JP3291486B2 - 整面電解銅箔、その製造方法およびその用途 - Google Patents

整面電解銅箔、その製造方法およびその用途

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は銅の析出が終了する面であ
るマット面を少なくとも1回機械研磨し、次いで該機械
研磨されたマット面を選択的に化学研磨して整面された
整面電解銅箔、その製造方法、および、こうした整面電
解銅箔を使用したプリントサーキットボードのような用
途に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】近年ノートパソコンなどの電子機
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。こうした電子機器に
使用される基板に形成される配線パターンもリード幅が
十数μｍまで細線化されており、これに伴い配線パター
ンを形成する金属箔も次第に薄くなっている。すなわ
ち、従来のようにリード幅が１００μｍ程度の配線パタ
ーンを形成するのに使用される金属箔の厚さは、この配
線パターンの幅に対応して１５〜３５μｍ程度であった
が、十数μｍの配線パターンを形成するためには、使用
する金属箔の厚さもこれに対応して薄くする必要があ
る。
【０００３】こうした配線パターンを形成する金属箔と
しては、アルミニウム箔、銅箔などが使用されている。
こうした金属箔として、銅箔が好ましく、特に電解銅箔
を使用することが好ましい。このような配線パターンを
形成するために使用される電解銅箔は、ドラム表面に銅
を電解析出させることにより製造される。こうして製造
される電解銅箔において、銅が析出し始める面、すなわ
ちドラムと接触して銅の析出が始まる面をシャイニイ面
といい、銅の析出が終了する面をマット面という。シャ
イニイ面の表面状態は、ドラムの表面状態とほぼ同様で
あり、ドラム表面の平均表面粗度は１．２〜２．５μｍ
程度であり、シャイニイ面の平均表面粗度もほぼこのド
ラム表面の平均表面粗度と同等である。これに対してマ
ット面はシャイニイ面よりも表面粗度が高く、その平均
表面粗度は、銅の析出状態および厚さ等によっても異な
るが、通常は２．５〜１０μｍ程度である。従来のよう
に３５μｍ程度の平均厚さを有する電解銅箔において、
こうしたマット面の表面粗度が問題になることは少なか
ったが、厚さが十数μｍの電解銅箔においては、こうし
たマット面の表面粗度は、電解銅箔全体の厚さの数十％
にも相当し、こうしたマット面の状態が形成される配線
パターンさらにはボード自体の電気的特性に多大な影響
を与える。
【０００４】こうした銅箔の表面状態を調整する方法と
して、機械研磨、化学研磨、電解研磨などが知られてい
る。機械研磨は、バフ等を用いて銅箔の表面を平滑にす
る方法であり、薄い銅箔を用いた場合には、銅箔に機械
的応力がかかることから銅箔が破断することがあり、比
較的厚い銅箔の表面調整方法に適している。他方、化学
研磨および電解研磨は、銅箔に機械研磨のような機械的
応力はかからないので、薄手の銅箔をこれらの方法で研
磨しても破断することはなく、比較的薄い銅箔の表面調
整方法に適していると考えられていた。
【０００５】例えば、特開平５-１６０２０８号公報に
は、電解析出により得られたマット面の全面が整面され
た電解銅箔を用いてリードパターンを形成したキャリア
テープが開示されている。この公報には、ピッチが６０
〜８０μｍのリードパターンを形成する際にマット面の
表面の粗さが１〜２μｍになるように化学的に研磨して
整面処理した電解銅箔を使用することが開示されてお
り、ここで使用されている電解銅箔の整面処理後の銅箔
厚さは１８〜３０μｍである。このようにマット面の全
面が化学的に整面処理された銅箔を使用することによ
り、所要のリード強度を有すると共に、高い信頼性を有
するキャリアテープが提供されることが開示されてい
る。
【０００６】しかしながら、上記公報に記載されている
ように銅箔を化学研磨により整面すると、マット面の凸
部が比較的高い選択率で溶解されて整面されるが、マッ
ト面の凹部の銅もまた溶出する。従って、こうした化学
研磨では、銅箔全体が薄くなる傾向があり、近時のファ
インピッチ化に伴い使用されている薄手の電解銅箔、例
えば厚さが３５μｍ（１オンス）、あるいは１７.５μ
ｍ（１／２オンス）さらにそれ以下の電解銅箔を所望の
表面状態が得られる程度まで化学研磨すると、電解銅箔
全体が薄くなり配線パターンあるいはリードの強度が低
下する。また、こうした化学的整面処理では、マット面
を均一に処理するように化学研磨の反応条件を制御する
ことが難しいという問題もある。こうした化学研磨にお
ける問題は、同様に銅を溶解する電解研磨においても同
様に発生しうる問題でもある。
【０００７】なお、特開平３-２９６２３８号公報に
は、銅箔として無粗面化銅箔を用いて配線パターンが形
成されたＴＡＢテープを製造することが開示されてお
り、この無粗面化銅箔の表面平均粗度は０.０１〜１μ
ｍの範囲内にあると記載されている。しかしながら、こ
の公報に開示されている表面平均粗度が０.０１〜１μ
ｍの範囲内にある無粗面化銅箔は、圧延銅箔であり、こ
のような無粗面化圧延銅箔は、表面粗度が低すぎるため
に、充分なピール強度（接着強度）を確保することがで
きない。このため銅箔を予備加熱したりあるいはローラ
ーを大型化することに伴い、圧延銅箔表面に薄い亜酸化
銅の被膜を形成することが必要となり、その調製工程が
煩雑になるとの問題がある。また、このような圧延銅箔
を用いたのでは、ピッチ幅が３０μm以上６０μm未満と
いった非常にファインピッチの配線パターンを形成する
ことは極めて困難である。
【０００８】また、特開平９−１９５０９６号公報に
は、電解銅箔のコブ付け処理前の粗面の表面粗度が１．
５μｍ以下で、該粗面上に前記コブ付け処理した後の表
面粗度が１．５〜２．０μｍであるプリント配線板用電
解銅箔の発明が開示されており、このような電解銅箔
は、電解銅箔の粗面側をバフで研磨して粗化処理する前
の表面粗度を１．５μｍ以下にし、該粗面上に粗化処理
して表面粗度を１．５〜２μｍとする方法により製造で
きると記載されている。
【０００９】しかしながら、この公報に記載されている
ようにして電解銅箔を一気にバフ研磨すると、バフ研磨
面にすじ状の研磨痕が生ずることがある。この研磨痕
は、予定研磨量よりも深く研磨されたことにより生ずる
傷である。従来のように厚い電解銅箔を使用する場合に
は、多少の研磨痕は問題にはならなかったが、こうした
研磨痕部分は銅が過剰に研磨されることにより形成され
るので、薄い銅箔を用いた場合には、こうした研磨痕部
分の強度が著しく低くなり、配線パターン等においてこ
の部分における断線の可能性が高くなるなど、不良品の
発生原因になりやすい。また、こうしたバフ研磨を行う
際には銅箔表面の凸部にバフの回転方向に沿った変形応
力がかかり、銅箔表面の凸部がバフの回転方向に沿って
変形しやすい。このように凸部が変形したバフ研磨銅箔
には、均一に粗化処理することが難しい。そして、粗化
処理が不均一になることによって、絶縁フィルムに対す
る被接着性、エッチングの均一性、ボンディングの信頼
性などが低下するという問題が生ずる。特にこうした問
題は、薄い電解銅箔を機械研磨したときに生じやすい。
【００１０】このように電解銅箔のマット面の研磨方法
として従来から採用されている機械研磨、化学研磨、電
解研磨は、いずれの方法も、ピッチ幅が１００μｍ以上
であるような配線パターンを形成するための電解銅箔の
研磨方法としては極めて有用な方法であった。しかしな
がら、ピッチ幅が数十μｍ以下になりつつあるプリント
サーキットボードを形成する電解銅箔のマット面の研磨
方法として、単に上記のような従来から採用されていた
研磨方法を採用したのでは、形成される配線パターンの
脆弱化を招来する虞が高く、従って、安定した特性を有
するプリントサーキットボードを供給することが困難に
なりつつある。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、ファインピッチ化にプリント
サーキットボードを製造するのに特に適した電解銅箔お
よびこのような電解銅箔を製造する方法を提供すること
を目的としている。さらに本発明は、マット面が整面処
理された電解銅箔であって、この整面処理を単一の研磨
工程ではなく、異なる研磨工程により非常に穏和な条件
で研磨することにより、非常に均一に整面されたマット
面を有する電解銅箔およびこのような電解銅箔を製造す
る方法を提供することを目的としている。
【００１２】また、本発明は、上記のような非常に均一
に整面された電解銅箔を用いて製造された安定した品質
を有するプリントサーキットボード、および、このよう
なプリントサーキットボードが積層された多層積層プリ
ントサーキットボードを提供することを目的としてい
る。
【００１３】
【発明の概要】本発明の整面電解銅箔の製造方法は、シ
ャイニイ面と、平均表面粗度が２．５〜１０μｍの範囲
内にあるマット面とを有する電解銅箔を、該マット面の
平均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように少なく
とも１回機械研磨した後、該機械研磨されたマット面
を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるように選
択的に化学研磨することを特徴としている。
【００１４】例えば上記のようにして得られる本発明の
整面銅箔は、シャイニイ面と、平均表面粗度が０．８〜
２．５μｍの範囲内にある整面されたマット面とを有す
る整面電解銅箔であり、該整面されたマット面が、平均
表面粗度２．５〜１０μｍにある電解銅箔のマット面
を、平均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように少
なくとも１回機械研磨した後、該機械研磨されたマット
面を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるように
選択的に化学研磨することにより整面して得られること
を特徴としている。
【００１５】本発明の整面電解銅箔の整面されたマット
面には、粗化処理層が形成されていることが好ましく、
さらにこの粗化処理層の表面には、防錆層が形成されて
いることが好ましく、またさらにこの防錆層表面にシラ
ンカップリング剤層が形成されていることが好ましい。
また、本発明のプリントサーキットボードは、シャイニ
イ面と、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍの範囲内に
ある整面されたマット面とを有する整面電解銅箔であ
り、該整面されたマット面が、平均表面粗度２．５〜１
０μｍにある電解銅箔のマット面を、平均表面粗度が
１．５〜３．０μｍになるように少なくとも１回機械研
磨した後、該機械研磨されたマット面を、平均表面粗度
が０．８〜２．５μｍになるように化学研磨することに
より得られる整面電解銅箔から形成された配線パターン
を絶縁基板表面に有することを特徴としている。
【００１６】さらに本発明の多層プリントサーキットボ
ードは、シャイニイ面と、平均表面粗度が０．８〜２．
５μｍの範囲内にある整面されたマット面とを有する整
面電解銅箔であり、該整面されたマット面が、平均表面
粗度２．５〜１０μｍにある電解銅箔のマット面を、平
均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように少なくと
も１回機械研磨した後、該機械研磨されたマット面を、
平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるように化学研
磨することにより得られる整面電解銅箔から形成された
配線パターンを有する基板が２層以上積層されてなり、
かつ該積層された基板が厚さ方向に電気的に接続可能に
されていることを特徴としている。
【００１７】上記プリントサーキットボードおよび多層
プリントサーキットボードを形成する整面電解銅箔は、
化学研磨されたマット面が粗化処理されていることが好
ましい。電解銅箔のマット面の表面には無数の凹凸が形
成されており、例えば凸部の高さおよび凹部の深さは一
定ではない。マット面の表面状態は、多くの場合、平均
表面粗度によって表されるが、これらは後述するように
マット面の表面を形成する凸部の高さと凹部の深さの平
均値であり、ある平均表面粗度を有するマット面におい
て、その表面粗度を超える凸部が多数存在する。本発明
の整面電解銅箔の製造方法では、第１の工程において、
機械研磨により主としてこの突出した凸部の頂部を機械
的に除去して、マット面に存在する凸部の頂部を主とし
て除去する。このような機械研磨では、研磨される部分
に応力を付与して例えば図４（ａ）に示すような凸部１
１２の頂部を除去するのであるから、必然的に機械研磨
応力が付与される方向性が生じてしまう。例えば、図４
に示すように、凸部の頂部を回転バフにより研磨する場
合、凸部１１２の頂部には、回転バフの回転方向と同一
方向に応力がかかることから、図４（ｂ）に示すよう
に、回転バフに最初に接触する凸部の方が後に回転バフ
に接触する側よりも研磨されやすい。さらに、この応力
が付与される方向に沿って、凸部１１２の頂部がわずか
に変形しながら切削されることから、研磨された凸部の
上部では、回転バフなどによって付与される応力に対応
した変形が生ずることがある。例えば図４（ｂ）に示す
ように、回転バフの回転方向に沿って凸部が変形して応
力付与方向の下流側にバリのような変形部１１１が形成
されることがあるとの知見を得た。
【００１８】このように機械研磨の際には応力が生ずる
ことから、機械研磨では方向性が発生してしまう。ま
た、本発明の方法では、機械研磨によってマット面にあ
る凸部の突出した先端部を主として研削して除去するの
であり、マット面全面を研磨して鏡面にするのではな
く、むしろ、絶縁基板表面に安定に貼着するためには、
このマット面は完全な平滑面でないことが好ましい。こ
のため本発明では突出した凸部の先端を主として機械研
磨するのであるが、図４（ｂ）に示すように、このよう
に機械研磨することにより研磨された部分と研磨されな
い部分との間に境界部１２０が形成され、このままでは
後の工程で粗化処理の工程でこうした研磨された部分と
研磨されていない部分とで粗化状態が異なることがあ
る。
【００１９】そこで、本発明では、図４（ｃ）に示すよ
うに、上記のようにして機械研磨したマット面をさらに
化学研磨して、不連続な処理境界部分１２０を除去して
連続した曲面１２１にしている。さらに、機械研磨後に
化学研磨することにより、機械研磨の際に生じた応力に
よる研磨面の方向性をも是正することができる。
【００２０】
【発明の具体的説明】次に、本発明の整面電解銅箔につ
いて、その製造方法に沿って、図面を参照しながら具体
的に説明する。なお、以下に示す図面において共通の部
材には可能な限り共通の付番を付してある。本発明で使
用される機械研磨前の電解銅箔は、平均厚さが、通常
は、５〜３５μmの範囲内にあり、マット面の平均表面
粗度（Ｒｚ）が、２．５〜１０μｍ、好ましくは３〜８
μｍ程度であり、さらに表面粗度が小さい電解銅箔でも
マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）は３〜７μｍである。
このような平均表面粗度を有する銅箔の例としては、Ｖ
ＬＰ箔（平均表面粗度：３〜５μｍ）、ＨＴＥ箔（平均
表面粗度：４〜７μｍ）を挙げることができる。
【００２１】図１は、平均厚さ（Ｔ0）が１８μｍであ
り、平均表面粗度（Ｒｚ0）が３．６μｍの電解銅箔
（１８μｍ厚電解銅箔）のマット面の一般的な表面状態
を示す断面図であり、図２は、機械研磨工程を経て平均
表面粗度（Ｒｚ1）が２．０μｍに整面した電解銅箔の
断面図であり、図３は、化学研磨工程を経て平均表面粗
度（Ｒｚ2）が１．５μｍに整面された整面電解銅箔の
断面図である。また、図７は、上記１８μｍ厚電解銅箔
の研磨前のマット面の状態を示す電子顕微鏡写真であ
る。
【００２２】図１〜３において、Ｍ面と記載したのが電
解銅箔のマット面であり、Ｓ面と記載したのがシャイニ
イ面である。図１に示すように、一般にマット面の平均
表面粗度は、マット面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）で表さ
れ、この１０点平均粗さ（Ｒｚ）はマット面に形成され
ている凹部の底から凸部の最も高い頂部までの最大から
５点、最小から５点の合計１０点を選びその平均値であ
る。マット面に形成されている凹凸は均一ではなく、凹
部の最も深い底部から凸部の最も高い頂部までの距離
（Ｃ0）は、上記平均表面粗度（Ｒｚ0）が３．６μｍの
電解銅箔においても５μｍ程度になる。
【００２３】本発明では、図２に示すように、まず機械
研磨で、主としてマット面の突出した凸部の頂部を研磨
する。このような機械研磨により、電解銅箔のマット面
の平均表面粗度（Ｒｚ1）が通常は１．５〜３．０μ
ｍ、好ましくは１．８〜２．５μｍの範囲内になる。こ
の機械研磨は、例えば回転バフ等を用いて行うことがで
きる。
【００２４】すなわち、被研磨物である電解銅箔をガイ
ドロールに通しながら、マット面側に回転バフを押し当
てて研磨する。このバフ研磨において、バフを、通常は
１００〜１５００rpm、好ましくは１０００〜１３００r
pmの回転数で単一方向に回転させながら機械研磨する。
バフの回転数が１００rpmに満たないと、被研磨面であ
るマット面を均一に研磨できにくくなり、また１３００
rpmを大きく超えるとバフの回転が不安定になり、電解
銅箔を破断することがある。
【００２５】また、このバフ研磨における被研磨物であ
る電解銅箔に対するバフの押圧は、電解銅箔が破断せ
ず、かつこのバフ研磨でマット面を研磨しすぎないよう
に適宜調整することができるが、通常の場合、この押圧
は、バフモーター電流値に換算して、通常は１０．１〜
３０A（無負荷時のバフモーターの電流値は約１０Aであ
り、従って、バフの実質的な押圧（電流換算実質押圧）
は、バフモーター電流値に換算して、通常は０．１〜２
０A程度）、好ましくは電流換算実質押圧で、１３〜１
８Aである。この電流換算実質押圧が０．1Aに満たない
と、有効に電解銅箔を研磨することができないかあるい
は研磨に要する時間が著しく長くなることがあり、ま
た、２０Aを超えると電解銅箔の破断が頻繁に発生す
る。
【００２６】上記のような回転バフにより電解銅箔を機
械研磨する際、研磨される電解銅箔が移動する速度、す
なわちラインスピードは、通常は３〜１５m/分の範囲内
に設定される。このラインスピードは、機械研磨の均一
性に影響を及ぼすことがあり、ラインスピードがこの範
囲を逸脱すると、機械研磨の均一性が損なわれやすくな
る傾向がある。
【００２７】上記のような機械研磨において、例えばバ
フを使用する場合に、用いられる研磨材の種類に特に制
限はないが、例えば酸化アルミニウムを付着させた８０
０〜３０００番程度の回転バフを使用することができ
る。本発明の方法では、上記のような機械研磨は１回行
えばよいが、さらに2回以上行うことが好ましい。すな
わち、機械研磨は、例えば回転バフと電解銅箔のマット
面とを接触させることによりマット面を研磨することか
ら、回転バフの回転方向と電解銅箔の移動方向とによっ
て相対的な機械研磨の方向性が生ずるため、１回の機械
研磨では、研磨方向（バフの回転方向）に沿った凸部の
変形などが生ずることがある。こうしたマット面に形成
された機械研磨の方向性は、第１のバフで研磨した後、
この第１のバフとは逆に回転する第２のバフとマット面
を接触させて研磨することにより、ある程度是正するこ
とができる。また、このように機械研磨工程を複数に分
けることにより、一回の研磨による研磨量を少なく設定
することができる。そして、個々の回転バフの押圧を低
く設定することができるので、研磨される電解銅箔が破
断しにくくなると共に、個々の機械研磨工程において研
磨の方向性も生じにくくなる。
【００２８】このように機械研磨工程を分散させる場
合、個々の機械研磨工程においては、上記の条件よりも
穏和な条件に設定することが好ましい。さらに、回転バ
フを用いる場合には、第１のバフと第２のバフとは、回
転方向を逆にすることが好ましく、さらに第３のバフ、
第４のバフというように多数の回転バフを使用する場合
には、前の回転バフの回転方向に対して、次の回転バフ
の回転方向を逆にすることが好ましい。また、回転バフ
の粗さを、前の回転バフと同等か、前のバフの粗さより
も後の回転バフの粗さを小さくすることが好ましい。
【００２９】さらに、このように複数の回転バフを用い
て電解銅箔のマット面を研磨することにより、すじ状の
研磨痕が形成されにくくなる。この研磨痕は、銅箔が過
剰に研削された痕であり、こうした研磨痕が形成されな
いように研磨することによりこの整面電解銅箔を用いて
形成された配線パターンの機械的強度の低下を防止でき
ると共に、導通不良などが生じにくい。
【００３０】上記のようにして機械研磨を行うことによ
り、マット面にある凸部の比較的高い頂部が選択的に研
磨されて、例えば図１に示すＣ0＝５μｍが、図２に示
すようにＣ1＝２．５〜３．２μｍにまで研磨される。
すなわち、機械研磨で、整面する前のＣ0に対して、Ｃ1
は、１７〜３６％減少する。このようにして行われる機
械研磨の程度を、平均表面粗度で表すと、この機械研磨
により平均表面粗度は、１．５〜３．０μｍ、好ましく
は１．８〜２．５μｍの範囲内になる。例えば図１に示
される電解銅箔では、平均表面粗度（Ｒｚ0）は、３．
８μｍであり、機械研磨により、図２に示すように平均
表面粗度（Ｒｚ1）は、２．０μmになり、機械研磨で、
平均表面粗度（Ｒz）は、１７〜４７％減少する。
【００３１】本発明では、上述のようにマット面の機械
研磨を複数回に分けて行うことが好ましく、こうして複
数回に分けて機械研磨する場合、合計の機械研磨量が上
記のようになるようにする。図８は、図７に示すような
マット面を有する１８μｍ厚電解銅箔のマット面を１回
バフ研磨した時のマット面を表す電子顕微鏡写真であ
り、図９は、こうして第1回目のバフ研磨を行った後、
第１回目とは回転方向が異なる第２の回転バフを用いて
第2回目のバフ研磨を行った後のマット面を表す電子顕
微鏡写真である。こうして、機械研磨した後の電解銅箔
の平均厚さは、通常は、４．５〜３４．５μｍである。
【００３２】本発明では、上記のようにして電解銅箔の
マット面を少なくとも１回機械研磨した後、この機械研
磨されたマット面を化学研磨する。この機械研磨された
マット面の化学研磨液として、硝酸-硫酸-塩酸系研磨液
(キリンス液)、このキリンス液にさらにクロム酸を加え
た研磨液、硝酸系研磨液、リン酸系研磨液、クロム酸系
研磨液、硫酸系研磨液、過酸化水素系研磨液、硫酸・過
酸化水素系研磨液、塩化銅系研磨液、塩化鉄系研磨液、
過硫酸アンモニア系研磨液、アンモニア・アルカリ系研
磨液などを使用することができる。
【００３３】本発明で使用することができる研磨液の例
を以下に示す。なお、以下に示す研磨液の各成分はその
研磨液における中心的な成分比である。 (1) 硝酸 ２００容量部 硫酸 ４００容量部 塩酸 ２容量部 水 ３００容量部。 (2) 硝酸 ３２０容量部 硫酸 ６４０容量部 塩酸 １０容量部 水 ６４０容量部。 (3) 硝酸 ２０〜８０容量部 硫酸 ２０〜８０容量部 塩酸 ０．１〜１０容量部 クロム酸 ５〜２００容量部 水 適量。 (4) リン酸 ３０〜８０容量部 硝酸 ５〜２０容量部 氷酢酸 １０〜５０容量部 水 適量。 (5) リン酸 ５００容量部 硝酸 ２００容量部 氷酢酸 ５０容量部 塩酸 ５容量部 水 ３００容量部。 (6) リン酸 ４０容量部 硝酸 １５容量部 塩酸 １．５容量部 水 ４８容量部 硝酸アンモニウム ９０重量部。 (7) リン酸 ４５〜６０容量部 硝酸 ８〜１５容量部 硫酸 １５〜２５容量部 水 １０〜２０容量部。 (8) クロム酸 ４５０重量部 硫酸 １２５容量部 塩酸 ５容量部 氷酢酸 ７５容量部 水 ２００容量部。 (9) 重クロム酸ソーダ ７０〜１２０重量部 硫酸 １００〜２００容量部 ベンゾトリアゾール ２〜４０重量部 水を加えて１０００容量部とする。 (10) 過酸化水素 １００モル／リットル 硫酸 ２モル／リットル 飽和アルコール 少量。 (11) 過酸化水素 １００モル／リットル フッ化水素酸 ２モル／リットル 飽和アルコール 少量。 (12) 過酸化水素 １００モル／リットル 硝酸 ２モル／リットル 飽和アルコール 少量。 (13) 硝酸 ４０容量部 塩化第一銅 ３重量部 氷酢酸 ６０容量部 重クロム酸カリウム ５重量部 水 適量。 (14) （ＮＨ4）3Ｓ2Ｏ2等 ＮＨ3として ８．２〜９．５Ｎ Ｃｕ １５０〜１８０ｇ／リットル 純粋 残部。
【００３４】また、市販の研磨液として下記のような研
磨液を挙げることができる。 (15) (メック社製研磨液) 純水 ６０．７(W/W%) 硫酸 (62.5%) ２２．２(W/W%) 過酸化水素(35%) １６．１(W/W%)メックハ゜ワーエッチンク゛ HE-700 １(W/W%)。 (16) (メルテックス社製研磨液)メリホ゜リッシュ CU-67 １００ｇ/リットルメリホ゜リッシュ CU-78B ５０ml/リットル 硫酸(98%) ７５ml/リットル 純水 残部。 (17) （SHIPLEY社製研磨液） ケムポリッシュ１５１L-2 原液。
【００３５】上記のような化学研磨液は、電解銅箔のマ
ット面との接触条件、例えば、接触温度、攪拌条件など
を適宜設定することにより、所定量の銅をマット面から
研磨除去することができる。例えば上記（１）で示され
る化学研磨液（キリンス液）と機械研磨されたマット面
とを、常温で１０〜３０秒間浸漬することによりマット
面の表面を所望の研磨状態にすることができるし、上記
（３）で示される化学研磨液と機械研磨されたマット面
とを、５０〜８０℃で２〜６分浸漬することによりマッ
ト面の表面を所望の研磨状態にすることができる。総じ
ていえばキリンス液のような硝酸-硫酸-塩酸を含有する
研磨液の場合には、反応が過激であり、室温付近の温度
で比較的短時間浸漬することにより所定量の化学研磨を
行うことができる。これに対してリン酸系液を使用する
にはこの研磨液を加温（あるいは加熱）して常温以上の
温度で比較的長い時間、例えば１〜数分間、機械研磨さ
れたマット面と研磨液とを接触する必要がある。
【００３６】こうして機械研磨されたマット面を、上記
のような化学研磨液と接触させることにより、例えば図
３に示すように、機械研磨されたマット面の表面をほぼ
均一に研磨することができ、また、例えば機械研磨の際
に生じたバリのような部分は接触面積が大きくなること
からほぼ完全に除去される。さらに、こうした化学研磨
液は、マット面全体に均一に接触するので、機械研磨で
は回転バフなどが接触しなかった部分にも化学研磨液が
侵入して、機械研磨されたマット面全体を化学研磨液と
の接触面積に応じて化学研磨する。
【００３７】従って、この化学研磨により研磨された面
は、図３に示すように全体としてなだらかな曲線の連続
になり、例えばこの化学研磨工程の後粗化処理する際
に、マット面全体を均一に粗化処理することができる。
なお、本発明において、この化学研磨工程では、化学研
磨液は、機械研磨されたマット面に対して選択的に接触
させ、シャイニイ面の化学研磨を予定していないので、
通常は機械研磨されたマット面を化学研磨液と接触させ
る前に、耐酸性樹脂などでマスキングして、シャイニイ
面が化学研磨されないように保護する。ただし、シャイ
ニイ面を化学研磨する必要がある場合には、マスキング
しないことで、マット面とシャイニイ面とを同時に化学
研磨することも可能である。
【００３８】上記のようにして化学研磨を行うことによ
り、マット面全体が研磨されて、例えば図２に示すＣ1
＝３．２μｍが、図３に示すようにＣ2＝２．６μｍに
まで研磨される。すなわち、化学研磨で、整面する前
（図１）のＣ0に対して、図３に示すＣ2は、５０〜８０
％程度減少する。例えば、前の工程である機械研磨で
は、Ｃ1はＣ0に対して３６％減少するから、機械研磨に
続く工程である化学研磨で、Ｃ2はＣ1に対して４８％減
少する。このようにして行われる化学研磨の程度を、化
学研磨により変化した表面粗度で表すと、平均表面粗度
は０．８〜２．５μｍ、好ましくは１．０〜１．８μｍ
となる。例えば図１に示される電解銅箔では、平均表面
粗度（Ｒｚ0）は、３．６μｍであり、機械研磨によ
り、図２に示すように平均表面粗度（Ｒｚ1）は、２．
０μmになり、機械研磨で、平均表面粗度（Ｒz）は、４
７％減少し、化学研磨により、図３に示すように平均表
面粗度（Ｒｚ2）は、１．５μmになり、化学研磨で、機
械研磨によって得られるマット面の平均表面粗度（Ｒｚ
1）に対して平均表面粗度（Ｒｚ2）は、６０％減少す
る。こうして化学研磨した後の整面電解銅箔の平均厚さ
は通常は４〜３４μｍである。
【００３９】しかも、このように機械研磨した後、化学
研磨することにより、機械研磨によって生じたバリのよ
うな鋭利な部分は選択的に化学研磨されることから、マ
ット面全体がなだらかな曲面が連続したような状態にな
り、後に通常行われる粗化処理の際に均質に粗化処理す
ることが可能になる。図１０に１８μｍ厚電解銅箔を2
段バフ研磨した後、上記のようにして化学研磨したマッ
ト面の電子顕微鏡写真を示す。
【００４０】このようにマット面を機械研磨した後化学
研磨して整面された１８μｍ厚電解銅箔の平均厚さ（ゲ
ージ厚）は、機械研磨する前の電解銅箔の平均厚さを１
００％とすると、この平均厚さに対して９０〜９７％、
好ましくは９４〜９６％になり、この値からして電解銅
箔のマット面がなだらかな曲面の連続になり、研磨前の
マット面の平均表面粗度を勘案すると、電解銅箔全体の
厚さに著しい変化はないことがわかる。即ち、本発明に
おける機械研磨と化学研磨によってマット面の突出した
凸部の殆どが研削され、かつ機械研磨した面に見られが
ちな鋭利な研削痕等の機械研磨により生じた機械研磨跡
が化学研磨によって消失する。従って、本発明の方法に
よれば、非常に薄い電解銅箔（例えば、平均厚さ；１２
〜１８μｍ）を用いた場合であっても、マット面を機械
研磨した後化学研磨することによっても、研磨による電
解銅箔の強度の著しい低下などは生じない。
【００４１】本発明では、上記のように電解銅箔のマッ
ト面を機械研磨し、次いで化学研磨して整面した後、図
５に示すように、この整面されたマット面を粗化処理す
ることが好ましい。この粗化処理は、上記のようにして
整面したマット面に銅の微細粒子を付着させる処理であ
り、異なる条件のメッキ技術を組み合わせて使用して、
上記整面されたマット面に微小な銅微粒子を形成する処
理である。
【００４２】そしてこの粗化処理は、絶縁基板と銅箔と
の接着性を向上させながらエッチング性を維持するため
に銅箔の機械研磨面に平均表面粗度が１．５〜４．０μ
m、好ましくは３．５μｍ以内に収まるように、特に好
ましくは１．５〜２．５μmの範囲内になるように粗化
処理することが望ましい。そして、機械研磨した後、化
学研磨する工程を経てマット面を研磨することにより、
マット面を均一に研磨することができ、こうした均一な
研磨面には、均一に微細な銅粒が高密度で電着する。
【００４３】この粗化処理は、ヤケメッキ、カブセメッ
キおよびヒゲメッキの一連のメッキ処理によって行われ
るが、この一連のメッキ処理は例えば以下に示すような
メッキ条件で実施される。 (1)ヤケメッキ 機械研磨した後、化学研磨して整面された整面電解銅箔
のマット側に不溶性電極を相対して配置して以下の条件
でメッキする。
【００４４】銅濃度：３〜３０g/リットル 硫酸濃度：５０〜５００g/リットル 液温：２０〜３０℃ 電流密度：２０〜４０Ａ/dm2 時間：５〜１５秒 このメッキ条件により、ヤケメッキと呼ばれる粒子状の
銅電着物層が、電解銅箔の整面されたマット面上に形成
される。
【００４５】(2)カブセメッキ 次に、上記のようにしてヤケメッキ処理した表面に、さ
らに以下の条件でカブセメッキを行う。 銅濃度：４０〜８０g/リットル 硫酸濃度：５０〜１５０g/リットル 液温：４５〜５５℃ 電流密度：２０〜４０Ａ/dm2 時間：５〜１５秒 このメッキ条件により、カブセメッキと呼ばれる銅薄膜
が、前記粒子状の銅電着物層の上を被覆する。
【００４６】(3)ヒゲメッキ さらに、このようにしてカブセメッキ処理された表面
に、以下の条件でヒゲメッキを行う。 銅濃度：５〜３０g/リットル 硫酸濃度：３０〜６０g/リットル 液温：２０〜３０℃ 電流密度：１０〜４０Ａ/dm2 時間：５〜１５秒 このメッキ条件により、ヒゲメッキと呼ばれるヒゲ状の
銅析出物が、前記カブセメッキにより形成された銅の被
覆の上に形成される。
【００４７】図１１に上記のようにして粗化処理された
１８μｍ厚電解銅箔のマット面の電子顕微鏡写真を示
す。上記の記載は、粗化処理の一例を示すものであり、
さらに従来から用いられている他の粗化処理条件によっ
て、粗化処理（コブ付け）を行うことができる。こうし
て粗化処理した後に、この整面されたマット面を防錆処
理することが好ましい。この防錆処理は、上記粗化処理
した面の上に亜鉛およびクロムのような銅よりも電気化
学的に卑金属を付着させる。具体的には、こうした銅に
対して防錆効果を有する金属の薄いメッキ層を形成す
る。
【００４８】たとえば亜鉛および／またはクロメートを
用いた防錆処理は、上記のように機械研磨した後化学研
磨して整面された電解銅箔を粗化処理し、次いでこの粗
化処理された電解銅箔を亜鉛メッキ層に浸漬し、さらに
クロメート処理する一連の工程により実施される。ここ
で採用される亜鉛処理条件の一例を示す。亜鉛処理は、
たとえば亜鉛濃度５ｇ／リットル、硫酸濃度５０ｇ／リ
ットル、液温２５℃の電解溶液を用いて、電流密度５Ａ
／dm2で８秒間電流を流して、粗化処理されたマット面
に亜鉛メッキする。
【００４９】こうして亜鉛メッキ層を形成した後、この
亜鉛メッキ層表面をクロメート処理する。このクロメー
ト処理は、例えば、無水クロム酸２ｇ／リットル、ｐH
値４の電解溶液を用いて、電流密度１Ａ／ｄｍ2で5秒間
電流を流して行う。さらに、このようにクロメート処理
された表面に、たとえば、シランカップリング剤とし
て、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等の
シラン化合物を塗布して、シランカップリング剤層を形
成することが好ましい。
【００５０】例えば上述の１８μm厚電解銅箔を用い
て、上記のようにして機械研磨、化学研磨、粗化処理、
防錆処理およびクロメート処理を行うことにより、この
電解銅箔の平均厚さ（ゲージ厚）は通常は１６〜２０μ
m、好ましくは１７〜１９μmになる。即ち、こうして粗
化処理した後、防錆処理およびクロメート処理した本発
明の電解銅箔（好適には粗化処理整面電解銅箔）は、通
常５〜３５μｍ、好ましくは１２〜２５μｍの平均厚さ
を有し、整面前の電解銅箔の平均厚さを１００％とする
と、上記のようにして調製された整面電解銅箔（好適に
は粗化処理整面電解銅箔）の平均厚さは通常は９０〜９
７％、好ましくは９４〜９６％の範囲内にあり、著しい
銅の研磨ロスも生じない。さらに、上記のようにして得
られた１８μｍ厚粗化処理整面電解銅箔（研磨後粗化処
理された整面電解銅箔）のマット面の平均表面粗度（Ｒ
ｚ）は、通常は１．０〜３．０μm、好ましくは２．０
〜２．５μmの範囲内になり、たとえば接着剤層を介し
て絶縁フィルムに貼着する際に、非常に均一でかつ高い
接着強度を有する。
【００５１】また、このようにして機械研磨した後化学
研磨することにより、マット面の凸部が選択的に研磨さ
れると共に、マット面全体がなだらかな曲面が連続した
ような状態になり、こうした研磨面には非常に均一に粗
化処理（コブ付け）を行うことができる。なお、本発明
の方法では、電解銅箔のマット面を選択的に機械研磨
し、次いで化学研磨しており、この化学研磨の際にはシ
ャイニイ面（平均表面粗度は、通常は１．２〜２．５μ
ｍ程度である）には表面粗度が整面前後で変動すること
がないようにマスキングするのが一般的である。
【００５２】上記のようにして製造された整面電解銅
箔、好ましくは粗化処理整面電解銅箔と基板とを積層
し、フォトレジスト層を形成してマスキングして、余剰
の銅を溶出することにより基板上に配線パターンを形成
してプリントサーキットボードを形成することができ
る。即ち、本発明のプリントサーキットボードは、絶縁
基板表面に整面電解銅箔、好ましくは粗化処理整面電解
銅箔を用いて形成された配線パターンが形成されてい
る。この整面電解銅箔は、上述のように、シャイニイ面
と、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍの範囲内にある
整面されたマット面とを有する整面電解銅箔であり、該
整面されたマット面が、平均表面粗度２．５〜１０μｍ
にある電解銅箔のマット面を、平均表面粗度が１．５〜
３．０μｍになるように少なくとも１回機械研磨した
後、該機械研磨されたマット面を、平均表面粗度が０．
８〜２．５μｍになるように化学研磨することにより得
られる整面電解銅箔である。
【００５３】図６に示すように、本発明のプリントサー
キットボードは、絶縁基板１０と、この基板の少なくと
も一方の表面に形成された配線パターン１４とを有す
る。この配線パターンは、接着剤を介して、あるいは接
着剤を用いることなく、絶縁基板上に整面電解銅箔、好
ましくは粗化処理整面電解銅箔を積層し、この銅箔を所
望の形状にエッチングすることにより形成される。整面
電解銅箔、好ましくは粗化処理整面電解銅箔は、整面さ
れたマット面が絶縁基板と対面するように配置して積層
される。
【００５４】この絶縁基板１０と整面電解銅箔（好まし
くは粗化処理整面電解銅箔）とを加熱下に加圧すること
により、あるいは加熱硬化する接着剤１２を介して加熱
下に圧接することにより両者を積層することができる。
本発明で使用することができる絶縁基板１０としては、
ガラス基板、合成樹脂基板、紙-合成樹脂基板など種々
の基板を使用することができる。また、ここで好適に使
用される絶縁基板は、エッチングする際に酸などの接触
することから、こうした薬液に侵されないような耐薬品
性を有していることが好ましく、また、デバイスなどを
ボンディングする際の加熱によっても変質しないような
耐熱性を有していることが好ましい。このような絶縁基
板を形成する樹脂の例としては、ガラスエポキシ、ＢＴ
レジン、ポリエステル、ポリアミド、フッ素含有樹脂
（テフロンTM）、液晶ポリマーおよびポリイミドなどを
挙げることができる。特に本発明では絶縁基板として可
撓性絶縁基板を使用する場合には、ポリイミドからなる
フィルム状絶縁基板を用いることが好ましい。
【００５５】例えば、絶縁基板１０を構成するポリイミ
ド基板としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジア
ミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニル
テトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成
されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙
げることができる。特に本発明ではポリイミドとして
は、ビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例；
商品名：ユーピレックス、宇部興産（株）製）が好まし
く使用される。本発明でフィルム状の絶縁基板を使用す
る場合、この絶縁基板１０の厚さは、通常は２５〜１２
５μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。
【００５６】このような絶縁基板１０には、その用途に
応じて、デバイスホール、スプロケットホール、アウタ
ーリードの切断穴などが形成されていてもよい。通常こ
うした貫通穴はパンチングにより形成される。配線パタ
ーン１４は、上記のような所定の穴が形成された絶縁基
板１０に、絶縁性の接着剤１２を介して整面電解銅箔
（好ましくは粗化処理整面電解銅箔）を、この接着剤層
１２と整面された電解銅箔のマット面とが接触するよう
に配置して積層し、レジスト形成後、この整面電解銅箔
（好ましくは粗化処理整面電解銅箔）をエッチングする
ことにより形成される。
【００５７】整面電解銅箔（好ましくは粗化処理整面電
解銅箔）と絶縁基板とを積層する際には、接着剤を使用
することもできるし、また、接着剤層を介さずに積層す
ることもできる。接着剤を使用する場合、ここで使用さ
れる接着剤１２には、耐熱性、耐薬品性、接着力、可撓
性等の特性が必要になる。このような特性を有する接着
剤の例としては、エポキシ系接着剤およびフェノール系
接着剤を挙げることができる。このような接着剤は、ウ
レタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂
などで変成されていてもよく、またエポキシ樹脂自体が
ゴム変成されていてもよい。このような接着剤は加熱硬
化性である。このような接着剤層の厚さは、通常は３．
７〜２３μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にあ
る。なお、接着剤を用いる場合において、接着剤層は、
絶縁基板１０の表面に設けられていてもよいし、整面電
解銅箔の接着面であるマット面に形成されていてもよ
い。
【００５８】上記のようにして絶縁基板１０に積層され
た整面電解銅箔（好ましくは粗化処理整面電解銅箔）の
表面にフォトレジストを塗布し、配線パターンを焼き付
けた後、現像して余剰のフォトレジストを除去し、次い
でエッチングすることにより配線パターン１４が形成さ
れる。このようにして絶縁基板１０の表面に配線パター
ンを形成した後、デバイスをボンディングする配線パタ
ーン部分（リード部）を残して、ソルダーレジストなど
の保護樹脂を塗布することができる。こうしして保護樹
脂を塗布した後、デバイスをボンディングするリード部
分に、ニッケル-金メッキ、スズメッキ、半田メッキ、
金メッキを施す。なお、上記のように多くの場合、保護
樹脂を塗布した後、この保護樹脂が塗設されていない部
分をメッキするが、たとえば、ホイスカーの発生防止お
よびメッキ液による配線パターンの異常侵食を防止する
ために、保護樹脂を塗布する前に形成された配線パター
ンの表面に上記金属からなる薄いメッキ層を形成した
後、保護樹脂を塗布し、さらに保護樹脂から延出したリ
ード部にさらにメッキ処理することもできる。このよう
なメッキ法は特にホイスカーの発生しやすいスズメッキ
を採用する場合に有用である。
【００５９】上記のようにしてメッキ層を形成した後、
ワイヤーボンディング方式、ＴＡＢ方式、フリップチッ
プボンディング方式などの公知の方法を利用してデバイ
スを実装することができる。こうしてデバイスを実装し
た後、通常は、このデバイスが実装されたＰＣＢを、デ
バイスおよびＰＣＢを含めて封止樹脂を塗布して封止し
て使用する。
【００６０】本発明では、上述のようなＰＣＢを積層す
るか、あるいは、上記のようにしてデバイスを実装した
ＰＣＢを積層して、積層した厚さ方向に電気的接続を確
保することにより多層積層板とすることもできる。即
ち、本発明の多層プリントサーキットボードは、基板表
面に配線パターンが形成された基板が２層以上積層さ
れ、この積層された基板が厚さ方向に電気的に接続可能
にされた構成を有する。そして、本発明の多層プリント
サーキットボードで配線パターンを形成する銅箔が、シ
ャイニイ面と、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍの範
囲内にある整面されたマット面とを有する整面電解銅箔
であり、該整面されたマット面が、平均表面粗度２．５
〜１０μｍにある電解銅箔のマット面を、平均表面粗度
が１．５〜３．０μｍになるように少なくとも１回機械
研磨した後、該機械研磨されたマット面を、平均表面粗
度が０．８〜２．５μｍになるように化学研磨すること
により得られる整面電解銅箔である。さらに、本発明で
は粗化処理整面電解銅箔を使用することが特に好まし
い。
【００６１】厚さ方向の電気的接続は、ＰＣＢにドリル
あるいはレーザーなどにより所定の縦穴を形成し、この
縦穴の壁面に導電性金属を析出させたり、この縦穴に導
電性金属を含有する導電性樹脂組成物を充填して厚さ方
向の導電性を確保したり、ＰＣＢに印刷技術を利用して
導電性突起を形成し、この突起により厚さ方向の導電性
を確保するなど種々の方法により確保することができ
る。
【００６２】本発明の整面電解銅箔は、ＴＡＢテープ、
フレキシブルプリント配線基板、多層プリント配線板、
リジッドフレックスなどのＰＣＢなどに好適に使用する
ことができる。特に、本発明の整面電解銅箔は、マット
面が非常に均一に整面されていると共に、均一に粗化処
理されていることから、昨今のファインピッチ化に伴っ
てその使用量の増大が予測される極薄の電解銅箔として
好適に使用される。
【００６３】
【発明の効果】本発明の整面電解銅箔は、マット面を、
まず機械研磨した後、化学研磨することにより得られる
ものであり、機械研磨により、主としてマット面に存在
する凸部の突出した頂部を研削し、次いで化学研磨する
ことにより機械研磨したマット面を更に均一に平滑化す
ることができる。このようにしてマット面を、機械研磨
し、さらに化学研磨した本発明の整面電解銅箔は、機械
研磨による研磨の方向性等の機械研磨跡および歪層が化
学研磨をすることにより消失して非常に均質なマット面
を形成することができる。このようにして整面された整
面電解銅箔のマット面に粗化処理をすることにより、銅
の微細粒子が均一に形成することができる（粗化処理整
面電解銅箔）。こうして得られる本発明の整面電解銅箔
を、例えば、絶縁基板と積層して配線パターンを形成し
たＰＣＢでは、絶縁基板に対する配線パターンの剥離強
度が高くしかも強度が全体に安定している。しかも、本
発明の製法によれば、主としてマット面の凸部の先端が
機械研磨されると共に、機械研磨によって生じた研磨む
らあるいは研磨痕、歪などが化学研磨によって是正さ
れ、研磨による銅のロスは極めて少なく、しかも連続的
な曲面からなるマット面が得られる。
【００６４】このようにマット面を粗化処理することに
より、この整面されたマット面に均一にコブ付けを行う
ことができ、接着強度、ボンディングの信頼性などにお
いて、非常に優れた特性を有するＰＣＢを得ることがで
きる。また、本発明の方法によれば、穏和な条件で電解
銅箔のマット面を機械研磨しさらに化学研磨しているの
で、研磨されたマット面に研磨痕等が生じにくい。研磨
痕は、通常は過剰研磨した痕であり、この部分の電解銅
箔は、他の部分よりも薄くなっている。従って、ファイ
ンピッチ化に伴い極薄銅箔を使用する場合において、こ
うした研磨痕が形成された電解銅箔を使用すると、その
部分の配線パターンの機械的強度が低くなり、この部分
が断線などの不良の原因となり易い。本発明の方法で製
造された整面電解銅箔では、こうした過剰研磨による研
磨痕は生じないので、この整面電解銅箔を用いて製造さ
れたＰＣＢなどの配線基板では、こうした断線などによ
る不良品の発生率が著しく低下する。
【００６５】また、本発明の整面電解銅箔を用いて、絶
縁基板と積層、あるいは、絶縁基板に貼着し、レジスト
形成後、エッチング処理して配線パターンを形成する
と、形成された配線パターン（特にリード部）の上端部
の幅と下端部の幅に差が少なく、断面略矩形の配線パタ
ーンを形成することができる。即ち、従来の電解銅箔を
用いた場合には、配線パターンの上端部の幅よりも下端
部の幅が広くなり、断面形状が台形になる傾向があっ
た。しかしながら、本発明の整面電解銅箔を用いること
によりこうした傾向がなくなり断面が略矩形の配線パタ
ーンが得られる。また、この配線パターンの下端部が直
線的にエッチングされる。さらに、絶縁基板面への銅残
りも殆ど見られない。こうした特性は、例えばインナー
リードにおいても重要な特性であるが、例えば液晶素子
と電気的に接続される出力側アウターリード等において
は極めて重要な特性である。即ち、液晶素子に電気的に
接続する出力側アウターリードは、液晶のピクセルに複
数接続されており、この出力側アウターリードは非常に
リード幅が狭く、かつピッチ幅も狭く形成されている。
従って、隣接する出力側アウターリードは、隣接するリ
ードとの間で絶縁不良を起こしやすい。例えば出力側ア
ウターリードの直線性がわずかに損なわれても絶縁不良
を生ずる虞があり、また、出力側アウターリードの下端
部がわずかに上端部よりも広いと絶縁基板表面で絶縁不
良を生ずる虞があり、さらに、絶縁基板上にわずかな銅
残りが存在しても絶縁不良を生ずる虞がある。こうした
液晶素子と接続するPCB（特にＴＡＢテープ）の出力側
アウターリード部は、電子部品を実装するインナーリー
ドと同等あるいはそれ以上に高い精度で銅箔をエッチン
グする必要がある。特に、液晶素子用のＴＡＢテープの
出力用アウターリードは、絶縁基板上に積層されている
電解銅箔をエッチングして絶縁基板上に形成する必要が
あり、デバイスホール内に延出され下端面に絶縁基板が
存在しないインナーリードと比較すると、リードの断面
形状が台形になりやすく、また、絶縁基板が存在するこ
とに伴って銅残りが生じやすいことから、インナーリー
ドよりもファインピッチ化が難しいとされている。
【００６６】ところが、本発明の整面電解銅箔を使用す
ることにより、こうした出力側アウターリードのファイ
ンピッチ化が容易になる。即ち、本発明の整面電解銅箔
を使用することにより、エッチングにより形成される出
力側アウターリードの断面形状が矩形になり（上端面の
幅と下端面の幅とがほぼ同一になり）、しかも形成され
るリードの直線性が高い。また、絶縁基板表面には銅は
残存しない。本発明の整面電解銅箔が、上記のように卓
越したエッチング性を有することに関して詳細な理由は
不明であるが、機械研磨した後化学研磨することによ
り、上記のような効果が特異的に発現する。
【００６７】本発明の整面電解銅箔は、さらに、上述の
ようにマット面が非常に均一に整面され、この均一なマ
ット面を粗化処理することにより、均一に粗化処理する
ことができる。こうして均一に粗化処理を行うことによ
り、絶縁基板に対して良好な接着することができること
はもとより、こうして均一に粗化処理した上にメッキ処
理することにより、ＰＣＢにデバイスを確実に実装する
ことができる。
【００６８】このように本発明の方法により得られた整
面電解銅箔は、絶縁基板との接着性が良好であることは
勿論、デバイスの基板に対する実装歩留まりが非常に高
い。また、本発明の整面電解銅箔を用いることにより、
安定した特性を有するＰＣＢおよび多層積層ＰＣＢを得
ることができる。さらに、本発明のようにしてマット面
が整面された電解銅箔を使用して形成されたＰＣＢおよ
び多層積層ＰＣＢは、実装されるデバイスに対して非常
に高いボンダビリティー（ボンディングの信頼性）を有
している。
【００６９】
【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明をさらに
具体的に説明するが、本発明はこれによって限定される
ものではない。
【００７０】
【実施例１】シャイニイ面の平均表面粗度が１．２μｍ
であり、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ1）が３．６μ
ｍである平均厚さ１８μｍの電解銅箔（ＶＬＰ箔）を用
意した。このＶＬＰ箔のマット面の電子顕微鏡写真を図
７に示す。この電解銅箔がガイドロールを通しながら、
マット面に砥粒が酸化アルミニウムである１０００番の
バフ（角田ブラシ（株）製）を、バフの回転方向が電解
銅箔の進行方向と逆になるように配置して、第１段目の
バフの回転数１２００rpm、バフモーター電流値換算押
圧１９Ａ、ラインスピード８m/分の条件で上記ＶＬＰ箔
のマット面のバフ研磨した（第１回目の機械研磨）。
【００７１】こうして第１回目の機械研磨が終了した後
のマット面の電子顕微鏡写真を図８に示す。この第１回
目の機械研磨がされた電解銅箔に、１０００番バフを、
バフの回転方向が電解銅箔の進行方向と同じになるよう
に回転させながら、上記第１回目の機械研磨で研磨され
たマット面をバフ研磨した。この時の第２段目のバフの
回転数は１２００rpm、バフモーター電流値換算押圧は
１．６Ａ、ラインスピード８m/分である（第２回目の機
械研磨）。
【００７２】なお、上記第１のバフについて測定した無
負荷時における回転電流値は１０Ａであり、第２のバフ
について測定した無負荷時における回転電流値は１８Ａ
であった。上記のようにして、２回機械研磨した後のＶ
ＬＰ箔のマット面の電子顕微鏡写真を図９に示す。この
ようにして機械研磨されたマット面の平均表面粗度は
２．０μｍであり、機械研磨前のこの電解銅箔のマット
面の平均表面粗度に対して１８％がこの機械研磨により
研磨された。図８から明らかなように、２回の機械研磨
をしたにも拘わらず、マット面には機械研磨痕が残存し
ている。
【００７３】こうして機械研磨した後、シャイニイ面に
耐酸性樹脂を塗布してマスキングした。次いで、このシ
ャイニイ面がマスキングされた電解銅箔を、下記組成の
化学研磨液に浸漬して３０℃で５秒間、化学研磨液の循
環下に化学研磨した。 なお、上記化学研磨液は循環式化学研磨装置により、マ
ット面に常に化学研磨液とマット面とが接触するように
されている。また、この循環式化学研磨装置には、化学
研磨液と組成を自動的に分析する装置が内蔵されてお
り、この化学研磨液の組成が上記基本組成に対して５〜
１５％の変動を生じた場合に、基本組成に戻すための成
分の供給手段を有している。
【００７４】上記のようにしてマット面を化学研磨した
後、この整面された電解銅箔を水で充分に洗浄した後、
この化学研磨後の整面されたマット面の電子顕微鏡写真
を図１０に示す。このように化学研磨により、機械研磨
したマット面に見られる機械研磨痕、即ち、研磨の方向
性および機械研磨によって生ずるバリのような鋭利部な
どがほぼ完全に除去されて、全体が曲面の連続のように
なり、整面されたマット面が得られる。
【００７５】また、このようにして化学研磨されたマッ
ト面の平均表面粗度は１．５μｍであり、機械研磨した
後のこの電解銅箔のマット面の平均表面粗度に対して２
５％がこの化学研磨により研磨された。なお、こうして
機械研磨後、化学研磨して得られた整面電解銅箔の平均
厚さはゲージ厚で１６．８μｍ程度であり、この実施例
で使用した機械研磨する前の電解銅箔（ＶＬＰ箔）の平
均厚さはゲージ厚で１７．１μｍであり、電解銅箔から
の溶出銅による極端な銅のロスは見られなかった。
【００７６】次いで、こうしてマット面が整面されたＶ
ＬＰ銅箔のマット面を粗化処理した。粗化処理は、ヤケ
メッキ、カブセメッキ、ヒゲメッキからなる複数のメッ
キ工程を組み合わせて整面されたマット面にコブ付けを
行う処理であり、この実施例では以下に示す組成のメッ
キ液を用いて実施した。
【００７７】(1)ヤケメッキ 機械研磨および化学研磨によって整面されたバフ研磨し
た電解銅箔の粗面側に不溶性電極を相対して配置して以
下の条件でメッキする。 銅濃度：３〜３０g/リットル 硫酸濃度：５０〜５００g/リットル 液温：２０〜３０℃ 電流密度：２０〜４０Ａ/dm2 時間：５〜１５秒 上記のような条件によるヤケメッキにより、整面電解銅
箔の表面に粒子状の銅電着物層が析出した。
【００７８】(2)カブセメッキ 上記のようにヤケメッキをした後、以下に示す条件でカ
ブセメッキを行った。 銅濃度：４０〜８０g/リットル 硫酸濃度：５０〜１５０g/リットル 液温：４５〜５０℃ 電流密度：２０〜４０Ａ/dm2 時間：５〜１５秒 このカブセメッキによりヤケメッキにより形成された銅
電着物を覆うように、カブセメッキと呼ばれる銅薄膜が
形成された。
【００７９】(3)ヒゲメッキ さらに、このようにしてカブセメッキ処理された表面
に、以下の条件でヒゲメッキを行った。 銅濃度：５〜３０g/リットル 硫酸濃度：３０〜６０g/リットル 液温：２０〜３０℃ 電流密度：１０〜４０Ａ/dm2 時間：５〜１５秒 このメッキ条件により、ヒゲメッキと呼ばれるヒゲ状の
銅析出物が、前記カブセメッキにより形成された銅の被
覆の上に形成された。
【００８０】このようにして研磨され粗化処理が行われ
たＶＬＰ箔のマット面を電子顕微鏡で観察した。このマ
ット面の光学顕微鏡写真を図１１に示す。こうして粗化
処理がなされたマット面の平均表面粗度は２．５μｍで
ある。さらに、こうして粗化処理された粗化処理整面電
解銅箔の平均厚さ（ゲージ厚）は１７．５μｍであっ
た。従って、粗化処理によって電解銅箔の平均厚さに対
して、ほぼ９８％まで回復した。そして、原料として使
用されたＶＬＰ箔のマット面をそのまま粗化処理した図
７と、上記のようにして整面された後粗化処理された図
１１とを比較すると明らかなように、本発明の方法によ
って得られる整面電解銅箔は、例えば、上記のようにし
て機械研磨後化学研磨し、さらに粗化処理することによ
り、マット面に非常に均一に粗化処理することができ
る。
【００８１】こうして調製された粗化処理した粗化処理
整面電解銅箔の粗化処理面を防錆層を形成した。この防
錆層は、亜鉛を用いて形成した。この亜鉛による防錆処
理は、亜鉛濃度５ｇ／リットル、硫酸濃度５０ｇ／リッ
トル、液温２５℃の電解溶液を用いて、電流密度５Ａ/d
m2で８秒間の条件で行った。形成された亜鉛層の厚さ
は、非常に薄く、通常１００Å以下である。
【００８２】さらに、こうして亜鉛層を形成した後、無
水クロム酸２ｇ／リットル、ｐH値４の電解溶液を用い
て、電流密度１Ａ/dm2で5秒間、電解クロメート処理を
行った。こうしてクロメート処理したクロメート層表面
をγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランを塗布
した。このようにして得られた粗化処理整面電解銅箔
（防錆層、クロメート層、シランカップリング剤層を除
去したもの）を、スプロケットホール、デバイスホール
が形成された厚さ１２５μｍのポリイミド基板（熱硬化
性接着剤付き）の一方の面に整面したマット面がポリイ
ミド基板と対面するように配置して加熱圧着した。さら
に、この粗化処理整面銅銅箔の表面にフォトレジストを
塗布して所望の配線パターンを露光して、余剰のフォト
レジストを除去し、これをエッチング液に接触させて露
出している銅箔を除去して配線パターンを形成した。
【００８３】フォトレジストを除去した後、ボンディン
グするリードの先端を残してして配線パターンの上にソ
ルダアーレジストを塗布した。さらに、スズメッキ層を
形成して、ＰＣＢを形成した。こうして得られたＰＣＢ
は、配線パターンの断線による不良率が著しく低く、ま
た配線パターンとポリイミド基板とが安定にしかも非常
に安定に接着していた。さらに、リードの引っ張り強度
も高かった。また、形成されたリードの断面を観察した
ところ、矩形であり、さらに基板上に銅残りは見られな
かった。
【００８４】次いで、上記のようにして製造したＰＣＢ
を2枚形成し、絶縁樹脂を用いて接着した。次いで、レ
ーザーを用いて上の層と下の層との配線パターンとを貫
通するように貫通孔を形成し、無電解メッキ法により、
形成された貫通穴の内周壁に導電性金属を析出して、上
の層と下の層とを電気的に導通可能にして、さらにこう
した多層積層ＰＣＢを樹脂で封止した。
【００８５】こうして得られた多層積層ＰＣＢは、不良
率が少なく、非常に安定した特性を示した。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、通常の電解銅箔のマット面の断面図の
一例を示す断面図である。
【図２】図２は、バフ研磨をした後のマット面の状態を
示す断面図である。
【図３】図３は、バフ研磨後、化学研磨した後のマット
面の状態を示す断面図である。
【図４】図４は、バフ研磨した際の凸部の変形を模式的
に示す説明図である。
【図５】図５は、整面電解銅箔表面に粗化処理した状態
を示す模式的に示す図である。
【図６】図６は、本発明の整面電解銅箔をポリイミドフ
ィルムに貼着した状態を模式的示す図である。
【図７】図７は、本発明の方法で処理される前の電解銅
箔のマット面の例を示す電子顕微鏡写真である。
【図８】図８は、第１回目の機械研磨した後のマット面
の例を示す電子顕微鏡写真である。
【図９】図９は、第２回目の機械研磨した後のマット面
の例を示す電子顕微鏡写真である。
【図１０】図１０は、化学研磨した後のマット面の例を
示す電子顕微鏡写真である。
【図１１】図１１は、粗化処理した本発明の整面電解銅
箔のマット面の例を示す電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１１１・・・変形部（バリ） １１２・・・マット面の凸部 １２０・・・境界部 １２１・・・曲面 １０・・・基板 １２・・・接着剤 １４・・・整面電解銅箔（配線基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開2001−73188（ＪＰ，Ａ) 特開2000−200809（ＪＰ，Ａ) 特開2001−85474（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 7/06 B24B 37/00 C23F 1/18 C25D 1/04 C25D 5/48 H05K 1/09

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シャイニイ面と、平均表面粗度が２．５
    〜１０μｍの範囲内にあるマット面とを有する電解銅箔
    を、該マット面の平均表面粗度が１．５〜３．０μｍに
    なるように少なくとも１回機械研磨した後、該機械研磨
    されたマット面を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍ
    になるように選択的に化学研磨することを特徴とする整
    面電解銅箔の製造方法。
  2. 【請求項２】 上記機械研磨を２回以上行うことを特徴
    とする請求項第１項記載の整面電解銅箔の製造方法。
  3. 【請求項３】 上記化学研磨した後、該化学研磨された
    マット面に、粗化処理をすることを特徴とする請求項第
    １項または第２項記載の整面電解銅箔の製造方法。
  4. 【請求項４】 上記粗化処理した後のマット面の平均表
    面粗度が１．５〜４．０μｍの範囲内にあることを特徴
    とする請求項第３項記載の整面電解銅箔の製造方法。
  5. 【請求項５】 上記機械研磨する前の電解銅箔の平均厚
    さが５〜３５μｍの範囲内にあり、機械研磨した後の電
    解銅箔の平均厚さが４．５〜３４．５μmの範囲内にあ
    り、そして化学研磨した後の整面電解銅箔の平均厚さが
    ４〜３４μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項第
    １項または第２項記載の整面電解銅箔の製造方法。
  6. 【請求項６】 上記粗化処理した後、形成された粗化処
    理層の表面に防錆層を形成することを特徴とする請求項
    第３項記載の整面電解銅箔の製造方法。
  7. 【請求項７】 上記防錆層上に、さらにシランカップリ
    ング剤層を形成することを特徴とする請求項第６項記載
    の整面電解銅箔の製造方法。
  8. 【請求項８】 シャイニイ面と、平均表面粗度が０．８
    〜２．５μｍの範囲内にある整面されたマット面とを有
    する整面電解銅箔であり、該整面されたマット面が、平
    均表面粗度２．５〜１０μｍにある電解銅箔のマット面
    を、平均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように少
    なくとも１回機械研磨した後、該機械研磨されたマット
    面を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるように
    選択的に化学研磨することにより整面して得られること
    を特徴とする整面電解銅箔。
  9. 【請求項９】 上記化学研磨されたマット面表面に、粗
    化処理層を有することを特徴とする請求項第８項記載の
    整面電解銅箔。
  10. 【請求項１０】 上記粗化処理した後のマット面の平均
    表面粗度が１．５〜４．０μｍの範囲内にあることを特
    徴とする請求項第９項記載の整面電解銅箔。
  11. 【請求項１１】 上記機械研磨する前の電解銅箔の平均
    厚さが５〜３５μｍの範囲内にあり、機械研磨した後の
    電解銅箔の平均厚さが４．５〜３４．５μmの範囲内に
    あり、そして、化学研磨した後の整面電解銅箔の平均厚
    さが４〜３４μｍの範囲内にあることを特徴とする請求
    項第８項記載の整面電解銅箔。
  12. 【請求項１２】 上記粗化処理層の表面に防錆層を有す
    ることを特徴とする請求項第９項記載の整面電解銅箔。
  13. 【請求項１３】 上記防錆層上に、さらにシランカップ
    リング剤層を有することを特徴とする請求項第１２項記
    載の整面電解銅箔。
  14. 【請求項１４】 シャイニイ面と、平均表面粗度が０．
    ８〜２．５μｍの範囲内にある整面されたマット面とを
    有する整面電解銅箔であり、該整面されたマット面が、
    平均表面粗度２．５〜１０μｍにある電解銅箔のマット
    面を、平均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように
    少なくとも１回機械研磨した後、該機械研磨されたマッ
    ト面を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるよう
    に化学研磨することにより得られる整面電解銅箔から形
    成された配線パターンを絶縁基板表面に有することを特
    徴とするプリントサーキットボード。
  15. 【請求項１５】 前記整面電解銅箔の化学研磨されたマ
    ット面が粗化処理されていることを特徴とする請求項第
    １４項記載のプリントサーキットボード。
  16. 【請求項１６】 シャイニイ面と、平均表面粗度が０．
    ８〜２．５μｍの範囲内にある整面されたマット面とを
    有する整面電解銅箔であり、該整面されたマット面が、
    平均表面粗度２．５〜１０μｍにある電解銅箔のマット
    面を、平均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように
    少なくとも１回機械研磨した後、該機械研磨されたマッ
    ト面を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるよう
    に化学研磨することにより得られる整面電解銅箔から形
    成された配線パターンを有する基板が２層以上積層され
    てなり、かつ該積層された基板が厚さ方向に電気的に接
    続可能にされていることを特徴とする多層プリントサー
    キットボード。
  17. 【請求項１７】 前記整面電解銅箔の化学研磨されたマ
    ット面が粗化処理されていることを特徴とする請求項第
    １６項記載の多層プリントサーキットボード。
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