JPH11177208A - 配線基板の製造方法と配線基板 - Google Patents
配線基板の製造方法と配線基板Info
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- JPH11177208A JPH11177208A JP9361650A JP36165097A JPH11177208A JP H11177208 A JPH11177208 A JP H11177208A JP 9361650 A JP9361650 A JP 9361650A JP 36165097 A JP36165097 A JP 36165097A JP H11177208 A JPH11177208 A JP H11177208A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且
つ多層配線にも対応できる、配線基板およびな配線基板
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ベース基板上に直接、あるいは金属配線
層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を
介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されて
おり、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つ
ベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ
配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板
上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板
の金属配線層上に、そのままじかに絶縁層を形成する絶
縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上
にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程
とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状
態で転写する。
つ多層配線にも対応できる、配線基板およびな配線基板
の製造方法を提供する。 【解決手段】 ベース基板上に直接、あるいは金属配線
層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を
介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されて
おり、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つ
ベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ
配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板
上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板
の金属配線層上に、そのままじかに絶縁層を形成する絶
縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上
にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工程
とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した状
態で転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線パターン基板
に関するもので、特に量産性に優れた配線パターン基板
とその製造方法に関する。
に関するもので、特に量産性に優れた配線パターン基板
とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の高密度化に伴い、これに用い
られる配線基板においても、高密度化の要求に対応する
ため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に
多層化、薄型化も進められている。このような中、配線
基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上
全面に金属配線部を形成するための金属層を形成してお
き、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去
して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめ
っき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的
に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ
法が用いられている。サブトラクティブ法の場合は、通
常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッ
チング加工により配線部を形成するもので、技術的に完
成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる
制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線
部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コ
スト信頼性の面で難がある。尚、配線基板のベース基板
としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に
含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。
そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形
成したものが単層の配線基板である。
られる配線基板においても、高密度化の要求に対応する
ため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に
多層化、薄型化も進められている。このような中、配線
基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上
全面に金属配線部を形成するための金属層を形成してお
き、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去
して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめ
っき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的
に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ
法が用いられている。サブトラクティブ法の場合は、通
常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッ
チング加工により配線部を形成するもので、技術的に完
成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる
制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線
部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コ
スト信頼性の面で難がある。尚、配線基板のベース基板
としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に
含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。
そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形
成したものが単層の配線基板である。
【０００３】多層配線基板は、ベース基板の片面ないし
両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層
を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を
含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層し
たものである。多層配線基板の単層配線基板同志の接続
は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部
に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が
煩雑で製造コスト面でも問題があった。また、バイアホ
ールを作成することにより層間接続を行う場合には、複
雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コス
トの低減の妨げとなっていた。
両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層
を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を
含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層し
たものである。多層配線基板の単層配線基板同志の接続
は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部
に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が
煩雑で製造コスト面でも問題があった。また、バイアホ
ールを作成することにより層間接続を行う場合には、複
雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コス
トの低減の妨げとなっていた。
【０００４】結局、サブトラックティブ法により作製さ
れた多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由
で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト
面でも問題があった。これに対応するため、基材上に、
めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチ
ングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶
縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試
みられるようになってきた。この方法の場合には、高精
細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能とな
る。絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっ
き層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上
ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき
等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっ
き等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属
層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジス
トを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した
部分のみをエッチングすることにより行う。しかし、こ
の多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レ
ジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複
数回行うため、工程が複雑となる。また、基材上に金属
配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロ
セスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の
再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すとい
う問題がある。
れた多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由
で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト
面でも問題があった。これに対応するため、基材上に、
めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチ
ングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶
縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試
みられるようになってきた。この方法の場合には、高精
細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能とな
る。絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっ
き層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上
ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき
等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっ
き等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属
層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジス
トを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した
部分のみをエッチングすることにより行う。しかし、こ
の多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レ
ジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複
数回行うため、工程が複雑となる。また、基材上に金属
配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロ
セスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の
再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すとい
う問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製
方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れ
た構造のものは得られていなかった。本発明は、これに
対応するもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優
れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板を提供しよう
とするものである。同時に、そのような配線基板の製造
方法を提供しようとするものである。
配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製
方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れ
た構造のものは得られていなかった。本発明は、これに
対応するもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優
れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板を提供しよう
とするものである。同時に、そのような配線基板の製造
方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板の製造
方法は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設
けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を介し
て、めっき形成された金属配線層が転写形成されてお
り、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベ
ース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配
線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上
に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の
金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成され
た金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転
写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写すること
を特徴とするものである。そして、上記において、絶縁
層はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時
の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍで
あることを特徴とするものである。そしてまた、上記に
おける絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性
レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジス
トをパターンニングしてこれを絶縁層とするものである
ことを特徴とするものであり、該感光性絶縁性レジスト
の塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とするもので
ある。また、上記における絶縁層の形成工程は、スクリ
ーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板
上へ絶縁層を直接パターン形成するものであることを特
徴とするものである。また、上記における絶縁層の形成
工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、
塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パ
ターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料
を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジス
トのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層
を形成するものであることを特徴とするものであり、該
凹部への絶縁層の形成を、電着法により行うことを特徴
とするものである。
方法は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設
けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を介し
て、めっき形成された金属配線層が転写形成されてお
り、該絶縁層は金属配線層下にのみに形成され、且つベ
ース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配
線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上
に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の
金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成され
た金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転
写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写すること
を特徴とするものである。そして、上記において、絶縁
層はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時
の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍで
あることを特徴とするものである。そしてまた、上記に
おける絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性
レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジス
トをパターンニングしてこれを絶縁層とするものである
ことを特徴とするものであり、該感光性絶縁性レジスト
の塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とするもので
ある。また、上記における絶縁層の形成工程は、スクリ
ーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板
上へ絶縁層を直接パターン形成するものであることを特
徴とするものである。また、上記における絶縁層の形成
工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、
塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パ
ターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料
を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジス
トのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層
を形成するものであることを特徴とするものであり、該
凹部への絶縁層の形成を、電着法により行うことを特徴
とするものである。
【０００７】本発明の配線基板は、上記本発明の配線基
板の製造方法により製造されたことを特徴とするもので
あり、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ
３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であ
り、絶縁層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が
配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を
実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温
度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁
部がさらされる温度のもとで熱膨張係数が、ベース基板
の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とするもの
である。
板の製造方法により製造されたことを特徴とするもので
あり、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ
３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であ
り、絶縁層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が
配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を
実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温
度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁
部がさらされる温度のもとで熱膨張係数が、ベース基板
の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴とするもの
である。
【０００８】尚、ベース基板とは、ここでは、配線基板
を作製する上でベースとなる基板を言っている。また、
熱分解温度についてはＪＩＳ Ｋ７１２０に規定され
る。熱膨張係数は、ＪＩＳ用語３３１に規定されるもの
で、１°Ｃ当たりの熱膨張を示す係数である。尚、ここ
では、セイコー電子工業株式会社製のＴＭＡ−ＳＳによ
り、加重２ｇにて０°Ｃから３５０°Ｃの範囲で熱膨張
係数を測定した。
を作製する上でベースとなる基板を言っている。また、
熱分解温度についてはＪＩＳ Ｋ７１２０に規定され
る。熱膨張係数は、ＪＩＳ用語３３１に規定されるもの
で、１°Ｃ当たりの熱膨張を示す係数である。尚、ここ
では、セイコー電子工業株式会社製のＴＭＡ−ＳＳによ
り、加重２ｇにて０°Ｃから３５０°Ｃの範囲で熱膨張
係数を測定した。
【０００９】
【作用】本発明の配線基板の製造方法は、このような構
成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性
に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を
可能としている。詳しくは、ベース基板上に直接、ある
いは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上
に、絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転
写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形
成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨
張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、
（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設け
られたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を形成する
絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板
上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工
程とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した
状態で転写することにより、これを達成している。即
ち、アディティブ法により金属配線部を製造するために
配線部の微細化に対応でき、転写工程により作製するた
めに量産性の良いものとしており、且つ、転写時には、
絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することにより転写
性を良いものとしている。更に具体的には、絶縁層はそ
のガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨
張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであるこ
とにより、即ち、配線基板のベース基板と絶縁層の熱膨
張係数をできるだけ近くしていることにより、微細化さ
れた配線部（金属配線部）が、基板から絶縁層とともに
剥がれたり、ソルことがないようにしている。
成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性
に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を
可能としている。詳しくは、ベース基板上に直接、ある
いは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上
に、絶縁層を介して、めっき形成された金属配線層が転
写形成されており、該絶縁層は金属配線層下にのみに形
成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨
張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、
（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設け
られたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を形成する
絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板
上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転写工
程とを有し、且つ転写時には、絶縁層に溶剤を残存した
状態で転写することにより、これを達成している。即
ち、アディティブ法により金属配線部を製造するために
配線部の微細化に対応でき、転写工程により作製するた
めに量産性の良いものとしており、且つ、転写時には、
絶縁層に溶剤を残存した状態で転写することにより転写
性を良いものとしている。更に具体的には、絶縁層はそ
のガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨
張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであるこ
とにより、即ち、配線基板のベース基板と絶縁層の熱膨
張係数をできるだけ近くしていることにより、微細化さ
れた配線部（金属配線部）が、基板から絶縁層とともに
剥がれたり、ソルことがないようにしている。
【００１０】本発明の配線基板は、本発明の配線基板の
製造方法により製造されるもので、配線の微細化に対応
でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線
基板の製造を可能としている。また、絶縁層の重量５％
減少の熱分解温度を、絶縁層がさらされる最高温度Ｔｐ
ｍ以上とし、且つ絶縁層の熱膨張係数を、温度Ｔｐｍ以
下の絶縁層がさらされる温度のもとで、配線基板のベー
ス基板の熱膨張係数に近くしておくことにより、品質的
にも、配線部の剥がれやソリが発生しないようにしてい
る。
製造方法により製造されるもので、配線の微細化に対応
でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線
基板の製造を可能としている。また、絶縁層の重量５％
減少の熱分解温度を、絶縁層がさらされる最高温度Ｔｐ
ｍ以上とし、且つ絶縁層の熱膨張係数を、温度Ｔｐｍ以
下の絶縁層がさらされる温度のもとで、配線基板のベー
ス基板の熱膨張係数に近くしておくことにより、品質的
にも、配線部の剥がれやソリが発生しないようにしてい
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明を図面を参照にして説明す
る。図１は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の
第１の例の工程、第２の例の工程を示した断面図であ
る。図２は実施の形態の第３の例の工程、第４の工程を
示した断面図である。図１、図２中、１００、１０５は
配線基板、１１０はベース基板（ステンレス基板）、１
２０は絶縁層、１２０Ａは感光性絶縁性レジスト、１２
０Ｂ絶縁材料、１３０は金属配線層（めっき形成金属配
線層）、１４０はステンレス基板、１５０、１７０は感
光性のレジストである。まず、本発明の配線基板の製造
方法の実施の形態の第１の例を説明する。第１の例は、
ベース基板上に絶縁層を介して、めっき形成された金属
配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下
にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほ
ぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法である。そ
して、順次、（ａ）ベース基板上に直接、絶縁層を形成
する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース
基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転
写工程とを有するものである。そして、転写時には、絶
縁層に溶剤を残存した状態で転写するものである。第１
の例においては、絶縁層形成工程として、ベース基板上
に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光
性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層と
する工程を採っている。また、ベース基板１１０、金属
配線層１３０を、それぞれ、ステンレス基板（ＳＵＳ３
０４）、銅めっきにより形成されるめっき銅配線層とす
るものである。
る。図１は本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の
第１の例の工程、第２の例の工程を示した断面図であ
る。図２は実施の形態の第３の例の工程、第４の工程を
示した断面図である。図１、図２中、１００、１０５は
配線基板、１１０はベース基板（ステンレス基板）、１
２０は絶縁層、１２０Ａは感光性絶縁性レジスト、１２
０Ｂ絶縁材料、１３０は金属配線層（めっき形成金属配
線層）、１４０はステンレス基板、１５０、１７０は感
光性のレジストである。まず、本発明の配線基板の製造
方法の実施の形態の第１の例を説明する。第１の例は、
ベース基板上に絶縁層を介して、めっき形成された金属
配線層が転写形成されており、該絶縁層は金属配線層下
にのみに形成され、且つベース基板と金属配線層とがほ
ぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法である。そ
して、順次、（ａ）ベース基板上に直接、絶縁層を形成
する絶縁層形成工程と、（ｂ）絶縁層を介して、ベース
基板上にめっき形成された金属配線層を転写形成する転
写工程とを有するものである。そして、転写時には、絶
縁層に溶剤を残存した状態で転写するものである。第１
の例においては、絶縁層形成工程として、ベース基板上
に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光
性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層と
する工程を採っている。また、ベース基板１１０、金属
配線層１３０を、それぞれ、ステンレス基板（ＳＵＳ３
０４）、銅めっきにより形成されるめっき銅配線層とす
るものである。
【００１２】以下、第１の例を図１をもとに説明する。
まず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０（図１
（ａ））上に絶縁性の感光性レジスト１５０を全面に塗
布し（図１（ｂ））、これを金属配線１３０に対応する
形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理し
て、所定形状とする。（図１（ｃ）） 感光性のレジスト１５０としては、特に限定されない
が、処理性の良いものが好ましい。また、感光性のレジ
スト１５０の塗布方法としては、スクリーン印刷による
ベース基板上への全面塗布、ロールコーター、ダイコー
ター等が挙げられる。次いで、ステンレス（ＳＵＳ３０
４）基板１４０の感光性のレジスト１５０から露出した
部分に、所定の硫酸銅めっき浴にて、銅めっきを施し、
金属配線層１３０を得る。（図１（ｄ）） 通常、金属配線層１３０は、図１（ｄ）に示すように、
ステンレス基板１４０の感光性のレジスト１５０から露
出した幅よりも大きい幅に、感光性のレジスト１５０の
厚さよりも厚く、めっきを施し、めっき部の断面形状を
いわゆるマッシュルーム型とする。
まず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１４０（図１
（ａ））上に絶縁性の感光性レジスト１５０を全面に塗
布し（図１（ｂ））、これを金属配線１３０に対応する
形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理し
て、所定形状とする。（図１（ｃ）） 感光性のレジスト１５０としては、特に限定されない
が、処理性の良いものが好ましい。また、感光性のレジ
スト１５０の塗布方法としては、スクリーン印刷による
ベース基板上への全面塗布、ロールコーター、ダイコー
ター等が挙げられる。次いで、ステンレス（ＳＵＳ３０
４）基板１４０の感光性のレジスト１５０から露出した
部分に、所定の硫酸銅めっき浴にて、銅めっきを施し、
金属配線層１３０を得る。（図１（ｄ）） 通常、金属配線層１３０は、図１（ｄ）に示すように、
ステンレス基板１４０の感光性のレジスト１５０から露
出した幅よりも大きい幅に、感光性のレジスト１５０の
厚さよりも厚く、めっきを施し、めっき部の断面形状を
いわゆるマッシュルーム型とする。
【００１３】一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）か
らなる配線基板のベース基板１１０（図１（ｅ１））の
配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト１２０Ａを全
面に塗布し（図１（ｆ１））、これを金属配線１３０に
対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現
像処理して所定形状とし、これを絶縁層１２０とする。
（図１（ｇ１）） 感光性のレジストとしては、特に限定されないが、処理
性の良いものが好ましく、更に、所定形状とされて作製
する配線基板の絶縁層１２０となるため、重量５％減の
熱分解温度が、配線基板作製中でさらされる温度や実使
用される際にさらされる温度の中で最高の温度Ｔｐｍ以
上であり、且つ、熱膨張係数がこの温度Ｔｐｍ以下の絶
縁層１２０がさらされる温度のもとでベース基板１１０
の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲に入っているものが好
ましい。
らなる配線基板のベース基板１１０（図１（ｅ１））の
配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト１２０Ａを全
面に塗布し（図１（ｆ１））、これを金属配線１３０に
対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現
像処理して所定形状とし、これを絶縁層１２０とする。
（図１（ｇ１）） 感光性のレジストとしては、特に限定されないが、処理
性の良いものが好ましく、更に、所定形状とされて作製
する配線基板の絶縁層１２０となるため、重量５％減の
熱分解温度が、配線基板作製中でさらされる温度や実使
用される際にさらされる温度の中で最高の温度Ｔｐｍ以
上であり、且つ、熱膨張係数がこの温度Ｔｐｍ以下の絶
縁層１２０がさらされる温度のもとでベース基板１１０
の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲に入っているものが好
ましい。
【００１４】次いで、絶縁層１２０が溶剤を含んだ状態
で、所定の熱および圧をかけて（図１（ｈ））、ステン
レス（ＳＵＳ３０１）基板１４０の金属配線１３０を、
別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベ
ース基板１１０へ、絶縁層１２０を介して転写して、配
線基板１００を得る。（図１（ｉ）） 絶縁層１２０に溶剤を含ませた態状態で転写することに
より、転写性の良いものとしている。この後、絶縁層１
２０はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理されるが、
降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐ
ｐｍである。尚、Ｔｐｍは絶縁層１２０のガラス転移温
度Ｔｇより下で、熱処理はＴｐｍ以下で行われることは
言うまでもない。
で、所定の熱および圧をかけて（図１（ｈ））、ステン
レス（ＳＵＳ３０１）基板１４０の金属配線１３０を、
別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベ
ース基板１１０へ、絶縁層１２０を介して転写して、配
線基板１００を得る。（図１（ｉ）） 絶縁層１２０に溶剤を含ませた態状態で転写することに
より、転写性の良いものとしている。この後、絶縁層１
２０はそのガラス転移温度Ｔｇ以下で熱処理されるが、
降温時の熱膨張係数がベース基板の熱膨張係数±１５ｐ
ｐｍである。尚、Ｔｐｍは絶縁層１２０のガラス転移温
度Ｔｇより下で、熱処理はＴｐｍ以下で行われることは
言うまでもない。
【００１５】次いで、本発明の配線基板の製造方法の実
施の形態の第２の例を説明する。第２の例は、第１の例
とは、絶縁層形成工程が異なるもので、図１（ｅ１）〜
図１（ｇ１）の工程に代え、スクリーンマスクあるいは
メタルマスクを用いて、図１（ｅ２）〜図１（ｇ２）に
示すように、ベース基板１１０上へ絶縁層を直接パター
ン形成するもので、この場合は絶縁層となる素材は感光
性である必要はない。
施の形態の第２の例を説明する。第２の例は、第１の例
とは、絶縁層形成工程が異なるもので、図１（ｅ１）〜
図１（ｇ１）の工程に代え、スクリーンマスクあるいは
メタルマスクを用いて、図１（ｅ２）〜図１（ｇ２）に
示すように、ベース基板１１０上へ絶縁層を直接パター
ン形成するもので、この場合は絶縁層となる素材は感光
性である必要はない。
【００１６】次いで、本発明の配線基板の製造方法の実
施の形態の第３の例を説明する。第３の例は、第１の
例、第２の例とは、絶縁層形成工程が異なるもので、ベ
ース基板１１０上に感光性レジストを全面塗布し、塗布
された感光性レジストをパターンニングした後、パター
ンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を形
成し、さらにパターンニングにされた感光性レジストの
みを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形
成するものである。他の工程については第１の例と同じ
で、ここでは説明を省略する。以下、絶縁層形成工程を
図２に基づいて説明する。先ず、ステンレス（ＳＵＳ３
０４）からなる配線基板のベース基板１１０（図２
（ｅ））の配線形成側の面上に、感光性レジスト１７０
を全面に塗布し（図２（ｆ））、該感光性レジスト１７
０を金属配線に対応する形状の所定のパターン版を用い
て露光、現像処理して所定形状とする。（図２（ｇ）） 次いで、感光性レジスト１７０のパターンニングにより
形成された凹部に、所定の絶縁材料１２０を埋め込む。
（図２（ｈ）） 次いで、埋め込まれた絶縁材料１２０Ｂを残し、感光性
レジスト１７０部を所定の剥離液により除去し、残った
絶縁材料１２０Ｂを絶縁層１２０として形成する。（図
２（ｅ）） 感光性レジスト１７０部の除去を、場合によっては、絶
縁材料１２０Ｂを焼成する際に、焼き飛ばして行っても
良い。
施の形態の第３の例を説明する。第３の例は、第１の
例、第２の例とは、絶縁層形成工程が異なるもので、ベ
ース基板１１０上に感光性レジストを全面塗布し、塗布
された感光性レジストをパターンニングした後、パター
ンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を形
成し、さらにパターンニングにされた感光性レジストの
みを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形
成するものである。他の工程については第１の例と同じ
で、ここでは説明を省略する。以下、絶縁層形成工程を
図２に基づいて説明する。先ず、ステンレス（ＳＵＳ３
０４）からなる配線基板のベース基板１１０（図２
（ｅ））の配線形成側の面上に、感光性レジスト１７０
を全面に塗布し（図２（ｆ））、該感光性レジスト１７
０を金属配線に対応する形状の所定のパターン版を用い
て露光、現像処理して所定形状とする。（図２（ｇ）） 次いで、感光性レジスト１７０のパターンニングにより
形成された凹部に、所定の絶縁材料１２０を埋め込む。
（図２（ｈ）） 次いで、埋め込まれた絶縁材料１２０Ｂを残し、感光性
レジスト１７０部を所定の剥離液により除去し、残った
絶縁材料１２０Ｂを絶縁層１２０として形成する。（図
２（ｅ）） 感光性レジスト１７０部の除去を、場合によっては、絶
縁材料１２０Ｂを焼成する際に、焼き飛ばして行っても
良い。
【００１７】次いで、本発明の配線基板の製造方法の実
施の形態の第４の例を挙げる。第４の例は、第３の例に
おいて、感光性レジスト２２０のパターンニングにより
形成された凹部に、電着により絶縁層１２０を形成する
（図２（ｉ））もので、それ以外は第３の例と同じであ
る。尚、電着により形成される絶縁層１２０は、電着性
を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すもので
あれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性
を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂
を挙げることができる。 アニオン性合成高分子樹脂と
しては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン
化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これ
らの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用でき
る。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹
脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを
併用しても良い。また、カチオン性合成高分子樹脂とし
ては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポ
リブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等
を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合
物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高
分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性
樹脂を併用しても良い。また、上記の高分子樹脂に粘着
性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂
等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能
である。上記高分子樹脂は、後述する製造方法において
アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化さ
れた状態、または水分散状態で電着法に供される。すな
わち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミ
ン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイ
ソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性
カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分
子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中
和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹
脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態
で使用される。
施の形態の第４の例を挙げる。第４の例は、第３の例に
おいて、感光性レジスト２２０のパターンニングにより
形成された凹部に、電着により絶縁層１２０を形成する
（図２（ｉ））もので、それ以外は第３の例と同じであ
る。尚、電着により形成される絶縁層１２０は、電着性
を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すもので
あれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性
を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂
を挙げることができる。 アニオン性合成高分子樹脂と
しては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン
化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これ
らの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用でき
る。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹
脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを
併用しても良い。また、カチオン性合成高分子樹脂とし
ては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポ
リブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等
を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合
物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高
分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性
樹脂を併用しても良い。また、上記の高分子樹脂に粘着
性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂
等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能
である。上記高分子樹脂は、後述する製造方法において
アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化さ
れた状態、または水分散状態で電着法に供される。すな
わち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミ
ン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイ
ソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性
カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分
子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中
和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹
脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態
で使用される。
【００１８】尚、図１、図２に示す例では、ベース基板
上に、絶縁層１２０を介して、めっき形成された金属配
線層１３０を転写形成する場合を示してあるが、金属配
線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、めっき
形成された金属配線層１３０を転写形成する場合につい
ても同様に、絶縁層１２０を該ベース基板上に形成し、
これを介して、めっき形成された金属配線層を転写でき
る。
上に、絶縁層１２０を介して、めっき形成された金属配
線層１３０を転写形成する場合を示してあるが、金属配
線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、めっき
形成された金属配線層１３０を転写形成する場合につい
ても同様に、絶縁層１２０を該ベース基板上に形成し、
これを介して、めっき形成された金属配線層を転写でき
る。
【００１９】次に、本発明の配線基板の実施の形態の例
を挙げて図に基づいて説明する。図３は第１の例を示し
た断面図であり、図４は第２の例を示した断面図であ
る。図３、図４中、３００、４００は配線基板、３１
０、４１０は基板（ベース基板）、３２０、４２０は絶
縁層、３３０、４３０、４３５は（めっきにより形成さ
れた）金属配線である。
を挙げて図に基づいて説明する。図３は第１の例を示し
た断面図であり、図４は第２の例を示した断面図であ
る。図３、図４中、３００、４００は配線基板、３１
０、４１０は基板（ベース基板）、３２０、４２０は絶
縁層、３３０、４３０、４３５は（めっきにより形成さ
れた）金属配線である。
【００２０】まず、本発明の配線基板の実施の形態の第
１の例について説明する。図３に示す第１の例の配線基
板３００は、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造
方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製され
るもので、基板（ベース基板）３１０上に直接、縁層３
２０を介して、めっきにより形成された金属配線層３３
０が配設され、且つ基板３１０と金属配線層３３０とが
ほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板である。絶縁層３２
０は金属配線層３３０の下にのみ形成されている。そし
て、絶縁層３２０が配線基板作製中、および実使用にお
いてさらされる最高温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさ
らされる温度のもとで、金属配線層３３０に剥がれや、
ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下で絶縁層３２０
の熱膨張係数が、配線基板３００のベース基板３１０の
熱膨張係数と近くしてある。例えば、ベース基板３１０
としてステンレス基板（ＳＵＳ ３０４）を用い、金属
配線層３３０としてめっき銅を用いることにより、基板
３１０と金属配線層３３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持
つようにできるが、第１の例は更に、温度Ｔｐｍ以下の
絶縁層３２０がさらされる温度のもとでこれら（金属配
線層３３０や基板（ベース基板）３１０）の熱膨張係数
に絶縁層３２０の熱膨張係数を合わしたものである。ま
た、配線基板の品質的な安定性の面から、絶縁層３２０
は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作
製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用した
ときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以
上とするものである。
１の例について説明する。図３に示す第１の例の配線基
板３００は、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造
方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製され
るもので、基板（ベース基板）３１０上に直接、縁層３
２０を介して、めっきにより形成された金属配線層３３
０が配設され、且つ基板３１０と金属配線層３３０とが
ほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板である。絶縁層３２
０は金属配線層３３０の下にのみ形成されている。そし
て、絶縁層３２０が配線基板作製中、および実使用にお
いてさらされる最高温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさ
らされる温度のもとで、金属配線層３３０に剥がれや、
ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下で絶縁層３２０
の熱膨張係数が、配線基板３００のベース基板３１０の
熱膨張係数と近くしてある。例えば、ベース基板３１０
としてステンレス基板（ＳＵＳ ３０４）を用い、金属
配線層３３０としてめっき銅を用いることにより、基板
３１０と金属配線層３３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持
つようにできるが、第１の例は更に、温度Ｔｐｍ以下の
絶縁層３２０がさらされる温度のもとでこれら（金属配
線層３３０や基板（ベース基板）３１０）の熱膨張係数
に絶縁層３２０の熱膨張係数を合わしたものである。ま
た、配線基板の品質的な安定性の面から、絶縁層３２０
は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作
製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用した
ときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以
上とするものである。
【００２１】絶縁層３２０は、基本的には金属配線層３
３０の絶縁性、耐熱性などの信頼性を確保するととも
に、基板３１０上の位置を確保するものであり、基板上
において絶縁層３２０を境として基板３１０から剥がれ
たり、金属配線層３３０にソリが生じることは許されな
い。第１の例で、例えば、ベース基板３１０としてステ
ンレス基板（ＳＵＳ３０４）を用い、金属配線層３３０
としてめっき銅を用いた場合、金属配線層３３０の剥が
れやソリを防止するために、絶縁層３２０としては、重
量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（熱処理温度３
５０°Ｃ）以上で、且つ、温度Ｔｐｍ（３５０°Ｃ）以
下の絶縁層３２０がさらされる温度のもとで、ステンレ
ス基板（ＳＵＳ３０４）の膨張係数１７ｐｐｍに近いも
のが用いられる。ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍ
の範囲、即ち、この場合は、熱膨張係数が２〜３２ｐｐ
ｍの範囲のものが用いられる。図３に示す第１の例にお
いては、基板３１０と絶縁層３２０との間に接着剤層を
設けていないため、絶縁層３２０としては、常温もしく
は加熱により接着性を示すものである必要がある。熱可
塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良い。ま
た、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラ
ーを含むものでも良い。具体的には、絶縁層３２０とし
ては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポ
リブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、
ベンゾイミダゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂など
が挙げられ、スクリーン印刷法やマスクを介して塗布す
る方法、ディスペンス法などの加工方法に応じ、粘度や
流動特性を調節して適用する。また、絶縁層３２０とし
て、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成し
たものを用いた場合には、製造工程を簡単化できる。
３０の絶縁性、耐熱性などの信頼性を確保するととも
に、基板３１０上の位置を確保するものであり、基板上
において絶縁層３２０を境として基板３１０から剥がれ
たり、金属配線層３３０にソリが生じることは許されな
い。第１の例で、例えば、ベース基板３１０としてステ
ンレス基板（ＳＵＳ３０４）を用い、金属配線層３３０
としてめっき銅を用いた場合、金属配線層３３０の剥が
れやソリを防止するために、絶縁層３２０としては、重
量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（熱処理温度３
５０°Ｃ）以上で、且つ、温度Ｔｐｍ（３５０°Ｃ）以
下の絶縁層３２０がさらされる温度のもとで、ステンレ
ス基板（ＳＵＳ３０４）の膨張係数１７ｐｐｍに近いも
のが用いられる。ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍ
の範囲、即ち、この場合は、熱膨張係数が２〜３２ｐｐ
ｍの範囲のものが用いられる。図３に示す第１の例にお
いては、基板３１０と絶縁層３２０との間に接着剤層を
設けていないため、絶縁層３２０としては、常温もしく
は加熱により接着性を示すものである必要がある。熱可
塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良い。ま
た、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラ
ーを含むものでも良い。具体的には、絶縁層３２０とし
ては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポ
リブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、
ベンゾイミダゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂など
が挙げられ、スクリーン印刷法やマスクを介して塗布す
る方法、ディスペンス法などの加工方法に応じ、粘度や
流動特性を調節して適用する。また、絶縁層３２０とし
て、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成し
たものを用いた場合には、製造工程を簡単化できる。
【００２２】基板（ベース基板）３１０としては、アル
ミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の
導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリ
ル等の絶縁性樹脂基板等が挙げられる。尚、配線基板の
金属配線３３０として銅が用いられる場合には、ベース
基板の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数
をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴ
レジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入り
のエポキシ樹脂が用いられる。ステンレス（ＳＵＳ３０
４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラス
クロス入りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅とほぼ同
じで、１７ｐｐｍである。
ミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の
導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリ
ル等の絶縁性樹脂基板等が挙げられる。尚、配線基板の
金属配線３３０として銅が用いられる場合には、ベース
基板の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数
をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴ
レジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入り
のエポキシ樹脂が用いられる。ステンレス（ＳＵＳ３０
４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラス
クロス入りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅とほぼ同
じで、１７ｐｐｍである。
【００２３】次に、本発明の配線基板の実施の形態の第
２の例について説明する。図４に示す第２の例の配線基
板４００も、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造
方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製され
るもので、基板（ガラスクロス入りの基板（ＢＴレジ
ン）をベース基板４１０として、その上に金属配線層４
３５を設けた配線基板に対し、更に金属配線層４３５上
にめっき形成された金属配線層４３０を絶縁層４２０を
介して設けたもので、配線層が２層の多層配線基板であ
る。基板（ベース基板）４１０と金属配線層４３０とが
ほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板で、絶縁層４２０は
金属配線層４３０の下にのみに形成されている。そし
て、第２の例も、第１の例の場合と同様、絶縁層４２０
を介して、めっき形成された金属配線層４３０が形成さ
れた配線基板で、絶縁層４２０が配線基板作製中、およ
び実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍが２５０°
Ｃ（ハンダ処理の温度）の配線基板であり、Ｔｐｍ（２
５０°Ｃ）以下の絶縁層４２０がさらされる温度のもと
で、金属配線層４３０に剥がれや、ソリが生じないよう
に、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層４２０がさらされる温度の
もとで、絶縁層４２０の熱膨張係数がベース基板４１０
の熱膨張係数と近くしてある。尚、絶縁層４２０として
は、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（ハンダ
処理の温度２５０°Ｃ）以上としている。尚、ベース基
板４１０の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ金属配線
層４３０の材質としてと、銅が挙げられる。絶縁層４２
０の各層等の材質としては、第１の例において挙げたも
のの中で、適宜選ぶことができる。
２の例について説明する。図４に示す第２の例の配線基
板４００も、図１、図２に示す本発明の配線基板の製造
方法の実施の形態の第１の例〜第４の例により作製され
るもので、基板（ガラスクロス入りの基板（ＢＴレジ
ン）をベース基板４１０として、その上に金属配線層４
３５を設けた配線基板に対し、更に金属配線層４３５上
にめっき形成された金属配線層４３０を絶縁層４２０を
介して設けたもので、配線層が２層の多層配線基板であ
る。基板（ベース基板）４１０と金属配線層４３０とが
ほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板で、絶縁層４２０は
金属配線層４３０の下にのみに形成されている。そし
て、第２の例も、第１の例の場合と同様、絶縁層４２０
を介して、めっき形成された金属配線層４３０が形成さ
れた配線基板で、絶縁層４２０が配線基板作製中、およ
び実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍが２５０°
Ｃ（ハンダ処理の温度）の配線基板であり、Ｔｐｍ（２
５０°Ｃ）以下の絶縁層４２０がさらされる温度のもと
で、金属配線層４３０に剥がれや、ソリが生じないよう
に、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層４２０がさらされる温度の
もとで、絶縁層４２０の熱膨張係数がベース基板４１０
の熱膨張係数と近くしてある。尚、絶縁層４２０として
は、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（ハンダ
処理の温度２５０°Ｃ）以上としている。尚、ベース基
板４１０の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ金属配線
層４３０の材質としてと、銅が挙げられる。絶縁層４２
０の各層等の材質としては、第１の例において挙げたも
のの中で、適宜選ぶことができる。
【００２４】
硫酸銅（５水塩） ７５ ｇ／ｌ 硫酸 １９０ ｇ／ｌ 塩素イオン ６０ ｍｇ／ｌ スルカップＡＣ−９０Ｍ ２．５ ｍｌ／ｌ 温度 ２５ ℃ 電流密度 ２．５Ａ／ｄｍ2 但し、スルカップＡＣ−９０Ｍは上村工義製の添加剤
【００２５】一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）か
らなる配線基板のベース基板（ステンレス基板）１１０
（図１（ｅ１））の配線形成側の面上に、感光性絶縁性
レジスト１２０Ａを全面に塗布し（図１（ｆ１））、こ
れを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版
を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、１００
°Ｃ、３０秒間プレ乾燥を行い、これを絶縁層１２０と
した。（図１（ｇ１）） 感光性絶縁性レジスト１２０Ａとしては 熱分解温度４
００°Ｃ、熱膨張係数１５ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇ
が３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製の感光性ポリイミ
ドＺＦＰＩ６０００を用いた。硬化後の膜厚を７μｍと
した。
らなる配線基板のベース基板（ステンレス基板）１１０
（図１（ｅ１））の配線形成側の面上に、感光性絶縁性
レジスト１２０Ａを全面に塗布し（図１（ｆ１））、こ
れを金属配線１３０に対応する形状の所定のパターン版
を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、１００
°Ｃ、３０秒間プレ乾燥を行い、これを絶縁層１２０と
した。（図１（ｇ１）） 感光性絶縁性レジスト１２０Ａとしては 熱分解温度４
００°Ｃ、熱膨張係数１５ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇ
が３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製の感光性ポリイミ
ドＺＦＰＩ６０００を用いた。硬化後の膜厚を７μｍと
した。
【００２６】次いで、絶縁層１２０に溶剤を含ませた態
状態でベース基板１１０の絶縁層１２０とステンレス
（ＳＵＳ３０４）基板１４０のめっき銅からなる金属配
線１３０とを位置合わせしながら両基板（１１０と１４
０）を合わせ、温度１８０°Ｃ、圧１Ｋｇ／ｃｍ2 を１
分間かけ（図１（ｈ））、ステンレス（ＳＵＳ３０４）
基板１４０から金属配線１３０を絶縁層１２０を介して
ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０へ転写し、この
後Ｎ2 雰囲気下で３４０°Ｃで熱処理を施し、絶縁層１
２０を硬化して配線基板１００を得た。（図１（ｉ））
状態でベース基板１１０の絶縁層１２０とステンレス
（ＳＵＳ３０４）基板１４０のめっき銅からなる金属配
線１３０とを位置合わせしながら両基板（１１０と１４
０）を合わせ、温度１８０°Ｃ、圧１Ｋｇ／ｃｍ2 を１
分間かけ（図１（ｈ））、ステンレス（ＳＵＳ３０４）
基板１４０から金属配線１３０を絶縁層１２０を介して
ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０へ転写し、この
後Ｎ2 雰囲気下で３４０°Ｃで熱処理を施し、絶縁層１
２０を硬化して配線基板１００を得た。（図１（ｉ））
【００２７】（実施例２）実施例２は、実施例１におい
て感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度３５
０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍの日立化成株式会社製の
ＰＬ８００９ｘを用いたものである。硬化後の膜厚を５
μｍとした。転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲
気下で３００°Ｃとした。その他については、実施例１
と同様に行った。
て感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度３５
０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍの日立化成株式会社製の
ＰＬ８００９ｘを用いたものである。硬化後の膜厚を５
μｍとした。転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲
気下で３００°Ｃとした。その他については、実施例１
と同様に行った。
【００２８】（比較例１）比較例１は、実施例１におい
て感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４０
０°Ｃ、熱膨張係数１０ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが
３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ６００
０、１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦ
Ｆ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０
部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとした絶縁層を
用いたものである。硬化後の膜厚を７μｍとした。転写
後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で４００°Ｃ
とした。その他については、実施例１と同様に行った。
て感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４０
０°Ｃ、熱膨張係数１０ｐｐｍ、ガラス転移温度Ｔｇが
３５０°Ｃの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ６００
０、１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦ
Ｆ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０
部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとした絶縁層を
用いたものである。硬化後の膜厚を７μｍとした。転写
後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で４００°Ｃ
とした。その他については、実施例１と同様に行った。
【００２９】（比較例２）比較例２は、実施例１におい
て感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４０
０°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍ、の株式会社東レ製のＵ
Ｒ３１４０を用いたものである。硬化後の膜厚を６μｍ
とした。転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下
で３００°Ｃとした。その他については、実施例１と同
様に行った。
て感光性絶縁性レジスト１２０Ａとして熱分解温度４０
０°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍ、の株式会社東レ製のＵ
Ｒ３１４０を用いたものである。硬化後の膜厚を６μｍ
とした。転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下
で３００°Ｃとした。その他については、実施例１と同
様に行った。
【００３０】（実施例３）実施例３は、実施例１におけ
るステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への感光性
絶縁性レジスト１２０Ａに代え感光性絶縁性ペーストの
全面塗布をスクリーン印刷により行ったものであり、印
刷後の感光性絶縁性ペースト（１２０Ａに相当）を金属
配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて
露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層１
２０として形成したものである。即ち、実施の形態の第
２の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板
の実施の形態の第１の例を作製したものである。その他
については、実施例１と同様に行ったのである。スクリ
ーン印刷は、スクリーン印刷機３４ＧＸ（ニューロング
社製）を用い、２５０メッシュのステンレスからなるス
クリーン版を用い、印圧押込み１．０ｍｍで、熱分解温
度３５０°Ｃ、熱膨張係数２５ｐｐｍ、ガラス転移温度
Ｔｇが３００°Ｃの株式会社東レ製のＵＲ５１００の絶
縁性のペーストを印刷して、硬化させ６μｍの膜厚に感
光性絶縁性ペースト（１２０Ａ）をステンレス（ＳＵＳ
３０４）基板１１０上に全面塗布した。転写後の絶縁層
１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。そ
の他については、実施例１と同様に行った。
るステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への感光性
絶縁性レジスト１２０Ａに代え感光性絶縁性ペーストの
全面塗布をスクリーン印刷により行ったものであり、印
刷後の感光性絶縁性ペースト（１２０Ａに相当）を金属
配線１３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて
露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層１
２０として形成したものである。即ち、実施の形態の第
２の例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板
の実施の形態の第１の例を作製したものである。その他
については、実施例１と同様に行ったのである。スクリ
ーン印刷は、スクリーン印刷機３４ＧＸ（ニューロング
社製）を用い、２５０メッシュのステンレスからなるス
クリーン版を用い、印圧押込み１．０ｍｍで、熱分解温
度３５０°Ｃ、熱膨張係数２５ｐｐｍ、ガラス転移温度
Ｔｇが３００°Ｃの株式会社東レ製のＵＲ５１００の絶
縁性のペーストを印刷して、硬化させ６μｍの膜厚に感
光性絶縁性ペースト（１２０Ａ）をステンレス（ＳＵＳ
３０４）基板１１０上に全面塗布した。転写後の絶縁層
１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。そ
の他については、実施例１と同様に行った。
【００３１】（比較例３）比較例３は、実施例４におけ
るスクリーン印刷用の絶縁性のペーストとして熱分解温
度２４０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍの株式会社日本ペ
イント製のプロピコート５０００インクを用いたもので
ある。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で２５０°Ｃで
熱処理をしたが、後の工程処理中にガス発生し、所望の
絶縁層は得られなかった。その他については、実施例１
と同様に行った。
るスクリーン印刷用の絶縁性のペーストとして熱分解温
度２４０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍの株式会社日本ペ
イント製のプロピコート５０００インクを用いたもので
ある。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で２５０°Ｃで
熱処理をしたが、後の工程処理中にガス発生し、所望の
絶縁層は得られなかった。その他については、実施例１
と同様に行った。
【００３２】（実施例４）実施例４は、実施例１におけ
るステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層
１２０の形成を、基板１１０上に膜厚３０μｍの感光性
レジストＴＨＢ−３７（日本合成ゴム株式会社製）を全
面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニング
した後、パターンニングにより形成された凹部に、所定
の絶縁材料ＳＰ０４２（株式会社東レ製）を埋め込み、
さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除
去して、絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２からなる
絶縁層１２０を厚さ８μｍに形成したものである。即
ち、実施の形態の第３の例の配線基板の製造方法にて、
図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製した
ものである。絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２の熱
分解温度は３７０°Ｃ、熱膨張係数１９ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００
°Ｃとした。それ他については、実施例１と同様に行っ
た。
るステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層
１２０の形成を、基板１１０上に膜厚３０μｍの感光性
レジストＴＨＢ−３７（日本合成ゴム株式会社製）を全
面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニング
した後、パターンニングにより形成された凹部に、所定
の絶縁材料ＳＰ０４２（株式会社東レ製）を埋め込み、
さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除
去して、絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２からなる
絶縁層１２０を厚さ８μｍに形成したものである。即
ち、実施の形態の第３の例の配線基板の製造方法にて、
図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例を作製した
ものである。絶縁材料セミコンファインＳＰ０４２の熱
分解温度は３７０°Ｃ、熱膨張係数１９ｐｐｍである。
転写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００
°Ｃとした。それ他については、実施例１と同様に行っ
た。
【００３３】（実施例５）実施例５において、凹部に埋
め込む絶縁材料として絶縁材料ＰＬＸ３５００（日立化
成製）を絶縁層１２０を厚さ５μｍに形成したものであ
る。絶縁材料ＰＬＸ３５００の熱分解温度は３５０°
Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍである。転写後の絶縁層１２
０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。その他
については、実施例４と同様に行った。
め込む絶縁材料として絶縁材料ＰＬＸ３５００（日立化
成製）を絶縁層１２０を厚さ５μｍに形成したものであ
る。絶縁材料ＰＬＸ３５００の熱分解温度は３５０°
Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍである。転写後の絶縁層１２
０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。その他
については、実施例４と同様に行った。
【００３４】（比較例４）実施例４において、凹部に埋
め込み絶縁材料として絶縁材料ユピファインＳＴ（宇部
興産株式会社製）１００部に低膨張性フィラー、フュー
ズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会
社製）を１００部分散混合して、熱膨張係数を１ｐｐｍ
としたものを用い、絶縁層１２０を厚さ７μｍに形成し
たものである。絶縁材料コピファインＳＴの熱分解温度
は６００°Ｃ、熱膨張係数１ｐｐｍである。転写後の絶
縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとし
た。その他については、実施例４と同様に行った。
め込み絶縁材料として絶縁材料ユピファインＳＴ（宇部
興産株式会社製）１００部に低膨張性フィラー、フュー
ズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会
社製）を１００部分散混合して、熱膨張係数を１ｐｐｍ
としたものを用い、絶縁層１２０を厚さ７μｍに形成し
たものである。絶縁材料コピファインＳＴの熱分解温度
は６００°Ｃ、熱膨張係数１ｐｐｍである。転写後の絶
縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとし
た。その他については、実施例４と同様に行った。
【００３５】（比較例５）実施例４において、凹部に埋
め込み絶縁材料として絶縁材料セミコファインＳＰ４３
３（株式会社東京レ製）を絶縁層１２０を厚さ６μｍに
形成したものである。絶縁材料セミコファインＳＰ４３
３（株式会社式会社東レ製）の熱分解温度は４００°
Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍである。転写後の絶縁層１２
０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。その他
については、実施例４と同様に行った。
め込み絶縁材料として絶縁材料セミコファインＳＰ４３
３（株式会社東京レ製）を絶縁層１２０を厚さ６μｍに
形成したものである。絶縁材料セミコファインＳＰ４３
３（株式会社式会社東レ製）の熱分解温度は４００°
Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍである。転写後の絶縁層１２
０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°Ｃとした。その他
については、実施例４と同様に行った。
【００３６】（実施例６）実施例６は、実施例１におけ
るステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層
４２０の形成を、スクリーン印刷にて直接所定形状に形
成したものである。即ち、実施の形態の第２の例の配線
基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態
の第１の例を作製したものである。スクリーン印刷用ペ
ーストとしてはＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（日本エイブ
ルステック株式会社製）を用い６μｍの厚さに形成し
た。ＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（絶縁層１２０）の熱分
解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍである。転
写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°
Ｃとした。それ他については、実施例１と同様に行っ
た。
るステンレス（ＳＵＳ３０４）基板１１０上への絶縁層
４２０の形成を、スクリーン印刷にて直接所定形状に形
成したものである。即ち、実施の形態の第２の例の配線
基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実施の形態
の第１の例を作製したものである。スクリーン印刷用ペ
ーストとしてはＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（日本エイブ
ルステック株式会社製）を用い６μｍの厚さに形成し
た。ＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（絶縁層１２０）の熱分
解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍである。転
写後の絶縁層１２０の熱処理はＮ2 雰囲気下で３００°
Ｃとした。それ他については、実施例１と同様に行っ
た。
【００３７】（実施例７）実施例４において、凹部に埋
め込む絶縁材料のＳＰ０４２の代わりに、電着形成によ
り絶縁層１２０をベース基板１１０上の金属配線層１３
０に対応する形状の感光性レジスト１７０から露出した
部分に形成したものである。即ち、実施の形態の第４の
例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実
施の形態の第１の例を作製したものである。電着は、下
記に示す液調整法により電着液を作り、これを用いたも
ので、熱分解温度４００°Ｃ、ガラス転移温度Ｔｇ３６
０°Ｃ、熱膨張係数α＝２０ｐｐｍの電着絶縁層１２０
をベース基板１１０上に形成した。
め込む絶縁材料のＳＰ０４２の代わりに、電着形成によ
り絶縁層１２０をベース基板１１０上の金属配線層１３
０に対応する形状の感光性レジスト１７０から露出した
部分に形成したものである。即ち、実施の形態の第４の
例の配線基板の製造方法にて、図１に示す配線基板の実
施の形態の第１の例を作製したものである。電着は、下
記に示す液調整法により電着液を作り、これを用いたも
ので、熱分解温度４００°Ｃ、ガラス転移温度Ｔｇ３６
０°Ｃ、熱膨張係数α＝２０ｐｐｍの電着絶縁層１２０
をベース基板１１０上に形成した。
【００３８】液調整は、固形分濃度２０％のポリイミド
溶液１００ｇにＮＭＰ４００ｇを加え攪拌した後、低膨
張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．
５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０ｇ添加し、ビーズミ
ルにて分散混合した。中和剤として、エタノールアミン
を２ｇ添加して十分に攪拌し、更に水５０ｇを加え攪拌
を一昼夜行った。尚、液調整に先立ち、モノマー、ビス
（４（４−（アミノフェノキシ）フェノキシ）フェニ
ル）スルホン３０．８３５ｇ（０．０５ｍｏｌ）および
ピロメリット酸二無水物１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）
を仕込み、それぞれのモル比のモノマー材料とトルエ
ン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−ユーピロリドン）２４０ｇを
仕込み、窒素雰囲気下で、１０時間、還流し、熱イミド
化してポリイミド溶液を合成した。合成した溶液の対数
粘度は（ＮＭＰを溶媒とし、温度３５°Ｃ、濃度０．５
ｇ／１００ｍｌで測定）１．７ｄｌ／ｇであった。電着
条件は、ステンレス基板からなるベース基板１１０全体
を電着液に浸漬させ、ベース基板１１０を陽極として、
同面積のステンレス板を陰極として両極間を５０ｍｍに
対向させ、５０Ｖで１０分間連続電圧を印加することに
より、ベース基板１１０上にポリイミド膜からなる電着
絶縁層１２０を電着形成した。
溶液１００ｇにＮＭＰ４００ｇを加え攪拌した後、低膨
張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．
５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０ｇ添加し、ビーズミ
ルにて分散混合した。中和剤として、エタノールアミン
を２ｇ添加して十分に攪拌し、更に水５０ｇを加え攪拌
を一昼夜行った。尚、液調整に先立ち、モノマー、ビス
（４（４−（アミノフェノキシ）フェノキシ）フェニ
ル）スルホン３０．８３５ｇ（０．０５ｍｏｌ）および
ピロメリット酸二無水物１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）
を仕込み、それぞれのモル比のモノマー材料とトルエ
ン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−ユーピロリドン）２４０ｇを
仕込み、窒素雰囲気下で、１０時間、還流し、熱イミド
化してポリイミド溶液を合成した。合成した溶液の対数
粘度は（ＮＭＰを溶媒とし、温度３５°Ｃ、濃度０．５
ｇ／１００ｍｌで測定）１．７ｄｌ／ｇであった。電着
条件は、ステンレス基板からなるベース基板１１０全体
を電着液に浸漬させ、ベース基板１１０を陽極として、
同面積のステンレス板を陰極として両極間を５０ｍｍに
対向させ、５０Ｖで１０分間連続電圧を印加することに
より、ベース基板１１０上にポリイミド膜からなる電着
絶縁層１２０を電着形成した。
【００３９】上記実施例および比較例の配線基板に、熱
処理を施した場合の配線部のソリを検査した結果を図
５、図６に示す。図５、図６に示す検査結果からも分か
るように、絶縁層１２０の熱分解温度が絶縁層１２０が
さらされる温度以上で、且つ、熱処理温度が絶縁層のガ
ラス転移温度より低い場合で、熱膨張係数がベース基板
（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐ
ｍの範囲である各実施例の配線基板にはソリの発生がみ
られなかった。これに対し、熱処理温度が絶縁層のガラ
ス転移温度より高い場合か、あるいは、熱処理温度が絶
縁層のガラス転移温度より低く、熱分解温度が絶縁層１
２０がさらされる温度以下でも、熱膨張係数がベース基
板（ここではステンレス基板）１１０の熱膨張率１７±
１５ｐｐｍの範囲の外である場合である、比較例１、比
較例２、比較例４、比較例５の配線基板にはソリの発生
がみられた。比較例１の場合は、熱処理温度（４００°
Ｃ）がガラス転移温度Ｔｇ（３５０°Ｃ）よりも高く、
比較例２、比較例４、比較例５の場合は、絶縁層１２０
の熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）
１１０の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である。
また、熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以下
の比較例３の配線基板基板の場合には、熱処理により絶
縁層１２０がガス発生し、重量５％以上減少し、所望の
膜厚が得られなかった。
処理を施した場合の配線部のソリを検査した結果を図
５、図６に示す。図５、図６に示す検査結果からも分か
るように、絶縁層１２０の熱分解温度が絶縁層１２０が
さらされる温度以上で、且つ、熱処理温度が絶縁層のガ
ラス転移温度より低い場合で、熱膨張係数がベース基板
（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐ
ｍの範囲である各実施例の配線基板にはソリの発生がみ
られなかった。これに対し、熱処理温度が絶縁層のガラ
ス転移温度より高い場合か、あるいは、熱処理温度が絶
縁層のガラス転移温度より低く、熱分解温度が絶縁層１
２０がさらされる温度以下でも、熱膨張係数がベース基
板（ここではステンレス基板）１１０の熱膨張率１７±
１５ｐｐｍの範囲の外である場合である、比較例１、比
較例２、比較例４、比較例５の配線基板にはソリの発生
がみられた。比較例１の場合は、熱処理温度（４００°
Ｃ）がガラス転移温度Ｔｇ（３５０°Ｃ）よりも高く、
比較例２、比較例４、比較例５の場合は、絶縁層１２０
の熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）
１１０の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である。
また、熱分解温度が絶縁層１２０がさらされる温度以下
の比較例３の配線基板基板の場合には、熱処理により絶
縁層１２０がガス発生し、重量５％以上減少し、所望の
膜厚が得られなかった。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、上記のように、配線の微細化
に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応でき
る配線基板の提供を可能としている。同時に、そのよう
な配線基板の製造方法の提供を可能としている。
に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応でき
る配線基板の提供を可能としている。同時に、そのよう
な配線基板の製造方法の提供を可能としている。
【図１】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第
１の例、第２の例を示した工程断面図
１の例、第２の例を示した工程断面図
【図２】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の第
３の例、第４の例を示した工程断面図
３の例、第４の例を示した工程断面図
【図３】本発明の配線基板の実施の形態の第１の例を示
した断面図
した断面図
【図４】本発明の配線基板の実施の形態の第２の例を示
した断面図
した断面図
【図５】実施例および比較例の配線基板の作製条件およ
び検査結果を示した図
び検査結果を示した図
【図６】実施例および比較例の配線基板の作製条件およ
び検査結果を示した図
び検査結果を示した図
１００、１０５ 配線基板 １１０ ベース基板（ステンレス
基板） １２０ 絶縁層 １２０Ａ 感光性絶縁性レジスト １２０Ｂ 絶縁材料 １３０ 金属配線 １４０ ステンレス基板 １５０、１７０ 感光性のレジスト ３００、４００ 配線基板 ３１０、４１０ 基板（配線基板のベース
基板） ３２１、４２１ 絶縁層 ３３０、４３０、４３５ 金属配線
基板） １２０ 絶縁層 １２０Ａ 感光性絶縁性レジスト １２０Ｂ 絶縁材料 １３０ 金属配線 １４０ ステンレス基板 １５０、１７０ 感光性のレジスト ３００、４００ 配線基板 ３１０、４１０ 基板（配線基板のベース
基板） ３２１、４２１ 絶縁層 ３３０、４３０、４３５ 金属配線
Claims (9)
- 【請求項１】 ベース基板上に直接、あるいは金属配線
層が設けられたベース基板の金属配線層上に、絶縁層を
介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されて
おり、該絶縁層は金属配線層下にのみ形成され、且つベ
ース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配
線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上
に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の
金属配線層上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
（ｂ）絶縁層を介して、ベース基板上にめっき形成され
た金属配線層を転写形成する転写工程とを有し、且つ転
写時には、絶縁層に溶剤を残存した状態で転写すること
を特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、絶縁層はそのガラス
転移温度Ｔｇ以下で熱処理され、降温時の熱膨張係数が
ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍであることを特徴
とする配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１ないし２における絶縁層形成工
程は、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布
し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニング
してこれを絶縁層とするものであることを特徴とする配
線基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３における感光性絶縁性レジスト
の塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とする配線基
板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし２における絶縁層の形成
工程は、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用い
て、ベース基板上へ絶縁層を直接パターン形成するもの
であることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし２における絶縁層の形成
工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、
塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パ
ターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料
を形成し、さらにパターンニングにされた感光性レジス
トのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層
を形成するものであることを特徴とする配線基板の製造
方法。 - 【請求項７】 請求項６における凹部への絶縁層の形成
を、電着法により行うことを特徴とする配線基板の製造
方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし７により製造されたこと
を特徴とする配線基板。 - 【請求項９】 請求項８において、配線基板のベース基
板がステンレス基板（ＳＵＳ３０４）あるいはガラスク
ロス入りのエポキシ基板であり、絶縁層は、重量５％減
少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさら
される処理温度や配線基板を実使用したときにさらされ
る処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもの
で、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のも
とで熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐ
ｍであることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36165097A JP3827846B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板の製造方法と配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36165097A JP3827846B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板の製造方法と配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177208A true JPH11177208A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3827846B2 JP3827846B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=18474418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36165097A Expired - Fee Related JP3827846B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板の製造方法と配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3827846B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8273671B2 (en) | 2002-05-23 | 2012-09-25 | Schott Ag | Glass material for radio-frequency applications |
-
1997
- 1997-12-11 JP JP36165097A patent/JP3827846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8273671B2 (en) | 2002-05-23 | 2012-09-25 | Schott Ag | Glass material for radio-frequency applications |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3827846B2 (ja) | 2006-09-27 |
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