JP4489221B2 - 転写用配線部材およびその製造方法 - Google Patents
転写用配線部材およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4489221B2 JP4489221B2 JP35391099A JP35391099A JP4489221B2 JP 4489221 B2 JP4489221 B2 JP 4489221B2 JP 35391099 A JP35391099 A JP 35391099A JP 35391099 A JP35391099 A JP 35391099A JP 4489221 B2 JP4489221 B2 JP 4489221B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- transfer
- connection
- transferred
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、転写時に、配線部の形成と配線の接続を同時に行なうことができる転写用配線部材とその製造方法、および転写用配線部材を用いた配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子は、ますます高集積化、高性能化の一途をたどってきており、その端子数の増加も著しい。
通常、図７（ａ）に示すように、半導体素子を搭載する半導体ペレット４１０は、その一面の周辺部に端子部（パッドとも言う）４１５を設けており、多数の端子を有するため、その端子間ピッチは狭く、これを直接プリント基板に搭載することが難しく、一般には、半導体ペレットを一旦リードフレーム等に搭載し、その端子間隔を実質的に拡大した状態の半導体装置の形態で、プリント基板に搭載していた。 尚、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＣ１−Ｃ２における断面図である。
半導体ペレットをリードフレームに搭載する半導体装置の例としては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのものが、特に多端子に対応できるものとして知られている。
ＱＦＰは、ダイパッド上に半導体ペレットを搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード先端部と半導体ペレットの端子とをワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多端子化に対応できるものとして開発されてきた。
【０００３】
しかし、半導体素子の信号処理の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになってきた。
ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するため、フオーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題を抱えていた。
即ち、ＱＦＰでも、更なる半導体ペレットの多端子化に対応できなくなってきた。
【０００４】
これに対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体ペレットを搭載し、もう一方の面に球状の半田ボールを通じて半導体ペレットの端子と外部端子（半田ボール）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケージである。
ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応できた。
このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片面に半導体ペレットを塔載するダイパッドと半導体ペレットの端子からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外部接続をもち、外部接続とボンディングパッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続している構造である。
しかし、このＢＧＡは、めっき形成したスルーホールを介して、半導体ペレットの端子とボンディングワイヤで結線を行う回路と、半導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部接続部（単に外部端子部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が多かった。
【０００５】
一方、プリント基板への実装密度を上げるために、ＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) の開発も盛んになってきている。
更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、半導体ペレットのプリント基板への搭載を実用レベルで可能とし、実装密度を上げることができるＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置が求められてきた。
最近では、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式のものも試みられるようになってきた。
しかし、配線部の形成と、配線部と半導体ペレットの端子との接続の両方を、簡単に行なうことが難しく問題になっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、更なる半導体ペレットの多端子化に対応できる、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式のものについては、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なえる方法が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、具体的には、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式の半導体装置を作製する際、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なえる転写用配線部材の提供と、その製造方法を提供しようとするものである。
これにより、更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、且つ、半導体ペレットのプリント基板への搭載が実用レベルで行え、ＢＧＡよりも信頼性の面で優れたＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の転写用配線部材は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、あるいは、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであることを特徴とするものである。
あるいは、本発明の転写用配線部材は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、前記接続面と転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであることを特徴とするものである。そして、上記において、被転写配線基板が、半導体ペレット単体ないし、半導体ペレットを多数面付けしたウエハであることを特徴とするものである。
尚、ＡＣＰ層は、Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ（あるいはＦｉｌｍ）層の略で、通常、絶縁性樹脂中に銀粒子等の導電性粒子を分散させた層で、所定領域に圧をかけることにより、その領域の導電性粒子同志を接触させた状態とできる。
【０００８】
本発明の転写用配線部材の製造方法は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用配線部材で、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ａ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｂ）選択めっき形成された配線部を覆うように絶縁性の電着樹脂層を形成する電着工程と、（ｃ）接続部を形成するための開口を、電着樹脂層に開ける開口部形成工程と、（ｄ）金属めっきにより、あるいは導電性ペーストを埋め込むことにより、あるいは、導電性の電着層を電着形成することにより、開口部に、接続部を形成する接続部形成工程とを行なうことを特徴とするものである。
そして、上記において、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするものである。
【０００９】
あるいは、本発明の転写用配線部材の製造方法は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用配線部材で、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、あるいは、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ｅ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｆ）製版により、接続部を形成する配線部の所定位置を露出させて、耐めっき性のレジストで覆い、接続部を選択めっき形成する接続部形成工程と、（ｇ）耐めっき性のレジストを除去した後、接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆う、あるいは、接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、絶縁層で覆い、更に必要に応じて研磨して、絶縁層をほぼ接続面の高さにし、接続面を露出させる、絶縁層形成工程とを行なうことを特徴とするものである。
そして、上記において、絶縁層を電着により形成することを特徴するものであり、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、絶縁層をスクリーン印刷により形成することを特徴するものである。
【００１０】
あるいはまた、本発明の転写用配線部材の製造方法は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、前記接続面と転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ｈ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｉ）製版により、接続部を形成する配線部の所定位置を露出させて、耐めっき性のレジストで覆い、接続部を選択めっき形成する接続部形成工程と、（ｊ）耐めっき性のレジストを除去した後、 接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆う、ＡＣＰ層形成工程とを行なうことを特徴とするものである。
【００１１】
そして、上記いずれかにおいて、被転写配線基板が、半導体ペレット単体ないし、半導体ペレットを多数面付けしたウエハであることを特徴とするものである。
尚、この場合、半導体ペレットの端子面は、半導体ペレットの端子の上面に合わせ、端子領域を除き、全体をほぼ一面に平坦化する絶縁性の平坦化層で覆われている。
【００１３】
【作用】
本発明の転写用配線部材は、このような構成にすることにより、転写の際に、配線部と接続部とを被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、同時に、簡単に転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続できる転写用配線部材の提供を可能としている。
これにより、具体的には、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式の半導体装置を作製する際、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なえる転写用配線部材の提供を可能にしている。即ち、更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、且つ、半導体ペレットのプリント基板への搭載が実用レベルで行え、ＢＧＡよりも信頼性の面で優れたＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置の提供を可能にしている。
また、本発明の転写用配線部材は、フリップチップ等を配線基板に搭載するためのインターポーザないし、半導体ペレットと一体としてＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置を形成する配線部材として使用できる。
さらにまた、本発明の転写用配線部材は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの配線基板や、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）配線基板にも適用できることは言うまでもない。
【００１４】
本発明の転写用配線部材の製造方法は、このような構成にすることにより、本発明の転写用配線部材の作製を可能とするもので、請求項４に記載のものは、配線部を形成するめっき処理に引き続き絶縁層を電着形成でき、且つ、選択めっきするための製版は、１回以下ですみ、作業が簡単なものとなる。
特に、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることにより、絶縁層をポリイミドとすることができ、且つ、電着剤を保存安定性の良いものとしている。
請求項６に記載のものは、配線部の選択めっき形成に引き続き、接続部を選択めっき形成するもので、請求項４の方法のように接続部形成のための絶縁層の孔開けを必要とせずに、製版を繰り返すだけで、接続部の形成を品質的に安定して行なうことができる。
請求項９に記載のものも、請求項６に記載のものと同様、配線部の選択めっき形成に引き続き、接続部を選択めっき形成するもので、請求項４の方法のように接続部形成のための絶縁層の孔開けを必要とせずに、製版を繰り返すだけで、接続部の形成を品質的に安定して行なうことができ、ＡＣＰ層を用いているため、その作製をさらに簡単としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第１の例の概略断面図で、図１（ｂ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第２の例の概略断面図で、図１（ｃ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第３の例の概略断面図で、図１（ｄ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第４の例の概略断面図で、図２は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第１の例の工程断面図で、図３は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第２の例の工程断面図で、図４は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第３の例、第４の例の工程断面図で、図５は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第５の例の工程断面図で、図６（ｅ）は本発明の配線基板（半導体装置）の１例の概略断面図で、図６（ｆ）はバンプ（端子部）の配置を示した図で、図６（ａ）〜図６（ｅ）はその製造方法を説明するための工程断面図である。
尚、図６（ｆ）は図６（ｅ）のＡ１側からみたものである。
図１〜図６中、１１０はベース基板（導電性基板）、１２０は配線部、１３０は接続部、１３０Ｓは接続面、１４０は絶縁層、１４０Ａは孔、１４５は電着樹脂層、１４５ａは孔、１６０、１６５はレジスト層、１６０Ａ，１６５Ａは開口部、１７０は（耐久版用の）レジスト、１７０Ａは開口部、１８０はＡＣＰ層、１９０は半導体ペレット、１９１は端子、１９５はバンプ（端子部）である。
【００１７】
はじめに、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第１の例を図１（ａ）に基づいて説明する。
第１の例は、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材で、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓを露出するようにして、配線部１２０と、接続部１３０とを、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層１４０で覆っているものである。
そして、転写の際には、前記絶縁層１４０を介して、配線部１２０と接続部１３０とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部１３０を転写形成するとともに、直接、前記接続面１３０Ｓを転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部１３０と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである。
【００１８】
ベース基板１１０としては、配線部１２０、絶縁層１４０から剥離しやすく、且つ、少なくとも配線部をめっき形成する面を導電性としたものが使用される。
ステンレス材が通常使用されるが、これに限定はされない。
【００１９】
配線部１２０は、選択めっき形成された導電性層からなり、材質としては 銅および銅合金、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、錫、クロム、金、銀、白金等が挙げられる。
めっき法としては、公知のめっき法が適用できる。
導電性、コストの面から、銅めっき層および銅合金めっき層の単体あるいはこれらを主材とし、ニッケルめっき層等を積層した多層としたものが、通常、用いられる。
【００２０】
絶縁層１４０としては、絶縁性、化学的安定性、強度の面で優れたものが好ましく、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が好ましが、これに限定はされない。
絶縁層１４０として電着樹脂層を用いても良い。
【００２１】
接続部１３０は、金属めっき層、あるいは導電性ペースト、あるいは導電性の電着層から成る。
金属めっき層の場合も、銅および銅合金単体あるいは銅めっき層を主材とするものが導電性、コストの面から、使用される。
【００２２】
次に、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第２の例を図１（ｂ）に基づいて説明する。
第２の例は、第１の例と同様、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材で、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓを露出するようにして、配線部１２０と、接続部１３０とを、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層である電着樹脂１４５で覆っているものであり、転写の際には、前記絶縁層である電着樹脂１４５を介して、配線部１２０と接続部１３０とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部１３０を転写形成するとともに、直接、前記接続面１３０Ｓを転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部１３０と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであるが、本例の場合は、ベース基板１１０とレジストとで配線部１２０を選択めっき形成するための耐久版を形成しており、且つ、電着樹脂層１４５を絶縁層として、配線部１２０、接続部１３０形成領域のみに、設けている。
本例の各部については、第１の例と同様のものが使用できる。
レジスト１７０としては、所定の解像性があり、耐めっき性に優れていることが必要で、且つ、処理性の良いものが好ましく、特に限定はされない。
具体的には、ノボラック系のＯＭＲネガ型レジスト（東京応化工業株式会社製）等が挙げられる。
【００２３】
次に、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第３の例を図１（ｃ）に基づいて説明する。
第３の例は、第１の例と同様、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材であるが、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓをも含み、配線部１２０と、接続部１３０とを、接続面１３０Ｓの高さより高く、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層１４０で覆っている点が、第１の例と異なる。
ｔ２は、転写の際、絶縁層１４０を排除し、接続面１３０Ｓと被転写配線基板の配線部とが直接接触できる幅で、小さいほど好ましい。
それ以外については、第１の例と同じである。
本例の各部については、第１の例と同様のものが使用できる。
【００２４】
次に、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第４の例を図１（ｄ）に基づいて説明する。
第４の例は、第１の例と同様、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材であるが、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓをも含み、配線部１２０と、接続部１３０とを、接続面１３０Ｓの高さより高く、ＡＣＰ層１８０で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層１８０を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、接続面１３０Ｓと転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである。
ＡＣＰ層１８０としては、導電性の粒子を接着性のあるバインダー樹脂に分散して成るものである。粒子としては、Ｎｉ、Ａｕコート樹脂など、樹脂はエポキシ系のものが挙げられる。
ＡＣＰ層１８０の厚みとしては、所定の圧に対して、接続面１３０Ｓと転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とできる厚さである。
本例の他の各部については、第１の例と同様のものが使用できる。
【００２５】
次に、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態例を図に基づいて説明する。
はじめに、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第１の例を、図２に基づいて説明する。
本例は、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材で、絶縁層１４０を電着樹脂層とする転写用配線部材を作製するものである。
先ず、ステンレス板材等の導電性で、剥離性を有するベース基板（図２（ａ））の導電性面上に、形成する配線部の形状に合わせた開口１６０Ａを有するレジスト１６０を形成する。（図２（ｂ））
レジストとしては、所定の解像性があり、耐めっき性で、処理性の良いものであれば限定されないが、ドライフィルムレジストがその処理性から好ましい。
次いで、レジスト１６０の開口１６０Ａに、配線部１２０をめっき形成する。（図２（ｃ））
導電性、コストの面から、銅めっき層および銅合金めっき層の単体あるいはこれらを主材とし、ニッケルめっき層等を積層した多層としたものが、通常、用いられる。
場合によっては、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、錫、クロム、金、銀、白金等を、めっき層としても良い。
めっき法としては、公知のめっき法が適用できる。
【００２６】
次いで、レジスト１６０を除去した（図２（ｄ））後、形成する接続部の高さに合わせ電着樹脂層からなる絶縁層１４０を電着形成する。（図２（ｅ））
電着液（電着剤）１５５に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、後述する製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００２７】
特に、絶縁信頼性の点から、好ましい電着液（電着剤）１５５としては、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物が挙げられる。 ポリイミドとしては、溶剤可溶で、耐熱性、絶縁性、機械的強度を保てれば良く、各種の芳香族酸ジ無水物と、芳香族ジアミンとを、目的、機能により選択する。
これらの芳香族酸ジ無水物と、芳香族ジアミンとを加熱、脱水してポリイミドが合成される。
電着する機能を付加させるために、官能基、イオン性基を導入する。例えば、カルボン酸を導入する。この場合の方法としては、芳香族ジアミンとして、芳香族ジアミノカルボン酸等を用いることができる。
尚、良好な接着性を持たせるためには、ジアミノジフェニルスルホンなどを導入する。
【００２８】
このような、絶縁膜を形成するための電着塗料組成物を電着形成するためのポリイミドの電着液の作製については、特公昭５１−１５０６１号公報の記載、特公昭４６−１７４１５号公報の記載、特開平９−１０４８３９号公報の記載を基に、これらの記載の方法の組合せにより、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分とを仕込み合成した結果生じる、イミド結合とアミック酸を有するカルボン酸含有のポリイミドも合成可能である。
さらには、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分の他にカルボン酸含有のモノマーをあらかじめ合成時に仕込み、最終的にイミド結合、アミック酸、カルボン酸官能基を含むポリイミドワニスを合成できる。
電着液とするためには、このワニスにアミン等の塩基を添加し、イミド結合の一部を更に開環させ、中和塩を形成し、水と必要により各種溶剤を添加することにより、ポリイミドの電着液の製造ができる。
尚、特公昭５１−１５０６１号公報には、主鎖中の末端にカルボキシル基を有し、繰り返し単位中にイミド結合を有するポリイミドなどに、アンモニア、アミンあるいはその他の塩基を作用させて一部を開環させ、繰り返し単位中のイミド結合をアミドカルボン酸のアンモニウム塩、アミン塩にし、界面活性剤を含む水溶液中で強制攪拌して分散させてなる、ポリイミドの電着液の製造方法が記載されている。
また、特公昭４６−１７４１５号公報には、繰り返し単位中にイミド結合を有するポリイミドの製造方法として、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分とを、フェノール系溶媒中で加熱反応させて、イミド化率の高い溶剤可溶型ポリイミド樹脂を直接得る方法が記載されている。
また、特開平９−１０４８３９号公報には、芳香族ジアミンとして、芳香族ジアミノカルボン酸等を用い、他の芳香族テトラカルボン酸と他の芳香族ジアミン成分とを、フェノール系溶媒中で加熱反応させ、イミド化率の高い電着型ポリイミド樹脂を直接得る方法が記載されている。
【００２９】
ここでは、ポリイミドとしては、ポリイミドの前駆体でなく、ポリイミドとすることによって、保存安定性を増している。
使用できるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンをほぼ等量用い、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの有機極性溶媒中で加熱、重縮合する。必要に応じて触媒を添加して１４０〜２００°Ｃに加熱し、縮合により生じた水を系外に除去する。
【００３０】
電着するために導入する官能基すなわちイオン性基としては、アニオン性基であるならば、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、フェノール基等を、カチオン性基としては、例えば、アミノ基等を用いる。アニオン性基を導入する場合、特にカルボン酸基が好ましく、モノマーとしてはジアミノ安息香酸等が用いられる。
【００３１】
アニオン電着液の場合、溶媒中に溶解したアニオン性基を有する電着用ポリイミドを塩基性化合物で中和し、適当な溶剤、水を添加する。塩基性化合物としては、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、メチルモルホリンなどを使うことができる。
カチオン電着液の場合、溶媒中に溶解したカチオン性基を有する電着液用ポリイミドを酸性化合物で中和し、適当な溶剤、水を添加する。酸性化合物としては、ギ酸、乳酸、酢酸、酪酸等を使うことができる。
【００３２】
溶剤としては多種用いることができる、水洗時の安定性を考慮すると、比較的親油性の材料が用いられ、適度な電着後のフロー性を調節できる。
【００３３】
樹脂を乳化し、分散する方法としては、均一に攪拌できるものであれば何でも良く、超音波分散塩なども使用できる。
【００３４】
次いで、接続部を形成する所定位置の絶縁層１４０に、レーザ等によりは配線部１２０に達する孔１４５を開ける。（図２（ｆ））
レーザとしては、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等が用いられる。
【００３５】
次いで、孔１４５に配線部１２０に接続する柱状の接続部１３０をめっき形成する。
この場合も、配線部１２０のめっきの場合と同様に、導電性、コストの面から、銅めっき層および銅合金めっき層の単体あるいはこれらを主材とし、ニッケルめっき層等を積層した多層としたものが、通常、用いられ、公知のめっき法が適用される。（図２（ｇ））
このようにして、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材で絶縁層１４０を電着樹脂層とする転写用配線基板が作製される。
【００３６】
（変形例）
本例の電着樹脂層からなる絶縁層１４０の形成に代え、スクリーン印刷法による絶縁樹脂層を、接続部１３０の接続面１３０Ｓが露出するように、ほぼ接続面１３０Ｓの高さに形成した場合にも、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を形成することができる。
また、接続部の形成を金属めっき形成によらず、導電性ペーストの埋め込みによっても良い。
導電性ペーストの埋め込み方法としては、スクリーン印刷法やスキージ法が一般的である。
あるいはまた、接続部の形成を導電性電着層の電着形成により行なっても良い。
【００３７】
次に、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第２の例を、図３に基づいて説明する。
本例は、図１（ｂ）に示す第２の例の転写用配線部材で、耐久版からなる転写用配線部材を作製する方法である。
先ず、ステンレス板材等の導電性で、剥離性を有するベース基板（図３（ａ））の導電性面上に、形成する配線部の形状に合わせた開口１７０Ａを有するレジスト１７０を形成する。（図３（ｂ））
レジストとしては、所定の解像性があり、耐めっき性で、繰り返し選択めっきができるもの、ノボラック系のＯＭＲネガ型レジスト（東京応化工業株式会社製）等が使用される。
レジスト１７０厚としては、めっき形成する配線部１２０の厚さより薄い方が好ましい。
次いで、レジスト１７０の開口１７０Ａに、配線部１２０をめっき形成し（図３（ｃ））、レジスト１７０を付けたまま、さらに露出した配線部１２０上に、形成する接続部１３０の高さに合わせ、電着樹脂層１４５を電着形成する。（図３（ｄ））
電着樹脂層１４５の形成は、第１の例の転写用配線部材の製造方法と同様にして行なう。
次いで、第１の例の方法と同様にして、接続部１２０を形成する位置の合わせ、電着樹脂層１４５に孔開けする。（図３（ｅ））
この後、第１の例の方法と同様にして、孔部１４５Ａに接続部を形成する。（図３（ｆ））
このようにして、図１（ｂ）に示す第２の例の転写用配線部材で絶縁層を電着樹脂層１４５とする転写用配線部材が作製される。
【００３８】
次いで、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第３の例を、図４に基づいて説明する。
本例は、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を作製する方法であるが、第１の方法やその変形例の場合とは異なり、配線部１２０、接続部１３０を選択めっき形成した後に、配線部１２０、接続部１３０を覆うように絶縁層１４０を形成した後に、研磨により絶縁層１４０の厚みを制御し、接続部１３０の接続面を露出するものである。
第１の例の方法と同様にして、配線部１２０をベース基板１１０上に、選択めっき形成した（図４（ｄ））後、配線部１２０を形成するための製版と同様にして、接続部１３０を形成するための製版をドライフィルムレジストを用いて行なう。（図４（ｅ））
形成する接続部位置に開口１６７Ａを有するレジスト１６７を形成する。
次いで、レジスト１６７の開口１６７Ａに第１の例の方法と同様にして接続部１３０をめっき形成する。（図４（ｆ））
この後、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように、スクリーン印刷により絶縁層１４０を塗布形成する。（図４（ｇ））
必要に応じ、乾燥、熱処理をした後、絶縁層１４０を研磨して、接続部１３０の接続面１３０Ｓを露出させる。（図４（ｈ））
ｔ１については、研磨作業の面からは薄い方が好ましい。
このようにして、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材が作製される。
【００３９】
（変形例）
第３の例の方法において、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように、スクリーン印刷により絶縁層１４０の塗布を行わず、接続部の接続面を露出させるように、パタン印刷し、研磨を行わない方法でも良いことは、言うまでもない。
また、第３の例の方法において、絶縁層１４０の形成を電着にて行なうこともできる。
また、接続部の形成を金属めっき形成によらず、導電性ペーストの埋め込みによっても良い。
導電性ペーストの埋め込み方法としては、スクリーン印刷法やスキージ法が一般的である。
あるいはまた、接続部の形成を導電性電着層の電着形成により行なっても良い。
【００４０】
次いで、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第４の例を、図４に基づいて説明する。
本例は、図１（ｃ）に示す第３の例の転写用配線部材を作製する方法であるが、第３の例の方法と同様、配線部１２０、接続部１３０を選択めっき形成した後に、配線部１２０、接続部１３０を覆うように絶縁層１４０を形成した後に、研磨により絶縁層１４０の厚みを制御し、接続部１３０の接続面を露出するものである。
本例は、第３の例の方法と同様に、接続部形成のための製版を行なった（図４（ｆ））後、スクリーン印刷法により絶縁層１４０を、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓをも含み、配線部１２０と、接続部１３０とを、接続面１３０Ｓの高さより高く、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層で覆う。（図４（ｉ））
ｔ２は、転写の際、絶縁層１４０を排除し、接続面１３０Ｓと被転写配線基板の配線部とが直接接触できる幅で、小さいほど好ましい。
接続面１３０Ｓを薄く絶縁層１４０で覆った状態のものをこのまま転写用配線部材とする。
この場合、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用配線部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を被転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用配線部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続する。
【００４１】
次いで、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第５の例を、図５に基づいて説明する。
本例は、図１（ｄ）に示す第４の例の転写用配線部材を作製する方法であるが、第３の例の方法、第４の例の方法と同様、配線部１２０、接続部１３０を選択めっき形成した（図５（ｆ））後、ＡＣＰ層を、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように形成するものである。（図５（ｇ））
ＡＣＰ層の形成方法としては、ディスペンスコート法が一般に用いられる。
【００４２】
次に、本発明の転写用配線部材の使用方法を図６（ａ）〜図６（ｆ）に基づいて説明する。
１例として、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を用い、その配線部１２０を絶縁層１４０を介して、半導体ペレットの端子面側に転写形成する場合の使用方法を説明する。
先ず、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材（図６（ａ））と、半導体ペレット１９０（図６（ｂ））を用意し、転写用配線部材の絶縁層１４０側を半導体ペレット１９０の端子１９１が形成された端子面側に向け、且つ、接続部１３０の接続面１３０Ｓを対応する端子１９１に合わせ、絶縁層１４０を介して両者を圧着する。（図６（ｃ））
次いで、ベース基板１１０のみを剥離し（図６（ｄ））、配線部１２０を半導体ペレット１９０の端子１９１が形成された端子面に転写形成するとともに、端子１９１を介して、配線部１２０と半導体ペレット１９０の回路（配線）とを接続する。
このようにして、本発明の転写用配線部材の配線部１２０を被転写基材に転写形成するとともに、配線部１２０を被転写基材の配線に接続することができる。
【００４３】
次に、本発明の配線基板の実施の形態の１例を挙げ、説明する。
本例は、半導体ペレットの端子を形成した側の面である端子面上に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させてある半導体装置で、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を用い、図６（ａ）〜図６（ｅ）に示す方法にて作製されたものである。
先に説明したようにして、図６（ｄ）に示すように、半導体ペレットの端子面側に配線部１２０を転写形成し、且つ、配線部１２０を半導体ペレット１９０の回路（配線）と接続した後、更に、バンプ（端子部）１９５を形成して本例の半導体装置を得ることができる。
尚、バンプ（端子部）１９５形成に際しては、ニッケルめっき、金めっき等の表面処理を必要に応じて施しておく。
バンプ（端子部）１９５の配列は、例えば、図６（ｆ）のように二次元的に配列させる。
半導体ペレット１９０の端子面に図７に示すように端子４１５が配列されていても、図６（ｆ）のように二次元的に配列させることができ、実装性の良いものとしている。
【００４４】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を説明する。
（実施例１）
実施例１は、図２に示す第１の例の転写用配線部材の製造方法で、図６（ｅ）に示す半導体装置を形成するための、図１（ａ）に示す形態の転写用配線部材で、絶縁層１４０を電着樹脂層とする転写用配線部材を作製したものである。
図２、図１に基づいて説明する。
導電性基板１１０として厚さ２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４，新日本製鉄株式会社製）からなるベース基板１１０（図２（ａ））を用い、この一面上に、３０μｍ厚のドライフィルムレジスト１６０（旭化成工業製、ＡＸ１１０）を膜形成した後、所定のパタン版を用いて、露光、現像して、作成する配線部の形状に開口１６０Ａを有するレジスト層１６０を形成し（図２（ｂ））、以下のめっき条件にて、開口部１６０Ａに銅めっき層を８μｍ厚に電解めっきにより形成して、配線部１２０を形成した。（図２（ｃ））
ベース基板１１０と含燐銅電極とを対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に導電性基板１１０を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、レジストに覆われていない導電性基板１１０の露出部に膜厚約８μｍの銅めっき膜形成した。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４５】
次いで、レジスト１６０を所定の剥離液にて剥離除去した（図２（ｄ））後、形成する接続部の高さに合わせ電着樹脂層からなる絶縁層１４０を、以下のようにして電着形成した。（図２（ｅ））
ベース基板１１０を白金電極と対向させ、下記のようにして調整したアニオン型の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極にベース基板１１０を、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、ベース基板１１０の配線部１２０形成側の表面に、配線部１２０全体を覆うようにして、厚さ１５μｍの接着性を有する電着樹脂層（絶縁層１４０）を形成した。（図２（ｅ））
以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
この後、電着樹脂部を温度２００°Ｃで硬化させた。
【００４６】
次いで、炭酸ガスレーザーを用いて、電着樹脂層１３０を孔開け加工して、配線部の所定部分を露出させた（図２（ｆ））後、Ｃｕめっきを施し、孔部１４０を埋める接続部１３０をめっき形成した。（図２（ｇ））
めっき液組成等のめっき条件は前述のＣｕめっきと同様で、めっき時間のみを変えた。
【００４７】
このようにして得られた転写用配線部材（図２（ｇ），図１（ａ）に相当）を用い、図７に示すような端子形状を持つ半導体ペレットの端子面側に配線部１２０側を圧着し（図６（ｃ））、ベース基板１１０をはがし配線部１２０を転写形成した。（図６（ｄ））
圧着条件は、以下の通りであった。
圧力 ６ｋｇｆ／ｃｍ2
温度 ２００℃
次いで、スクリーン印刷法により、ハンダバンプを印刷し、２６０℃でリフローして、バンプ１９５を形成した。（図６（ｅ））
このようにして得られた半導体装置を実装してみたが、とくに、問題はなかった。
尚、半導体ペレットの端子数は５００ピン、０. ５ｍｍピッチで、バンプの配列はエリアアレイ配列である。
【００４８】
（実施例２）
実施例２は、図４に示す第４の例の転写用配線部材の製造方法で、図６（ｅ）に示す半導体装置を形成するための、図１（ａ）に示す形態の転写用配線部材で、絶縁層１４０をスクリーン印刷塗布し、更に研磨して作製したものである。
図４、図１に基づいて説明する。
実施例１と同様にして、導電性基板１１０として厚さ２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４，新日本製鉄株式会社製）からなるベース基板１１０（図４（ａ））を用い、この一面上に、３０μｍ厚のドライフィルムレジスト１６５（旭化成工業製、ＡＸ１１０）を膜形成した後、所定のパタン版を用いて、露光、現像して、作成する配線部の形状に開口１６５Ａを有するレジスト層１６５を形成し（図４（ｂ））、以下のめっき条件にて、開口部１６５Ａに銅めっき層を８μｍ厚に電解めっきにより形成して、配線部１２０を形成した。（図４（ｃ））
次いで、レジスト１６０を所定の剥離液にて剥離除去した（図４（ｄ））後、同様に、３０μｍ厚のドライフィルムレジスト１６７（旭化成工業製、ＡＸ１１０）を膜形成した後、所定のパタン版を用いて、露光、現像して、作成する接続部の、位置、形状に開口１６７Ａを有するレジスト層１６７を形成し（図４（ｅ））、配線部１２０形成と同様にして接続部１３０をめっき形成した。（図４（ｆ））
めっき厚は５０μｍとした。
【００４９】
次いで、以下の組成の絶縁層をスクリーン印刷により、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように、前面に塗布し、乾燥、熱処理をし、硬化させた。
絶縁層は、セントラル硝子株式会社製、ＦＰＰ−３０１０を用いた。
【００５０】
次いで、以下のように、接続部１３０の接続面１３０Ｓを露出させるまで、絶縁層１４０を研磨して、目的とする転写用配線基板を得た。
（研磨方法）
テープ状研磨シートを用い、研磨を行った。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、被転写配線基板に転写用配線部材の配線部を転写形成するとともに、同時に、簡単に転写用配線部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続できる転写用配線部材の提供、およびその製造方法の提供を可能としている。
これにより、具体的には、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式の半導体装置を作製する際、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なうことを可能にしている。
即ち、更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、且つ、半導体ペレットのプリント基板への搭載が実用レベルで行え、ＢＧＡよりも信頼性の面で優れたＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置の提供を可能にしている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第１の例の概略断面図で、図１（ｂ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第２の例の概略断面図で、図１（ｃ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第３の例の概略断面図で、図１（ｄ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第４の例の概略断面図である。
【図２】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第１の例の工程断面図
【図３】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第２の例の工程断面図
【図４】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第３の例、第４の例の工程断面図
【図５】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第５の例の工程断面図
【図６】図６（ｅ）は本発明の配線基板（半導体装置）の１例の概略断面図で、図６（ｆ）はバンプ（端子部）の配置を示した図で、図６（ａ）〜図６（ｅ）はその製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７】半導体ペレットとその端子配列を説明するための図
【符号の説明】
１１０ ベース基板（導電性基板）
１２０ 配線部
１３０ 接続部
１３０Ｓ 接続面
１４０ 絶縁層
１４０Ａ 孔
１４５ 電着樹脂層
１４５Ａ 孔
１６０、１６５ レジスト層
１６０Ａ，１６５Ａ 開口部
１７０ （耐久版用の）レジスト
１７０Ａ 開口部
１８０ ＡＣＰ層
１９０ 半導体ペレット
１９１ 端子
１９５ バンプ（端子部）
【発明の属する技術分野】
本発明は、転写時に、配線部の形成と配線の接続を同時に行なうことができる転写用配線部材とその製造方法、および転写用配線部材を用いた配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子は、ますます高集積化、高性能化の一途をたどってきており、その端子数の増加も著しい。
通常、図７（ａ）に示すように、半導体素子を搭載する半導体ペレット４１０は、その一面の周辺部に端子部（パッドとも言う）４１５を設けており、多数の端子を有するため、その端子間ピッチは狭く、これを直接プリント基板に搭載することが難しく、一般には、半導体ペレットを一旦リードフレーム等に搭載し、その端子間隔を実質的に拡大した状態の半導体装置の形態で、プリント基板に搭載していた。 尚、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＣ１−Ｃ２における断面図である。
半導体ペレットをリードフレームに搭載する半導体装置の例としては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのものが、特に多端子に対応できるものとして知られている。
ＱＦＰは、ダイパッド上に半導体ペレットを搭載し、銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード先端部と半導体ペレットの端子とをワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多端子化に対応できるものとして開発されてきた。
【０００３】
しかし、半導体素子の信号処理の高速化、高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになってきた。
ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するため、フオーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難しくなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題を抱えていた。
即ち、ＱＦＰでも、更なる半導体ペレットの多端子化に対応できなくなってきた。
【０００４】
これに対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体ペレットを搭載し、もう一方の面に球状の半田ボールを通じて半導体ペレットの端子と外部端子（半田ボール）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパッケージである。
ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対応できた。
このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材の片面に半導体ペレットを塔載するダイパッドと半導体ペレットの端子からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と電気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成した外部接続をもち、外部接続とボンディングパッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接続している構造である。
しかし、このＢＧＡは、めっき形成したスルーホールを介して、半導体ペレットの端子とボンディングワイヤで結線を行う回路と、半導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部接続部（単に外部端子部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が多かった。
【０００５】
一方、プリント基板への実装密度を上げるために、ＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) の開発も盛んになってきている。
更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、半導体ペレットのプリント基板への搭載を実用レベルで可能とし、実装密度を上げることができるＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置が求められてきた。
最近では、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式のものも試みられるようになってきた。
しかし、配線部の形成と、配線部と半導体ペレットの端子との接続の両方を、簡単に行なうことが難しく問題になっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、更なる半導体ペレットの多端子化に対応できる、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式のものについては、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なえる方法が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、具体的には、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式の半導体装置を作製する際、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なえる転写用配線部材の提供と、その製造方法を提供しようとするものである。
これにより、更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、且つ、半導体ペレットのプリント基板への搭載が実用レベルで行え、ＢＧＡよりも信頼性の面で優れたＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の転写用配線部材は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、あるいは、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであることを特徴とするものである。
あるいは、本発明の転写用配線部材は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、前記接続面と転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであることを特徴とするものである。そして、上記において、被転写配線基板が、半導体ペレット単体ないし、半導体ペレットを多数面付けしたウエハであることを特徴とするものである。
尚、ＡＣＰ層は、Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ（あるいはＦｉｌｍ）層の略で、通常、絶縁性樹脂中に銀粒子等の導電性粒子を分散させた層で、所定領域に圧をかけることにより、その領域の導電性粒子同志を接触させた状態とできる。
【０００８】
本発明の転写用配線部材の製造方法は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用配線部材で、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ａ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｂ）選択めっき形成された配線部を覆うように絶縁性の電着樹脂層を形成する電着工程と、（ｃ）接続部を形成するための開口を、電着樹脂層に開ける開口部形成工程と、（ｄ）金属めっきにより、あるいは導電性ペーストを埋め込むことにより、あるいは、導電性の電着層を電着形成することにより、開口部に、接続部を形成する接続部形成工程とを行なうことを特徴とするものである。
そして、上記において、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするものである。
【０００９】
あるいは、本発明の転写用配線部材の製造方法は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用配線部材で、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、あるいは、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ｅ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｆ）製版により、接続部を形成する配線部の所定位置を露出させて、耐めっき性のレジストで覆い、接続部を選択めっき形成する接続部形成工程と、（ｇ）耐めっき性のレジストを除去した後、接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆う、あるいは、接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、絶縁層で覆い、更に必要に応じて研磨して、絶縁層をほぼ接続面の高さにし、接続面を露出させる、絶縁層形成工程とを行なうことを特徴とするものである。
そして、上記において、絶縁層を電着により形成することを特徴するものであり、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、絶縁層をスクリーン印刷により形成することを特徴するものである。
【００１０】
あるいはまた、本発明の転写用配線部材の製造方法は、ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、前記接続面と転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ｈ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｉ）製版により、接続部を形成する配線部の所定位置を露出させて、耐めっき性のレジストで覆い、接続部を選択めっき形成する接続部形成工程と、（ｊ）耐めっき性のレジストを除去した後、 接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆う、ＡＣＰ層形成工程とを行なうことを特徴とするものである。
【００１１】
そして、上記いずれかにおいて、被転写配線基板が、半導体ペレット単体ないし、半導体ペレットを多数面付けしたウエハであることを特徴とするものである。
尚、この場合、半導体ペレットの端子面は、半導体ペレットの端子の上面に合わせ、端子領域を除き、全体をほぼ一面に平坦化する絶縁性の平坦化層で覆われている。
【００１３】
【作用】
本発明の転写用配線部材は、このような構成にすることにより、転写の際に、配線部と接続部とを被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、同時に、簡単に転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続できる転写用配線部材の提供を可能としている。
これにより、具体的には、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式の半導体装置を作製する際、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なえる転写用配線部材の提供を可能にしている。即ち、更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、且つ、半導体ペレットのプリント基板への搭載が実用レベルで行え、ＢＧＡよりも信頼性の面で優れたＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置の提供を可能にしている。
また、本発明の転写用配線部材は、フリップチップ等を配線基板に搭載するためのインターポーザないし、半導体ペレットと一体としてＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置を形成する配線部材として使用できる。
さらにまた、本発明の転写用配線部材は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの配線基板や、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）配線基板にも適用できることは言うまでもない。
【００１４】
本発明の転写用配線部材の製造方法は、このような構成にすることにより、本発明の転写用配線部材の作製を可能とするもので、請求項４に記載のものは、配線部を形成するめっき処理に引き続き絶縁層を電着形成でき、且つ、選択めっきするための製版は、１回以下ですみ、作業が簡単なものとなる。
特に、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることにより、絶縁層をポリイミドとすることができ、且つ、電着剤を保存安定性の良いものとしている。
請求項６に記載のものは、配線部の選択めっき形成に引き続き、接続部を選択めっき形成するもので、請求項４の方法のように接続部形成のための絶縁層の孔開けを必要とせずに、製版を繰り返すだけで、接続部の形成を品質的に安定して行なうことができる。
請求項９に記載のものも、請求項６に記載のものと同様、配線部の選択めっき形成に引き続き、接続部を選択めっき形成するもので、請求項４の方法のように接続部形成のための絶縁層の孔開けを必要とせずに、製版を繰り返すだけで、接続部の形成を品質的に安定して行なうことができ、ＡＣＰ層を用いているため、その作製をさらに簡単としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を挙げて、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第１の例の概略断面図で、図１（ｂ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第２の例の概略断面図で、図１（ｃ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第３の例の概略断面図で、図１（ｄ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第４の例の概略断面図で、図２は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第１の例の工程断面図で、図３は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第２の例の工程断面図で、図４は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第３の例、第４の例の工程断面図で、図５は本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第５の例の工程断面図で、図６（ｅ）は本発明の配線基板（半導体装置）の１例の概略断面図で、図６（ｆ）はバンプ（端子部）の配置を示した図で、図６（ａ）〜図６（ｅ）はその製造方法を説明するための工程断面図である。
尚、図６（ｆ）は図６（ｅ）のＡ１側からみたものである。
図１〜図６中、１１０はベース基板（導電性基板）、１２０は配線部、１３０は接続部、１３０Ｓは接続面、１４０は絶縁層、１４０Ａは孔、１４５は電着樹脂層、１４５ａは孔、１６０、１６５はレジスト層、１６０Ａ，１６５Ａは開口部、１７０は（耐久版用の）レジスト、１７０Ａは開口部、１８０はＡＣＰ層、１９０は半導体ペレット、１９１は端子、１９５はバンプ（端子部）である。
【００１７】
はじめに、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第１の例を図１（ａ）に基づいて説明する。
第１の例は、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材で、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓを露出するようにして、配線部１２０と、接続部１３０とを、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層１４０で覆っているものである。
そして、転写の際には、前記絶縁層１４０を介して、配線部１２０と接続部１３０とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部１３０を転写形成するとともに、直接、前記接続面１３０Ｓを転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部１３０と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである。
【００１８】
ベース基板１１０としては、配線部１２０、絶縁層１４０から剥離しやすく、且つ、少なくとも配線部をめっき形成する面を導電性としたものが使用される。
ステンレス材が通常使用されるが、これに限定はされない。
【００１９】
配線部１２０は、選択めっき形成された導電性層からなり、材質としては 銅および銅合金、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、錫、クロム、金、銀、白金等が挙げられる。
めっき法としては、公知のめっき法が適用できる。
導電性、コストの面から、銅めっき層および銅合金めっき層の単体あるいはこれらを主材とし、ニッケルめっき層等を積層した多層としたものが、通常、用いられる。
【００２０】
絶縁層１４０としては、絶縁性、化学的安定性、強度の面で優れたものが好ましく、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が好ましが、これに限定はされない。
絶縁層１４０として電着樹脂層を用いても良い。
【００２１】
接続部１３０は、金属めっき層、あるいは導電性ペースト、あるいは導電性の電着層から成る。
金属めっき層の場合も、銅および銅合金単体あるいは銅めっき層を主材とするものが導電性、コストの面から、使用される。
【００２２】
次に、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第２の例を図１（ｂ）に基づいて説明する。
第２の例は、第１の例と同様、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材で、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓを露出するようにして、配線部１２０と、接続部１３０とを、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層である電着樹脂１４５で覆っているものであり、転写の際には、前記絶縁層である電着樹脂１４５を介して、配線部１２０と接続部１３０とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部１３０を転写形成するとともに、直接、前記接続面１３０Ｓを転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部１３０と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであるが、本例の場合は、ベース基板１１０とレジストとで配線部１２０を選択めっき形成するための耐久版を形成しており、且つ、電着樹脂層１４５を絶縁層として、配線部１２０、接続部１３０形成領域のみに、設けている。
本例の各部については、第１の例と同様のものが使用できる。
レジスト１７０としては、所定の解像性があり、耐めっき性に優れていることが必要で、且つ、処理性の良いものが好ましく、特に限定はされない。
具体的には、ノボラック系のＯＭＲネガ型レジスト（東京応化工業株式会社製）等が挙げられる。
【００２３】
次に、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第３の例を図１（ｃ）に基づいて説明する。
第３の例は、第１の例と同様、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材であるが、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓをも含み、配線部１２０と、接続部１３０とを、接続面１３０Ｓの高さより高く、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層１４０で覆っている点が、第１の例と異なる。
ｔ２は、転写の際、絶縁層１４０を排除し、接続面１３０Ｓと被転写配線基板の配線部とが直接接触できる幅で、小さいほど好ましい。
それ以外については、第１の例と同じである。
本例の各部については、第１の例と同様のものが使用できる。
【００２４】
次に、本発明の転写用配線部材の実施の形態の第４の例を図１（ｄ）に基づいて説明する。
第４の例は、第１の例と同様、ベース基板１１０の導電性面に、選択めっき形成された配線部１２０と、所定位置にて配線部１２０と接続し、ベース基板１１１０面と直交し、ベース基板１１０から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部１３０とを備えた転写用部材であるが、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓをも含み、配線部１２０と、接続部１３０とを、接続面１３０Ｓの高さより高く、ＡＣＰ層１８０で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層１８０を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、接続面１３０Ｓと転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである。
ＡＣＰ層１８０としては、導電性の粒子を接着性のあるバインダー樹脂に分散して成るものである。粒子としては、Ｎｉ、Ａｕコート樹脂など、樹脂はエポキシ系のものが挙げられる。
ＡＣＰ層１８０の厚みとしては、所定の圧に対して、接続面１３０Ｓと転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とできる厚さである。
本例の他の各部については、第１の例と同様のものが使用できる。
【００２５】
次に、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態例を図に基づいて説明する。
はじめに、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第１の例を、図２に基づいて説明する。
本例は、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材で、絶縁層１４０を電着樹脂層とする転写用配線部材を作製するものである。
先ず、ステンレス板材等の導電性で、剥離性を有するベース基板（図２（ａ））の導電性面上に、形成する配線部の形状に合わせた開口１６０Ａを有するレジスト１６０を形成する。（図２（ｂ））
レジストとしては、所定の解像性があり、耐めっき性で、処理性の良いものであれば限定されないが、ドライフィルムレジストがその処理性から好ましい。
次いで、レジスト１６０の開口１６０Ａに、配線部１２０をめっき形成する。（図２（ｃ））
導電性、コストの面から、銅めっき層および銅合金めっき層の単体あるいはこれらを主材とし、ニッケルめっき層等を積層した多層としたものが、通常、用いられる。
場合によっては、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、錫、クロム、金、銀、白金等を、めっき層としても良い。
めっき法としては、公知のめっき法が適用できる。
【００２６】
次いで、レジスト１６０を除去した（図２（ｄ））後、形成する接続部の高さに合わせ電着樹脂層からなる絶縁層１４０を電着形成する。（図２（ｅ））
電着液（電着剤）１５５に用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、後述する製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００２７】
特に、絶縁信頼性の点から、好ましい電着液（電着剤）１５５としては、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物が挙げられる。 ポリイミドとしては、溶剤可溶で、耐熱性、絶縁性、機械的強度を保てれば良く、各種の芳香族酸ジ無水物と、芳香族ジアミンとを、目的、機能により選択する。
これらの芳香族酸ジ無水物と、芳香族ジアミンとを加熱、脱水してポリイミドが合成される。
電着する機能を付加させるために、官能基、イオン性基を導入する。例えば、カルボン酸を導入する。この場合の方法としては、芳香族ジアミンとして、芳香族ジアミノカルボン酸等を用いることができる。
尚、良好な接着性を持たせるためには、ジアミノジフェニルスルホンなどを導入する。
【００２８】
このような、絶縁膜を形成するための電着塗料組成物を電着形成するためのポリイミドの電着液の作製については、特公昭５１−１５０６１号公報の記載、特公昭４６−１７４１５号公報の記載、特開平９−１０４８３９号公報の記載を基に、これらの記載の方法の組合せにより、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分とを仕込み合成した結果生じる、イミド結合とアミック酸を有するカルボン酸含有のポリイミドも合成可能である。
さらには、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分の他にカルボン酸含有のモノマーをあらかじめ合成時に仕込み、最終的にイミド結合、アミック酸、カルボン酸官能基を含むポリイミドワニスを合成できる。
電着液とするためには、このワニスにアミン等の塩基を添加し、イミド結合の一部を更に開環させ、中和塩を形成し、水と必要により各種溶剤を添加することにより、ポリイミドの電着液の製造ができる。
尚、特公昭５１−１５０６１号公報には、主鎖中の末端にカルボキシル基を有し、繰り返し単位中にイミド結合を有するポリイミドなどに、アンモニア、アミンあるいはその他の塩基を作用させて一部を開環させ、繰り返し単位中のイミド結合をアミドカルボン酸のアンモニウム塩、アミン塩にし、界面活性剤を含む水溶液中で強制攪拌して分散させてなる、ポリイミドの電着液の製造方法が記載されている。
また、特公昭４６−１７４１５号公報には、繰り返し単位中にイミド結合を有するポリイミドの製造方法として、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分とを、フェノール系溶媒中で加熱反応させて、イミド化率の高い溶剤可溶型ポリイミド樹脂を直接得る方法が記載されている。
また、特開平９−１０４８３９号公報には、芳香族ジアミンとして、芳香族ジアミノカルボン酸等を用い、他の芳香族テトラカルボン酸と他の芳香族ジアミン成分とを、フェノール系溶媒中で加熱反応させ、イミド化率の高い電着型ポリイミド樹脂を直接得る方法が記載されている。
【００２９】
ここでは、ポリイミドとしては、ポリイミドの前駆体でなく、ポリイミドとすることによって、保存安定性を増している。
使用できるポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミンをほぼ等量用い、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの有機極性溶媒中で加熱、重縮合する。必要に応じて触媒を添加して１４０〜２００°Ｃに加熱し、縮合により生じた水を系外に除去する。
【００３０】
電着するために導入する官能基すなわちイオン性基としては、アニオン性基であるならば、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、フェノール基等を、カチオン性基としては、例えば、アミノ基等を用いる。アニオン性基を導入する場合、特にカルボン酸基が好ましく、モノマーとしてはジアミノ安息香酸等が用いられる。
【００３１】
アニオン電着液の場合、溶媒中に溶解したアニオン性基を有する電着用ポリイミドを塩基性化合物で中和し、適当な溶剤、水を添加する。塩基性化合物としては、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、メチルモルホリンなどを使うことができる。
カチオン電着液の場合、溶媒中に溶解したカチオン性基を有する電着液用ポリイミドを酸性化合物で中和し、適当な溶剤、水を添加する。酸性化合物としては、ギ酸、乳酸、酢酸、酪酸等を使うことができる。
【００３２】
溶剤としては多種用いることができる、水洗時の安定性を考慮すると、比較的親油性の材料が用いられ、適度な電着後のフロー性を調節できる。
【００３３】
樹脂を乳化し、分散する方法としては、均一に攪拌できるものであれば何でも良く、超音波分散塩なども使用できる。
【００３４】
次いで、接続部を形成する所定位置の絶縁層１４０に、レーザ等によりは配線部１２０に達する孔１４５を開ける。（図２（ｆ））
レーザとしては、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等が用いられる。
【００３５】
次いで、孔１４５に配線部１２０に接続する柱状の接続部１３０をめっき形成する。
この場合も、配線部１２０のめっきの場合と同様に、導電性、コストの面から、銅めっき層および銅合金めっき層の単体あるいはこれらを主材とし、ニッケルめっき層等を積層した多層としたものが、通常、用いられ、公知のめっき法が適用される。（図２（ｇ））
このようにして、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材で絶縁層１４０を電着樹脂層とする転写用配線基板が作製される。
【００３６】
（変形例）
本例の電着樹脂層からなる絶縁層１４０の形成に代え、スクリーン印刷法による絶縁樹脂層を、接続部１３０の接続面１３０Ｓが露出するように、ほぼ接続面１３０Ｓの高さに形成した場合にも、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を形成することができる。
また、接続部の形成を金属めっき形成によらず、導電性ペーストの埋め込みによっても良い。
導電性ペーストの埋め込み方法としては、スクリーン印刷法やスキージ法が一般的である。
あるいはまた、接続部の形成を導電性電着層の電着形成により行なっても良い。
【００３７】
次に、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第２の例を、図３に基づいて説明する。
本例は、図１（ｂ）に示す第２の例の転写用配線部材で、耐久版からなる転写用配線部材を作製する方法である。
先ず、ステンレス板材等の導電性で、剥離性を有するベース基板（図３（ａ））の導電性面上に、形成する配線部の形状に合わせた開口１７０Ａを有するレジスト１７０を形成する。（図３（ｂ））
レジストとしては、所定の解像性があり、耐めっき性で、繰り返し選択めっきができるもの、ノボラック系のＯＭＲネガ型レジスト（東京応化工業株式会社製）等が使用される。
レジスト１７０厚としては、めっき形成する配線部１２０の厚さより薄い方が好ましい。
次いで、レジスト１７０の開口１７０Ａに、配線部１２０をめっき形成し（図３（ｃ））、レジスト１７０を付けたまま、さらに露出した配線部１２０上に、形成する接続部１３０の高さに合わせ、電着樹脂層１４５を電着形成する。（図３（ｄ））
電着樹脂層１４５の形成は、第１の例の転写用配線部材の製造方法と同様にして行なう。
次いで、第１の例の方法と同様にして、接続部１２０を形成する位置の合わせ、電着樹脂層１４５に孔開けする。（図３（ｅ））
この後、第１の例の方法と同様にして、孔部１４５Ａに接続部を形成する。（図３（ｆ））
このようにして、図１（ｂ）に示す第２の例の転写用配線部材で絶縁層を電着樹脂層１４５とする転写用配線部材が作製される。
【００３８】
次いで、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第３の例を、図４に基づいて説明する。
本例は、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を作製する方法であるが、第１の方法やその変形例の場合とは異なり、配線部１２０、接続部１３０を選択めっき形成した後に、配線部１２０、接続部１３０を覆うように絶縁層１４０を形成した後に、研磨により絶縁層１４０の厚みを制御し、接続部１３０の接続面を露出するものである。
第１の例の方法と同様にして、配線部１２０をベース基板１１０上に、選択めっき形成した（図４（ｄ））後、配線部１２０を形成するための製版と同様にして、接続部１３０を形成するための製版をドライフィルムレジストを用いて行なう。（図４（ｅ））
形成する接続部位置に開口１６７Ａを有するレジスト１６７を形成する。
次いで、レジスト１６７の開口１６７Ａに第１の例の方法と同様にして接続部１３０をめっき形成する。（図４（ｆ））
この後、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように、スクリーン印刷により絶縁層１４０を塗布形成する。（図４（ｇ））
必要に応じ、乾燥、熱処理をした後、絶縁層１４０を研磨して、接続部１３０の接続面１３０Ｓを露出させる。（図４（ｈ））
ｔ１については、研磨作業の面からは薄い方が好ましい。
このようにして、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材が作製される。
【００３９】
（変形例）
第３の例の方法において、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように、スクリーン印刷により絶縁層１４０の塗布を行わず、接続部の接続面を露出させるように、パタン印刷し、研磨を行わない方法でも良いことは、言うまでもない。
また、第３の例の方法において、絶縁層１４０の形成を電着にて行なうこともできる。
また、接続部の形成を金属めっき形成によらず、導電性ペーストの埋め込みによっても良い。
導電性ペーストの埋め込み方法としては、スクリーン印刷法やスキージ法が一般的である。
あるいはまた、接続部の形成を導電性電着層の電着形成により行なっても良い。
【００４０】
次いで、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第４の例を、図４に基づいて説明する。
本例は、図１（ｃ）に示す第３の例の転写用配線部材を作製する方法であるが、第３の例の方法と同様、配線部１２０、接続部１３０を選択めっき形成した後に、配線部１２０、接続部１３０を覆うように絶縁層１４０を形成した後に、研磨により絶縁層１４０の厚みを制御し、接続部１３０の接続面を露出するものである。
本例は、第３の例の方法と同様に、接続部形成のための製版を行なった（図４（ｆ））後、スクリーン印刷法により絶縁層１４０を、接続部１３０の被転写配線基板の配線部と接続する接続面１３０Ｓをも含み、配線部１２０と、接続部１３０とを、接続面１３０Ｓの高さより高く、ほぼ接続面１３０Ｓの高さで、絶縁層で覆う。（図４（ｉ））
ｔ２は、転写の際、絶縁層１４０を排除し、接続面１３０Ｓと被転写配線基板の配線部とが直接接触できる幅で、小さいほど好ましい。
接続面１３０Ｓを薄く絶縁層１４０で覆った状態のものをこのまま転写用配線部材とする。
この場合、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用配線部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を被転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用配線部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続する。
【００４１】
次いで、本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第５の例を、図５に基づいて説明する。
本例は、図１（ｄ）に示す第４の例の転写用配線部材を作製する方法であるが、第３の例の方法、第４の例の方法と同様、配線部１２０、接続部１３０を選択めっき形成した（図５（ｆ））後、ＡＣＰ層を、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように形成するものである。（図５（ｇ））
ＡＣＰ層の形成方法としては、ディスペンスコート法が一般に用いられる。
【００４２】
次に、本発明の転写用配線部材の使用方法を図６（ａ）〜図６（ｆ）に基づいて説明する。
１例として、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を用い、その配線部１２０を絶縁層１４０を介して、半導体ペレットの端子面側に転写形成する場合の使用方法を説明する。
先ず、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材（図６（ａ））と、半導体ペレット１９０（図６（ｂ））を用意し、転写用配線部材の絶縁層１４０側を半導体ペレット１９０の端子１９１が形成された端子面側に向け、且つ、接続部１３０の接続面１３０Ｓを対応する端子１９１に合わせ、絶縁層１４０を介して両者を圧着する。（図６（ｃ））
次いで、ベース基板１１０のみを剥離し（図６（ｄ））、配線部１２０を半導体ペレット１９０の端子１９１が形成された端子面に転写形成するとともに、端子１９１を介して、配線部１２０と半導体ペレット１９０の回路（配線）とを接続する。
このようにして、本発明の転写用配線部材の配線部１２０を被転写基材に転写形成するとともに、配線部１２０を被転写基材の配線に接続することができる。
【００４３】
次に、本発明の配線基板の実施の形態の１例を挙げ、説明する。
本例は、半導体ペレットの端子を形成した側の面である端子面上に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させてある半導体装置で、図１（ａ）に示す第１の例の転写用配線部材を用い、図６（ａ）〜図６（ｅ）に示す方法にて作製されたものである。
先に説明したようにして、図６（ｄ）に示すように、半導体ペレットの端子面側に配線部１２０を転写形成し、且つ、配線部１２０を半導体ペレット１９０の回路（配線）と接続した後、更に、バンプ（端子部）１９５を形成して本例の半導体装置を得ることができる。
尚、バンプ（端子部）１９５形成に際しては、ニッケルめっき、金めっき等の表面処理を必要に応じて施しておく。
バンプ（端子部）１９５の配列は、例えば、図６（ｆ）のように二次元的に配列させる。
半導体ペレット１９０の端子面に図７に示すように端子４１５が配列されていても、図６（ｆ）のように二次元的に配列させることができ、実装性の良いものとしている。
【００４４】
【実施例】
更に、実施例を挙げて本発明を説明する。
（実施例１）
実施例１は、図２に示す第１の例の転写用配線部材の製造方法で、図６（ｅ）に示す半導体装置を形成するための、図１（ａ）に示す形態の転写用配線部材で、絶縁層１４０を電着樹脂層とする転写用配線部材を作製したものである。
図２、図１に基づいて説明する。
導電性基板１１０として厚さ２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４，新日本製鉄株式会社製）からなるベース基板１１０（図２（ａ））を用い、この一面上に、３０μｍ厚のドライフィルムレジスト１６０（旭化成工業製、ＡＸ１１０）を膜形成した後、所定のパタン版を用いて、露光、現像して、作成する配線部の形状に開口１６０Ａを有するレジスト層１６０を形成し（図２（ｂ））、以下のめっき条件にて、開口部１６０Ａに銅めっき層を８μｍ厚に電解めっきにより形成して、配線部１２０を形成した。（図２（ｃ））
ベース基板１１０と含燐銅電極とを対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に導電性基板１１０を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ2 で２４分間の通電を行い、レジストに覆われていない導電性基板１１０の露出部に膜厚約８μｍの銅めっき膜形成した。
（硫酸銅めっき浴の組成）
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 ０ ２００ｇ／ｌ
Ｈ2 ＳＯ4 ５０ｇ／ｌ
ＨＣｌ ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
【００４５】
次いで、レジスト１６０を所定の剥離液にて剥離除去した（図２（ｄ））後、形成する接続部の高さに合わせ電着樹脂層からなる絶縁層１４０を、以下のようにして電着形成した。（図２（ｅ））
ベース基板１１０を白金電極と対向させ、下記のようにして調整したアニオン型の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極にベース基板１１０を、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０°Ｃ、５分間で乾燥、熱処理して、ベース基板１１０の配線部１２０形成側の表面に、配線部１２０全体を覆うようにして、厚さ１５μｍの接着性を有する電着樹脂層（絶縁層１４０）を形成した。（図２（ｅ））
以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポリイミドワニスを得た。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。
この後、電着樹脂部を温度２００°Ｃで硬化させた。
【００４６】
次いで、炭酸ガスレーザーを用いて、電着樹脂層１３０を孔開け加工して、配線部の所定部分を露出させた（図２（ｆ））後、Ｃｕめっきを施し、孔部１４０を埋める接続部１３０をめっき形成した。（図２（ｇ））
めっき液組成等のめっき条件は前述のＣｕめっきと同様で、めっき時間のみを変えた。
【００４７】
このようにして得られた転写用配線部材（図２（ｇ），図１（ａ）に相当）を用い、図７に示すような端子形状を持つ半導体ペレットの端子面側に配線部１２０側を圧着し（図６（ｃ））、ベース基板１１０をはがし配線部１２０を転写形成した。（図６（ｄ））
圧着条件は、以下の通りであった。
圧力 ６ｋｇｆ／ｃｍ2
温度 ２００℃
次いで、スクリーン印刷法により、ハンダバンプを印刷し、２６０℃でリフローして、バンプ１９５を形成した。（図６（ｅ））
このようにして得られた半導体装置を実装してみたが、とくに、問題はなかった。
尚、半導体ペレットの端子数は５００ピン、０. ５ｍｍピッチで、バンプの配列はエリアアレイ配列である。
【００４８】
（実施例２）
実施例２は、図４に示す第４の例の転写用配線部材の製造方法で、図６（ｅ）に示す半導体装置を形成するための、図１（ａ）に示す形態の転写用配線部材で、絶縁層１４０をスクリーン印刷塗布し、更に研磨して作製したものである。
図４、図１に基づいて説明する。
実施例１と同様にして、導電性基板１１０として厚さ２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４，新日本製鉄株式会社製）からなるベース基板１１０（図４（ａ））を用い、この一面上に、３０μｍ厚のドライフィルムレジスト１６５（旭化成工業製、ＡＸ１１０）を膜形成した後、所定のパタン版を用いて、露光、現像して、作成する配線部の形状に開口１６５Ａを有するレジスト層１６５を形成し（図４（ｂ））、以下のめっき条件にて、開口部１６５Ａに銅めっき層を８μｍ厚に電解めっきにより形成して、配線部１２０を形成した。（図４（ｃ））
次いで、レジスト１６０を所定の剥離液にて剥離除去した（図４（ｄ））後、同様に、３０μｍ厚のドライフィルムレジスト１６７（旭化成工業製、ＡＸ１１０）を膜形成した後、所定のパタン版を用いて、露光、現像して、作成する接続部の、位置、形状に開口１６７Ａを有するレジスト層１６７を形成し（図４（ｅ））、配線部１２０形成と同様にして接続部１３０をめっき形成した。（図４（ｆ））
めっき厚は５０μｍとした。
【００４９】
次いで、以下の組成の絶縁層をスクリーン印刷により、配線部１２０、接続部１３０全体を覆うように、前面に塗布し、乾燥、熱処理をし、硬化させた。
絶縁層は、セントラル硝子株式会社製、ＦＰＰ−３０１０を用いた。
【００５０】
次いで、以下のように、接続部１３０の接続面１３０Ｓを露出させるまで、絶縁層１４０を研磨して、目的とする転写用配線基板を得た。
（研磨方法）
テープ状研磨シートを用い、研磨を行った。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、被転写配線基板に転写用配線部材の配線部を転写形成するとともに、同時に、簡単に転写用配線部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続できる転写用配線部材の提供、およびその製造方法の提供を可能としている。
これにより、具体的には、半導体ペレットの端子面側に、選択めっき形成された配線部を設けて、半導体ペレットの端子とは別の、第２の端子部を二次元的に配列させる方式の半導体装置を作製する際、配線部の形成とともに、配線部と半導体ペレットの端子との接続を、簡単に行なうことを可能にしている。
即ち、更なる半導体ペレットの多端子化に対応でき、且つ、半導体ペレットのプリント基板への搭載が実用レベルで行え、ＢＧＡよりも信頼性の面で優れたＣＳＰ( Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ) タイプの半導体装置の提供を可能にしている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第１の例の概略断面図で、図１（ｂ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第２の例の概略断面図で、図１（ｃ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第３の例の概略断面図で、図１（ｄ）は本発明の転写用配線部材の実施の形態の第４の例の概略断面図である。
【図２】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第１の例の工程断面図
【図３】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第２の例の工程断面図
【図４】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第３の例、第４の例の工程断面図
【図５】本発明の転写用配線部材の製造方法の実施の形態の第５の例の工程断面図
【図６】図６（ｅ）は本発明の配線基板（半導体装置）の１例の概略断面図で、図６（ｆ）はバンプ（端子部）の配置を示した図で、図６（ａ）〜図６（ｅ）はその製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７】半導体ペレットとその端子配列を説明するための図
【符号の説明】
１１０ ベース基板（導電性基板）
１２０ 配線部
１３０ 接続部
１３０Ｓ 接続面
１４０ 絶縁層
１４０Ａ 孔
１４５ 電着樹脂層
１４５Ａ 孔
１６０、１６５ レジスト層
１６０Ａ，１６５Ａ 開口部
１７０ （耐久版用の）レジスト
１７０Ａ 開口部
１８０ ＡＣＰ層
１９０ 半導体ペレット
１９１ 端子
１９５ バンプ（端子部）
Claims (11)
- ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、あるいは、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであることを特徴とする転写用配線部材。
- ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、前記接続面と転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものであることを特徴とする転写用配線部材。
- 請求項１において、被転写配線基板が、半導体ペレット単体ないし、半導体ペレットを多数面付けしたウエハであることを特徴とする転写用配線部材。
- ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用配線部材で、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ａ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｂ）選択めっき形成された配線部を覆うように絶縁性の電着樹脂層を形成する電着工程と、（ｃ）接続部を形成するための開口を、電着樹脂層に開ける開口部形成工程と、（ｄ）金属めっきにより、あるいは導電性ペーストを埋め込むことにより、あるいは、導電性の電着層を電着形成することにより、開口部に、接続部を形成する接続部形成工程とを行なうことを特徴とする転写用配線部材の製造方法。
- 請求項４において、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とする転写用配線部材の製造方法。
- ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用配線部材で、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、あるいは、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆っており、転写の際には、前記絶縁層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、直接、前記接続面を転写配線基板の配線部に接するようにして、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ｅ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｆ）製版により、接続部を形成する配線部の所定位置を露出させて、耐めっき性のレジストで覆い、接続部を選択めっき形成する接続部形成工程と、（ｇ）耐めっき性のレジストを除去した後、接続面を露出するようにして、配線部と、接続部とを、ほぼ接続面の高さで、絶縁層で覆う、あるいは、接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、絶縁層で覆い、更に必要に応じて研磨して、絶縁層をほぼ接続面の高さにし、接続面を露出させる、絶縁層形成工程とを行なうことを特徴とする転写用配線部材の製造方法。
- 請求項６において、絶縁層を電着により形成することを特徴する転写用配線部材の製造方法。
- 請求項７において、電着により絶縁層を形成するための電着剤が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、前記ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物であることを特徴とする転写用配線部材の製造方法。
- 請求項６において、絶縁層をスクリーン印刷により形成することを特徴する転写用配線部材の製造方法。
- ベース基板の導電性面に、選択めっき形成された配線部と、所定位置にて配線部と接続し、ベース基板と直交し、ベース基板から離れる方向に柱状に設けられた、転写する先の配線基板である被転写配線基板の配線部と接続するための接続部とを備えた転写用部材であって、接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆っており、転写の際には、前記ＡＣＰ層を介して、配線部と接続部とを、被転写配線基板へ転写形成し、被転写配線基板に転写用部材の配線部を転写形成するとともに、圧により、前記接続面と転写配線基板の配線部との間のＡＣＰ層を導電性とし、転写用部材の配線部と被転写配線基板の配線部とを電気的に接続するものである転写用配線部材を、製造するための、転写用配線部材の製造方法であって、順に、（ｈ）ベース基板の一面上に、選択めっき形成された配線部を形成する配線部形成工程と、（ｉ）製版により、接続部を形成する配線部の所定位置を露出させて、耐めっき性のレジストで覆い、接続部を選択めっき形成する接続部形成工程と、（ｊ）耐めっき性のレジストを除去した後、
接続部の被転写配線基板の配線部と接続する接続面をも含み、配線部と、接続部とを、接続面の高さより高く、ＡＣＰ層で覆う、ＡＣＰ層形成工程とを行なうことを特徴とする転写用配線部材の製造方法。 - 請求項４ないし１０のいずれか１項において、被転写配線基板が、半導体ペレット単体ないし、半導体ペレットを多数面付けしたウエハであることを特徴とする転写用配線部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35391099A JP4489221B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 転写用配線部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35391099A JP4489221B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 転写用配線部材およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168130A JP2001168130A (ja) | 2001-06-22 |
| JP2001168130A5 JP2001168130A5 (ja) | 2006-11-16 |
| JP4489221B2 true JP4489221B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=18434058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35391099A Expired - Fee Related JP4489221B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 転写用配線部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4489221B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007034402B4 (de) * | 2006-12-14 | 2014-06-18 | Advanpack Solutions Pte. Ltd. | Halbleiterpackung und Herstellungsverfahren dafür |
| JP2009283738A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Kyushu Institute Of Technology | 配線用電子部品及びその製造方法 |
| KR102403960B1 (ko) * | 2014-12-25 | 2022-05-30 | 오쿠치 마테리얼스 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 기판, 반도체 장치용 배선부재 및 그 제조 방법 및 반도체 장치용 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129777A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子搭載用基板と半導体装置および転写用原版 |
| WO1998018164A1 (fr) * | 1996-10-17 | 1998-04-30 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, procede de fabrication, plaquette de circuit et substrat souple |
| WO1998030073A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| JPH11274241A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11274739A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
| JP2000252384A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 突起電極付き配線基板への熱可塑性接着剤層形成方法 |
-
1999
- 1999-12-14 JP JP35391099A patent/JP4489221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129777A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子搭載用基板と半導体装置および転写用原版 |
| WO1998018164A1 (fr) * | 1996-10-17 | 1998-04-30 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur, procede de fabrication, plaquette de circuit et substrat souple |
| WO1998030073A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| JPH11274739A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
| JPH11274241A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000252384A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 突起電極付き配線基板への熱可塑性接着剤層形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001168130A (ja) | 2001-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1841686A (zh) | 柔性印刷线路板的制造方法以及柔性印刷线路板 | |
| US20050142836A1 (en) | Method of forming bump pad of flip chip and structure thereof | |
| CN101471318A (zh) | Lga基板及其制造方法 | |
| JP4139533B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP4489221B2 (ja) | 転写用配線部材およびその製造方法 | |
| JP3642911B2 (ja) | リードフレーム部材とその製造方法 | |
| JP4286965B2 (ja) | 配線部材の製造方法 | |
| JP4249328B2 (ja) | 配線部材の製造方法 | |
| JP2009147117A (ja) | リードフレーム型基板の製造方法及び半導体基板 | |
| JP3074187B2 (ja) | 半導体パッケージ用チップ支持基板、半導体装置およびそれらの製造方法 | |
| JP4184540B2 (ja) | 配線基板とその製造方法 | |
| JP4043611B2 (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
| JP4124297B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JP4390930B2 (ja) | 積層配線基板とその製造方法、及び半導体装置 | |
| JPH0727789A (ja) | 回路配線板およびその製造方法 | |
| JP2000183223A (ja) | 配線部材の製造方法と配線部材 | |
| JP4270678B2 (ja) | 配線形成方法および転写版 | |
| JP2001060754A (ja) | 配線形成用転写部材とその製造方法、及び配線基板 | |
| JP2000077565A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH11274724A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP4372906B2 (ja) | 配線接続部形成方法 | |
| JP4090582B2 (ja) | ビルトアップ多層配線基板の製造方法および絶縁膜の形成方法 | |
| JP2000091719A (ja) | 絶縁被膜付き部材とそれを用いた配線基板、及び絶縁被膜付き部材の製造方法と配線基板の製造方法 | |
| JP2001168230A (ja) | シリコーン版およびシリコーン版の作製方法 | |
| JP4334711B2 (ja) | 電子部材への絶縁膜形成方法および電子部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060925 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061002 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090807 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100304 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100330 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100331 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |