JP3827846B2 - 配線基板の製造方法と配線基板 - Google Patents
配線基板の製造方法と配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3827846B2 JP3827846B2 JP36165097A JP36165097A JP3827846B2 JP 3827846 B2 JP3827846 B2 JP 3827846B2 JP 36165097 A JP36165097 A JP 36165097A JP 36165097 A JP36165097 A JP 36165097A JP 3827846 B2 JP3827846 B2 JP 3827846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- wiring board
- layer
- wiring
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線パターン基板に関するもので、特に量産性に優れた配線パターン基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる配線基板においても、高密度化の要求に対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化も進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が煩雑で製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
これに対応するため、基材上に、めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっき層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、この多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
また、基材上に金属配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れた構造のものは得られていなかった。
本発明は、これに対応するもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することを特徴とするものである。
そして、上記において、絶縁層はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とするものであることを特徴とするものであり、該感光性絶縁性レジストの塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とするものである。
また、上記における絶縁層の形成工程は、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板上へ絶縁層を直接パターン形成するものであることを特徴とするものである。
また、上記における絶縁層の形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とするものであり、該凹部への絶縁層の形成を、電着法により行うことを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の配線基板は、上記本発明の配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とするものであり、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であり、絶縁層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とするものである。
【０００８】
尚、ベース基板とは、ここでは、配線基板を作製する上でベースとなる基板を言っている。
また、熱分解温度についてはＪＩＳ Ｋ７１２０に規定される。
熱膨張係数は、ＪＩＳ用語３３１に規定されるもので、１°Ｃ当たりの熱膨張を示す係数である。
尚、ここでは、セイコー電子工業株式会社製のＴＭＡ−ＳＳにより、加重２ｇにて０°Ｃから３５０°Ｃの範囲で熱膨張係数を測定した。
【０００９】
【作用】
本発明の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
詳しくは、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することにより、これを達成している。
即ち、アディティブ法により金属配線部を製造するために配線部の微細化に対応でき、転写工程により作製するために量産性の良いものとしており、且つ、転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することにより転写性を良いものとしている。
更に具体的には、絶縁層はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることにより、即ち、配線基板のベース基板と絶縁層の熱膨張係数をできるだけ近くしていることにより、微細化された配線部（金属配線部）が、基板から絶縁層とともに剥がれたり、ソルことがないようにしている。
【００１０】
本発明の配線基板は、本発明の配線基板の製造方法により製造されるもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の製造を可能としている。
また、絶縁層の重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層がさらされる最高温度Ｔｐｍ以上とし、且つ絶縁層の熱膨張係数を、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層がさらされる温度のもとで、配線基板のベース基板の熱膨張係数に近くしておくことにより、品質的にも、配線部の剥がれやソリが発生しないようにしている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明を図面を参照にして説明する。
図１は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程、第２の例の工程を示した断面図である。図２は実施の形態の第３の例の工程、第４の工程を示した断面図である。
図１、図２中、１００、１０５は配線基板、１１０はベース基板（ステンレス基板）、１２０は絶縁層、１２０Ａは感光性絶縁性レジスト、１２０Ｂ絶縁材料、１３０は金属配線層（めっき形成金属配線層）、１４０はステンレス基板、１５０、１７０は感光性のレジストである。
まず、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例は、ベース基板上に絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法である。そして、順次、（ａ）ベース基板上に直接、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程とを有するものである。そして、転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写するものである。
第１の例においては、絶縁層形成工程として、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とする工程を採っている。
また、ベース基板１１０、金属配線層１３０を、それぞれ、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）、銅めっきにより形成されるめっき銅配線層とするものである。
【００１２】
以下、第１の例を図１をもとに説明する。
まず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０（図１（ａ））上に絶縁性の感光性レジスト１５０を全面に塗布し（図１（ｂ））、これを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とする。（図１（ｃ））
感光性のレジスト１５０としては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましい。
また、感光性のレジスト１５０の塗布方法としては、スクリーン印刷によるベース基板上への全面塗布、ロールコーター、ダイコーター等が挙げられる。
次いで、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０の感光性のレジスト１５０から露出した部分に、所定の硫酸銅めっき浴にて、銅めっきを施し、金属配線層１３０を得る。（図１（ｄ））
通常、金属配線層１３０は、図１（ｄ）に示すように、ステンレス基板１４０の感光性のレジスト１５０から露出した幅よりも大きい幅に、感光性のレジスト１５０の厚さよりも厚く、めっきを施し、めっき部の断面形状をいわゆるマッシュルーム型とする。
【００１３】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板１１０（図１（ｅ１））の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト１２０Ａを全面に塗布し（図１（ｆ１））、これを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層１２０とする。（図１（ｇ１））
感光性のレジストとしては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましく、更に、所定形状とされて作製する配線基板の絶縁層１２０となるため、重量５％減の熱分解温度が、配線基板作製中でさらされる温度や実使用される際にさらされる温度の中で最高の温度Ｔｐｍ以上であり、且つ、熱膨張係数がこの温度Ｔｐｍ以下の絶縁層１２０がさらされる温度のもとでベース基板１１０の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲に入っているものが好ましい。
