JP2000059022A - 回路基板の製造方法と回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 選択めっき形成された配線部、充填タイプの
ビアホールに加え、ビアホールと該絶縁層の他の面側に
設けた外部端子部とを一体的に連結して設けた回路基板
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ビアホール１５０形成領域を覆う端子部
１３３Ａを含む配線部をめっき形成した転写版１３０
と、接着剤層１２０を形成したシート状の絶縁層１１０
とを、転写版１３０の配線部側を絶縁層１１０の第１の
面１１０Ａ側にして、位置合わせして密着させる工程
と、密着させた状態のまま、第２の面１１０Ｂ側から露
出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっき形成し
て、絶縁層の貫通孔部１３３を、第２面に達するように
埋めて、充填タイプのビアホール１５０を形成するめっ
き工程と、配線部のみをシート状の絶縁層に残した状態
で、転写版を剥離する工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に関する
もので、特に、シート状の絶縁層の少なくとも１面に選
択めっき形成された配線部を設け、充填タイプのビアホ
ールめっき形成した回路基板と、その製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小の傾向からＬＳＩ、ＡＳＩＣに代表される
ように、ますます高集横化、高性能化の一途をたどって
きている。これに伴い、信号の高速処埋には，パッケー
ジ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になっ
てきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッ
ケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与
える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに
対応してきた。この結果、半導体装置の高集積化、高機
能化は外部端子総数の増加を招き、半導体装置の多端子
化が求められるようになってきた。多端子ＩＣ、特にゲ
ートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩＣあ
るいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎ
ａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパフオーマンス
高くユーザに提供するパッケージとしてリードフレーム
を用いたプラステイックＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピンを
超えるものまで実用化に至っている。ＱＦＰは、ダイパ
ッド上に半導体素子を搭載し、銀めっき等の表面処理が
なされたインナーリード先端部と半導体素子の端子とを
ワイヤにて結線し、封止樹脂で封止を行い、この後、ダ
ムバー部をカットし、アウターリードを設けた構造で多
端子化に対応できるものとして開発されてきた。ここで
用いる単層リードフレームは、通常、４２合金（４２％
ニッケルー鉄合金）あるいは銅合金などの電気伝導率が
高く、且つ機械的強度が大きい金属材を素材とし、フオ
トエッチング法かあるいはスタンピング法により、外形
加工されていた。

【０００３】しかし、半導体素子の信号処理の高速化、
高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになっ
てきた。ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることによ
り、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に
対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端
子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するた
め、フオーミング等の後工程におけるアウターリードの
スキュ一対応やコプラナリティー（平坦性）維持が難し
くなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難
しくなるという問題を抱えていた。このようなＱＦＰの
実装面での間題に対応するため、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇ
ｒｉｇ Ａｒｒａｙ）と呼ぱれるプラスッテイックパッ
ケージが開発されてきた。このＢＧＡは、通常、両面基
板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の
半田ボールを通じて半導体素子と外部端子（半田ボー
ル）との導通をとったもので、実装性の対応を図ったパ
ッケージである。ＢＧＡはパッケージの４辺に外部端子
を設けたＱＦＰに比べ、同じ外部端子数でも外部端子間
隔（ピッチ）を大きくとれるという利点があり、半導体
実装工程を難しくすることなく、入出力端子の増加に対
応できた。このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイド樹
脂）を代表とする耐熟性を有する平板（樹脂板）の基材
の片面に半導体素子を塔載するダイパッドと半導体素子
からボンディングワイヤにより電気的に接続されるボン
ディングパッドを持ち、もう一方の面に、外部回路と半
導体装置との電気的、物理的接続を行う格子状あるいは
千鳥状に二次元的に配列された半田ボールにより形成し
た外部接続端子をもち、外部接続端子とボンディングパ
ッドの間を配線とスルーホール、配線により電気的に接
続している構造である。

【０００４】しかしながら、このＢＧＡは、めっき形成
したスルホールを介して、半導体素子とボンディングワ
イヤで結線を行う回路と、半導体装置化した後にプリン
ト基板に実装するための外部接続端子部（単に外部端子
部とも言う）とを、電気的に接続した複雑な構造で、樹
脂の熱膨張の影響により、スルホール部に断線を生じる
等信頼性の面で問題があり、且つ作製上の面でも問題が
多かった。

【０００５】この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の
向上をはかり、従来のリードフレームの作製と同様、金
属薄板をエッチング加工等により所定の形状加工し、こ
れ（リードフレームとも言う）をコア材として、回路を
形成したＢＧＡタイプの半導体装置も種々提案されてい
る。このタイプのものは、基本的に、金属薄板の板厚に
加工精度、配線の微細化が制限される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、ビスマ
レイド樹脂を用いたＢＧＡは、多端子化には有利である
ものの、信頼性の面、作製上の面で問題が多く、金属薄
板をエッチング加工等により所定の形状加工したもの
（リードフレーム）をコア材としし回路を形成したＢＧ
Ａタイプ（エリアアレイタイプとも言う）のものは、多
端子化には対応できない。本発明は、これらに対応する
もので、具体的には、シート状の絶縁層の一面に選択め
っき形成された配線部を設け、電気的接続に対して信頼
性の高い充填タイプのビアホールを設けた回路基板の製
造方法を提供しようとするものである。更には、このよ
うな選択めっき形成された配線部、充填タイプのビアホ
ールに加え、ビアホールと該絶縁層の他の面側に設けた
外部端子部とを一体的に連結して設けた回路基板の製造
方法を提供しようとするものである。同時に、そのよう
な製造方法により作製された回路基板を提供しようとす
るものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板の製造
方法は、シート状の絶縁層の第１の面に配線部を設け、
充填タイプのビアホールを、該絶縁層の貫通孔部に設け
た回路基板の製造方法であって、少なくとも順次、
（Ａ）ビアホールを形成するための貫通孔を所定の位置
に設け、且つ、その第１の面に接着剤層を形成したシー
ト状の絶縁層を得る工程と、（Ｂ）少なくとも一面が導
電性である基材の導電性面に、選択めっきにより、ビア
ホールと接続し、且つビアホール形成領域を覆うための
端子部を含む配線部をめっき形成した転写版と、前記接
着剤層を形成したシート状の絶縁層とを、転写版の配線
部側をシート状の絶縁層の第１の面側にして、位置合わ
せして、接着剤層を介して密着させる工程と、（Ｃ）転
写版の配線部側をシート状の絶縁層の第１の面側に密着
させた状態のまま、第２の面側から露出した、配線部の
端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形成して、
シート状の絶縁層の貫通孔部を、第２面に達するように
埋めて、充填タイプのビアホールを形成するめっき工程
と、（Ｄ）配線部のみをシート状の絶縁層に残した状態
で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有することを
特徴とするものである。そして、上記において、転写版
剥離工程の後、シート状の絶縁層の第１面側およびまた
は第２面側に、別の転写版を用いて配線層を転写形成す
る工程を有することを特徴とするものである。そしてま
た、上記のめっき工程において、シート状の絶縁層の第
２面の貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電
性層を電解めっきを行い、貫通孔部に充填タイプのビア
ホールを形成するとともに、該ビアホールに一体的に連
結した外部端子部を形成することを特徴とするものであ
り、該めっき形成された外部端子部上に半田めっきを施
すことを特徴とするものである。なお、選択めっきとし
ては、基材の一面に、レジスト製版してその開口部に、
めっき形成するものが挙げられるがこれに限定はされな
い。

【０００８】本発明の回路基板は、本発明の製造方法に
より作製されたことを特徴とするものである。そして、
上記回路基板がエリアアレイタイプの樹脂封止型半導体
装置用の配線基板で、第１の面側に半導体素子を搭載す
るものであることを特徴とするものである。即ち、シー
ト状の絶縁層の第１の面に配線部を設け、充填タイプの
ビアホールを介して第１の面の配線部と電気的に接続す
る外部端子部を、該絶縁層の第２の面側に設け、且つ、
第１の面側に半導体素子を搭載するエリアアレイタイプ
の樹脂封止型半導体装置用の配線基板で、配線部が選択
めっきにより形成された、且つ、ビアホールと外部端子
部とが一体的に電気めっきにより形成されたエリアアレ
イタイプ（ＢＧＡタイプとも言う）の樹脂封止型半導体
装置用の配線基板である。尚、ここでは、ＢＧＡのよう
に外部接続端子（外部端子とも言う）を二次元的に設け
たものをＢＧＡタイプあるいはエリアアレイタイプと言
う。

【０００９】

【作用】本発明の回路基板の製造方法は、上記のように
構成することにより、シート状の絶縁層の少なくとも一
面に微細な配線を形成することができ、且つ、電気的接
続に対して信頼性の高い充填タイプのビアホールを設け
ることを可能としている。特に、エリアアレイタイプ
（ＢＧＡタイプ）の樹脂封止型半導体装置用の配線基板
の作製に適用された場合には有効で、微細な配線の形
成、信頼性の高い充填タイプのビアホールの形成に加
え、充填タイプのビアホールと外部端子部とを一体的に
めっき形成することを可能とし、結果、外部端子部と配
線部とを確実に電気的に接続できるものとしている。ま
た、シート状の絶縁層両面を充填タイプのビアホールで
電気的に接続し、且つ、シート状の絶縁層の少なくとも
一面に微細な配線を多層に形成する多層配線基板の作製
を可能とする。具体的には、シート状の絶縁層の第１の
面に配線部を設け、充填タイプのビアホールを、該絶縁
層の貫通孔部に設けた回路基板の製造方法であって、少
なくとも順次、（Ａ）ビアホールを形成するための貫通
孔を所定の位置に設け、且つ、その第１の面に接着剤層
を形成したシート状の絶縁層を得る工程と、（Ｂ）少な
くとも一面が導電性である基材の導電性面に、選択めっ
きにより、ビアホールと接続し、且つビアホール形成領
域を覆うための端子部を含む配線部をめっき形成した転
写版と、前記接着剤層を形成したシート状の絶縁層と
を、転写版の配線部側をシート状の絶縁層の第１の面側
にして、位置合わせして、接着剤層を介して密着させる
工程と、（Ｃ）転写版の配線部側をシート状の絶縁層の
第１の面側に密着させた状態のまま、第２の面側から露
出した、配線部の端子部に導電性層を電解めっきにより
めっき形成して、シート状の絶縁層の貫通孔部を、第２
面に達するように埋めて、充填タイプのビアホールを形
成するめっき工程と、（Ｄ）配線部のみをシート状の絶
縁層に残した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程
とを有することにより、更には、該めっき工程におい
て、シート状の絶縁層の第２面の貫通孔領域周辺にまで
達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきを行い、貫
通孔部に充填タイプのビアホールを形成するとともに、
該ビアホールに一体的に連結した外部端子部を形成する
ことにより、これを達成している。また、転写版剥離工
程の後、シート状の絶縁層の第１面側およびまたは第２
面側に、転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有
することにより、シート状の絶縁層両面を充填タイプの
ビアホールで電気的に接続する多層配線基板の作製を可
能としている。

【００１０】即ち、本発明においては、転写版に選択め
っき形成された配線部を、シート状の絶縁層の一面に転
写形成するため、配線の微細化を可能としている。ま
た、電解めっきにより、配線部のビアホール接続様の端
子部に、直接電気めっきによりビアホールを形成するも
ので、且つ、充填タイプのビアホールの形成と外部端子
部の形成を一体的に行うため、配線部と、外部端子部と
の電気的接続は確実となり、且つ、機械的にも強い構造
となる。また、第１の面側の端子等の配線部の形成は、
転写版を用いるため、量産性に向く製造方法と言える。
選択めっきとしては、基材の一面に、レジスト製版して
その開口部に、めっき形成するものが好ましい。また、
めっき形成された外部端子部上に実装のための半田めっ
きを施すこともできる。接着剤層がポリイミド樹脂であ
る場合には、化学的、熱的、機械的に安定な配線基板の
作製ができる。

