JPH10335779A

JPH10335779A - パターン形成方法

Info

Publication number: JPH10335779A
Application number: JP16065997A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kuramochi; 悟倉持
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1997-06-04
Filing date: 1997-06-04
Publication date: 1998-12-18
Anticipated expiration: 2017-06-04
Also published as: JP3935558B2

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁性パターンや導電性パターンをアディテ
ィブ法で形成する材料利用効率の高いパターン形成方法
を提供する。【解決手段】基板上に感光性レジストを塗布、乾燥し
た後、配線パターンを構成するパターンのうちの絶縁性
パターンを露光して現像処理する工程と、当該感光性レ
ジストにより形成されたレジスト膜のパターン開口部内
に絶縁性樹脂材料を充填する工程と、当該絶縁性樹脂材
料の乾燥後、レジスト膜を剥離除去する工程を含む絶縁
性パターンの形成方法、および当該絶縁性パターン上に
パターン形状が整合するようにして形成された導電性パ
ターンを転写して一体にすることを特徴とする配線パタ
ーンの形成方法等により材料利用効率の高いパターン形
成を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はパターン形成方法に
係り、特に、プリント基板、半導体周辺、各種ディスプ
レイ等の配線回路に使用される絶縁性パターンおよび配
線パターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント基板、半導体周辺、各種ディス
プレイ等に使用される配線回路の製造工程においては導
電性、絶縁性のパターンを高密度に形成する必要があ
る。従来、配線回路の製造には、基板上に絶縁層を直接
フォトグラフィー法、あるいはレーザー穴開け法により
加工し、導電性の配線を無電解めっきあるいは真空薄膜
のサブトラクティブ加工により形成していくビルトアッ
プ配線工法が採用されている。

【０００３】サブトラクティブ法は、銅張り積層板に穴
を開けた後に、穴の内部と表面に銅めっきを行い、フォ
トエッチングによりパターン形成する方法である。この
サブトラクティブ法は技術的に完成度が高く、またコス
トも安いが、銅箔の厚さ等による制約から微細パターン
の形成は困難である。しかも、この工法は、絶縁性材
料、導電性材料の材料利用効率が低く、コスト高のもの
となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
絶縁性材料、導電性材料の材料利用効率を高めるべく、
多少材料費用が高くても絶縁性材料として性能の良好な
材料を必要な部分に限定して使用すること、また導電性
層も電解めっき法によりアディティブで形成し転写し
て、総合的なコスト低減を図る方法を提供すべくなされ
たものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、上記問題を解
決するための本発明の要旨の第１は、基板上に感光性レ
ジストを塗布、乾燥した後、配線パターンを構成するパ
ターンのうち絶縁性パターンのパターンを露光して現像
処理する工程と、当該感光性レジストにより形成された
レジスト膜のパターン開口部内に絶縁性樹脂材料を充填
する工程と、当該絶縁性樹脂材料の乾燥後、レジスト膜
を剥離除去する工程を含むことを特徴とする絶縁性パタ
ーン形成方法、にある。かかる絶縁性パターン形成方法
であるため、精度の高い絶縁性パターンを容易に製造す
ることができる。

【０００６】また、上記の問題を解決するための本発明
の要旨の第２は、請求項１記載の方法により形成された
絶縁性パターン上に当該絶縁性パターンと形状が整合す
るように形成された導電性パターンを転写して積層して
一体にすることを特徴とする配線パターン形成方法、に
ある。かかる配線パターン形成方法であるため、精度の
高い配線パターンを容易に製造することができる。

【０００７】また、上記の問題を解決するための本発明
の要旨の第３は、導電性の基板上に感光性レジストを塗
布、乾燥した後、配線パターンのパターンを露光して現
像処理する工程と、当該感光性レジストにより形成され
たレジスト膜のパターン開口部内に、電解めっき法によ
り導電性パターンを当該レジスト膜厚よりも薄層に形成
する工程と、当該導電性パターン上であってレジスト膜
のパターン開口部内に絶縁性樹脂材料を充填する工程
と、当該絶縁性樹脂材料の乾燥後、レジスト膜を剥離す
る工程とによりパターンを形成した後、導電性パターン
と絶縁性パターンの積層体を被転写基板に一体に転写す
ることを特徴とする配線パターン形成方法、にある。か
かる配線パターン形成方法であるため、精度の高い配線
パターンを容易に製造することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１お
よび第２の実施形態によるパターン形成方法を説明する
図である。図１（Ａ）〜（Ｅ）は、絶縁性パターンを形
成する工程、（Ｆ）〜（Ｊ）は、導電性パターンを形成
する工程、（Ｋ），（Ｌ）は、絶縁性パターン上に導電
性パターンを転写して配線パターンを形成する工程を示
している。

【０００９】まず、図１（Ａ）のように寸法安定性と強
度のある基板１１上に、感光性レジスト１２を塗布す
る。レジストは、例えば、基板上にネガ型またはポジ型
の感光性レジスト材料をスピンコート法、バーコート
法、ダイコート法等の方法で均一な厚さに塗布し乾燥す
ることにより形成することができる。本発明のパターン
形成方法ではレジスト膜内に樹脂組成物を充填すること
から比較的厚膜のレジスト層を、具体的には、１０〜１
００μｍの厚さに形成することが好ましい。続いて、配
線パターンのうち絶縁性パターンの形状を有するフォト
マスク１３を密着して露光し（図１（Ｂ））、現像処理
することによりレジストパターン１４を形成することが
できる（図１（Ｃ））。なお、図示の場合は、フォトマ
スクの遮光部に相当するレジストが溶解除去されている
ことからネガ型の感光性レジストを使用した例となる。

【００１０】次に、図１（Ｄ）のように、レジストパタ
ーンの開口部内に絶縁性樹脂を適宜な方法で充填して絶
縁性パターン１５を形成する。このような絶縁性樹脂の
塗布は、レジスト膜のパターン開口部内にのみ樹脂を充
填する目的に適う方法が採用される。例えば、バーコー
ト法、ブレードコート法、ワイピングコート法あるいは
ディスペンサーによる塗布法等が採用できる。塗布後の
レジスト膜は最後に剥離または溶解除去されるのでレジ
スト膜上に絶縁性樹脂が多少残存しても影響を与えるこ
とはないが、絶縁性樹脂が過度に残らないことが必要で
ある。絶縁性樹脂は、揮発性の溶剤または可塑剤により
塗布に適した一定の粘度を有するとともに、塗布乾燥後
に一定の形状を有するものであることが必要とされる。
塗布に適した粘度としては、２０００〜８００００ＣＰ
Ｓ、好ましくは５０００〜５００００ＣＰＳの範囲にあ
るのがよい。８００００ＣＰＳ以上では、コーティング
が困難になり、２０００ＣＰＳ以下では流動的になり過
ぎるからである。絶縁性樹脂層は配線パターンの絶縁耐
性に耐える十分な厚さが必要とされ、具体的には、乾燥
後の状態で少なくとも１μｍ以上、好ましくは５〜３０
μｍの厚さが必要とされる。絶縁性樹脂を乾燥させた
後、レジスト膜を通常の方法に従い剥離剤を用いて剥離
除去すると、図１（Ｅ）のように基板上には絶縁性パタ
ーン１５のみが残存する。この工程までが、本発明の第
１の実施形態である絶縁性パターン形成方法に関する。

【００１１】次に絶縁性パターンとは別に、図１（Ｆ）
のように、少なくとも導電性パターン形成面が導電性で
ある寸法安定性と強度のある基板２１上に、感光性レジ
スト２２を塗布する。レジストは、例えば、基板上にネ
ガ型またはポジ型の感光性レジスト材料をスピンコート
法、バーコート法、ダイコート法等の方法で均一な厚さ
に塗布し乾燥することにより形成することができる。次
いで必要な配線パターンの形状を有するレジストパター
ン２４を絶縁性パターン形成の場合と同様にフォトマス
ク２３を介して露光して形成する（図１（Ｇ））。導電
性パターンは上記で形成された絶縁性パターン上に転写
して積層するものであることから形状的に整合性のある
ものが必要であることは自明である。導電性パターンの
線幅は絶縁性パターン上に転写するものであるため絶縁
性パターンよりは細い線幅で形成されていることが好ま
しい。このような配線パターン層の線幅は、最小幅１０
μｍ程度まで任意に設定することができる。

【００１２】レジストパターンが形成された後（図１
（Ｈ））、導電性基板を電極として基板の導電性面が裸
出した部分に電解めっきを行って（図１（Ｉ））、導電
性パターン２５を形成する。めっきにより形成された導
電性パターンは基板から容易に剥離して脱落し易いので
仮接着強度を高めるために基板の表面を化学研磨してお
くことが好ましい。導電性パターンの厚さは、配線パタ
ーンの電気抵抗を低く抑えるために１μｍ以上、好まし
くは５〜４０μｍの範囲とする。導電性層の金属は導電
性の高い金属であれば特に制限はなく、例えば、銅、
銀、金、ニッケル、クロム、亜鉛、すず、白金等を用い
ることができる。これらの金属層は適宜な電解めっき法
により形成することができる。例えば、導電層を銅の電
析によるめっきにより行う場合には、硫酸酸性硫酸銅
浴、ピロリン酸銅浴、ほうフッ化銅浴、シアン銅浴が適
用される。ニッケル電析の場合は、硫酸ニッケル浴、ス
ルファミン酸ニッケル浴、クロム電析の場合は、サージ
ェント浴、その他、金めっき浴、銀めっき浴等を採用す
ることができる。次いで、絶縁性パターン形成の場合と
同様にレジスト膜を剥離剤を用いて剥離除去または溶解
すれば、基板上には導電性金属からなる導電性パターン
２５のみが残存する（図１（Ｊ））。

【００１３】導電性パターンを形成した後、基板１１上
の絶縁性パターン上に基板２１上の導電性パターンを位
置合わせして密着し転写する（図１（Ｋ））。この際、
絶縁性パターンの表面が常温で粘着性あるいは接着性の
ものであれば、当該パターン上に直接導電性パターンを
常温で転写することができる。また、加熱により粘着性
あるいは接着性を得るものであれば加圧とともに適当な
加熱を与えることが必要となる。絶縁層が常温または加
熱により粘着性あるいは接着性となるものでない場合
は、適宜な接着剤を絶縁性樹脂層上に施してから導電層
を転写する方法であってもよい。次いで基板２１を剥離
除去すれば、基板１１上には絶縁性パターン１５上に導
電性パターン２５が積層した配線パターンが得られる
（図１（Ｌ））。以上が本発明の第２の実施形態である
配線パターン形成方法に関する。

【００１４】図２は、本発明の第３の実施形態によるパ
ターン形成方法を説明する図である。図２（Ａ）〜
（Ｆ）は、絶縁性パターンと導電性パターンを積層形成
する工程、（Ｇ），（Ｈ）は、当該パターンを配線基板
に転写する工程を示している。

【００１５】まず、図２（Ａ）のように、寸法安定性と
強度があり、少なくとも導電性パターン形成面が導電性
である基板３１上に、感光性レジスト３２を塗布する。
本発明のパターン形成方法の場合も比較的厚膜のレジス
トパターンを、具体的に１０〜１００μｍの厚さに形成
することが好ましい。続いて、配線パターンの形状を有
するフォトマスク３３を密着して露光し（図２
（Ｂ））、現像処理することによりレジストパターン３
４を形成する（図２（Ｃ））。次いで、導電性基板を電
極として基板の導電性面が裸出した部分に導電層めっき
を行い（図２（Ｄ））、導電性パターン３５を形成す
る。導電性層の金属は導電性の高い金属であれば特に制
限はなく、例えば、銅、銀、金、ニッケル、クロム、亜
鉛、すず、白金等の導電性金属を前記のように適宜な電
解めっき法により電着することにより形成することがで
きる。導電層の厚さは、配線パターン層の電気抵抗を低
く抑えるために１μｍ以上、好ましくは５〜４０μｍの
範囲とする。

【００１６】次に、導電性パターンの上であって、レジ
ストパターンの開口部内に絶縁性樹脂を適宜な方法で充
填して絶縁性パターン３６を形成する（図２（Ｅ））。
当該樹脂の塗布は、第１の実施形態の場合と同様にレジ
スト膜のパターン開口部内にのみ樹脂を充填する目的に
適う方法が採用される。例えば、バーコート法、ブレー
ドコート法、ワイピングコート法あるいはディスペンサ
ーによる塗布法等が採用できる。絶縁性樹脂層は配線パ
ターンの絶縁耐性を満たすに十分な厚さが必要とされ、
具体的には１μｍ以上、好ましくは５〜４０μｍの厚さ
が必要とされる。絶縁性樹脂を塗布後、レジスト膜を剥
離または溶解除去すれば、基板３１上には導電性パター
ン３５上に絶縁性パターン３６が積層形成された配線パ
ターンが形成されている（図２（Ｆ））。なお、レジス
ト膜を剥離する前に残留した絶縁性樹脂層を除去するた
めに表面を全面研磨してもよい。

【００１７】以上の工程で積層形成された配線パターン
上に最終的な配線基板となる被転写基板３７を平面的に
載置して押圧すれば（図２（Ｇ））、導電性パターンは
基材３１上に仮着しているのみなので、基板から容易に
剥離して導電性パターンと絶縁性パターンは一体に基板
３７側に転移する。基板３１を除去すれば基板３７上に
配線パターンを形成することができる（図２（Ｈ））。
この際、絶縁性パターンの表面が常温で粘着性あるいは
接着性のものであれば、当該パターンを被転写基板上に
そのまま転写することができ、加熱により粘着性あるい
は接着性を得るものであれば加圧とともに適当な加熱を
与えることが必要となる。絶縁層が常温または加熱によ
り粘着性あるいは接着性となるものでない場合は、適宜
な接着剤を絶縁性樹脂層上に施してから導電層を転写す
る方法であってもよい。なお、この実施形態の場合は、
導電性パターンの形成と絶縁性パターンの形成を同一の
レジストパターンを用いて形成するので、導電層と絶縁
層のパターン線幅は必然的に同一の幅となる。

【００１８】＜材質に関する実施形態＞本発明のプリン
ト配線板が形成される基板１１，２１，３１および被転
写用基板３７そのものには特に制限はないが、例えば、
基板を配線基板を構成する基板とする場合には、ガラス
エポキシ基板、ポリイミド基板、アルミナセラミック基
板、ガラスエポキシとポリイミドの複合基板等、プリン
ト配線板用の基板として公知の基板を使用することがで
きる。また、用途によってステンレス板やアルミ板、鉄
材料を基板としてもよい。絶縁性パターンを形成する基
板１１と導電性パターンを形成する基板２１とは後に転
写により位置合わせすることから、同質で等厚のもので
あることが好ましい。これらの基板の厚さは、通常５０
〜１０００μｍの範囲とされる。電着に使用する基板は
基板自体が導電性であることは必ずしも必要とされない
が、絶縁性基材の場合は少なくともパターン形成される
面に導電性を与える処理が必要となる。例えば、絶縁性
の基板に、蒸着あるいは無電解めっきにより導電処理を
することで使用することができる。この方法に好適に使
用できる樹脂基板としては、ポリイミド、ポリエステル
等が挙げられる。

【００１９】絶縁性樹脂材料は、常温もしくは加熱によ
り粘着性あるいは接着性を示す絶縁物質であって、バー
コードやブレードコート法あるいはディスペンサーによ
る塗布適性等があるものであればよい。例えば、使用す
る高分子としては、粘着性を有する合成高分子樹脂で、
具体的には、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイ
ン化油樹脂、ポリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、フェノー
ル樹脂、ウレタン樹脂等を単独で、あるいは、これらの
樹脂の任意の組み合わせによる混合物として使用でき
る。また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために
ロジン系、テルペン系、石油樹脂系等の粘着性付与樹脂
を必要に応じて添加することも可能である。

【００２０】また、上記の粘着性を示す絶縁性物質の絶
縁性、耐熱性等の信頼性を高める目的で、上記の高分子
樹脂にブロックイソシアネート等の熱重合性不飽和結合
を有する公知の熱硬化性樹脂を添加し、配線パターン基
板の転写形成後、熱処理によってすべての絶縁性樹脂層
を硬化させてもよい。勿論、熱硬化性樹脂以外にも、重
合性不飽和結合（例えば、アクリル基、ビニル基、アリ
ル基等）を有する樹脂を絶縁性物質に添加しておけば、
転写形成後、電子線照射によってすべての絶縁性樹脂層
を硬化させることができる。

【００２１】粘着性あるいは接着性の樹脂層の材料とし
ては、上記の他に、常温もしくは加熱により粘着性ある
いは接着性を示すものであれば、熱可塑性樹脂はもちろ
んのこと、熱硬化性樹脂で硬化後は粘着性を失うような
粘着性樹脂でもよい。また、塗膜の強度を出すために有
機あるいは無機のフィラーを含むものでもよい。また、
粘着性あるいは接着性の絶縁性樹脂の材料は、加熱によ
り流動性を示す電着性の接着剤であってもよい。

【００２２】導電層の金属は導電性の高い金属であれば
特に制限はなく、例えば、銅、銀、金、ニッケル、クロ
ム、亜鉛、すず、白金等を用いることができる。これら
の金属層は前記のように適宜な電解めっき法により形成
することができる。

【００２３】

【実施例】

＜実施例１＞表面研磨したステンレス基板（ＳＵＳ３０
４）；厚さ０．２ｍｍ上にネガ型感光性レジスト（日本
合成ゴム株式会社製「ＴＨＢ−３７」）をスピンコート
法で、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗布して乾
燥してレジスト膜１２を形成した（図１（Ａ））。乾燥
後、線幅３０μｍの配線パターンのパターン形状を持つ
フォトマスク１３をレジスト膜上に密着して、紫外線光
源で露光量２００ｍＪで露光した（図１（Ｂ））。露光
後、レジスト膜を指定アルカリ現像液で現像し、未硬化
のレジスト膜を除去して配線パターンレジスト膜１４を
形成した（図１（Ｃ））。

【００２４】次いで、ポリイミド樹脂からなる絶縁性樹
脂（宇部興産株式会社製「ユピコート」）をゴム製ブレ
ードにて充填し、１５０°Ｃで１０分間乾燥させた（図
１（Ｄ））。乾燥後の樹脂層の膜厚は１２μｍであっ
た。その後、残存するレジスト膜を指定アルカリ剥離液
にて剥離除去して絶縁性パターン１５を形成した（図１
（Ｅ））。

【００２５】前記絶縁性パターンを形成した基板とは別
の表面研磨したステンレス基板（ＳＵＳ３０４）；厚さ
０．２ｍｍ上に、ネガ型感光性レジスト（日本合成ゴム
株式会社製「ＴＨＢ−３７」）をスピンコート法で、乾
燥後の厚さが２０μｍになるように塗布して乾燥してレ
ジスト膜２２を形成した（図１（Ｆ））。乾燥後、線幅
３０μｍの配線パターンのパターン形状を持つフォトマ
スク２３をレジスト膜上に密着して、紫外線光源で露光
量２００ｍＪで露光した（図１（Ｇ））。露光後、レジ
スト膜を指定アルカリ現像液で現像し、未硬化のレジス
ト膜を除去して配線パターンレジスト膜２４を形成した
（図１（Ｈ））。

【００２６】このレジスト膜の形成された基板を転写基
板として白金電極と対向させて下記組成のピロ燐酸銅め
っき浴（ｐＨ＝８，液温＝５５°Ｃ）中に浸漬し、直流
電源の陽極に白金電極を陰極に上記の転写基板を接続
し、電流密度１０Ａ／ｄｍ²で５分間の通電を行い、レ
ジストで被覆されていない基板の裸出部に厚さ１０μｍ
の銅めっき膜を形成した（図１（Ｉ））。（ピロ燐酸銅めっき浴の組成）ピロ燐酸銅９４ｇ／ｌピロ燐酸銅カリウム３４０ｇ／ｌアンモニア水３ｃｃ／ｌ

【００２７】銅めっき後、残存するレジスト膜を指定ア
ルカリ剥離液にて剥離除去して、導電性パターン２５を
形成した（図１（Ｊ））。次に、先に形成された絶縁性
樹脂からなる配線パターンを有する基板１１上に、導電
性パターンを有する基板２１を、導電性パターンが絶縁
性パターンに一致するように位置合わせして密着し、下
記の圧着条件で転写したところ（図１（Ｋ））、基板１
１上の絶縁性パターン層上に導電性パターンが積層され
た配線パターンが得られた（図１（Ｌ））。（圧着条件）圧力：４０ｋｇｆ／ｃｍ² 温度：２００°Ｃ時間：１分間

【００２８】＜実施例２＞表面研磨したステンレス基板
（ＳＵＳ３０４）；厚さ０．２ｍｍ上にネガ型感光性レ
ジスト（日本合成ゴム株式会社製「ＴＨＢ−３７」）を
スピンコート法で乾燥後の膜厚が２０μｍになるように
塗布し乾燥してレジスト膜３２を形成した（図２
（Ａ））。乾燥後、配線パターンのパターン形状を持つ
フォトマスク３３をレジスト膜上に密着して、紫外線光
源で露光量２００ｍＪで露光した（図２（Ｂ））。露光
後、レジスト膜を指定アルカリ現像液で現像し、未硬化
のレジスト膜を除去して配線パターンレジスト膜３４を
形成した（図２（Ｃ））。

【００２９】このレジスト膜の形成された基板を転写基
板として白金電極と対向させて下記組成のピロ燐酸銅め
っき浴（ｐＨ＝８，液温＝５５°Ｃ）中に浸漬し、直流
電源の陽極に白金電極を、陰極に上記の転写基板を接続
し、電流密度１０Ａ／ｄｍ²で５分間の通電を行い、レ
ジストで被覆されていない基板の裸出部に厚さ１０μｍ
の銅めっき膜を形成した（図２（Ｄ））。（ピロ燐酸銅めっき浴の組成）ピロ燐酸銅９４ｇ／ｌピロ燐酸銅カリウム３４０ｇ／ｌアンモニア水３ｃｃ／ｌ

【００３０】この導電性パターンが形成された上に、ポ
リイミド樹脂からなる絶縁性樹脂（宇部興産株式会社製
「ユピコート」）をゴム製ブレードにて充填し、１５０
°Ｃで１０分間乾燥させた。乾燥後の樹脂層の膜厚は６
μｍであった（図２（Ｅ））。その後、残存するレジス
ト膜を指定アルカリ剥離液にて剥離除去して、導電性パ
ターン３５上に絶縁性樹脂パターン３６が積層したパタ
ーンを形成した（図２（Ｆ））。

【００３１】次に、この導電性パターン上に絶縁性樹脂
パターンが積層したパターンとは別のステンレスからな
る被転写用基板（ＳＵＳ３０４）３７と、導電性パター
ンと絶縁性パターンが積層形成された基板３１を、絶縁
性パターンが基板３７に密着するようにして密着し、下
記の圧着条件で転写したところ（図２（Ｇ））、基板３
７上に絶縁性パターンと導電性パターンが積層された配
線パターンが得られた（図２（Ｈ））。（圧着条件）圧力：４０ｋｇｆ／ｃｍ² 温度：２００°Ｃ時間：１分間

【００３２】上記の実施例１および実施例２で作製され
た配線パターンを使用して作動試験を行ったところ、配
線の断線や漏洩電流等は見られず、また絶縁耐性も高く
正しく作動することが確認された。

【００３３】

【発明の効果】本発明の第１の実施形態のパターン形成
方法によれば、基板上に形成されたレジストパターン開
口内に絶縁性樹脂を充填することにより絶縁性パターン
を形成することができる。また、当該絶縁性パターン上
に導電性パターンを転写することにより絶縁性パターン
と導電性パターンの積層体からなる本発明の第２の実施
形態による配線パターンを容易に形成することができ
る。また、本発明の第３の実施形態のパターン形成方法
では、基板上に形成されたレジストパターン開口内に電
解めっき法により導電性層を形成する工程と、当該導電
性層上に絶縁性樹脂を充填する工程と、導電性パターン
と絶縁性パターンの積層体を被転写基板に転写する工程
とにより配線パターンを容易に形成することができる。
本発明のいずれの実施形態によるパターン形成方法であ
っても、材料が予め定められた所定のパターン域内にの
み限定して使用されるので絶縁性材料および導電性材料
の節減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１および第２の実施形態によるパ
ターン形成方法を説明する図である。

【図２】本発明の第３の実施形態によるパターン形成
方法を説明する図である。

【符号の説明】

１１，２１，３１基板１２，２２，３２感光性レジスト１３，２３，３３フォトマスク１４，２４，３４レジストパターン１５，３６絶縁性パターン２５，３５導電性パターン３７被転写用基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に感光性レジストを塗布、乾燥し
た後、配線パターンを構成するパターンのうち絶縁性パ
ターンのパターンを露光して現像処理する工程と、当該
感光性レジストにより形成されたレジスト膜のパターン
開口部内に絶縁性樹脂材料を充填する工程と、当該絶縁
性樹脂材料の乾燥後、レジスト膜を剥離除去する工程を
含むことを特徴とする絶縁性パターン形成方法。
【請求項２】請求項１記載の方法により形成された絶
縁性パターン上に当該絶縁性パターンと形状が整合する
ように形成された導電性パターンを転写して積層し一体
にすることを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項３】導電性の基板上に感光性レジストを塗
布、乾燥した後、配線パターンのパターンを露光して現
像処理する工程と、当該感光性レジストにより形成され
たレジスト膜のパターン開口部内に、電解めっき法によ
り導電性パターンを当該レジスト膜厚よりも薄層に形成
する工程と、当該導電性パターン上であってレジスト膜
のパターン開口部内に絶縁性樹脂材料を充填する工程
と、当該絶縁性樹脂材料の乾燥後、レジスト膜を剥離す
る工程とによりパターンを形成した後、導電性パターン
と絶縁性パターンの積層体を被転写基板に一体に転写す
ることを特徴とする配線パターン形成方法。