【００１４】
次いで、絶縁層１２０が溶剤を含んだ状態で、所定の熱および圧をかけて（図１（ｈ））、ステンレス（ＳＵＳ３０１）基板１４０の金属配線１３０を、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板１１０へ、絶縁層１２０を介して転写して、配線基板１００を得る。（図１（ｉ））
絶縁層１２０に溶剤を含ませた態状態で転写することにより、転写性の良いものとしている。
この後、絶縁層１２０はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理されるが、降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍである。
尚、Ｔｐｍは絶縁層１２０のガラス転移温度Ｔｇより下で、熱処理はＴｐｍ以下で行われることは言うまでもない。
【００１５】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例は、第１の例とは、絶縁層形成工程が異なるもので、図１（ｅ１）〜図１（ｇ１）の工程に代え、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、図１（ｅ２）〜図１（ｇ２）に示すように、ベース基板１１０上へ絶縁層を直接パターン形成するもので、この場合は絶縁層となる素材は感光性である必要はない。
【００１６】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第３の例を説明する。
第３の例は、第１の例、第２の例とは、絶縁層形成工程が異なるもので、ベース基板１１０上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものである。他の工程については第１の例と同じで、ここでは説明を省略する。
以下、絶縁層形成工程を図２に基づいて説明する。
先ず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板１１０（図２（ｅ））の配線形成側の面上に、感光性レジスト１７０を全面に塗布し（図２（ｆ））、該感光性レジスト１７０を金属配線に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光、現像処理して所定形状とする。（図２（ｇ））
次いで、感光性レジスト１７０のパターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料１２０を埋め込む。（図２（ｈ））
次いで、埋め込まれた絶縁材料１２０Ｂを残し、感光性レジスト１７０部を所定の剥離液により除去し、残った絶縁材料１２０Ｂを絶縁層１２０として形成する。（図２（ｅ））
感光性レジスト１７０部の除去を、場合によっては、絶縁材料１２０Ｂを焼成する際に、焼き飛ばして行っても良い。
【００１７】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例を挙げる。
第４の例は、第３の例において、感光性レジスト２２０のパターンニングにより形成された凹部に、電着により絶縁層１２０を形成する（図２（ｉ））もので、それ以外は第３の例と同じである。
尚、電着により形成される絶縁層１２０は、電着性を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。 アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、後述する製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００１８】
尚、図１、図２に示す例では、ベース基板上に、絶縁層１２０を介して、めっき形成された金属配線層１３０を転写形成する場合を示してあるが、金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、めっき形成された金属配線層１３０を転写形成する場合についても同様に、絶縁層１２０を該ベース基板上に形成し、これを介して、めっき形成された金属配線層を転写できる。
【００１９】
次に、本発明の配線基板の実施の形態の例を挙げて図に基づいて説明する。
図３は第１の例を示した断面図であり、図４は第２の例を示した断面図である。
図３、図４中、３００、４００は配線基板、３１０、４１０は基板（ベース基板）、３２０、４２０は絶縁層、３３０、４３０、４３５は（めっきにより形成された）金属配線である。
【００２０】
まず、本発明の配線基板の実施の形態の第１の例について説明する。
図３に示す第１の例の配線基板３００は、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製されるもので、基板（ベース基板）３１０上に直接、縁層３２０を介して、めっきにより形成された金属配線層３３０が配設され、且つ基板３１０と金属配線層３３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板である。絶縁層３２０は金属配線層３３０の下にのみ形成されている。
そして、絶縁層３２０が配線基板作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとで、金属配線層３３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下で絶縁層３２０の熱膨張係数が、配線基板３００のベース基板３１０の熱膨張係数と近くしてある。
例えば、ベース基板３１０としてステンレス基板（ＳＵＳ ３０４）を用い、金属配線層３３０としてめっき銅を用いることにより、基板３１０と金属配線層３３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つようにできるが、第１の例は更に、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層３２０がさらされる温度のもとでこれら（金属配線層３３０や基板（ベース基板）３１０）の熱膨張係数に絶縁層３２０の熱膨張係数を合わしたものである。
また、配線基板の品質的な安定性の面から、絶縁層３２０は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするものである。
【００２１】
絶縁層３２０は、基本的には金属配線層３３０の絶縁性、耐熱性などの信頼性を確保するとともに、基板３１０上の位置を確保するものであり、基板上において絶縁層３２０を境として基板３１０から剥がれたり、金属配線層３３０にソリが生じることは許されない。
第１の例で、例えば、ベース基板３１０としてステンレス基板（ＳＵＳ３０４）を用い、金属配線層３３０としてめっき銅を用いた場合、金属配線層３３０の剥がれやソリを防止するために、絶縁層３２０としては、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（熱処理温度３５０°Ｃ）以上で、且つ、温度Ｔｐｍ（３５０°Ｃ）以下の絶縁層３２０がさらされる温度のもとで、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）の膨張係数１７ｐｐｍに近いものが用いられる。ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲、即ち、この場合は、熱膨張係数が２〜３２ｐｐｍの範囲のものが用いられる。
図３に示す第１の例においては、基板３１０と絶縁層３２０との間に接着剤層を設けていないため、絶縁層３２０としては、常温もしくは加熱により接着性を示すものである必要がある。
熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良い。また、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラーを含むものでも良い。
具体的には、絶縁層３２０としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾイミダゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられ、スクリーン印刷法やマスクを介して塗布する方法、ディスペンス法などの加工方法に応じ、粘度や流動特性を調節して適用する。
また、絶縁層３２０として、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものを用いた場合には、製造工程を簡単化できる。
【００２２】
基板（ベース基板）３１０としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板等が挙げられる。
尚、配線基板の金属配線３３０として銅が用いられる場合には、ベース基板の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が用いられる。
ステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅とほぼ同じで、１７ｐｐｍである。
【００２３】
次に、本発明の配線基板の実施の形態の第２の例について説明する。
図４に示す第２の例の配線基板４００も、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製されるもので、基板（ガラスクロス入りの基板（ＢＴレジン）をベース基板４１０として、その上に金属配線層４３５を設けた配線基板に対し、更に金属配線層４３５上にめっき形成された金属配線層４３０を絶縁層４２０を介して設けたもので、配線層が２層の多層配線基板である。
基板（ベース基板）４１０と金属配線層４３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板で、絶縁層４２０は金属配線層４３０の下にのみに形成されている。
そして、第２の例も、第１の例の場合と同様、絶縁層４２０を介して、めっき形成された金属配線層４３０が形成された配線基板で、絶縁層４２０が配線基板作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍが２５０°Ｃ（ハンダ処理の温度）の配線基板であり、Ｔｐｍ（２５０°Ｃ）以下の絶縁層４２０がさらされる温度のもとで、金属配線層４３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層４２０がさらされる温度のもとで、絶縁層４２０の熱膨張係数がベース基板４１０の熱膨張係数と近くしてある。
尚、絶縁層４２０としては、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（ハンダ処理の温度２５０°Ｃ）以上としている。
尚、ベース基板４１０の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ金属配線層４３０の材質としてと、銅が挙げられる。
絶縁層４２０の各層等の材質としては、第１の例において挙げたものの中で、適宜選ぶことができる。
【００２４】
【実施例】
（実施例１）
実施例１は、図３に示す配線基板３００を図１に示す第１の例の配線基板の製造方法にて作製したものである。
図１に基づいて説明する。
先ず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０（図１（ａ））の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト１５０としてＯＭＲ−８３（東京応化株式会社製）を全面に塗布し（図１（ｂ））、これをめっき形成される金属配線に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とした。（図１（ｃ））
感光性絶縁レジスト１５０は乾燥後１μ厚に塗布し、露光量６０ｍｊ（光源は超高圧水銀灯、４０５ｎｍ）で、指定現像液にて現像した。
次いで、下記のめっき浴組成、条件にて硫酸銅めっきを行い、レジスト１５０から露出した部分に厚さ１０μｍの銅めっきを施し金属配線４３０を形成した。（図１（ｄ））
〔電解めっきの液組成および条件〕
硫酸銅（５水塩） ７５ ｇ／ｌ
硫酸 １９０ ｇ／ｌ
塩素イオン ６０ ｍｇ／ｌ
スルカップＡＣ−９０Ｍ ２．５ ｍｌ／ｌ
温度 ２５ ℃
電流密度 ２．５Ａ／ｄｍ2
但し、スルカップＡＣ−９０Ｍは上村工義製の添加剤
【００２５】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板（ステンレス基板）１１０（図１（ｅ１））の配線形成側の面上に、感光性絶縁性レジスト１２０Ａを全面に塗布し（図１（ｆ１））、これを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、１００°Ｃ、３０秒間プレ乾燥を行い、これを絶縁層１２０とした。（図１（ｇ１））
感光性絶縁性レジスト１２０Ａとしては 熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数１５ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製の感光性ポリイミドＺＦＰＩ６０００を用いた。
硬化後の膜厚を７μｍとした。
【００２６】
次いで、絶縁層１２０に溶剤を含ませた態状態でベース基板１１０の絶縁層１２０とステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０のめっき銅からなる金属配線１３０とを位置合わせしながら両基板（１１０と１４０）を合わせ、温度１８０°Ｃ、圧１Ｋｇ／ｃｍ2 を１分間かけ（図１（ｈ））、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０から金属配線１３０を絶縁層１２０を介してステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０へ転写し、この後Ｎ2 雰囲気下で３４０°Ｃで熱処理を施し、絶縁層１２０を硬化して配線基板１００を得た。（図１（ｉ））
【００２７】
（実施例２）
実施例２は、実施例１において感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍの日立化成株式会社製のＰＬ８００９ｘを用いたものである。硬化後の膜厚を５μｍとした。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００２８】
（比較例１）
比較例１は、実施例１において感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数１０ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ６０００、１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとした絶縁層を用いたものである。硬化後の膜厚を７μｍとした。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で４００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００２９】
（比較例２）
比較例２は、実施例１において感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍ、の株式会社東レ製のＵＲ３１４０を用いたものである。硬化後の膜厚を６μｍとした。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００３０】
（実施例３）
実施例３は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への感光性絶縁性レジスト１２０Ａに代え感光性絶縁性ペーストの全面塗布をスクリーン印刷により行ったものであり、印刷後の感光性絶縁性ペースト（１２０Ａに相当）を金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層１２０として形成したものである。即ち、実施の形態の第２の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
その他については、実施例１と同様に行ったのである。
スクリーン印刷は、スクリーン印刷機３４ＧＸ（ニューロング社製）を用い、２５０メッシュのステンレスからなるスクリーン版を用い、印圧押込み１．０ｍｍで、熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数２５ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが３００°Ｃの株式会社東レ製のＵＲ５１００の絶縁性のペーストを印刷して、硬化させ６μｍの膜厚に感光性絶縁性ペースト（１２０Ａ）をステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上に全面塗布した。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００３１】
（比較例３）
比較例３は、実施例４におけるスクリーン印刷用の絶縁性のペーストとして熱分解温度２４０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍの株式会社日本ペイント製のプロピコート５０００インクを用いたものである。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で２５０°Ｃで熱処理をしたが、後の工程処理中にガス発生し、所望の絶縁層は得られなかった。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００３２】
（実施例４）
実施例４は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層１２０の形成を、基板１１０上に膜厚３０μｍの感光性レジストＴＨＢ−３７（日本合成ゴム株式会社製）を全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料ＳＰ０４２（株式会社東レ製）を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２からなる絶縁層１２０を厚さ８μｍに形成したものである。即ち、実施の形態の第３の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２の熱分解温度は３７０°Ｃ、熱膨張係数１９ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
それ他については、実施例１と同様に行った。
【００３３】
（実施例５）
実施例５において、凹部に埋め込む絶縁材料として絶縁材料ＰＬＸ３５００（日立化成製）を絶縁層１２０を厚さ５μｍに形成したものである。
絶縁材料ＰＬＸ３５００の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例４と同様に行った。
【００３４】
（比較例４）
実施例４において、凹部に埋め込み絶縁材料として絶縁材料ユピファインＳＴ（宇部興産株式会社製）１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を１００部分散混合して、熱膨張係数を１ｐｐｍとしたものを用い、絶縁層１２０を厚さ７μｍに形成したものである。
絶縁材料コピファインＳＴの熱分解温度は６００°Ｃ、熱膨張係数１ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例４と同様に行った。
【００３５】
（比較例５）
実施例４において、凹部に埋め込み絶縁材料として絶縁材料セミコファインＳＰ４３３（株式会社東京レ製）を絶縁層１２０を厚さ６μｍに形成したものである。
絶縁材料セミコファインＳＰ４３３（株式会社式会社東レ製）の熱分解温度は４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例４と同様に行った。
【００３６】
（実施例６）
実施例６は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層４２０の形成を、スクリーン印刷にて直接所定形状に形成したものである。即ち、実施の形態の第２の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
スクリーン印刷用ペーストとしてはＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（日本エイブルステック株式会社製）を用い６μｍの厚さに形成した。
ＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（絶縁層１２０）の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
それ他については、実施例１と同様に行った。
【００３７】
（実施例７）
実施例４において、凹部に埋め込む絶縁材料のＳＰ０４２の代わりに、電着形成により絶縁層１２０をベース基板１１０上の金属配線層１３０に対応する形状の感光性レジスト１７０から露出した部分に形成したものである。
即ち、実施の形態の第４の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
電着は、下記に示す液調整法により電着液を作り、これを用いたもので、熱分解温度４００°Ｃ、ガラス転移温度Ｔｇ３６０°Ｃ、熱膨張係数α＝２０ｐｐｍの電着絶縁層１２０をベース基板１１０上に形成した。
【００３８】
液調整は、固形分濃度２０％のポリイミド溶液１００ｇにＮＭＰ４００ｇを加え攪拌した後、低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０ｇ添加し、ビーズミルにて分散混合した。中和剤として、エタノールアミンを２ｇ添加して十分に攪拌し、更に水５０ｇを加え攪拌を一昼夜行った。
尚、液調整に先立ち、モノマー、ビス（４（４−（アミノフェノキシ）フェノキシ）フェニル）スルホン３０．８３５ｇ（０．０５ｍｏｌ）およびピロメリット酸二無水物１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を仕込み、それぞれのモル比のモノマー材料とトルエン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−ユーピロリドン）２４０ｇを仕込み、窒素雰囲気下で、１０時間、還流し、熱イミド化してポリイミド溶液を合成した。
合成した溶液の対数粘度は（ＮＭＰを溶媒とし、温度３５°Ｃ、濃度０．５ｇ／１００ｍｌで測定）１．７ｄｌ／ｇであった。
電着条件は、ステンレス基板からなるベース基板１１０全体を電着液に浸漬させ、ベース基板１１０を陽極として、同面積のステンレス板を陰極として両極間を５０ｍｍに対向させ、５０Ｖで１０分間連続電圧を印加することにより、ベース基板１１０上にポリイミド膜からなる電着絶縁層１２０を電着形成した。
【００３９】
上記実施例および比較例の配線基板に、熱処理を施した場合の配線部のソリを検査した結果を図５、図６に示す。
図５、図６に示す検査結果からも分かるように、絶縁層１２０の熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以上で、且つ、熱処理温度が絶縁層のガラス転移温度より低い場合で、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲である各実施例の配線基板にはソリの発生がみられなかった。
これに対し、熱処理温度が絶縁層のガラス転移温度より高い場合か、あるいは、熱処理温度が絶縁層のガラス転移温度より低く、熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以下でも、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）１１０の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である場合である、比較例１、比較例２、比較例４、比較例５の配線基板にはソリの発生がみられた。
比較例１の場合は、熱処理温度（４００°Ｃ）がガラス転移温度Ｔｇ（３５０°Ｃ）よりも高く、比較例２、比較例４、比較例５の場合は、絶縁層１２０の熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）１１０の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である。
また、熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以下の比較例３の配線基板基板の場合には、熱処理により絶縁層１２０がガス発生し、重量５％以上減少し、所望の膜厚が得られなかった。
【００４０】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
同時に、そのような配線基板の製造方法の提供を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例、第２の例を示した工程断面図
【図２】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第３の例、第４の例を示した工程断面図
【図３】本発明の配線基板の実施の形態の第１の例を示した断面図
【図４】本発明の配線基板の実施の形態の第２の例を示した断面図
【図５】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【図６】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【符号の説明】
１００、１０５ 配線基板
１１０ ベース基板（ステンレス基板）
１２０ 絶縁層
１２０Ａ 感光性絶縁性レジスト
１２０Ｂ 絶縁材料
１３０ 金属配線
１４０ ステンレス基板
１５０、１７０ 感光性のレジスト
３００、４００ 配線基板
３１０、４１０ 基板（配線基板のベース基板）
３２１、４２１ 絶縁層
３３０、４３０、４３５ 金属配線
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線パターン基板に関するもので、特に量産性に優れた配線パターン基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる配線基板においても、高密度化の要求に対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化も進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が煩雑で製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
これに対応するため、基材上に、めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっき層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、この多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
また、基材上に金属配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れた構造のものは得られていなかった。
本発明は、これに対応するもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板の製造方法は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することを特徴とするものである。
そして、上記において、絶縁層はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とするものであることを特徴とするものであり、該感光性絶縁性レジストの塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とするものである。
また、上記における絶縁層の形成工程は、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板上へ絶縁層を直接パターン形成するものであることを特徴とするものである。
また、上記における絶縁層の形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とするものであり、該凹部への絶縁層の形成を、電着法により行うことを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の配線基板は、上記本発明の配線基板の製造方法により製造されたことを特徴とするものであり、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であり、絶縁層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とするものである。
【０００８】
尚、ベース基板とは、ここでは、配線基板を作製する上でベースとなる基板を言っている。
また、熱分解温度についてはＪＩＳ Ｋ７１２０に規定される。
