JP2002009203A

JP2002009203A - 配線形成方法と配線基板

Info

Publication number: JP2002009203A
Application number: JP2000188825A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Kanda; 信之神田; Yutaka Yagi; 裕八木
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2000-06-23
Filing date: 2000-06-23
Publication date: 2002-01-11

Abstract

(57)【要約】【課題】プリント基板、フレキシブル基板、磁気ヘッ
ドサスペンション用配線基板（被膜付き配線を用いない
配線基板、あるいは、ベース基板上に絶縁層を介して配
線を形成した電子部材における、配線の形成方法であっ
て、絶縁層の加工において、絶縁層の無駄を避けること
ができる方法を提供する。【解決手段】ベース基材の導電性面上に所定形状に絶
縁層を形成する絶縁層形成工程と、さらに形成された絶
縁層上に配線を形成する配線形成工程とを有する配線形
成方法であって、絶縁層形成工程が、ベース基材上に所
定の開口を有するレジストパターンを形成した後、レジ
ストパターンの開口から露出したベース基材面に電着に
より電着樹脂層を形成し、これを必要に応じ、乾燥、熱
処理して絶縁層とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ搭載
用の配線基板（パッケージ用配線基板とも言う）、プリ
ント基板、フレキシブル基板、磁気ヘッドサスペンショ
ン用の配線基板（磁気ヘッドを搭載するスライダ部のジ
ンバルサスペンション）等に関し、特に、ベース基材上
に設けられた絶縁層上に、めっき形成された配線層を設
けた配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント基板、フレキシブル基
板、磁気ヘッドサスペンション用配線基板（被膜付き配
線を用いない配線基板、あるいは、ベース基板上に絶縁
層を介して配線を形成した電子部材における、絶縁層の
加工は、全面にポリイミドやガラスエポキシ等の絶縁層
を形成してある積層基板に対して、ドリリング等の機械
加工、レーザーによる孔開け、レジストを耐エッチング
マスクとしたエッチング加工（フォトプロセスとも言
う）により、あるいは感光性の絶縁層を製版して行なわ
れていた。例えば、ジンバルサスペンション（磁気ヘッ
ドサスペンション用の配線基板）の配線は、最近では、
絶縁層を、めっき形成された配線層に沿った形状に、且
つその幅をできるだけ狭くしてして、ベース基板上、配
線部下に形成されている。以下、従来のジンバルサスペ
ンションへの配線形成方法を簡単に説明しておく。先
ず、ステンレス材をベース基材とし、ベース基材５１０
上に、直接、感光性ポリイミド層を塗布し、所定の形状
に製版加工して、絶縁層５２０を形成する。（図３
（ａ））次いで、絶縁層５２０を覆うように、全面に、スパッタ
により、後続する電解めっきの給電層となる銅層５３２
を薄く形成し（図３（ｂ））、更に、フォトリソグラフ
ィー法により、スパッタ形成された銅層上に、配線部を
形成する領域を開口した耐めっき性のレジスト５６０を
形成し、これを電解めっき用のめっきマスクとする。
（図３（ｃ））次いで、スパッタ形成された銅層を給電層として、電解
銅めっきを行ない、めっき用マスクの開口５６５から露
出したスパッタ形成された銅層上に、配線層となる電解
銅めっき層５３１を形成する。（図３（ｄ））次いで、レジストを除去し（図３（ｅ））、必要に応じ
洗浄処理を施した後、全面にソフトエッチングを行な
い、配線層部以外のスパッタ形成された銅層を除去し、
配線層部を形成するソフトエッチング工程とを行い、絶
縁層５２０上に配線５３０を形成する。（図３（ｆ））

【０００３】図３に示す、配線形成方法における絶縁層
の形成は、ベース基材５１０上に、直接、感光性ポリイ
ミド層を塗布し、所定の形状に製版加工して行われるた
め、ベース基材に塗布される絶縁層の大半が無駄とな
る。このように、従来の、プリント基板、フレキシブル
基板、磁気ヘッドサスペンション用配線基板（被膜付き
配線を用いない配線基板、あるいは、ベース基板上に絶
縁層を介して配線を形成して電子部材における、絶縁層
の加工においては、絶縁層の無駄が避けられず問題とな
っていた。特に、絶縁層材料がポリイミドのように材料
コストが高い材料である場合には、製品のコスト高を招
き大きな問題となっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来
の、プリント基板、フレキシブル基板、磁気ヘッドサス
ペンション用配線基板（被膜付き配線を用いない配線基
板、あるいは、ベース基板上に絶縁層を介して配線を形
成した電子部材における、絶縁層の加工においては、絶
縁層の無駄が避けられず、この対応が求められていた。
特に、材料コストが高いポリイミドを絶縁層材料とする
場合には、強くその対応が求められていた。本発明は、
これに対応するもので、プリント基板、フレキシブル基
板、磁気ヘッドサスペンション用配線基板（被膜付き配
線を用いない配線基板、あるいは、ベース基板上に絶縁
層を介して配線を形成した電子部材における、配線の形
成方法であって、絶縁層の加工において、絶縁層の無駄
を避けることができる方法を提供しようとするものであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、ベース基材の導電性面上に所定形状に絶縁層を形成
する絶縁層形成工程と、さらに形成された絶縁層上に配
線を形成する配線形成工程とを有する配線形成方法であ
って、絶縁層形成工程が、ベース基材上に所定の開口を
有するレジストパターンを形成した後、レジストパター
ンの開口から露出したベース基材面に電着により電着樹
脂層を形成し、これを必要に応じ、乾燥、熱処理して絶
縁層とするものであることを特徴とするものである。そ
して、上記において、配線層形成工程が、順に、（ａ）
ベース基板の導電性面上の絶縁層を覆うように、無電解
めっきにより、無電解めっき層を形成する無電解めっき
工程と、（ｂ）フォトリソグラフィー法により、無電解
めっき層上に、配線部を形成する領域を開口した耐めっ
き性のレジストを形成し、これを電解めっき用のめっき
マスクとするマスキング工程と、（ｃ）無電解めっき層
を給電層として、電解めっきを行ない、めっき用マスク
の開口から露出した無電解めっき層上に、配線となる電
解めっき層を形成する電解めっき工程と、（ｄ）レジス
トを除去し、必要に応じ洗浄処理を施した後、全面にソ
フトエッチングを行ない、配線部以外の無電解めっき層
を除去し、配線層部を形成するソフトエッチング工程と
を行うものであることを特徴とするものである。そして
また、上記において、電着樹脂層が、イオン性基を含有
するポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な
有機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性
化合物からなる電着塗料組成物より電着により形成され
たものであることを特徴とするものである。また、上記
において、無電解めっき工程は、予め、無電解めっきを
施す絶縁層表面を、物理的に研磨、あるいは化学的に研
磨するものであることを特徴とするものである。また、
上記において、ベース基材がステンレス基板であること
を特徴とするものである。

【０００６】本発明の配線基板は、ベース基材上に設け
られた絶縁層上に、めっき形成された配線層を設けた配
線基板であって、上記、本発明の配線形成方法により作
製されたことを特徴とするものであり、磁気ヘッドサス
ペンション用の配線基板であることを特徴とするもので
ある。

【０００７】

【作用】本発明の配線形成方法は、このような構成にす
ることにより、プリント基板、フレキシブル基板、磁気
ヘッドサスペンション用配線基板（被膜付き配線を用い
ない配線基板、あるいは、ベース基板上に絶縁層を介し
て配線を形成した電子部材における、配線の形成方法で
あって、絶縁層の加工において、絶縁層の無駄を避ける
ことができる方法の提供を可能とするものである。具体
的には、ベース基材の導電性面上に所定形状に絶縁層を
形成する絶縁層形成工程と、さらに形成された絶縁層上
に配線を形成する配線形成工程とを有する配線形成方法
であって、絶縁層形成工程が、ベース基材上に所定の開
口を有するレジストパターンを形成した後、レジストパ
ターンの開口から露出したベース基材面に電着により電
着樹脂層を形成し、これを必要に応じ、乾燥、熱処理し
て絶縁層とするものであることにより、これを達成して
いる。即ち、必要分の絶縁層のみを電着により形成する
ことにより、従来の、プリント基板、フレキシブル基
板、磁気ヘッドサスペンション用配線基板（被膜付き配
線を用いない配線基板）あるいはベース基板上に絶縁層
を介して配線を形成した電子部材における、絶縁層の加
工において発生する絶縁層の無駄を無くしている。

【０００８】配線層形成工程としては、順に、（ａ）ベ
ース基板の導電性面上の絶縁層を覆うように、無電解め
っきにより、無電解めっき層を形成する無電解めっき工
程と、（ｂ）フォトリソグラフィー法により、無電解め
っき層上に、配線部を形成する領域を開口した耐めっき
性のレジストを形成し、これを電解めっき用のめっきマ
スクとするマスキング工程と、（ｃ）無電解めっき層を
給電層として、電解めっきを行ない、めっき用マスクの
開口から露出した無電解めっき層上に、配線となる電解
めっき層を形成する電解めっき工程と、（ｄ）レジスト
を除去し、必要に応じ洗浄処理を施した後、全面にソフ
トエッチングを行ない、配線部以外の無電解めっき層を
除去し、配線層部を形成するソフトエッチング工程とを
行うものが挙げられる。

【０００９】また、電着樹脂層が、イオン性基を含有す
るポリイミド樹脂と、該ポリイミド樹脂を溶解可能な有
機溶剤、水、前記イオン性基と極性が異なるイオン性化
合物からなる電着塗料組成物より電着により形成された
もの（素材自体が高コストのものである）である場合に
は、コスト的に有効である。また、磁気ヘッドサスペン
ション用の配線基板における配線形成のように、配線層
下側のみに絶縁層を形成する場合は、特に有効である。

【００１０】本発明の配線基板は、このような構成にす
ることにより、コスト低減が図れる配線基板の提供を可
能にしている。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を挙げ、図に
基づいて説明する。図１は本発明の配線形成方法の実施
の形態の１例の工程の一部を示した断面図で、図２は図
１に続く工程を示した断面図である。図１、図２中、１
１０はベース基板、１２０はレジスト、１２５は開口、
１３０は絶縁層（電着樹脂層）、１４０は無電解めっき
層、１５０はレジスト、１５５は開口、１６０は電解め
っき層（配線部とも言う）、１７０はウェットブラス
ト、１８０はレジスト、１８５は開口である。本発明の
配線形成方法の実施の形態の１例を図１、図２に基づい
て説明する。本例は、導電性のベース基板１１０の一面
上に所定形状に電着樹脂層を形成し、これより絶縁層１
３０を形成する絶縁層形成工程と、さらに形成された絶
縁層１３０上に配線を形成する配線形成工程とを有する
配線形成方法である。先ず、導電性のベース基板１１０
（図１（ａ））の一面上に、所定形状の開口１２５を有
するレジスト１２０を形成し（図１（ｂ））、電着によ
り、開口１２５から露出したベース基板１１０面上に絶
縁性の電着樹脂層を形成し、必要に応じ、乾燥熱処理し
て絶縁層１３０とする。（図１（ｃ））導電性のベース基板１１０としては、ステンレス等の金
属基材やベースとなる樹脂表面に金属箔を積層したもの
等が挙げられる。レジスト１２０としては、所望の解像
性があり、電着処理に耐えるもので、処理性の良いもの
であれば、特に限定はされない。絶縁層１３０は、電着
形成された電着樹脂層を必要に応じ乾燥、熱処理したも
ので、電気的絶縁性、化学的安定性、強度の点で優れた
ものが好ましい。

【００１２】電着樹脂層を電着形成するための電着液に
用いられる高分子としては、電着性を有する各種アニオ
ン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることが
できる。アニオン性高分子樹脂としては、アクリル樹
脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジ
エン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合
せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニ
オン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレ
タン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。また、カ
チオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これ
らの任意の組合せによる混合物として使用できる。さら
に、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹
脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。ま
た、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジ
ン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要
に応じて添加することも可能である。上記高分子樹脂
は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶
化された状態、または水分散状態で電着法に供される。
すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルア
ミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジ
イソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛
性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高
分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で
中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子
樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状
態で使用される。特に、絶縁性、強度、化学的安定性の
面から電着樹脂層がポリイミド樹脂であるとが好まし
い。例えば、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、
該ポリイミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオ
ン性基と極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料
組成物より電着により形成されたものが挙げられる。

【００１３】次いで、所定液にてレジストを剥離除去し
た（図１（ｄ））後、絶縁層１３０に無電解めっきを施
し、無電解めっき層１４０を形成する。（図１（ｅ））無電解めっき層１４０は後続する配線形成のための電解
めっきの際の給電層となる。無電解めっきとしては、定
法の無電解ニッケルめっき、無電解銅めっきが挙げられ
る。

【００１４】次いで、無電解めっき層１４０上に配線の
形状に合せた開口１５５を有するレジスト１５０を形成
し（図１（ｆ））、開口１５５から露出した無電解めっ
き層１４０上に配線層となる電解めっき層１６０を電解
めっき形成する。（図１（ｇ））配線層となる電解めっき層１６０としては、導電性やコ
スト面からめっき銅を主体としたものが用いられるが、
これに限定はされない。必要に応じてＮｉ（ニッケ
ル）、Ａｕ（金）、Ｃｒ（クロム）、Ａｇ（銀）、Ｐｔ
（白金）等を積層して用いられる。例えば、銅めっき層
を主体とし、配線表面部に接続処理用に、あるいはイオ
ンマイグレーション防止用に、ニッケル層を下地として
金めっき層を設け、無電解めっき層１４０側から順に、
下地のニッケル層、銅めっき層、ニッケルめっき層、金
めっき層をそれぞれ電解めっき形成し、配線層となる電
解めっき層１６０としても良い。

【００１５】次いで、レジスト１６０を所定の剥離液に
て剥離除去した（図１（ｈ））後、露出している無電解
メッキ層１４０をソフトエッチングして除去する。（図
２（ｉ））尚、ソフトエッチングとは、極めて短時間のエッチング
を言い、特に配線となる導電性層１６０に影響がでない
程度のエッチングを言う。

【００１６】次いで、ウエットブラストにより、絶縁層
１３０中（表面部）の不要な触媒を除去する。（図２
（ｊ））ウエットブラストは、水中に砥材（研磨粒子）を入れた
液体をノズル等により吹き付けるものである。勿論、ウ
エットブラストに代え、化学的に触媒除去してもかまわ
ない。このようにして、ベース基板１１０上に電着形成
された所定形状の絶縁層１３０上に配線層となる導電層
１６０をめっき形成した配線基板を得ることができる。

【００１７】更に、必要に応じ、このようにして配線が
形成された配線基板の、ベース基板１１０を以下のよう
に外形加工する。ベース基板１１０のエッチングする所
定領域のみ開口１８５を設け耐エッチング性のレジスト
１８０で覆った（図２（ｋ））後、開口１８５から露出
したベース基板をエッチング加工する。（図２（ｌ））そして、レジスト１８０を所定の剥離液で剥離除去し
て、所定形状のベース基板からなる配線基板を得る。
（図２（ｍ））

【００１８】

【実施例】実施例は図１（ａ）〜図１（ｈ））、図２
（ｉ）〜図２（ｊ））に示す実施の形態例の配線形成方
法とそれに続くベース基板１１０のエッチング加工（図
２（ｋ）〜図２（ｊ））により、磁気ヘッドサスペンシ
ョンのジンバルサスペンション用の配線基板を形成した
ものである。ベース基板の基材として厚さ２０μｍのス
テンレス材ＳＵＳ３０４（新日本製鉄製）（図１
（ａ））を用い、その一面に形成する電着樹脂層（絶縁
層１３０）の形状に合せた開口１２５を有するレジスト
１２０を形成した。（図１（ｂ））レジスト１２０としては、耐電着処理性のドライフィル
ムレジストＡＸ１１０、３０μｍ厚（旭化成工業製）を
用いた。

【００１９】次いで、以下のように、ポリイミドワニス
を作製し、電着液の調整を行い、レジストの開口から露
出したベース基板１１０の面に電着し、１５０℃、６０
分間で乾燥を行い、厚さ１５μｍに電着樹脂層を絶縁層
１３０として形成した。尚、導電性のベース基板１１０
を白金電極と対向させ、下記のようにして調整したアニ
オン型の電着液中に浸漬し、定電圧電源の陽極にベース
基板１１０を、陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電
圧で５分間の電着を行った。＜ポリイミドワニスの製造＞１１容量の三つ口セパラブ
ルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及
びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管
をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。３、
４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無
水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．ｌモ
ル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）
スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モ
ル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モ
ル）、ピリジン２．３７ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ
（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエ
ン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室
温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８
０℃、ｌ時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させ
る。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、
ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミ
ノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２２ｇ（０．
１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、
室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇
温して１８０℃に加熱攪拌しトルエンー水留出分１５ｍ
ｌを除去する。その後、トルエンー水留出分を系外に除
きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終
了した。２０％ポリイミドワニスを得た。＜電着液の調製＞２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇ
に３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェンー１、ｌ−
ジオキシド＝ｌ：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベ
ンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ
（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を
調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４
％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液である。

【００２０】次いで、レジスト１２０を所定の剥離液で
剥離除去し、窒素雰囲気下で３５０℃、１時間硬化処理
を行い、電着樹脂層を硬化し、絶縁層１３０とした。
（図１（ｄ））硬化後の膜厚は１０μｍであった。

【００２１】次いで、絶縁層１３０の表面部を、ウエッ
トブラスト処理により粗面化し、水洗後、以下の条件で
無電解ニッケルめっきを施し、絶縁層１３０表面を覆う
ように、０. ５μｍの厚さに無電解めっき層１４０を形
成した。（図１（ｅ））ウエットブラスト処理は、マ
コー株式会社製のウエットブラスト加工装置で、アルミ
ナ砥材＃１０００（平均粒径１１. ５μｍ）、砥材濃度
２０％、ポンプ圧０. ７ｋｇ／ｃｍ²、処理速度１０ｍ
／ｍｉｎの条件下で処理を行った。＜無電解ニッケルめっき＞センシタイジング；Ｓ−１０Ｘ（上村工業製） 3分アクチベーティング；Ａ−１０Ｘ（上村工業製） 3分無電解めっき；ＮＰＲ−４（上村工業製）１分

【００２２】次いで、無電解めっき層１４０上に、東京
応化製のレジストＰＭＥＲ−ＡＲ９００を、バーコータ
により１０μｍの厚み（プリベーク後）に塗布形成し、
露光現像を行い、配線の形状に合せた開口１５５を有す
るレジスト１５０を形成した。（図１（ｆ））

【００２３】次いで、無電解めっき層１４０上に、開口
１５５から露出した無電解めっき層１４０上に、以下の
ように、電解光沢ニッケルめっき、電解銅めっき、電解
無光沢ニッケルめっき、電解金めっきを順に行ない、
配線層となる電解めっき層１６０を電解めっき形成す
る。（図１（ｇ））＜電解光沢ニッケルめっき＞硫酸ニッケル（６水塩）３００ｇ／ｌ塩化ニッケル（６水塩）４５ｇ／ｌほう酸４０ｇ／ｌＰＣニッケルＡ−１１０ｍｌ／ｌＡ−２１ｍｌ／ｌ温度５０℃ 電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間１分＜電解銅めっき＞硫酸銅（５水塩）７０ｇ／ｌ硫酸２００ｇ／ｌ塩酸０. ５ｍｌ／ｌスパースロー２０００光沢剤１０ｍｌ／ｌスパースロー２０００補正剤５ｍｌ／ｌ温度２０℃ 電流密度４Ａ／ｄｍ² 時間１２分＜電解無光沢ニッケルめっき＞ＷＨＮめっき液（日本高純度化学社製）温度５０℃ 電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間１分＜電解金めっき＞テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学社製）温度６０℃ 電流密度０. ４Ａ／ｄｍ² 時間１分

【００２４】次いで、レジスト１５０をアセトンにて剥
離した（図１（ｈ））後、配線部を損傷しないように露
出した無電解めっき層１４０のを、ニムデンリップＣ−
１１にてソフトエッチングして剥離除去した。（図２
（ｉ））更に、触媒を除去するために、マコー株式会社製のウエ
ットブラスト加工装置で、アルミナ砥材＃１０００（平
均粒径１１. ５μｍ）、砥材濃度２０％、ポンプ圧０.
５ｋｇ／ｃｍ²、処理速度１０ｍ／ｍｉｎの条件下でウ
エットブラスト処理を行った。この後、洗浄処理を施
し、ベース基板１１０一面上に所定形状（配線形状）の
絶縁層１３０、配線層（電解メッキ層１６０とその下地
の無電解めっき層１４０）を形成した配線基板を得た。

【００２５】次いで、ベース基板１１０のエッチングす
る所定領域のみ開口１８５を設け耐エッチング性のレジ
スト１８０で覆った（図２（ｋ））後、開口１８５から
露出したベース基板をエッチングにより外形加工し、次
いで、レジスト１８０を所定の剥離液で剥離除去して
（図２（ｌ））、所定形状のベース基板からなる磁気ヘ
ッドサスペンションのジンバルサスペンション用の配線
基板を得た。（図２（ｍ））レジストとしては、ドライフィルムレジストＡＸ１１０
（旭化成工業製）を用い、エッチング液としては塩化第
二鉄水溶液を用いた。

【００２６】

【発明の効果】本発明は、上記のように、プリント基
板、フレキシブル基板、磁気ヘッドサスペンション用配
線基板（被膜付き配線を用いない配線基板、あるいは、
ベース基板上に絶縁層を介して配線を形成した電子部材
における、配線の形成方法であって、絶縁層の加工にお
いて、絶縁層の無駄を避けることができる方法の提供を
可能とした。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線形成方法の実施の形態の１例の工
程の一部を示した断面図

【図２】図１に続く工程を示した断面図

【図３】従来の、ジンバルサスペンションへの配線形成
方法の概略工程図

【符号の説明】

１１０ベース基板１２０レジスト１２５開口１３０絶縁層（電着樹脂層）１４０無電解めっき層１５０レジスト１５５開口１６０電解めっき層（配線部とも言う）１７０ウェットブラスト１８０レジスト１８５開口５１０ベース基材５２０絶縁層５３０配線層５３１電解めっき層５３２銅層５６０レジスト５６５開口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E315 AA03 BB02 BB05 BB16 CC11 DD11 DD15 DD16 GG22 5E343 AA02 AA18 AA22 BB16 BB21 BB71 CC62 DD33 DD43 DD76 ER18 ER22 ER26 GG01 GG20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベース基材の導電性面上に所定形状に絶
縁層を形成する絶縁層形成工程と、さらに形成された絶
縁層上に配線を形成する配線形成工程とを有する配線形
成方法であって、絶縁層形成工程が、ベース基材上に所
定の開口を有するレジストパターンを形成した後、レジ
ストパターンの開口から露出したベース基材面に電着に
より電着樹脂層を形成し、これを必要に応じ、乾燥、熱
処理して絶縁層とするものであることを特徴とする配線
形成方法。
【請求項２】請求項１において、配線層形成工程が、
順に、（ａ）ベース基板の導電性面上の絶縁層を覆うよ
うに、無電解めっきにより、無電解めっき層を形成する
無電解めっき工程と、（ｂ）フォトリソグラフィー法に
より、無電解めっき層上に、配線部を形成する領域を開
口した耐めっき性のレジストを形成し、これを電解めっ
き用のめっきマスクとするマスキング工程と、（ｃ）無
電解めっき層を給電層として、電解めっきを行ない、め
っき用マスクの開口から露出した無電解めっき層上に、
配線となる電解めっき層を形成する電解めっき工程と、
（ｄ）レジストを除去し、必要に応じ洗浄処理を施した
後、全面にソフトエッチングを行ない、配線部以外の無
電解めっき層を除去し、配線層部を形成するソフトエッ
チング工程とを行うものであることを特徴とする配線形
成方法。
【請求項３】請求項１ないし２において、電着樹脂層
が、イオン性基を含有するポリイミド樹脂と、該ポリイ
ミド樹脂を溶解可能な有機溶剤、水、前記イオン性基と
極性が異なるイオン性化合物からなる電着塗料組成物よ
り電着により形成されたものであることを特徴とする配
線形成方法。
【請求項４】請求項１ないし３において、無電解めっ
き工程は、予め、無電解めっきを施す絶縁層表面を、物
理的に研磨、あるいは化学的に研磨するものであること
を特徴とする配線形成方法。
【請求項５】請求項１ないし４において、ベース基材
がステンレス基板であることを特徴とする配線形成方
法。
【請求項６】ベース基材上に設けられた絶縁層上に、
めっき形成された配線層を設けた配線基板であって、請
求項１ないし６の配線形成方法により作製されたことを
特徴とする配線基板。
【請求項７】請求項６において、磁気ヘッドサスペン
ション用の配線基板であることを特徴とする配線基板。