものはない。
リードパターンを形成するための要件（マット面粗さＲ
ｚが小さい、厚みが薄い、抗張力が小さいという）を全
て満たす電解銅箔は存在しないことが分る。この理由
は、抗張力が小さい電解銅箔は、しわなどが発生するの
で、薄いものを安定して作ることができないことにあ
る。しかも、電解銅箔のマット面粗さＲｚと抗張力とは
物性的に決まる（結晶粒が大きいほど抗張力が小さい）
相関があり、共に小さいものはない。
【００１０】現在、マット面粗さＲｚが最も小さい電解
銅箔Ａを使用しても、例えば３５μｍ（１オンス）の厚
みの電解銅箔では、現在のエッチング技術では、８０μ
ｍピッチのリードパターンを形成するのが限界であり、
例えば６０μｍ程度の狭ピッチのリードパターンを形成
することができない。
銅箔Ａを使用しても、例えば３５μｍ（１オンス）の厚
みの電解銅箔では、現在のエッチング技術では、８０μ
ｍピッチのリードパターンを形成するのが限界であり、
例えば６０μｍ程度の狭ピッチのリードパターンを形成
することができない。
【００１１】これに対して、上記３５μｍよりも薄い２
６．２５μｍ（３／４オンス）とか１７．５μｍ（１／
２オンス）の厚みの電解銅箔を使用すれば、狭ピッチの
リードパターンを形成することが容易になるが、リード
断面積が小さくなり、リード強度が不足する。
６．２５μｍ（３／４オンス）とか１７．５μｍ（１／
２オンス）の厚みの電解銅箔を使用すれば、狭ピッチの
リードパターンを形成することが容易になるが、リード
断面積が小さくなり、リード強度が不足する。
【００１２】一方、通常、銅箔メーカーは銅箔厚みを１
オンス、１／２オンスのように規格化して製造している
ので、ユーザーがキャリアテープの製造に際して必要と
する所望の厚みの電解銅箔を入手することが困難であ
る。しかも、電解銅箔のマット面粗さＲｚと抗張力とは
物性的に相関があり、ユーザーがキャリアテープの製造
に際して所望のマット面粗さＲｚと信頼性上必要とする
所望の抗張力とを合わせ持った電解銅箔を入手すること
が困難である。
オンス、１／２オンスのように規格化して製造している
ので、ユーザーがキャリアテープの製造に際して必要と
する所望の厚みの電解銅箔を入手することが困難であ
る。しかも、電解銅箔のマット面粗さＲｚと抗張力とは
物性的に相関があり、ユーザーがキャリアテープの製造
に際して所望のマット面粗さＲｚと信頼性上必要とする
所望の抗張力とを合わせ持った電解銅箔を入手すること
が困難である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
キャリアテープは、狭ピッチのリードパターンを形成す
るための要件を全て満たす電解銅箔を使用できないの
で、大きなリード強度を持つ狭ピッチのリードパターン
を高信頼性良く形成することが困難であるという問題が
あった。
キャリアテープは、狭ピッチのリードパターンを形成す
るための要件を全て満たす電解銅箔を使用できないの
で、大きなリード強度を持つ狭ピッチのリードパターン
を高信頼性良く形成することが困難であるという問題が
あった。
【００１４】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、所要の大きなリード強度を持つ狭ピッチのリ
ードパターンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテー
プおよびその製造方法を提供することを目的とする。
たもので、所要の大きなリード強度を持つ狭ピッチのリ
ードパターンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテー
プおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のキャリアテープ
は、絶縁性のベースフィルム上に接着剤により接着され
た電解銅箔がエッチングによってリードパターンとして
形成されているキャリアテープにおいて、上記電解銅箔
は、電解析出により得られたマット面の全面が整面され
たものが使用されていることを特徴とする。
は、絶縁性のベースフィルム上に接着剤により接着され
た電解銅箔がエッチングによってリードパターンとして
形成されているキャリアテープにおいて、上記電解銅箔
は、電解析出により得られたマット面の全面が整面され
たものが使用されていることを特徴とする。
【００１６】また、本発明のキャリアテープの製造方法
は、電解析出された電解銅箔のマット面の全面を整面処
理する工程と、上記整面処理後の電解銅箔のマット面を
絶縁性接着剤が上面に塗布された絶縁性ベースフィルム
上に接着する工程と、上記ベースフィルム上に接着され
た電解銅箔をエッチングしてリードパターンを形成する
工程とを具備することを特徴とする。
は、電解析出された電解銅箔のマット面の全面を整面処
理する工程と、上記整面処理後の電解銅箔のマット面を
絶縁性接着剤が上面に塗布された絶縁性ベースフィルム
上に接着する工程と、上記ベースフィルム上に接着され
た電解銅箔をエッチングしてリードパターンを形成する
工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
【作用】信頼性上必要とされる抗張力を持つ電解銅箔を
