CN1198488C - 经表面加工的电沉积铜箔及其制造方法和用途 - Google Patents
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Abstract
制造表面经加工的电沉积铜箔的方法,其步骤是对电沉积铜箔的平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光,使其平均表面粗糙度(Rz)成为1.5-3.0μm;然后对已经过机械抛光的毛面再进行选择性化学抛光,使毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为0.8-2.5μm。本发明还提供用上述方法制造的电沉积铜箔以及用所述电沉积铜箔制造的印刷电路板和多层印刷电路板。这些电沉积铜箔、印刷电路板和多层印刷电路板的性能很佳。
Description
技术领域
本发明一般涉及一种表面经过加工的电沉积铜箔,其毛面,即完成铜沉积的那个表面经过至少一次机械抛光,然后对此经机械抛光的毛面进行选择性的化学抛光,如此实现对其的加工。本发明还涉及其制造方法和表面经加工的电沉积铜箔的用途,例如用作印刷线路板。
背景技术
近年来,电子设备(如笔记本尺寸的个人用计算机)的尺寸和重量正日益减小。因此集成电路(IC)线路图案也日益精细化。
就使用在这种电子设备的底材上形成的布线图案来说,引线宽度现已细至十几微米(μm)。据此,构成布线图案的金属箔就需更薄。具体地说,由于用于形成引线宽度约100μm的通常布线图案的金属箔的指定厚度为15-35μm,与布线图案的宽度相对应,则用于形成十几微米(μm)布线图案的金属箔的厚度必须相应减小。
例如,铝箔或铜箔可用作形成上述布线图案的金属箔,以采用铜箔特别是电沉积铜箔为宜。
用于形成上述布线图案的电沉积铜箔是在转鼓的表面上将铜电沉积上去制成的。对于这样制备的电沉积铜箔,其铜沉积开始的那个面即与转鼓接触的铜沉积物形成开始的那个表面称为“光面(shiny side)”,而铜沉积结束的那个面称为“毛面”。光面的表面情况基本上与转鼓表面相同。即是说,在转鼓的ISO 4287中规定了10点平均表面粗糙度(Rz)大约1.2-2.5μm,电沉积铜箔光面的10点平均表面粗糙度与其近似相同。另一方面,其毛面的表面粗糙度大于光面,其10点平均表面粗糙度虽视铜的铜沉积条件和厚度而异,但一般大约2.5-10μm。常规的电沉积铜箔标称厚度大约35μm,其毛面的表面粗糙度很少引起问题。但对于厚度为十几微米(μm)的电沉积铜箔,其毛面的表面粗糙度相当于电沉积铜箔整个厚度的百分之数十,毛面的这种情况对所形成的布线图案以及线路板本身的电性质有很大影响。人们已知,例如机械抛光、化学抛光和电解抛光均可用来对铜箔的表面状态进行加工。机械抛光是采用例如抛光轮使铜箔表面光滑的方法。当对薄铜箔使用机械抛光时,铜箔可能因在其上面作用的机械应力而破坏,因此机械抛光适合于对较厚铜箔进行表面加工。另一方面,化学抛光和电解抛光与机械抛光不同,不会在铜箔上产生机械应力,故即使薄铜箔也不致破坏。因此一向认为,化学抛光和电解抛光适合于较薄铜箔的表面加工。
例如,日本专利(未审查)公开平成5-160208提示了一种具有由电沉积铜箔形成的引线图案的带式托架,对电沉积得到的整个毛面进行了加工。它揭示了在形成60-80μm线距的引线图案时,使用的是一种电沉积铜箔,其毛面的1-2μm厚度被化学抛光除去,从而完成毛面的加工。使用于该装置的电沉积铜箔在抛光后的厚度为18-30μm,该专利申请指出,使用整个毛面经化学抛光的铜箔,可以提供具有所需引线强度的可靠性很高的托架带。
然而,上面专利所述的铜箔化学抛光,虽然能以较大的选择性浸蚀掉毛面的凸起部位,从而实现抛光作用,但也引起毛面凹陷部位铜的浸蚀。因此,整个铜箔在这种化学抛光过程中会减薄。所以适应近来使用精细线距而采用薄的电沉积铜箔,例如厚度为35μm(1盎司)或17.5μm(1/2盎司)乃至更薄的电沉积铜箔,当化学抛光达到所需表面状态的程度时,其整个厚度都会变薄到布线图案或引线机械的强度很差的地步。而且这种化学表面抛光会产生问题,即难以控制化学抛光的反应条件使得毛面受到均匀处理。化学抛光的这类问题同样存在于涉及浸出铜的电解抛光中。
在这方面,日本专利申请公开(未审查)平成3-296238揭示了一种制造具有由未经处理的铜箔形成的布线图案的TAB带的方法。所用未经处理的铜箔,其平均表面粗糙度据称为0.01-1μm。
然而在该专利申请中所述的那种平均表面粗糙度(Rz)为0.01-1μm的未经处理的铜箔是轧制铜箔。这种未经处理的轧制铜箔的表面粗糙度太低,无法确保满意的剥离强度(结合强度)。因此,就得需要对铜箔预热或增加辊筒的直径,在轧制铜箔的表面上形成一层氧化亚铜覆盖薄膜。这又带来了工艺繁复的问题。而且使用轧制铜箔也难以形成极细线距,例如从30μm至小于60μm线距宽度的布线图案。
又进一步,日本专利未审查公开平成9-195096揭示了一个涉及印刷线路板用电沉积铜箔的发明,该电沉积铜箔毛面的表面粗糙度(Rz)在结节化处理(nodulating treatment)前不大于1.5μm,而在结节化处理后为1.5-2.0μm。据称能够制造这种电沉积铜箔的方法包括将电沉积铜箔的毛面抛光到其在粗糙化处理前的表面粗糙度(Rz)为1.5μm或更小,然后对毛面进行粗糙化处理使其表面粗糙度(Rz)成为1.5-2μm。
然而,如公开专利申请中所述,一次性对电沉积铜箔进行抛光的话,会在抛光表面上引起条纹。这些条纹是由于抛光比预定得深的缘故。若用的是常规的厚电解铜箔,有某些条纹不会产生什么问题。但这些条纹部位表明,该处的铜受到过度的抛光,所以若使用的是薄铜箔,条纹部位的深度就很大。这样就很可能成为出毛病的原因,例如在布线图案等的这些部位极有可能产生开路现象。此外,在进行这种抛光时,在铜箔表面沿抛光旋转方向上的凸起部位作用着应用,结果铜箔的这些凸起部位可能沿抛光旋转方向发生变形。在产生了这些变形凸起部位的经抛光铜箔上,难以进行均匀的粗糙化处理,而粗糙化处理不均匀会产生问题,使与绝缘膜的层叠、蚀刻的均匀性、结合可靠性等方面的变差。这些问题容易发生,特别当薄电沉积铜箔机械抛光时。
由上述可见,常规应用于电沉积铜箔毛面抛光的一切机械抛光、化学抛光、电解抛光方法对于抛光形成线距为100μm或更宽的线路图案的电沉积铜箔是很有用的。但若只采用一次上述常规的抛光方法来抛光用于制造线距正成为数十微米(μm)乃至更小的印刷线路板的电沉积铜箔的毛面,则极有可能使生成的布线图案很脆,因为难以提供性能可靠的印刷线路板。
发明内容
本发明一个目的是提供特别适合于制造线距精细的印刷线路板的电沉积铜箔,并提供制造这种电沉积铜箔的方法。
本发明另一个目的是提供一种其毛面经过加工的电沉积铜箔,该加工是通过用多次在极温和条件下进行不同的抛光操作代替一次性抛光操作,从而获得加工非常均匀的毛面,并提供制造这种电沉积铜箔的方法。
本发明的其它目的是提供采用上述其表面加工非常均匀的电沉积铜箔制造的质量稳定的印刷线路板,而且提供由这些印刷线路板的层叠物构成的多层层叠印刷线路板。
按照本发明制造表面经加工的电沉积铜箔的方法包括以下步骤:
对具有一个光面和一个平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm的毛面的电沉积铜箔进行至少一次机械抛光,使得毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为1.5-3.0μm;
对已接受机械抛光的毛面再进行选择性的化学抛光,使得毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为0.8-2.5μm。
本发明其表面经加工的电沉积铜箔,具有一个光面和一个平均表面粗糙度(Rz)为0.8-2.5μm的经加工的毛面,上述经加工的毛面,是对电沉积铜箔的平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面再进行选择性的化学抛光使其平均表面粗糙度(Rz)成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。
本发明的表面经过加工的电沉积铜箔,其经过加工的毛面的表面上最好提供一个粗糙化层。在此粗糙化层的表面上最好再有一个防腐蚀层,而在此防腐蚀层上最好又有一个硅烷偶合剂层。
本发明的印刷线路板包含一块绝缘底材,其上面备有由表面经过加工的电沉积铜箔形成的布线图案,该表面经加工的电沉积铜箔具有一个光面和一个平均表面粗糙度(Rz)为0.8-2.5μm的经加工的毛面,此经加工的毛面,是对电沉积铜箔的平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面再进行化学抛光使其平均表面粗糙度(Rz)成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。
本发明的多层印刷线路板包含许多给定厚度的印刷线路板的层叠物,这些板在层叠物厚度的方向上能够相互电连接,每块板的一个表面上备有由表面经过加工的电沉积铜箔形成的布线图案,该表面经过加工的电沉积铜箔具有一个光面和一个平均表面粗糙度(Rz)为0.8-2.5μm的经加工的毛面,此经加工的毛面是对电沉积铜箔的平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面再进行化学抛光使其平均表面粗糙度(Rz)成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。
在本发明中,表面经过加工的电沉积铜箔最好是其毛面上的锐利边缘(sharp edges)通过至少一次机械抛光后的化学抛光被基本上去除掉。
用来形成印刷线路板或多层印刷线路板的表面经过加工的电沉积铜箔,最好是对其经化学抛光的毛面再进行粗糙化处理。
在本发明中,一块敷铜箔层叠物包括一片底材和层叠在底材上面的其表面经过加工的电沉积铜箔。
在电沉积铜箔的毛面上存在着大量的不平坦地方,其中,例如凸起部位的高度和凹陷部位的深度是不固定的。毛面的表面状态通常用平均表面粗糙度(Rz)表示。如后所述,平均表面粗糙度(Rz)是构成毛面表面的凹陷部位深度和凸起部位高度的平均值。因此,在具有一给定平均表面粗糙度Rz的毛面上,存在着许多其最大粗糙度(Rmax)比平均表面粗糙度(Rz)大的凸起部位。在按本发明制造表面经过加工的电沉积铜箔的第一步骤中,主要是凸起部位的顶部被机械抛光机械地除去。因而毛面此时已主要不存在凸起部位的顶部。在此机械抛光过程中,在要被抛光的部位作用着应力,使得例如图4(a)所示,凸起部位112的顶部被除去。结果,就不可避免地产生了方向性,沿着该方向施加着机械抛光应力。例如,试看图4,当凸起部位的顶部被旋转抛光轮抛光时,在与抛光轮旋转的相同方向上对凸起部位112的顶部施加着应力。结果如图4(b)所示,旋转抛光轮首先接触的凸起部位比与旋转抛光轮后来接触的面较容易抛光。而且在凸起部位112的顶部被研磨时,沿着应力施加的方向稍微有些变形,因而被抛光的凸起部位的上部会经受对应于旋转抛光轮等施加的应力的形变。例如试看图4(b),凸起部位会沿抛光轮旋转的方向变形,结果是在应力作用方向的下游形成了搁板形状的形变111。
由上可见,机械抛光过程中产生了应力,因而不可避免地伴有方向性。而且在本发明的过程中,通过机械抛光主要抛光并除去毛面凸起部位的顶部,而不是对毛面的整个表面进行抛光使其成为镜面。不同的是,从获致其与绝缘底材表面稳定结合的观点来看,毛面表面以不完全光滑为宜。因此在本发明中,主要是对凸起部位的顶部进行机械抛光。然而试看图4(b),机械抛光过程在经抛光的部分和未经抛光的部分之间形成了边缘120。当毛面直接进行以后的粗糙化处理时,在经抛光的部分和未经抛光的部分之间,被粗糙化的状态会不同。
因此在本发明中,试看图4(c),对已经承受上述机械抛光的毛面进一步进行化学抛光,从而除去那些使表面变化不连续的抛光边界120,取而代之产生倒圆的弯曲表面121。而且,在机械抛光之后的化学抛光还能校正抛光表面因机械抛光应力产生的方向性。
附图说明
图1是常规电沉积铜箔毛面一种形式的剖面示意图。
图2是经过机械抛光后毛面状态的剖面示意图。
图3是经过机械抛光和以后的化学抛光的毛面状态的剖面示意图。
图4(A)至(C)是在机械抛光时产生的凸起部位形变和化学抛光后的示意图。
图5是经表面加工的电沉积铜箔经过粗糙化处理后状态的示意图。
图6是本发明其表面经加工的电沉积铜箔与聚酰亚胺膜层叠后的示意图。
图7是电沉积铜箔在进行本发明加工前其毛面一种形式的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图8是电沉积铜箔的毛面在经过第一次机械抛光后一种形式的SEM照片。
图9是电沉积铜箔的毛面在经过第二次机械抛光后一种形式的SEM照片。
图10是毛面经过化学抛光后一种形式的SEM照片。
图11是其表面按照本发明进行了加工并经粗糙化处理后的电沉积铜箔毛面一种形式的SEM照片。
具体实施方式
表面经本发明方法加工的电沉积铜箔,连同其制造方法,在下面将结合附图进行详述。在这些图中,相同的数字用来表示相同或对应的部份,如果可能的话。
在进行本发明机械抛光前的电沉积铜箔一般具有平均测量厚度5-35μm,其毛面平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm,宜为3-8μm。即使是表面粗糙度小的电沉积铜箔,其毛面的平均表面粗糙度(Rz)也仍有大约3-7μm。具有这种平均表面粗糙度(Rz)的铜箔的例子包括VLP箔(平均表面粗糙度(Rz):3-5μm)和HTE铜箔(平均表面粗糙度(Rz):4-7μm)。
图1是一块平均测量厚度(gauge thickness)(T0)为18μm,平均表面粗糙度(Rz0)为3.6μm的电沉积铜箔(18μm厚电沉积铜箔)的毛面通常表面状态的剖面示意图。图2是电沉积铜箔经一次机械抛光使其具有的平均表面粗糙度(Rz1)为2.0μm后的剖面示意图。图3是电沉积铜箔经化学抛光使其毛面具有平均表面粗糙度(Rz2)为1.5μm并具有圆形形状的剖面示意图。图7是18μm厚电沉积铜箔在抛光前毛面状态的SEM照片。
在图1至图3中,“M面”指电沉积铜箔的毛面,“S面”表示电沉积铜箔的光面。试看图1,毛面的平均表面粗糙度(Rz)一般用毛面的10点平均表面粗糙度(Rz)来表示。如ISO 4287所示,10点平均粗糙度(Rz)是在毛面上许多个点测出的由凹陷部位的底部至凸起部位顶部的指明距离中选出的5个最大值和5个最小值的这10点的平均值。在毛面上形成的不平度是不均匀的。即使在平均表面粗糙度(Rz0)为3.6μm的电沉积铜箔上,由最深的凹陷部位底部直到最高的凸起部位顶部的距离(C0)可达到约5μm。
在本发明中,试看图2,机械抛光主要是抛光除去毛面的凸起部位的顶部。机械抛光后电沉积铜箔的平均测量厚度为4.5-34.5μm。该机械抛光可使电沉积铜箔毛面的平均表面粗糙度(Rz1)一般降至1.5-3.0μm,较好是1.8-2.5μm。
机械抛光所用的设备例如可是旋转的抛光轮。
具体地说,在会要抛光的电沉积铜箔通过一些导向辊的同时,将旋转着的抛光轮顶着其毛面以进行抛光。
在此抛光时,抛光轮按一个单一的方向旋转,其转速一般为100-1500rpm,宜为1000-1300rpm,藉以进行预定的机械抛光。若抛光轮的转速小于100rpm,会使要抛光的毛面很难抛光得均匀。另一方面,若转速比1500rpm大很多的话,抛光轮的转动会不稳定,使得电沉积铜箔可能破损。
虽然在抛光时抛光轮作用于被抛光的电沉积铜箔上的压力可以适当调节,以避免电沉积铜箔的破损并同时避免对毛面的过度抛光,但通常最好是以抛光轮马达电流值计的抛光压力设定在10.1-30A(无负载时该抛光马达的电流值约为10A,所以抛光马达以电流值计的抛光实际压力(以电流值计的实际压力)一般约为0.1-20A),以电流值计的实际压力更好为13-18A。当以电流值计的实际压力小于0.1A时,要不是电沉积铜箔的抛光效果很差,就是抛光所需的时间拖得很长。另一方面,若以电流值计的实际压力超过20A,电沉积铜箔的破损时常见到。
当电沉积铜箔用上述旋转抛光轮进行机械抛光时,被抛光的铜箔移动的速度即线速度一般设定在3-15米/分的范围。这个线速度会影响机械抛光的均匀性。若线速度出了这个范围,机械抛光的均匀性很可能变差。
例如使用抛光轮进行上述的机械抛光时,所采用的抛光材料的类型没有什么特别限制。可以使用例如大约800至3000号的抛光轮,其上粘结着氧化铝。
在本发明方法中,虽然一次机械抛光已是满意的,但最好进行至少两次机械抛光。原因如下。因为在机械抛光时,电沉积铜箔的毛面是用例如旋转抛光轮与毛面进行接触进行抛光的,所以沿着抛光轮旋转方向和电沉积铜箔的运动方向会产生相对的机械抛光方向性。故而一次机械抛光会引起例如凸起部位沿抛光方向(抛光轮旋转方向)的形变。在毛面上产生的机械抛光方向性可以在一定程度上借助在第一次抛光后进行与毛面表面接触的与第一次抛光方向相反的第二次机械抛光来改正。进行许多次机械抛光来代替一次性机械抛光有可能减少每次机械抛光的抛光量。所以每次旋转抛光轮的压力可以设定得较低,从而不仅被抛光的电沉积铜箔破损的可能性降低,而且每次机械抛光操作时抛光方向性的出现也受到抑制。
当机械抛光操作这样分几次进行时,每次抛光的条件应比上一次更加温和。当使用旋转抛光轮,第二次抛光的旋转方向最好与第一次相反。而且若采用许多次旋转抛光(包括第三次、第四次等)的话,某一次抛光的旋转方向最好与前一次的相反,而抛光轮粒度宜等于或小于前一次抛光时使用的。
采用许多个旋转抛光轮进行电沉积铜箔毛面的上述抛光,条纹的出现就受到抑制。这些条纹是归因于铜箔的过度抛光。以这样方式进行不产生条纹的抛光就不仅防止了由表面经过加工的电沉积铜箔形成的布线图案机械强度的降低,而且抑制了这种布线图案的导电故障和其它故障。
上述的机械抛光选择性地将毛面凸起部位的较高顶部抛光除去。例如,进行的抛光使得图1的C0=5μm减小至如图2中的C1=2.5-3.2μm,即机械抛光使得C1相对于表面抛光前的C0减小了17-36%。将这样进行的机械抛光的程度用平均表面粗糙度(Rz)衡量,机械抛光达到的平均表面粗糙度(Rz)为1.5-3.0μm,最好为1.8-2.5μm。例如就图1的电沉积铜箔而言,其原来的平均表面粗糙度(Rz0)为3.8μm,则机械抛光会将该值减小到2.0μm的平均表面粗糙度(Rz1),如图2所示。即机械抛光将平均表面粗糙度(Rz)降低17-47%。
在本发明中,如前所述,毛面宜进行最少两次机械抛光。当进行至少两次机械抛光时,各次机械抛光的总抛光量为如上所述。
图8是18μm厚电沉积铜箔(其毛面的SEM照片如图7所示)的毛面经过一次机械抛光后的SEM照片。图9是毛面经过一次机械抛光后再经过第二次机械抛光后的SEM照片,在第二次抛光时抛光轮的旋转方向与第一次抛光时的相反。
在本发明中,电沉积铜箔的毛面至少进行一次机械抛光,然后使经过机械抛光的毛面进行化学抛光。
作为对经过机械抛光的毛面进行化学抛光的溶液,可以使用例如,硝酸/硫酸/盐酸溶液(光亮浸渍液)、向光亮浸渍液添加铬酸的溶液、硝酸型溶液、磷酸型溶液、铬酸型溶液、硫酸型溶液、过氧化氢型溶液、硫酸/过氧化氢型溶液、氯化铜型溶液、氯化铁型溶液、过硫酸铵型溶液和氨/碱型溶液。
可采用于本发明的抛光溶液的具体例子在下面指出。下列抛光溶液的各组分比例对该抛光溶液是有代表性的。
(1)硝酸 200体积份
硫酸 400体积份
盐酸 2体积份
水 300体积份
(2)硝酸 320体积份
硫酸 640体积份
盐酸 10体积份
水 640体积份
(3)硝酸 20-80体积份
硫酸 20-80体积份
盐酸 0.1-10体积份
铬酸 5-200体积份
水 适量
(4)磷酸 30-80体积份
硝酸 5-20体积份
冰醋酸 10-50体积份
水 适量
(5)磷酸 500体积份
硝酸 200体积份
冰醋酸 50体积份
盐酸 5体积份
水 300体积份
(6)磷酸 40体积份
硝酸 15体积份
盐酸 1.5体积份
水 48体积份
硝酸铵 90重量份
(7)磷酸 45-60体积份
硝酸 8-15体积份
硫酸 15-25体积份
水 10-20体积份
(8)铬酸 450重量份
硫酸 125体积份
盐酸 5体积份
冰醋酸 75体积份
水 200体积份
(9)重铬酸钠 70-120重量份
硫酸 100-200体积份
苯并三唑 2-40重量份
水 适量加入至1000体积份
(10)过氧化氢 100摩尔/升
硫酸 2摩尔/升
饱和醇 少量
(11)过氧化氢 100摩尔/升
氢氟酸 2摩尔/升
饱和醇 少量
(12)过氧化氢 100摩尔/升
硝酸 2摩尔/升
饱和醇 少量
(13)硝酸 40体积份
氯化亚铜 3重量份
冰醋酸 60体积份
重铬酸钾 5重量份
水 适量
(14)(NH4)3S2O2等,按NH3计 8.2-9.5N
Cu 150-180克/升
纯水 余量
此外,商业上可购的抛光溶液有以下例子:
(15)(MEC Inc.生产的抛光溶液)
DI(去离子)纯水 60.7w/w%
硫酸(62.5%) 22.2w/w%
过氧化氢(35%) 16.1w/w%
Mec Power Etching HE 700(商品名) 1w/w%
(16)(Meltex Inc.生产的抛光溶液)
Melpolish CU-67(商品名) 100克/升
Melpolish CU-78B(商品名) 50毫升/升
硫酸(98%) 75毫升/升
DI纯水 余量
(17)(Shipley Inc.生产的抛光溶液)
Chempolosh 151 L-2(商品名),销售的商品就作抛光溶液用
只要适当设定将这些化学抛光溶液与电沉积铜箔的毛面接触的条件,例如接触时间和搅拌条件,这些化学抛光溶液就能从毛面上抛光除去所需量的铜。
例如,将经过机械抛光的毛面浸入通常温度的上述化学抛光溶液(1)(光亮浸渍液)10-30秒,毛面的表面就会转变为所需的一种抛光状态。也可以将经过机械抛光的毛面浸入50-80℃的上述化学抛光溶液(3)2-6分钟,毛面的表面就会转变为所需的一种状态。一般而言,在含有硝酸/硫酸/盐酸的抛光溶液(如光亮浸渍液)中,反应激烈,所以浸入室温或室温附近的该液中较短时间,即可达到一给定化学的抛光效果。而若采用的是磷酸基的溶液,则需要将机械抛光过的毛面与经通常温度或更高温度温热(加热)的该抛光溶液接触较长的时间,例如一至数分钟。
例如试看图3,将经机械抛光的毛面与上述任何一种化学抛光溶液按上述方式接触,其表面都可以抛光得几乎很均匀。而且例如,在机械抛光时由于接触面积大而形成的搁板形部分基本上完全除去。而且,这些化学抛光溶液均匀地接触着毛面的整个表面。并能渗透到那些例如旋转抛光轮在机械抛光时未能接触的部分。结果,整个经机械抛光的毛面表面就按照其与化学抛光溶液接触的表面积进行着化学抛光。
因此,经过化学抛光操作的表面显示整体上连续的缓和倾斜的曲面形状,如图3所示。例如,当化学抛光之后继以粗糙化处理,整个毛面表面就可获得均匀的处理。
在本发明的化学抛光操作中,是要令化学抛光溶液与经机械抛光的毛面进行选择性接触的,即不拟对光面进行化学抛光。因此通常在令经机械抛光的毛面与化学抛光溶液接触以前,要用例如一种防酸树脂对光面进行掩蔽,由此保护光面免受化学抛光。然而,若需要对光面化学抛光的话,就不进行掩蔽,使得光面和毛面能同时被化学抛光。经过化学抛光从而对其表面加工后的电沉积铜箔的平均测量厚度为4-34μm。
上述的化学抛光实现着对整个毛面表面的抛光。例如,可进行抛光使得图2所示的C1=3.2μm降至图3所示的C2=2.6μm。即是说,化学抛光产生的C2(参见图3)相对于表面抛光前的C0(参见图1)减小了20%。因此作为前一步操作的机械抛光产生的C1相对于C0减小了36%,作为机械抛光之后的化学抛光操作产生的C2相对于C1减小了48%。在用化学抛光改变的表面粗糙度来评价如此进行的化学抛光达到的抛光程度时,平均表面粗糙度(Rz)变成0.8-2.5μm,较好为1.0-1.8μm。例如,图1电沉积铜箔原来的平均表面粗糙度(Rz0)是3.6μm,机械抛光将其降至平均表面粗糙度(Rz1)为2.0μm(图2)。因此机械抛光将平均表面粗糙度(Rz)减小了47%。化学抛光将其降至平均表面粗糙度(Rz2)为1.5μm(图3)。因此化学抛光使平均表面粗糙度(Rz2)相对于经机械抛光的毛面的平均表面粗糙度(Rz1)减小了60%。
此外,由于在机械抛光后进行了化学抛光,在机械抛光时形成的搁板形部分被选择性地化学抛光掉。因此,整个毛面的表面呈连续的缓和倾斜的曲面形状。所以在化学抛光后通常进行的粗糙化处理过程中,毛面的整个表面得以受到均匀的处理。
图10是18μm厚电沉积铜箔的毛面经过两步机械抛光并经过随后的上述化学抛光以后的SEM照片。
假设在机械抛光前电沉积铜箔的平均厚度为100%,其毛面按照本发明经过机械抛光和随后的化学抛光后,该18μm厚电沉积铜箔的平均厚度(测量厚度)为90-97%,在较佳情况下为94-96%,以抛光前的平均厚度为100%计。这些数值表明,电沉积铜箔的毛面变成连续的平缓倾斜的曲面形状,并且考虑到抛光前毛面的平均表面粗糙度(Rz1),整个电沉积铜箔的厚度并无明显的改变。即是说,毛面上凸起部位的最顶点通过按照本发明的机械抛光及以后的化学抛光被研磨除去,而且机械抛光时产生的条纹,例如在经机械抛光的表面经常看到的尖锐条纹,在化学抛光时会被除去。因此采用本发明方法,机械抛光继以化学抛光,抛光时通常出现的电沉积铜箔强度的显著下降是不会发生的,即使使用的是极薄的电沉积铜箔(例如,平均厚度12-18μm)也是如此。
在本发明中,电沉积铜箔的毛面经过机械抛光以及其后的化学抛光的加工后,此毛面最好要进行粗糙化处理,如图5所示。
这种处理在经上述加工的毛面上附着上许多细小铜粒。在此处理中,采用不同条件下进行的电镀技术组合,在经加工的毛面上形成许多细小铜粒。
为了在加强铜箔与绝缘底材的附着的同时,又能保持其受蚀刻性能,铜箔经机械抛光后的表面应受到处理使其具有1.5-4.0μm,较好1.5-3.5μm,更好是1.5-2.5μm的平均表面粗糙度(Rz)。机械抛光操作加上以后的化学抛光操作可以对毛面进行均匀的抛光,所得均匀抛光的表面得以实现细小铜粒高密度的均匀电沉积。
这种处理依次包括燃烧电镀、密封电镀和须晶电镀,这一电镀操作序列例如可在以下条件下进行。
(1)燃烧电镀
将一个不溶电极安装在电沉积铜箔经过机械及随后化学抛光的毛面的对面,在下列条件下进行电镀:
铜浓度:3-30g/l
硫酸根浓度:50-500g/l
溶液温度:20-30℃
电流密度:20-40A/dm2
时间:5-15秒
通过这些条件下的电镀,在电沉积铜箔经抛光加工的毛面上,形成了一层称为“燃烧镀层”的粒状铜的电沉积物。
(2)密封电镀
继而,将经过上述燃烧电镀的表面在下列条件下进行密封电镀:
铜浓度:40-80g/l
硫酸根浓度:50-150g/l
溶液温度:45-55℃
电流密度:20-40A/dm2
时间:5-15秒
通过在这些条件下进行的电镀,在上述粒状铜电沉积物层上覆盖了称为“密封镀层”的铜薄膜。
(3)须晶电镀
然后,将经过上述密封电镀的表面在下列条件下进行须晶电镀:
铜浓度:5-30g/l
硫酸根浓度:30-60g/l
溶液温度:20-30℃
电流密度:10-40A/dm2
时间:5-15秒
通过在这些条件下进行的电镀,在经过上述密封电镀形成的铜覆盖膜的上面,形成了称为“须晶镀层”的须晶状铜沉积物。
图11是厚18μm电沉积铜箔的毛面经过上述处理后的SEM照片。
上面只是粗糙化处理的一个例子,所需的结节化效果可以用其它常用的粗糙化处理条件来实现。
电沉积铜箔的经上述粗糙化处理的毛面,最好还进行钝化处理。这个钝化过程是将一种比铜在电化学上更贱的金属(如锌或铬)电镀到经上述处理的表面上。例如,在经处理的表面上形成一薄层对铜腐蚀具有保护性质的金属镀层。
具体地说,例如,锌基和/或铬酸盐基的钝化可以用一系列操作来实现,这一系列操作包括对其毛面经过上述机械抛光和随后的化学抛光的电沉积铜箔进行处理,使经处理的电沉积铜箔通过一个镀锌浴,再进行铬酸盐化处理。
锌处理的可用条件例如如下。
在锌处理中,将经加工的毛面在例如锌浓度5g/l和硫酸根浓度50g/l的25℃电镀溶液中以5A/dm2的电流密度进行镀锌,时间为8秒。
在形成了锌镀层以后,对锌镀层的表面再进行铬酸盐化处理。
该铬酸盐化处理如下进行:例如在铬酸酐浓度为2g/l,pH为4的电解质溶液中以1A/dm2的电流密度进行电解,时间5秒。经过上述铬酸盐化处理的表面最好用一种硅烷化合物(如γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷)作为硅烷偶合剂进行涂覆,由此得到硅烷偶合剂层。
例如,当上述18μm厚电沉积铜箔经过上述机械抛光、化学抛光、粗糙化处理、钝化和铬酸盐化处理后,所得的电沉积铜箔的平均厚度(测量厚度)一般为16-20μm,较好是17-19μm。
本发明的电沉积铜箔(最好是其表面经过加工和粗糙化处理的)在经过粗糙化处理后又经钝化与铬酸盐化处理后,其平均厚度为5-35μm,最好为12-25μm。假设电沉积铜箔在表面加工前的平均厚度为100%,则经表面加工(最好是经表面加工和粗糙化处理)后电沉积铜箔的平均厚度一般是90-97%,最好是94-96%。这表明铜的抛光损失量不大。此外,经表面加工和处理(在抛光后经粗糙化处理)的厚18μm电沉积铜箔的毛面的平均表面粗糙度(Rz)一般为1.0-3.0μm,较好为2.0-2.5μm。例如,在通过粘合剂层与绝缘性膜粘合时,可以在它们之间获得又高又非常均匀的粘合强度。
机械抛光加上以后的化学抛光不仅能对毛面的凸起部位选择性地抛光,而且在毛面的整个表面形成一系列平缓倾斜的曲面形状。在这个经抛光表面上可以进行极其均匀的粗糙化(结节化)处理。
在本发明方法中,电沉积铜箔的毛面经受选择性的机械抛光和随后的化学抛光。在化学抛光时,通常要将光面(其平均表面粗糙度大约1.2-2.5μm)掩蔽起来,避免其表面粗糙度由于抛光时而发生变化。
印刷线路板的制造,可以是将一块底材与如上制造的其表面经加工的电沉积铜箔,最好是其表面经加工与经粗糙化处理的电沉积铜箔层叠起来。然后施加一层光敏抗蚀剂层来进行掩蔽,随后将多余的铜浸出掉,由此在底材上形成布线图案。
即是说,在本发明的印刷线路板中,由表面经加工(最好是经加工且粗糙化处理)的电沉积铜箔形成的布线图案位于绝缘底材的表面上。表面经加工的电沉积铜箔是上述的电沉积铜箔,它具有一个光面和一个经加工的毛面,该毛面具有0.8-2.5μm的平均表面粗糙度(Rz),上述加工的毛面是对电沉积铜箔的平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光,使毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面再进行选择性的化学抛光,使其平均表面粗糙度(Rz)成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。
在图6中,本发明的印刷线路板包括绝缘底材10和叠置在其至少一个面上的布线图案14。此布线图案的形成,可以是先对绝缘底材采用粘合剂或不用粘合剂层叠上一层表面经加工(最好是经加工和处理)的电沉积铜箔,然后对铜箔进行蚀刻形成所需的图案。在将表面经加工(最好是经加工和处理)的电沉积铜箔与绝缘底材层叠时,铜箔的经加工毛面应对着绝缘底材。
绝缘底材10与表面经加工(最好经加工和处理)的电沉积铜箔的层叠,是在两者之间使用或不使用热固性粘合剂12的情况下进行相互热压而完成的。
各种底材(如玻璃增强的合成树脂底材和纸张增强的合成树脂底材)可以用作本发明的绝缘底材10。所用的绝缘底材从其尔后在蚀刻时会接触的酸等物质的角度看,应具有耐化学性,以确保免受化学溶液的侵蚀。而且,绝缘底材还应具有抗热性,以确保免受在对装置等热压粘合时因受热而损坏。可以由各种树脂制造绝缘底材,例如玻璃增强的环氧树脂、BT(双马来酰亚胺三嗪)、聚酯、聚酰胺、氟树脂(如特氟隆(商品名))、液晶聚合物和聚酰亚胺。特别是在本发明中要使用柔性绝缘底材的场合,宜用聚酰亚胺为材料的绝缘底材膜。
构成绝缘底材10的聚酰亚胺膜可以用例如由苯均四酸二酐和一种芳族二胺合成的全芳族聚酰亚胺或者由联苯四羧酸二酐和一种芳族二胺合成的具有联苯骨架的全芳族聚酰亚胺制成。特别在本发明中,具有联苯骨架的全芳族聚酰亚胺(例如Ube Industries,Ltd制造的Upilex,此为商品名)作为聚酰亚胺膜使用很好。当本发明使用薄膜形式的绝缘底材时,绝缘底材10的厚度一般为25-125μm,最好为50-75μm。
根据使用的需要,绝缘底材10中可以有一些通孔,例如装置用孔、扣齿孔和外引线切割孔。这些通孔一般用冲孔法形成。
布线图案14的形成,是先将具有需用的孔的上述绝缘底材10与表面经加工(最好经加工和处理)的电沉积铜箔通过一种绝缘粘合剂12层叠起来,这时电沉积铜箔经加工的毛面应接触粘合剂层12,尔后施加一层抗蚀剂,再后对表面经加工(最好经加工和处理)的电沉积铜箔进行蚀刻处理。
绝缘底材与表面经加工(最好经加工和处理)的电沉积铜箔的层叠操作中,可以使用介于两者之间的粘合剂,也可以不用。若用粘合剂,所采用的粘合剂12必须具有一些性质,例如抗热性,耐化学性、粘合强度和柔软性。例如,环氧粘合剂和酚类粘合剂是具有这些性质的粘合剂。这些粘合剂可以是那些经聚氨酯树脂、蜜胺树脂、聚乙烯醇缩醛树脂等改性的粘合剂,而环氧树脂本身可以用橡胶来改性作为一种粘合剂。这些粘合剂是热固性的。这些粘合剂以层的形式施涂,其厚度一般3.7-23μm,较好为10-21μm。当使用粘合剂时,粘合剂层可以施涂在绝缘底材10的表面上,或者施涂在表面经加工的电沉积铜箔的毛面上。
用层叠工艺将光致抗蚀剂施加在表面经加工(最好经加工和处理)的电沉积铜箔的光面上,因而也就置于绝缘底材10上。印刷出布线图案,进行显影从而除去多余的光致抗蚀剂,随后进行蚀刻。这样就获得了布线图案14。
以上述方式在绝缘底材10的表面上形成了布线图案后,可将一层保护树脂(如防焊剂)施加到供装置结合之用的结合或连接部分(引线部分)以外的部分上。施加了保护树脂之后,对用于结合装置用的引线部分进行镍/金镀、锡镀、焊剂镀或金镀。虽然在多数情况下,先施加保护树脂,然后对未施加保护树脂的那些部分如上所述进行电镀,但也可以在施加保护树脂以前,在形成的布线图案的表面上先形成一薄层上述金属镀层,其次再施加保护树脂,然后电镀延伸出到保护树脂外面的引线部分,例如是为了防止须晶的产生以及避免布线图案被电镀溶液的不正常侵蚀。这种电镀方法特别适用于使用锡镀的场合,因为此时很容易产生须晶。
在如上形成了镀层以后,可以用任何常规方法例如丝焊法、TAB(带子自动接合)法、倒装式接合法来安装装置。在装置安装后,带有PWB(印刷线路板)的装置一般就进行密封,是用焊接法、BGA(球形格栅陈列)法、各向异性电导膜法等一起施加密封树脂到接有PWB的装置上,密封好以后即可投入实际使用。
在本发明中,可以将上述一些PWB层叠起来并保证在层叠物厚度的方向上实现电连接,从而制成多层层叠物。
即是说,本发明多层印刷线路板是许多给定厚度的印刷线路板的层叠物,每个板的表面上都有布线图案,上述这些板在层叠物厚度方向上能够相互电连接。形成本发明多层印刷线路板中布线图案的铜箔是其表面经加工的电沉积铜箔,它具有一个光面和一个其平均表面粗糙度(Rz)为0.8-2.5μm经加工的毛面,此经加工的毛面是对电沉积铜箔的平均表面粗糙度(Rz)为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度(Rz)成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面再进行化学抛光使其平均表面粗糙度(Rz)成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。本发明中,特别适宜的是采用表面经加工且经粗糙化处理的电沉积铜箔。
在层叠物厚度方向上实现电连接可以采用多种方法,例如一种方法包括在这些PWB中采用钻头或激光制出所需的通孔,然后,或者在这些通孔的孔壁上沉积一层导电金属,或者将含有导电金属的导电性树脂组合物填入这些通孔中。还有一种方法包括在这些PWB上用印刷技术形成一些导电性突出物,然后使这些导电性突出物互相连接。
其表面按照本发明加工的电沉积铜箔适用于各种PWB,例如TAB带、柔性印刷线路板、多层印刷线路板和刚性电线。由于本发明的表面经过加工和处理的电沉积铜箔,其毛面经过了非常均匀的抛光加工和均匀的粗糙化处理,因此特别适合于用作极薄电沉积铜箔的用途,随着采用精细线距的近年趋势,其消耗有望日益增加。
本发明的表面经过加工的电沉积铜箔,是通过依序对其毛面进行机械抛光和化学抛光获得的。毛面凸起部位的顶部主要通过机械抛光被选择性地抛光除去,而以后的化学抛光进一步均匀地除去经机械抛光毛面上的搁板式形变。在按照本发明通过依序对其毛面进行机械抛光和化学抛光获得的表面经加工的电沉积铜箔中,在机械抛光操作中产生的沿机械抛光方向的机械抛光痕迹和应变层在化学抛光时去除,从而获得极其均匀的毛面表面。对此电沉积铜箔如上抛光的毛面进行粗糙化处理,使细小铜粒均匀形成在毛面上(表面经加工和处理的电沉积铜箔)。通过将例如绝缘底材与按照本发明获得的表面经加工的电沉积铜箔层叠起来,然后令该铜箔形成布线图案所获得的PWB,其布线图案与绝缘底材之间具有很高的剥离强度,并且整体上强度稳定。此外,在本发明方法中,不仅毛面上凸起部位的顶部主要通过机械抛光除去,而且机械抛光所产生的抛光不规则性、条纹、应变等均在化学抛光中除去。因此,抛光的铜损失量很微小,同时获得的是连续的曲面形的毛面表面。
对毛面进行这种粗糙化处理就是对其进行均匀的结节化处理。这就能获得粘合强度、结合可靠性等性能优异的PWB。
在本发明方法中,电沉积铜箔的毛面是依序进行温和条件下的机械抛光和化学抛光,结果得以抑制在抛光毛面上条纹等缺陷的出现。条纹的出现通常归因于过度抛光,电沉积铜箔的条纹部位较其它部位薄。因此,当具有条纹的电沉积铜箔使用于随着精细线距而发展的极薄电沉积铜箔用途时,布线图案的机械强度就会减小,结果抛光条纹部位很容易成为故障。例如开路的原因。表面按本发明方法加工而制成的电沉积铜箔上,不存在因过度抛光引起的这种条纹,所以对于使用这种经加工的电沉积铜箔制成的线路板(如PWB)来说,由这种开路等现象引起的故障发生率显著得低。
再者,当表面按本发明进行加工的电沉积铜箔通过将其层叠或粘合在绝缘底材上,施加抗蚀剂、然后蚀刻这些步骤形成为布线图案时,形成的线路(特别是引线部分)的上边宽度和下边宽度之差极小。结果形成的线路呈大约矩形的截面。而使用常规的电沉积铜箔,在形成的线路中其下边宽度往往比上边宽度大而且波形度也大,因而使得线路的截面形状呈梯形。而使用表面按本发明加工的电沉积铜箔,上述问题就不存在,即获得的是截面约呈矩形的线路。此外,线路的下边部分是线性蚀刻形成的,并且在绝缘底材上基本上没有铜的残余物。这些特点虽然在例如内引线方面也重要,但在那些与液晶元件等连接的输出侧外引线方面尤其重要。对于连接于液晶元件的输出侧外引线来说,它有许多是连接于液晶象素的,不仅其引线宽度极细小,并且线距也很小。因此输出侧外引线很容易发生相邻引线之间的绝缘毛病。例如,只要是输出侧外引线的线性程度微有偏差,就会产生绝缘毛病(短路)的危险。再者,如果输出侧外引线的下边比上边稍稍宽一点,在绝缘底材表面上即有发生绝缘毛病(短路)的危险。此外,即使绝缘底材上稍有铜残余物存在,也有发生绝缘毛病(短路)的危险。在PWB(特别是TAB带)的连接于液晶元件的输出侧外引线部位,铜箔蚀刻的精确性应等于或大于安装电子元件用的内引线部位蚀刻的精确性。特别是对于TAB带用于液晶元件的输出侧外引线,这些引线必需是通过对层叠在绝缘底材上的电沉积铜箔进行蚀刻而在底材上形成的,因此每根这种引线相对于延伸进入装置用孔并且在其下面不存在绝缘底材的内引线来说,更容易具有梯形的截面。并且,由于有绝缘底材的存在,有可能发生铜的残余物。因此可以认为,在输出侧外引线中比内引线中更难实现精细的线距。
然而,使用表面按本发明加工的电沉积铜箔有利于在输出侧外引线中实现精细线距。具体地说,若使用其表面按本发明加工的电沉积铜箔,不仅蚀刻形成的输出侧外引线具有矩形的截面(上边宽度基本上与下边宽度相等),并且形成的引线的线性很高。而且在绝缘底材的表面上不存在铜残余物。虽然表面按本发明加工的电沉积铜箔的上述优异蚀刻性能的具体原因尚未阐明,但本发明方法具有上述的特定效果正是机械抛光和随后的化学抛光所带来的。
表面按本发明加工的电沉积铜箔,如前所述其毛面是极其均匀加工的,而且对此均匀毛面可以进行均匀的粗糙化处理。由于这种均匀的粗糙化作用,不仅可以实现其与绝缘底材所需的结合,并且通过对此均匀处理过的表面进行电镀可以实现装置在PWB上的安装。
由前述不难看出,由本发明方法获得的表面经加工的电沉积铜箔能不仅保证其与绝缘底材很好的附着,并且保证在线路板上安装装置的极高产率。
而且,使用表面按本发明方法加工的电沉积铜箔,就可以获得性能稳定的PWB和多层层叠的PWB。
使用毛面按本发明方法加工的电沉积铜箔制得的PWB和多层层叠的PWB与安装上去的装置的结合性能(结合稳定性)极高。
现在结合以下实施例详述本发明,但这个实施例决不构成对本发明范围的限制。
实施例1
提供了一片18μm测量厚度,光面的平均表面粗糙度为1.2μm,毛面的平均表面粗糙度(Rz1)为3.6μm的电沉积铜箔(VLP箔)。VLP箔毛面的SEM照片示于图7。
在VLP箔通过一些导向辊的同时,对其毛面使用1000号抛光轮进行抛光,该抛光轮含有氧化铝作为磨粒(Tsunoda Brush K.K.制造),它的安装使得其旋转方向与电沉积铜箔行进的方向相反,第一阶段的抛光轮转速、压力(以抛光轮马达电流值计)和线速度分别为1200rpm、19A和8m/min(第一次机械抛光)。
经过第一次机械抛光的毛面的SEM照片示于图8。
该VLP箔经第一次机械抛光后,其经第一次机械抛光的毛面再用1000号抛光轮进行机械抛光,此时抛光轮的旋转方向与VLP箔的行进方向一致。这第二阶段机械抛光的抛光轮转速、压力(以抛光轮马达电流值计)和线速度分别为1200rpm,1.6A和8m/min(第二次机械抛光)。
在第一次抛光时测量的无负载旋转电流值为10A,在第二次抛光时测量的为18A。
经过两次机械抛光的VLP箔毛面的SEM照片示于图9。经如此机械抛光毛面的平均表面粗糙度(Rz)为2.0μm,这表明相对于机械抛光前VLP箔毛面的平均表面粗糙度(Rz)而言进行了18%的机械抛光。由图8可见,在毛面上仍留有条纹,尽管进行了两次机械抛光。
在机械抛光后,光面用一种防酸树脂涂覆,起掩蔽作用。
将光面已被掩蔽的VLP箔浸入下列组成的化学抛光溶液中,于30℃进行化学抛光5秒,此时化学抛光溶液进行循环。
化学抛光溶液的基本组成:
组分 含量
(1)CuCl2 80重量份
(2)35%HCl 50重量份
(3)30%H2O2 20重量份
(4)水(适量加入至1000体积份)
使用一种循环化学抛光设备使化学抛光溶液与电沉积铜箔的毛面不断接触。该循环化学抛光设备备有一个化学抛光溶液组成的内置式自动分析仪,还备有各组分添加装置,用来当化学抛光溶液的组成相对于基本组成出现5-15%偏差时,将该组成恢复成基本组成。
对毛面进行了上述化学抛光后,表面经加工的该VLP箔用水充分洗涤。经化学抛光的毛面的SEM照片示于图10。
由于这种化学抛光的结果,获得的经加工毛面上几乎完全未观察到出现在经机械抛光毛面上的条纹现象,例如由于机械抛光引起的抛光方向性和搁板形状的尖角部分,此毛面整体上呈连续的曲面形状。经如此化学抛光的毛面的平均表面粗糙度(Rz)为1.5μm,这表明相对于经过机械抛光的VLP箔毛面的平均表面粗糙度(Rz)来说,化学抛光操作进行了25%的抛光。
经机械抛光和化学抛光的其表面经加工的VLP箔的平均测量厚度为大约16.8μm,而在此实施例中采用的该VLP箔在机械抛光前的平均测量厚度为17.1μm。这表明从VLP铜箔上铜的浸出并没有产生多少铜的损耗。
毛面表面经加工的VLP箔,对其毛面进行粗糙化处理,这种处理是组合使用包括燃烧电镀、密封电镀和须晶电镀的电镀操作,对经加工的毛面表面进行结节化作用。在本实施例中,该处理采用下列几种组成的电镀溶液进行。
(1)燃烧电镀
将一个不溶电极安装在经过机械抛光和化学抛光的电沉积铜箔经过抛光的毛面的对面,在下列条件下进行电镀:
铜浓度:3-30g/l
硫酸根浓度:50-500g/l
溶液温度:20-30℃
电流密度:20-40A/dm2
时间:5-15秒
通过这些条件下的燃烧电镀,在表面经加工的电沉积铜箔的表面上,形成了一层铜粒的电沉积物。
(2)密封电镀
在上述燃烧电镀后,在下列条件下进行覆盖电镀:
铜浓度:40-80g/l
硫酸根浓度:50-150g/l
溶液温度:45-50℃
电流密度:20-40A/dm2
时间:5-15秒
通过这个密封电镀,生成称为“密封镀层”的铜薄膜,它覆盖在由燃烧电镀生成的铜沉积物层上面。
(3)须晶电镀
然后将经过上述覆盖电镀的表面在下列条件下进行须晶电镀:
铜浓度:5-30g/l
硫酸根浓度:30-60g/l
溶液温度:20-30℃
电流密度:10-40A/dm2
时间:5-15秒
通过在这些条件下进行的电镀,在经过上述密封电镀形成的铜覆盖膜上面,形成了称为“须晶镀层”的须晶状铜沉积物。
经抛光和粗糙化处理的VLP箔的毛面通过SEM照片来观察。该毛面的SEM照片示于图11。
这样处理的毛面的平均表面粗糙度(Rz)是2.5μm。其表面经上述加工和处理的电沉积铜箔的平均厚度(测量厚度)为17.5μm。因此,这个处理基于电沉积铜箔的平均厚度达到至大约98%的恢复。将表示用作原料的VLP箔的毛面的直接处理的图7与表示在加工后进行上述的处理的图11进行比较,可见就本发明方法所获得的其表面经加工的电沉积铜箔而言,通过上述依序进行的机械抛光、化学抛光和粗糙化处理,可以实现毛面上非常均匀的处理。
对这样获得的表面经加工和粗糙化处理的电沉积铜箔,其经处理的面再提供一层防腐蚀层,该防腐蚀层是用锌形成的。此锌钝化过程是在锌浓度为5g/l,硫酸根浓度为50g/l的25℃电镀溶液中以5A/dm2的电流密度进行8秒。形成的锌层极薄,其厚度一般为100埃乃至更薄。
在生成了锌层后,再进行电解铬酸盐化处理,是在铬酸酐(三氧化铬)浓度为2g/l的pH为4的电解质溶液中以1A/dm2的电流密度为时5秒进行的。铬酸盐化处理后,铬酸盐层的表面再用γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷作为硅烷偶合剂进行涂覆。
将如此得到的表面经加工和处理(在钝化层和铬酸盐层的电镀以及生成硅烷偶合剂层以后)的VLP箔的毛面,面对着一块上面有一些扣齿孔和装置用孔的125μm厚的聚酰亚胺底材的一面,用一种热固性粘合剂通过热压互相粘合起来。此后,在表面经加工和处理的电沉积铜箔的表面上施加光敏抗蚀剂,按所需布线图案对幅射曝光。除去过量的光敏抗蚀剂,未被掩蔽的铜箔则蚀刻除去。这样就形成了布线图案。
除去光敏抗蚀剂,对结合用引线端以外的布线图案部分涂覆一层防焊剂。进而再形成一层镀锡层,就获得PVB。
这样获得的PWB具有惊人低的布线图案开路故障发生率。此外布线图案与聚酰亚胺底材的互相粘合非常稳定。引线的拉伸强度又高。对形成的引线的截面进行了观察,发现是矩形的。在底材上未见到铜残余物。
用绝缘树脂将两块上述制造的PWB互相粘合起来。尔后,采用激光打出通孔,这些通孔贯穿透上层和下层布线图案的。再在形成的通孔壁上采用无电淀积法(electroless plating technique)将导电金属淀积上去,从而实现上层和下层的电连接。用一种树脂密封所得的多层层叠PWB。
如此制成的多层层叠PWB具有很低的故障发生率和极其稳定的性能。
Claims (34)
1.制造其表面经加工的电沉积铜箔的方法,包括如下步骤:
对具有一个光面和一个平均表面粗糙度Rz为2.5-10μm的毛面的电沉积铜箔进行至少一次机械抛光,使得毛面的平均表面粗糙度Rz成为1.5-3.0μm;
对已经受机械抛光的毛面再进行选择性化学抛光,使得毛面的平均表面粗糙度Rz成为0.8-2.5μm。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于经过化学抛光的毛面表面上的锐利边缘已基本上被除去。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于对经过化学抛光的毛面进行处理,从而生成一粗糙化层,并在该粗糙化层上形成一防腐蚀层。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于机械抛光至少进行两次。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于对经过化学抛光的毛面进行粗糙化处理。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于在机械抛光前的电沉积铜箔的平均测量厚度为5-35μm,机械抛光后电沉积铜箔的平均测量厚度为4.5-34.5μm,而经过化学抛光从而对其表面加工后的电沉积铜箔的平均测量厚度为4-34μm。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于对经过化学抛光的毛面进行处理,从而生成一粗糙化层,并在该粗糙化层上形成一防腐蚀层。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于对经受了化学抛光的毛面进行粗糙化处理。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于经过粗糙化处理的毛面的平均表面粗糙度Rz为1.5-4.0μm。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于在由所述粗糙化处理形成的粗糙化层上形成一防腐蚀层。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于在机械抛光前的电沉积铜箔的平均测量厚度为5-35μm,机械抛光后电沉积铜箔的平均测量厚度为4.5-34.5μm,而经过化学抛光从而对其表面加工后的电沉积铜箔的平均测量厚度为4-34μm。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于对经过化学抛光的毛面进行处理,从而生成一粗糙化层,并在该粗糙化层上形成一防腐蚀层。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于在防腐蚀层上面形成一硅烷偶合剂层。
14.一种表面经加工的电沉积铜箔,它具有一个光面和一个平均表面粗糙度Rz为0.8-2.5μm的经加工的毛面,所述经加工的毛面是经过对电沉积铜箔的平均表面粗糙度Rz为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度Rz成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面进行选择性化学抛光使其平均表面粗糙度Rz成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。
15.如权利要求14所述的表面经加工的电沉积铜箔,其特征在于所述经过化学抛光的毛面表面上的锐利边缘已基本上被除去。
16.如权利要求14所述的表面经加工的电沉积铜箔,其特征在于在经受了化学抛光的毛面的表面上提供有一粗糙化层。
17.如权利要求16所述的表面经加工的电沉积铜箔,其特征在于其表面提供有粗糙化层的毛面具有1.5-4.0μm的平均表面粗糙度Rz。
18.如权利要求16所述的其表面经加工的电沉积铜箔,其特征在于在所述粗糙化层上有一防腐蚀层。
19.如权利要求14所述的表面经加工的电沉积铜箔,其特征在于在机械抛光前的电沉积铜箔的平均测量厚度为5-35μm,机械抛光后电沉积铜箔的平均测量厚度为4.5-34.5μm,而经过化学抛光从而对其表面加工后的电沉积铜箔的平均测量厚度为4-34μm。
20.如权利要求14所述的表面经加工的电沉积铜箔,其特征在于其经化学抛光的毛面的表面上提供有一粗糙化层,并在该粗糙化层的表面上有一防腐蚀层。
21.如权利要求20所述的表面经加工的电沉积铜箔,其中在防腐蚀层上面有一硅烷偶合剂层。
22.一种敷铜箔层叠物,它包括一块底材和其表面经加工的电沉积铜箔,该表面经加工的电沉积铜箔具有一个光面和一个平均表面粗糙度Rz为0.8-2.5μm的经加工的毛面,所述经加工的毛面是经过对电沉积铜箔的平均表面粗糙度Rz为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度Rz成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面进行选择性化学抛光使其平均表面粗糙度Rz成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的,其中所述其表面经加工的电沉积铜箔是层叠在底材上的。
23.如权利要求22所述的敷铜箔层叠物,其特征在于所述经过化学抛光的毛面表面上的锐利边缘已基本上被除去。
24.如权利要求22所述的敷铜箔层叠物,其特征在于在经受了化学抛光的毛面的表面上提供有一粗糙化层。
25.如权利要求24所述的敷铜箔层叠物,其特征在于其表面提供有粗糙化层的毛面具有1.5-4.0μm的平均表面粗糙度Rz。
26.如权利要求22所述的敷铜箔层叠物,其特征在于在机械抛光前的电沉积铜箔的平均测量厚度为5-35μm,机械抛光后电沉积铜箔的平均测量厚度为4.5-34.5μm,而经过化学抛光从而对其表面加工后的电沉积铜箔的平均测量厚度为4-34μm。
27.如权利要求22所述的敷铜箔层叠物,其特征在于其经化学抛光的毛面的表面上提供有一粗糙化层,并在该粗糙化层的表面上有一防腐蚀层。
28.如权利要求27所述的敷铜箔层叠物,其中在防腐蚀层上面有一硅烷偶合剂层。
29.一种印刷线路板,它包括一块绝缘底材,其表面上备有由表面经加工的电沉积铜箔形成的布线图案,所述表面经加工的电沉积铜箔具有一个光面和一个平均表面粗糙度Rz为0.8-2.5μm的经加工的毛面,所述经加工的毛面是经过对电沉积铜箔的平均表面粗糙度Rz为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度Rz成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面再进行化学抛光使其平均表面粗糙度Rz成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。
30.如权利要求29所述的印刷线路板,其特征在于电沉积铜箔的所述经过化学抛光的毛面表面上的锐利边缘已基本上被除去。
31.如权利要求29所述的印刷线路板,其特征在于电沉积铜箔的经受了化学抛光的所述毛面进行过粗糙化处理。
32.一种包含由许多给定厚度的印刷线路板构成的层叠物的多层印刷线路板,所述各印刷线路板在层叠物的厚度方向上能够相互电连接,每个所述印刷线路板的表面上备有由表面经加工的电沉积铜箔形成的布线图案,所述表面经加工的电沉积铜箔具有一个光面和一个平均表面粗糙度Rz为0.8-2.5μm的经加工的毛面,所述经加工的毛面是经过对电沉积铜箔的平均表面粗糙度Rz为2.5-10μm的毛面进行至少一次机械抛光使毛面的平均表面粗糙度Rz成为1.5-3.0μm,然后对已经受机械抛光的毛面再进行化学抛光使其平均表面粗糙度Rz成为0.8-2.5μm这些步骤而获得的。
33.如权利要求32所述的多层印刷线路板,其特征在于电沉积铜箔的所述经过化学抛光的毛面表面上的锐利边缘已基本上除去。
34.如权利要求32所述的多层印刷线路板,其特征在于电沉积铜箔的已经过化学抛光的毛面进行过粗糙化处理。
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JP4233726B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2009-03-04 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 電気接点安定性に優れた金属箔 |
JP3628585B2 (ja) * | 2000-04-05 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 銅張り積層板及び銅張り積層板のレーザーによる穴開け方法 |
US6998145B2 (en) | 2001-02-27 | 2006-02-14 | Conagra Dairy Products Company | Process for making cheese |
JP4455806B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2010-04-21 | 日立化成工業株式会社 | プリプレグ及び積層板 |
JP4379854B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2009-12-09 | 日鉱金属株式会社 | 表面処理銅箔 |
JP3956204B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2007-08-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 積層樹脂配線基板及びその製造方法、積層樹脂配線基板用金属板 |
TW200404484A (en) * | 2002-09-02 | 2004-03-16 | Furukawa Circuit Foil | Copper foil for soft circuit board package module, for plasma display, or for radio-frequency printed circuit board |
JP2004238647A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Furukawa Techno Research Kk | 平滑化銅箔とその製造方法 |
JP3977790B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2007-09-19 | 古河サーキットフォイル株式会社 | キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板 |
US7585537B2 (en) * | 2004-05-03 | 2009-09-08 | Leprino Foods Company | Cheese and methods of making such cheese |
US7579033B2 (en) * | 2004-05-03 | 2009-08-25 | Leprino Foods Company | Methods for making soft or firm/semi-hard ripened and unripened cheese and cheeses prepared by such methods |
US7651715B2 (en) | 2004-05-03 | 2010-01-26 | Leprino Foods Company | Blended cheeses and methods for making such cheeses |
US8603554B2 (en) | 2004-05-03 | 2013-12-10 | Leprino Foods Company | Cheese and methods of making such cheese |
US20060008555A1 (en) | 2004-07-07 | 2006-01-12 | Leprino Foods | Food ingredients and food products treated with an oxidoreductase and methods for preparing such food ingredients and food products |
US7307022B2 (en) * | 2004-11-19 | 2007-12-11 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of treating conductive layer for use in a circuitized substrate and method of making said substrate having said conductive layer as part thereof |
US7383629B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-06-10 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of making circuitized substrates utilizing smooth-sided conductive layers as part thereof |
US6964884B1 (en) | 2004-11-19 | 2005-11-15 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Circuitized substrates utilizing three smooth-sided conductive layers as part thereof, method of making same, and electrical assemblies and information handling systems utilizing same |
KR20070038407A (ko) * | 2005-10-05 | 2007-04-10 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 유연성 배선용 기판 및 이의 제조 방법 |
DE102006002224A1 (de) * | 2006-01-16 | 2007-07-19 | Schaeffler Kg | Anordnung zum Schutz eines Substrates vor Korrosion, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Riemenscheibe |
KR100747336B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2007-08-07 | 엘에스전선 주식회사 | 이방성 도전 필름을 이용한 회로기판의 접속 구조체, 이를위한 제조 방법 및 이를 이용한 접속 상태 평가방법 |
KR100727715B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2007-06-13 | 엘에스전선 주식회사 | 연성금속 적층판, 그 제조 방법, 도금 장치 및 도금 방법 |
KR100797720B1 (ko) | 2006-05-09 | 2008-01-23 | 삼성전기주식회사 | 미세회로 형성을 위한 인쇄회로기판의 제조방법 |
KR100992959B1 (ko) | 2008-01-25 | 2010-11-08 | 엘에스엠트론 주식회사 | 고굴곡성을 갖는 전해 동박 및 그 제조 방법 |
TWI434965B (zh) * | 2008-05-28 | 2014-04-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method |
JP4921421B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2012-04-25 | 新日鐵化学株式会社 | 金属張積層体およびその製造方法 |
KR101385887B1 (ko) * | 2009-11-09 | 2014-04-15 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 크라이오펌프, 및 진공배기방법 |
CN101935856B (zh) * | 2010-08-03 | 2012-03-21 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种电解铜箔的反面处理工艺 |
JP2012112009A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Hitachi Cable Ltd | 銅箔、及び銅箔の製造方法 |
KR101216864B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2012-12-28 | 한국이엔에쓰 주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP5758254B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-08-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 圧延銅箔 |
KR20140060767A (ko) * | 2012-11-12 | 2014-05-21 | 삼성전기주식회사 | 회로 기판 및 그 제조 방법 |
CA2931245C (en) * | 2015-05-26 | 2023-07-25 | National Research Council Of Canada | Metallic surface with karstified relief, forming same, and high surface area metallic electrochemical interface |
JP6600564B2 (ja) * | 2016-01-14 | 2019-10-30 | 株式会社Jcu | 銅フィリングされた銅めっき層のエッチング方法 |
MY195558A (en) * | 2016-05-18 | 2023-02-01 | Isola Usa Corp | Method Of Manufacturing Circuit Boards |
KR101992841B1 (ko) * | 2017-07-13 | 2019-06-27 | 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 | 울음, 주름 및 찢김이 최소화된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조 방법 |
CN108055791A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-18 | 四会富士电子科技有限公司 | 一种提高超薄铜箔附着力的方法 |
JP6767441B2 (ja) * | 2018-08-16 | 2020-10-14 | ケイシーエフ テクノロジース カンパニー リミテッド | たるみ、しわ及び引裂が最小化した銅箔、それを含む電極、それを含む二次電池、及びその製造方法 |
CN109585855B (zh) * | 2018-12-05 | 2020-10-09 | 厦门大学 | 金属锂支撑体及其制备方法与应用 |
TWI776168B (zh) * | 2019-06-19 | 2022-09-01 | 金居開發股份有限公司 | 進階反轉電解銅箔及應用其的銅箔基板 |
JP7392996B2 (ja) * | 2019-06-19 | 2023-12-06 | 金居開發股▲分▼有限公司 | アドバンスド電解銅箔及びそれを適用した銅張積層板 |
JP2021021137A (ja) * | 2019-06-19 | 2021-02-18 | 金居開發股▲分▼有限公司 | 長尺島状の微細構造を有するアドバンスト電解銅箔及びそれを適用した銅張積層板 |
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69025500T2 (de) * | 1989-06-23 | 1996-10-31 | Meiko Electronics Co Ltd | Verfahren zur Herstellung eines kupferkaschierten Laminats |
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JPH06252548A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プリント配線基板用銅箔の表面処理方法と金属ベースプリント配線基板 |
JP2762386B2 (ja) * | 1993-03-19 | 1998-06-04 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅張り積層板およびプリント配線板 |
US5545466A (en) * | 1993-03-19 | 1996-08-13 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Copper-clad laminate and printed wiring board |
US5482784A (en) * | 1993-12-24 | 1996-01-09 | Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. | Printed circuit inner-layer copper foil and process for producing the same |
JP3361903B2 (ja) * | 1994-01-06 | 2003-01-07 | 凸版印刷株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
JP3155920B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2001-04-16 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板用電解銅箔及びその製造方法 |
JP3296238B2 (ja) | 1997-03-27 | 2002-06-24 | 日本電信電話株式会社 | 光記録方法 |
JPH10330983A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-15 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 電解銅箔及びその製造方法 |
JP3291485B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2002-06-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 電子部品実装用フィルムキャリアテープ |
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