熱膨張係数は、ＪＩＳ用語３３１に規定されるもので、１°Ｃ当たりの熱膨張を示す係数である。
尚、ここでは、セイコー電子工業株式会社製のＴＭＡ−ＳＳにより、加重２ｇにて０°Ｃから３５０°Ｃの範囲で熱膨張係数を測定した。
【０００９】
【作用】
本発明の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
詳しくは、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することにより、これを達成している。
即ち、アディティブ法により金属配線部を製造するために配線部の微細化に対応でき、転写工程により作製するために量産性の良いものとしており、且つ、転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することにより転写性を良いものとしている。
更に具体的には、絶縁層はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることにより、即ち、配線基板のベース基板と絶縁層の熱膨張係数をできるだけ近くしていることにより、微細化された配線部（金属配線部）が、基板から絶縁層とともに剥がれたり、ソルことがないようにしている。
【００１０】
本発明の配線基板は、本発明の配線基板の製造方法により製造されるもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の製造を可能としている。
また、絶縁層の重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層がさらされる最高温度Ｔｐｍ以上とし、且つ絶縁層の熱膨張係数を、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層がさらされる温度のもとで、配線基板のベース基板の熱膨張係数に近くしておくことにより、品質的にも、配線部の剥がれやソリが発生しないようにしている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明を図面を参照にして説明する。
図１は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例の工程、第２の例の工程を示した断面図である。図２は実施の形態の第３の例の工程、第４の工程を示した断面図である。
図１、図２中、１００、１０５は配線基板、１１０はベース基板（ステンレス基板）、１２０は絶縁層、１２０Ａは感光性絶縁性レジスト、１２０Ｂ絶縁材料、１３０は金属配線層（めっき形成金属配線層）、１４０はステンレス基板、１５０、１７０は感光性のレジストである。
まず、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例は、ベース基板上に絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法である。そして、順次、（ａ）ベース基板上に直接、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程とを有するものである。そして、転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写するものである。
第１の例においては、絶縁層形成工程として、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とする工程を採っている。
また、ベース基板１１０、金属配線層１３０を、それぞれ、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）、銅めっきにより形成されるめっき銅配線層とするものである。
【００１２】
以下、第１の例を図１をもとに説明する。
まず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０（図１（ａ））上に絶縁性の感光性レジスト１５０を全面に塗布し（図１（ｂ））、これを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とする。（図１（ｃ））
感光性のレジスト１５０としては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましい。
また、感光性のレジスト１５０の塗布方法としては、スクリーン印刷によるベース基板上への全面塗布、ロールコーター、ダイコーター等が挙げられる。
次いで、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０の感光性のレジスト１５０から露出した部分に、所定の硫酸銅めっき浴にて、銅めっきを施し、金属配線層１３０を得る。（図１（ｄ））
通常、金属配線層１３０は、図１（ｄ）に示すように、ステンレス基板１４０の感光性のレジスト１５０から露出した幅よりも大きい幅に、感光性のレジスト１５０の厚さよりも厚く、めっきを施し、めっき部の断面形状をいわゆるマッシュルーム型とする。
【００１３】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板１１０（図１（ｅ１））の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト１２０Ａを全面に塗布し（図１（ｆ１））、これを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層１２０とする。（図１（ｇ１））
感光性のレジストとしては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましく、更に、所定形状とされて作製する配線基板の絶縁層１２０となるため、重量５％減の熱分解温度が、配線基板作製中でさらされる温度や実使用される際にさらされる温度の中で最高の温度Ｔｐｍ以上であり、且つ、熱膨張係数がこの温度Ｔｐｍ以下の絶縁層１２０がさらされる温度のもとでベース基板１１０の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲に入っているものが好ましい。
【００１４】
次いで、絶縁層１２０が溶剤を含んだ状態で、所定の熱および圧をかけて（図１（ｈ））、ステンレス（ＳＵＳ３０１）基板１４０の金属配線１３０を、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板１１０へ、絶縁層１２０を介して転写して、配線基板１００を得る。（図１（ｉ））
絶縁層１２０に溶剤を含ませた態状態で転写することにより、転写性の良いものとしている。
この後、絶縁層１２０はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理されるが、降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍである。
尚、Ｔｐｍは絶縁層１２０のガラス転移温度Ｔｇより下で、熱処理はＴｐｍ以下で行われることは言うまでもない。
【００１５】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例は、第１の例とは、絶縁層形成工程が異なるもので、図１（ｅ１）〜図１（ｇ１）の工程に代え、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、図１（ｅ２）〜図１（ｇ２）に示すように、ベース基板１１０上へ絶縁層を直接パターン形成するもので、この場合は絶縁層となる素材は感光性である必要はない。
【００１６】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第３の例を説明する。
第３の例は、第１の例、第２の例とは、絶縁層形成工程が異なるもので、ベース基板１１０上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものである。他の工程については第１の例と同じで、ここでは説明を省略する。
以下、絶縁層形成工程を図２に基づいて説明する。
先ず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板１１０（図２（ｅ））の配線形成側の面上に、感光性レジスト１７０を全面に塗布し（図２（ｆ））、該感光性レジスト１７０を金属配線に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光、現像処理して所定形状とする。（図２（ｇ））
次いで、感光性レジスト１７０のパターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料１２０を埋め込む。（図２（ｈ））
次いで、埋め込まれた絶縁材料１２０Ｂを残し、感光性レジスト１７０部を所定の剥離液により除去し、残った絶縁材料１２０Ｂを絶縁層１２０として形成する。（図２（ｅ））
感光性レジスト１７０部の除去を、場合によっては、絶縁材料１２０Ｂを焼成する際に、焼き飛ばして行っても良い。
【００１７】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第４の例を挙げる。
第４の例は、第３の例において、感光性レジスト２２０のパターンニングにより形成された凹部に、電着により絶縁層１２０を形成する（図２（ｉ））もので、それ以外は第３の例と同じである。
尚、電着により形成される絶縁層１２０は、電着性を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。 アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、後述する製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００１８】