使用しても、ベースフィルム上の接着に必要なマット面
粗さＲｚ、リードパターン形成のためのエッチングの特
性が良い厚みを持たせることが可能になる。これによ
り、従来よりも大きなリード強度を持つ狭ピッチのリー
ドパターンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテープ
を実現することが可能になる。
使用しても、ベースフィルム上の接着に必要なマット面
粗さＲｚ、リードパターン形成のためのエッチングの特
性が良い厚みを持たせることが可能になる。これによ
り、従来よりも大きなリード強度を持つ狭ピッチのリー
ドパターンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテープ
を実現することが可能になる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）は、本発明のキャリ
アテープの製造方法の第１実施例に係る主要工程を示し
ている。
に説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）は、本発明のキャリ
アテープの製造方法の第１実施例に係る主要工程を示し
ている。
【００１９】図１（ａ）は、銅箔メーカーから購入した
電解析出されたままの電解銅箔１１の断面構造を示して
いる。この電解銅箔１１は、表１中に示した３種類の電
解銅箔の中で最も抗張力が小さく、前述した熱サイクル
試験の結果が最も良い電解銅箔Ａであり、厚みが３５μ
ｍ、マット面粗さＲｚが６．５μｍ、抗張力が２５．４
ｋｇ／ｍｍ2 である。
電解析出されたままの電解銅箔１１の断面構造を示して
いる。この電解銅箔１１は、表１中に示した３種類の電
解銅箔の中で最も抗張力が小さく、前述した熱サイクル
試験の結果が最も良い電解銅箔Ａであり、厚みが３５μ
ｍ、マット面粗さＲｚが６．５μｍ、抗張力が２５．４
ｋｇ／ｍｍ2 である。
【００２０】まず、上記電解銅箔１１のシャイン面１１
ａをレジスト（図示せず）で保護する。そして、図１
（ｂ）に示すように、上記電解銅箔１１のマット面粗さ
Ｒｚが後述するベースフィルム上の接着に必要な値（例
えば２μｍ）になるまで、マット面１１ｂの全面を塩化
第２鉄のような銅の腐食液で整面処理する。これによ
り、電解銅箔１１の厚みがほぼ３０μｍになる。
ａをレジスト（図示せず）で保護する。そして、図１
（ｂ）に示すように、上記電解銅箔１１のマット面粗さ
Ｒｚが後述するベースフィルム上の接着に必要な値（例
えば２μｍ）になるまで、マット面１１ｂの全面を塩化
第２鉄のような銅の腐食液で整面処理する。これによ
り、電解銅箔１１の厚みがほぼ３０μｍになる。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、上記電解
銅箔のマット面１１ｂを、絶縁性の接着剤１２が上面に
塗布された絶縁性のベースフィルム１３上にラミネート
接着する。そして、上記電解銅箔１１のシャイン面にパ
ターンを露光・エッチングし、８０μｍピッチのリード
パターン１１ｃを形成する。さらに、このリードパター
ン１１ｃに例えば錫メッキを施す。
銅箔のマット面１１ｂを、絶縁性の接着剤１２が上面に
塗布された絶縁性のベースフィルム１３上にラミネート
接着する。そして、上記電解銅箔１１のシャイン面にパ
ターンを露光・エッチングし、８０μｍピッチのリード
パターン１１ｃを形成する。さらに、このリードパター
ン１１ｃに例えば錫メッキを施す。
【００２２】このように製造された図１（ｃ）に示すキ
ャリアテープ１０は、電解析出により得られたマット面
の全面が整面された電解銅箔が絶縁性ベースフィルム上
に接着され、エッチングによってリードパターンとして
形成されており、ＴＡＢ構造の樹脂封止型半導体装置に
使用される。
ャリアテープ１０は、電解析出により得られたマット面
の全面が整面された電解銅箔が絶縁性ベースフィルム上
に接着され、エッチングによってリードパターンとして
形成されており、ＴＡＢ構造の樹脂封止型半導体装置に
使用される。
【００２３】上記実施例の製造方法によれば、抗張力が
小さい電解銅箔のマット面粗さＲｚをベースフィルム上
の接着に必要な値になるまで整面処理した後にベースフ
ィルム上に接着するので、前述したような狭ピッチのリ
ードパターンを形成するための要件（マット面粗さＲｚ
が小さい、厚みが薄い、抗張力が小さいという）を全て
満たす電解銅箔を得ることができ、狭ピッチのリードパ
ターンを信頼性よく形成することができる。換言すれ
ば、信頼性上必要とされる抗張力を持つ電解銅箔を使用
しても、ベースフィルム上の接着に必要なマット面粗
さ、リードパターン形成のためのエッチングの特性が良
い厚みを持たせることが可能になる。この際、整面処理
前の電解銅箔として３５μｍよりも薄いものを使用する
必要もないので、リード断面積が小さくなってリード強
度が不足するという問題は生じない。従って、従来より
も大きな所要のリード強度を持つ狭ピッチのリードパタ
ーンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテープを実現
することが可能になる。図２（ａ）乃至（ｄ）は、本発
明のキャリアテープの製造方法の第２実施例に係る主要
工程を示している。
小さい電解銅箔のマット面粗さＲｚをベースフィルム上
の接着に必要な値になるまで整面処理した後にベースフ
ィルム上に接着するので、前述したような狭ピッチのリ
ードパターンを形成するための要件（マット面粗さＲｚ
が小さい、厚みが薄い、抗張力が小さいという）を全て
満たす電解銅箔を得ることができ、狭ピッチのリードパ
ターンを信頼性よく形成することができる。換言すれ
ば、信頼性上必要とされる抗張力を持つ電解銅箔を使用
しても、ベースフィルム上の接着に必要なマット面粗
さ、リードパターン形成のためのエッチングの特性が良
い厚みを持たせることが可能になる。この際、整面処理
前の電解銅箔として３５μｍよりも薄いものを使用する
必要もないので、リード断面積が小さくなってリード強
度が不足するという問題は生じない。従って、従来より
も大きな所要のリード強度を持つ狭ピッチのリードパタ
ーンを形成でき、高信頼性を持つキャリアテープを実現
することが可能になる。図２（ａ）乃至（ｄ）は、本発
明のキャリアテープの製造方法の第２実施例に係る主要
工程を示している。
【００２４】図２（ａ）は、銅箔メーカーから購入した
電解析出されたままの電解銅箔１１の断面構造を示して
いる。この電解銅箔１１は、第１実施例と同様に、厚み
が３５μｍ、マット面粗さＲｚが６．５μｍ、抗張力が
２５．４ｋｇ／ｍｍ2 のものである。
電解析出されたままの電解銅箔１１の断面構造を示して
いる。この電解銅箔１１は、第１実施例と同様に、厚み
が３５μｍ、マット面粗さＲｚが６．５μｍ、抗張力が
２５．４ｋｇ／ｍｍ2 のものである。
【００２５】まず、上記電解銅箔１１のシャイン面１１
ａをレジスト（図示せず）で保護する。そして、図２
（ｂ）に示すように、上記電解銅箔１１のマット面粗さ
Ｒｚが後述するベースフィルム上の接着に必要な値（例
えば２μｍ）になるまで、マット面１１ｂの全面を塩化
第２鉄のような銅の腐食液で整面処理する。これによ
り、電解銅箔１１の厚みがほぼ３０μｍになる。
ａをレジスト（図示せず）で保護する。そして、図２
（ｂ）に示すように、上記電解銅箔１１のマット面粗さ
Ｒｚが後述するベースフィルム上の接着に必要な値（例
えば２μｍ）になるまで、マット面１１ｂの全面を塩化
第２鉄のような銅の腐食液で整面処理する。これによ
り、電解銅箔１１の厚みがほぼ３０μｍになる。
【００２６】次に、図２（ｃ）に示すように、上記電解
銅箔１１のマット面１１ｂを、絶縁性の接着剤１２が上
面に塗布された絶縁性のベースフィルム１３上にラミネ
ート接着する。そして、上記電解銅箔１１のシャイン面
をエッチングして銅箔の厚みがほぼ２２μｍになるよう
に形成する。
銅箔１１のマット面１１ｂを、絶縁性の接着剤１２が上
面に塗布された絶縁性のベースフィルム１３上にラミネ
ート接着する。そして、上記電解銅箔１１のシャイン面
をエッチングして銅箔の厚みがほぼ２２μｍになるよう
に形成する。
【００２７】次に、上記電解銅箔１１のシャイン面にパ
ターンを露光・エッチングし、図２（ｄ）に示すよう
に、６０μｍピッチのリードパターン１１ｃを形成す
る。さらに、このリードパターン１１ｃに例えば錫メッ
キを施す。
ターンを露光・エッチングし、図２（ｄ）に示すよう
に、６０μｍピッチのリードパターン１１ｃを形成す
る。さらに、このリードパターン１１ｃに例えば錫メッ
キを施す。
【００２８】このように製造された図２（ｄ）に示すキ
ャリアテープ２０は、電解析出により得られたマット面
の全面が整面された電解銅箔が絶縁性ベースフィルム上
に接着され、エッチングによってリードパターンとして
形成されており、ＴＡＢ構造の樹脂封止型半導体装置に
使用される。
ャリアテープ２０は、電解析出により得られたマット面
の全面が整面された電解銅箔が絶縁性ベースフィルム上
に接着され、エッチングによってリードパターンとして
形成されており、ＴＡＢ構造の樹脂封止型半導体装置に
使用される。
【００２９】上記第２実施例によれば、前記第１実施例
と同様の効果が得られるほか、電解銅箔のシャイン面を
エッチングして銅箔の厚みを薄くする工程を持つので、
ベースフィルム上への接着前の電解銅箔（つまり、銅箔
メーカーから購入する電解銅箔）の厚みの選択に対する
幅が広がるという利点がある。
と同様の効果が得られるほか、電解銅箔のシャイン面を
エッチングして銅箔の厚みを薄くする工程を持つので、
ベースフィルム上への接着前の電解銅箔（つまり、銅箔
メーカーから購入する電解銅箔）の厚みの選択に対する
幅が広がるという利点がある。
【００３０】なお、上記電解銅箔１１から６０μｍピッ
チのリードパターン１１ｃを形成する際のパターニング
性を考慮すると、シャイン面エッチング後の電解銅箔の
厚みを２５μｍ〜１８μｍになるように形成することが
望ましい。
チのリードパターン１１ｃを形成する際のパターニング
性を考慮すると、シャイン面エッチング後の電解銅箔の
厚みを２５μｍ〜１８μｍになるように形成することが
望ましい。
【００３１】また、前記各実施例において、電解銅箔１
１から狭ピッチのリードパターン１１ｃを形成する際の
パターニング性を考慮すると、電解銅箔のマット面粗さ
Ｒｚを極力小さくするように整面することが望ましい
が、そうすると、リードパターン１１ｃにメッキを施す
際に電解銅箔がはがれるおそれが生じる。これらの観点
から、８０μｍ〜６０μｍのリードピッチを有するリー
ドパターン１１ｃを得る際には、電解銅箔のマット面粗
さＲｚが２〜１μｍとなるように整面することが望まし
い。
１から狭ピッチのリードパターン１１ｃを形成する際の
パターニング性を考慮すると、電解銅箔のマット面粗さ
Ｒｚを極力小さくするように整面することが望ましい
が、そうすると、リードパターン１１ｃにメッキを施す
際に電解銅箔がはがれるおそれが生じる。これらの観点
から、８０μｍ〜６０μｍのリードピッチを有するリー
ドパターン１１ｃを得る際には、電解銅箔のマット面粗
さＲｚが２〜１μｍとなるように整面することが望まし
い。
【００３２】なお、従来のキャリアテープの一部には、
リードパターンのインナーリードの先端部（半導体チッ
プのバンプ電極がボンディングされる部分）を部分的に
整面処理したものがあるが、それは単にボンディング特
性の向上化を目的としたものであり、本発明の目的とは
全く異質であり、構成も全く質なる。
リードパターンのインナーリードの先端部（半導体チッ
プのバンプ電極がボンディングされる部分）を部分的に
整面処理したものがあるが、それは単にボンディング特
性の向上化を目的としたものであり、本発明の目的とは
全く異質であり、構成も全く質なる。
【００３３】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、所要の
大きなリード強度を持つ狭ピッチのリードパターンを形
成でき、高信頼性を持つキャリアテープおよびその製造
方法を実現できる。
大きなリード強度を持つ狭ピッチのリードパターンを形
成でき、高信頼性を持つキャリアテープおよびその製造
方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のキャリアテープの製造方法の第１実施
例における主要工程を示す断面図。
例における主要工程を示す断面図。
【図２】本発明のキャリアテープの製造方法の第２実施
例における主要工程を示す断面図。
例における主要工程を示す断面図。
【図３】ＴＡＢ構造の樹脂封止型半導体装置を製造する
際にキャリアテープに半導体チップを実装した状態を概
略的に示す平面図。
際にキャリアテープに半導体チップを実装した状態を概
略的に示す平面図。
【図４】従来のキャリアテープに接着される電解析出状
態のままの電解銅箔の断面構造を示す図。
態のままの電解銅箔の断面構造を示す図。
１０、２０…キャリアテープ、１１…電解銅箔、１１ａ
…電解銅箔のシャイン面、１１ｂ…電解銅箔のマット
面、１１ｃ…リードパターン、１２…接着剤、１３…ベ
ースフィルム。
…電解銅箔のシャイン面、１１ｂ…電解銅箔のマット
面、１１ｃ…リードパターン、１２…接着剤、１３…ベ
ースフィルム。
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性のベースフィルムと、 このベースフィルム上に接着剤により接着された電解銅
箔がエッチングされて形成されたリードパターンとを具
備するキャリアテープにおいて、 上記電解銅箔は、電解析出により得られたマット面の全
面が整面されたものが使用されていることを特徴とする
キャリアテープ。 - 【請求項２】 請求項１記載のキャリアテープにおい
て、前記電解銅箔のマット面粗さは２μｍ〜１μｍに整
面されており、前記リードパターンは８０μｍ〜６０μ
ｍのリードピッチを有することを特徴とするキャリアテ
ープ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のキャリアテープ
において、前記マット面が整面された電解銅箔の厚み
は、３０μｍ〜１８μｍであることを特徴とするキャリ
アテープ。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
キャリアテープにおいて、キャリアテープは、ＴＡＢ構
造の樹脂封止型半導体装置に使用されることを特徴とす
るキャリアテープ。 - 【請求項５】 電解析出された電解銅箔のマット面の全
面を整面処理する工程と、 上記整面処理後の電解銅箔のマット面を絶縁性接着剤が
上面に塗布された絶縁性ベースフィルム上に接着する工
程と、 上記ベースフィルム上に接着された電解銅箔をエッチン
グしてリードパターンを形成する工程とを具備すること
を特徴とするキャリアテープの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載のキャリアテープの製造方
法において、さらに、前記電解銅箔を接着する工程後と
前記リードパターンを形成する工程前との間に、電解銅
箔のシャイン面をエッチングして所定の厚みに形成する
工程を具備することを特徴とするキャリアテープの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32416091A JPH05160208A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | キャリアテープおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32416091A JPH05160208A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | キャリアテープおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160208A true JPH05160208A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18162790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32416091A Pending JPH05160208A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | キャリアテープおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160208A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1083249A2 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-14 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrodeposited copper foil with its surface prepared, process for producing the same and use thereof |
| US6291081B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-09-18 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrodeposited copper foil with its surface prepared, process for producing the same and use thereof |
| US6316288B1 (en) * | 1997-03-21 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and methods of manufacturing film camera tape |
| US7307022B2 (en) | 2004-11-19 | 2007-12-11 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of treating conductive layer for use in a circuitized substrate and method of making said substrate having said conductive layer as part thereof |
| JP2008010211A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
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| US8502082B2 (en) | 2004-11-19 | 2013-08-06 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Circuitized substrate utilizing three smooth-sided conductive layers as part thereof and electrical assemblies and information handling systems utilizing same |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP32416091A patent/JPH05160208A/ja active Pending
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| US7838776B2 (en) | 2004-11-19 | 2010-11-23 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Circuitized substrates utilizing smooth-sided conductive layers as part thereof |
| US8502082B2 (en) | 2004-11-19 | 2013-08-06 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Circuitized substrate utilizing three smooth-sided conductive layers as part thereof and electrical assemblies and information handling systems utilizing same |
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