JPH11345840A

JPH11345840A - 電子部品実装用フィルムキャリアテープ

Info

Publication number: JPH11345840A
Application number: JP15121098A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Ishizaka; 坂雅治石
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 1998-06-01
Filing date: 1998-06-01
Publication date: 1999-12-14
Anticipated expiration: 2018-06-01
Also published as: JP3549180B2

Abstract

(57)【要約】【解決手段】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、絶縁フィルムに接着剤層を介して銅箔を貼着
し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成
した電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該絶縁フィルムに、デバイスを搭載するためのデバイス
搭載手段が形成されており、該デバイスホール内に延出
された配線パターンであるインナーリードのピッチ幅が
３０μm以上６０μm未満であり、該インナーリードのバ
ンプ電極接合面に、平均表面粗度が３.５μｍ未満であ
る整面されていない電解銅箔面を配すると共に、該イン
ナーリードの少なくともバンプ電極接合面にスズメッキ
層が形成されていることを特徴としている。【効果】本発明によれば、ピッチ幅が狭いにも拘わら
ず、短絡の発生率が低い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの
電子部品を実装するフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(T
ape Automated Bonding)テープ）に関する。特に本発明
は、インナーリードのピッチ幅が３０μm以上６０μm未
満である従来よりも狭ピッチのリードパターンを有する
ＴＡＢテープに関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】近年ノートパソコンなどの電子機
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。ＩＣあるいはＬＳＩ
をプリント配線板に搭載するため、または、液晶ディス
プレイ装置の駆動ＩＣを液晶基板に接続するため等に使
用される電子部品実装用フィルムキャリアテープに形成
される配線パターンについてもファインピッチ化の要請
が高い。

【０００３】従来、上記のようなデバイスは、基板であ
る絶縁フィルムに、搭載されるデバイスよりも大きいデ
バイスホールを形成し、このデバイスホールの縁部から
デバイスホールの内側に向かって導体箔を多数のインナ
ーリードとして延出し、このインナーリードにスズメッ
キを施した後、配線パターンの形成されていない絶縁フ
ィルム面側（裏面）から、このインナーリードにデバイ
スに形成されたバンプ電極を接合することにより装着さ
れる。すなわち、絶縁フィルム面側の裏面からデバイス
を挿入し、デバイスに形成されたバンプ電極とインナー
リードとを加熱圧着接合することにより、バンプ電極を
形成する金とインナーリードの表面のスズメッキ層のス
ズとが共晶合金を形成してインナーリードとバンプ電極
とがボンディングされる。

【０００４】従来、ＴＡＢテープのインナーリードのピ
ッチ（Ｐ₀）は１００μｍ程度であったが、近時このリ
ードピッチ（Ｐ₀）を６０〜８０μｍにすることが提案
されており（例えば、特開昭５-１６０２０８号公報等
参照）、さらに、最近では、このリードピッチを６０μ
ｍよりも狭くすることが検討されつつある。

【０００５】また、一方で、上記のようにリードピッチ
幅が狭くなるにつれて、インナーリードを形成する銅箔
も薄くなってきており、１８〜３６μｍ前後の厚さの銅
箔が使用されている。ＴＡＢテープで使用されている銅
箔には、圧延銅箔および電解銅箔があるが、ファインピ
ッチのＴＡＢテープを形成するには、より薄い銅箔を形
成可能な電解銅箔を使用することが好ましい。

【０００６】このような電解銅箔は、その製造工程にお
いて、ドラムに接した面（シャイニイ面）と、銅が析出
終了する面（マット面）とがあり、通常は、絶縁フィル
ムからなる基板との接着性を考慮して、マット面が絶縁
フィルムの表面と対面するように配置して接着されてい
る。このマット面の表面粗度は、通常４〜６μｍ程度で
あり、シャイニイ面よりも表面が粗く、この粗い表面が
接着剤に対してアンカー効果を奏するために絶縁フィル
ムと強固に接着することができる。

【０００７】ところが、リードピッチ幅が６０μｍに満
たないようなファインピッチのＴＡＢテープはインナー
リードの強度不足による曲がりなどの変形や、インナー
リード間の間隔がより小さくなることによりマット面に
バンプ電極がボンディングされるようにデバイスを配置
してボンディングすると、バンプ電極をボンディングす
るために形成される金−スズ共晶合金が過剰に生成し供
給されると、この過剰の金-スズ共晶合金が、リードか
ら横方向に漏出して隣接するリードとの間で短絡し易
く、またスズメッキ部に発生するウィスカーで短絡し易
いという問題がある。

【０００８】ところで、特開平５-１６０２０８号公報
には、電解析出により得られたマット面の全面が整面さ
れた電解銅箔を用いてリードパターンを形成したキャリ
アテープが開示されている。この公報には、ピッチが６
０〜８０μｍのリードパターンを形成する際にマット面
の表面を１〜２μｍに化学的に整面処理した電解銅箔を
使用することが開示されており、ここで使用されている
電解銅箔の整面処理後の銅箔厚さは１８〜３０μｍであ
る。このようにマット面の全面が化学的に整面処理され
た銅箔を使用することにより、所要のリード強度を有す
ると共に、高い信頼性を有するキャリアテープが提供さ
れることが示されている。

【０００９】しかしながら、上記のようにマット面の整
面処理によれば、電解銅箔の厚さが３５μｍ（１オン
ス）、あるいは１８μｍ（１／２オンス）程度まではイ
ンナーリードの強度を低下させることなくインナーリー
ドを形成することができるが、インナーリードピッチ６
０μｍが限度であり、リードピッチが６０μｍ未満であ
ると、さらに薄い電解銅箔を使用する必要があり、こう
した化学的整面処理（化学研磨）では、パターン有効断
面積が減少し、インナーリードの強度不足による曲がり
などの変形が発生し易くなる。また、このような化学的
整面処理を行う際には、シャイニイ面にレジストを塗布
して保護した後、マット面を塩化第２鉄のような銅の腐
食液で処理し、処理後は、シャイニイ面のレジストを除
去することが必要になり、非常にその整面化工程が煩雑
になる。また、こうした化学的整面処理では化学研磨反
応がマット面を均一に処理するように制御することが難
しく、均一に化学研磨反応が進行しない場合、インナー
リードの強度が部分的に低下するとの問題がある。

【００１０】なお、特開平３-２９６２３８号公報に
は、銅箔として無粗面化銅箔を用いたＴＡＢテープが開
示されており、この無粗面化銅箔の表面平均粗度は０.
０１〜１μｍの範囲内にあることが記載されている。

【００１１】しかしながら、この公報に開示されている
表面平均粗度が０.０１〜１μｍの範囲内にある無粗面
化銅箔は、圧延銅箔であり、このような無粗面化圧延銅
箔は、表面粗度が低すぎるために、充分なピール強度
（接着強度）を確保することができない。このため銅箔
を予備加熱したりあるいはローラーの大型化することに
よって、圧延銅箔表面に薄い亜酸化銅の被膜を形成する
ことが必要となり、その調整工程が煩雑になるとの問題
がある。また、このような圧延銅箔を用いたのでは、ピ
ッチ幅が３０μm以上６０μm未満といった非常にファイ
ンピッチのＴＡＢテープを形成することは極めて困難で
ある。

【００１２】

【発明の目的】本発明は、電子部品を実装するキャリア
テープを、ファインピッチ化、殊にインナーリードのピ
ッチ幅を３０μm以上６０μｍ未満にすることができる
ＴＡＢテープを提供することを目的としている。

【００１３】さらに詳しくは本発明は、ファインピッチ
化しても、インナーリードの曲がりなどの変形が少な
く、またデバイスをボンディングした際に短絡の生じに
くい、３０μm以上６０μｍ未満のピッチ幅のＴＡＢテ
ープを提供することを目的としている。

【００１４】

【発明の概要】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープは、絶縁フィルムに接着剤層を介して銅箔を貼
着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形
成した電子部品実装用フィルムキャリアテープであっ
て、該絶縁フィルムに、デバイスを搭載するためのデバ
イス搭載手段が形成されており、該デバイス搭載手段に
延出された配線パターンであるインナーリードのピッチ
幅が３０μm以上６０μm未満であり、そして、該インナ
ーリードのバンプ電極接合面に、平均表面粗度が３.５
μｍ未満である整面されていない電解銅箔面を配すると
共に、該インナーリードの少なくともバンプ電極接合面
にスズメッキ層が形成されていることを特徴としてい
る。

【００１５】本発明のキャリアテープはインナーリード
のピッチ幅が３０μm以上６０μm未満と非常にファイン
ピッチであるにも拘わらず、バンプ電極接合面に平均表
面粗度が３.５μｍ未満である整面化していない電解銅
箔面を配し、しかもこのインナーリードのバンプ電極接
合面にスズメッキ層を形成したことにより、バンプ電極
を形成する金とスズとの共晶合金によってインナーリー
ドとバンプ電極とを良好にボンディングすることができ
ると共に、この際、電解銅箔のバンプ電極接合面側の粗
度が、従来の粗度よりも３.５μｍ未満と小さく、その
結果、電解銅箔の表面積もその分小さくなり、電解銅箔
表面に形成されるスズ量もその分少なくなり、金-スズ
共晶合金が過剰に形成されることがなく、従って、金-
スズ共晶合金が漏出することによる隣接するインナーリ
ード間の短絡の発生を防止できる。

【００１６】また、化学研磨をしていないので、リード
パターンの有効断面積の減少もなくインナーリードの強
度が部分的に低下することがなく、従って、薄い電解銅
箔を使用することが可能となる。

【００１７】さらに、本発明の整面していない電解銅箔
をそのまま用いるので、工程が煩雑にならず、従来のＴ
ＡＢテープの製造装置をそのまま利用することができ
る。さらに、この整面化していない電解銅箔の平均表面
粗度が１.０μｍ以上３.５μｍ未満であることから、絶
縁フィルムとの接着強度も充分に高い。

【００１８】また、電解銅箔のシャイニイ面（光沢面）
を絶縁フィルムに接着し、粗面側から電解銅箔をエッチ
ングしてパターンニングすることにより、エッチングフ
ァクターの大きい（すなわち有効断面積の大きい）強度
の優れたインナーリードが得られる。

【００１９】さらに、スズメッキをした後、フラッシュ
メッキを行うことにより、ウィスカーの成長を抑えウィ
スカによる短絡を防止できる。

【００２０】

【発明の具体的説明】次に、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープについて図面を参照しながら具体
的に説明する。なお、以下に示す図面において共通の部
材には共通の付番を付してある。

【００２１】図１（Ａ）は、本発明のデバイスが搭載さ
れた電子部品実装用フィルムキャリアテープの例を模式
的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、インナーリード
部を拡大して示す図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）
におけるＸ−Ｘ断面図である。

【００２２】図１に示すように、本発明の電子部品実装
用フィルムキャリアテープ１は、絶縁フィルム１０と、
この表面に、接着剤層１２により貼着された電解銅箔か
らなる配線パターン１４がこの順序で積層されてなる。
また配線パターン１４は、デバイス２３に設けられたバ
ンプ電極２５との接続部分（ボンディング部分）である
インナーリード１５と、このインナーリード１５から外
方向に延出されて、外部の電子部材と接続するためのア
ウターリード１６とからなる。

【００２３】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１を構成する絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フ
ィルムからなる。また、この絶縁フィルム１０は、エッ
チングする際に酸などと接触することからこうした薬品
に侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の
加熱によっても変質しないような耐熱性を有している。
このような可撓性樹脂フィルムを形成する樹脂の例とし
ては、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポ
リアミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。
特に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いるこ
とが好ましい。

【００２４】絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリアミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリアミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリアミド（例；商品名：ユーピレッ
クス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。この
ような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５
μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。

【００２５】このような絶縁フィルム１０には、デバイ
スホール２０、スプロケットホール２１、アウターリー
ドの切断穴（図示なし）などがパンチングにより形成さ
れている。

【００２６】配線パターン１４は、上記のような所定の
穴が形成された絶縁フィルム１０に、絶縁性の接着剤を
塗布して接着剤層１２を形成し、この接着剤層１２と電
解銅箔のシャイニイ面とが接触するように配置して接着
し、この電解銅箔をエッチングすることにより形成され
る。

【００２７】ここで使用される接着剤には、耐熱性、耐
薬品性、接着力、可撓性等の特性が必要になる。このよ
うな特性を有する接着剤の例としては、エポキシ系接着
剤およびフェノール系接着剤を挙げることができる。こ
のような接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリ
ビニルアセタール樹脂などで変成されていてもよく、ま
たエポキシ樹脂自体がゴム変成されていてもよい。この
ような接着剤は、加熱硬化性である。このような接着剤
層の厚さは、通常は８〜２３μm、好ましくは１０〜２
１μmの範囲内にある。このような接着剤からなる接着
剤層１２は、絶縁フィルム１０の表面に塗設して設けて
も良いし、また電解銅箔の表面に塗設して設けても良
い。

【００２８】上記のようにして絶縁フィルム１０上に貼
着された電解銅箔のマット面にフォトレジストを塗布
し、配線パターンを焼き付けた後、現像して余剰のフォ
トレジストを除去し、次いでエッチングすることにより
配線パターン１４が形成される。

【００２９】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１において、上記のようにして配線パターンを形
成する銅箔は、電解銅箔である。ここで使用される電解
銅箔の厚さは、通常は６〜２５μmの範囲内、好ましく
は９〜１８μｍの範囲内にある。このような薄い電解銅
箔を使用することにより、狭ピッチ幅のインナーリード
を形成することができる。

【００３０】すなわち、このような電解銅箔は、その製
造の際にドラムと接触しているシャイニイ面（光沢面）
３０と銅の析出終了面であるマット面（粗面）とを有し
ており、図２に示すように、本発明では、接着剤層１２
を介して絶縁フィルム１０と接着される面はシャイニイ
面３０である。本発明で使用される銅箔のシャイニイ面
３０は、平均表面粗度（Ｒｚ）が３.５μｍ未満、好ま
しくは１.０μｍを超え３.２５μｍ以下である。本発明
では、このような平均表面粗度（Ｒｚ）のシャイニイ面
３０を整面せずにそのまま使用する。

【００３１】上記のような電解銅箔を用いて本発明の電
子部品実装用フィルムキャリアテープ１に形成されるイ
ンナーリード１５のピッチ幅（Ｐ₀）は３０μm以上６０
μm未満の範囲内にあり、好ましくは３５〜５５μｍの
範囲内にあり、従来の電子部品実装用フィルムキャリア
テープに形成されるインナーリードのピッチ幅よりも狭
い。このようなピッチ幅で形成されているインナーリー
ド１５の幅（Ｗ₀）は、通常は１０〜５０μｍ、好まし
くは１５〜４５μｍの範囲内であり、また、隣接するイ
ンナーリード１５,１５の間隙幅（Ｓ₀）は通常１０〜５
０μｍ、好ましくは１５〜４５μｍの範囲内にある。

【００３２】このようなインナーリード１５の表面に
は、スズメッキ層３１が形成されている。このスズメッ
キ層２１は、無電解メッキ法により形成することが好ま
しい。こうして形成されるスズメッキ層３１の厚さは、
通常は０.０１〜１μｍ、好ましくは０.０５〜０.７μ
ｍの範囲内にある。このようにスズをメッキすると、イ
ンナーリード１５表面の銅の一部がスズで置換されてス
ズメッキ層を形成する。さらに、上記のようにして一旦
スズメッキ層を形成し、ウィスカーの発生を防止するた
めに加熱処理した後、フラッシュメッキ法で、非常に薄
いスズメッキ層を形成することにより、インナーリード
１５の表面に純度の高いスズメッキ層３１を形成するこ
とができる。こうしたフラッシュメッキ法により形成さ
れたスズメッキ層は加熱処理を行わなくとも、ウィスカ
ーが成長しにくい。このフラッシュメッキ法によるスズ
メッキ層の厚さは通常は０.０１〜１μｍ、好ましくは
０.０５〜０.７μｍの範囲内にあり、こうして形成され
たスズメッキ層３１の合計の厚さは、通常は０.０２〜
２μｍ、好ましくは０.１〜１μｍの範囲内にある。

【００３３】上記のようにして形成されるスズメッキ層
３１は、上記のように平均表面粗度が低い場合には、電
解銅箔の表面の形状にほぼ追随して均一に形成される。
図２に（Ｂ）示すように、インナーリード１５とデバイ
スのバンプ電極２５とは、インナーリード１５の表面か
ら供給されるスズと、バンプ電極２５から供給される金
とによって金−スズ共晶合金３３を形成してこの金−ス
ズ共晶合金３３によりボンディングされる。インナーリ
ード１５とバンプ電極２５とをボンディングする共晶合
金３３は、バンプ電極２５の底部の全面がインナーリー
ド１５と接合する量形成されれば充分であり、このため
にはバンプ電極２５の底部が接触するインナーリード１
５表面のスズの量が一定していることが必要になる。

【００３４】図２（Ｂ）および（Ｃ）では、インナーリ
ード１５のバンプ電極２５接合面の電解銅箔の平均表面
粗度（Ｒｚ）が３.５μｍ未満、好ましくは１.０μｍを
超え３.２５μm以下の範囲内にあることから、このイン
ナーリード１５のバンプ電極１５接合面には、過不足の
ないスズメッキ層３１が形成されているため、バンプ電
極をボンディングした際に、バンプ電極底面全体がイン
ナーリード１５とボンディングされるのに必要かつ充分
な金−スズ共晶合金３３が形成される。

【００３５】これに対して図３には、平均表面粗度（Ｒ
ｚ）が３.５μｍ以上の銅箔の表面にスズメッキ層３１
を形成したインナーリード１５にバンプ電極２５をボン
ディングしたときの状態を模式的に示している。このよ
うに、平均表面粗度（Ｒｚ）が３.５μｍ以上のインナ
ーリード１５の表面に、上記と同様にしてスズメッキ層
３１を形成すると、インナーリード１５表面の凹凸が大
きくなることにより、表面積が増え、形成されるスズメ
ッキの量が多くなる。このようなスズメッキ層３１にバ
ンプ電極２５をボンディングすると、金−スズ共晶合金
３３が過剰に供給され、図３（Ｂ）に示すように、金−
スズ共晶合金３３がデバイス２３に生成し形成されたバ
ンプ電極２５のボンディング位置からはみ出すことがあ
る。従来のＴＡＢテープのようにインナーリード１５の
ピッチ幅が広い場合には、それほど問題になることはな
いが、ピッチ幅が３０μm以上６０μm未満というように
ピッチ幅の狭いＴＡＢテープにおいては、過剰に供給さ
れた金−スズ共晶合金が横方向に流れ出し、隣接するイ
ンナーリード１５のボンディング部との間に短絡３５を
生ずることがある。

【００３６】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１では、バンプ電極２５のボンディング面とし
て、平均表面粗度（Ｒｚ）が３.５μｍ未満、好ましく
は１.０μｍを超え３.２５μｍ以下の整面されていない
電解銅箔面を使用しているので、インナーリードの強度
を大きく、またバンプ電極２５のボンディングの際に金
−スズ共晶合金３３が過剰に生成し、供給されることが
なく、また、バンプ電極２５の底部とインナーリード１
５とが確実にボンディングされる。

【００３７】このような平均表面粗度を有する整面され
ていない電解銅箔面としては、上記のような表面粗度に
なるように調整されたドラムを用いて製造された電解銅
箔のシャイニイ面を挙げることができる。すなわち、本
発明では、上記のように平均表面粗度を有するように調
整されたドラムを用いて銅箔厚さが通常は６〜２５μm
の範囲内、好ましくは９〜１８μｍの範囲内なるように
電解銅箔を製造し、こうして製造された電解銅箔のシャ
イニイ面を絶縁フィルム表面に塗設された接着剤層１２
を介して絶縁フィルム１０表面に貼着して配線パターン
を形成することにより、上記のようなバンプ電極２５と
のボンディング性の良いインナーリード１５を形成する
ことができる。なお、本発明においては、デバイス２３
は、絶縁フィルム１０の配線パターン１４が形成されて
いない面側（裏面）から搭載される。

【００３８】また、デバイス２３を絶縁フィルム１０の
裏面に配置してボンディングする本発明の電子部品実装
用フィルムキャリアテープ１では、整面されていない電
解銅箔の表面の平均表面粗度（Ｒｚ）の下限値が通常は
１μｍを超えていることから、接着剤に対して良好な密
着性を有しており、この整面されていない電解銅箔のピ
ール強度は通常１kg/cm以上であり、良好な接着強度で
絶縁フィルム１０と接着している。

【００３９】そして、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープ１では、整面されていない電解銅箔を使
用していることから、化学研磨した場合のように整面処
理によってインナーリード１５の有効厚みが実質的に薄
くならないので、電解銅箔が有している強度がほぼその
ままインナーリード１５の強度として発現する。さら
に、化学研磨のように、インナーリード１５が部分的に
浸食されることもなく、使用する電解銅箔の強度に応じ
たインナーリード１５を形成することができる。

【００４０】さらに、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープ１では、整面処理することなく電解銅箔
を使用するので、通常のＴＡＢテープ製造装置を、何ら
改変することなくそのまま使用することが可能である。

【００４１】なお、上記の説明は、絶縁フィルムにデバ
イスを搭載するためのデバイス搭載手段としてデバイス
ホールが形成された態様を示しているが、デバイス搭載
手段としては、こうしたデバイスホールの他に、絶縁フ
ィルムに実装されるデバイスのバンプ電極に略対応する
位置の絶縁フィルムに、バンプ電極と接触する配線パタ
ーンに対して略直交するとともに複数の配線パターンに
渡って開口する少なくとも１条のスリットがパンチング
することにより形成されており、このスリットの上にバ
ンプ電極と接触する配線パターンが差し渡して形成され
ているようにしたスリットを形成してもよい。また、ス
リットの代わりに、バンプ電極に対応した位置にバンプ
電極を挿入するための独立したパンチホールを形成する
こともできる、これらの場合、通常は、デバイスホール
は形成されない。

【００４２】

【発明の効果】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープでは、バンプ電極のボンディング面に平均表面
粗度（Ｒｚ）が３.５μｍ未満である整面されていない
電解銅箔面を配してインナーリードを形成し、このイン
ナーリードの表面にスズメッキ層を形成しているので、
適量のスズメッキ層を形成することができる。従って、
このインナーリードにバンプ電極をボンディングする
と、適量の金−スズ共晶合金が形成され、バンプ電極と
インナーリードとが良好にボンディングされ、過剰な金
−スズ共晶合金が供給されることがない。従って、本発
明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおけるイ
ンナーリードのピッチ幅は、３０μm以上６０μm未満で
あり、非常にファインピッチであるにも拘わらず、過剰
な金−スズ共晶合金による隣接するインナーリード間の
短絡が生じにくい。

【００４３】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープでは、インナーリードが整面処理されてい
ないので、特に化学研磨されていないので、インナーリ
ードの強度は、用いた電解銅箔の強度とほぼ同様であ
り、整面処理した場合のように、インナーリードの有効
断面積が減少し強度が低下することがない。

【００４４】さらに、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープにおいては、平均表面粗度が１.０μｍ
以上３.５μｍ未満の整面されていない電解銅箔面が接
着剤層と接して絶縁フィルムに接着されることから、絶
縁フィルムへの接着強度も高い。

【００４５】また、電解銅箔のシャイニイ面（光沢面）
を絶縁フィルムに接着し、粗面側から電解銅箔をエッチ
ングしてパターンニングすることにより、エッチングフ
ァクターの大きい（すなわち有効断面積の大きい）強度
の優れたインナーリードが得られる。

【００４６】さらに、スズメッキをした後、フラッシュ
メッキを行うことにより、ウィスカーの成長を抑えウィ
スカによる短絡を防止できる。このように本発明によれ
ば、ファインピッチ化に対応した電子部品実装用フィル
ムキャリアテープが提供されるが、本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープは、従来のＴＡＢテープ製
造装置を用いて製造することができる。

【００４７】

【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明をさらに
具体的に説明するが、本発明はこれによって限定される
ものではない。

【００４８】

【実施例１】デバイスホールおよびスプロケットホール
が形成されたポリイミドフィルム上にエポキシ系接着剤
を塗布し、シャイニイ面の平均表面粗度（Ｒｚ）が３.
０μｍである厚さ１８μｍの電解銅箔を、シャイニイ面
がポリイミドフィルムと対面するように配置してこのポ
リイミドフィルムに加熱圧着した。

【００４９】この電解銅箔の上にフォトレジストを塗布
し、焼き付けした後、感光されていないフォトレジスト
を除去した。次いで、エッチング処理することにより、
ポリイミドフィルム上に配線パターンを形成した。こう
して形成されたインナーリードに厚さ０.４μｍのスズ
メッキを施した後、加熱処理し、さらにスズをフラッシ
ュメッキして合計０.５μｍのスズメッキ層を形成し
た。

【００５０】こうして形成されたインナーリードのピッ
チ幅は、５０μｍであり、リード間隔は２５μｍであっ
た。こうして形成されたＴＡＢテープの裏面からデバイ
スをボンディングして短絡（ショート）不良発生率を調
べたところ、ショート不良発生率は０％であった。

【００５１】上記のようにして製造されたＴＡＢテープ
のインナーリード厚さはアウターリードの厚さと同じ１
６μｍであり、実質的にインナーリードのやせ細りは見
られなかった。

【００５２】また、こうして形成されたインナーリード
の引っ張り強度は、８ｇであり、電解銅箔の引っ張り強
度と顕著な差は認められなかった。結果を表１に示す。

【００５３】

【実施例２】実施例１において、平均表面粗度が２.５
μｍのシャイニイ面を有する電解銅箔を使用した以外は
同様にしてＴＡＢテープを製造し、デバイスをボンディ
ングした。

【００５４】得られたデバイスがボンディングされたＴ
ＡＢテープについて、ショート不良率を調べたところ、
０％であった。結果を表１に示す。

【００５５】

【比較例１】実施例１において、平均表面粗度が４.０
μｍのシャイニイ面を有する電解銅箔を使用した以外は
同様にしてＴＡＢテープを製造し、デバイスをボンディ
ングした。

【００５６】得られたデバイスがボンディングされたＴ
ＡＢテープについて、ショート不良率を調べたところ、
５０％であった。結果を表１に示す。

【００５７】

【比較例２】実施例１において、平均表面粗度が３.５
μｍのシャイニイ面を有する電解銅箔を使用した以外は
同様にしてＴＡＢテープを製造し、デバイスをボンディ
ングした。

【００５８】得られたデバイスがボンディングされたＴ
ＡＢテープについて、ショート不良率を調べたところ、
１０％であった。結果を表１に示す。

【００５９】

【比較例３】実施例１において、平均表面粗度が４.０
μｍのマット面を有する厚さ１８μｍの電解銅箔を使用
し、これをマット面を化学研磨して平均表面粗度（Ｒ
ｚ）が３.０μｍの化学研磨銅箔を製造し、この研磨面
をポリイミドフィルムと対面するように配置した以外は
同様にしてＴＡＢテープを製造した。

【００６０】こうして得られたＴＡＢテープの厚さは１
２μｍであり、インナーリードの引っ張り強度は５ｇで
あり、原反である電解銅箔の引っ張り強度よりも著しく
低下することが確認された。

【００６１】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の電子部品実装用電子部品実装
用フィルムキャリアテープの例を示す平面図である。

【図２】図２は、本発明の電子部品実装用電子部品実装
用フィルムキャリアテープにおけるインナーリード部分
を拡大して示す図である。

【図３】図３は、従来のＴＡＢテープにおけるインナー
リード部分を拡大して示す図である。

【符号の説明】

１・・・電子部品実装用電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１０・・・絶縁フィルム１２・・・接着剤層１４・・・配線パターン（電解銅箔）１５・・・インナーリード１６・・・アウターリード２０・・・デバイスホール２１・・・スプロケットホール２３・・・デバイス２５・・・バンプ電極３０・・・シャイニイ面３１・・・スズメッキ層３３・・・金−スズ共晶合金３５・・・短絡

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁フィルムに接着剤層を介して銅箔を
貼着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを
形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープであっ
て、該絶縁フィルムに、デバイスを搭載するためのデバイス
搭載手段が形成されており、該デバイス搭載手段に延出
された配線パターンであるインナーリードのピッチ幅が
３０μm以上６０μm未満であり、そして、該インナーリードのバンプ電極接合面に、平均
表面粗度が３.５μｍ未満である整面されていない電解
銅箔面を配すると共に、該インナーリードの少なくとも
バンプ電極接合面にスズメッキ層が形成されていること
を特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項２】上記インナーリードのバンプ電極接合面
の平均表面粗度が、１.０μｍを超え３.２５μm以下の
範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の電子
部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項３】上記インナーリードのバンプ電極接合面
の平均表面粗度が、１.０μｍを超え３.０μm以下の範
囲内にあることを特徴とする請求項第１項または第２項
記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項４】上記バンプ電極の接合面が、電解銅箔の
シャイニイ面であることを特徴とする請求項第１項乃至
第３項のいずれかの項記載の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ。
【請求項５】上記電解銅箔の厚さが、６〜２５μmの
範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の電子
部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項６】上記インナーリードに形成されているス
ズメッキ層の厚さが、０.０１〜１μｍの範囲内にある
ことを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープ。
【請求項７】上記インナーリードに形成されているス
ズメッキ層が、厚さ０.０１〜１μｍの厚さにスズメッ
キした後、厚さ０.０１〜１μｍのフラッシュスズメッ
キをすることにより形成されていることを特徴とする請
求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテー
プ。
【請求項８】上記バンプ電極との接合面が、絶縁フィ
ルムに対面して接着剤で絶縁フィルムに接着される面で
あることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装
用フィルムキャリアテープ。