尚、図１、図２に示す例では、ベース基板上に、絶縁層１２０を介して、めっき形成された金属配線層１３０を転写形成する場合を示してあるが、金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、めっき形成された金属配線層１３０を転写形成する場合についても同様に、絶縁層１２０を該ベース基板上に形成し、これを介して、めっき形成された金属配線層を転写できる。
【００１９】
次に、本発明の配線基板の実施の形態の例を挙げて図に基づいて説明する。
図３は第１の例を示した断面図であり、図４は第２の例を示した断面図である。
図３、図４中、３００、４００は配線基板、３１０、４１０は基板（ベース基板）、３２０、４２０は絶縁層、３３０、４３０、４３５は（めっきにより形成された）金属配線である。
【００２０】
まず、本発明の配線基板の実施の形態の第１の例について説明する。
図３に示す第１の例の配線基板３００は、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製されるもので、基板（ベース基板）３１０上に直接、縁層３２０を介して、めっきにより形成された金属配線層３３０が配設され、且つ基板３１０と金属配線層３３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板である。絶縁層３２０は金属配線層３３０の下にのみ形成されている。
そして、絶縁層３２０が配線基板作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとで、金属配線層３３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下で絶縁層３２０の熱膨張係数が、配線基板３００のベース基板３１０の熱膨張係数と近くしてある。
例えば、ベース基板３１０としてステンレス基板（ＳＵＳ ３０４）を用い、金属配線層３３０としてめっき銅を用いることにより、基板３１０と金属配線層３３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つようにできるが、第１の例は更に、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層３２０がさらされる温度のもとでこれら（金属配線層３３０や基板（ベース基板）３１０）の熱膨張係数に絶縁層３２０の熱膨張係数を合わしたものである。
また、配線基板の品質的な安定性の面から、絶縁層３２０は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするものである。
【００２１】
絶縁層３２０は、基本的には金属配線層３３０の絶縁性、耐熱性などの信頼性を確保するとともに、基板３１０上の位置を確保するものであり、基板上において絶縁層３２０を境として基板３１０から剥がれたり、金属配線層３３０にソリが生じることは許されない。
第１の例で、例えば、ベース基板３１０としてステンレス基板（ＳＵＳ３０４）を用い、金属配線層３３０としてめっき銅を用いた場合、金属配線層３３０の剥がれやソリを防止するために、絶縁層３２０としては、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（熱処理温度３５０°Ｃ）以上で、且つ、温度Ｔｐｍ（３５０°Ｃ）以下の絶縁層３２０がさらされる温度のもとで、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）の膨張係数１７ｐｐｍに近いものが用いられる。ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲、即ち、この場合は、熱膨張係数が２〜３２ｐｐｍの範囲のものが用いられる。
図３に示す第１の例においては、基板３１０と絶縁層３２０との間に接着剤層を設けていないため、絶縁層３２０としては、常温もしくは加熱により接着性を示すものである必要がある。
熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良い。また、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラーを含むものでも良い。
具体的には、絶縁層３２０としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾイミダゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられ、スクリーン印刷法やマスクを介して塗布する方法、ディスペンス法などの加工方法に応じ、粘度や流動特性を調節して適用する。
また、絶縁層３２０として、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものを用いた場合には、製造工程を簡単化できる。
【００２２】
基板（ベース基板）３１０としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板等が挙げられる。
尚、配線基板の金属配線３３０として銅が用いられる場合には、ベース基板の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が用いられる。
ステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅とほぼ同じで、１７ｐｐｍである。
【００２３】
次に、本発明の配線基板の実施の形態の第２の例について説明する。
図４に示す第２の例の配線基板４００も、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製されるもので、基板（ガラスクロス入りの基板（ＢＴレジン）をベース基板４１０として、その上に金属配線層４３５を設けた配線基板に対し、更に金属配線層４３５上にめっき形成された金属配線層４３０を絶縁層４２０を介して設けたもので、配線層が２層の多層配線基板である。
基板（ベース基板）４１０と金属配線層４３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板で、絶縁層４２０は金属配線層４３０の下にのみに形成されている。
そして、第２の例も、第１の例の場合と同様、絶縁層４２０を介して、めっき形成された金属配線層４３０が形成された配線基板で、絶縁層４２０が配線基板作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍが２５０°Ｃ（ハンダ処理の温度）の配線基板であり、Ｔｐｍ（２５０°Ｃ）以下の絶縁層４２０がさらされる温度のもとで、金属配線層４３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層４２０がさらされる温度のもとで、絶縁層４２０の熱膨張係数がベース基板４１０の熱膨張係数と近くしてある。
尚、絶縁層４２０としては、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（ハンダ処理の温度２５０°Ｃ）以上としている。
尚、ベース基板４１０の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ金属配線層４３０の材質としてと、銅が挙げられる。
絶縁層４２０の各層等の材質としては、第１の例において挙げたものの中で、適宜選ぶことができる。
【００２４】
【実施例】
（実施例１）
実施例１は、図３に示す配線基板３００を図１に示す第１の例の配線基板の製造方法にて作製したものである。
図１に基づいて説明する。
先ず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０（図１（ａ））の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト１５０としてＯＭＲ−８３（東京応化株式会社製）を全面に塗布し（図１（ｂ））、これをめっき形成される金属配線に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とした。（図１（ｃ））
感光性絶縁レジスト１５０は乾燥後１μ厚に塗布し、露光量６０ｍｊ（光源は超高圧水銀灯、４０５ｎｍ）で、指定現像液にて現像した。
次いで、下記のめっき浴組成、条件にて硫酸銅めっきを行い、レジスト１５０から露出した部分に厚さ１０μｍの銅めっきを施し金属配線４３０を形成した。（図１（ｄ））
〔電解めっきの液組成および条件〕
硫酸銅（５水塩） ７５ ｇ／ｌ
硫酸 １９０ ｇ／ｌ
塩素イオン ６０ ｍｇ／ｌ
スルカップＡＣ−９０Ｍ ２．５ ｍｌ／ｌ
温度 ２５ ℃
電流密度 ２．５Ａ／ｄｍ2
但し、スルカップＡＣ−９０Ｍは上村工義製の添加剤
【００２５】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板（ステンレス基板）１１０（図１（ｅ１））の配線形成側の面上に、感光性絶縁性レジスト１２０Ａを全面に塗布し（図１（ｆ１））、これを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、１００°Ｃ、３０秒間プレ乾燥を行い、これを絶縁層１２０とした。（図１（ｇ１））
感光性絶縁性レジスト１２０Ａとしては 熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数１５ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製の感光性ポリイミドＺＦＰＩ６０００を用いた。
硬化後の膜厚を７μｍとした。
【００２６】
次いで、絶縁層１２０に溶剤を含ませた態状態でベース基板１１０の絶縁層１２０とステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０のめっき銅からなる金属配線１３０とを位置合わせしながら両基板（１１０と１４０）を合わせ、温度１８０°Ｃ、圧１Ｋｇ／ｃｍ2 を１分間かけ（図１（ｈ））、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０から金属配線１３０を絶縁層１２０を介してステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０へ転写し、この後Ｎ2 雰囲気下で３４０°Ｃで熱処理を施し、絶縁層１２０を硬化して配線基板１００を得た。（図１（ｉ））
【００２７】
（実施例２）
実施例２は、実施例１において感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍの日立化成株式会社製のＰＬ８００９ｘを用いたものである。硬化後の膜厚を５μｍとした。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００２８】
（比較例１）
比較例１は、実施例１において感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数１０ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ６０００、１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとした絶縁層を用いたものである。硬化後の膜厚を７μｍとした。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で４００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００２９】
（比較例２）
比較例２は、実施例１において感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍ、の株式会社東レ製のＵＲ３１４０を用いたものである。硬化後の膜厚を６μｍとした。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００３０】
（実施例３）
実施例３は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への感光性絶縁性レジスト１２０Ａに代え感光性絶縁性ペーストの全面塗布をスクリーン印刷により行ったものであり、印刷後の感光性絶縁性ペースト（１２０Ａに相当）を金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層１２０として形成したものである。即ち、実施の形態の第２の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
その他については、実施例１と同様に行ったのである。
スクリーン印刷は、スクリーン印刷機３４ＧＸ（ニューロング社製）を用い、２５０メッシュのステンレスからなるスクリーン版を用い、印圧押込み１．０ｍｍで、熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数２５ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが３００°Ｃの株式会社東レ製のＵＲ５１００の絶縁性のペーストを印刷して、硬化させ６μｍの膜厚に感光性絶縁性ペースト（１２０Ａ）をステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上に全面塗布した。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００３１】
（比較例３）
比較例３は、実施例４におけるスクリーン印刷用の絶縁性のペーストとして熱分解温度２４０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍの株式会社日本ペイント製のプロピコート５０００インクを用いたものである。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で２５０°Ｃで熱処理をしたが、後の工程処理中にガス発生し、所望の絶縁層は得られなかった。
その他については、実施例１と同様に行った。
【００３２】
（実施例４）
実施例４は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層１２０の形成を、基板１１０上に膜厚３０μｍの感光性レジストＴＨＢ−３７（日本合成ゴム株式会社製）を全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料ＳＰ０４２（株式会社東レ製）を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２からなる絶縁層１２０を厚さ８μｍに形成したものである。即ち、実施の形態の第３の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２の熱分解温度は３７０°Ｃ、熱膨張係数１９ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
それ他については、実施例１と同様に行った。
【００３３】
（実施例５）
実施例５において、凹部に埋め込む絶縁材料として絶縁材料ＰＬＸ３５００（日立化成製）を絶縁層１２０を厚さ５μｍに形成したものである。
絶縁材料ＰＬＸ３５００の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例４と同様に行った。
【００３４】
（比較例４）
実施例４において、凹部に埋め込み絶縁材料として絶縁材料ユピファインＳＴ（宇部興産株式会社製）１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を１００部分散混合して、熱膨張係数を１ｐｐｍとしたものを用い、絶縁層１２０を厚さ７μｍに形成したものである。
絶縁材料コピファインＳＴの熱分解温度は６００°Ｃ、熱膨張係数１ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例４と同様に行った。
【００３５】
（比較例５）
実施例４において、凹部に埋め込み絶縁材料として絶縁材料セミコファインＳＰ４３３（株式会社東京レ製）を絶縁層１２０を厚さ６μｍに形成したものである。
絶縁材料セミコファインＳＰ４３３（株式会社式会社東レ製）の熱分解温度は４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
その他については、実施例４と同様に行った。
【００３６】
（実施例６）
実施例６は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層４２０の形成を、スクリーン印刷にて直接所定形状に形成したものである。即ち、実施の形態の第２の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
スクリーン印刷用ペーストとしてはＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（日本エイブルステック株式会社製）を用い６μｍの厚さに形成した。
ＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（絶縁層１２０）の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。
それ他については、実施例１と同様に行った。
【００３７】
（実施例７）
実施例４において、凹部に埋め込む絶縁材料のＳＰ０４２の代わりに、電着形成により絶縁層１２０をベース基板１１０上の金属配線層１３０に対応する形状の感光性レジスト１７０から露出した部分に形成したものである。
即ち、実施の形態の第４の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製したものである。
電着は、下記に示す液調整法により電着液を作り、これを用いたもので、熱分解温度４００°Ｃ、ガラス転移温度Ｔｇ３６０°Ｃ、熱膨張係数α＝２０ｐｐｍの電着絶縁層１２０をベース基板１１０上に形成した。
【００３８】
液調整は、固形分濃度２０％のポリイミド溶液１００ｇにＮＭＰ４００ｇを加え攪拌した後、低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０ｇ添加し、ビーズミルにて分散混合した。中和剤として、エタノールアミンを２ｇ添加して十分に攪拌し、更に水５０ｇを加え攪拌を一昼夜行った。
尚、液調整に先立ち、モノマー、ビス（４（４−（アミノフェノキシ）フェノキシ）フェニル）スルホン３０．８３５ｇ（０．０５ｍｏｌ）およびピロメリット酸二無水物１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を仕込み、それぞれのモル比のモノマー材料とトルエン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−ユーピロリドン）２４０ｇを仕込み、窒素雰囲気下で、１０時間、還流し、熱イミド化してポリイミド溶液を合成した。
合成した溶液の対数粘度は（ＮＭＰを溶媒とし、温度３５°Ｃ、濃度０．５ｇ／１００ｍｌで測定）１．７ｄｌ／ｇであった。
電着条件は、ステンレス基板からなるベース基板１１０全体を電着液に浸漬させ、ベース基板１１０を陽極として、同面積のステンレス板を陰極として両極間を５０ｍｍに対向させ、５０Ｖで１０分間連続電圧を印加することにより、ベース基板１１０上にポリイミド膜からなる電着絶縁層１２０を電着形成した。
【００３９】
上記実施例および比較例の配線基板に、熱処理を施した場合の配線部のソリを検査した結果を図５、図６に示す。
図５、図６に示す検査結果からも分かるように、絶縁層１２０の熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以上で、且つ、熱処理温度が絶縁層のガラス転移温度より低い場合で、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲である各実施例の配線基板にはソリの発生がみられなかった。
これに対し、熱処理温度が絶縁層のガラス転移温度より高い場合か、あるいは、熱処理温度が絶縁層のガラス転移温度より低く、熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以下でも、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）１１０の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である場合である、比較例１、比較例２、比較例４、比較例５の配線基板にはソリの発生がみられた。
比較例１の場合は、熱処理温度（４００°Ｃ）がガラス転移温度Ｔｇ（３５０°Ｃ）よりも高く、比較例２、比較例４、比較例５の場合は、絶縁層１２０の熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）１１０の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である。
また、熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以下の比較例３の配線基板基板の場合には、熱処理により絶縁層１２０がガス発生し、重量５％以上減少し、所望の膜厚が得られなかった。
【００４０】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
同時に、そのような配線基板の製造方法の提供を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第１の例、第２の例を示した工程断面図
【図２】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第３の例、第４の例を示した工程断面図
【図３】本発明の配線基板の実施の形態の第１の例を示した断面図
【図４】本発明の配線基板の実施の形態の第２の例を示した断面図
【図５】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【図６】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【符号の説明】
１００、１０５ 配線基板
１１０ ベース基板（ステンレス基板）
１２０ 絶縁層
１２０Ａ 感光性絶縁性レジスト
１２０Ｂ 絶縁材料
１３０ 金属配線
１４０ ステンレス基板
１５０、１７０ 感光性のレジスト
３００、４００ 配線基板
３１０、４１０ 基板（配線基板のベース基板）
３２１、４２１ 絶縁層
３３０、４３０、４３５ 金属配線
Claims (9)
- ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１において、絶縁層はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし２における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とするものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項３における感光性絶縁性レジストの塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし２における絶縁層の形成工程は、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板上へ絶縁層を直接パターン形成するものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし２における絶縁層の形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項６における凹部への絶縁層の形成を、電着法により行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１ないし７により製造されたことを特徴とする配線基板。
- 請求項８において、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であり、絶縁層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36165097A JP3827846B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板の製造方法と配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36165097A JP3827846B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板の製造方法と配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177208A JPH11177208A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3827846B2 true JP3827846B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=18474418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36165097A Expired - Fee Related JP3827846B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板の製造方法と配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3827846B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1656612A (zh) | 2002-05-23 | 2005-08-17 | 肖特股份公司 | 用于高频的玻璃材料 |
-
1997
- 1997-12-11 JP JP36165097A patent/JP3827846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11177208A (ja) | 1999-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102050646B1 (ko) | 캐리어 부착 동박 | |
| EP1002638B1 (en) | Method of manufacturing a flexible circuit board | |
| KR20040095716A (ko) | 배선 회로 기판의 제조 방법 | |
| TW201527086A (zh) | 附載體銅箔、積層體、印刷配線板、及印刷配線板之製造方法 | |
| JP3827846B2 (ja) | 配線基板の製造方法と配線基板 | |
| JP3953616B2 (ja) | 配線基板とその製造方法 | |
| JP2002212419A (ja) | 配線回路基板用樹脂組成物、配線回路基板用基材および配線回路基板 | |
| JP4124297B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JP4240597B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JP4287000B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| TW202044958A (zh) | 半導體元件搭載用封裝基板之製造方法 | |
| JP3447029B2 (ja) | プリント配線板製造方法 | |
| JP3265366B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPH0918119A (ja) | 配線パターン層およびその製造方法 | |
| JP3953622B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JPH11204919A (ja) | 配線基板の製造方法と配線基板 | |
| JPH10335779A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH11266069A (ja) | 転写用部材の製造方法及び転写用部材 | |
| JP2000091719A (ja) | 絶縁被膜付き部材とそれを用いた配線基板、及び絶縁被膜付き部材の製造方法と配線基板の製造方法 | |
| JP3953621B2 (ja) | 多層配線基板とその製造方法 | |
| JPH11261223A (ja) | 多層配線基板の製造方法と多層配線基板 | |
| JPH11261222A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2001085822A (ja) | 転写版の作製方法と転写版、および配線基板の製造方法と配線基板 | |
| JPH11274724A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2000101239A (ja) | 転写方法および転写用部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060627 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060705 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130714 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |