JP2002057463A

JP2002057463A - 配線形成方法と配線基板

Info

Publication number: JP2002057463A
Application number: JP2000241952A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kuramochi; 悟倉持
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2000-08-10
Filing date: 2000-08-10
Publication date: 2002-02-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】配線を設けた配線基板上に配線層を更に形成
して、多層に配線層を形成する場合、各配線層の形成と
配線層間の接続部の形成とを品質的にも安定的にできる
配線形成方法の提供。【解決手段】配線部を形成するための絶縁層１２５を
形成した状態で、ソフトエッチングで除去可能な厚さ
に、絶縁層形成側全面に、スパッタ、無電解めっき等に
より導電性の薄膜を形成するパネルめっき工程と、パネ
ルめっき工程により形成された導電性の薄膜１４０上
に、配線部ないし接続部１６０の形状に合わせ、耐めっ
き性のレジストパターンを形成するレジスト製版工程
と、電解めっきを施し、レジストパターンの開口部に導
電性層を設け、配線部およびまたは接続部形成する電解
めっき工程と、レジスト剥離工程と、レジスト剥離後、
露出した部分をソフトエッチングするソフトエッチング
工程とを施し、配線部およびまたは接続部を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線用基板上ない
し配線基板上へ、絶縁層を接着層とし、これを介して配
線部を形成する配線形成方法と配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高密度化、高機能化が
進む中、益々、半導体装置の高密度化、高機能化、半導
体パッケージの小型化、多ピン化、外部端子のファイン
ピッチ化が求められている。半導体素子、半導体装置の
極小化、薄型化が進み、高密度実装の時代となった。Ｌ
ＳＩを直接プリント配線板に実装、あるいはＣＳＰ（Ｃ
ｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）をプリント配線板に実装する
ようになってきた。最近では、半導体素子（フリップチ
ップ）をマザーボードであるプリント配線板に搭載する
ための中間的な配線となるインターポーザ（配線基板）
や、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）タイプ
の半導体装置を形成するための配線基板も、高密度化の
要求に対応して、開発されるようになってきた。これに
伴い、マザーボード（プリント配線板）についても、益
々、配線の高密度化が求められ、図４に示すような、Ｃ
ＳＰ、ＢＧＡ、インターポーザ等の外部端子部と接合す
るためのピン端子４１５を二次元的に配列（エリアアレ
イ）させ、ピン端子４１５からの配線４１０を多層配線
としている、ビルトアップ法により作製された多層配線
基板も開発されている。尚、図４（ｂ）は、ビルトアッ
プ基板の一部を示した平面図で、図４（ａ）はそのＡ３
領域をＡ４−Ａ５方向からみた場合の配線位置を示した
ものである。図４（ｂ）はそれをＡ１−Ａ２方向からみ
た図に相当する。図４中、４１０は配線、４１３は（充
填タンプの）バイアホール、４１５はピン端子、４１７
は外部端子、４２１、４２２、４２３は絶縁層である。

【０００３】一般に、多層配線基板の配線部の形成方法
としては、主としてサブトラクティブ法とアディティブ
法があるが、図４に示すビルトアップ法による多層配線
基板の配線部の形成方法は、配線の微細化の点からアデ
ィティブ法が採られている。配線層およびバイアホール
を１層づつ、絶縁層を介して積み上げ形成していく方法
をビルトアップ法と言い、通常、絶縁性の基材上ないし
絶縁性樹脂層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき
等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっ
き等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属
層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジス
トを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した
部分のみをエッチングすることにより配線部の形成を行
う。図４に示すようなビルトアップ法による多層配線基
板については、絶縁層を介した配線間の接続にバイアホ
ールを形成する必要があり、レーザやフォトリソグラフ
ィーにより絶縁層に孔開加工を施し、めっきにより、あ
るいは導電性ペーストを埋め込み、接続をとるが、この
場合、接続の信頼性を維持しつつ、密度を上げることが
難しい。また、ビルトアップ法による多層配線基板の製
造は手間がかかる。

【０００４】尚、一般には、絶縁性の基板の上全面に金
属配線部を形成するための金属層（銅箔）を形成してお
き、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去
して配線部を形成する方法をサブトラクティブ法と言
い、めっき等により形成された金属配線部を直接ないし
間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していく方法を
アディティブ法と言う。そして、サブトラクティブ法の
場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅
箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、
技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ
等による制約から配線部の微細加工が難しいという問題
があり、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配
線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、
コスト信頼性の面で難がある。

【０００５】上記のように、ビルトアップ法による多層
配線基板やその製造方法には種々問題がある為、最近、
配線の微細化を達成しつつ多層配線を比較的簡単に可能
とする多層配線基板の製造方法として、複数の転写版
に、それぞれ、所定の形状にめっき形成された配線層
を、配線を形成するベース基板に順次、配線を固定する
接着剤層である絶縁層を介して転写して、配線層を多層
に形成する多層配線基板の製造方法も提案されている。
この方法の場合、配線を固定し、且つ重なる配線間を絶
縁する絶縁層（接着剤層）の形成方法としては、印刷
方法、感光性樹脂のフォトリソグラフィー法、印刷
転写形成法がある。印刷方法は、スクリーン印刷等の印刷によるもので、
量産的で、安価となるが、精度的に問題があり、高精度
高密度の配線形成には適していない。感光性樹脂のフォトリソグラフィー法の場合、高精度
高密度の配線形成には適しているが、工程が長く、作業
時間が長く、且つ複雑で、設備も高価となり、結果コス
ト高となる。さらに、ビルトアップ法による多層配線基
板の作製に適用する場合、材料費がはらむ。印刷転写形成法としては、本出願人により、導電性基
板上に、配線層をめっき形成し、更に配線層上に印刷に
より、配線を固定し、且つ重なる配線間を絶縁する絶縁
層（接着剤層）を、形成する方法が提案されている。

【０００６】上記転写による多層配線基板の製造方法に
おいては、転写した配線層同志の接続方法としては、導
電性ペースト（インキ）等をスクリーン印刷等で導電性
層相互間に跨がるように印刷して接続配線（接合部）を
形成する印刷法、導電性のインキを微細なノズルから噴
出させ、接続配線（接合部）を直接描画形成して接続配
線（接合部）を形成するディスペンス法、ボンディング
ワイヤを用い接続配線を形成するワイヤーボンディング
法等が比較的簡単な方法として知られているが、これら
の方法は、接続配線（接合部）を品質的に安定して形成
できる方法とは言えず、その対応が求められていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような状況のも
と、簡便に、配線の高密度化ができる配線形成方法であ
る、転写による多層配線基板の製造方法においては、接
続配線（接合部）を品質的に安定して形成できる方法が
求められていた。本発明は、これに対応するもので、特
に、配線を設けた配線基板上に配線層を更に形成して、
多層に配線層を形成する場合、各配線層の形成と配線層
間の接続部の形成とを品質的にも安定的にできる配線形
成方法の提供を可能とするものである。具体的には、一
面に、少なくとも、選択めっき形成された配線層を該配
線層に沿う形状の絶縁性樹脂層を介して転写形成された
第１の配線部を配設する配線基板の第１の配線部上に、
該第１の配線部と接続する第２の配線部を設ける配線の
形成方法で、第１の配線部と第２の配線部を確実に且
つ、安定的に接続できる方法を提供しようとするもので
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、配線用基板上ないし配線基板上へ、絶縁層を接着層
とし、これを介して配線部を形成する配線形成方法であ
って、少なくとも、配線部を形成するための絶縁層を形
成した状態で、順に、（Ａ）ソフトエッチングで除去可
能な厚さに、前記絶縁層形成側全面に、スパッタ、無電
解めっき等により導電性の薄膜を形成するパネルめっき
工程と、（Ｂ）パネルめっき工程により形成された導電
性の薄膜上に、配線部ないし接続部の形状に合わせ、耐
めっき性のレジストパターンを形成するレジスト製版工
程と、（Ｃ）電解めっきを施し、レジストパターンの開
口部に導電性層を設け、配線部およびまたは接続部形成
する電解めっき工程と、（Ｄ）レジストパターンを剥離
するレジスト剥離工程と、（Ｅ）レジスト剥離後、露出
した部分をソフトエッチングするソフトエッチング工程
とを施し、配線部およびまたは接続部を形成することを
特徴とするものである。そして、上記において、パネル
めっき工程を、触媒付与を伴う無電解めっきで行うもの
であり、ソフトエッチング工程後、残留した触媒を除去
する触媒除去処理を行なうことを特徴とするものであ
り、触媒除去処理が、ウエットブラスト処理であること
を特徴とするものである。そしてまた、上記において、
配線部を形成するための絶縁層を形成した状態で、パネ
ルめっき工程に先たち、粗面化処理を施しておくことを
特徴とすものであり、粗面化処理が、ウエットブラスト
処理であることを特徴とする。尚、ソフトエッチングと
は、極めて短時間のエッチングを言い、特に配線層に影
響がでない程度のエッチングを言う。また、配線用基板
（配線形成用基板あるいは単にベース基板とも以下言
う）とは、未だ配線層が形成されていない配線形成用の
基板のことで、配線基板とは、配線層を設けた基板であ
る。配線用基板の一面ないし両面、あるいは内部および
表面に、配線層を形成した基板、これらを積層した基板
は配線基板であり、半導体回路を形成したウエハ基板も
配線基板である。

【０００９】具体的には、本発明の配線形成方法は、一
面に、少なくとも、選択めっき形成された配線層を該配
線層に沿う形状の絶縁性樹脂層を介して転写形成された
第１の配線部を配設する配線基板の第１の配線部上に、
該第１の配線部と接続する第２の配線部を設ける配線の
形成方法であって、少なくとも、第１の配線部上に、第
１の配線部と第２の配線部とを接続するための領域を開
口して、第１の配線部と第２の配線部とを絶縁し、且つ
第２の配線部を形成するための絶縁層である配線間絶縁
層を形成した状態で、順に、（ａ）ソフトエッチングで
除去可能な厚さに、配線間絶縁層形成側全面にスパッ
タ、無電解めっき等により導電性の薄膜を形成するパネ
ルめっき工程と、（ｂ）パネルめっき工程により形成さ
れた導電性の薄膜上に、第１の配線部と第２の配線部と
の接続部の形状に合わせ、あるいは、第１の配線部と第
２の配線部との接続部の形状と、第２の配線部の形状に
合わせ、耐めっき性のレジストパターンを形成するレジ
スト製版工程と、（ｃ）電解めっきを施し、レジストパ
ターンの開口部に導電性層を設け、第１の配線部と第２
の配線部との接続部、あるいは、第１の配線部と第２の
配線部との接続部と第２の配線部とを形成する電解めっ
き工程と、（ｄ）レジストパターンを剥離するレジスト
剥離工程と、（ｅ）レジスト剥離後、露出した部分をソ
フトエッチングするソフトエッチング工程とを施し、第
２の配線部を第１の配線部に接続した状態で形成するこ
とを特徴とするものであり、パネルめっき工程を、触媒
付与を伴う無電解めっきで行うものであり、ソフトエッ
チング工程後、残留した触媒を除去する触媒除去処理を
行なうことを特徴とするものである。そして、上記にお
ける触媒除去処理が、ウエットブラスト処理であること
を特徴とするものである。そしてまた、上記において、
配線部を形成するための絶縁層を形成した状態で、パネ
ルめっき工程に先たち、粗面化処理を施しておくことを
特徴とするものであり、粗面化処理が、ウエットブラス
ト処理であることを特徴とするものである。また、上記
において、選択めっき形成された配線層に沿う形状の絶
縁性樹脂層が、選択めっき形成された配線層上に印刷形
成された樹脂層であることを特徴とするものであり、配
線層上に形成された樹脂層がポリイミド樹脂であること
を特徴とするものである。また、上記において、パネル
めっき工程を実施する前に、予め、選択めっき形成され
た配線層を第１の配線部上に、配線間絶縁層となる絶縁
性樹脂層を介して、第２の配線部を転写形成しておくこ
とを特徴とするものであり、配線間絶縁層となる絶縁性
樹脂層が、選択めっき形成された配線層上に印刷形成さ
れた樹脂層であることを特徴とするものである。また、
上記において、第１の配線部上に、第２の配線部と接続
するための領域のみを開口した状態で、配線間絶縁層を
形成しておき、レジスト製版工程で、第２の配線部の形
状に合わせ、耐めっき性のレジストパターンを形成し、
電解めっき工程で、第１の配線部と第２の配線部との接
続部と第２の配線部とを形成することを特徴とするもの
である。

【００１０】また具体的には、本発明の配線形成方法
は、一面に、少なくとも、選択めっき形成された配線層
を該配線層に沿う形状の絶縁性樹脂層を介して転写形成
された第１の配線部を配設する配線基板の第１の配線部
上に、該第１の配線部と接続する第２の配線部を設ける
配線の形成方法であって、少なくとも、第１の配線部上
に、第１の配線部と第２の配線部とを接続するための領
域を開口して、第１の配線部と第２の配線部とを絶縁
し、且つ第２の配線部を形成するための絶縁層である配
線間絶縁層を形成した状態で、順に、（ｆ）第１の配線
部、第２の配線部を覆うように、感光性のレジストを配
設し、第１の配線部と第２の配線部とを接続するため
の、開口部を所定の位置に設けた状態で感光性のレジス
トを製版するレジスト製版工程と、（ｇ）開口部を含む
領域を、無電解めっきができるように、触媒付与する触
媒付与工程と、（ｈ）触媒付与された領域に無電解めっ
きを施し、第１の配線部と、第２の配線部とを接続する
無電解めっき工程と、（ｉ）レジストを剥離し、レジス
ト面に形成されている無電解めっき層を除去するレジス
ト剥離工程とを有することを特徴とするものである。そ
して、上記において、選択めっき形成された配線層に沿
う形状の絶縁性樹脂層が、選択めっき形成された配線層
上に印刷形成された樹脂層であることを特徴とするもの
であり、印刷形成された樹脂層が、ポリイミド樹脂であ
ることを特徴とするものである。

【００１１】本発明の配線基板は、上記の本発明の方法
により形成されたことを特徴とするものである。

【００１２】

【作用】本発明の配線形成方法は、このような構成にす
ることにより、配線用基板上ないし配線基板上へ、絶縁
層を接着層とし、これを介して配線部を形成する配線形
成方法の提供を可能とするもので、特に、配線を設けた
配線基板上に配線層を更に形成して、多層に配線層を形
成する場合、各配線層の形成と配線層間の接続とを安定
的にできる配線形成方法の提供を可能とするものであ
る。具体的には、配線用基板上ないし配線基板上へ、絶
縁層を接着層とし、これを介して配線部を形成する配線
形成方法であって、少なくとも、配線部を形成するため
の絶縁層を形成した状態で、順に、（Ａ）ソフトエッチ
ングで除去可能な厚さに、前記絶縁層形成側全面に、ス
パッタ、無電解めっき等により導電性の薄膜を形成する
パネルめっき工程と、（Ｂ）パネルめっき工程により形
成された導電性の薄膜上に、配線部ないし接続部の形状
に合わせ、耐めっき性のレジストパターンを形成するレ
ジスト製版工程と、（Ｃ）電解めっきを施し、レジスト
パターンの開口部に導電性層を設け、配線部およびまた
は接続部形成する電解めっき工程と、（Ｄ）レジストパ
ターンを剥離するレジスト剥離工程と、（Ｅ）レジスト
剥離後、露出した部分をソフトエッチングするソフトエ
ッチング工程とを施し、配線部およびまたは接続部を形
成することにより、これを達成している。そして、パネ
ルめっき工程を、触媒付与を伴う無電解めっきで行うも
のであり、ソフトエッチング工程後、残留した触媒を除
去する触媒除去処理を行なうことにより、配線形成や接
続部の形成の自由度を大きくするとともに、各配線の絶
縁性確保を確実に行えるものとしている。特に、触媒除
去処理が、ウエットブラスト処理であることにより、残
留した触媒を、品質的に問題無い程度に除去することを
可能としている。そしてまた、上記において、配線部を
形成するための絶縁層を形成した状態で、パネルめっき
工程に先たち、粗面化処理を施しておくことにより、配
線層や接続部の固着を確実なものとしている。粗面化処
理としては、ウエットブラスト処理が挙げられる。

【００１３】更に、具体的には、一面に、少なくとも、
選択めっき形成された配線層を該配線層に沿う形状の絶
縁性樹脂層を介して転写形成された第１の配線部を配設
する配線基板の第１の配線部上に、該第１の配線部と接
続する第２の配線部を設ける配線の形成方法において、
第２の配線層の形成と、配線層間の接続とを、安定的に
できる方法の提供を可能とするものである。即ち、簡便
に、配線の高密度化ができる配線形成方法である、転写
による多層配線基板の製造方法において、接続配線（接
合部）を品質的に安定して形成できる方法の提供を可能
にしている。

【００１４】本発明の配線基板は、このような構成にす
ることにより、多層に配線層を形成した配線基板で、各
配線層の形成と配線層間の接続とを安定的にできる配線
基板の提供を可能とするもので、特に、一面に、少なく
とも、選択めっき形成された配線層を該配線層に沿う形
状の絶縁性樹脂層を介して転写形成された第１の配線部
を配設する配線基板の第１の配線部上に、該第１の配線
部と接続する第２の配線部を設けた配線基板で、品質的
にも優れたものの提供を可能とするものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の配線形成方法の実施の形
態を挙げ、図に基づいて説明する。図１は本発明の配線
の形成方法の実施の形態の第１の例の工程断面図で、図
２は本発明の配線形成方法の実施の形態の第２の例の工
程断面図で、図３は転写版の製造方法と転写を説明する
ための図で、図４は図１とは異なる配線形態を示した図
で、図５は本発明の配線形成方法の実施の形態の第３の
例の工程断面図で、図６は本発明の配線形成方法の実施
の形態の第４の例の工程断面図で、図７は実施例４を説
明するための工程断面図である。図１〜図７中、１１０
はベース基板、１２０は第１の配線部の配線層、１２５
は絶縁性樹脂層、１３０は第２の配線部の配線層、１３
５は絶縁性樹脂層（配線層間絶縁層）、１４０は導電性
薄膜、１５０は感光性樹脂層、１５５は開口部、１６０
は接続部、１８０は触媒付与部、２１０はベース基板、
２２０は第１の配線部の配線層、２２５は絶縁性樹脂
層、２３０は感光性樹脂層、２３５は開口部、２４０は
導電性薄膜、２５０は感光性樹脂層、２５５は開口部、
２６０は第２の配線部の配線層、２６５は接続部、３１
０は導電性基材、３２０はレジスト、３２５は開口部、
３３０は導電性層、３４０は樹脂層（印刷層）、３４０
Ａは絶縁性樹脂層、３８０は配線形成用基板、４１０は
ベース基板、４２０、４２１、４２５はレジスト（レジ
ストパターン）、４２１Ａ，４２５Ａは開口部、４３
０、４３５は絶縁性樹脂層、４４０、４４１、４４５、
４４６はウエットブラスト、４５０、４５５は無電解め
っき層、４７０、４７５は電解めっき層である。

【００１６】本発明の配線形成方法の実施の形態の第１
の例を挙げる。本例は、選択めっき形成された配線層を
該配線層に沿う形状の絶縁性樹脂層を介して転写形成さ
れた第１の配線部を有し、且つ該転写形成された第１の
配線部上に、該第１の配線部と接続する第２の配線部を
設けた積層配線の形成方法で、第１の配線部を転写形成
した後、第１の配線部上に、第１の配線部と第２の配線
部とを絶縁するため配線間絶縁層である絶縁性樹脂を介
して第２の配線部を転写形成した後に、第１の配線部と
第２の配線部との接続を行うものである。本例では、第
１の配線部、第２の配線部ともに、後述するように、転
写版を用い、めっき形成された配線層を、めっき形成さ
れた配線層上に更に印刷により設けられた樹脂層を接着
剤層として転写形成して得ている。図１に基づいて本例
を説明する。先ず、第１の配線部をベース基板１１０上
に転写形成する。（図１（ａ））ここで、転写版の作製の１例と、転写例を図３にもとづ
いて、簡単に説明しておく。導電性基材３１０の一面上
に、レジスト３２０を配設した（図３（ａ））後、所定
のフォトマスク（パターン版とも言う）を用い、所定の
領域を露光して、開口部３２５を設ける。（図３
（ｂ））導電性基材３１０としては、めっき剥離性のあるものが
好ましく、一般にはステンレス板材が用いられるが、こ
れに限定はされない。レジスト３２０としては、所望の
解像性があり、耐めっき性があり、処理性の良いものが
好ましく、例えば、ノボラックレジストが挙げられる。
レジスト膜厚は作製する配線の厚さよりも厚く形成して
おく。次いで、レジスト３２０の開口部３２５にレジス
ト３２０の膜厚よりも薄く選択めっきを施して、配線層
となる導電性層３３０を形成する。（図３（ｃ））導電性層３３０としては、導電性やコスト面からめっき
銅が一好ましいが、これに限定はされない。多層の導電
性層としても良い。必要に応じてＮｉ（ニッケル）、Ａ
ｕ（金）、Ｃｒ（クロム）、Ａｇ（銀）、Ｐｔ（白金）
等でも良く、めっき銅の場合、その厚さは、配線の幅に
もよるが１μｍ以上は必要である。次いで、レジスト３
２０剥離後、ベース基板３１０の全面にわたりめっき形
成された導電性層３４０上、全面に、印刷により樹脂層
３４０を形成する。（図３（ｄ））樹脂層３４０は、電気的絶縁性、化学的安定性、強度の
点で優れたものが好ましいが、特に限定はされない。樹
脂層３４０の厚さは、転写性、絶縁性を考慮して決め
る。図３（ｄ）に示すものは、配線層となる導電性層３
３０を配線形成用基板に転写するための版で、通常、転
写版と呼ばれる。

【００１７】樹脂層３４０を印刷形成するため高分子と
しては、各種合成高分子樹脂を挙げることができる。高
分子樹脂としては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、
マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、ある
いは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として
使用できる。さらに、上記の合成樹脂とメラミン樹脂、
フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用
しても良い。また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与す
るために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性
付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。特
に、絶縁性、強度、化学的安定性の面から樹脂層３４０
がポリイミド樹脂であるとが好ましい。

【００１８】次いで、導電性基板３１０を、その一面に
設けられた樹脂層３４０を介して、配線を形成する配線
形成用基板３８０に圧着する。（図３（ｅ））必要に応じて、熱処理等を行う。そして、導電性基板３
１０のみを剥離して、導電性基板３１０の全面にわたり
めっき形成された樹脂層３４０（あるいは硬化した絶縁
樹脂層３４０Ａ）、配線部となる導電性層３３０を配線
形成用基板３８０側に転写する。（図３（ｆ））必要に応じて、熱処理等を行い、樹脂層３４０を硬化し
て絶縁樹脂層３４０Ａとする。配線形成用基板３８０に
ついては、特に限定されない、フィルム、ガラス、金属
等、種々の材質が適用できる。また、配線部が１層ない
し複数層設けられていても良い。

【００１９】このようにして、第１の配線部の配線層
は、ベース基板１１０上に転写形成されるが、同様にし
て、第２の配線部の配線層を該１の配線部の上に転写形
成する。（図１（ｂ））本例では、図１（ｂ）に示すように第２の配線部き配線
層が第１の配線部の配線層上に橋渡し状態で転写形成さ
れているが、このような状態には限定されない。例え
ば、図４に示すように第２の配線部の配線層１３０が曲
がり、ベース基板１１０に直接接続する箇所を有し、且
つ、第１の配線部の配線層１２０上にも重なるように転
写形成される場合もある。

【００２０】次いで、ソフトエッチングで除去可能な厚
さに、配線間絶縁層形成側全面にスパッタ、無電解めっ
き等により導電性薄膜１４０を形成する。（図１
（ｃ））ここでは、この処理工程をパネルめっき工程と言う。前
述の通り、ソフトエッチングとは、極めて短時間のエッ
チングを言い、特に配線層に影響がでない程度のエッチ
ングを言う。導電性薄膜１４０としては、無電解めっき
Ｎｉ、無電解めっきＣｕ、スパッタによる導電性の銅等
の金属薄膜等が挙げられるが、特に、これらに限定はさ
れない。

【００２１】次いで、形成された導電性薄膜１４０上
に、感光性レジスト１５０を全面配設した（図１
（ｄ））後、第１の配線部と第２の配線部との接続部の
形状に合わせ、感光する電離放射線を感光性レジスト１
５０の所定領域に照射し、これを現像して、接続部の形
状に開口部１５５を形成する。（図１（ｅ））電離放射線の照射（露光とも言う）は、通常、所定形状
のフォトマスク（パターン版も言う）を用いて行うが、
これに限定はされない。感光性レジストとしては、後続
するめっきに耐性があり、処理性の良いものが好まし
い。例えば、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光性レジ
スト、アクリル系ネガ型感光性レジスト等のレジストが
挙げられる。

【００２２】次いで、開口部１５５へ電解めっきを施
し、第１の配線部の配線と第２の配線部の配線とを接続
する接続部１６０を形成する。（図１（ｆ））接続部１６０を形成するための導電性めっき層として
は、導電性やコスト面からめっき銅が一好ましいが、こ
れに限定はされない。多層の導電性層としても良い。必
要に応じてＮｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ｃｒ（クロ
ム）、Ａｇ（銀）、Ｐｔ（白金）等でも良い。

【００２３】次いで、感光性レジスト１５０を所定の剥
離液で剥離し、所定の洗浄を行っておく。（図１
（ｇ））次いで、露出した部分をソフトエッチングし、不要な導
電性薄膜１４０をエッチング除去する。（図１（ｈ））これは、本来不要である導電性薄膜１４０による接続を
消失させるためのものであり、第１の配線部の配線層１
２０、第２の配線部の配線層１３０へのダメージがない
程度にエッチングする。

【００２４】次に、本発明の配線形成方法の実施の形態
の第２の例を図２に基づいて説明する。本例も、第１の
例と同様、選択めっき形成された配線層を該配線層に沿
う形状の絶縁性樹脂層を介して転写形成された第１の配
線部を有し、且つ該転写形成された第１の配線部上に、
該第１の配線部と接続する第２の配線部を設けた積層配
線の形成方法であるが、本例の場合は、第１の配線部を
転写形成した後、第１の配線部上に、第１の配線部と第
２の配線部とを絶縁するため配線間絶縁層である絶縁性
樹脂を形成した後に、第２の配線部の形成と、第１の配
線部と第２の配線部との接続部の形成を、電解めっきに
より行うものである。第１の配線部は、第１の例と同
様、転写版を用い、めっき形成された配線層を、めっき
形成された配線層上に更に印刷により設けられた樹脂層
を接着剤層として転写形成して得ている。

【００２５】まず、第１の例と同様、第１の配線部の配
線２２０を、ベース基板２１０の一面上に、転写形成す
る。（図２（ａ））次いで、感光性のレジスト２３０を第１の配線部の配線
２２０全体を覆うように配設した後、感光する電離放射
線を感光性のレジスト２３０の所定の領域に照射して、
現像し、所定領域に開口部２３５を形成する。（図２
（ｂ））この場合も、感光性のレジスト２３０としては、後続す
るめっきに耐性があり、処理性の良いものが好ましく、
例えば、感光性のポリイミド等のレジストが挙げられ
る。次いで、第１の例と同様にして、ソフトエッチング
で除去可能な厚さに、配線間絶縁層形成側全面にスパッ
タ、無電解めっき等により導電性薄膜２４０を形成す
る。（図２（ｃ））

【００２６】次いで、感光性のレジスト２５０を導電性
薄膜２４０全体を覆うように配設した後、感光する電離
放射線を感光性のレジスト２５０の所定の領域に照射し
て、現像し、形成する第２の配線部の配線形状、第１の
配線部と第２の配線部との接続部の形状に合わせ、所定
領域に開口部２５５を形成する。（図２（ｄ））感光性のレジスト２５０としては、この場合も、後続す
るめっきに耐性のあり、処理性の良いものが好ましく、
前述のナフトキノンジアジド系ポジ型感光性レジスト、
アクリル系ネガ型感光性レジスト等のレジストが挙げら
れる。

【００２７】次いで、開口部２５５に電解めっきを施
し、第２の配線部の配線層２６０と、第１の配線部と第
２の配線部との接続部２６５とを形成する。（図２
（ｅ））次いで、第２の配線部の配線層２６０、接続部２６５を
形成するための導電性めっき層としては、導電性やコス
ト面からめっき銅が一好ましいが、これに限定はされな
い。多層の導電性層としても良い。次いで、第１の例と
同様、感光性レジスト２５０を所定の剥離液で剥離し、
所定の洗浄を行った（図２（ｆ））後、露出した部分を
ソフトエッチングし、不要な導電性薄膜２４０をエッチ
ング除去しておく。（図２（ｇ））

【００２８】次に、本発明の配線形成方法の実施の形態
の第３の例を挙げる。本例も、第１の例と同様、選択め
っき形成された配線層を該配線層に沿う形状の絶縁性樹
脂層を介して転写形成された第１の配線部、第２の配線
部を積層して設け、且つ、これらを接続した積層配線の
形成方法である。以下、図５に基づき、本例を簡単に説
明する。先ず、第１の例と同様に、第１の配線部１２
０、第２の配線部１３０を転写形成する。（図５
（ａ）、図５（ｂ））第１の配線部１２０、第２の配線部１３０は、第１の例
と同様、転写版を用い、めっき形成された配線層を、め
っき形成された配線層上に更に印刷により設けられた樹
脂層を接着剤層として転写形成して得ている。次いで、
第１の配線部１２０、第２の配線部１３０を覆うよう
に、感光性のレジスト１５０を塗布し、乾燥した（図５
（ｃ））後、所定の接続部形成領域に開口部１５５を設
けた状態（図５（ｄ））で、露出した開口部１５５を含
む領域を活性化し、Ｐｄ等の触媒を付与する。（図５
（ｅ））次いで、感光性レジスト１５０を除去し（図５
（ｆ））、残っている触媒付与された領域のみに、第１
の例と同様に無電解めっきを施して、第１の配線部、第
２の配線部との接続を行う。（図５（ｇ））図５（ｇ）に示す、接続により、第１の配線部と第２の
配線部が接続した場合に、これらの配線の一端を用い、
電解めっきが可能である場合には、更に電解めっきを施
しても良い。

【００２９】次に、本発明の配線形成方法の実施の形態
の第４の例を挙げる。本例は、配線用基板の一面上に絶
縁層を接着層とし、これを介して配線部を形成する配線
基板を形成するための方法の１例である。図６に基づい
て説明する。先ず、配線形成用基板４１０（図６
（ａ））の一面上に、形成する配線の形状に合わせ絶縁
性樹脂層４３０を配設する（図６（ｄ））。配線形成用
基板４１０については、特に限定されない、フィルム、
ガラス、金属等、種々の材質が適用できる。絶縁性樹脂
層４３０としては、化学的安定性、強度の面で優れたも
のが好ましく、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレ
イン化樹脂、ポリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、こ
れらの樹脂の任意の組み合わせによる混合物が挙げられ
る。特に、ポリイミド樹脂は、絶縁性、化学的安定性、
強度の面で優れており、配線形成用基板４１０が金属基
板等、絶縁性樹脂層４３０形成面が導電性である場合に
は、特にポリイミド樹脂を絶縁性樹脂層４３０とするこ
とが好ましい。絶縁性樹脂層４３０の形成方法として
は、スクリーン印刷により形成する方法や、感光性レジ
ストを製版後して、絶縁性樹脂層４３０とする方法があ
るが、ここでは、配線形成用基板４１０の一面にレジス
トを所定形状に製版して形成した（図６（ｂ））後、絶
縁性樹脂層をレジストの開口部にスキージにより押し込
み形成する。（図６（ｃ））次いで、レジストを所定の剥離液にて除去した（図６
（ｄ））後、ウエットブラスト処理４４０を行う。（図
６（ｅ））ウエットブラスト処理は、水中にアルミナ等の砥材を混
入し、これを処理面にあて、物理的に粗面化するもので
ある。

【００３０】次いで、第１の例と同様にして、ソフトエ
ッチングで除去可能な厚さに、絶縁層４３０形成側全面
に無電解めっき等により導電性薄膜４５０を形成するパ
ネルめっき工程を行う。（図６（ｆ））前述の通り、ソフトエッチングとは、極めて短時間のエ
ッチングを言い、特に配線層に影響がでない程度のエッ
チングを言う。導電性薄膜４５０としては、無電解めっ
きＮｉ、無電解めっきＣｕ、スパッタによる導電性の銅
等の金属薄膜等が挙げられるが、特に、これらに限定は
されない。

【００３１】次に、パネルめっき工程により形成された
めっき層４５０上に形成する配線部の形状に合わせた開
口を有するレジスト４２１を製版により形成する。（図
６（ｇ））レジスト４２１の形成には、この場合も、後続するめっ
きに耐性があり、処理性の良いものが好い、前述のナフ
トキノンジアジド系ポジ型感光性レジスト、アクリル系
ネガ型感光性レジスト等のレジストが適用できる。次い
で、開口部４２１Ａへ電解めっきを施し、配線部４７０
を形成する。（図６（ｈ））第の例と同様、配線部４７０を形成するための導電性め
っき層としては、導電性やコスト面からめっき銅が一好
ましいが、これに限定はされない。多層の導電性層とし
ても良い。必要に応じてＮｉ（ニッケル）、Ａｕ
（金）、Ｃｒ（クロム）、Ａｇ（銀）、Ｐｔ（白金）等
でも良い。

【００３２】次いで、レジスト４２１を所定の剥離液で
剥離し、所定の洗浄を行っておく。（図６（ｉ））次いで、露出した部分をソフトエッチングし、不要な導
電性薄膜４５０をエッチング除去する。（図６（ｊ））これは、本来不要である導電性薄膜４５０による接続を
消失させるためのものであり、配線部４７０へのダメー
ジがない程度にエッチングする。

【００３３】次いで、無電解めっきを行う際、触媒付与
を行ったが、不要の残留触媒を除去するために、ウエッ
トブラスト処理４４１を行う。（図６（ｋ））この場合のウエットブラスト処理は、絶縁層４３０ある
いは配線形成用基板４１０の表面部を切削し、残留して
いる触媒を除去するものである。これにより、配線間
や、配線を形成する配線形成用基板４１０と配線との絶
縁性を良いものとできる。この後、必要に応じて、絶縁
層４３０を乾燥，硬化させる熱処理を施しておく。この
ようにして配線用基板上へ、絶縁層４３０を接着層と
し、これを介して配線部４７０を形成した配線基板を得
ることができる。

【００３４】次に、本発明の配線形成方法の実施の形態
の第５の例を挙げる。本例は、第２の例において、第４
の例で行うウエットブラスト処理を採り入れたもので、
第２の例において、配線部２６０を形成するための絶縁
層２３０を形成した状態で、パネルめっき工程に先た
ち、ウエットブラスト処理により粗面化処理を施してお
き、且つ、ソフトエッチング工程後、残留した触媒を除
去する触媒除去処理をウエットブラスト処理により行う
ものである。各処理については、第２の例、第４の例の
場合と同様に行うため、ここでは説明を省略する。

【００３５】本発明の配線基板の実施の形態としては、
図１（ｈ）や図２（ｇ）、あるいは図５（ｇ）、図６
（ｋ）に示すような形態の配線基板が挙げられるが、こ
れに限定はされない。勿論、図４に示すように第１の配
線部、第２の配線部を設けた配線板であって、図１や、
図５に示すような処理を施し、両配線部を接続する接続
部を設けた配線基板でも良い。尚、図１（ｈ）、図２
（ｇ）に示す配線基板、及び、図５（ｇ）、図６（ｋ）
に示す配線基板の構成、各部の材質については、それぞ
れ、図１、図２、図５、図６に示す各配線形成方法の実
施の形態の説明において詳述したのでここでは、説明を
省く。

【００３６】

【実施例】（実施例１）実施例１は、図１に示す実施の
形態の第１の例の配線形成方法を行った例で、図１に基
づいて説明する。先ず、第１の配線部、第２の配線部を
形成するための転写版（図３（ｄ）に示すものに相当）
Ａ１０、Ａ２０を以下のようにして作製した。転写版の
製造を図３に基づいて説明する。導電性のベース基板３
１０として０．１ｍｍ厚のステンレス板（ＳＵＳ３０
４）を準備し、このステンレス板からなる導電性のベー
ス基板３１０の一面上に市販のフォトレジスト（東京応
化工業株式会社製ＯＭＲ−８５）３２０をスピンコー
ト法により膜厚約２μｍに塗布し、オーブンで８５°
Ｃ、３０分間乾燥を行った。（図３（ａ））そして、各作製する配線層に対応する所定のフォトマス
クを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリー
ン製造株式会社製）を用いて密着露光を行い、現像、水
洗、乾燥をし、所定のパターンを有するレジスト３２０
を形成した。（図３（ｂ））露光条件は３０ｃｏｕｎｔとした。次いで、その一面上
にフォトレジストが製版された導電性のベース基板３１
０と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき
浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を、陰極
に、それぞれ、ベース基板３１０を接続し、電流密度２
Ａ／ｄｍ²で１８分間の通電を行い、フォトレジストで
被膜されていないベース基板３１０の露出部に膜厚約７
μｍの銅めっき膜からなる導電性層３３０をめっきを形
成し、配線とした。（図３（ｃ））（めっき浴組成）ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ２００ｇ／ｌＨ₂ＳＯ₄ ５０ｇ／ｌＨＣｌ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）

【００３７】次いで、所定の剥離液でレジスト３２０を
剥離後、絶縁樹脂層からな樹脂層３４０を、配線上にス
クリーン印刷形成し、各転写版Ａ１０、Ａ２０を得た。
（図３（ｄ））樹脂層３４０を印刷形成するためのスクリーン印刷ペー
ストとして、ＦＰ−３３１０（セントラル硝子製）を用
いた。印刷パタン（樹脂層パタン）は、配線と同一形状
ではなく、配線を含包したパタンとした。印刷は、３０
０メッシュ、乳剤厚２０μｍの版を用い、２回重ね刷り
を行い、乾燥後、３０μｍの厚みであった。

【００３８】このようにして、第１の配線部の転写版Ａ
１０、第２の配線部の転写版Ａ２０を形成した後、ま
ず、第１の配線部の転写版Ａ１０を用いて、厚さ５０μ
ｍのポリイミド樹脂からなるベース基板１１０の一面上
に、第１の配線部を転写形成した。（図１（ａ））転写版Ａ１０を、下記の条件で圧着して（図３（ｅ）に
相当）、導電性基板（図３の３１０に相当）のみを剥離
して第１層目の配線層をベース基板１１０側に転写形成
した。（図３（ｆ）、図１（ａ）に相当）（圧着条件）圧力：５ｋｇｆ／ｃｍ² 温度：２００℃ 次いで、第１の配線部上に、第２の配線部の転写版Ａ２
０を、下記の条件で圧着して（図３（ｅ）に相当）、導
電性基板（図３の３１０に相当）のみを剥離して第２層
目の配線層をベース基板１１０側に転写形成した。（図
３（ｆ）、図１（ｂ））に相当）（圧着条件）圧力：５ｋｇｆ／ｃｍ² 温度：２００℃

【００３９】次いで、Ｐｄを触媒として無電解Ｎｉめっ
きを行い、全体を覆うようにめっきＮｉからなる導電性
薄膜を、ソフトエッチングで除去可能な０．５μｍ厚に
形成した。（図１（ｃ））センシタイジング：Ｓ−１０Ｘ（上村工業製）３分アクチベーティング：Ａ−１０Ｘ（上村工業製）３分無電解めっき液：ＮＰＲ−４（上村工業製）１分

【００４０】次いで、耐めっき性の感光性レジストＰＭ
ＥＲＡＲ−９０（東京応化株式会社製）を用いて、全
体を覆うように配設し（図１（ｄ））、感光する電離放
射線４０５ｎｍ、２００ｍｊ／ｃｍ²にて所定領域を照
射し、現像し、第１の配線部と第２の配線部との接続部
を形成するための開口部１５５を形成した。（図１
（ｅ））電離放射線４０５ｎｍの照射は、所定のフォトマスクを
用いて密着露光にて行った。次いで、以下の条件で電解
銅めっきを行い、開口部１５５をめっき銅で埋めて、第
２の配線部の配線１３０を第１の配線部の配線１２０に
接続した。（図１（ｆ））ベース基板１１０の導電性薄膜１４０と含燐銅電極を対
向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流
電源の陽極に含燐銅電極を、陰極に、それぞれ、ベース
基板１１０の導電性薄膜１４０とを接続し、電流密度２
Ａ／ｄｍ²で１８分間の通電を行い、フォトレジストで
被膜されていないベース基板１１０の導電性層１４０の
露出部に銅めっき層形成し、接続部１６０とした。（めっき浴組成）ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ２００ｇ／ｌＨ₂ＳＯ₄ ５０ｇ／ｌＨＣｌ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）

【００４１】次いで、剥離液アセトンを用いて、感光性
レジスト１５０を剥離し、洗浄処理等を行った（図１
（ｇ））後、無電解Ｎｉ剥離液ユニパックＨＳー１０に
より、ソフトエッチングを行い、導電性薄膜１４０をエ
ッチング除去し、第１の配線部と第２の配線部とを接続
した積層配線を形成した。（図１（ｈ））尚、この後、
樹脂層１２５、１３５を２００度Ｃ、１時間熱処理して
硬化させた。

【００４２】（実施例２）実施例２は、実施例１におい
て、転写版を形成する際の、絶縁樹脂層（電着樹脂層３
４０）形成用の樹脂を、別の樹脂としたもので、その他
については実施例１と同様であり、ここでは樹脂層の形
成のみ説明し、他の説明は省略する。めっきの配線基板
が形成された導電性の基板上に、ポリイミドワニス、Ｐ
ＡＡ−Ａ（三井化学製）を塗布し、１７０℃で、１時
間、乾燥した。膜厚は１０μｍであった。耐熱アルカリ
用レジスト、ＡＸ−１１０−１５（旭化成工業製）をラ
ミネートし、パタンニングを行い、ＮａＯＨ５％を用
い、８０℃でウェットエッチングを行い、ポリイミドフ
ィルム（アピカルＮＰＩ、ＫＡＮＥＫＡ社製、２５μｍ
厚）に基板を２５０℃で、３０ｓｅｃ圧着し、配線を転
写した。

【００４３】（実施例３）実施例３は、図６に示す第４
の例の配線形成方法を実施したもので、図６に基づいて
説明する。先ず、厚さ２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３
０４，新日本製鉄株式会社製）からなる配線形成用基板
４１０（図６（ａ））の一面上に、３０μｍ厚のドライ
フィルムレジスト（旭化成工業製、ＡＸ１１０）を、形
成する配線の形状に合わせ製版して、レジスト４２０を
形成し（図６（ｂ））、その開口部に、ドクターブレー
ドによりポリイミド溶液（ペースト）を埋め込み（図６
（ｃ））、１５０℃、１時間、乾燥を行い、レジスト４
２０を剥離し（、膜厚１０μｍのポリイミドからなる絶
縁層４３０を形成した。（図６（ｄ））

【００４４】次いで、マコー株式会社製のウエットブラ
スト加工装置にて、アルミナ砥材＃１０００（平均粒径
１１. ５μｍ）、砥材濃度２０％、ポンプ圧０. ７ｋｇ
／ｃｍ²、処理速度１０ｍ／ｍｉｎの条件下で処理を行
った。（図６（ｅ））

【００４５】次いで、Ｐｄを触媒として無電解Ｎｉめっ
きを行い、全体を覆うようにめっきＮｉからなる導電性
薄膜を、ソフトエッチングで除去可能な０．５μｍ厚に
形成した。（図６（ｆ））センシタイジング：Ｓ−１０Ｘ（上村工業製）３分アクチベーティング：Ａ−１０Ｘ（上村工業製）３分無電解めっき液：ＮＰＲ−４（上村工業製）１分

【００４６】次いで、耐めっき性の感光性レジスト４２
１（ＰＭＥＲＡＲ−９０、東京応化株式会社製）を用
いて、全体を覆うように配設し、感光する電離放射線４
０５ｎｍ、１５０ｍｊ／ｃｍ²にて所定領域を照射し、
指定の現像液で５分現像し、配線部を形成するための開
口部４２１Ａを形成した。（図６（ｇ））レジスト４２１は、バーコータにより行い、プリベーク
を８５℃、３０分して、膜厚を１０μｍとした。電離放
射線４０５ｎｍの照射は、所定のフォトマスクを用いて
密着露光にて行った。

【００４７】次いで、レジスト４２１の開口部４２１Ａ
に、以下のようにして、電解光沢ニッケルめっき、電解
銅めっき、電解無光沢ニッケルめっき、電解金めっきを
順に行い配線部４７０を形成した。（図６（ｈ））（電解光沢ニッケルめっき）硫酸ニッケル（６水塩）３００ｇ／ｌ塩化ニッケル（６水塩）４５ｇ／ｌほう酸４０ｇ／ｌＰＣニッケルＡ−１１０ｍｌ／ｌＡ−２１ｍｌ／ｌ温度５０℃ 電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間１分（電解銅めっき）硫酸銅（５水塩）７０ｇ／ｌ硫酸２００ｇ／ｌ塩酸０. ５ｍｌ／ｌスパースロー２０００光沢剤１０ｍｌ／ｌスパースロー２０００補正剤５ｍｌ／ｌ温度２０℃ 電流密度４Ａ／ｄｍ² 時間１２分（電解無光沢ニッケルめっき）ＷＨＮめっき液（日本高純度化学社製）温度５０℃ 電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間１分（電解金めっき）テンペレジストＫ−９１Ｓ（日本高純度化学社製）温度６０℃ 電流密度０. ４Ａ／ｄｍ² 時間１分

【００４８】配線部をめっき形成後、レジスト４２１を
アセトンにて剥離し（図６（ｉ））、露出している無電
解ニッケル層からなる導電性層４５０を、ユニパックＨ
Ｓ−１０にてエッチング除去した。（図６（ｊ））

【００４９】さらに、残留している余分な触媒を、ウエ
ットブラスト処理を行い除去した。ウエットブラスト処
理は、マコー株式会社製のウエットブラスト加工装置に
て、アルミナ砥材＃１０００（平均粒径１１. ５μ
ｍ）、砥材濃度２０％、ポンプ圧０. ７ｋｇ／ｃｍ²、
処理速度１０ｍ／ｍｉｎの条件下で処理を行い（図６
（ｋ））、この後、３５０℃、１時間、窒素雰囲気下で
熱処理を行い、配線層を１層設けた配線基板を得た。得
られた配線基板には、１５μｍ以上の線幅の配線層が均
一に得られた。

【００５０】（実施例４）実施例４は、実施例３により
形成された配線基板の配線層上に、実施の形態の第３の
方法により、配線層を１層さらに形成し、且つ、配線層
間の接続部を形成したものであり、図７に基づいて説明
する。基本的には、実施例３の処理と同様の工程を行う
ものである。実施例３により形成された配線基板（図７
（ａ））の配線層形成側上に、形成する配線形状、接続
部形状に合わせ、スクリーン印刷により、ポリイミド溶
液（ペースト）をパターン状に印刷形成した（図７
（ｂ））後、２５０℃、１時間、乾燥を行ない、ポリイ
ミド層からなる絶縁性樹脂層４３５を膜厚１０μｍとし
た。次いで、実施例３と同様に、ウエットブラスト処理
による粗面化を行なった（図７（ｃ））後、実施例３と
同様に、無電解Ｎｉめっきを行い、全体を覆うようにめ
っきＮｉからなる導電性薄膜を、ソフトエッチングで除
去可能な０．５μｍ厚に形成した。（図７（ｄ））この後、実施例３と同様に、耐めっき性の感光性レジス
ト４２５（ＰＭＥＲＡＲ−９０、東京応化株式会社製）
を用いて、全体を覆うように配設し、感光する電離放射
線４０５ｎｍ、１５０ｍｊ／ｃｍ²にて、配線形状、接
続部形状に合わた、所定領域を照射し、指定の現像液で
５分現像し、配線部と接続部を形成するための開口部４
２５Ａを形成した。（図７（ｅ））さらに、開口部４２５Ａに、実施例３と同様に、電解光
沢ニッケルめっき、電解銅めっき、電解無光沢ニッケル
めっき、電解金めっきを順に行い配線部４７５を形成し
た。（図７（ｆ））

【００５１】配線部をめっき形成後、実施例３と同様
に、レジスト４２５をアセトンにて剥離し（図７
（ｇ））、露出している無電解ニッケル層からなる導電
性層４５５を、ニムデンリップＣ−１１にてエッチング
除去した。（図７（ｈ））

【００５２】さらに、残留している余分な触媒を、実施
例３と同様にして、ウエットブラスト処理を行い除去し
た（図７（ｉ））後、３５０℃、１時間、窒素雰囲気下
で熱処理を行い、配線層を２層設けた配線基板を得た。
得られた配線基板には、１５μｍ以上の配線層が均一に
得られた。尚、接続部（図７（ｉ））のＰ１部の径（ラ
ンド径とも言う）は２５μｍであった。

【００５３】

【発明の効果】本発明は、上記のように、配線を設けた
配線基板上に配線層を更に形成して、多層に配線層を形
成する場合、各配線層の形成と配線層間の接続とを安定
的にできる配線形成方法の提供を可能とした。具体的に
は、簡便に、配線の高密度化ができる配線形成方法であ
る、転写による多層配線基板の製造方法において、接続
配線（接合部）を品質的に安定して形成できる方法の提
供を可能とした。特に、配線部の形成と接続部の形成と
を一括してできる方法の提供を可能とした。具体的に
は、ＰＣＢやＦＰＣの他、ＭＣＭ、ＢＧＡ等の高密度配
線形成や、磁気ヘッドサスペンション等の配線配線の作
製における、積層配線の形成に応用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線形成方法の実施の形態の第１の例
の工程断面図

【図２】本発明の配線形成方法の実施の形態の第２の例
の工程断面図

【図３】転写版の製造方法と転写を説明するための図

【図４】別の形態の積層配線を示した図

【図５】本発明の配線形成方法の実施の形態の第３の例
の工程断面図

【図６】本発明の配線形成方法の実施の形態の第４の例
の工程断面図

【図７】実施例４を説明するための工程断面図

【符号の説明】

１１０ベース基板１２０第１の配線部の配線層１２５絶縁性樹脂層１３０第２の配線部の配線層１３５絶縁性樹脂層（配線層間絶縁
層）１４０導電性薄膜１５０感光性樹脂層１５５開口部１６０接続部１８０触媒付与領域２１０ベース基板２２０第１の配線部の配線層２２５絶縁性樹脂層２３０感光性樹脂層２３５開口部２４０導電性薄膜２５０感光性樹脂層２５５開口部２６５第２の配線部の配線層２６５接続部３１０導電性基材３２０レジスト３２５開口部３３０導電性層３４０樹脂層（印刷層）３４０Ａ絶縁性樹脂層３８０配線形成用基板４１０ベース基板４２０、４２１、４２５レジスト（レジストパター
ン）４２１Ａ，４２５Ａ開口部４３０、４３５絶縁性樹脂層４４０、４４１、４４５、４４６ウエットブラスト４５０、４５５無電解めっき層４７０、４７５電解めっき層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E343 AA02 AA15 AA18 BB24 BB44 CC62 CC71 DD33 DD43 DD56 DD63 EE33 ER02 ER12 ER52 FF01 FF08 FF16 FF23 GG08 GG11 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 CC04 CC09 CC10 CC32 CC37 CC54 CC57 CC58 DD25 DD33 DD44 EE31 EE33 EE38 FF07 FF09 FF10 FF15 GG15 GG17 GG19 GG22 GG23 GG27 GG28 HH26 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線用基板上ないし配線基板上へ、絶縁
層を接着層とし、これを介して配線部を形成する配線形
成方法であって、少なくとも、配線部を形成するための
絶縁層を形成した状態で、順に、（Ａ）ソフトエッチン
グで除去可能な厚さに、前記絶縁層形成側全面に、スパ
ッタ、無電解めっき等により導電性の薄膜を形成するパ
ネルめっき工程と、（Ｂ）パネルめっき工程により形成
された導電性の薄膜上に、配線部ないし接続部の形状に
合わせ、耐めっき性のレジストパターンを形成するレジ
スト製版工程と、（Ｃ）電解めっきを施し、レジストパ
ターンの開口部に導電性層を設け、配線部およびまたは
接続部形成する電解めっき工程と、（Ｄ）レジストパタ
ーンを剥離するレジスト剥離工程と、（Ｅ）レジスト剥
離後、露出した部分をソフトエッチングするソフトエッ
チング工程とを施し、配線部およびまたは接続部を形成
することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】請求項１において、パネルめっき工程
を、触媒付与を伴う無電解めっきで行うものであり、ソ
フトエッチング工程後、残留した触媒を除去する触媒除
去処理を行なうことを特徴とする配線形成方法。
【請求項３】請求項２における触媒除去処理が、ウエ
ットブラスト処理であることを特徴とする配線形成方
法。
【請求項４】請求項１ないし３において、配線部を形
成するための絶縁層を形成した状態で、パネルめっき工
程に先たち、粗面化処理を施しておくことを特徴とする
配線形成方法。
【請求項５】請求項４における粗面化処理が、ウエッ
トブラスト処理であることを特徴とする配線形成方法。
【請求項６】一面に、少なくとも、選択めっき形成さ
れた配線層を該配線層に沿う形状の絶縁性樹脂層を介し
て転写形成された第１の配線部を配設する配線基板の第
１の配線部上に、該第１の配線部と接続する第２の配線
部を設ける配線の形成方法であって、少なくとも、第１
の配線部上に、第１の配線部と第２の配線部とを接続す
るための領域を開口して、第１の配線部と第２の配線部
とを絶縁し、且つ第２の配線部を形成するための絶縁層
である配線間絶縁層を形成した状態で、順に、（ａ）ソ
フトエッチングで除去可能な厚さに、配線間絶縁層形成
側全面にスパッタ、無電解めっき等により導電性の薄膜
を形成するパネルめっき工程と、（ｂ）パネルめっき工
程により形成された導電性の薄膜上に、第１の配線部と
第２の配線部との接続部の形状に合わせ、あるいは、第
１の配線部と第２の配線部との接続部の形状と、第２の
配線部の形状に合わせ、耐めっき性のレジストパターン
を形成するレジスト製版工程と、（ｃ）電解めっきを施
し、レジストパターンの開口部に導電性層を設け、第１
の配線部と第２の配線部との接続部、あるいは、第１の
配線部と第２の配線部との接続部と第２の配線部とを形
成する電解めっき工程と、（ｄ）レジストパターンを剥
離するレジスト剥離工程と、（ｅ）レジスト剥離後、露
出した部分をソフトエッチングするソフトエッチング工
程とを施し、第２の配線部を第１の配線部に接続した状
態で形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項７】請求項６において、パネルめっき工程
を、触媒付与を伴う無電解めっきで行うものであり、ソ
フトエッチング工程後、残留した触媒を除去する触媒除
去処理を行なうことを特徴とする配線形成方法。
【請求項８】請求項７における触媒除去処理が、ウエ
ットブラスト処理であることを特徴とする配線形成方
法。
【請求項９】請求項６ないし８において、配線部を形
成するための絶縁層を形成した状態で、パネルめっき工
程に先たち、粗面化処理を施しておくことを特徴とする
配線形成方法。
【請求項１０】請求項９における粗面化処が、ウエッ
トブラスト処理であることを特徴とする配線形成方法。
【請求項１１】請求項６ないし１０において、選択め
っき形成された配線層に沿う形状の絶縁性樹脂層が、選
択めっき形成された配線層上に印刷形成された樹脂層で
あることを特徴とする配線形成方法。
【請求項１２】請求項１１において、配線層上に形成
された樹脂層がポリイミド樹脂であることを特徴とする
配線形成方法。
【請求項１３】請求項６ないし１２において、パネル
めっき工程を実施する前に、予め、選択めっき形成され
た配線層を第１の配線部上に、配線間絶縁層となる絶縁
性樹脂層を介して、第２の配線部を転写形成しておくこ
とを特徴とする配線形成方法。
【請求項１４】請求項１３において、配線間絶縁層と
なる絶縁性樹脂層が、選択めっき形成された配線層上に
印刷形成された樹脂層であることを特徴とする配線形成
方法。
【請求項１５】請求項６ないし１４において、第１の
配線部上に、第２の配線部と接続するための領域のみを
開口した状態で、配線間絶縁層を形成しておき、レジス
ト製版工程で、第２の配線部の形状に合わせ、耐めっき
性のレジストパターンを形成し、電解めっき工程で、第
１の配線部と第２の配線部との接続部と第２の配線部と
を形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項１６】一面に、少なくとも、選択めっき形成
された配線層を該配線層に沿う形状の絶縁性樹脂層を介
して転写形成された第１の配線部を配設する配線基板の
第１の配線部上に、該第１の配線部と接続する第２の配
線部を設ける配線の形成方法であって、少なくとも、第
１の配線部上に、第１の配線部と第２の配線部とを接続
するための領域を開口して、第１の配線部と第２の配線
部とを絶縁し、且つ第２の配線部を形成するための絶縁
層である配線間絶縁層を形成した状態で、順に、（ｆ）
第１の配線部、第２の配線部を覆うように、感光性のレ
ジストを配設し、第１の配線部と第２の配線部とを接続
するための、開口部を所定の位置に設けた状態で感光性
のレジストを製版するレジスト製版工程と、（ｇ）開口
部を含む領域を、無電解めっきができるように、触媒付
与する触媒付与工程と、（ｈ）触媒付与された領域に無
電解めっきを施し、第１の配線部と、第２の配線部とを
接続する無電解めっき工程と、（ｉ）レジストを剥離
し、レジスト面に形成されている無電解めっき層を除去
するレジスト剥離工程とを有することを特徴とする配線
形成方法。
【請求項１７】請求項１６において、選択めっき形成
された配線層に沿う形状の絶縁性樹脂層が、選択めっき
形成された配線層上に印刷形成された樹脂層であること
を特徴とする配線形成方法。
【請求項１８】請求項１７において、印刷形成された
樹脂層が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする配線
形成方法。
【請求項１９】請求項１ないし１８の方法により形成
されたことを特徴とする配線基板。