JP2003133477A

JP2003133477A - 半導体チップおよびその製造方法

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Publication number: JP2003133477A
Application number: JP2001328019A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kaneko; 昌弘金子; Masayuki Hayashi; 正幸林
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-10-25
Filing date: 2001-10-25
Publication date: 2003-05-09
Anticipated expiration: 2021-10-25
Also published as: JP3850261B2

Abstract

(57)【要約】【課題】信頼性の高い半導体チップ及びその製造方法
を提供する。【解決手段】層間樹脂絶縁層５０，１５０の２層を設
ける。ＩＣチップ２０と外部基板３００との線熱膨張率
差により、銅めっきポスト２６０へ高さ方向の力が加わ
った際にも、２段のフィルドビア１６０、フィルドビア
６０を介してダイパッド２２に力が加わり、応力が減衰
する。このため、ＩＣチップ２０上に形成された半導体
回路に損害を与えることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップおよ
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップの技術分野においては、更
なる高密度化を図るために、小型化チップの開発が進め
られている。そのような技術の一つに、チップサイズパ
ッケージ（ＣＳＰ）がある。このＣＳＰにおいては、半
導体チップの一面側に形成された半田ボールを介して、
半導体チップとプリント基板とを接続する構造が採用さ
れている。

【０００３】ところで、半導体チップに使用されるシリ
コンウエハの線熱膨張係数は３ｐｐｍ／℃程度であるの
に対し、プリント基板に通常使用されるガラスエポキシ
基板の線熱膨張係数は１５ｐｐｍ／℃程度であり、半導
体チップと比較して大きい。このため、実装後に半導体
チップが作動して熱サイクルを繰り返し受けると、半導
体チップとプリント基板との接合部分に、両者の線熱膨
張係数の相違に起因する応力が生じる。この熱応力によ
り、半導体チップおよびプリント基板の接続パッドと半
田ボールとの間に剥離が生じてしまう場合がある。

【０００４】上述した半導体チップとプリント基板との
接合部分にかかる応力を緩和させるために、ウエハ上に
柔軟性のある樹脂絶縁層を備えた構造が提案されてい
る。この構造の半導体チップは、図１６に示すように、
半導体チップ１２０の電極パッド１２２上に、絶縁層３
５０が形成され、この絶縁層３５０にバイアホール３６
０及び導体回路３５８が形成されている。更に、この絶
縁層３５０の上層に例えばエポキシ樹脂等からなる樹脂
絶縁層４５０が形成され、この樹脂絶縁層４５０に、導
体回路３５８と接続される導電ポスト４６０が形成さ
れ、この導電ポスト４６０上に半田ボール１７６が形成
されている。そして、半田ボール１７６を介して、プリ
ント配線板３００のパッド３０２に接続される。このよ
うな構造では、厚みのある絶縁層４５０によって、シリ
コンからなるＩＣチップ１２０と樹脂からなるプリント
基板３００との線熱膨張係数の差から生じる応力を緩和
することが試みられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構成においても、導電ポスト４６０は、金属である銅
を主としてめっき充填してなるので、外部から加わった
応力を内部へ吸収することがなくダイレクトに伝わって
しまう。このため、ＩＣチップ１２０とプリント基板３
００との線熱膨張率差により、導電ポスト４６０へ図１
６中の上下方向の力が加わった際に、応力が絶縁層３５
０に配設された導体回路３５８及びバイアホール３６０
を伝わってダイパッド１２２へ加わり、ＩＣチップ上に
形成された半導体回路に損害を与え、また、導電ポスト
４６０と導体回路３５８との間で剥離が生じることがあ
った。特に、絶縁層３５０をフラットにして、樹脂絶縁
層４５０に形成される導電ポスト４６０の接続信頼性を
高めるため、バイアホール３６０を主として銅めっきを
充填してなるフィルドビアで形成した場合に、当該フィ
ルドビアで応力を内部吸収することができず、導電ポス
ト４６０からの応力が、フィルドビアを介して伝達し易
かった。

【０００６】本発明は、上記した事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、信頼性の高い半導体チップ及
びその製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段、および発明の作用・効
果】上記の課題を解決するために請求項１の発明に係る
半導体チップは、ダイパッドを有する半導体素子上に、
バイアホールの形成された層間絶縁層を介して導体回路
が形成され、該導体回路が、絶縁層に形成された柱状の
導電ポストにより外部基板へ接続される半導体チップで
あって、前記層間絶縁層を複数設け、前記複数の層間絶
縁層のバイアホールをフィルドビアとして形成したこと
を技術的特徴とする。

【０００８】請求項１では、層間絶縁層にフィルドビア
を配設するため、層間絶縁層の表面がフラットになり、
導体回路と導電ポストとの接続信頼性を高められる。ま
た、フィルドビアを設ける層間絶縁層を複数設けるた
め、半導体素子と外部基板との線熱膨張率差により、導
電ポストへ高さ方向の力が加わった際にも、複数段のフ
ィルドビアを介してダイパッドに力が加わるので、当該
複数段のフィルドビアで応力が減衰し、半導体素子上に
形成された半導体回路に損害を与え、また、導電ポスト
と導体回路との間で剥離が生じることがない。このた
め、半導体チップに高い信頼性を持たせることができ
る。

【０００９】請求項２では、フィルドビアの形成される
最上層の層間絶縁層の開口上から外れた位置に、導電ポ
ストを配置してある。従って、導電ポストからの応力が
フィルドビアに直接加わることがなく、半導体素子上に
形成された半導体回路に損害を与え、また、導電ポスト
と導体回路との間で剥離が生じることがない。このた
め、半導体チップに高い信頼性を持たせることができ
る。

【００１０】請求項３では、フィルドビアの形成される
下層の層間絶縁層の開口上から外れた位置に、上層の層
間絶縁層のフィルドビアを配置する。従って、導電ポス
トから上段のフィルドビアに加わった応力が、下段のフ
ィルドビアへ直接加わることがなく、半導体素子上に形
成された半導体回路に損害を与えることがない。このた
め、半導体チップに高い信頼性を持たせることができ
る。

【００１１】請求項４の発明は、半導体素子のダイパッ
ド上に、層間絶縁層のバイアホールへ接続するためのト
ランジション層が形成され、該トランジション層は、少
なくとも２層以上であることを技術的特徴とする。

【００１２】本発明で定義されるトランジション層につ
いて説明する。トランジション層は、半導体素子である
ＩＣチップと導体層と直接接続を取るために設けられた
中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金
属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのダイパ
ッドよりも大きくさせることにある。それによって、電
気的接続や位置合わせ性を向上させるものである。ま
た、トランジション層上には、直接、導体層である金属
を形成することを可能にする。

【００１３】ＩＣチップのダイパッドにトランジション
層を設ける理由は次の通りである。ＩＣチップのダイパ
ッドは、２０〜６０μｍ程度の径で作られており、バイ
アホールはそれより大きいので位置ずれの際に未接続が
発生しやすい。このため、ＩＣチップのダイパッド上に
２０μｍよりも大きな径のトランジション層を介在させ
ることで、バイアホールを確実に接続させることができ
る。望ましいのは、トランジション層は、バイアホール
径と同等以上のものがよい。

【００１４】半導体装置としてのパッケージ基板として
の機能させるために外部基板であるマザーボードやドー
ターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧ
Ａ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この
構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を
短くできて、ループインダクタンスも低減できる。

【００１５】ＩＣチップを内蔵させたコア基板の全面に
蒸着、スパッタリング、無電解めっきなどを行い、全面
に導電性の金属膜（第１薄膜層）を形成させる。その金
属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、
コバルト、金、銅などがよい。厚みとしては、０．００
１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。０．００１
μｍ未満では、全面に均一に積層できない。２．０μｍ
を越えるものを形成させることは困難であり、効果が高
まるのもでもなかった。クロムの場合には０．１μｍの
厚みが望ましい。

【００１６】第１薄膜層により、ダイパッドの被覆を行
い、トランジション層とＩＣチップにダイパッドとの界
面の密着性を高めることができる。また、これら金属で
ダイパッドを被覆することで、界面への湿分の侵入を防
ぎ、ダイパッドの溶解、腐食を防止し、信頼性を高める
ことができる。また、この第１薄膜層によって、リード
のない実装方法によりＩＣチップとの接続を取ることが
できる。ここで、銅、クロム、ニッケル、チタンを用い
ることが、金属との密着性やよく、また、界面への湿分
の侵入を防ぐために望ましい。また、ダイパッドが銅か
ら成る場合は、第１薄膜層には銅が最適である。

【００１７】第１薄膜層上に、第２薄膜層を設けること
もできる。その金属としてはニッケル、銅、金、銀など
がある。特に、ダイパッドが銅からなる場合は、第１薄
膜層上に、スパッタ、蒸着、又は、無電解めっきにより
第２薄膜層を形成させる。電気特性、経済性、また、ダ
イパッドが銅からなり、後程で形成される厚付け層は主
に銅であることから、第２薄膜層には銅を用いるとよ
い。

【００１８】ここで第２薄膜層を設ける理由は、第１薄
膜層では、後述する厚付け層を形成するための電解めっ
き用のリードを取ることができ難いためである。第２薄
膜層３６は、厚付けのリードとして用いられる。その厚
みは０．０１〜５．０μｍの範囲で行うのがよい。０．
０１μｍ未満では、リードとしての役割を果たし得ず、
５．０μｍを越えると、エッチングの際、下層の第１薄
膜層がより多く削れて隙間ができてしまい、湿分が侵入
し易くなり、信頼性が低下するからである。電気特性、
経済性、また、後程で形成される厚付け層は主に銅であ
ることから、銅を用いるとよい。特に、ダイパッドが銅
からなる場合は、銅が最適である。

【００１９】第２薄膜層上に、無電解あるいは電解めっ
きにより厚付けさせる。形成される金属の種類としては
ニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特
性、経済性、トランジション層としての強度や構造上の
耐性、また、後程で形成されるビルドアップである導体
層は主に銅であることから、銅を用い電解めっきで形成
するのが望ましい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行
うのがよい。１μｍより薄いと、上層のバイアホールと
の接続信頼性が低下し、２０μｍよりも厚くなると、エ
ッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成
されるトランジション層とバイアホールと界面に隙間が
発生するからである。また、場合によっては、第１薄膜
層上に直接厚付けめっきしても、さらに、多層に積層し
てもよい。

【００２０】その後、エッチングレジストを形成して、
露光、現像してトランジション層以外の部分の金属を露
出させてエッチングを行い、ＩＣチップのダイパッド上
にトランジション層を形成させる。

【００２１】また、上記トランジション層の製造方法以
外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜
上にドライフィルムレジストを形成してトランジション
層に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚
付けした後、レジストを剥離してエッチング液によっ
て、同様にＩＣチップのダイパッド上にトランジション
層を形成させることもできる。

【００２２】請求項５の半導体チップの製造方法は、少
なくとも以下の（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることを技術
的特徴とする：（ａ）ダイパッドを有する半導体素子上に、フィルドビ
ア及び導体回路を備える第１の層間絶縁層を形成する工
程；（ｂ）前記第１の層間絶縁層上に、フィルドビア及び導
体回路を備える第２の層間絶縁層を形成する工程；（ｃ）前記第２の層間絶縁層上に、柱状の導電ポストを
備える絶縁層を形成する工程。

【００２３】請求項５では、第２の層間絶縁層にフィル
ドビアを配設するため、第２の層間絶縁層の表面がフラ
ットになり、導体回路と導電ポストとの接続信頼性を高
められる。また、フィルドビアを設ける層間絶縁層を複
数設けるため、半導体素子と外部基板との線熱膨張率差
により、導電ポストへ高さ方向の力が加わった際にも、
複数段のフィルドビアを介してダイパッドに力が加わる
ので、当該複数段のフィルドビアで応力が減衰し、半導
体素子上に形成された半導体回路に損害を与え、また、
導電ポストと導体回路との間で剥離が生じることがな
い。このため、半導体チップに高い信頼性を持たせるこ
とができる。

【００２４】絶縁層は、無機フィラーを含有することで
線熱膨張係数を下げることが、熱収縮によるクラック発
生の防止のため望ましい。上記無機フィラーとしては、
特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウム
化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシ
ウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これらの化
合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよ
い。

【００２５】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられる。

【００２６】上記カリウム化合物としては、例えば、炭
酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物とし
ては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マ
グネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、
例えば、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。

【００２７】上記無機フィラーの形状としては、特に限
定されるものではないが、例えば、球状、楕円球状、多
面体状等が挙げられる。このなかでは、先端が尖ってい
るとクラックが発生しやすいことから、球状、楕円球状
等が望ましい。

【００２８】上記無機フィラーの大きさは、最も長い部
分の長さ（または直径）が０．１〜５．０μｍの範囲の
ものが望ましい。０．１μｍ未満では、樹脂絶縁層が熱
膨張した際に発生する内部応力を緩和するのが難しく、
熱膨張率が調整できず、５．０μｍを超えると、樹脂絶
縁層自体が硬く脆くなり、また、光硬化や熱硬化を行う
際に、無機フィラーが樹脂同士の反応を阻害し、その結
果、クラックが発生しやすくなってしまう。このような
点から、無機フィラーは、透明のものがより好ましい。

【００２９】上記無機フィラーとして、ＳｉＯ₂を配合
する際には、その配合量は、３〜５０重量％の範囲が好
ましい。３重量％未満では、樹脂絶縁層の熱膨張係数が
低下せず、一方、５０重量％を超えると解像度が落ちて
開口部に異常をきたす。より好ましくは、５〜４０重量
％である。また、樹脂絶縁層中の無機フィラーの含有割
合は、５〜４０重量％が好ましい。無機フィラーを上記
含有割合で用いることにより、効果的に樹脂絶縁層の線
膨張係数を低下させることができ、熱膨張により発生す
る応力を効果的に緩和することができる。

【００３０】樹脂絶縁層には、エラストマーからなる樹
脂を配合することが望ましい。エラストマー自身が柔軟
性、反発弾性に富んでいるため、樹脂絶縁層が応力を受
けてもその応力を吸収し、または、応力が緩和されるの
で、クラックを防止することができる。また、上記エラ
ストマー成分は、上記樹脂絶縁層の硬化後に海島構造と
なるようにミクロ相分離していることが望ましい。海島
構造とすることにより、その応力に起因するクラック、
剥離を防止することができる。

【００３１】本発明で使用されるエラストマーとして
は、例えば、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂等が挙げられる。特に、応力を充分に緩和する
ことができるのは、熱硬化性樹脂からなるエラストマー
である。上記熱硬化性樹脂からなるエラストマーとして
は、例えば、ポリエステル系エラストマー、スチレン系
エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、フッ素系エ
ラストマー、アミド系エラストマー、オレフィン系エラ
ストマー等が挙げられる。

【００３２】上記エラストマー成分の形状としては、特
に限定されるものではないが、応力を吸収したり、緩和
したりする効果に優れることから、球状、楕円球状等が
望ましい。上記エラストマー成分の大きさは、特に限定
されるものではないが、最も長い部分の長さ（または直
径）が０．５〜１．５μｍの範囲のものが望ましい。上
記エラストマー成分の大きさが０．５μｍ未満では、応
力を緩和したり、吸収したりすることが困難となってク
ラックが生じ易くなり、１．５μｍを超えると、解像度
が落ちるからである。

【００３３】本発明のプリント配線板において、上記エ
ラストマー成分は、上記樹脂絶縁層の硬化後に海島構造
となるようにミクロ相分離していることが望ましい。エ
ラストマー成分をこのように分散させることが、エラス
トマー成分により応力を吸収したり、緩和したりする効
果を得るうえで、最も適しているからである。上記海島
構造とは、エラストマー成分以外の層間絶縁樹脂組成物
からなる「海」の中に、エラストマー成分が「島」状に
分散している状態をいう。

【００３４】上記樹脂絶縁層中のエラストマー成分の含
有割合は、１〜２０重量％が望ましい。上記含有割合が
１重量％未満では、応力を緩和したり、吸収したりする
ことが困難となってクラックが生じやすくなり、２０重
量％を超えると、解像度が落ちるからである。

【００３５】本発明のプリント配線板を構成する樹脂絶
縁層は、上記無機フィラー、エラストマーのほかに、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱
可塑性樹脂との複合体等を含有してもよい。このような
樹脂層としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の
（メタ）アクリレート、２官能性（メタ）アクリル酸エ
ステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メ
タ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エ
ポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モ
ノマー等の感光性モノマー等からなる組成物を重合、硬
化させたもの等が挙げられる。

【００３６】上記２官能性（メタ）アクリル酸エステル
モノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオー
ル類のアクリル酸またはメタクリル酸のエステルなどが
挙げられ、市販品としては、日本化薬社製のＲ−６０
４、ＰＭ２、ＰＭ２１などが挙げられる。

【００３７】上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）
アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラック
やクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アク
リル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂な
どが挙げられる。

【００３８】本発明の層間絶縁樹脂組成物は、樹脂絶縁
層用樹脂を含むペースト中に無機フィラー及びエラスト
マーが配合されてなることが好適である。無機フィラー
を配合することで、低下した靱性をエラストマーを配合
することでたかめ、応力が加わったさいにも樹脂絶縁層
にクラックが発生しなくなる。

【００３９】無機フィラーとしては、上述したものを用
いることができる。また、その配合量は、形成された樹
脂絶縁層中の含有割合が、５〜２０重量％となる量が好
ましい。

【００４０】上記エラストマー成分としては、上述した
ものを用いることができる。また、その配合量は、層間
絶縁樹脂組成物中の含有割合が、５〜１０重量％となる
量が好ましい。

【００４１】本発明の層間絶縁樹脂組成物は、上記無機
フィラーやエラストマーのほかに、上記したノボラック
型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール
硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマ
ー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸
エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等か
らなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光
性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペー
スト状の流動体であることが望ましく、その粘度は２５
℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望まし
い。

【００４２】上記イミダゾール硬化剤としては特に限定
されるものではないが、２５℃で液状であるイミダゾー
ル硬化剤を用いることが望ましい。粉末では均一混練が
難しく、液状の方が均一に混練できるからである。この
ような液状イミダゾール硬化剤としては、例えば、１−
ベンジル−２−メチルイミダゾール（四国化成社製、１
Ｂ２ＭＺ）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）、
４−メチルー２−エチルイミダゾール（四国化成社製、
２Ｅ４ＭＺ）などが挙げられる。

【００４３】上記グリコールエーテル系溶剤としては、
例えば、下記の一般式（１）に示す化学構造を有するも
のが望ましく、具体的には、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコー
ルジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれる少なくと
も１種を用いることがより望ましい。これらの溶剤は、
３０〜５０℃程度の加温により重合開始剤であるベンゾ
フェノン、ミヒラーケトン、エチルアミノベンゾフェノ
ンを完全に溶解させることができるからである。ＣＨ₃Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）ｎ−ＣＨ₃・・・・（１）（上記式中、ｎは１〜５の整数である。）

【００４４】この樹脂絶縁層を構成する樹脂または樹脂
の複合体の線膨張係数は、６０×１０^-6〜８０×１０^-6
Ｋ^-1と高いが、この層中に上記無機フィラーを含有させ
ることにより、線膨張係数を４０〜５０×１０^-6Ｋ^-1程
度まで低下させることができる。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体チップ
（チップサイズパッケージ）の実施例について図を参照
して説明する。 [第１実施例] Ａ．チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）構造半導体素子（ＩＣチップ）上に導体回路および層間樹脂
絶縁層を積層することにより形成されるチップサイズパ
ッケージの構成について図１４および図１５を参照して
説明する。図１４は、チップサイズパッケージの断面を
示し、図１５は、図１４に示すチップサイズパッケージ
を外部基板に取り付けた状態の断面を示している。

【００４６】図１４に示すようにチップサイズパッケー
ジ１０は、図３（Ｂ）を参照して後述するＩＣチップ２
０と、層間樹脂絶縁層５０と、層間樹脂絶縁層１５０、
樹脂絶縁層２５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０に
は、開口４８内にフィルドビア６０が、上面に導体回路
５８が形成されている。層間樹脂絶縁層１５０には、開
口１４８にフィルドビア１６０が、上面に導体回路１５
８が形成され、樹脂絶縁層２５０には、銅めっきポスト
２６０が形成されている。

【００４７】樹脂絶縁層２５０の上には、ソルダーレジ
スト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０
の開口部７１下の銅めっきポスト２６０には、図１５に
示すように、ドータボード等の外部基板３００のバンプ
３０２へ接続するための半田バンプ７６が設けられてい
る。

【００４８】本実施例のチップサイズパッケージ１０で
は、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０にフィ
ルドビア６０、１６０を配置するため、層間樹脂絶縁層
５０、層間樹脂絶縁層１５０の上面に凹凸ができずフラ
ットになり、層間樹脂絶縁層１５０上の導体回路１５８
と銅めっきポスト２６０との接続を適正に取ることがで
き、接続信頼性を高められる。

【００４９】図１５に示すように、フィルドビアを設け
る層間絶縁層として層間樹脂絶縁層５０，１５０の２層
を設けるため、ＩＣチップ２０と外部基板３００との線
熱膨張率差により、銅めっきポスト２６０へ高さ方向の
力が加わった際にも、２段のフィルドビア１６０、フィ
ルドビア６０を介してダイパッド２２に力が加わるの
で、２段のフィルドビア１６０、６０で応力が減衰し、
ＩＣチップ２０上に形成された半導体回路に損害を与
え、また、銅めっきポスト２６０と導体回路１５８との
間で剥離が生じることがない。このため、半導体チップ
に高い信頼性を持たせることができる。

【００５０】更に、フィルドビア１６０の形成される上
層の層間絶縁層１５０の開口１４８上から外れた位置
（図中で距離Ｄ１離れた位置）に銅めっきポスト２６０
を配置してある。従って、銅めっきポスト２６０からの
上下方向の応力が、銅めっきを充填して成るフィルドビ
ア１６０へ直接加わることがない。従って、銅めっきポ
スト２６０からの応力により、ＩＣチップ２０子上に形
成された半導体回路に損害を与え、また、銅めっきポス
ト２６０と導体回路１５８との間で剥離が生じることが
ない。このため、半導体チップに高い信頼性を持たせる
ことができる。

【００５１】なお、フィルドビアと言った場合、開口１
４８内に充填された銅めっき部分と、開口１４８の外周
のランド部分とを併せて概念する場合があるが、本明細
書中では、フィルドビアとは、開口１４８内に充填され
た銅めっき部分のみを指す点に注意されたい。フィルド
ビアは、開口の表面に配設された銅めっき層からなる通
常のバイアホールとは異なり、開口内にめっきを充填し
てなるため、加えられた応力を内部で吸収することがで
きないが、上述したように、本実施例では、銅めっきポ
スト２６０とフィルドビア１６０との配置位置を水平方
向へずらすことで、応力が導体回路１５８を介して伝わ
るようにして、銅めっきポスト２６０からの応力の影響
を受け難くしてある。

【００５２】更に、本実施例では、フィルドビア６０の
形成される下層の層間絶縁層５０の開口４８上から外れ
た位置（図中で距離Ｄ２離れた位置）に、上層の層間絶
縁層１５０のフィルドビア１６０を配置する。従って、
銅めっきポスト２６０から上層の層間樹脂絶縁層１５０
のフィルドビア１６０に加わった応力が、下層の層間樹
脂絶縁層５０のフィルドビア６０へ直接加わることがな
い。このため、銅めっきポスト２６０からの応力によ
り、ＩＣチップ２０上に形成された半導体回路に損害を
与えることがない。このため、半導体チップに高い信頼
性を持たせることができる。即ち、本実施例では、上層
のフィルドビア１６０と下層フィルドビア６０との配置
位置を水平方向へずらすことで、応力が導体回路５８を
介して伝わるようにして、銅めっきポスト２６０からの
応力の影響を受け難くしてある。

【００５３】また、本実施例のチップサイズパッケージ
１０では、ＩＣチップ部分にトランジション層３８が形
成されていることから、ＩＣチップ部分には平坦化され
るので、上層の層間絶縁層５０も平坦化されて、膜厚み
も均一になる。更に、トランジション層３８によって、
上層のフィルドビア６０を形成する際も形状の安定性を
保つことができる。

【００５４】更に、ダイパッド２２上に銅製のトランジ
ション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残り
を防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤ある
いはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程
を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これに
より、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や
信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に
６０μｍ径以上のトランジション層３８を介在させるこ
とで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させるこ
とができる。

【００５５】次に、上述したチップサイズパッケージに
用いられる半導体素子（ＩＣチップ）の構成について、
半導体素子２０の断面を示す図３（Ａ）、及び、平面図
を示す図４（Ｂ）を参照して更に詳細に説明する。な
お、半導体素子２０に使用されるウエハ２０Ａは、シリ
コン単結晶製で、例えば直径４インチ、厚さ３００μｍ
程度に形成されている。このウエハ２０Ａに、例えば一
辺１０ｍｍ程度の正方形状の半導体素子２０が縦横に整
列した状態で製造される。

【００５６】図３（Ｂ）に示すように半導体素子２０の
上面には、ダイパッド２２及び配線（図示せず）が配設
されており、該ダイパッド２２及び配線の上に、保護膜
２４が被覆され、該ダイパッド２２には、保護膜２４の
開口が形成されている。ダイパッド２２の上には、主と
して銅からなるトランジション層３８が形成されてい
る。トランジション層３８は、薄膜層３３と厚付け層３
７とからなる。いいかえると、２層以上の金属層で形成
されている。

【００５７】Ｂ．チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の
製造方法続いて、図１４および図１５を参照して上述したチップ
サイズパッケージの製造方法について説明する。チップ
サイズパッケージは、先ず、チップサイズパッケージに
用いる半導体素子を作製し、次に、この半導体素子上に
層間絶縁層及び導体回路を積層させることにより形成す
る。

【００５８】先ず、図３（Ｂ）を参照して上述したチッ
プサイズパッケージに用いる半導体素子の製造方法につ
いて、図１〜図４を参照して説明する。

【００５９】（１）先ず、図１（Ａ）に示すシリコンウ
エハー２０Ａに、定法により配線２１及びダイパッド２
２を形成する（図１（Ｂ）及び図１（Ｂ）の平面図を示
す図４（Ａ）参照、なお、図１（Ｂ）は、図４（Ａ）の
Ｂ−Ｂ断面を表している）。（２）次に、ダイパッド２２及び配線２１の上に、保護
膜２４を形成し、ダイパッド２２上に開口２４ａを設け
る（図１（Ｃ）参照）。

【００６０】（３）シリコンウエハー２０Ａに蒸着、ス
パッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性
の金属膜（薄膜層）３３を形成させる（図２（Ａ）参
照）。その厚みは、０．００１〜２．０μｍの範囲で形
成させるのがよい。その範囲よりも下の場合は、全面に
薄膜層を形成することができない。その範囲よりも上の
場合は、形成される膜に厚みのバラツキが生じてしま
う。最適な範囲は０．０１〜１．０μｍである。形成す
る金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜
鉛、コバルト、金、銅の中から、選ばれるものを用いる
ことがよい。それらの金属は、ダイパッドの保護膜とな
り、かつ、電気特性を劣化させることがない。第１実施
例では、薄膜層３３は、スパッタによってクロムで形成
されている。クロムは、金属との密着性がよく、湿分の
侵入を抑えることができる。また、クロム層の上に銅を
スパッタで施してもよい。クロム、銅の２層を真空チャ
ンバー内で連続して形成してもよい。このとき、クロム
０．０５−０．１μｍ、銅０．５μｍ程度の厚みであ
る。

【００６１】（４）その後、液状レジスト、感光性レジ
スト、ドライフィルムのいずれかのレジスト層を薄膜層
３３上に形成させる。トランジション層３８を形成する
部分が描画されたマスク（図示せず）を該レジスト層上
に、載置して、露光、現像を経て、レジスト３５に非形
成部３５ａを形成させる。電解メッキを施してレジスト
層の非形成部３５ａに厚付け層（電解めっき膜）３７を
設ける（図２（Ｂ）参照）。形成されるメッキの種類と
してはニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電
気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップ
である導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよ
く、第１実施例では、銅を用いる。その厚みは１〜２０
μｍの範囲で行うのがよい。

【００６２】（５）メッキレジスト３５をアルカリ溶液
等で除去した後、メッキレジスト３５下の金属膜３３を
硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅
錯体−有機酸塩等のエッチング液によって除去すること
で、ＩＣチップのパッド２２上にトランジション層３８
を形成する（図２（Ｃ）参照）。

【００６３】（６）次に、基板にエッチング液をスプレ
イで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチン
グすることにより粗化面３８αを形成する（図３（Ａ）
参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を
形成することもできる。

【００６４】（７）最後に、トランジション層３８が形
成されたシリコンウエハー２０Ａを、ダイシングなどに
よって個片に分割して半導体素子２０を形成する（図３
（Ｂ）及び図３（Ｂ）の平面図である図４（Ｂ）参
照）。その後、必要に応じて、分割された半導体素子２
０の動作確認や電気検査を行なってもよい。半導体素子
２０は、ダイパッド２２よりも大きなトランジション層
３８が形成されているので、プローブピンが当てやす
く、検査の精度が高くなっている。

【００６５】薄膜層３３はチタンにより形成することも
できる。チタンは、蒸着かスパッタによって施される。
チタンは、金属との密着性がよく、湿分の侵入を抑える
ことができる。さらに、薄膜層をスズ、亜鉛、又は、コ
バルトにより形成することもできる。さらに、薄膜層を
ニッケルにより形成することもできる。ニッケルはスパ
ッタにより形成する。ニッケルは、金属との密着性がよ
く、湿分の侵入を抑えることができる。薄膜層の上に、
更に銅を積層してもよい。

【００６６】[第２の製造方法]引き続き、第２の製造方
法に係る半導体素子について図５〜図７を参照して説明
する。第２の製造方法に係る半導体素子２０について、
図７（Ｂ）を参照して説明する。図３（Ｂ）を参照して
上述した第１実施例に係る半導体素子では、トランジシ
ョン層３８が、薄膜層３３と厚付け層３７とからなる２
層構造であった。これに対して、第２の製造方法では、
図７（Ｂ）に示すように、トランジション層３８が、第
１薄膜層３３と、第２薄膜層３６と、厚付け層３７とか
らなる３層構造として構成されている。

【００６７】図７（Ｂ）を参照して上述した第２の製造
方法に係る半導体素子の製造方法について、図５〜図７
を参照して説明する。

【００６８】（１）先ず、図５（Ａ）に示すシリコンウ
エハー２０Ａに、配線２１及びダイパッド２２を形成す
る（図５（Ｂ）参照）。（２）次に、ダイパッド２２及び配線の上に、保護膜２
４を形成する（図５（Ｃ）参照）。

【００６９】（３）シリコンウエハー２０Ａに蒸着、ス
パッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性
の金属膜（第１薄膜層）３３を形成させる（図５（Ｄ）
参照）。その厚みは、０．００１〜２μｍの範囲で形成
させるのがよい。その範囲よりも下の場合は、全面に薄
膜層を形成することができない。その範囲よりも上の場
合は、形成される膜に厚みのバラツキが生じてしまう。
最適な範囲は０．０１〜１．０μｍである。形成する金
属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、
コバルト、金、銅の中から、選ばれるものを用いること
がよい。それらの金属は、ダイパッドの保護膜となり、
かつ、電気特性を劣化させることがない。第２の製造方
法では、第１薄膜層３３は、クロムにより形成される。
クロム、ニッケル、チタンは、金属との密着性がよく、
湿分の侵入を抑えることができる。

【００７０】（４）第１薄膜層３３の上に、スパッタ、
蒸着、無電解めっきのいずれかの方法によって第２薄膜
層３６を積層する（図６（Ａ）参照）。その場合積層で
きる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選ばれるも
のがよい。特に、銅、ニッケルのいずれかで形成させる
ことがよい。銅は、廉価であることと電気伝達性がよい
からである。ニッケルは、薄膜との密着性がよく、剥離
やクラックを引き起こし難い。第２の製造方法では、第
２薄膜層３６を無電解銅めっきにより形成する。なお、
望ましい第１薄膜層と第２薄膜層との組み合わせは、ク
ロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニ
ッケルなどである。金属との接合性や電気伝達性という
点で他の組み合わせよりも優れる。

【００７１】（５）その後、レジスト層を第２薄膜層３
６上に形成させる。マスク（図示せず）を該レジスト層
上に載置して、露光、現像を経て、レジスト３５に非形
成部３５ａを形成させる。電解メッキを施してレジスト
層の非形成部３５ａに厚付け層（電解めっき膜）３７を
設ける（図６（Ｂ）参照）。形成されるメッキの種類と
しては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電
気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップ
である導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよ
く、第２の製造方法では、銅を用いる。厚みは１〜２０
μｍの範囲がよい。

【００７２】（６）メッキレジスト３５をアルカリ溶液
等で除去した後、メッキレジスト３５下の第２薄膜層３
６、第１薄膜層３３を硫酸−過酸化水素水、塩化第二
鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング
液によって除去することで、ＩＣチップのパッド２２上
にトランジション層３８を形成する（図６（Ｃ）参
照）。

【００７３】（７）次に、基板にエッチング液をスプレ
イで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチン
グすることにより粗化面３８αを形成する（図７（Ａ）
参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を
形成することもできる。

【００７４】（８）最後に、トランジション層３８が形
成されたシリコンウエハー２０Ａを、ダイシングなどに
よって個片に分割して半導体素子２０を形成する（図７
（Ｂ）参照）。

【００７５】上述した第２の製造方法では、第１薄膜層
３３がクロムにより、第２薄膜層３６が無電解めっき銅
で、厚付け層３７が電解銅めっきで形成された。これに
対して、第１薄膜層３３をクロムにより、第２薄膜層３
６をスパッタ銅で、厚付け層３７を電解銅めっきで形成
することもできる。各層の厚みとして、クロム０．０７
μｍ、銅０．５μｍ、電解銅１５μｍである。

【００７６】さらに、第１薄膜層３３をチタンにより、
第２薄膜層３６を無電解銅で、厚付け層３７を電解銅め
っきで形成することもできる。各層の厚みとして、チタ
ン０．０７μｍ、めっき銅１．０μｍ、電解銅１７μｍ
である。

【００７７】またさらに、第１薄膜層３３をチタンによ
り、第２薄膜層３６をスパッタ銅で、厚付け層３７を電
解銅めっきで形成することもできる。各層の厚みとし
て、チタン０．０６μｍ、銅０．５μｍ、電解銅１５μ
ｍである。

【００７８】また、第１薄膜層３３をクロムにより、第
２薄膜層３６を無電解めっきニッケルで、厚付け層３７
を電解銅めっきで形成することもできる。各層の厚みと
して、クロム０．０７μｍ、めっき銅１．０μｍ、電解
銅１５μｍである。

【００７９】また、第１薄膜層３３をチタンにより、第
２薄膜層３６を無電解めっきニッケルで、厚付け層３７
を電解銅めっきで形成することもできる。各層の厚みと
して、チタン０．０５μｍ、めっきニッケル１．２μ
ｍ、電解銅１５μｍである。

【００８０】[第３の製造方法]第３の製造方法に係る半
導体素子２０について説明する。第３の製造方法の半導
体素子の構成は、図３（Ｂ）を参照して上述した第１実
施例とほぼ同様である。但し、第１実施例では、セミア
ディテブ工程を用い、レジスト非形成部に厚付け層３７
を形成することでトランジション層３８を形成した。こ
れに対して、第３の製造方法では、アディテブ工程を用
い、厚付け層３７を均一に形成した後、レジストを設
け、レジスト非形成部をエッチングで除去することでト
ランジション層３８を形成する。

【００８１】第３の製造方法に係る半導体素子の製造方
法について図８を参照して説明する。（１）第１実施例で図２（Ａ）を参照して上述したよう
に、シリコンウエハー２０Ａに蒸着、スパッタリングな
どの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の薄膜層３３を
形成させる（図８（Ａ）参照）。その厚みは、０．００
１〜２．０μｍの範囲がよい。その範囲よりも下の場合
は、全面に薄膜層を形成することができない。その範囲
よりも上の場合は、形成される膜に厚みのバラツキが生
じてしまう。最適な範囲は０．０１〜１．０μｍで形成
されることがよい。形成する金属としては、スズ、クロ
ム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅の中か
ら、選ばれるものを用いることがよい。それらの金属
は、ダイパッドの保護となり、かつ、電気特性を劣化さ
せることがない。第３の製造方法では、薄膜層３３は、
クロムをスパッタすることで形成される。クロムの厚み
は０．０５μｍである。

【００８２】（２）電解メッキを施して薄膜層３３の上
に厚付け層（電解めっき膜）３７を均一に設ける（図８
（Ｂ）参照）。形成されるメッキの種類としては銅、ニ
ッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済
性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層
は主に銅であることから、銅を用いるとよく、第３の製
造方法では、銅を用いる。その厚みは１〜２０μｍの範
囲で行うのがよい。それより厚くなると、後述するエッ
チングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成さ
れるトランジション層とバイアホールと界面に隙間が発
生することがあるからである。

【００８３】（３）その後、レジスト層３５を厚付け層
３７上に形成させる（図８（Ｃ）参照）。

【００８４】（４）レジスト３５の非形成部の薄膜層３
３及び厚付け層３７を硫酸−過酸化水素水、塩化第二
鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング
液によって除去した後、レジスト３５を剥離すること
で、ＩＣチップのパッド２２上にトランジション層３８
を形成する（図８（Ｄ）参照）。以降の工程は、第１実
施例と同様であるため説明を省略する。なお、薄膜層３
３をチタンにより形成することもできる。

【００８５】[第４の製造方法]第４の製造方法に係る半
導体素子２０について説明する。図８を参照して上述し
た第３の製造方法に係る半導体素子では、トランジショ
ン層３８が、薄膜層３３と厚付け層３７とからなる２層
構造であった。これに対して、第４の製造方法では、図
９（Ｄ）に示すように、トランジション層３８が、第１
薄膜層３３と、第２薄膜層３６と、厚付け層３７とから
なる３層構造として構成されている。

【００８６】第４の製造方法に係る半導体素子の製造方
法について図９を参照して説明する。（１）図６（Ａ）を参照して上述した第２の製造方法と
同様に、第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電
解めっきによって第２薄膜層３６を積層する（図９
（Ａ）参照）。その場合積層できる金属は、ニッケル、
銅、金、銀の中から選ばれるものがよい。特に、銅、ニ
ッケルのいずれかで形成させることがよい。銅は、廉価
であることと電気伝達性がよいからである。ニッケル
は、薄膜との密着性がよく、剥離やクラックを引き起こ
し難い。第４の製造方法では、第２薄膜層３６を無電解
銅めっきにより形成する。なお、望ましい第１薄膜層と
第２薄膜層との組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニ
ッケル、チタン−銅、チタン−ニッケルである。金属と
の接合性や電気伝達性という点で他の組み合わせよりも
優れる。

【００８７】（２）電解メッキを施して第２薄膜層３６
の上に厚付け膜３７を均一に設ける（図９（Ｂ）参
照）。

【００８８】（３）その後、レジスト層３５を厚付け層
３７上に形成させる（図９（Ｃ）参照）。

【００８９】（４）レジスト３５の非形成部の第１薄膜
層３３、第２薄膜層３６及び厚付け層３７を硫酸−過酸
化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機
酸塩等のエッチング液によって除去した後、レジスト３
５を剥離することで、ＩＣチップのパッド２２上にトラ
ンジション層３８を形成する（図９（Ｄ）参照）。以降
の工程は、第１実施例と同様であるため説明を省略す
る。

【００９０】なお、第１薄膜層３３をクロムにより、第
２薄膜層３６をスパッタ銅で、厚付け層３７を電解銅め
っきで形成することもできる。各層の厚みは、クロム
０．０７μｍ、銅０．５μｍ、電解銅１５μｍである。
また、第１薄膜層３３をチタンにより、第２薄膜層３６
を無電解銅で、厚付け層３７を電解銅めっきで形成する
こともできる。各層の厚みは、チタン０．０７μｍ、銅
１．０μｍ、電解銅１５μｍである。

【００９１】さらに、第１薄膜層３３をチタンにより、
第２薄膜層３６をスパッタ銅で、厚付け層３７を電解銅
めっきで形成することもできる。各層の厚みは、チタン
０．０７μｍ、銅０．５μｍ、電解銅１８μｍである。

【００９２】また、第１薄膜層３３をクロムにより、第
２薄膜層３６を無電解めっきニッケルで、厚付け層３７
を電解銅めっきで形成することもできる。各層の厚み
は、クロム０．０６μｍ、ニッケル１．２μｍ、電解銅
１６μｍである。

【００９３】また更に、第１薄膜層３３をチタンによ
り、第２薄膜層３６を無電解めっきニッケルで、厚付け
層３７を電解銅めっきで形成することもできる。各層の
厚みは、チタン０．０７μｍ、ニッケル１．１μｍ、電
解銅１５μｍである。

【００９４】[第５の製造方法]第５の製造方法では、ダ
イパッド２２の表面にジンケート処理を施す。ＩＣチッ
プ２０をニッケル無電かめっき浴中に浸漬して、ダイパ
ッド２２上にニッケルめっき膜を析出させる。続いて、
ＩＣチップ２０をニッケル−銅の複合めっき液に浸漬
し、ニッケルめっき層の上に厚さ０．０１〜５μｍのニ
ッケルと銅の複合めっき層を形成する。

【００９５】引き続き、上述した製造方法により形成さ
れた半導体素子（ＩＣチップ）上に導体回路及び層間樹
脂絶縁層を積層することにより形成されるチップサイズ
パッケージの製造方法について、図１０〜図１４を参照
して説明する。

【００９６】（１）先ず、前述した第１実施例および第
３の製造方法の製造工程によって、トランジション層３
８が配設されたＩＣチップ２０を出発材料とする（図１
０（Ａ）参照）。次に、このＩＣチップ２０に、感光性
の硬化性樹脂を塗布することにより、層間樹脂絶縁層５
０を設ける（図１０（Ｂ）参照）。硬化性樹脂として
は、例えば感光性のポリイミド樹脂を使用することがで
きる。

【００９７】（２）次に、バイアホール形成位置に対応
する黒円４９ａの描かれたフォトマスクフィルム４９を
層間樹脂絶縁層５０に載置し、露光する（図１０（Ｃ）
参照）。

【００９８】（３）ＤＭＴＧ液でスプレー現像し、加熱
処理を行うことで層間樹脂絶縁層５０に直径８５μｍの
バイアホール用開口４８を設ける（図１０（Ｄ）参
照）。液温６０℃の過マンガン酸を用いて、開口４８内
の樹脂残りを除去する。

【００９９】ダイパッド２２上に銅製のトランジション
層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐ
ことができ、これにより、パッド２２と後述するフィル
ドビア６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、４
０μｍ径パッド２２上に６０μｍ以上の径のトランジシ
ョン層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホ
ール用開口４８を確実に接続させることができる。な
お、ここでは、過マンガン酸などの酸化剤を用いて樹脂
残さを除去したが、酸素プラズマなどやコロナ処理を用
いてデスミア処理を行うことも可能である。

【０１００】（４）次に、過マンガン酸またはクロム酸
で層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し、粗化面５０αを
形成する（図１０（Ｅ）参照）。粗化面は、０．０５〜
５μｍの間が望ましい。

【０１０１】（５）粗化面５０αが形成された層間樹脂
絶縁層５０上に、金属層５２を設ける。金属層５２は、
無電解めっきによって形成させた。予め層間樹脂絶縁層
５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電
解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．
１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設けた
（図１１（Ａ）参照）。その一例として、〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピルジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。

【０１０２】めっきの代わりに、日本真空技術株式会社
製のＳＶ―４５４０を用い、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲッ
トにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０
℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃ
ｕ合金５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成すること
もできる。このとき、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層５２
の厚さは０．２μｍである。

【０１０３】（６）上記処理を終えたＩＣチップ２０
に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマ
スクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光し
た後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５
μｍのめっきレジスト５４を設ける。次に、めっきレジ
スト５４の非形成部に下記条件で電解めっきを施し、厚
さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図１１
（Ｂ）参照）。

【０１０４】〔電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ２１０ｇ／ｌ硫酸１５０ｇ／ｌＣｌ^- ４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール３００ｍｇ／ｌビスジスルフィド１００ｍｇ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１．０Ａ／ｄｍ² 時間３５分温度２５ ℃ ここでは、レベリング剤と光沢剤とからなる添加剤を含
む電解めっき液を用いることにより、バイアホール用開
口４８を完全に金属で充填する。これにより、同一層に
おけるフィルドビア６０上面と導体回路５８の上面とを
略同一平面にする。

【０１０５】（７）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨ
で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５２
を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチ
ングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６か
らなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びフィルドビア６
０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチン
グ液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図１
１（Ｃ）参照）。

【０１０６】（８）上述した（１）〜（７）の工程を繰
り返し、層間樹脂絶縁層５０の上に、導体回路１５８及
びフィルドビア１６０を備える層間樹脂絶縁層１５０を
形成する（図１１（Ｄ）参照）。

【０１０７】（９）次に、フィルドビア１６０が設けら
れた層間樹脂絶縁層１５０上に、厚さ７０μｍの板状に
形成された後述する熱硬化性樹脂フィルムを積層する。
この後、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋ
ｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、硬化させることに
よって樹脂絶縁層２５０を形成する（図１２（Ａ）参
照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【０１０８】また、硬化後の線熱膨張係数がＩＣチップ
２０（３ｐｐｍ／℃）と外部基板３００（１５ｐｐｍ／
℃）との間の値である熱硬化性樹脂フィルム（１０ｐｐ
ｍ／℃）を層間樹脂絶縁層１５０上に積層することによ
り、チップサイズパッケージ１０を形成した際に、ＩＣ
チップ２０と外部基板３００との間に位置する構造にな
る。これにより、熱サイクルを繰り返し受けた場合で
も、線熱膨張係数の差に起因する層間絶縁層の伸縮を抑
制できるため、層間絶縁層に生じる応力を緩和できる。
なお、樹脂絶縁層２５０の線熱膨張係数を１０〜７０ｐ
ｐｍ／℃に調整することで、当該樹脂絶縁層２５０での
クラックの発生を防止することができる。

【０１０９】（１０）次いで、例えば、ＣＯ₂ガスレー
ザによって、パルスエネルギー２．０〜１０．０ｍＪ、
パルス幅１〜１００μｓ、パルス間隔０．５ｍｓ以上、
ショット数３〜５０の条件で、樹脂絶縁層２５０から導
体回路１５８に至る銅めっきポスト用開口２４８を形成
する（図１２（Ｂ）参照）。本実施例では、レーザを用
いるため、種々の材質の絶縁性基板に容易に開口を穿設
できる。

【０１１０】（１１）この後、銅めっきポスト用開口２
４８内に残留する樹脂をデスミア処理により除去する。
ここでは、デスミア処理により樹脂残さを除去したが、
過マンガン酸などの酸化剤を用いて樹脂残さを除去する
ことも可能である。

【０１１１】（１２）樹脂絶縁層２５０および銅めっき
ポスト用開口２４８の表面に、無電解めっきにより銅め
っき膜２５２を形成する（図１２（Ｃ）参照）。予め樹
脂絶縁層２５０および銅めっきポスト用開口２４８の表
層にパラジウム触媒（アトテック製）などを付与させ
て、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることによ
り、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層２５
２を設けた。その一例として、〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピルジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。

【０１１２】（１３）次に、この銅めっき膜２５２上
に、例えばスピンコートにより市販の感光性ドライフィ
ルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ²で露光した後、０．８％炭酸ナトリウ
ムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト２５４
を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、電
解銅めっき２５６を形成する（図１２（Ｄ）参照）。な
お、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパ
ン社製のカパラシドＨＬである。

【０１１３】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm^２時間６５分温度２２±２℃

【０１１４】（１４）めっきレジスト２５４を５％Ｎａ
ＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層
２５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いる
エッチングにて溶解除去し、金属層２５２と電解銅めっ
き２５６からなる銅めっきポスト２６０を形成し、第二
銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗
化面２６０αを形成する（図１３（Ａ）参照）。ここ
で、形成される銅めっきポスト２６０の線熱膨張係数は
３〜４０ｐｐｍ／℃が望ましい。

【０１１５】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３
によった。

【０１１６】（１６）次に、樹脂絶縁層２５０上に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパター
ンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレ
ジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外
線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの
直径の開口７１を形成する（図１３（Ｂ）参照）。ま
た、市販のソルダーレジストを用いてもよい。

【０１１７】（１７）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成したＩＣチップ２０を、塩化ニ
ッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナト
リウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリ
ウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５
の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部
７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。
さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１
０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０^-1
ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍ
ｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍ
ｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．
５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０
３μｍの金めっき層７４を形成することで、銅めっきポ
スト２６０に半田パッド７５を形成する（図１３（Ｃ）
参照）。

【０１１８】（１８）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して、２００℃で
リフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。
これにより、半田バンプ７６を有するチップサイズパッ
ケージ１０を得ることができる（図１４参照）。

【０１１９】半田ペーストには、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓ
ｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕなどを用いることが
できる。もちろん、放射線の低α線タイプの半田ペース
トを用いてもよい。

【０１２０】本実施例では、ダイシングなどによって個
片に分割された半導体素子２０（図３（Ｂ）参照）を出
発材料とした。ここで、個片に分割されていない半導体
素子２０（図３（Ａ）参照）を出発材料とし、チップサ
イズパッケージ形成後、このチップサイズパッケージを
ダイシングなどによって個片に分割してもよい。

【０１２１】上述した実施例では、樹脂絶縁層２５０に
硬化性樹脂フィルムを用いた。この絶縁性基板及び硬化
性樹脂フィルムには、難溶性樹脂（例えば、無機フィラ
ー）、可溶性粒子（例えば、エラストマー）、硬化剤、
その他の成分が含有されている。それぞれについて以下
に説明する。

【０１２２】本発明の製造方法において使用する樹脂
は、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子
という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶
性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明
で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸
または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、
相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼
び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と
呼ぶ。

【０１２３】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。ここで、無機フィラーを配合することで、樹脂絶縁
層の線膨張係数を小さくすることができる。

【０１２４】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【０１２５】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【０１２６】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【０１２７】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。さらに、ゴム等のエラスト
マーを配合することで、樹脂絶縁層が応力を吸収するこ
とができる。

【０１２８】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【０１２９】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【０１３０】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【０１３１】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる樹脂絶縁層
にクラックが発生せず、樹脂絶縁層と導体回路との間で
剥離が発生しないからである。

【０１３２】上記難溶性樹脂としては、樹脂絶縁層に酸
または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の
形状を保持できるものであれば特に限定されず、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感
光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることによ
り、樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール
用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬
化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、
めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形
状を保持することができるからである。

【０１３３】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂等が挙げられ
る。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を
併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエ
ポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の
粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等
にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、
金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起
きにくいからである。

【０１３４】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【０１３５】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶
縁性が確実に保たれる。

【０１３６】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を
維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【０１３７】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【０１３８】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【０１３９】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りチップサイズパッ
ケージの性能を向上させることができる。

【０１４０】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。ただし、これらの樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温
度を加えると溶解、炭化をしてしまう。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
例に係る半導体素子の製造工程図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
例に係る半導体素子の製造工程図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施例に係る
半導体素子の製造工程図である。

【図４】（Ａ）は、本発明の第１実施例に係るシリコン
ウエハー２０Ａの平面図であり、（Ｂ）は、個片化され
た半導体素子の平面図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第２の製
造方法に係る半導体素子の製造工程図である。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第２の製造方法に
係る半導体素子の製造工程図である。

【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、第２の製造方法に係る半導
体素子の製造工程図である。

【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３の製
造方法に係る半導体素子の製造工程図である。

【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第４の製
造方法に係る半導体素子の製造工程図である。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）
は、本発明の第１実施例に係るチップサイズパッケージ
の製造工程図である。

【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実
施例に係るチップサイズパッケージの製造工程図であ
る。

【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実
施例に係るチップサイズパッケージの製造工程図であ
る。

【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施例に係
るチップサイズパッケージの製造工程図である。

【図１４】第１実施例に係るチップサイズパッケージの
断面図である。

【図１５】第１実施例に係るチップサイズパッケージの
断面図である。

【図１６】従来のチップサイズパッケージの断面図であ
る。

【符号の説明】

２０ＩＣチップ（半導体素子）２０Ａウエハ２２ダイパッド２４保護膜３３薄膜層３６薄膜層３７厚付け層３８トランジション層５０、１５０層間樹脂絶縁層５８、１５８導体回路６０、１６０バイアホール７０ソルダーレジスト層７６半田バンプ２５０樹脂絶縁層２６０銅めっきポスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイパッドを有する半導体素子上に、バ
イアホールの形成された層間絶縁層を介して導体回路が
形成され、該導体回路が、絶縁層に形成された柱状の導
電ポストにより外部基板へ接続される半導体チップであ
って、前記層間絶縁層を複数設け、前記複数の層間絶縁層のバイアホールをフィルドビアと
して形成したことを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】前記フィルドビアの形成される最上層の
層間絶縁層の開口上から外れた位置に、前記導電ポスト
を配置したことを特徴とする請求項１の半導体チップ。
【請求項３】前記フィルドビアの形成される下層の層
間絶縁層の開口上から外れた位置に、上層の層間絶縁層
のフィルドビアを配置したことを特徴とする請求項１又
は請求項２の半導体チップ。
【請求項４】前記半導体素子のダイパッド上に、層間
絶縁層のフィルドビアへ接続するためのトランジション
層が形成され、該トランジション層は、少なくとも２層
以上であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいず
れか１に記載の半導体チップ。
【請求項５】少なくとも以下の（ａ）〜（ｃ）の工程
を経ることを特徴とする半導体チップの製造方法：（ａ）ダイパッドを有する半導体素子上に、フィルドビ
ア及び導体回路を備える第１の層間絶縁層を形成する工
程；（ｂ）前記第１の層間絶縁層上に、フィルドビア及び導
体回路を備える第２の層間絶縁層を形成する工程；（ｃ）前記第２の層間絶縁層上に、柱状の導電ポストを
備える絶縁層を形成する工程。