JP2005191131A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005191131A JP2005191131A JP2003428185A JP2003428185A JP2005191131A JP 2005191131 A JP2005191131 A JP 2005191131A JP 2003428185 A JP2003428185 A JP 2003428185A JP 2003428185 A JP2003428185 A JP 2003428185A JP 2005191131 A JP2005191131 A JP 2005191131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- terminal pad
- plating layer
- layer
- electroless
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】 本発明は、集積回路チップがフリップチップ接続される素子用端子パッド10と同じ側に、電力を供給するため給電用端子パッド15を設けた配線基板の製造方法である。給電用端子パッド15は、Cuメッキ層53の上に電解Niメッキ層55および電解Auメッキ層57を形成することにより得られる。素子用端子パッド10は、Cuメッキ層54の上に無電解Niメッキ層64および無電解Auメッキ層66を形成することにより得られる。給電用端子パッド15における電解Auメッキ層57の厚さを、素子用端子パッド10における無電解Auメッキ層66の厚さよりも大に調整する。
【選択図】 図5
Description
図3は本発明の一実施形態に係る配線基板1の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板は、耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状コア2の両表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層M1,M11がそれぞれ形成される。他方、板状コア2には、ドリル等により穿設されたスルーホール12が形成され、その内壁面にはコア導体層M1,M11を互いに導通させるスルーホール導体30が形成されている。また、スルーホール12は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材31により充填されている。
まず、周知のビルドアップ法等により、板状コア2の両主表面に、配線積層部L1,L2をそれぞれ形成する(配線積層部形成工程)。配線積層部L1は、層間接続用のビア34および内層導体70を介して、素子搭載用端子パッド10と給電用端子パッド15とが導通する構造となるように作製する。次に、図4(a)に示すように、配線積層部L1,L2のうち最も外側に位置する誘電体層6の主面(第一配線積層部L1および第二配線積層部L2の各第一主表面CP)上に、各端子パッド10,15,17の本体部をなすCuメッキ層54,53,52を形成する(Cuメッキ工程)。
6 誘電体層
8,18 ソルダーレジスト層
8a,18a 開口
10,15,17 金属端子パッド
34 ビア
52,53,54 Cuメッキ層(下地メッキ層)
55 電解Niメッキ層
57 電解Auメッキ層
60 ドライフィルム
61 樹脂テープ
63,64 無電解Niメッキ層
65,66 無電解Auメッキ層
70 内層導体
L1,L2 配線積層部
CP 第一主表面
Claims (1)
- 誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部を有し、前記配線積層部の第一主表面上に、電子部品の電極端子に接続される第1の端子パッドと、前記電子部品に電力を供給するための給電部品に機械的に接触する第2の端子パッドとを設けた配線基板の製造方法であって、
前記第一主表面が前記誘電体層にて構成されるように前記配線積層部を形成する配線積層部形成工程と、
前記第一主表面上における、前記第1の端子パッドおよび前記第2の端子パッドの形成予定位置に、それら端子パッドの本体部となる下地メッキ層を形成する下地メッキ層形成工程と、
前記第1の端子パッドの本体部として形成された前記下地メッキ層を露出させるための開口を有するソルダーレジスト層を、その開口の内周縁が前記下地メッキ層の主表面外周縁よりも内側に位置するように形成するソルダーレジスト層形成工程と、
前記第1の端子パッドの本体部となるべき前記下地メッキ層を第1のメッキレジストで保護した上で、電解Niメッキ工程および電解Au系メッキ工程をこの順番で行ない、前記下地メッキ層、電解Niメッキ層および電解Au系メッキ層からなる前記第2の端子パッドを形成する電解メッキ工程と、
前記第1のメッキレジストを除去するメッキレジスト除去工程と、
前記第2の端子パッドを第2のメッキレジストで保護した上で、無電解Niメッキ工程と無電解Auメッキ工程とをこの順番で行ない、前記下地メッキ層、無電解Niメッキ層および無電解Auメッキ層からなる前記第1の端子パッドを形成する無電解メッキ工程とを含み、
前記第1の端子パッドにおける前記無電解Auメッキ層の厚さよりも、前記第2の端子パッドにおける前記電解Au系メッキ層の厚さが大となるように調整することを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428185A JP4219266B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003428185A JP4219266B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191131A true JP2005191131A (ja) | 2005-07-14 |
JP4219266B2 JP4219266B2 (ja) | 2009-02-04 |
Family
ID=34787265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003428185A Expired - Fee Related JP4219266B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4219266B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141180A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置製造用基板とその製造方法 |
JP2009295958A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
US9735090B2 (en) | 2014-10-06 | 2017-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices |
JP2020021796A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5611870B2 (ja) | 2011-03-15 | 2014-10-22 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、画像形成方法及び印画物 |
US10908327B2 (en) | 2015-11-17 | 2021-02-02 | Konica Minolta, Inc. | Optical reflection film and optical reflector |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04221881A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JPH04318993A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板およびその製造方法 |
JPH1112783A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板のメッキ用マスキング方法 |
JP2001339140A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
JP2002329950A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Mitsui Chemicals Inc | プリント回路基板に電解メッキを施す方法 |
JP2003133477A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Ibiden Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法 |
-
2003
- 2003-12-24 JP JP2003428185A patent/JP4219266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04221881A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JPH04318993A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板およびその製造方法 |
JPH1112783A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板のメッキ用マスキング方法 |
JP2001339140A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
JP2002329950A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Mitsui Chemicals Inc | プリント回路基板に電解メッキを施す方法 |
JP2003133477A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Ibiden Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141180A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置製造用基板とその製造方法 |
JP2009295958A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
US8907468B2 (en) | 2008-05-09 | 2014-12-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US9735090B2 (en) | 2014-10-06 | 2017-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices |
JP2020021796A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
JP7068957B2 (ja) | 2018-07-31 | 2022-05-17 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4219266B2 (ja) | 2009-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7115818B2 (en) | Flexible multilayer wiring board and manufacture method thereof | |
US8227711B2 (en) | Coreless packaging substrate and method for fabricating the same | |
US7226807B2 (en) | Method of production of circuit board utilizing electroplating | |
KR101077380B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
JP2007311688A (ja) | 電子装置用基板およびその製造方法、並びに電子装置およびその製造方法 | |
KR20040076164A (ko) | 도금 인입선을 사용하지 않는 패키지 기판 및 그 제조 방법 | |
US9699905B2 (en) | Wiring board | |
JP2004193549A (ja) | メッキ引込線なしにメッキされたパッケージ基板およびその製造方法 | |
JP3934104B2 (ja) | ボールグリッドアレイ基板の作製方法 | |
KR100339252B1 (ko) | 땜납범프(bump)를갖춘반도체장치및그의제조방법 | |
JP4219266B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2010135860A (ja) | 印刷回路基板製造方法 | |
KR100908986B1 (ko) | 코어리스 패키지 기판 및 제조 방법 | |
JP2010034430A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP4974119B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
KR20040023773A (ko) | 도체 배선 패턴의 형성 방법 | |
KR20100111858A (ko) | 인쇄회로기판 제조를 위한 범프 형성 방법 | |
JP2007324232A (ja) | Bga型多層配線板及びbga型半導体パッケージ | |
JP2005235982A (ja) | 配線基板の製造方法と配線基板、および半導体パッケージ | |
KR20090016257A (ko) | 도금 인입선이 제거된 패키지 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2006294825A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP4591098B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板の製造方法 | |
JP4556536B2 (ja) | テープキャリアの製造方法 | |
US7504282B2 (en) | Method of manufacturing the substrate for packaging integrated circuits without multiple photolithography/etching steps | |
JP2005235980A (ja) | 配線基板の製造方法と配線基板、および半導体パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060703 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081030 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |