JPH11261223A

JPH11261223A - 多層配線基板の製造方法と多層配線基板

Info

Publication number: JPH11261223A
Application number: JP7507798A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Iwasaki; 清岩崎; Hiroto Yoshinuma; 吉沼　　洋人
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1998-03-10
Filing date: 1998-03-10
Publication date: 1999-09-24

Abstract

(57)【要約】【課題】配線部を形成した転写用原版を複数版用い、
多層配線基板用のベース基板の一面に、各転写用原版を
順次圧着して、配線部をベース基板側に順次転写して多
層配線を形成する多層配線基板の製造方法であって、配
線部の転写歩留りの良い多層配線基板の製造方法を提供
する。【解決手段】支持体上に所定形状の導電性層からなる
配線部を設け、更に該配線部上に粘着性あるいは接着性
の絶縁性樹脂層を設けた転写用原版を複数版用い、順
次、多層配線基板用のベース基板の一面に転写用原版を
圧着し、且つその支持体を剥離することにより、各転写
用原版の配線部を絶縁性樹脂層を介してベース基板側に
順次転写して、配線を形成する多層配線基板の製造方法
であって、各転写用原版を圧着後、熱処理を行い絶縁性
樹脂層の引張破壊強度を向上させた後に、各転写用原版
の支持体を剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の製造方
法に関し、特に高精細な配線を有する多層配線基板を生
産性良く製造することができる多層配線基板の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造技術の飛躍的な発展により、
半導体パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ
化、電子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密
度実装の時代に突入した。それに伴って、プリント配線
板も片面配線から両面配線へと進み、さらに多層化、薄
型化が進められている。現在、プリント配線板の銅パタ
ーンの形成には、主としてサブトラクティブ法と、アデ
ィティブ法が用いられている。サブトラクティブ法は、
銅張り積層板に穴を開けた後に、穴の内部と表面に銅メ
ッキを行い、フォトエッチングによりパターンを形成す
る方法である。このサブトラクティブ法は技術的に完成
度は高く、またコストも安いが銅箔の厚さ等による制約
から微細パターンの形成は困難である。一方、アディテ
ィブ法は無電解メッキ用の触媒を含有した積層板上の回
路パターン形成部以外の部分にレジストを形成し、積層
板の露出している部分に無電解銅メッキ等により回路パ
ターンを形成する方法である。このアディティブ法は、
微細パターンの形成が可能であるが、コスト、信頼性の
面で難がある。

【０００３】多層配線基板の場合には、上記の方法等で
作製した片面あるいは両面のプリント配線板を、ガラス
布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレ
グと一緒に加圧積層する方法が用いられている。この場
合、プリプレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接
続はスルーホールを作製し、内部に無電解メッキ等を施
して行っている。また、高密度実装の進展により、多層
配線基板においては薄型、軽量化とその一方で単位面積
当たりの高い配線能力が要求され、一層当たりの基板の
薄型化、層間の接続や部品の搭載方法等に工夫がなされ
ている。しかしながら、上記のサブトラクティブ法によ
り作製された両面プリント配線板を用いた多層配線基板
の作製は、両面プリント配線板の穴形成のためのドリル
加工の精度と、微細化限界の面から高密度化に限界があ
り、製造コストの低減も困難であった。

【０００４】一方、薄型、軽量化、高密度配線の要求を
満たすものとして、基材上に導体パターン層と絶縁層と
を順次積層して作製される多層配線基板が開発されてい
る。この多層配線基板は、銅メッキ層のフォトエッチン
グと感光性樹脂のパターニングを交互に行って作製され
るため、高精細な配線と任意の位置での層間接続が可能
となっている。しかしながら、この多層配線基板の作製
は、銅メッキとフォトエッチングを交互に複数回行うた
め、工程が煩雑となり、また、基板上に1 層づつ積み上
げる直列プロセスのため、中間工程でトラブルが発生す
ると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支
障をきたしていた。さらに従来の多層配線基板において
は、層間の接続がバイアホールを作製することにより行
われていたため、煩雑なフォトリソグラフィー工程が必
要であり、製造コスト低減の妨げとなっていた。

【０００５】配線の微細化、高密度化に対応でき、複雑
な工程を必要とせず、量産に対応できる多層配線基板と
して、本出願人は、すでに、ベース基板上に順次転写さ
れた複数層の配線部を設けた多層配線基板で、各層の配
線部が配線部の下部に形成された絶縁樹脂層によってベ
ース基板あるいは下層の配線部に固着されている多層配
線基板を提案し、同時にその製造方法を提案している。
( 特願平６−２２０９６２号) しかし、この多層配線基板の作製においては、絶縁性樹
脂層を介して配線部を多層基板用のベース基板へ転写す
る際の歩留まりが低く、歩留まりの改善が求められてい
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような状況のも
と、本発明は、支持体上に所定形状の導電性層からなる
配線部を設け、更に該配線部上に粘着性あるいは接着性
の絶縁性樹脂層を設けた転写用原版を複数版用い、順
次、多層配線基板用のベース基板の一面に転写用原版を
圧着し、且つその支持体を剥離することにより、各転写
用原版の配線部を絶縁性樹脂層を介してベース基板側に
順次転写して、配線を形成する多層配線基板の製造方法
において、各転写用原版の配線部を絶縁性樹脂層を介し
てベース基板側に転写する際の転写歩留まりを改善しよ
うとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基版の
製造方法は、支持体上に所定形状の導電性層からなる配
線部を設け、更に該配線部上に粘着性あるいは接着性の
絶縁性樹脂層を設けた転写用原版を複数版用い、順次、
多層配線基板用のベース基板の一面に転写用原版を圧着
し、且つその支持体を剥離することにより、各転写用原
版の配線部を絶縁性樹脂層を介してベース基板側に順次
転写して、配線を形成する多層配線基板の製造方法であ
って、各転写用原版を圧着後、熱処理を行い、絶縁性樹
脂層の引張破壊強度（ピール強度とも言う）を上げた後
に、各転写用原版の支持体を剥離することを特徴とする
ものである。そして、上記において、圧着後の熱処理
は、絶縁性樹脂層の樹脂に含まれる溶液成分の揮発温度
以上に加熱するものであることを特徴とするものであ
る。そしてまた、上記における絶縁性樹脂層を支持体の
配線部上に電着によって形成するものであることを特徴
とするものであり、該絶縁性樹脂層の形成は、ポリイミ
ドもしくはポリイミド前駆体を含有する電着液を用い、
電着により形成するものであることを特徴とするもので
ある。あるいは、該絶縁性樹脂層の形成は、ポエポキシ
系電着液を用い、電着により形成するものであることを
特徴とするものである。

【０００８】本発明の多層配線基版は、本発明の多層配
線基版の製造方法により製造されたことを特徴とするも
のである。

【０００９】尚、ここで言う、絶縁性樹脂層の引張破壊
強度（ピール強度）とは、絶縁性樹脂層をその両側から
引っ張った際に、絶縁性樹脂が試験片が破壊する瞬間の
引張応力を意味する。一般にはＪＩＳＫ７１１３の測
定方法による。

【００１０】

【作用】本発明の多層配線基版の製造方法は、このよう
な構成にすることにより、各転写用原版の配線部を絶縁
性樹脂層を介してベース基板側に転写する際、絶縁性樹
脂層の多層基板用のベース基板への密着力（接着力とも
言う）を向上させることを可能としており、結果、転写
時の歩留まりの改善を可能としている。詳しくは、支持
体上に所定形状の導電性層からなる配線部を設け、更に
該配線部上に粘着性あるいは接着性の絶縁性樹脂層を設
けた転写用原版を複数版用い、順次、多層配線基板用の
ベース基板の一面に転写用原版を圧着し、且つその支持
体を剥離することにより、各転写用原版の配線部を絶縁
性樹脂層を介してベース基板側に順次転写して、配線を
形成する多層配線基板の製造方法であって、各転写用原
版を圧着後、熱処理を行い絶縁性樹脂層の引張破壊強度
（ピール強度）を上げた後に、各転写用原版の支持体を
剥離することにより、これを達成している。

【００１１】詳しくは、転写には、図４に示す３つの界
面における、密着力（接着力とも言う）の大きさの関係
の他に、絶縁性樹脂層の引張破壊強度の大きさが、転写
を確実に行えるか否かに、効いてくる。ｆ１は転写用原
版の支持体１１０と導電性層からなる配線１２０との界
面の密着力、ｆ２は導電性層からなる配線１２０と絶縁
性樹脂層１３０との界面の密着力、ｆ３は絶縁性樹脂層
と配線形成を行う多層配線基板用のベース基板１８０と
の界面の密着力であり、Ｆは絶縁性樹脂１３０の引張破
壊強度であるが、ｆ１がＦ、ｆ２、ｆ３のいずれよりも
小さい場合のみ、ベース基板１８０側から支持体１１０
を引張る場合、支持体１１０と導電性層１２０との剥
離が起こり、転写がうまく行える。尚、ここでは、導電
性層からなる配線部における引張破壊は起きないことを
前提としている。Ｆがｆ１、ｆ２、ｆ３のいずれよりも
小さい場合には、ベース基板１８０側から支持体１１０
を剥離する際に、絶縁性樹脂層１３０の破壊が起こり、
転写がうまく行えない。また、ｆ２が、Ｆ、ｆ１、ｆ３
のいずれよりも小の場合は、支持体１１０のベース基板
１８０からの引張に対し、導電性層１２０と絶縁性樹脂
層１３０との剥離が起こり、転写がうまく行えない。そ
してまた、ｆ３が、Ｆ、ｆ１、ｆ２のいずれよりも小の
場合は、支持体１１０のベース基板１８０からの引張に
対し、絶縁性樹脂層１３０とベース基板１８０との剥離
が起こり、転写がうまく行えない。ここでは、Ｆを大き
くすることにより転写を安定的に行なおうとするもので
あるが、一般には、この熱処理によりｆ３も大きくな
る。また、通常、場所によらず安定的にｆ１がＦ、ｆ
２、ｆ３のいずれよりも小さくなるように、支持体１１
０のめっき形成による導電性層からなる配線１２０形成
に際し、予め、適当な処理を施し、支持体１１０の表面
を剥離性の良い状態にしてあるが、確実にこれを確保す
ることは難しい。即ち、各転写用原版を圧着後、且つ、
転写用原版の支持体を剥離する前に、熱処理を施し、絶
縁性樹脂層の樹脂の凝集力を上げて、絶縁性樹脂層の引
張破壊強度（ピール強度とも言う）を上げることによ
り、全面にわたり、ｆ１が、Ｆ、ｆ２、ｆ３のいずれよ
りも小となるような条件を確実に確保できる。尚、支持
体１１０としてのステンレス板表面に剥離性を良くする
剥離処理としては、例えば、ステンレス板表面をクロム
酸等で酸化して酸化膜を形成し、めっきにより形成され
た導電性層からなる配線とステンレス板との金属結合を
おきにくくする酸化処理等が採られている。

【００１２】圧着後、且つ転写用原版の支持体を剥離す
る前に行う熱処理は、絶縁性樹脂層の樹脂に含まれる溶
液成分の揮発温度以上に加熱するものが挙げられる。こ
れにより、溶液成分を揮発させ、樹脂の凝集力を上げて
おくことができ、全面にわたり、ｆ１が、Ｆ、ｆ２、ｆ
３のいずれよりも小となるような条件を確実に、容易に
確保できるものとしている。また、絶縁性樹脂層を支持
体の配線部上に電着によって形成するものであることに
より、絶縁層からなる配線部の形成と、転写の際の接着
材となる絶縁性樹脂層の形成を連続して行うことが可能
で、作業性の良いものとしている。絶縁性樹脂層の電着
形成する際に用いられる電着液としては、具体的には、
ポリイミドもしくはポリイミド前駆体を含有する電着
液、あるいは、エポキシ系電着液が挙げられる。

【００１３】本発明の多層配線基版は、本発明の多層配
線基板の製造方法により作製されることにより、結局、
転写不良がないものとしている。

【００１４】

【発明の実施の形態】本特許、発明の多層配線基版の製
造方法の実施の形態の１例を挙げて図に基づいて説明す
る。図１は、実施の形態の１例の工程図で、図２は転写
用原版の作製工程断面図である。図１の点線内は転写工
程１の内容を示した工程断面図であり、図１中のＳ１１
０〜１３０は処理ステップを示すものである。図１、図
２中、１００、１０１、１０２、１０３は転写用原版、
１１０は支持体、１２０は配線、１３０は絶縁性樹脂
層、１３０Ａは熱処理後の絶縁性樹脂層、１８０は（多
層配線基板用の）ベース基板である。図１に示す例は、
支持体上にめっき形成された所定形状の導電性層からな
る配線部を設け、更に該配線部上に電着形成された粘着
性あるいは接着性の絶縁性樹脂層を設けた転写用原版３
版を用い（１０１、１０２、１０３）を用い、多層配線
基板用のベース基板１８０の一面に、各転写用原版を圧
着し、且つその支持体を剥離することにより、各転写用
原版の配線部を絶縁性樹脂層を介してベース基板側に順
次転写して配線を形成する多層配線基板の製造方法で、
各転写用原版の配線の転写の際、各転写用原版をベース
基板の一面に圧着後、熱処理を行い絶縁性樹脂層とベー
ス基板との密着力を向上させた後に、各転写用原版の支
持体を剥離するものである。

【００１５】先ず、転写用原版１０１の配線部をベース
基板の一面に転写形成する。（Ｓ１１０の転写工程）この工程を図１（ａ）〜図１（ｄ）に基づき以下説明す
る。予め用意しておいた転写用原版１０１（図１
（ａ））をベース基板１８０の一面に圧着し（図１
（ｂ））、この状態で絶縁性樹脂層１３０の樹脂に含ま
れる溶液成分の揮発温度以上に加熱処理する。（図１
（ｃ））加熱処理は、絶縁性樹脂層１３０の樹脂に含まれる溶液
成分の揮発温度以上に加熱するもので、これにより、縁
性樹脂層１３０の樹脂の凝集力を上げ、絶縁性樹脂層１
３０の引張破壊強度Ｆを上げ、支持体１１０と導電性層
からなる配線１２０の密着力ｆ１が、絶縁性樹脂層１３
０の引張破壊強度Ｆ、導電性層からなる配線１２０と絶
縁性樹脂層１３０の密着力ｆ２、絶縁性樹脂層１３０と
配線形成を行うベース基板１８０との密着力ｆ３のいず
れよりも小とする条件、即ち転写をうまく行える条件を
確実に得るものである。次いで、支持体１１０をベース
基板側から剥離して、転写用原版１０１の配線部を加熱
処理された絶縁性樹脂層１３０を介して転写形成する。
（図１（ｄ））

【００１６】このようにして、転写用原版１０１の配線
部をベース基板側に転写した後、同様にして、転写用原
版１０２の配線部をベース基板１８０の転写用原版１０
１の配線部が形成された側の面に転写形成し（Ｓ１２０
の転写工程）、更に同様にして、転写用原版１０３の
配線部をベース基板１８０の転写用原版１０１、１０２
の配線部が形成された側の面に転写形成する。（Ｓ１３
０の転写工程）このようにして、配線部を３層とする多層配線基板を得
る。尚、ベース基板１８０としては、金属、ガラス、プ
ラスチック等が挙げられるが、特に限定はされない。ま
た、ここでは、転写用原版を３版用い、これにより３層
の配線部を設けた多層基板を作製した例を挙げたが、こ
の例における熱処理方法を、転写用原版を４版以上用
い、４層の配線部を設けた多層配線基板の作製にも適用
できることは言うまでもない。

【００１７】次いで、ここで用いられる転写用原版（１
０２、１０２、１０３に相当）の製造方法の第１の例を
図２に基づいて説明する。第１の例は、導電性層からな
る配線をめっき形成し、さらに配線上に絶縁性樹脂層を
電着形成する場合の、選択めっき（電着）を行うため
に、支持体上に所定の形状に形成するレジストを厚く形
成した場合のもので、選択めっき（電着）後、レジスト
を剥離した状態で転写用原版として用いる。尚、ここ
で、レジストを厚く形成した場合とは、めっき形成され
る導電性層からなる配線とその上に電着形成される絶縁
性樹脂層を合わせた厚さより厚く、あるいは、転写に対
してレジストの影響がでる程度厚く、レジスト厚を形成
した場合を意味している。先ず、表面が導電性の支持体
１１０（図２（ａ））上に、耐めっき性のレジスト１５
０を配線部の形状に合わせた所定の形状に形成する。
（図２（ｂ））支持体としては、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）等が
用いられるが、特にこれに限定はされないが、少なくと
も表面が導電性であることが必要で、配線剥離性が良い
ものが好ましい。レジスト１５０としては、めっき耐性
があり、処理性の良いものが好ましい。次いで、レジス
トの開口１５５にめっきにより、導電性層を形成する。
（図２（ｃ））配線１２０を形成する導電性層としては、導電性やコス
ト的な面からはめっき銅が好ましいが、必要に応じて、
Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ｃｒ（クロム）、Ａｇ
（銀）、Ｐｔ（白金）等でも良く、その厚さは配線の幅
にもよるが１μｍ以上は必要である。次いで、導電性層
からなる配線１２０上に、絶縁性樹脂１３０を電着形成
し（図２（ｄ））、更に、レジスト１５０を剥離して転
写用原版１００が得られる。（図２（ｅ））

【００１８】絶縁樹脂層１３０は、配線１２０上に電着
により設けられたものをそのまま転写の際の接着剤層と
して用いるもので、配線１２０の形成と絶縁樹脂層１３
０の形成を連続して行うことができ、これにより量産性
の良いものとなる。絶縁樹脂層１３０は、電着性を持
ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれ
ば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有
するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙
げることができる。

【００１９】アニオン性合成高分子樹脂としては、アク
リル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボ
リブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任
意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上
記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹
脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、ある
いは、これらの任意の組合せによる混合物として使用で
きる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用して
も良い。また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するた
めに、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与
樹脂を必要に応じて添加することも可能である。上記高
分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して
水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供
される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリ
メチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールア
ミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモ
ニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン
性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸
等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化され
た高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈
された状態で使用される。

【００２０】次いで、ここで用いられる転写用原版（１
０２、１０２、１０３に相当）の製造方法の第２の例を
図３に挙げる。第２の例は、導電性層からなる配線をめ
っき形成し、さらに配線上に絶縁性樹脂層を電着形成す
る場合の、選択めっき（電着）を行うために、支持体上
に所定の形状に形成するレジストを薄く形成した場合の
もので、選択めっき（電着）後、レジストを剥離しない
状態でも転写用原版として用いることができる。勿論、
レジストを剥離した状態で原版としても良いことは言う
までもないが、レジストの剥離が難しい場合には、この
方法が採られる。尚、ここで、レジストを薄く形成した
場合とは、めっき形成される導電性層からなる配線とそ
の上に電着形成される絶縁性樹脂層を合わせた厚さより
薄く、あるいは、転写に対してレジストの影響がでない
程度に薄く、レジスト厚を形成した場合を意味してい
る。図２に示す第１の例と同様にして作製される。

【００２１】

【実施例】（実施例１）実施例１は、図１に示す例の、
配線部を３層とする多層配線基板の製造を、図２に示す
転写用原版の製造方法により作製された転写用原版を用
いて行ったものである。図１、図２に基づいて説明す
る。先ず、各転写用原版（１０２、１０２、１０３に相
当）を以下のようにして作製した。支持体１１０とし
て、表面を研磨した０．１５ｍｍ厚のステンレス板を準
備し（図２（ａ））、この支持体の一面上に市販のフォ
トレジスト( 東京応化工業株式会社製、ＰＭＥＲＰ−
ＡＲ９００）をスピンコート法により膜厚約１５μｍに
塗布し、オーブンで８０°Ｃ、３０分間乾燥を行った
後、配線部の形状に対応した所定のフォトマスクを用い
て、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株
式会社製) にて、密着露光を行い、次いで、現像、水
洗、乾燥等の処理を行い、所定の形状にレジスト１５０
を形成した。（図２（ｂ））露光条件は２５０ｃｏｕｎｔとした。次いで、レジスト
１５０を所定の形状に形成した支持体１１０と無酸素銅
電極を対向させて、下記の組成のピロ燐酸銅めっき浴
（ｐＨ８．６、液温５５°Ｃ）中に浸漬し、直流電源の
陽極に無酸素銅電極を陰極に上記支持体１１０を接続
し、電流密度３Ａ／ｄｍ²で５分間の通電を行い、レジ
スト１５０で被覆されていない支持体１１０の露出部に
膜厚約１０μｍの銅メッキ膜からなる導電性層を形成
し、これを配線１２０とした（図２（ｃ））（ピロ燐酸銅メッキ浴の組成）ピロ燐酸銅９４ｇ／ｌピロ燐酸カリウム３４０ｇ／ｌアンモニア水３ｇ／ｌ

【００２２】次いで、導電性層からなる配線１２０を形
成した支持体１１０と白金電極とを対向させて、下記の
ようにして調整した電着液に浸漬し、直流電源の陰極に
支持体１１０を陽極に白金電極をそれぞれ接続し、５０
Ｖの電圧で１分間の電着を行い、これを８０°Ｃ、１０
分間ホットプレートで乾燥して、導電性層上に厚さ２０
μｍの絶縁性樹脂層１３０（接着層とも言う）を形成し
た（図２（ｄ））（電着液の調整）成分Ａを以下のように調整した。ビス
フェノ−ルＡのジグリシジルエ−テル（エポキシ当量９
１０）１０００重量部を撹拌下に７０°Ｃに保ちながら
エチレングリコ−ルモノエチルエ−テル４６３重量部に
溶解させ、さらにジエチルアミン８０．３重量部を加え
て１００°Ｃで２時間反応させてアミンエポキシ付加物
を調製した。これを成分Ａとする。一方、成分Ｂを以下
のようにして得た。コロネ−トＬ（日本ポリウレタン株
式会社製、ポリイソシアネ−トＮＣＯ１３％の不揮発分
７５重量％）８７５重量部にジブチル錫ラウレ−ト０．
０５重量部を加え５０°Ｃに加熱して２−エチルヘキサ
ノ−ル３９０重量部を添加し、その後１２０°Ｃで９０
分間反応させた。得られた反応生成物をエチレングリコ
−ルモノエチルエ−テル１３０重量部で希釈した。これ
を成分Ｂとする。次いで、成分Ａ１０００重量部及び成
分Ｂ４００重量部からなる混合物を氷酢酸３０重量部で
中和した後、脱イオン水５７０重量部を用いて希釈し、
不揮発分５０重量％の樹脂Ｉを調整した。樹脂Ｉ２０
０．２重量部( 樹脂成分８６．３容量) 、脱イオン水５
８３．３重量部およびジブチル錫ラウレ−ト２．４重量
部を配合して絶縁樹脂層形成用の用電着液を調整した。

【００２３】この後、支持体１１０の絶縁樹脂層１３０
を形成した側の面を全面露光することにより、支持体１
１０の上のレジスト１５０を露光を行い、次いで、現像
を行い、レジスト１５０の除去を行い、転写用原版１０
０（１０１、１０２、１０２に相当）を得た。（図１
（ａ））尚、レジスト１５０の除去は、露光部が現像液にて可溶
性となるポジ型のフォトレジストであるため簡単に行う
ことができた。

【００２４】このようにして、得られた転写用原版１０
１、１０２、１０３を順次用い、多層基板作製用のベー
ス基板１８０上、各配線部を順次転写形成したが、ベー
ス基板１８０としては１００μｍ厚のステンレス基板を
用い、各転写用原版の圧着は、温度８０°Ｃ、圧力１０
ｋｇ／ｃｍ²の圧着条件下で行った。（図１（ｂ）各転写用原版の配線部の転写においては、各転写用原版
の各支持体を剥離する前に、圧着された状態のまま転写
用原版およびベース基板１１０とを、２００°Ｃ、３０
分間オーブンに投入し、絶縁性樹脂層１３０とベース基
板側との密着力を向上させた（図１（ｃ））後、常温下
でベース基板１１０から転写用原版の支持体１１０を剥
離し、ベース基板１１０側に配線部を形成した。（図１
（ｄ））各転写用原版の配線部の転写後、転写されたベース基板
面の目視検査を行ったところ、転写不良は見られなかっ
た。

【００２５】（比較例１）比較例１は、実施例１におい
て、各転写用原版の配線部の転写を、同様の圧着条件
（温度８０°Ｃ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ）で行った後、圧
着された状態のまま、転写用原版およびベース基板１８
０を、１００°Ｃで３０分間、オーブンに投入した後、
常温下でステンレス基材から転写用原版の支持体１１０
を剥離し、ベース基板１８０上に配線部を形成した。各
転写用原版の配線部の転写後、転写されたベース基板面
の目視検査を行ったところ、転写不良は３０％程度見ら
れた。この温度１００°Ｃ、３０分のオーブン熱処理
は、導電性層からなる配線１２０と絶縁性樹脂層１３０
の密着力を挙げる点では、実施例１の熱処理に比較して
不充分であったためと思われる。

【００２６】（比較例２）比較例２は、実施例１におい
て、各転写用原版の配線部の転写を、同様の圧着条件
（温度８０°Ｃ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ）で行った後、こ
の状態で熱処理を行わずに、常温下でベース基板１８０
から転写用原版の支持体１１０を剥離し、ベース基板１
８０上に配線部を形成した。各転写用原版の配線部の転
写後、転写されたベース基板面の目視検査を行ったとこ
ろ、転写不良は８０％程度見られた。

【００２７】（実施例２）実施例２は、図１に示す例
の、配線部を３層とする多層配線基板の製造を、図３に
示す転写用原版の製造方法により作製された転写用原版
を用いて行ったものである。図１、図３に基づいて説明
する。先ず、各転写用原版（１０２、１０２、１０３に
相当）を以下のようにして作製した。支持体１１０とし
て、表面を研磨した０．１５ｍｍ厚のステンレス板を準
備し、この支持体の一面上に市販のフォトレジスト( 東
京応化工業株式会社製、ＯＭＲ−８５）をスピンコート
法により膜厚約１μｍに塗布し（図３（ａ））、オーブ
ンで８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。そして、配線部
の形状に対応した所定のフォトマスクを用いて、露光装
置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製)
にて密着露光を行い、次いで、現像、水洗、乾燥等の処
理を行い、所定の形状にレジスト１５０を形成した。
（図３（ｂ））露光条件は３０ｃｏｕｎｔとした。次いで、レジスト１
４０を形成した支持体１１０と含燐銅電極を対向させて
下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽
極に含燐銅電極を陰極に上記転写用原版を接続し、電流
密度２Ａ／ｄｍ²で２４分間の通電を行い、レジスト１
４０で被覆されていない支持体１１０の露出部に膜厚約
１０μｍの銅メッキ膜からなる導電層を形成し、これを
配線とした。（図３（ｃ））（硫酸酸銅メッキ浴の組成）ＣｕＳ０₄・５Ｈ₂Ｏ２００ｇ／ｌＨ₂Ｓ０₄ ５０ｇ／ｌＨＣｌ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）導電性層からなる配線１２０を形成した支持体１１０と
白金電極とを対向させて下記の絶縁性樹脂層１３０形成
用の下記のようにして作製された電着液に浸漬し、直流
電源の陽極に支持体１１０を陰極に白金電極をそれぞれ
接続し、１５０Ｖの電圧で１０分間の電着を行い、これ
を１５０°Ｃ、５分間ホットプレートで乾燥して、導電
性層からなる配線１２０上に厚さ３０μｍの絶縁性樹脂
層（接着層とも言う）を形成し、これを転写用原版とし
た。（図３（ｄ））

【００２８】以下のようにポリイミドワニスを作製し、
電着液の調整を行った。＜ポリイミドワニスの製造＞１１容量の三つ口セパラブ
ルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及
びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管
をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。３、
４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無
水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモ
ル）、ビス（４−（３‐アミノフェノキシ）フェニル）
スルホン（ｍ‐ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モ
ル），パレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピ
リジン２．４ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎメチル２
ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、
窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２
００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、ｌ時間、２０
０ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水流出
分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ６．１１ｇ
（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡ
Ｂｚと呼ぶ）１５．２１６ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１
１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌し
たのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加
熱攪拌しトルエンー水流出分１５ｍｌを除去する。その
後、トルエンー水流出分を系外に除きながら、１８０
℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了した。２０％ポ
リイミドワニスを得た。酸当量（ｌ個のＣ００Ｈあたり
のボリマー量は１５５４）は７０である。＜電着液の調製＞２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇ
に３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェン−１、ｌ−
ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベ
ンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ
（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を
調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４
％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。

【００２９】このようにして、得られた転写用原版１０
１、１０２、１０３を順次用い、多層基板作製用のベー
ス基板１８０上、各配線部を順次転写形成したが、ベー
ス基板１８０としては１００μｍ厚のステンレス基板を
用い、各転写用原版の圧着は、温度１２０°Ｃ、圧力１
０ｋｇ／ｃｍ²の圧着条件下で行った。（図１（ｂ））各転写用原版の配線部の転写においては、各転写用原版
の各支持体１１０を剥離する前に、圧着された状態のま
ま転写用原版およびベース基板１８０とを、２００°
Ｃ、３０分間オーブンに投入し、絶縁性樹脂層１３０と
ベース基板側との密着力を向上させた（図１（ｃ））
後、常温下でベース基板１１０から転写用原版の支持体
１１０を剥離し、ベース基板１１０側に配線部を形成し
た。（図１（ｄ））各転写用原版の配線部の転写後、転写されたベース基板
面の目視検査を行ったところ、転写不良は見られなかっ
た。

【００３０】（比較例３）比較例３は、実施例２におい
て、各転写用原版の配線部の転写を、同様の圧着条件
（温度１２０°Ｃ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ）で行った後、
圧着された状態のまま、転写用原版およびベース基板１
８０を、１５０°Ｃで３０分間、オーブンに投入した
後、常温下でステンレス基材から転写用原版の支持体１
１０を剥離し、ベース基板１８０上に配線部を形成し
た。各転写用原版の配線部の転写後、転写されたベース
基板面の目視検査を行ったところ、転写不良は２０％程
度見られた。

【００３１】（比較例４）比較例４は、実施例２におい
て、各転写用原版の配線部の転写を、同様の圧着条件
（温度１２０°Ｃ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ）で行った後、
この状態で熱処理を行わずに、常温下でベース基板１８
０から転写用原版の支持体１１０を剥離し、ベース基板
１８０上に配線部を形成した。各転写用原版の配線部の
転写後、転写されたベース基板面の目視検査を行ったと
ころ、転写不良は５０％程度見られた。

【００３２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
支持体上に所定形状の導電性層からなる配線部を設け、
更に該配線部上に粘着性あるいは接着性の絶縁性樹脂層
を設けた転写用原版を複数版用い、順次、多層配線基板
用のベース基板の一面に転写用原版を圧着し、且つその
支持体を剥離することにより、各転写用原版の配線部を
絶縁性樹脂層を介してベース基板側に順次転写して、配
線を形成する多層配線基板の製造方法において、各転写
用原版の配線部を絶縁性樹脂層を介してベース基板側に
転写する際、絶縁性樹脂層の引張破壊強度を向上させる
ことを可能としており、結果、転写時の歩留まりの改善
を可能としている。結局、本発明は、複雑な工程を必要
とせず、生産性良く量産に向く、転写用原版を用いた多
層配線基板の製造方法で、配線の微細化、高密度化に対
応でき、且つ、転写歩留りの良い、配線基板の製造がで
きる多層配線基板の製造方法の提供を可能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態
の１例の工程概略図

【図２】第１の例の転写用原板の作製工程図

【図３】第２の例の転写用原板の作製工程図

【図４】転写の際の、各界面における各密着力、絶縁性
樹脂層の引張破壊強度の関係を説明するための図

【符号の説明】１００、３００転写用原版１０１、１０２、１０３転写用原版１１０、３１０支持体１２０、３２０配線（導電
性層）１３０、３３０絶縁性樹脂
層１５０、３５０レジスト１５５、２５５開口１８０、３８０ベース基板

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年５月２２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】以下のようにポリイミドワニスを作製し、
電着液の調整を行った。＜ポリイミドワニスの製造＞１ｌ容量の三つ口セパラブ
ルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及
びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管
をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。３、
４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無
水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．１モ
ル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）
スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モ
ル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モ
ル）、ピリジン２．４ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ
−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３
０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で
３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０
℃、１時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。
トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴ
ＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安
息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２１６ｇ（０．１
モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室
温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温
して１８０℃に加熱攪拌しトルエン−水留出分１５ｍｌ
を除去した。その後、トルエン−水留出分を系外に除き
ながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了
させた。２０％ポリイミドワニスを得た。酸当量（１個
のＣ００Ｈあたりのボリマー量は１５５４）は７０であ
る。＜電着液の調製＞２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇ
に３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェン−１、１−
ジオキシド＝１：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベ
ンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ
（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を
調製した。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４
％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液であった。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に所定形状の導電性層からなる
配線部を設け、更に該配線部上に粘着性あるいは接着性
の絶縁性樹脂層を設けた転写用原版を複数版用い、順
次、多層配線基板用のベース基板の一面に転写用原版を
圧着し、且つその支持体を剥離することにより、各転写
用原版の配線部を絶縁性樹脂層を介してベース基板側に
順次転写して、配線を形成する多層配線基板の製造方法
であって、各転写用原版を圧着後、熱処理を行い絶縁性
樹脂層の引張破壊強度を上げた後に、各転写用原版の支
持体を剥離することを特徴とする多層配線基版の製造方
法。
【請求項２】請求項１において、圧着後の熱処理は、
絶縁性樹脂層の樹脂に含まれる溶液成分の揮発温度以上
に加熱するものであることを特徴とする多層配線基板の
製造方法。
【請求項３】請求項１ないし２における絶縁性樹脂層
を支持体の配線部上に電着によって形成するものである
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】請求項３において、絶縁性樹脂層の形成
は、ポリイミドもしくはポリイミド前駆体を含有する電
着液を用い、電着により形成するものであることを特徴
とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】請求項３において、絶縁性樹脂層の形成
は、エポキシ系電着液を用い、電着により形成するもの
であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】請求項１ないし５の多層配線基板の製造
方法により製造されたことを特徴とする多層配線基板。