【００１１】本発明の回路基板は、上記のように構成す
ることにより、品質的に安定し、多端子化に対応できる
回路基板の作製を可能としている。特に、エリアアレイ
タイプの樹脂封止型半導体装置用の配線基板に適用され
た場合には有効であり、回路基板がＣＳＰ（Ｃｈｉｐ
Ｓｉｚｅｄ Ｐａｃｋｋａｇｅ）タイプの配線基板であ
る場合にも適用できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明を実施の形態を挙げて、図
を基に説明する。はじめに、本発明の回路基板の製造方
法の実施の形態の例を挙げる。図１は本発明の回路基板
の製造方法の実施の形態の第１の例の工程図で、図２は
本発明の回路基板の製造方法の実施の形態の第２の例の
工程図で、図３（ａ）は本発明回路基板の第１の例を示
した断面図で、図３（ｂ）はその配線部の端子部を説明
するための図で、図４は本発明回路基板の第１の例を示
した断面図で、図５は転写と転写工程を説明するための
断面図である。図１〜図４ともに、説明を分かり易くす
るために、特徴部の一部断面を示したものである。図１
〜図４中、１１０は絶縁層、１１０Ａは第１の面、１１
０Ｂは第２の面、１１５は貫通孔部、１２０は接着剤
層、１３０は転写版、１３１は導電性基板、１３３は配
線部（めっき導電性層）、１３３Ａは端子部、１３３Ｂ
はリード、１３３Ｃは端子部、１３５はレジスト、１４
０はめっき浴、１４５は電極材、１５０はビアホール、
１５５は外部端子部、１６０は下地めっき層、１６５は
ハンダめっき層、１７０は配線部（めっき導電性層）、
１７５は絶縁性接着剤層、１８０は配線部（めっき導電
性層）、１９０は導電性ペースト、２００、２０５は転
写版、２１０は導電性基板（ステンレス基板）、２２０
はレジスト、２２５は開口部、２３０は導電性層、２４
０は電着接着剤層、２５０は被転写基材である。

【００１３】先ず、第１の例を図１に基づいて説明す
る。第１の例は、エリアアレイタイプの樹脂封止型半導
体装置用の配線基板を作製する方法であって、図３
（ａ）に示す、シート状の絶縁層１１０の第１の面１１
０Ａに配線部１３３を設け、充填タイプのビアホール１
５０を介して第１の面１１０Ａの配線部１３３と電気的
に接続する外部端子部１５５を、該絶縁層の第１の面に
対向する第２の面１１０Ｂ側に設けた回路基板の製造方
法の１例である。先ず、シート状の絶縁層１１０を用意
し（図１（ａ））、ビアホールを形成するための貫通孔
１１５を所定の位置に設けた後、の第１の面１１０Ａに
接着剤層１２０を形成しておく。（図１（ｂ）） 貫通孔１１５の形成は、レーザ加工方法、機械加工方
法、エッチング加工方法等、特に限定はされないが、微
細加工に適したものを用いる。接着剤層の形成は、ディ
スペンス法、印刷法等が適用できる。

【００１４】一方、ステンレス（ＳＵＳ３０４）等の導
電性基板基材１３１の一面にレジストを塗布し、所定形
状に開口部を設けた転写版で、レジスト開口から露出し
た領域に電解めっきにより、ビアホールと接続するため
の端子部を含む配線部の１３３をめっき形成しておく。
この転写版は、図１（ｃ）の１３０に対応する。転写版
１３０は、後の、ビアホール、外部端子部作製のための
めっきの際に不要な領域に、導電性層がめっき形成され
ないように、図１（ｃ）に示すように不要な領域はレジ
スト１３３で覆っておく。転写版１３０の裏面（配線部
形成側と反対の面）は、場合によっては、他のレジスト
やマスキング材で覆っても良い。転写版の基材として
は、特に導電性基板に限定されないが、配線部形成側の
表面が少なくとも導電性であることが必要で、めっき形
成した配線部を剥離し易いものが好ましい。配線部とし
ては、通常、めっき銅が用いられる。端子部は、ビアホ
ール形成領域全部を覆う大きさに設けておくことが好ま
しい。尚、転写版の形成とその使用方法については、後
述する。

【００１５】次いで、接着剤層を形成したシート状の絶
縁層１１０と、配線部１３３を形成した転写版１３０と
を、位置合わせして、転写版１３０の配線部１３３側
を、接着剤層１２０を介して、シート状の絶縁層１１０
の第１の面１１０Ａ側に密着させる。（図１（ｃ）） 転写版１３０をシート状の絶縁層１１０に密着させた状
態のまま、めっき浴１４０中に入れ、所定のめっき条件
にて、電解めっきを行う。（図１（ｄ）） 第２の面１１０Ｂ側から露出した、第１面１１０Ａ側の
端子部１３３Ａに導電性層を電解めっきによりめっき形
成して、シート状の絶縁層１１０の貫通孔部１１５を、
第２面に達するように埋めて、充填タイプのビアホール
１５０形成した（図１（ｅ））後、更にめっきを継続
し、シート状の絶縁層の第２面１１０Ｂの貫通孔１１５
領域周辺にまで達し、盛り上がる様に導電性層の電解め
っきを行い、充填タイプのビアホール１５０に一体的に
連結した外部端子部１５５を形成する。（図１（ｆ）） 電解めっき形成する導電性層としては銅めっき層が挙げ
られるが、特にこれに限定はされない。銅めっき浴とし
ては、通常の銅めっ浴が用いられる。次いで、配線部１
３３のみをシート状の絶縁層１１０に残した状態で（転
写して）、転写版を剥離する。（図１（ｇ））

【００１６】この後、必要に応じ、第１面１１０Ａ側の
半導体素子との接続用の端子部（図３（ｂ）の１３３Ｃ
に相当）の表面に、下地めっき層（Ｎｉめっき層）０を
介して金めっき層を施し、外部端子部１５５の表面に、
下地めっき層（Ｎｉめっき層）１６０を介してハンダめ
っき層１６５を施しておく。（図１（ｈ）） 外部端子部１５５の表面へのめっきはプリント基板への
実装のためのものある。

【００１７】次いで、第２の例を、図１、図２に基づい
て説明する。第２の例は、多層配線基板を作製する方法
であって、図４に示す、シート状の絶縁層１１０の第１
の面１１０Ａに配線部１３３、配線部１７０を絶縁性接
着剤層１７５を介して多層に設け、第２の面１１０Ｂに
配線部１８０を絶縁性接着剤層１８５を介して設け、且
つ、充填タイプのビアホール１５０を介して第１の面１
１０Ａの配線部と第２面側の配線部とを電気的に接続さ
せた回路基板の製造方法である。第１の例と同様にし
て、図１（ｅ）のめっき工程までを行い、この段階でめ
っきを止める。即ち、充填タイプのビアホール１５０の
形成を行い、めっきを止める。尚、シート状の絶縁層１
１０の第２の面１１０Ｂ側にめっき形成された導電性層
が多少盛り上った状態でも良いが、できるだけ第２の面
１１０Ｂに揃える。必要に応じては研磨等により、第２
の面１１０Ｂに揃える。この後、配線部１３３のみをシ
ート状の絶縁層１１０に残した状態で（転写して）、転
写版を剥離する。（図２（ａ）） 次いで、第１面１１０Ａ側および第２面１１０Ｂ側にそ
れぞれ、絶縁性接着剤層１７５、１８５を介して、配線
部１７０、１８０を形成する。（図２（ｂ）） 次いで、導電性ペースト１９０を所定の位置に塗布、乾
燥して、必要な電気的接続を行った後、必要に応じ、熱
処理をして、シート状の絶縁層１１０の両面に配線部を
有する多層配線基板を得る。（図２（ｃ））

【００１８】ここで、転写版からの図１（ｃ）の絶縁層
１１０の第１の面上に配線層１３３を形成する際の、転
写版の形成方法、転写版から図２（ａ）の絶縁層１１０
の第１の面および第２の面上に配線層１７０、１８０を
形成する際の、転写版の形成方法、転写方法について、
図５に基づいて簡単に説明しておく。先ず、ステンレス
（ＳＵＳ３０４）等の導電性基材２１０を用意し（図５
（ａ））、その一面に、形成する配線に合わせてレジス
ト２２０を形成する。（図５（ｂ）） レジスト２２０としては、ノボラックレジスト等が用い
られるが、耐めっき性のもので処理性の良いものであれ
ば、これに限定されない。尚、必要に応じ、めっき前処
理を行っておく。次いで、レジストの開口部（図１
（ｂ）の２２５）に、配線部となる導電性層２３０をめ
っき形成する。（図５（ｃ）） 導電性層２３０としては、通常、銅めっき層が用いられ
る。配線部となる導電性層２３０がめっき形成された状
態の転写版２００が、図１の第１の例に用いられるが、
転写版２００に必要に応じ、ビアホール、外部端子部作
製の際のめっき不要部分にレジスト等によりマスキング
を施したものが図１（ｃ）の１３０に対応するものであ
る。

【００１９】次いで、導電性層２３０上に更に、電着に
より、絶縁性の接着剤層２４０を形成する。（図５
（ｄ）） 図２における配線部１７０、１８０は、それぞれ、図５
（ｄ）に示すような、導電性層２３０上に絶縁性の接着
剤層２４０を形成した状態の転写版２０５を用いて、そ
の接着剤層２４０を被転写材（シート状の絶縁層側）の
配線形成面側に、熱圧着して（図５（ｅ））、導電性基
材２１０を剥離して、接着剤層２４０を介して導電性層
２３０を被転写材側に転写形成される。（図５（ｆ）） この後、必要に応じ、熱処理を施し、接着剤層を硬化さ
せる。

【００２０】接着剤層２４０としては、常温もしくは、
加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使
用する高分子としては、合成高分子樹脂を挙げることが
できる。合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポ
リエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等
を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによ
る混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性
合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹
脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。また、上記の高
分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペ
ン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加
することも可能である。上記高分子樹脂は、アルカリ性
または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、
または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニ
オン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチル
アミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノー
ルアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機
アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢
酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そし
て、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散
型または溶解型として水に希釈された状態で使用され
る。特に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から接着剤
層がポリイミド樹脂であるとが好ましい。

【００２１】次に、本発明の回路基板の実施の形態の例
を挙げる。図３（ａ）は第１の例の回路基板の断面の一
部を示したもので、図１に示す回路基板の製造方法によ
り作製されるエリアアレイタイプの樹脂封止型半導体装
置用の配線基板で、第１の面１１０Ａ側に半導体素子
（図示していない）を搭載するものである。配線部１３
３は、めっき形成された転写版から転写形成されたもの
で、配線の微細化が可能で、半導体素子の多端子化に対
応できる。ビアホール１５０は、シート状の絶縁層１１
０の貫通孔部を埋めるように、導電性層によりめっき形
成されている充填タイプのビアホールで、配線部１３３
の端子部１３３Ａに直接めっき接続している。また、ビ
アホール１５０と一体的に連結して、外部端子部１５５
が第２面１１０Ｂの貫通孔領域周辺にまで達し、盛り上
がる様に導電性層によりめっき形成されている。ビアホ
ール１５０、外部端子部１５５の導電性層としては、銅
めっきが、通常用いられるが、これに限定はされない。
外部端子部１５５の表面には、実装用のめっきを施して
おくが、外部端子部１５５が銅めっきの場合は、通常、
Ｎｉめっきからなる下地めっき層１６０、ハンダめっき
層１６５を設けている。接着剤層１２０はシート状の絶
縁層１１０の第１面１１０Ａ側を覆っており、配線部１
３３は、これを介して設けられている。

【００２２】図３（ｂ）に示すように、各配線部１３３
のビアホールと接続する端子部１３３Ａは、リード１３
３Ｂに接続し、更にリード１３３Ｂの端子部１３３Ａと
は反対側の延長部に半導体素子の端子（パッド）と直接
ないしワイヤを介して接続する接続端子部１３３Ｃを有
する。本例では端子部１３３Ａは、ビアホール１５０の
形成領域全体（図３（ｂ）の点線円領域内）を覆うよう
に設けられているが、必ずしも全体を覆う必要はない。
このことは、配線部１３３（端子部１３３Ａを含む）の
転写形成する際に、転写精度をそれほど必要せず、図１
に示す転写が容易であることを意味する。そして、外部
端子部１５５は、二次元的に配列（エリアアレイとも言
う）されている。半導体素子の端子（パッド）と直接接
続する端子部１３３Ｃを有する場合には、回路基板のサ
イズをほぼチップサイズとするＣＳＰ用の回路基板にも
適用できる。

【００２３】図４は第２の例の回路基板の断面の一部を
示したもので、図２に示す回路基板の製造方法により作
製される多層配線基板である。第２の例も、第１の例と
同様の、シート状の絶縁層１１０の貫通孔部に充填タイ
プのビーホール１５０を導電性層をめっき形成して設け
ている。本例の場合は、ビーホール１５０の第２面１１
０Ｂ側は、第２の面１１０Ｂにほぼ面を合わせている。
接着剤層１２０はシート状の絶縁層１１０の第１面１１
０Ａ側を覆っており、配線部１３３は、これを介して設
けられている。配線部１７０は接着剤層１７５を介し
て、配線部１３３上に設けられており、配線部１８０は
接着剤層１８５を介して、第２面１１０Ｂ面に設けられ
ている。配線部１７０は導電性ペースト１９０を介して
配線部１３３と導通をとっている。本例の変形例として
は、第１面１１０Ａ側の配線部を３層以上に形成したも
のや、配線層を１層とするもの、および、第２面１１０
Ｂ側の配線部を２層以上としたものも挙げられる。

【００２４】

【実施例】更に、実施例を挙げて本発明を説明する。実
施例は、図１に示す工程にて、図３（ａ）に示すエリア
アレイタイプの樹脂封止用半導体装置用の回路基板を作
製したもので、以下、図１、図３にもとづいて、説明す
る。先ず、厚さ３５μｍのガラスエボキシからなる絶縁
層１１０を用意し（図１（ａ））、ビアホール形成用の
貫通孔をレーザ加工により約６０μｍΦの孔径で作製し
た後、その第１の面１１０Ａに、熱可塑性のポリイミド
樹脂からなる接着剤層１２０を印刷塗布した。（図１
（ｂ））

【００２５】次いで、後述する図５（ａ）〜図５（ｃ）
に示す工程にて作製された転写版を用い、配線部１３３
側をシート状の絶縁層１１０の第１の面１１０Ａと接着
剤層１２０を介して２３０°Ｃで熱圧着させた。（図１
（ｃ）） 配線部の膜厚は１０μｍとした。次いで、銅めっき浴１
４０中において、転写版のステンレス基材１３１と電極
材１４５との間に電圧をかけ、銅めっきを行った。（図
１（ｄ）） 電解銅めっきは、硫酸銅五水和物濃度７０ｇ／ｌ、硫酸
濃度２００ｇ／ｌ、塩化物濃度６０ｐｐｍの浴組成に奥
野製薬株式会社製の光沢剤トップルチナを加えて液温３
０°Ｃにて行い、めっき銅からなるビアホール１５０を
形成し（図１（ｅ））、更に、外部端子部１５５をめっ
き形成した。（図１（ｆ）） 外部端子部１５５をめっき形成後、配線部１３３をシー
ト状の絶縁層１１０側に残した状態（転写した状態）
で、転写版１３０を剥離した。（図１（ｇ））

【００２６】次いで、感光性ポリイミドを、表面処理用
のレジスト且つ保護膜として両面に塗布し、第１面１１
０Ａの半導体素子との接続用の端子部（図３（ｂ）の１
３３Ｃに相当）箇所を所定の製版によって開口させ、ニ
ッケル及ぴ金めっきを施し、同様に、外部端子部１５５
箇所を所定の製版によって開口させ、ニッケル及ぴハン
ダめっきを施して、配線基板の作製を完成とした。（図
１（ｈ））

【００２７】転写版１３０の作製は、次のように行っ
た。図５に基づいて説明する。先ず、所定の前処理を施
したステンレス（ＳＵＳ３０４Ｈ 住友金属株式会社
製）からなる導電製基材２１０を用意し（図５
（ａ））、該導電製基材２１０の一面上に感光性レジス
トＡＲ９００（東京応化株式会社製）からなるレジスト
２２０を均一に塗布し、所定のパターンが形成された露
光用マスクを介して高圧水銀灯でレジスト部を露光した
後、所定の現像液で該感光性レジストを現像して、所定
の形状にレジスト２２０を形成し、レジスト２２０の硬
膜処理、洗浄処理（めっき前処理）を行った。（図５
（ｂ）） 次に、電解銅めっき法にて配線部をめっき形成した。
（図５（ｃ）） めっき液組成、条件は、ビアホール１５０、外部端子部
１５５形成と同じ条件で行い、膜厚さ１０μｍのめっき
銅からなる配線部１３３を得た。

【００２８】このようにして、シート状の絶縁層の一面
にめっき形成された配線部を設け、他の一面に外部回路
と接続するための外部端子部を、二次元的に配列させて
設け、配線部と外部端子部とを、該シート状の絶縁層の
貫通孔部に設けた充填タイプのビアホールを介して、電
気的接続をとるエリアアレイタイプ樹脂封止型半導体装
置用の回路基板で、且つ、ビアホール部と外部端子部を
一体的に連結してめっき形成している回路基板を作製し
た。

【００２９】

【発明の効果】本発明は、上記のように、シート状の絶
縁層の一面に選択めっき形成された配線部を設け、電気
的接続に対して信頼性の高い充填タイプのビアホールを
設けた回路基板の製造方法、更には、このような選択め
っき形成された配線部、充填タイプのビアホールに加
え、ビアホールと該絶縁層の他の面側に設けた外部端子
部とを一体的に連結して設けた回路基板の製造方法の提
供を可能とした。同時に、そのような製造方法により作
製された回路基板の提供を可能とした。これにより、具
体的には、充填タイプのビアホールを有する多層配線基
板や、近年の多端子化に対応でき、且つ、電気的接続に
対し信頼性の高いエリアアレイタイプ樹脂型半導体装置
用の回路基板の提供を可能とした。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路基板の製造方法の実施の形態の第
１の例を示した工程図

【図２】本発明の回路基板の製造方法の実施の形態の第
２の例を示した工程図

【図３】本発明の回路基板の実施の形態の第１の例を示
した図

【図４】本発明の回路基板の実施の形態の第２の例を示
した図

【図５】転写版の製造方法と、転写方法を説明するため
の図

【符号の説明】

１１０ シート状の絶縁層 １１０Ａ 第１の面 １１０Ｂ 第２の面 １１５ 貫通孔部 １２０ 接着剤層 １３０ 転写版 １３１ 導電性基板 １３３ 貫通孔部 １３３Ａ 端子部 １３３Ｂ リード １３３Ｃ （半導体素子との接続用の）
端子部 １３５ レジスト １４０ めっき浴 １４５ 電極材 １５０ ビアホール １５５ 外部端子部 １６０ 下地めっき層（Ｎｉめっき
層） １６５ ハンダめっき層 １７０、１８０ 配線部（めっき導電性層） １７５、１８５ 絶縁性接着剤層 １９０ 導電性ペースト ２００、２０５ 転写版 ２１０ 導電性基板（ステンレス基
板） ２２０ レジスト ２２５ 開口部 ２３０ 導電性層 ２４０ 電着接着剤層 ２５０ 被転写基材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉持 悟 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA04 AA24 BB01 BB12 BB15 BB18 CC33 CC52 CD32 GG03 GG05 GG14 5E343 AA02 AA07 BB15 BB23 BB24 BB44 BB52 BB67 BB72 CC01 CC61 DD43 DD56 EE23 EE24 EE42 FF30 GG01 GG08 5E346 AA02 AA35 BB02 CC08 CC32 CC37 CC40 CC41 CC54 DD03 DD12 DD24 EE01 FF04 FF07 FF12 FF14 FF22 GG01 HH07 HH25 HH26 5F067 AA01 AB04 AB07

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シート状の絶縁層の第１の面に配線部を
   設け、充填タイプのビアホールを、該絶縁層の貫通孔部
   に設けた回路基板の製造方法であって、少なくとも順
   次、（Ａ）ビアホールを形成するための貫通孔を所定の
   位置に設け、且つ、その第１の面に接着剤層を形成した
   シート状の絶縁層を得る工程と、（Ｂ）少なくとも一面
   が導電性である基材の導電性面に、選択めっきにより、
   ビアホールと接続し、且つビアホール形成領域を覆うた
   めの端子部を含む配線部をめっき形成した転写版と、前
   記接着剤層を形成したシート状の絶縁層とを、転写版の
   配線部側をシート状の絶縁層の第１の面側にして、位置
   合わせして、接着剤層を介して密着させる工程と、
   （Ｃ）転写版の配線部側をシート状の絶縁層の第１の面
   側に密着させた状態のまま、第２の面側から露出した、
   配線部の端子部に導電性層を電解めっきによりめっき形
   成して、シート状の絶縁層の貫通孔部を、第２面に達す
   るように埋めて、充填タイプのビアホールを形成するめ
   っき工程と、（Ｄ）配線部のみをシート状の絶縁層に残
   した状態で、転写版を剥離する転写版剥離工程とを有す
   ることを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、転写版剥離工程後、
   シート状の絶縁層の第１面側およびまたは第２面側に、
   別の転写版を用いて配線層を転写形成する工程を有する
   ことを特徴とする回路基板の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１ないし２のめっき工程におい
   て、シート状の絶縁層の第２面の貫通孔領域周辺にまで
   達し、盛り上がる様に導電性層を電解めっきを行い、貫
   通孔部に充填タイプのビアホールを形成するとともに、
   該ビアホールに一体的に連結した外部端子部を形成する
   ことを特徴とする回路基板の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３において、めっき形成された外
   部端子部上に半田めっきを施すことを特徴とする回路基
   板の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４の回路基板の製造方法
   により製造されたことを特徴とする回路基板。
6. 【請求項６】 回路基板がエリアアレイタイプの樹脂封
   止型半導体装置用の配線基板であることを特徴とする請
   求項５記載の回路基板。