JP3977790B2 - キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板 - Google Patents
キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板 Download PDFInfo
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Description
まず、ガラス・エポキシ樹脂やガラス・ポリイミド樹脂などから成る電気絶縁性の基板の表面に、表面回路形成用の薄い銅箔を置いたのち、加熱・加圧して銅張積層板を製造する。
ついで、この銅張積層板に、スルーホールの穿設、スルーホールめっきを順次行ったのち、該銅張積層板表面の銅箔にエッチング処理を行って所望の線幅と所望の線間ピッチを備えた配線パターンを形成し、最後に、ソルダレジストの形成やその他の仕上げ処理が行われる。
この配線板は、各種電子部品の高度集積化に対応して、ビアが微細化できることより、配線パターンも高密度化することが可能であるため、微細な線幅や線間ピッチの配線から成る配線パターン、いわゆるファインパターンのプリント配線板の要求が高まってきており、例えば、半導体パッケージに使用されるプリント配線板の場合は、線幅や線間ピッチがそれぞれ30μm前後という高密度極微細配線を有するプリント配線板の提供が要求されている。
しかし、このような薄い銅箔(以下、極薄銅箔と云うことがある)は機械的強度が弱く、プリント配線板の製造時に皺や折れ目が発生しやすく、銅箔切れを起こすこともあるため、ファインパターン用途に使われる極薄銅箔としては、キャリアとしての金属箔(以下、「キャリア箔」という)の片面に剥離層を介して極薄銅箔層を直接電着させたキャリア付き極薄銅箔が使用される。
現在、キャリア付き銅箔の極薄銅箔は厚さ5μm程度のものが最も多く使用されており、更に薄箔化が求められている。
COF実装では銅箔による配線パターンを形成したフィルムを透過する光によってIC位置を検出する。しかし、従来のキャリア付き極薄銅箔を使用したフィルムの視認性(光によるIC位置検出能力)はあまり良くない。その原因は、キャリア付き極薄銅箔の表面粗さが粗いことにある。光を透過させるフィルム部は、銅箔で形成される回路部以外の不要な銅箔部がエッチング除去された部分であり、銅箔をフィルムに貼り付けた時に銅箔表面の凹凸がフィルム面上に転写されて残り、フィルム表面の凹凸が大きくなり、光が通過する際、その凹凸のため直進できる光の量が少なくなり視認性が悪くなるためである。即ち、貼り付ける銅箔表面の粗さが粗いと視認性を悪くすることになる。
[作用]
キャリア箔の厚みについては、厚さが7μm以下の薄い銅箔を採用すると、この銅箔の機械的強度が弱いためにプリント配線板等の製造時に皺や折れ目が発生しやすく、銅箔切れを起こす危険性があり、7μm以下の箔はキャリア箔としての役割を果たすことが難しい。またキャリア箔の厚さが200μm以上になると製品に対しての単位コイル当たりの重量(コイル単重)が増すことで生産性に大きく影響するとともに設備上もより大きな張力を要求され、設備が大がかりとなって好ましくなく、適度の厚さは7μm〜200μmである。
処理時間を短くする方法として、ポンプ、エアー、攪拌機等にて液を攪拌することが望ましい。また、硫酸浴などの酸浴には過酸化水素などを入れ溶解速度を増加させることも好ましい。
クロム合金としては、ニッケル−クロム、コバルト−クロム、クロム−タングステン、クロム−銅、クロム−鉄、クロム−チタンが挙げられる。
三元系合金めっきとしては、ニッケル−鉄−クロム、ニッケル−クロム−モリブデン、ニッケル−クロム−タングステン、ニッケル−クロム−銅、ニッケル−クロム−リン、コバルト−鉄−クロム、コバルト−クロム−モリブデン、コバルト−クロム−タングステン、コバルト−クロム−銅、コバルト−クロム−リン等があげられる。
また、有機皮膜としてはベントリアゾール等が好ましい。
また、剥離層に有機被膜を使用する場合は、有機被膜としては、一般的に銅の防錆として市販されているBTA・シランなどが好ましい。その有機被膜の厚みは、1Å〜1000Åが好ましい。有機被膜厚が1Å以下では、薄すぎるため剥離層としての役割を果たさず、また、1000Å以上では剥離層上に形成する銅めっき層(極薄銅箔)がうまく形成されないためである。
この時、剥離層の表層に水和酸化物が存在すると、極薄銅箔形成条件(めっき液中でのディップ時間・電流値・めっき液切り・水洗状態・剥離層金属めっき直後のめっき液pH等)が表層に存在する水和酸化物に密接に関係し、この水和酸化物層の残存状態が、高温剥離性に大きく影響すると思われる。剥離層上への極薄銅箔のめっきは、剥離層を安定に存在させるためにはpH3〜12の間にある銅めっき浴を使用することが特に好ましい。このめっき浴を使用することで剥離層の剥離性を損なわずにめっきを行うことができ、剥離性もより安定性を増す。しかし、剥離層上への極薄銅箔のめっきは、その剥離性ゆえに、均一なめっきを行うことが非常に難しく、極薄銅箔層のピンホールの数が多くなる。この対策としては、ストライク銅めっきを行うとよい。ストライク銅めっきを施すことで剥離層上に均一なめっきを施すことができ、極薄銅箔層のピンホールの数は著しく減少する。
また処理槽の長さを考えると設備費もかかり好ましくない。ストライク銅めっきは剥離層上にピロリン酸銅めっき浴で剥離層の剥離性を損なわないように0.001μm以上の銅めっき層をつけ、その後、硫酸銅めっき浴、ほうフッ化銅めっき浴、ピロリン酸銅めっき浴、スルファミン酸銅めっき浴シアン化銅めっき浴で銅めっきを行い極薄銅箔とする。
なお、ストライクめっき浴としてはシアン化銅めっきも使用可能である
また、本発明は、従来、キャリア付き銅箔のキャリ箔表面の粗さで左右されていた極薄銅箔のピンホール数及び視認性をキャリア箔の表面を平滑化することでピンホール数が少なく、かつ視認性の良いキャリア付き極薄銅箔とすることができ、ユーザーニーズを満足し、製造コストにおいても通常製品の銅(合金)箔を採用できるため従来とほとんどかわらない価格で提供することができる等、優れた効果を有するものである。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:2.1μmの電解銅箔(厚さ:35μm)を陽極にして、硫酸濃度50g/lの電解液の中で、電流密度25A/dm2になる電流を20秒間流し表面を溶解して平滑化し、Rz:0.65μmの平滑表面を得た。この平滑化表面を有する電解銅箔をキャリア銅箔とした。
2.剥離層の形成
平滑化したキャリア銅箔の平滑化表面に、クロムの電気めっきを連続的に行い、付着量0.50mg/dm2のクロムめっき剥離層を形成した。この表層には、水和酸化物膜が形成されている。
3.極薄銅箔の形成
次いで、このクロムめっき剥離層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 85g/l
K4P2O7 : 350g/l
NH4OH(28%) : 5ml/l
pH : 8.5
浴温 : 50℃
のめっき浴を使用し、電流密度5A/dm2でめっきを行い3μm厚さの極薄銅箔を形成させ、キャリア付き極薄銅箔とした。
次いで、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅箔上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行い、次に、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン:2.0g/lの水溶液に5秒間浸漬したのち取り出し、温度100℃の温風で乾燥してシランカップリング剤処理(後処理)を行い、キャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:1.7μmの銅箔(厚さ:55μm)を機械研磨して平均表面粗さRz:1.2μmに均一化した後、この箔を陽極にして、ピロリン酸濃度:100g/lの電解液の中で、電流密度:22A/dm2になる電流を50秒間流し表面を溶解させRz:0.55μmの平滑表面銅箔(キャリア銅箔)とした。
2.剥離層の形成
このキャリア銅箔の平滑化面に、クロムの電気めっきを連続的に行い、付着量0.50mg/dm2のクロムめっき剥離層を形成した。この表層には、水和酸化物膜が形成されている。
3.極薄銅箔の形成
このクロムめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、30秒間ストライク銅めっきを施し、その後
Cu2P2O7・3H2O : 85g/l、
K4P2O7 : 350g/l
NH4OH(28%) : 5ml/l
pH : 8.5
電流密度 : 4A/dm2
の条件で、3μmの厚さに極薄銅層を電気めっきした。
次いで、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅箔上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:1.5μmの電解銅箔(厚さ:35μm)を、硫酸濃度100g/l、過酸化水素溶液5%を入れた溶解液の中で、120秒間浸漬させ、平滑化しRz:1.2μmの平滑表面を得た。この平滑化表面を有する電解銅箔をキャリア銅箔とした。
2.剥離層の形成
平滑化したキャリア銅箔の平滑化表面に、Ni−Moの電気めっきを連続的に行い、付着量0.30mg/dm2のNi−Moめっき剥離層を形成した。
3.極薄箔の形成
次いで、Ni−Mo剥離層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 85g/l
K4P2O7 : 350g/l
NH4OH(28%) :5ml/l
pH : 8.5
浴温 : 50℃
のめっき浴を使用し、電流密度5A/dm2でめっきを行い5μm厚さの極薄銅箔を形成させ、キャリア付き極薄銅箔とした。
次いで、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施し、防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅箔層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行ないキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:1.7μmの銅箔(厚さ:55μm)を機械研磨して平均表面粗さRz:1.2μmに均一化した後、塩酸:60g/l 温度:50℃の溶解液の中に、50秒間浸漬し、表面を溶解させRz:1.0μmの平滑表面銅箔(キャリア銅箔)とした。
2.剥離層の形成
このキャリア銅箔の平滑化面に、クロムの電気めっきを連続的に行い、付着量0.50mg/dm2のクロムめっき剥離層を形成した。この表層には、水和酸化物膜が形成されている。
3.極薄銅箔の形成
このクロムめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、30秒間ストライク銅めっきを施し、その後
Cu2P2O7・3H2O : 85g/l、
K4P2O7 : 350g/l
NH4OH(28%) : 5ml/l
pH : 8.5
電流密度 : 4A/dm2
の条件で、3μmの厚さに極薄銅箔を電気めっきした。
次いで、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、クロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:1.9μmの電解銅箔(厚さ:30μm)を陰極にして、銅濃度:50g/l、硫酸濃度:100g/l、添加剤を微量加えた光沢銅めっき浴を使用し電流密度5A/dm2になる電流を1.5分流し、表面の凹部を埋め尽くす形でめっきを行いRz:0.5μmに平滑化した。
2.剥離層の形成
平滑化したキャリア銅箔の平滑化面に、Ni−Coの電気めっきを行ない、付着量1.0mg/dm2のNi−Coの剥離層を形成し、その極表層を酸化させた。
3.極薄銅箔の形成
次いで、このNi−Co層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8、
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、60秒間ストライク銅めっきを施し、その後
Cu2P2O7・3H2O : 85g/l
K4P2O7 : 350g/l
NH4OH(28%) : 5ml/l
pH : 8.5
電流密度 : 4A/dm2
の条件で、3μmの厚さの極薄銅箔を電気めっきで形成した。
更に、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅箔上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:10μmの電解銅箔(厚さ:35μm)を機械研磨で粗さRz:1.3μmの均一表面とし、
シアン化第一銅 : 65g/l
遊離シアン化ナトリウム : 25g/l
に添加剤を微量加えた光沢銅めっき浴を使用し
電流密度 : 34/dm2
の電流を3分流し、表面の凹部を埋め尽くす形でめっきを行いRz:0.45μmに平滑化した。
2、剥離層の形成
平滑化したキャリア銅箔の平滑化面に、クロムの電気めっきを連続的に行い、付着量0.50mg/dm2のクロムめっき剥離層を形成した。この表層には、水和酸化物膜が形成されている。
3、極薄銅箔の形成
このクロムめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8、
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、60秒間ストライク銅めっきを施し、更に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8、
電流密度 : 4A/dm2
の条件で厚さ1μmのめっきを施した後
Cu濃度 : 50g/l
H2S4 : 100g/l
電流密度 : 20A/dm2
の条件で、3μmの厚さの極薄銅箔になるように電気めっきを施した。
その後公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:1.3μmの銅箔(厚さ:33μm)を、硫酸:60g/l、温度:50℃の溶解液の中に、110秒間浸漬し、表面を溶解させRz:1.1μmの平滑表面銅箔を、陰極にして、銅濃度:60g/l、硫酸濃度:100g/l、添加剤を微量加えた光沢銅めっき浴を使用し電流密度6A/dm2になる電流を1.2分流し、表面の凹部を埋め尽くす形でめっきを行いRz:0.5μmに平滑化した。
2.剥離層の形成
平滑化したキャリア銅箔の平滑化面に、ベントリアゾールを塗布し(有機被膜)、剥離層を形成した。
3.極薄銅箔の形成
次いで、この有機被膜の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8、
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、60秒間ストライク銅めっきを施し、その後
Cu2P2O7・3H2O : 85g/l
K4P2O7 : 350g/l
NH4OH(28%) : 5ml/l
pH : 8.5
電流密度 : 4A/dm2
の条件で、3μmの厚さの極薄銅箔を電気めっきで形成した。
更に、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:2.5μmの銅箔(厚さ:55μm)を機械研磨して平均表面粗さRz:1.3μmに均一化した後、硝酸:30g/l、温度:40℃の溶解液の中に、30秒間浸漬し、表面を溶解させRz:1.1μmの平滑表面銅箔を陰極にして、銅濃度:30g/l、硫酸濃度:100g/l、添加剤を微量加えた光沢銅めっき浴を使用し電流密度7A/dm2になる電流を1.0分流し、表面の凹部を埋め尽くす形でめっきを行いRz:0.6μmに平滑化した。
2.剥離層の形成
平滑化したキャリア銅箔の平滑化表面に、Cr−Coの電気めっきを連続的に行い、付着量2.0mg/dm2のめっき剥離層を形成した。
3.極薄銅箔の形成
次いで、このCr−Coの上に、
Cu2P2O7・3H2O : 85g/l
K4P2O7 : 350g/l
NH4OH(28%) : 5ml/l
pH : 8.5
電流密度 : 6A/dm2
の条件で、3μmの厚さの極薄銅箔を電気めっきで形成した。
更に、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔の平滑化
Rz:1.9μmの電解銅箔(厚さ:35μm)を陽極にして、硫酸濃度50g/lの電解液の中で、電流密度15A/dm2となる電流を10秒間流し表面を溶解、平滑化しRz:1.2μmの平滑表面を得た。この平滑化表面を有する電解銅箔を陰極にして、硫酸Ni:220g/l、塩化Ni:40g/l、ホウ酸:15g/l、添加剤を微量加えた光沢Niめっき浴を使用し電流密度3A/dm2になる電流を2.5分流し、表面の凹部を埋め尽くす形でめっきを行い平滑化したRz:0.65μmの銅箔(キャリア銅箔)とした。
2.剥離層の形成
平滑化したキャリア銅箔の平滑化面に、クロムの電気めっきを連続的に行い、付着量0.50mg/dm2のクロムめっき剥離層を形成した。この表層には、水和酸化物膜が形成されている。
3.極薄銅箔の形成
クロムめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 250g/l
pH : 8、
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、60秒間ストライク銅めっきを施し、その後
Cu濃度 : 30g/l
H2SO4 : 100g/l
電流密度 : 10A/dm2
の条件で、3μmの厚さの極薄銅箔を電気めっきで形成した。
更に、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た
1.キャリア箔の平滑化
Rz:3.5μmの銅箔(厚さ:55μm)を機械研磨した電解銅箔を陽極にして、
ピロリン酸濃度 : 80g/l
電流密度 : 20A/dm2
になる電流を60秒間流し表面を溶解させRz:0.85μmの平滑化表面とした。
次いで、
銅濃度 : 50g/l
硫酸濃度 : 90g/l
に添加剤を微量加えた光沢銅めっき浴を使用し電流密度3A/dm2になる電流を1.0分流し、表面の凹部を埋め尽くす形でめっきを行いRz:0.45μmのキャリア箔とした。
2.剥離層の形成
該キャリア銅箔の平滑化面に、ニッケル−クロム合金の電気めっきを連続的に行い、付着量1.50mg/dm2のニッケル−クロム合金めっき剥離層を形成した。
3.極薄銅箔の形成
このニッケル−クロム合金めっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8、
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、60秒間ストライク銅めっきを施し、更に、
Cu濃度 : 50g/l
H2S4 : 100g/l
電流密度 : 20A/dm2
の条件で、3.0μmの厚さの極薄銅箔になるように電気めっきした。
最後に公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
1.キャリア箔
キャリア箔の表面粗さRz:3.2μmの銅箔をキャリア箔とする。
2.剥離層の形成
前記キャリア銅箔に、クロムの電気めっきを連続的に行い、付着量1.5mg/dm2のクロムめっき剥離層を形成した。表層の水和酸化物が形成されている。
3.極薄銅箔の形成
このクロムめっき層の上に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8
電流密度 : 1.5A/dm2
の条件で、60秒間ストライク銅めっきを施し、更に、
Cu2P2O7・3H2O : 30g/l
K4P2O7 : 300g/l
pH : 8
電流密度 : 4A/dm2
の条件で厚さ1μmめっき後
Cu濃度 : 50g/l
H2S4 : 100g/l
電流密度 : 20A/dm2
の条件で、3μmの厚さの極薄銅箔になるように電気めっきを行なった。
更に、公知の方法により、銅の粒子を付着させる粗化処理を施した。防錆処理および表面処理として、粗化処理を施した極薄銅層上に、公知の方法により、亜鉛めっきおよびクロメート処理を行いキャリア箔付き極薄銅箔を得た。
上記実施例及び比較例で作成したキャリア付き極薄銅箔のピンホール数およびキャリアピールの評価用サンプルを下記のように作成し評価を行った
(1)ピンホール測定用並びにキャリアピール測定用片面銅張積層板の作成
キャリア箔付き極薄銅箔(実施例1〜10、比較例1)を縦250mm、横250mmに切断したのち、極薄銅箔側の面を、熱圧着後に厚さ1mmとなる枚数のガラス繊維エポキシプレプリグシート(FR−4)の上におき、全体を2枚の平滑なステンレス鋼板で挟み、温度170℃、圧力50kg/cm2で60分間熱圧着し、キャリア箔付きのFR−4片面銅張積層板を作成した。
キャリア箔付き極薄銅箔(実施例1〜10、比較例1)を、縦250mm、横250mmに切断したのち、その粗化面の側の面を厚さ50μmのポリイミドシート(宇部興産製UPILEX−VT)の上に置き、全体を2枚の平滑なステンレス鋼板で挟み、20torrの真空プレスにより、温度330℃、圧力2kg/cm2で10分間熱圧着し、その後、温度330℃、50kg/cm2で5分間熱圧着して、キャリア箔付きのポリイミドキャリアピール用片面銅張積層板を製造したものを引き剥がし視認性確認用のサンプルとした
(1)ピンホール測定:
上記(1)の方法で作成した縦250mm、横250mmの片面銅張積層板を、暗室内で樹脂基材側から光を当て、透過してくる光により、ピンホールの個数を数えた。評価結果を表1に示す。
上記(1)の方法により作製したキャリア銅箔付きの片面銅張積層板から試料を切りだし、JISC6511に規定する方法に準拠して、測定試料幅10mmで電気銅めっき極薄銅箔からキャリア銅箔を引き剥がし、ピール強度をn数3で測定した。評価結果を表1に示す。
銅箔を引き剥がしたフィルムから裏面をみて透過度を測定し、その結果を%で表1に示す。なお、透過度は%の大きいほど透明度が高い測定結果である。
(1)ピンホール:
比較例1には多くのピンホールが見られるのに対し、実施例のサンプルは数が少なく、実用に支障のない程度であることが確認できた。
(2)キャリアピール
キャリピールにおいては比較例1以下か同等の値を示すことが確認できた。
(3)視認性(透過度)
比較例1はキャリア箔に平滑化処理を施さなかったために、キャリア箔の表面粗さがフィルムに転写され、透過度は極めて悪かった。実施例ではキャリア箔の表面粗度を平滑化したことにより、透過度は70%以上を示し、視認性は実用に供するのに十分であった。
また、極薄銅箔の成形方法として硫酸銅めっき浴、ピロりん酸銅めっき浴、シアン化銅めっき浴、で行ったが、ほうフッ化銅めっき浴で実施しても、詳細は省略するが、同様な効果が得られた。
また、本発明は、従来、キャリア付き銅箔のキャリ箔の粗さに依存していた極薄銅箔のピンホール数及び視認性をキャリア箔の表面を平滑化することでピンホール数の少ないかつ視認性の良いキャリア付極薄銅箔とすることができる。また、製造コストにおいても従来とほとんどかわらない価格で提供することができる。
Claims (9)
- 少なくとも片面の平均表面粗度がRz:0.01〜10μmの範囲内にある銅箔表面を電気化学的に処理を施して前記表面をRz:0.01〜2.0μmとしたキャリア銅箔の前記平滑面に、剥離層、極薄銅箔を順に積層することを特徴とするキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- 少なくとも片面の平均表面粗度がRz:0.01〜10μmの範囲内にある銅箔表面を化学研磨し、前記表面をRz:0.01〜2.0μmとしたキャリア銅箔の前記平滑面に、剥離層、極薄銅箔を順に積層することを特徴とするキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- 銅箔の少なくとも片面の平均表面粗度がRz:0.01〜10μmの範囲内にある銅箔表面にCuめっき処理又はNiを含むめっき処理を施して前記表面をRz:0.01〜2.0μmの平滑面としたキャリア銅箔の前記平滑面に、剥離層・極薄銅箔を順に積層することを特徴とするキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- 前記剥離層が、Cr、Ni,Co,Fe、Mo、Ti、W、Pまたは/及びこれらの合金層またはこれらの水和酸化物層であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
- 前記剥離層が、有機被膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のキャリア付き銅箔の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法により製造されたキャリア付き極薄銅箔。
- 請求項6に記載のキャリア付き極薄銅箔により高密度極微細配線を施したことを特徴とするプリント配線基板。
- 請求項6に記載のキャリア付き極薄銅箔により高密度極微細配線を施したことを特徴とする多層プリント配線板。
- 請求項6に記載のキャリア付き極薄銅箔により高密度極微細配線を施したことを特徴とするチップオンフィルム用配線板。
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