JP2008182222A - 可撓性プリント配線基板および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【解決手段】本発明の可撓性プリント配線基板は、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層である絶縁層の表面に、表面粗度の異なるS面とM面とを有し、該析出面側の表面粗度（Rzjis）が１．０μm未満であり、かつ、M面の光沢度〔Gs(６０°)〕が４００以上である電解銅箔が直接積層されてなる積層体の該電解銅箔がエッチ
ング処理されて配線パターンを形成していることを特徴としている。
【効果】本発明によれば、絶縁層に分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を用いることにより、機械的特性、耐熱性、耐アルカリ性などの諸特性に優れた可撓性プリント配線基板、特にCOF基板が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、絶縁フィルムとして分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材フィルムを用いた可撓性プリント配線基板および半導体装置に関するものである。さらに詳しくは本発明は、絶縁基材として広汎に使用されてきたポリイミドフィルムに代わって分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材フィルムを用いて形成された可撓性フレキシブルプリント配線基板および半導体装置に関するものである。

電子部品を実装するために、可撓性を有するプリント配線基板が使用されている。このような可撓性を有するプリント配線基板は、一般に、ポリイミドフィルムのような絶縁性を有する可撓性フィルムと電解銅箔のような導電性金属箔の積層体を形成し、この積層体の表面にある導電性金属箔の表面に感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を所望の形状に露光・感光して感光性樹脂の硬化体からなるパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、導電性金属箔をエッチングすることにより形成されている。

そして、最近のプリント配線基板においては、より高い密度で電子部品を実装するために、従来のように絶縁性を有する可撓性フィルムに電子部品を実装するためのデバイスホールを形成せずに、絶縁フィルムを薄く形成して、この薄い絶縁フィルムを介してボンディングツールを用いてプリント配線基板に形成されたリードと電子部品に形成されたバンプ電極とを加熱してプリント配線基板に電子部品が実装されている。このようなボンディング方法に用いられるプリント配線基板は、デバイスホールを設けたプリント配線基板などと区別されており、一般にCOF(Chip On Film)基板と呼ばれている。

このようなCOF基板においては、電子部品を実装する際に使用されるボンディングツー
ルをCOF基板の裏面側から当接して、COF基板の表面に形成されたリードを加熱して電子部品に形成されたバンプ電極とリードとの電気的な接合を図っているので、絶縁フィルムとして使用される樹脂には高い耐熱性が要求され、実際にCOF基板を形成する絶縁フィルム
としては、樹脂中で最も耐熱性の高いとされているポリイミドが使用されている。

このようにCOF基板の絶縁フィルムとして使用されるポリイミドは、大変優れた耐熱性
を有し、耐熱性の点からすればプリント配線基板の基材フィルムとしてこれ以上優れた樹脂はないと考えられている。

しかしながら、ポリイミド樹脂は、ほとんどの溶剤に対して溶解性を示さず、従って、ポリイミドフィルムを製造する際には、N-メチル-2-ピロリドン（NMP）、ジメチルホルムアミド（DMF）などに対して僅かに溶解性を示すポリイミド前駆体であるポリアミック酸
を、DMFなどの溶媒に溶解もしくは分散させてフィルム状にして焼成することによりその
場でポリアミック酸の閉環反応を行いポリイミドフィルムとする必要があった。また、ポリイミドフィルムは、上述のようにポリアミック酸を焼成して閉環させる必要があるために、このようにポリイミドは大変優れた耐熱性を有しているが、焼成をする際に厚さの制約があり、単独でポリイミドフィルムを製造する際にはあまり薄いポリイミドフィルムを製造することができず、またあまり厚くなると全体として均一にイミド化反応が進行しにくいという問題もある。

また、特に昨今のプリント配線基板では、絶縁性フィルムをより薄くする傾向があり、絶縁フィルムの厚さが１０μmを下回るような非常に薄い絶縁フィルムを有するプリント
配線基板が使用されるようになってきている。このような非常に薄い絶縁フィルムをポリイミドフィルムで製造する場合には、こうした薄いポリイミドフィルムを製造することは単独では非常に困難であることから、一般に、導電性金属箔の表面にポリアミック酸のDMF溶液（あるいは分散液）を塗布して、導電性金属箔と共に３６０℃以上の温度で焼成し
て導電性金属箔の表面でポリアミック酸の閉環反応を行って、導電性金属箔とポリイミド層とからなる二層構成の積層体（CCL）を製造し、次いで、導電性金属箔を選択的にエッ
チングすることにより配線パターンが形成されている。なお、このような積層体を製造するに際しては、導電性金属箔の表面にポリアミック酸を含有する塗布液とすることから、導電性金属箔にデバイスホールなどの貫通孔を形成することはできない。

上記のようにして二層構成の積層体を形成する際には、塗設されたポリアミック酸の閉環反応を速やかに進行させてポリイミド層を形成するためにポリアミック酸の閉環反応が安定的に進行する３６０℃以上の温度に積層体を加熱する必要がある。ところで、上記のような積層体には、導電性金属箔が積層されており、この導電性金属箔がたとえば電解銅箔である場合、この電解銅箔は、電解液から析出した多数の銅粒子の集合である。こうした金属粒子の集合体である電解銅箔では、金属の融点よりも低い融点である上記ポリアミック酸の閉環反応の際の加熱によっても再結晶化が起こることがある。このように電解銅箔中における銅の再結晶化によって、電解銅箔の特性が著しく変動することがあり、再結晶化により銅の結晶構造が変化すると、この銅箔の有している物理的特性、化学的特性、電気的特性などに著しい変化が生ずることがある。

ところで、電気絶縁性を有する耐熱性樹脂として、ポリアミドイミドが知られており、プリント配線基板の絶縁フィルム形成樹脂として古くから提案させれている。このポリアミドイミド樹脂は２６０℃以上の耐熱性を有しながらも、熱可塑性であるために、ボンディング、半田リフローなどの高温加熱工程を経る必要のあるプリント配線基板の絶縁フィルムとして使用されるに至っていない。

しかしながら、昨今のポリアミドイミドフィルムにおける改良、電子部品実装の際の技術変化などによりポリアミドイミドの用途として、電子部品を実装する際のフィルムキャリアの絶縁フィルムとしての使用に途が開けつつある。

たとえば特開2005−325329号公報（特許文献１）には、特定の式で表されるポリアミドイミドを用いて金属張積層体が開示されている。このような特許文献１に開示されているポリアミドイミドは、二層構成のプリント配線基板としても使用できることが記載されている。

ところで、上記のような絶縁フィルムとなる合成樹脂材料の改良とは別に、使用する電解銅箔に関しても種々の改良がなされている。すなわち、従来は電解銅箔液に膠などを配合して形成される粒子の大きさを調整して密な電解銅箔が製造され、こうした密な粒子が集合した電解銅箔は非常に表面状態がよく、良好な配線基板を形成することができることが示されている（たとえば特許文献２；WO2006／106956A1号パンフレットなど）。

この特許文献２に記載されている電解銅箔は、従来の電解銅箔とは異なり、析出する銅粒子の粒子径を調整して析出面の表面粗度を低くし、さらに電解銅箔の析出面全体のうねりなどをも低く抑えて、表面粗度が著しく低く制御された銅箔である。このような低表面粗度の電解銅箔を使用することにより、よりピッチ幅の狭いプリント配線基板を製造することが可能になるが、このような電解銅箔の表面状態は、電解銅箔を構成する銅粒子の結晶構造が再結晶化によって変化するとその変化は電解銅箔の表面状態にも影響を与えかねない。また、上記の引用文献２に記載された電解銅箔は、上述のように銅の結晶粒子径が大きいことから、引張り強度などの機械的特性にも優れているが、加熱による再結晶化に
よりこうした特性が損なわれることも懸念される。

また、特許文献３（特許第3097704号公報）には、特定のビフェニル骨格を有するポリ
アミドイミド樹脂が開示されているが、耐アルカリ性、耐酸性などの耐薬品性および耐熱性において、可撓性プリント配線基板の絶縁層を形成する樹脂としては充分であるとはいえない。

このように従来の可撓性プリント配線基板は、絶縁層を形成する樹脂がポリイミドであり、極めて高い耐熱性を有しているが、耐薬品性などの特性において充分であるとは言えず、特に配線パターンを形成する銅箔の結晶径を変えてより緻密な配線パターンを形成しようとすると、従来から使用されているポリイミド樹脂では充分な特性を得ることができない。さらに、一般的なポリアミドイミド樹脂、さらには引用文献３に記載されているポリアミドイミドを用いたとしても、予定している特性を得ることができないという問題がある。
特開2005−325329号公報 WO2006／106956A1号パンフレット 特許第3097704号公報

本発明は、絶縁層に分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を用いた可撓性のプリント配線基板を提供することを目的としている。
特に本発明は、機械的特性、耐熱性などの諸特性に優れた可撓性プリント配線基板であり、絶縁層が分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層である可撓性プリント配線基板を提供することを目的としている。

本発明はさらに、上記のような可撓性プリント配線基板を用いた半導体装置を提供することを目的としている。

本発明の可撓性プリント配線基板は、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の表面に、表面粗度の異なるS面とM面とを有し、該M面の表面粗度が
５μm以下の電解銅箔が直接積層されてなる積層体の該電解銅箔がエッチング処理されて
配線パターンを形成していることを特徴としている。

また、本発明の可撓性プリント配線基板は、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の表面に、表面粗度の異なるS面とM面とを有し、析出面であるM面の表面粗度（Rzjis）が１．０μm未満であり、かつ、M面の光沢度〔Gs(６０°)〕が４００以上である電解銅箔が直接積層されてなる積層体の該電解銅箔がエッチング処理されて配線パターンを形成していることを特徴としている。

本発明の可撓性プリント配線基板において、前記基材層を形成する樹脂は、芳香族ジイソシアネートと、芳香族トリカルボン酸またはその無水物と、芳香族ジカルボン酸またはその無水物および／または芳香族テトラカルボン酸またはその無水物とから形成される、分子内にイミド構造とアミド構造とを有する樹脂であることが好ましい。

さらに、本発明の可撓性プリント配線基板において、前記基材層を形成する樹脂中に、下記式（１）で表される構造が形成されていることが好ましい。

ただし、上記式（１）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R¹は、脂肪族炭化水素基を有すること
もある二価の芳香族炭化水素基を表し、R²は、それぞれ独立に、一価の炭化水素基を表し、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

また、本発明の可撓性プリント配線基板において、前記基材層を形成する樹脂中に、下記式（２）〜（５）で表される構造よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の構造が形成されていることが好ましい。

ただし、上記式（２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、R⁵は、二価の炭化水素基を表し、R⁶は、水素原子または一価の脂肪族炭化水素基を表すかもしくはNと共同してポリイミド構造を形成しており、ｎお
よびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

ただし、上記式（３）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

ただし、上記式（４）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

ただし、上記式（５）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

本発明の可撓性プリント配線基板は、絶縁層として、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層を有する。ここで使用される分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、高い耐熱性を有しているにも拘わらず、およそ２５０℃程度の温度で製膜することができる。これは従来から絶縁フィルムに使用されていたポリイミドの焼成温度よりも約１００℃ほど低い温度である。したがって、上述の低表面粗度の電解銅箔に上記分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を含有する塗布液を塗布して製膜して絶縁フィルムを形成した場合であっても、この製膜の際の加熱によって電解銅箔中の銅粒子が、殆ど再結晶化せずにこの電解銅箔が本来有している優れた特性が保持される。

また、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、熱可塑性ではあるが、その融点あるいは軟化点が非常に高く、COF基板のように絶縁層を介して絶縁層の裏
面側から表面にあるリードおよび電子部品に形成されたバンプ電極を加熱して電気的に接合しても、この加熱によってこの分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層である絶縁層がダメージを受けることがない。

さらに、この基材層は、線膨張率をほぼ銅箔と同等にすることができるので、線膨張率の相違によるプリント配線基板の変形なども生じにくい。
さらに、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、耐薬品性に優れ
ており、プリント配線基板の製造工程で、たとえば表面洗浄などのために強アルカリ洗浄液と接触しても、このプリント配線基板の絶縁フィルムが変性されることがないので、洗浄力の強いより強アルカリの洗浄液と接触させることも可能であり、強アルカリ洗浄液との接触を短時間にして効率よくプリント配線基板を製造することができる。また、アルカリ洗浄剤との接触時間が短いので、プリント配線基板へアルカリ洗浄剤による影響が殆ど認められない。

しかも、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層に金属層を積層してもポリイミドからなる基材層に比べて、積層された金属が基材層内に拡散しにくく、基材層の絶縁特性が変動しにくい。

さらに、この樹脂は、分子内におけるイミド構造とアミド構造の比率を調整することにより、吸水率、耐熱性および成形性などの特性を調整することが可能である。

次の本発明の可撓性プリント配線基板について具体的に説明する。
本発明の可撓性プリント配線基板は、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる絶縁フィルムとこの絶縁フィルムの表面に配置された電解銅箔を選択的にエッチングすることにより形成された配線パターンとを有している。この絶縁フィルムは、本発明の可撓性プリント配線基板で基材層となり、またこの基材層は絶縁層でもある。

本発明の可撓性プリント配線基板は、絶縁層となる分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層と所定の銅箔とが直接積層された積層体を用いて形成される。

本発明の可撓性プリント配線基板で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、たとえばイソシアネート法、アミン法（例；酸クロリド法、低温溶液重合法、室温溶液重合法）などの方法により製造することができるが、本発明で用いる分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、芳香族ジイソシアネートと、芳香族トリカルボン酸またはその無水物と、芳香族ジカルボン酸またはその無水物および／または芳香族テトラカルボン酸またはその無水物とから形成することができる。特に本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、有機溶媒に可溶であることが望ましく、工業的には重合時の反応溶媒をそのまま塗布液の有機溶媒とすることができるイソシアネート法により製造することが好ましい。

イソシアネート法の場合、原料となるトリメリット酸無水物、芳香族ジカルボン酸、芳香族テトラカルボン酸二無水物などと芳香族ジイソシアネート化合物を有機溶媒中で反応させることにより本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を製造することができる。この反応はカルボン酸基とイソシアネート基とが略化学量論的に反応するので、製造しようとする分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂の組成にあわせて仕込み原料の量を設定することができる。

ここで使用される芳香族ジイソシアネートの例としては、4,4'-ビズ(3-トリレン)ジイ
ソシアネート、3,3'―ジクロロ-4,4'-ジイソシアネートビフェニル、1,4-ナフタレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、2,6-ナフタレンジイソシアネート、2,7-ナフタレンジイソシアネート,4,4'-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、p-キシレンジイソシアネート、4,4-ジフェニルエーテルジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネートなどを挙げることができる。これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。

また芳香族トリカルボン酸またはその無水物の例としては、トリメリット酸又はその無水物、ジフェニルエーテル-トリカルボン酸又はその無水物、ジフェニルスルホン-トリカルボン酸又はその無水物、ベンゾフェノントリカルボン酸又はその無水物、ナフタレン-1,2,4-トリカルボン酸又はその無水物、さらにはこれらのエステル化合物を挙げることが
できる。これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。また、この芳香族トリカルボン酸の一部は、、ブタン-1,2,4-トリカルボン酸又はその無水物などの脂肪族
トリカルボン酸類、その無水物、エステル化物で置換することもできる。

さらに、芳香族ジカルボン酸またはその無水物の例としては、テレフタル酸、イソフタル酸、ビフェニルジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ジフェニルスルホンジカルボン酸などおよびこれらの無水物を挙げることができる。これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。さらに、この芳香族ジカルボン酸の一部は、アジピン酸、アゼラン酸、セバシン酸などの脂肪族ジカルボン酸、その酸無水物、エステル化物、シクロヘキサン-4,4'-ジカルボン酸などの脂環族ジカルボン酸、その酸無水物、エステル化物などで置換されていてもよい。

また、さらに芳香族テトラカルボン酸またはその無水物の例としては、ピロメリット酸又はその二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はその二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸又はその二無水物、ジフェニルエーテル-3,3',4,4’-テトラカルボン酸又はその二無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートなどを挙げることができる。さらに、この芳香族テトラカルボン酸の一部は、ブタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸のような脂肪族テトラカルボン酸、その酸無水物、エステル化物シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸一無水物、二無水物、エステル化物などで置換されていてもよい。これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。

上記の反応は、有機溶媒中で上記の成分を通常は１０〜２００℃の範囲内の温度で１時間〜２４時間反応させることにより得られる。この反応の際には、ジイソシアネートとカルボン酸との反応に対する触媒として、たとえば三級アミン類、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物を用いることが好ましい。

また、アミン法の場合は原料となる無水トリメリット酸クロリド、芳香族ジカルボン酸クロリド、芳香族テトラカルボン酸二無水物、および芳香族ジアミンを有機溶媒中で略化学量論的に反応させることにより分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を製造することができる。ここで、芳香族テトラカルボン酸無水物としては、ピロメリット酸 二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、ジフェニルエーテル−３，３'，４，４'−テトラカルボン酸、 エチレングリ
コールビスアンヒドロトリメリテート等を、芳香族ジカルボン酸クロリドとしては、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリド、ビフェニルジ カルボン酸クロリド、ジフェ
ニルエーテルジカルボン酸クロリド、ジフェニルスルホンジカルボン酸クロリド等を、芳香族ジアミンしては1,4-ナフタレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、2,7-ナフタレンジアミン等を使用できる。これらの成分は単独であるいは組み合わせて使用することができる。

上記のアミン法による反応は、有機溶媒中０℃〜１００℃で１時間〜2４時間程度が好
ましい。
上記の分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂をたとえばイソシアネート法で製造する場合に使用される有機溶媒は、上記分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を溶解可能な有機溶媒である。このような有機溶媒の例としては、Ｎ-メチ
ル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチ
ル-2-イミダゾリジノン、テトラメチルウレア、スルホラン、ジメチルスルオキオサイド
、γ-ブチルアクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンを挙げることができる、こ
れらの中でも、Ｎ-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルオキオサイドが好ましい。なお、本発明では、上記のような好適な有機溶媒の一部をトルエン、キシレンなどの炭化水素系有機溶媒、ジグライム、トリグライム、テトラヒドロフランなどのエーテル系有機溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系有機溶媒で置き換えてもよい。

なお、本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を製造する際には、上記の成分のほかに、酸成分としては、以下のような成分を配合することができる。

例えばトリカルボン酸成分として、ジフェニルエーテル−３，３'，４'−トリカルボン酸、ジフェニルスルホン−３，３'，４'−トリカルボン酸、ベンゾフェノン−３，３'，
４'−トリカルボン酸、ナフタレン−１，２，４−トリカルボン酸、ブタン−１，２，４
−トリカルボン酸などのトリカルボン酸等の一無水物、エステル化物などを挙げることができる。これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。

さらに、本発明では、上記ジイソシアネート化合物とともに、あるいは、アミン法ではジイソシアネート化合物の代わりにアミン類を使用することができる。
本発明で使用することができるアミン類の例としては、３，３'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノビフェニル、２，２'−ジ
メチル−４，４'−ジアミノビフェニル、２，２'−ジエチル−４，４'−ジアミノビフェ
ニル、３，３'−ジメトキシ−４，４'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジエトキシ−４
，４'−ジアミノビフェニル、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、３，
４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４， ４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、３，４'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジアミノベンズアニリド、４，４'−ジアミノベンズアニリド、４，４'−ジアミノベンゾフエノン、３，３'−ジアミノ
ベンゾフエノン、３，４'−ジアミノベンゾフエノン、２，６−トリレンジアミン、２，
４−トリレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３'−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、３，３'−ジアミノジフェニルプロパン、３，３'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、ｐ−キシレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、２，２'−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、 １，３−ビス（４−
アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ プロパン、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４'−ビス（４−
アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４'−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、
テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、イソホロンジアミン、４，４'−ジ
シクロヘキシルメタンジアミン、シクロヘキサン−１，４−ジアミン、ジアミノシロキサンを挙げることができる。これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。なお、上記アミン類に対応するジイソシアネートを使用することができるのは勿論である。

このようにして得られる分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂の分子量は、N-メチル-2-ピロリドン中（ポリマー濃度０．５ｇ／dl）、３０℃で測定したの対数
粘度にして、０．３〜２．５dl/gに相当するものであることが好ましく、特に０．３〜２．０dl/gに相当するものであることが好ましい。対数粘度が上記の規定を下回る樹脂を用
いても充分な機械的特性を有するフィルムが形成しにくく、また上記の規定を上回る対数粘度を有する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を溶解した有機溶媒溶液の粘度が著しく高くなり塗布加工が困難になる。

本発明の可撓性プリント配線基板の絶縁層である基材層は、たとえば、上述のようにして得られた分子内にイミド構造と、アミド構造の両者を有する樹脂であり、通常はその分子内に以下に式（１）で示される構造を有するポリマーである。

ただし、上記式（１）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R¹は、脂肪族炭化水素基を有すること
もある二価の芳香族炭化水素基を表し、R²は、それぞれ独立に、一価の炭化水素基を表し、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

本発明で使用する上記式（１）で表される構造を有する樹脂は、式（１）において、ｘが０の場合よりもｘが１である場合の方が吸水率が低くなる傾向がある。特にR⁰が二価の炭化水素基である場合に吸水率が低くなりやすい。ここでR⁰が二価の炭化水素基である場合の例としては、−(CH₂)−、−C(CH₃)₂−などを挙げることができる。

さらに、上記式（１）において、R¹は、二価の芳香族炭化水素基であり、このR¹が、脂肪族炭化水素基を有していてもよい。すなわち、芳香族環にある水素原子がメチル基などの脂肪族炭化水素基で置換されていてもよく、また2個または３個以上の芳香族環がメチ
レン基のような二価の脂肪族炭化水素基で結合されていてもよい。このR¹に含まれる芳香族環の数が多くなるにつれて吸水率が低下する傾向があると共に、有機溶媒に溶解し易くなる傾向がある。

また、式（１）において、R²の例としては、メチル基、エチル基のような一価の炭化水素基であり、このようなR²が存在するとこの部分がバルキーになるので、溶剤に溶解しやすくなり、また、樹脂の結晶性を調整することができる。

特に本発明では、上記式（１）で表される骨格が、次式(１-１)または（1-2）で表される骨格を有していることが好ましい。

上記式（１−１）において、R¹は、脂肪族炭化水素基を有することもある二価の芳香族炭化水素基である。

上記式（１−２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R¹は、脂肪族炭化水素基を有することもあ
る二価の芳香族炭化水素基で表す。本発明では、式（１−２）におけるR⁰が、メチレン基、エチレン基、ジメチルメチレン基のような二価の炭化水素基、酸素原子、単結合のいずれかであることが好ましい。

本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、上記式（１）で表される構造を基本骨格とする樹脂であり、さらに、好ましくは式（１−１）および／または式（１−２）で表される構造を有するものである。上記式（１）、あるいは式（１−１）、式（１−２）で表される基本骨格には、アミド構造とイミド構造とが１：１の比率で存在している。このような基本骨格だけからなる樹脂を用いたのでは、本発明で使用する表面粗度の異なるS面とM面とを有し、析出面であるM面の表面粗度（Rzjis）が１．０μm未満であり、かつ、M面の光沢度〔Gs(６０°)〕が４００以上である電解銅箔（低プロファイル電解銅箔）を積層しても、緻密な配線パターンを形成することが大変難しく、本発明では、上記式（１）あるいは式（１−１）および／または式（１−２）で表される構造を有するとともに、以下に示す式（２）〜式（５）、さらには式（６）〜式（７）で表される構造を有する樹脂を使用する。

すなわち、本発明で絶縁層となる基材層を形成する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂中には、以下に式（２）〜式（５）で表される構造からなる群から選ばれる少なくとも一種類の構造を有することが好ましく、このような構造を組み合わせることにより、ポリイミド樹脂のような著しく高い耐熱性は示さないものの、熱可塑性樹脂としては極めて高い耐熱性を有し、また、耐アルカリ性、耐酸性などの耐薬品性にも優れ、耐熱性、耐薬品性、電気的特性などのバランスがよくなる。また式（６）〜式（７）で表される構造が組み込まれることにより、耐熱性が向上するとともに、吸水率も低下する傾向がある。しかも、電解銅箔を所望のパターンにエッチングして配線パターンを形成する際に、形状が非常にシャープな配線パターンを形成することができる。特に本発明で使用するような粒子径の大きくして表面粗度の低い電解銅箔を使用して配線パターンを形成することにより、非常に精度の高い配線パターンを形成することができる。

ただし、上記式（２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、R⁵は、二価の炭化水素基を表し、R⁶は、水素原子または一価の脂肪族炭化水素基を表すかもしくはNと共同してイミド構造を形成しており、ｎおよび
ｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

さらに上記式（２）で表される構造の好ましい例としては、下記式（２−１）および式（２−２）で表される構造を挙げることができる。

ただし、上記式（２−１）および（２−２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、酸素原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価の脂肪族
炭化水素基を表すが、このR³、R⁴は存在していてもよいし、存在しなくともよい。R³、R⁴が存在しない場合には水素原子が結合している。R³、R⁴は存在する場合にはR⁵に対して芳香族環のオルト位またはメタ位に結合することができるが、メタ位に結合していることが好ましい。また、R⁵は、二価の炭化水素基を表し、R⁶は、水素原子または一価の脂肪族炭化水素基を表すかもしくはNと共同してイミド構造を形成している。

ただし、上記式（３）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

ただし、上記式（３−１）および式（３−２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R³、R⁴は、そ
れぞれ独立に、一価の脂肪族炭化水素基を表するが、このR³、R⁴は存在していてもよいし、存在しなくともよい。R³、R⁴が存在しない場合は水素原子が結合している。R³、R⁴は存在する場合には−Ｏ−に対して芳香族環のオルト位またはメタ位に結合することができるが、メタ位に結合していることが好ましい。

ただし、上記式（４）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

ただし、上記式（４-１）および式（４−２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、−SO₂−基、酸素原子のいずれかを表することが好ましい。また、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価の脂肪族炭化水素基を表すが、R³、R⁴は、存在しても、存在しなくともよい。R³、R⁴が存在しない場合、水素原子が結合している。またR³、R⁴が存在する場合の置換基の位置は上記式（４−１）または式（４−２）であることが好ましい。

ただし、上記式（５）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価
の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。

ただし、上記式（５−１）および式（５−２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、−SO₂−基、酸素原子のいずれかを表し、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一価の脂肪族炭化水
素基を表すが、R³、R⁴は、存在しても、存在しなくともよい。R³、R⁴が存在しない場合、水素原子が結合している。またR³、R⁴が存在する場合の置換基の位置はその芳香族環の任
意の位置に結合することができる。

上記のような式（２）〜（５）で表される構造は、本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂に単独であるいは組み合されて存在することができる。

なお、本発明において分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は上記式（１）〜式（５）あるいは式（１-1）〜式（５-2）で表される成分単位を単独で有していてもよいし、これらが組み合わされていてもよい。

さらに、本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂中に次式（６）、式（７）で表される構造が組み込まれることにより、耐熱性、耐薬品性、機械的強度などの特性のバランスが非常に良好になる。

上記式（６）〜（８）において、Ｒ⁰は、−ＣＯ−基、−SO₂−基、または単結合であり、ｘは０または１であり、R¹は、それぞれ独立に下記式（ａ）、式（ｂ）、式（ｃ）で表されるいずれかの基であり、R²はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基のいずれかである。

上記式(a)、式(b)、式(c)において、R^b1、R^b2は、それぞれ独立に、水素原子、メチル
基、エチル基のいずれかである。
本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂中における上記式（１）〜（５）で表される構造と、式（６）で表される構造とは、通常は９５：５〜７０：３０の範囲内の比率で共重合している。

さらに、本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂には、
次式（７）で表されるような成分単位、が含まれていてもよい。

ただし、上記式（７）においてXは、酸素原子、−CO−、−SO₂−または単結合を表し、ｎは０または１である。
上記のように式（１）〜式（５）あるいは式（１-1）〜式（５-２）は、それぞれアミ
ドイミド骨格を有しているが、式（７）で表される構造中にはアミド結合は形成されているが、イミド結合は形成されていない。また、逆に式（６）で表される構造にはイミド結合は形成されているが、アミド結合は形成されていない。

式(７)で表される成分単位を分子内に導入することにより、溶剤に対する溶解性、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂の耐熱性などを調整することができる。なお、式（６）、式（７）で表される成分単位は、通常は、式（２）で表される構造を有する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂内に組み込まれているが、式（６）、式（７）で表される成分単位が、独立に樹脂を形成していてもよく、このような樹脂が、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂にブレンドされていてもよい。

本発明で使用する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の特性は、この樹脂中に存在するイミド構造の数とアミド構造の数との比率によって影響を受け、本発明においては、イミド構造の数（I_n）とアミド構造の数（A_n）との比〔（I_n）／（A_n）〕を調整することにより、この樹脂の耐熱性と熱可塑性とを制御することができる。そして、この比率〔（I_n）／（A_n）〕を、通常は２０≧（I_n）／（A_n）＞１の範囲内、好ましくは１８≧（I_n）／（A_n）≧１．１の範囲内の値にすることにより、優れた耐熱性を維持したまま、熱可塑性の樹脂を形成することができ、しかも本発明の可撓性プリント配線基板におけるボンディング温度において、基材層が熱変形することがない。さらに、この樹脂の塗布液を形成する場合に、特定の有機溶媒に溶解して、種々の塗布方法を採用可能な粘度を有する塗布液を形成することができる。このような樹脂を上記のような表面粗度の低い電解銅箔の表面にキャスティングして基材層を形成する場合、電解銅箔との親和性の高い塗布液を用いる必要があり、上記のようなイミド構造の数（I_n）とアミド構造の数（A_n）との比〔（I_n）／（A_n）〕を有する樹脂を用いることにより、電解銅箔に対して非常に高い親和性を有する均一性の高い塗布液を調製することができる。

本発明において、絶縁層である基材層を形成する、分子内にイミド基とアミド基の両者を有する樹脂中において、式（１）、式（１−１）、式（１−２）、式（２）、式（２−１）、式（２−２）、式（３）、式（３−１）、式（３−２）、式（４）、式（４−１）、式（４−２）、式（５）、式（５−１）、式（５−２）、式（６）、式（７）で表される構造は、対応するイソシアネート成分（あるいはアミン成分）と、カルボン酸成分とを反応させることにより形成することができる。これらの構造を形成する成分は反応性がよく、原料として使用される成分の仕込み量が、略形成される構造の量と同等である。分子内にイミド基とアミド基の両者を有する樹脂が上記のような構造を有することにより、この樹脂の耐熱性と、耐薬品性、電気的特性のバランスがよくなる。特に電解銅箔として、表面粗度の異なるS面とM面とを有し、析出面であるM面の表面粗度（Rzjis）が１．０μm
未満であり、かつ、M面の光沢度〔Gs(６０°)〕が４００以上である電解銅箔を使用した
場合に、最もピッチ幅の狭いインナーリード部分のピッチ幅が３５μｍ以下、さらに３０μｍ以下である高密度の配線パターンを形成することができる。しかもこうして形成される配線パターンの断面形状がエッチングファクターの大きい形状になり、非常にシャープな配線パターンを形成することが可能になる。また、こうして形成された絶縁層（基材層）中への銅の拡散がほとんど発生せず、絶縁層の電気的特性が非常に安定する。このような特性を有するにも拘らず、配線パターンが形成されている面に対して裏面側からボンディングツールを当接して電子部品を実装する際に、ボンディングツールによる加熱によっても絶縁層が溶融することがない。

また、この樹脂は、Ｎ-メチル-2-ピロリドン、ジメチルホルムアミドなどの有機溶媒に溶解して均一な塗布液を調製することができ、この塗布液を電解銅箔の表面に塗布して溶媒を除去することにより、非常に均一性の高い絶縁層を形成することができる。さらに、このこうして形成される樹脂膜（基材層）は、機械的強度が高いので、この基材層の厚さを５０μｍ以下としても、充分に配線パターンを支持することができる。すなわち、上記のような分子内にイミド基とアミド基の両者を有する樹脂からなる基材層である絶縁層の厚さは、通常は５〜１２５μｍ、好ましくは２５〜７５μｍの範囲内にある。このような厚さを有する基材層は可撓性に優れており、得られた配線基板を折り曲げて使用することができる。さらに上記のような構成を有する樹脂から形成した基材層は、電解銅箔との線膨張係数が略同一であるので、得られるプリント配線基板に反り変形などが生じにくく、非常に寸法精度がよい。したがって、この分子内にイミド基とアミド基の両者を有する樹脂であって、上記のような比率で各構造が形成されている樹脂は、COF基板のようにデバ
イスホールを形成する必要がなく、電解銅箔の一方の面に上記樹脂を流涎して製膜するプリント配線基板の絶縁層を形成するのに大変適している。

本発明では、上記のような分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層と特定の電解銅箔とが直接積層された積層体を用いて、積層された電解銅箔を選択的にエッチングすることにより可撓性プリント配線基板を製造する。

この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層は、通常は電解銅箔の表面に上記の分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂の有機溶媒溶液を塗布することにより形成される。

本発明の可撓性プリント配線基板の分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂層は、上述の樹脂を溶解可能な有機溶媒に、この有機溶媒１００g当たり、通常は５〜
２５ｇ、好適には１０〜２０ｇの樹脂を溶解もしくは分散させた塗布液を電解銅箔の表面に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。ここで使用される塗布液は、ポリアミドイミドのN-メチル-２―ピロリドン溶液であることが好ましく、この塗布液の２
５℃におけるB型粘度計で測定した温度が１〜１０００ポアズの範囲内にあることが好ま
しい。

このポリアミドイミド塗布液は、たとえばロールコーター、ナイフコーター、ドクターブレードコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなどの塗布装置を用いて電解銅箔の表面に塗布することができる。

こうして塗布される塗布液は、硬化後の基材層の厚さが、２５〜７５μmの範囲内にな
るように塗布される。このような厚さの基材層を形成することにより本発明のプリント配線基板が優れた可撓性を有するようになる。

上記のようにして塗布液を塗布した後、この塗布液に含有されている有機溶媒（上記の
好適な例では、N- メチル-2-ピロリドン（沸点＝２０２℃））の沸点よりも７０℃〜１３０℃低い温度から昇温して初期乾燥を行った後、溶媒の沸点近傍、あるいは沸点以上の温度でさらに加熱（二次乾燥）する。初期乾燥温度が使用している溶媒の沸点−７０℃よりも高いと、塗布された樹脂の塗工面が発泡することがあり、樹脂層の厚さ方向での溶剤の残存量が均一にならず、積層体に反り変形が生じやすい。また乾燥温度が溶媒の沸点−１３０℃よりも低いと乾燥時間が長くなり生産性が低下する。上記のように一次乾燥は通常は７０〜２００℃の温度で、主として溶剤を除去し、次いで赤外線加熱により通常は３００℃以上の温度で二次乾燥を行う。

なお、塗布液の乾燥工程は、上記のように一次、二次と分けずに、ステップ昇温してもよい。この方法はフィルムをリールに巻いてリール処理の際に採用すると有利である。
上述のように初期乾燥温度の温度幅は、使用している有機溶媒の種類によって異なるが、一般には８０〜１２０℃程度である。こうした条件下での初期乾燥時間は、塗膜中の溶媒の残存率が５〜４０重量％程度になるように設定され、多くの場合１分〜３０分程度、好ましくは２〜１５分程度である。

また、二次乾燥は、使用している溶媒の沸点近傍あるいは沸点よりもわずかに高い温度までの温度に加熱して残留している溶媒を除去する。この二次乾燥の温度は一般には１００以上３００℃未満の範囲内に温度、好ましくは１３０〜２８０℃の範囲内の温度に設定される。二次乾燥温度が１００℃よりも低いと基材層中における溶媒の残存率が高くなり、形成された絶縁層に分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂の有する特性が充分に発現しないことがある。また、３００℃を超えると、塗布液が塗布される電解銅箔を形成する銅粒子が再結晶化して、電解銅箔の特性が低下する。このような電解銅箔の再結晶化による特性の変化を防止するためには、二次乾燥の際の乾燥温度の上限値を２８０℃以下に設定することが好ましい。

このような条件で行われる二次乾燥により樹脂中に実質的に溶媒が残留しないように、二次乾燥時は設定される。
また、上記の初期乾燥および二次乾燥は、空気中で行うこともできるが、乾燥工程における電解銅箔の特性の変動を考慮すると、不活性ガス雰囲気下で、好ましくは減圧下、特に好ましくは不活性ガス雰囲気の減圧下で行うことが望ましい。ここで使用する不活性ガスの例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴンなどを挙げることができる。また、減圧で乾燥を行う場合には、１０^-5〜１０³Pa程度、好ましくは１０^-1〜２００Pa程
度の減圧条件が望ましい。

上記のようにして電解銅箔の表面に塗布液を塗布して形成された基材層は、ポリイミド層を形成するためにポリイミド前駆体の塗布液を塗布し電解銅箔表面で焼成してポリイミド層を形成するのとは異なり、溶剤を除去するだけで絶縁性を有する基材層、すなわち絶縁層が形成される。このように分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を用いて絶縁層を形成する場合には、塗布液を溶剤を除去するだけで分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる絶縁層（即ち、基材層）が形成できるので、乾燥温度を低く抑えることができ、しかも上述のように初期乾燥の条件と二次乾燥の条件とを最適化することにより、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を塗布して形成した基材層である絶縁層から一様に有機溶媒を除去することができ、均質性の高い絶縁層を形成することができる。

このようにして本発明の可撓性プリント配線基板を形成する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層は、常温（２５℃）における吸水率が１．５％〜５％程度であり、吸水に伴う寸法変化が非常に小さい。また、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂から形成された基材層の線膨張係数（Lc-p）は、通常は
４０ppm/K以下であり、さらにこの線膨張係数（Lc-p）を１６ppm/K程度にまで低減することができ、好適な条件を設定することにより、本発明の可撓性プリント配線基板の絶縁層を形成する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の線膨張係数（Lc-P）を、５ppm/K〜４０ppm/Kの範囲内の値にすることができる。この線膨張係数（Lc-p）は、銅の線膨張係数（Lc-C）と略同等であり、従って、本発明の可撓性プリント配線基板は、温度が変化しても電解銅箔と分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂ポリアミドイミドからなる絶縁フィルムとが略同等の挙動を示し、温度変化によるプリント配線基板の反り変形などが生じにくく、非常に高い寸法安定性を有している。

上記のような分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を含有する塗布液は、特定の電解銅箔の表面に塗布され、溶媒を除去することにより絶縁フィルムとなる。したがって、この上記の樹脂からなる基材層である絶縁層と電解銅箔との間には、接着剤層などの層は存在していない。

上記のような電解銅箔は、表面状態の異なるS面とM面とを有しており、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を含有する塗布液は塗布される表面の表面粗度（R
ｚ）が５μm以下の表面に塗布される。

一般に電解銅箔は、ドラム形状をした回転陰極と、その回転陰極の形状にとって対抗配置された鉛系陽極または寸法安定性陽極（DSA）との間に硫酸系銅電解液を流して電解反
応を利用して銅を回転陽極の表面に析出させ、この析出した銅を箔状態として回転陰極から連続的に引き剥がして巻き取ることにより製造されている。このようにして得られた電解銅は、一定幅で巻き取られたロール状となるために特定の測定などに際して方向性を示す場合には回転陰極の回転方向（ウェブの長さ方向）をMD(Machine Direction),MDに対して直角方向である幅方向をTD（Transverse Direction）と称されている。

この電解銅箔の回転陰極と接触した状態から引き剥がされた側の表面形状は鏡面研磨処理された回転陰極の表面の形状が転写されたものとなり、一般には光沢を有することから「光沢面」あるいは「S面」と称されてきた。これに対して析出サイドであった面の表面
状態は、通常は析出する銅の結晶成長速度が結晶面ごとに異なるために山形の凹凸形状を有しており、こちら側を「析出面」あるいは「M面」と称する。そして、一般には、析出
面の粗度が光沢面の粗度より大きく、電解銅箔に表面処理を施す際には析出面（M面）に
粗化処理を施すことが多く、この析出面側が銅張積層板を製造する際の絶縁層構成材料との貼り合わせ面となる。このように電解銅箔には絶縁層構成材料との接着力を機械的なアンカー効果で補強するための粗化処理、さらに酸化防止などの表面処理が施されているのが一般的である。なお、用途によっては粗化処理を施さない場合もある。

本発明の可撓性プリント配線基板を製造するために用いられる積層体は、上記のようにして製造されるS面とM面とを有する電解銅箔であって、基材層と接触する粘着面がM面で
あって、その表面粗度（Rz）が５μm以下、好ましくは０．３〜１．５μmの範囲内にある電解銅箔を使用することができる。このような電解銅箔のM面に、上記の分子内にイミド
構造とアミド構造の両者を有する樹脂を含有する塗布液を塗布して溶媒を蒸発させて除去して絶縁層であり基材層を形成することにより、電解銅箔と絶縁層とが直接接合された積層体を得ることができる。この場合に、接合面となる電解銅箔のM面には、絶縁層との密
着性を向上させるために、瘤付け処理、焼けメッキ処理、被せメッキ処理、カップリング処理など、電解銅箔を用いる場合に通常行われる処理が施されていてもよい。

本発明の可撓性プリント配線基板は、上記のようにM面の表面粗度が５μm以下の電解銅箔を用いて形成することも可能であるが、特に本発明では低プロファイル電解銅箔を使用することが好ましい。

本発明で謂う低プロファイル電解銅箔は、その析出面の表面粗さ（Rzjis）が１．０μm未満、好ましくは０．６μm未満であり、M面の光沢度〔Gs(60°)〕が４００以上、好ましくは６００以上の光沢度を有する電解銅箔であり、M面およびS面の表面粗さ(Rzjis)が非
常に低い値を示し、光沢度で示すように鏡面光沢を有する。

本発明で好適に使用される低プロファイル電解銅箔の光沢度について説明すると、本発明の低プロファイル電解銅箔の光沢度〔Gs(60°)〕とは、電解銅箔の表面に入射角６０°で測定項光を照射して反射角６０°で跳ね返った光の強度を測定したものである。

ここでいう入射角は、光の照射面に対する直角方向を０°としている。そして、JIS Z 8741-1997には、入射角の異なる5個の鏡面光沢度測定方法が記載されており、試料の光沢度に応じて最適な入射角を選択すべきであると記載されている。中でも入射角６０°とすることで低光沢度の試料から高光沢度の試料まで幅広く測定が可能であるとされている。したがって本発明では低プロファイル電解銅箔の光沢度の測定に関しては入射角６０°を採用する。

一般的に電解銅箔の析出面の平滑性の評価には表面粗さ（Rzjis）が用いられてきてい
る。しかしながら、表面粗さ（Rzjis）だけでは高さ方向の凹凸情報しか得られず、凹凸
の周期およびうねりといった情報を得ることはできない。光沢度を併せて採用することにより、電解銅箔の高さ方向の凹凸情報と共に凹凸の周期およびうねりといった電解銅箔を全体の情報を得ることができる。本発明では、低プロファイル電解銅箔の局所的な高さ方向の凹凸情報として表面粗さ（Rzjis）を採用すると共に、この低プロファイル電解銅箔
全体の表面の粗さ周期、うねり、それらの表面の均一性などのさまざまな状態を規定することができる。

本発明で使用する低プロファイル電解銅箔は、析出面の表面粗さ（Rzjis）が１．０μm未満であり、かつこの析出面の光沢度〔Gs(60°)〕が４００以上であるという特性を満たすものである。そして、本発明では、表面粗さ（Rzjis）０．６μm未満であり、かつこの析出面の光沢度〔Gs(60°)〕が７００以上である低プロファイル電解銅箔を使用することが好ましい。なお、本発明では光沢度〔Gs(60°)〕の上限を定めておらず、高いことが望ましいが、経験的に判断として〔Gs(60°)〕は７８０を超える電解銅箔を製造することは不可能であり、従って、本発明においても光沢度〔Gs(60°)〕の上限値は７８０である。

なお、本発明において、光沢度は、日本電色工業(株)製の光沢度計VC-2000型を用いて
、光沢度の測定方法を規定するJIZ Z8741-1997に準拠して測定した値である。
本発明の可撓性プリント配線基板の形成に用いる積層体において低プロファイル電解銅箔の厚さは通常は５μm以上、好ましくは８μm以上である。本発明で使用する低プロファイル電解銅箔は、その厚さが増すほど、析出面（M面）の表面粗さ（Rzjis）が小さくなる傾向があり、またも光沢度〔Gs(60°)〕もその厚さが増すほど光沢度も上昇する傾向がある。したがって、厚い低プロファイル電解銅箔を使用すれば、電気的特性などに関しては良好な特性を有するプリント配線基板を得ることができる。しかしながら、本発明のプリント配線基板は、可撓性を有するプリント配線基板であり、プリント配線基板に可撓性を確保するためには、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔として、通常は３〜１８μm、好ましくは６〜１５μmの厚さの電解銅箔が取扱やすくしかも得られるプリント配線基板に現れる可撓性、電気的特性などの種々の特性のバランスが非常に良くなるので、この範囲内の厚さを有する低プロファイル電解銅箔を使用することが望ましい。なお、上記のような低プロファイル電解銅箔は厚さ０．１μm程度の極めて薄いものも製造可能であり
、取扱方法を工夫すれば極めて薄い低プロファイル電解銅箔を使用することが可能になる。

また、本発明で使用される低プロファイル電解銅箔について前記析出面側の光沢度〔Gs(60°)〕を測定すると、幅方向で測定したTD光沢度と、流れ方向で測定したMD光沢度とを別々に測定して、〔（TD光沢度）／（MD光沢度）〕の値を求めると、０．９〜１．１の範囲内にあり、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔では幅方向と流れ方向との差が非常に小さいことを意味している。

すなわち、一般の電解銅箔では、陰極である回転ドラムの表面にある研磨すじ等の影響により、幅方向（TD）と流れ方向（MD）との機械的特性が異なるというのが一般的な通念であったが、本発明で使用される低プロファイル電解銅箔では、厚みによらずより均一で滑らかな析出面側の表面を有し、その結果として光沢度〔Gs(60°)〕は、〔（TD光沢度）／（MD光沢度）〕の値が０．９〜１．１と変動幅が１０％以内と非常に小さく、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔は、TD方向とMD方向との表面形状のばらつきが極めて小さいとの特性を有している。

そして、さらに付言するならば、外観上の差異がTD方向及びMD方向との間に存在しないということは、均一な電解ができており、結晶的に見ても均一であることを意味している。すなわち、TD方向およびMD方向における引張り強さ及び伸び率などの機械的特性の差も小さくなることを意味している。このようにTD方向とMD方向とで機械特性差が小さいと、プリント配線基板を製造する際の銅箔の方向性による基板の寸法変化率及び回路の直線性などに与える影響力が小さくなる。因みに、表面が平滑である銅箔の代表的な例である圧延銅箔の場合には、加工方向に起因してTD方向とMD方向との機械的特性が異なることが知られている。その結果、圧電銅箔は、本発明の可撓性プリント配線基板においては寸法変化率が大きくファインパターンの用途、特にCOF基板の用途に使用する銅箔としては不適
当である。これに対して本発明の可撓性プリント配線基板において、使用する低プロファイル電解銅箔のTD方向とMD方向が結晶構造的に見ても均一であるから、このように低プロファイル電解銅箔のTD方向およびMD方向における引張り強度および伸び率などの機械的特性差が小さく、プリント配線基板を製造する際の銅箔の方向性による基板の寸法変化率あるいは回路の直線性などに与える影響が小さくなる。

また、本発明では好適には使用する低プロファイル電解銅箔について、光沢度〔Gs(20
°)〕と光沢度〔Gs(60°)〕を測定して両者を比較することにより、従来の電解銅箔との
差異をより明瞭に捉えることができる。具体的には本発明で好適に使用される低プロファイル電解銅箔は、前記析出面側における光沢度〔Gs(20°)〕＞光沢度〔Gs(60°)〕の関係を有している。同じ物質であれば一つの入射角度を選択して光沢度を評価すれば充分であると予測されるが、同じ物質であっても入射角に応じて、反射率が変化すれば、被測定側表面の凹凸に応じて、反射光の空間分布が変化して、光沢度に差が生ずるのである。

このような事実について検討した結果、経験的に次の傾向があることがわかった。高光沢且つ低表面粗さの電解銅箔の場合には、光沢度〔Gs(20°)〕＞光沢度〔Gs(60°)〕＞光沢度〔Gs(85°)〕の関係が成立し、低光沢且つ低表面粗さの電解銅箔の場合には、光沢度〔Gs(60°)〕＞光沢度〔Gs(20°)〕＞光沢度〔Gs(85°)〕の関係が成立する。さらに無光沢且つ低表面粗さの電解銅箔の場合には、光沢度〔Gs(85°)〕＞光沢度〔Gs(60°)〕＞光沢度〔Gs(20°)〕の関係が成立する。こうした事実から、一定の入射角による光沢度の絶対値のほかに、異なる入射角での光沢度測定値との関係により平滑性を評価することが非常に有意義になってくる。

さらに、このような低プロファイル電解銅箔においては、析出面（M面）の表面状態だ
けでなく、その光沢面（S面）の表面状態も重要になる。本発明で使用される低プロファ
イル電解銅箔における光沢面（S面）には、析出面（M面）に近いレベルの表面粗さ（Rzji
s）および光沢度〔Gs(60°)〕が求められる。すなわち、この低プロファイル電解銅箔の
光沢面（S面）側の表面粗さ（Rzjis）は、２．０μｍ未満であり、かつ光沢度〔Gs(60°)〕が７０以上であることが好ましく、さらに、表面粗さ（Rzjia）が１．７μｍ未満、光
沢度〔Gs(60°)〕が１００以上であることが特に好ましい。この光沢度〔Gs(60°)〕の上限値には特に制限はないが経験的にいえば通常は５００程度である。すなわち、これまで述べてきた析出面（M面）の表面状態を得るためには、光沢面（S面）を以下に記載するような表面状態に形成することが好ましい。この条件を外れると、TD方向およびMD方向での表面状態に差が生じやすく、TD方向およびMD方向での引張り強さおよび伸び率などの機械的特性に差が生じやすくなる。この光沢面（S面）の表面状態は、銅が析出する陰極ドラ
ムの表面状態の転写であるから、光沢面（S面）の表面状態は、陰極ドラムの表面状態に
より定まる。従って、特に薄い電解銅箔を製造するときは、陰極ドラムの表面粗さ（Rzjis）が２．０μｍ未満という特性が求められる。

本発明で使用される低プロファイル電解銅箔の機械的特性の常態（25℃）における引張り強さが３３kgf／mm²以上、伸び率が５％以上となる。そして、加熱後〔180℃×60分、
大気雰囲気〕では、その引張り強さが３０kgf／mm²以上、伸び率が８％以上であることが好ましい。

そして、この製造条件を最適化することにより、常態（25℃）における引張り強さが３８kgf／mm²以上、加熱後(180℃×60分、大気雰囲気)の引張り強さが３３kgf／mm²以上と
いう、より優れた機械的特性を備えることができる。従って、この良好な機械的特性は、本発明の可撓性プリント配線基板の折り曲げ使用にも充分に耐え得るものになる。

また、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔の線膨張係数（Lc-C）は、通常は１０〜２０ppm/Kである。上述のようにこの低プロファイル電解銅箔と積層される分子内にイ
ミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の線膨張係数（Lc-p）は、５ppm/K〜４０ppm/Kの範囲内することができるので、電解銅箔の線膨張係数（Lc-C）に対する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の線膨張係数（Lc-p）〔＝（Lc-ｐ）／Lc-C〕を、通常は０．２〜５の範囲内、好ましくは０．３〜３の範囲
内に調整することが可能になり、好適条件を採用することにより上記の基材層の線膨張係数（Lc-p）〔＝（Lc-ｐ）／Lc-C〕を約１にすることもできる。本発明の可撓性プリント
配線基板を製造する際に用いる分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層と低プロファイル電解銅箔との積層体は、上記のように線膨張係数が非常に近似していることから、熱変形がしにくく、非常に寸法安定性がよい。

本発明で使用される低プロファイル電解銅箔は、上述のように表面処理を施していない電解銅箔であってもよいが、上述の電解銅箔に防錆処理、シランカップリング剤処理の少なくともいずれか一種類の表面処理が施されていてもよい。ここで防錆処理は、銅貼り積層板およびプリント配線基板の製造工程で支障をきたすことがないように低プロファイル電解銅箔の表面の酸化腐食を防止するものである。この防錆処理は、絶縁層を構成するポリアミドイミドとの密着性を阻害せず、可能であれば密着性を向上させるものであることが望ましい。具体的には防錆処理としては、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾールなどの有機防錆剤、あるいは、亜鉛、クロメート、亜鉛合金などの無機防錆剤のいずれか、または、両者を組み合わせた防錆処理を挙げることができる。

また、シランカップリング剤処理とは、防錆処理が終了した後に絶縁層を構成する基材層との化学的密着性を向上させるための処理である。
本発明において、有機防錆剤を用いた防錆方法は、たとえば、有機防錆剤の溶液を浸漬塗布する方法、シャワーリング塗布する方法、電着する方法などの方法を採用することができる。また、無機防錆剤を使用する防錆方法は、防錆元素を電解銅箔の表面に電解析出
させる方法、その他所謂置換析出法などを挙げることができる。例えば、亜鉛防錆処理を行うときには、ピロ燐酸亜鉛めっき浴、シアン化亜鉛めっき浴、硫酸亜鉛めっき浴などを用いることができる。例えば、ピロ燐酸亜鉛めっき浴であれば、濃度は、亜鉛５g／リッ
トル〜３０g／リットル、ピロ燐酸カリウム５０g／リットル〜５００g／リットル、液温
は２０℃〜５０℃、pＨは９〜１２、電流密度は０．３A／dm²〜１０A／dm²の範囲内の範
囲内に設定される。

また、シランカップリング剤処理に用いることができるシランカップリング剤に特に限定されるものではないが、使用する絶縁層構成成分である分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂、可撓性プリント配線基板の製造工程で使用されるめっき液などの性状を考慮して、エポキシ系シランカップリング剤、アミノ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤などを用いることができる。こうしたシランカップリング剤を用いて、シランカップリング剤の溶液を浸漬塗布、シャワーリング塗布、電着法などにより処理する。

より具体的には、本発明の可撓性プリント配線基板の絶縁層を形成する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層との親和性のよい、ビニルトリメトキシイシラン、ビニルフェニルメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメトキシシラン、4-グリシジルブチルメトキシシラン、
γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β（アミノエチル）γ-アキノプロピルトリ
メトキシシラン、N-3-(4-(3-アミノプロポキシ)ブトキシ)プロピル-3-アミノプロピルト
リメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ-メルカプトプロピルト
リメトキシシランなどを使用することができる。

上記のようにして処理された低プロファイル電解銅箔の絶縁層である基材層との接触面の表面粗さ（Rzjis)は１．５μｍ以下であることが好ましい。このように表面粗さ調整することによりファインピッチ回路の形成に適した表面処理銅箔となる。

また、上記表面処理した低プロファイル電解銅箔の絶縁層である基材層との接合面の光沢度〔Gs(60°)〕は２５０以上であることが好ましい。このような表面処理によって防錆被膜あるいはシランカップリング剤被膜が形成されるため、表面粗さの変化が検出されないレベルであっても、表面処理前後の比較においては光の反射率などが変動することはあるが、表面処理電解銅箔の接着面で得られる光沢度〔Gs(60°)〕が２５０以上を維持していれば表面処理被膜が適正な厚さで形成されていると判断することができる。

前記表面処理された低プロファイル電解銅箔の絶縁層との接触面に粗化処理を施すことができる。粗化処理は公知技術を適用できるものであって、防錆技術との組み合わせから必要最低限の粗化処理を実施すれば足りる。しかしながら、本発明において表面処理された低プロファイル電解銅箔が好ましく用いられる４０μmピッチ、好ましくは２５μｍピ
ッチを下回るようなファインピッチ配線の形成においては、粗化処理を施していないことにより、必要とされるオーバーエッチング時間の設定精度を向上させることができる。

本発明において低プロファイル電解銅箔を粗化処理して使用する場合には、低プロファイル電解銅箔の表面に微細金属粒を付着形成させる方法、あるいは、エッチング法で粗化処理面を形成する方法、いずれかの方法が採用される、ここで粗化処理について前者の銅の微細粒子を表面に付着形成する方法を例にして説明すると、この粗化処理工程は、電解銅箔の表面上に微細銅粒を析出付着させる工程と、この微細銅粒の脱落を防止するための被せめっき工程で構成されている。

電解銅箔の表面上に微細銅粒を析出付着させる工程では、電解条件としてヤケめっきの
条件が採用される。従って、一般的に微細銅粒を析出付着させる工程で用いる溶液濃度は、ヤケめっき条件を作り出しやすいように、低い濃度に調整する。このヤケめっき条件は、種々設定することができるが、例えば、硫酸系銅溶液を用いるのであれば、銅濃度を５〜２０g／リットル、フリー硫酸濃度を５０〜２００g／リットル、その他必要に応じた添加剤（α−ナフトキノリン、デキストリン、膠、チオ尿素など）を配合し、液温を１５〜４０℃、電流密度を１０〜５０Ａ／dm²の範囲内に設定する。

そして、微細銅粒の脱落を防止するための被せめっき工程は、平坦めっき条件により微細銅粒を被覆するように銅を均一析出させるための工程である。従って、ここでは前述の電解銅箔の製造工程で用いたものと同様の銅電解液を銅イオンの供給源として用いることができる。この平坦めっき条件は特に限定されるものではなく、生産ラインの特質を考慮して定めることができる。例えば、硫酸系銅溶液を用いる場合においては、銅濃度を５０〜８０g／リットル、フリー硫酸濃度を５０〜１５０g／リットル、液温を４０〜５０℃、電流密度を１０〜５０A／dm²の範囲内に設定する。

本発明の可撓性プリント配線基板を製造する際に用いられる前記表面処理された低プロファイル電解銅箔の絶縁層構成材料であるポリアミドイミドとの接着面は、低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）であることが好ましい。前述のように、光沢面（S面）側は陰極ドラムの表面形状が転写した形状であるためにTD方向／MD方向の違いを皆無にすることは困難である。そのため接着面の形状がTD／MDで方向性を持っている場合に起こる配線端面の直線性のばらつきを僅少にするためには析出面（M面）を接着面とすることが好まし
い。

本発明で使用する低プロファイル電解銅箔は、硫酸系銅電解液を用いて電解法により陰極表面に析出した銅箔を剥離することにより得られる。ここで使用される硫酸系銅電解液は、たとえば以下の式（１２）で示すようなMPSまたは式（１３）で示すようなSPSから選択される少なくとも一種と、式（１４）で示すような環状構造を有する４級アンモニウム塩酸とを含む硫酸系銅電解液から得られるものである。この組成を有する硫酸系銅電解液を用いることで安定して本発明で使用する低プロファイル電解銅箔を製造することが可能になる。

さらに、電解条件を最適化することにより光沢度〔Gs(60°)〕が７００を超えるものを得ることができる。そして、この硫酸系銅電解液中の銅濃度は、４０g／リットル〜１２
０g／リットル、好ましくは５０g／リットル〜８０g／リットルの範囲内にあり、フリー
硫酸濃度は６０g／リットル〜２２０g／リットル、好ましくは８０g／リットル〜１５０g／リットルの範囲内にある。

本発明で使用する低プロファイル電解銅箔を製造するために使用する硫酸系銅電解液中に含まれるMPSおよび／またはSPSの合計濃度は、通常は０．５ppm〜１００ppmの範囲内、好ましくは０．５ppm〜５０ppmの範囲内、さらに好ましくは１ppm〜３０ppmの範囲内にある。このMPSおよび／またはSPSの濃度が０．５ppmに満たない場合、電解銅箔の析出面（M面）が粗くなり、低プロファイル電解銅箔を得ることが困難になる。一方、MPSおよび／
またはSPSの濃度が１００ppmを超えても得られる電解銅箔の析出面（M面）が平滑化する
効果は向上せず、廃液処理のコスト増加を招くだけである。なお、本発明においてMPSよ
びSPSは、それぞれの塩を含む意味であり、濃度の記載値は、ナトリウム塩としての「3-
メルカプト-1-プロパンスルホン酸ナトリウム（ＭＰＳ−Ｎａ）としての換算値である。
そして、ＭＰＳは硫酸系銅電解液中では２量体化することでＳＰＳ構造を採るものであり、従って、ＭＰＳまたはＳＰＳの濃度とは3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸単体ある
いはMPS-Naなどの塩類の他、SPSとして添加されたものおよびMPSとして電解液中に添加された後SPSなどに重合化した変性物を含む濃度である。MPSの構造を式（１２）に示し、SP
Sの構造を式（１３）で示す。これらの式からSPSは、MPSの2量体であることがわかる。

本発明で使用する低プロファイル電解銅箔を製造するための硫酸系銅電解液中に、環状構造を有する４級アンモニウム塩重合体は、通常は1ppm〜１５０ppmの範囲内の濃度で含
有されており、好ましくは１０ppm〜１２０ppmの範囲内の濃度、さらに好ましくは１５ppm〜４０ppmの範囲内の濃度で含有されている。ここで環状構造を有する４級アンモニウム塩重合体としては種々のものを挙げることができるが、低プロファイルの析出面を形成する効果を考慮すると、DDAC重合体を用いることが好ましい。DDACは重合構造を採る際に環状構造をなすものであり、環状構造の一部が４級アンモニウムの窒素原子で構成されることになる。そして、DDAC重合体は前記環状構造が４員環〜７員環のいずれかまたはそれらの混合物であると考えられているため、ここでは重合体のうち、５員環構造を有する化合物を代表例として式（１４）に示す。このDDAC重合体とは式（１４）から明らかなようにDDACの２量体以上重合した重合体構造を有している。

上記式（１４）において、ｎは2以上の整数である。
本発明で使用する低プロファイル電解銅箔を製造する際には、硫酸系銅電解液中におけるここDDAC重合体は、通常は１ppm〜１５０ppmの範囲内の濃度、好ましくは１０ppm〜１
２０ppmの範囲内の濃度、特に好ましくは１５ppm〜４０ppmの範囲内の濃度で使用する。DDAC重合体の濃度が1ppm未満ではMPSあるいはSPSの濃度を如何に高めても電析銅の析出面
が粗くなり、低プロファイル電解銅箔を得ること困難になる。DDAC重合体の硫酸系銅電解液中の濃度が150ppmを超えると、銅の析出状態が不安定になり、低プロファイル電解銅箔を得ることが困難になる。

さらに、前記硫酸系銅電解液中の塩素濃度は５ppm〜１２０ppmであることが好ましく、さらに１０ppm〜６０ppmであることが特に好ましい。この塩素濃度が５ppm未満では電解
銅箔の析出面が粗くなり低プロファイルを維持できなくなる。他方、１２０ppmを超える
と電解銅箔の析出面が粗くなり電析状態が安定せず、低プロファイルの析出面を形成することができなくなる。

このように低プロファイル電解銅箔を形成するうえでは、前記硫酸系銅電解液のMPSま
たはSPSと、DDAC重合体と、塩素濃度のバランスが重要であり、これらの量的バランスが
上記範囲を逸脱すると結果として電解銅箔の析出面が粗くなり、低プロファイル電解銅箔を製造できない。

そして、前記硫酸系銅電解液を用いて低プロファイル電解銅箔を製造する場合には、表面粗さが所定の範囲内に調整された陰極と不溶性陽極を用いて銅を電析することが必要であり、この場合の液温を通常は２０℃〜６０℃の範囲内、好ましくは４０℃〜５５℃の範囲内に設定し、電流密度は、通常は１５Ａ／dm²〜９０Ａ／dm²の範囲内、好ましくは５０Ａ／dm²〜７０Ａ／dm²の範囲内に設定して銅の電解析出を行う。

なお、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔を製造する場合、上記電解銅箔に求められる特性を安定的に得るために、使用する陰極ドラムの表面状態も管理すべきである。プリント配線基板用電解銅箔の規格であるJIS C 6515を参照すると、電解銅箔に求められる光沢面の表面粗さ（Rzjis）は最大２．４μｍであると規定されている。この電解銅箔
の製造に用いる陰極は、チタン（Ti）材質の回転陰極ドラムであり、連続使用している間に表面酸化による外観変化および金属層の変化が起こる。したがって、より平滑性の高い電解銅箔を製造するためには、回転陰極ドラムの表面を定期的な平滑化することが好ましく、必要に応じて表面ポリッシュ、さらには研磨または切削といった機械的な加工作業が必要になる。そして、このような陰極表面の機械的加工は陰極を回転しつつ実施するため円周方向に筋状の加工模様が不可避的に発生する。このため、表面粗さ（Rzjis）を小さ
いままに定常状態に維持することが困難であり、コストの観点とプリント配線基板性状の支障のないことを前提条件として前記規格値が容認されている。

従来の電解銅箔の場合には厚さが厚くなるほど析出面（M面）の表面粗さが大きくなる
傾向があり、前記一般規格の上限レベルまたはそれ以上の粗さを有する陰極ドラムを使用して得られる電解銅箔は、陰極の表面形状の影響を受けて析出面（M面）の表面粗さが大
きくなる傾向があることを経験的に把握している。これに対して本発明で使用する低プロファイル電解銅箔を製造する場合には、上記硫酸系銅電解液を用いることで、陰極表面の凹凸を埋めつつ厚くなっていく過程で、陰極面形状の影響を低減し、平坦な析出面を備える電解銅箔が得られるのである。

しかし、２０μｍ未満の厚さの電解銅箔において、その析出面（M面）の表面粗さ(Rzjis)を１．０μｍ未満とする場合には、得られる電解銅箔の光沢面（S面）の表面粗さ（Rzjis）が２．０μｍ未満、好ましくは１．２μｍ未満で、光沢度〔Gs(60°)〕が７０以上、好ましくは１２０以上とできる表面状態の陰極ドラムを使用することが、上述のようにTD方向とMD方向での機械的特性および表面の差を小さくする観点から好ましい。

本発明で使用される上記の低プロファイル電解銅箔は、一般に、低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）の表面粗度は、陰極ドラムの表面が転写される光沢面（S面）の表面粗度よりも低い、すなわち平滑である。

本発明の可撓性プリント配線基板は、上記のような低プロファイル電解銅箔と分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層との積層体を用いて、この積層された低プロファイル電解銅箔を選択的にエッチングして配線パターンを形成することにより製造される。

このような積層体において、低プロファイル電解銅箔の平均厚さは、通常は、５〜２５μm、好ましくは７〜１８μmの範囲内にある。このような積層体の断面写真を図１に示す。

図１は、上記の低プロファイル電解銅箔を使用して形成されたインナーリード（基材層は溶解除去してある）の断面を銅結晶粒子が結晶ごとに明確になるように区分けして撮影した電子顕微鏡写真およびそのトレース図である。

本発明で使用する低プロファイル電解銅箔には、従来の銅結晶粒子が小さい電解銅箔とは異なり、粒子径の大きい柱状の銅結晶粒子が多数形成されており、しかもこの柱状の銅結晶粒子の中には３μｍ以上、好ましくは６μｍ以上の長径を有する銅結晶粒子が多数存在している。

この図１に示すように、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔の厚さはＴ₀であり
、この低プロファイル電解銅箔中には長径がD₁，D₂，Ｄ₃，Ｄ₄，Ｄ₅，Ｄ₆，Ｄ₇，D₈で表
される柱状の銅結晶粒子が多数存在している。この柱状の銅結晶粒子の長径D₁，D₂，Ｄ₃
，Ｄ₄，Ｄ₅，Ｄ₆，Ｄ₇，D₈は、低プロファイル電解銅箔の厚さT₀と同等かT₀よりも明らかに長く、従って本発明の可撓性プリント配線基板を形成する配線パターン中には、配線パターンの厚さよりも長い長径を有する柱状の銅結晶粒子が多数含有されている。

本発明の可撓性プリント配線基板に形成されている配線パターンには、この低プロファイル電解銅箔の厚さ（＝配線パターンの厚さ）T₀と同等かT₀よりも長い長径を有する柱状の結晶粒子が配線パターンの断面中に面積比率で通常は５０％以上含有されており、さらに７５％以上含有されていることが好ましい。

従って、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔中には長径が３μｍに満たない銅結晶粒子が断面比率で５０％以下の量、好ましくは２５％以下の量で含有されており、これらの長径が３μｍに満たない銅結晶粒子は、通常は長径が３μｍ以上である柱状の銅結晶粒子の間隙を埋めるように存在している。

本発明で使用する低プロファイル電解銅箔が長径の柱状粒子を高い比率で含有するから、結合力の低い粒子界面が少なくなり、この低プロファイル電解銅箔は、高い引張強度を有している。本発明で使用する低プロファイル電解銅箔について、２５℃で測定した引張強度は通常は３３kgf/mm²以上、好ましくは３７〜４０kgf/mm²である。さらに１８０℃で６０分間加熱した後に測定した引張強度は通常は３０kgf/mm²以上であり、好ましくは３
３〜４０kgf/mm²である。すなわち、本発明で使用する低プロファイル電解銅箔は、上述
のように主として３μｍ以上の長径を有する柱状の銅結晶粒子からなるので、非常に高い引張強度を有する。

また、この低プロファイル電解銅箔の２５℃における伸び率は５％以上、好ましくは１０〜１５％であり、さらに１８０℃で６０分間加熱した後の伸び率も通常は８％以上、好ましくは１０〜１５％である。すなわち、上述のように本発明で使用される低プロファイル電解銅箔を構成する銅結晶粒子は、長径が３μm以上である柱状の結晶粒径および形態
を有しているので、常温において非常に高い伸び率が発現すると共に、高温に加熱した後の伸び率も非常に高い値を示す。

本発明の可撓性プリント配線基板を製造する際に使用される上記積層体は、低プロファイル電解銅箔と上記樹脂から形成される基材層との積層体であり、この積層体は、低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）に、上記分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有
する樹脂からなる樹脂フィルムを配置してロールラミネート方式などで積層することもできるが、本発明では低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）に分子内にイミド構造とア
ミド構造の両者を有する樹脂を含有する塗布液を塗布して溶剤を除去するキャスティング法により形成することが好ましい。特に本発明の可撓性プリント配線基板は、電子部品が実装される絶縁層にデバイスホールが形成されていない可撓性プリント配線基板であるチ
ップオンフィルム（Chip on film）基板とすることが好ましく、COF基板は、低プロファ
イル電解銅箔に透過孔などを設けずに低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）全体にポ
リアミドイミド塗布液を流涎した後、溶剤を除去するキャスティング法により非常に効率よく上記特定の構造を有する樹脂からなる絶縁層を形成することができる。

しかも、このようなキャスティング法により絶縁層を形成する場合の加熱温度は、樹脂の塗布液中に含有される有機溶媒の沸点よりも７０℃〜１３０℃低い温度で初期乾燥を行った後、溶媒の沸点近傍、あるいは沸点以上の温度でさらに加熱（二次乾燥）することが好ましいことから、たとえば上記分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂に対する良溶媒であり比較的沸点の高いN-メチル-2-ピロリドン（沸点＝２０２℃）を使用
した場合であっても、高温にする二次乾燥工程のおける温度は一般には１００以上３００℃未満の範囲内に温度、好ましくは１３０〜２８０℃の範囲内の温度に設定することができる。

このように高温に加熱される二次乾燥においても最高到達温度を３００℃未満、好ましくは２８０℃未満に設定することができる。本発明の可撓性プリント配線基板を製造するに際して、この積層体が最も高温に晒されるのが、この二次乾燥工程であり、本発明のように、上記のような樹脂を含有する塗布液を用いたキャスティング法により、基材層を形成して絶縁層とすると、この積層体が最も高温に加熱されてもその最高到達温度は３００℃未満であり、絶縁層と電解銅箔とからなる積層体が、３００℃を超えかつ１０分を超える熱履歴を有していない。低プロファイル電解銅箔で形成する積層体では、再結晶化が起こらないので、低プロファイル電解銅箔の有する優れた特性が損なわれることがなく、最後まで維持される。

上記のように低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）に上記のような樹脂を含有する
塗布液を塗布した後、初期乾燥工程、次いで二次乾燥工程を経て低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）に絶縁層である基材層を形成して、積層板を形成する。

このようにして形成した長尺のフィルム上の積層板（積層テープ）の幅方向の縁部に、このテープを搬送するためのスプロケットホールを設けた後、積層テープの低プロファイル電解銅箔の光沢面（S面）の表面に感光性樹脂層を形成して、この感光性樹脂層の表面
に所定のパターンが形成されたマスクを配置して、感光性樹脂層を露光現像することにより、感光性樹脂の硬化体からなるパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、低プロファイル電解銅箔を選択的にエッチングすることにより、低プロファイル電解銅箔がエッチングされて配線パターンが形成される。

こうしてエッチングにより配線パターンを形成した後、マスキング材として使用した感光性樹脂硬化体からなるパターンは、アルカリ洗浄などにより容易に除去することができる。本発明の可撓性プリント配線基板の絶縁層を形成する基材層は、耐アルカリ性に優れていることから、マスキング材の除去に用いるアルカリ洗浄液の濃度を高くすることができ、従って短時間でマスキング材を除去することができる。このようにアルカリ洗浄液との接触が短時間にすることにより、耐アルカリ性の高い基材層がアルカリ洗浄液によって影響を受けることがなくなる。

このようにして絶縁層である基材層の表面に低プロファイル電解銅箔をエッチングして配線パターンを形成した後、電子部品との接続端子であるインナーリードおよび外部との接続端子であるアウターリードが露出するようにソルダーレジスト層を形成するか、ソルダーレジスト層の代わりにカバーレイを塗布してリード部分以外の部分を保護する。ソルダーレジスト層あるいはカバーレイにより保護されていないインナーリードおよびアウターリードの表面に、メッキ処理を施す。メッキ処理には、スズメッキ、金メッキ、亜鉛メ
ッキ、半田メッキ、鉛フリー半田メッキ、ニッケル-金メッキ、銀メッキなどがあり、本
発明の可撓性プリント配線基板の用途にあわせて必要なメッキ層を形成する。このメッキ層の厚さは、メッキ層の種類によっても異なるが、通常は０．２〜２．０μmである。

なお、上記説明はソルダーレジスト層あるいはカバーレイを形成した後、メッキ処理を行った例を示したが、ソルダーレジスト層あるいはカバーレイを形成する前に、配線パターン全体に薄いメッキ層を形成した後、ソルダーレジスト層あるいはカバーレイを形成し、次いでこのソルダーレジスト層あるいはカバーレイから露出したリード部分を再びメッキ処理を行ってもよい。

また、ソルダーレジスト層あるいはカバーレイを形成する前に、必要とする厚さのメッキ層を形成することもできる。
上記のようにして形成された可撓性プリント配線基板は、電子部品を実装するためのデバイスホールが形成されておらず、絶縁層の表面に配線パターンが形成されたCOF基板で
あることが好ましい。

このようなCOF基板に電子部品を実装する場合には、配線パターンのインナーリードに
電子部品に形成されたバンプ電極が当接するように電子部品とCOF基板との位置合わせを
行った後、このCOF基板に形成されたインナーリードの下面にある基材層の裏面側からボ
ンディングツールを用いて、基材層（絶縁層）を介してインナーリードおよびバンプ電極を加熱してインナーリードとバンプ電極とを電気的に接合して、電子部品をCOF基板に実
装する。

このときのボンディングツールによる加熱温度はボンディング方式により異なるが、たとえば１００〜３００℃であり、加熱時間は、通常は０．２〜２．０秒間である。
本発明の可撓性プリント配線基板、特にCOF基板は、上記のような絶縁層である基材層
を介して行われるボンディングツールによる加熱によっても絶縁層が熱的にダメージを受けることがない。

本発明の可撓性プリント配線基板、特にCOF基板は、PDP、液晶などの表示装置を駆動させる電子部品の実装に使用される。このような用途に使用されるCOF基板は、表示装置の
縁部で折り曲げて使用されることが多いが、絶縁層を形成する分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂が大変優れた可撓性を有していると共に、配線パターンを形成する低プロファイル電解銅箔の抗張力が高く、しかも伸び率が高く、非常に可撓性に富んだ配線パターンを形成することができる。特に絶縁層を分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を用いてキャスティング法により形成することにより、低プロファイル電解銅箔と分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層とからなる積層体が、低プロファイル電解銅箔の再結晶化が進行するほど加熱されないので、低プロファイル電解銅箔に形成されている大型の結晶の比率などが変化することがなく、低プロファイル電解銅箔の有している優れた機械的特性が、そのまま配線パターンに承継される。

さらに、本発明の可撓性プリント配線基板の絶縁層は耐熱性に優れた分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂から形成されており、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂から形成された基材層の光透過率は４０μm厚の場合５０〜７
０％である。プリント配線基板の上方から光を投光して、プリント配線基板の配線パターンが形成されていない部分を透過する光を認識して位置決めをすることができる。

このように本発明の可撓性プリント配線基板は、絶縁層を分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を用いて形成しているために、この樹脂からなる絶縁層を形成す
る際の加熱温度が低く、従って非常に優れた機械的特性を有する低プロファイル電解銅箔の有する特性が変動することなく最後まで保持される。

このため本発明の可撓性プリント配線基板は、高い耐熱性を有しているとともに、形成された配線パターンの機械的特性が優れており、デバイスホールを設けずに電子部品を実装し、さらに折り曲げて使用されることが多い表示装置を駆動させるために使用される電子部品を実装するのに多様されているCOF基板として使用するに特に適している。

次に本発明の可撓性プリント配線基板について実施例を示してさらに詳細に説明するが本発明はこれらによって限定されるものではない。
〔実施例１〕
硫酸系銅電解液として、硫酸銅溶液であって、銅濃度が８０g／リットル、フリー硫酸
濃度が１４０g／リットル、MPS-Na濃度が7ppm、DDAC重合体（センカ(株)製、ユニセンスFPA100L）濃度が３ppm、塩素濃度が１０ppmの電解溶液を調製した。

低プロファイル電解銅箔の作成は、陰極にチタン性ドラムを使用して、陽極にDSAを用
いて液温５０℃、電流密度６０Ａ／dm²の条件で厚さ１５μmの低プロファイル電解銅箔を連続的に製造した。

得られた低プロファイル電解銅箔の平均厚さは１５．０μm、常態における引張り強さ
は３９kgf／mm²、伸び率は７．２％であり、１８０℃×６０分間加熱後の引張り強さは３５kgf／mm²、伸び率は１４％であった。

また、この低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）の表面粗さ（Rzjis）は、０．５１μm、光沢面（S面）の表面粗さ（Rzjis）は、１．０μmであった。
この低プロファイル電解銅箔の線膨張係数（Lc-ｐ）は、１６ppm／Kであった。

この低プロファイル電解銅箔の表面の電子顕微鏡写真を図２に示す。なお、比較のために図３に市販されている電解銅箔のなかで表面粗さの低い電解銅箔（M面の表面粗さ（Rzjis）＝３．５μm）について同様に撮影した電子顕微鏡写真を示す。

これとは別に、反応容器に無水トリメリット酸（TMA）１７．２９ｇ（０．０９モル、
三菱瓦斯化学(株)製）、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（BPDA）２．９４ｇ（０．０１)モル、1,5-ナフタレンジフェニルメタジイソシアネート２１．０ｇ（０
．１モル、住友バイエルウレタン(株)製）、ジアザビシクロウンデセン１ｇ（サンアプロ(株)製）およびN-メチル-2-ピロリドン(以下NMPと略記することもある)２３３．６ｇ（（株）ダイヤケミカル製）（ポリマー濃度１５％）を加えて１００℃まで２時間かけて昇温し、そのまま５時間反応させた。

次いで、NMP６８．６ｇ（ポリマー濃度１２％）を加え、室温まで冷却した。
得られた重合反応液中には黄褐色ポリマー（分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂）がNMPに溶解していた。この反応液を塗布液とした。

上記のようにして得られた塗布液を用いて、上述の低プロファイル電解銅箔の析出面（M面）に乾燥厚さが４０μmになるようにナイフコーターを用いて塗布した。次いで、１００℃の温度で５分間乾燥して、初期乾燥された積層体を得た。

次いで、上記のようにして得られた初期乾燥された積層体を内径１６インチのアルミ缶に、塗布面が外側になるように巻きつけ真空乾燥器あるいはイナートオーブンで、以下に
示す条件で加熱して二次乾燥を行った。得られた積層体の塗膜中の溶剤は完全に除去されていた。

減圧乾燥条件：２００℃×24時間（減圧度は溶剤の揮発により１０〜１００Pa の間で
変動した。）
窒素ガス下での加熱（窒素ガス流量：２０リットル/分）：２６０℃×3時間
上記のようにして得られた積層体からサンプルを切り出し強度、伸度、弾性率を求めた。
＜樹脂フィルムの強度、伸度、弾性率＞
低プロファイル電解銅箔を除去して得た樹脂フィルムから、幅１０mm、長さ100mmのサ
ンプルを作成し、引張試験機（商品名「テンシロン引張試験機」、東洋ボールドウイン社製）にいて、引張り速度２０mm／分、チャック間距離４０mmで測定した。

引張強度は２４０MPaであった。伸度は、３０％であった。また、弾性率は、４９００MPaであった。
＜ガラス転移温度（Tg）＞
TMA（熱機械分析／理学(株)製）引張荷重法により積層体から低プロファイル電解銅箔
を除去した樹脂フィルムのガラス転移温度（Ｔg）を以下の条件で測定した。なお、フィ
ルムは、窒素ガス中で、昇温速度１０℃／分で、一旦、変曲点まで昇温し、その後室温まで冷却したフィルムについて測定を行った。この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂のガラス転移温度は３５０℃であった。ここでガラス転移温度は、動粘度弾性分析（DMA法：セイコーインスツル（株）製）により測定した値である。

荷重；５ｇ
サンプルサイズ；4mm（幅）×２０mm（長さ）
昇温速度；１０℃／分
雰囲気；窒素ガス
＜樹脂フィルムの線膨張係数＞
TMA（熱機械分析／理学(株)製）引張荷重法により積層体から低プロファイル電解銅箔
を除去した樹脂フィルムの線膨張係数を以下の条件で測定した。なお、フィルムは、窒素ガス中で、昇温速度１０℃／分で、一旦、変曲点まで昇温し、その後室温まで冷却したフィルムについて測定を行った。この樹脂フィルムの線膨張係数は２７ppm/Kであった。

荷重；５ｇ
サンプルサイズ；4mm（幅）×２０mm（長さ）
昇温速度；１０℃／分
雰囲気；窒素ガス
＜低プロファイル電解銅箔の線膨張係数＞
TMA（熱機械分析／理学(株)製）引張荷重法により積層体から基材層をN-メチル-2-ピロリドンを用いて溶出除去した低プロファイル電解銅箔の線膨張係数について測定を行った。この低プロファイル電解銅箔の線膨張係数は１６ppm/Kであった。

荷重；５ｇ
サンプルサイズ；4mm（幅）×２０mm（長さ）
昇温速度；１０℃／分
雰囲気；窒素ガス
＜吸水率＞
IPC-FC241(IPC-TM-650,2.2.2（ｃ）)に準じ、以下の方法で基材層の吸水率を測定した
。なお、サンプルの切断面が粗い場合は、JIS R 6252に規定されるP240以上の研磨紙で平滑に仕上げた。

（１）乾燥した秤量瓶を１００℃〜１０５℃に加熱したオーブンで１時間乾燥後、デシケーター中で室温まで冷却し、０．０００１ｇ単位まで正確にその重さを測った(W0）。
その後秤量瓶をデシケーター内に戻した。

（２）乾いた基材フィルム（エッチング処理したサンプル）を１０５℃から１１０℃に加熱したオーブンで１時間乾燥し、０．０００１ｇ単位で正確にその重さを測った（W1）。

（３）上記基材フィルムを秤量瓶から取り出し（秤量瓶はデシケーターに戻す）、２５℃±１℃、９０％RH±３％RHの雰囲気で２４時間±１時間調湿した。
（４）調湿後、上記基材フィルムを秤量瓶に入れ密栓し、デシケーター中で室温まで冷却後、その重量を０．０００１ｇの単位まで正確に秤量した（M1）。秤量瓶はサンプルを入れる直前に、予めその重量を量っておく（M0）。

（５）次式により吸水率WA（％）を測定した。
WA（％）＝〔（M1−M0）−（W1−W0）〕×１００／〔M1−M0〕
このようにして測定した基材フィルムの吸水率は３．０５％であった。

上記のようにして厚さ１５μmの低プロファイル電解銅箔と厚さ４０μmの上述の樹脂からなる基材フィルム（絶縁層）とが積層された積層体の低プロファイル銅箔の表面（S面
）に感光性樹脂を塗布し、こうして形成された感光性樹脂層を露光現像した。

上記のようにして形成されたパターンをマスキング材として塩化第２銅系のエッチング液を用いて、低プロファイル電解銅箔を選択的にエッチング除去した。
こうして得られたインナーリードの配線ピッチ幅（Ｐ）は２０μｍであり、リード幅（Ｗ）は１０μｍである。またアウターリードの配線ピッチ幅は４０μｍであり、リード幅は２０μｍである。

エッチングされた基材フィルムをアルカリ洗浄することにより、マスキング材を除去し、次いで、インナーリードおよびアウターリードが露出するようにスクリーン印刷技術を利用してソルダーレジストを塗布し、乾燥させてソルダーレジスト層を形成した。

次いで、ソルダーレジスト層から露出しているインナーリード部およびアウターリード部に厚さ０．５μｍの無電解スズメッキ層を形成して本発明の可撓性プリント配線基板であるCOF基板を製造した。

こうして得られたCOF基板のインナーリードに、１２８０ch/１ICの電子部品を、ボンディングツールをCOF基板の基材層（絶縁層）側から押し当てて超音波を与えると共に加熱
して電子部品を実装した半導体装置を製造した。

上記のようにして製造する際に、無電解スズメッキをする前のCOF基板からインナーリ
ード部分を切り出した。こうして形成したインナーリードの部分の断面の電子顕微鏡写真を図２に示す。この図２では、絶縁層である絶縁層である基材層は溶剤を用いて溶解除去してある。また、この電子顕微鏡写真をトレースした図も図１に示す。

図１に示すように、このインナーリードの厚さT₀は１５μｍであり、図１のトレースした図面においてD１〜D8は、明らかにこのインナーリードの厚さT₀＝１５μｍよりも長い
長径を有する銅の柱状結晶であった。この断面における８μｍを超える柱状の銅結晶の占有面積は６０％であった。

また、上記のようにして製造したCOF基板において、配線パターン間で配線パターンが
形成されていない基材層の光線透過率は６００nmで７４％であった。TABボンダーにおい
て、このCOF基板の基材層の上面側に光源を配置し、絶縁層である基材層の下面側にCCDカメラを配置して、このCOF基板を透過する光を検知して、半導体チップとCOF基板との位置決めを行うことができた。

上記のようにして製造されたCOF基板を、耐折性試験装置である市販のMIT試験機を用いて、１００gf／10mm^wの荷重をかけて屈曲角度±１３５度、屈曲半径０．８mm、屈曲速度
１７５rpmの条件で２５℃で配線抵抗変化を測定したところ、１３０回で断線した。

図１に示すように本発明の可撓性プリント配線基板であるCOF基板に形成されている配
線パターンの断面の銅粒子は、従来のプリント配線基板を形成するのに適しているとされて広範囲に使用されている電解銅箔を構成する銅粒子（図３参照）と比較すると非常に形状が大きく、しかもこうした粒子径の大きい柱状の銅粒子が配線パターンの中に多数存在してこれらは配線パターンの中で他の柱状銅粒子と共同して配線パターンに非常に優れた耐折性、伸び率などの優れた特性を付与しているものと考えられる。しかも、絶縁層として分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層を用いることにより、この絶縁層を形成する際の加熱温度を低く押さえることができるので、低プロファイル電解銅箔に形成されている大型の銅結晶の状態が配線基板を形成する過程で変化することがなく、この低プロファイル電解銅箔が本来有している優れた特性が、プリント配線基板においても保持される。
〔比較例１〕
電解銅箔として、超低粗度電解銅箔（三井金属鉱業(株)製）を用いて、この電解銅箔のS面にポリイミド前駆体ワニスを塗布して加熱し、二層積層体を製作した。

この電解銅箔の２５℃で測定した伸び率は４％、引張強度は３３kgf/mm²、S面の表面粗度（Rz）は１．０μｍ、光沢度〔Gs(60°)〕は３７０であった。
また、このポリイミド層線膨張係数は２６ppm／Kであり電解銅箔との間に大きな差がある。

この電解銅箔を使用した以外は実施例１と同様にして配線パターンを形成し、得られた配線パターンのリード部分に０．５μｍの無電解スズメッキ層を形成した。
このインナーリードの厚さは１５μｍであり、断面観察すると、このインナーリードは、ほぼ１００％の粒径が３μｍ未満の銅の粒状結晶で形成されていた。

上記のようにして製造した可撓性プリント配線基板であるCOF基板について、MIT試験機を用いて耐折性試験を行ったところ、６０回で断線した。

本発明の可撓性プリント配線基板を構成する絶縁層は、たとえば上記のように分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂から形成されている。この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、高い耐熱性を有しているにも拘わらず、およそ２５０℃程度の温度に加熱して溶剤を除去することにより製膜することができる。この製膜に際してはポリイミドのように銅箔上で閉環反応を行うことなく、塗布液中に含まれる溶媒を除去することにより製膜することができるので、従来から絶縁フィルムに使用されていたポリイミドを用いて焼成反応によりポリイミド層を形成していた従来の方法と比較するとその加熱温度（すなわち焼成温度）よりも約１００℃低い温度により製膜して絶縁層を形成することができる。したがって、上述の低表面粗度の電解銅箔に上記分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂を含有する塗布液を塗布して製膜して絶縁層を形
成して積層体を製造することにより銅箔が本来有している優れた特性が保持される。

また、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、熱可塑性ではあるが、その融点あるいは軟化点が非常に高く、COF基板のように絶縁層を介して絶縁層の裏
面側から表面にあるリードおよび電子部品に形成されたバンプ電極を加熱して電気的に接合しても、この加熱によってこの分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる絶縁層がダメージを受けることがない。

さらに、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層、すなわち絶縁層は、吸水性が低く、線膨張率をほぼ銅箔と同等にすることができるので、線膨張率の相違によるプリント配線基板の変形なども生じにくい。

さらに、この分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂は、耐アルカリ性にも優れており、プリント配線基板の製造工程で、たとえば表面洗浄などのために強アルカリ洗浄液と接触しても、このプリント配線基板の絶縁フィルムが変性されることがないので、洗浄力の強いより強アルカリの洗浄液と接触させることも可能であり、強アルカリ洗浄液との接触を短時間にして効率よくプリント配線基板を製造することができる。また、アルカリ洗浄剤との接触時間が短いので、プリント配線基板へのアルカリ洗浄剤による影響が殆ど認められない。

したがって、本発明の可撓性プリント配線基板は、機械的特性、耐熱性、耐アルカリ性などの諸特性に優れた可撓性プリント配線基板、特にCOF基板として、好適である。

図１は低プロファイル電解銅箔から形成されたインナーリードの断面の電子顕微鏡写真およびそのトレース図である。 図２は、低プロファイル電解銅箔の表面の電子顕微鏡写真である。 図３は従来の電解銅箔を形成する同粒子の状態を示す断面図である。

Claims (18)

1. 分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の表面に、表面粗度の異なるS面とM面とを有し、該M面の表面粗度が５μm以下の電解銅箔が直接積層されてなる積層体の該電解銅箔がエッチング処理されて配線パターンを形成していることを特徴とする可撓性プリント配線基板。
2. 分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂からなる基材層の表面に、表面粗度の異なるS面とM面とを有し、析出面であるM面の表面粗度（Rzjis）が１．０μm未満で
   あり、かつ、M面の光沢度〔Gs(６０°)〕が４００以上である電解銅箔が直接積層されて
   なる積層体の該電解銅箔がエッチング処理されて配線パターンを形成していることを特徴とする可撓性プリント配線基板。
3. 前記基材層を形成する樹脂が、芳香族ジイソシアネートと、芳香族トリカルボン酸またはその無水物と、芳香族ジカルボン酸またはその無水物および／または芳香族テトラカルボン酸またはその無水物とから形成される、分子内にイミド構造とアミド構造とを有する樹脂であることを特徴とする請求項第1項または第2項記載の可撓性プリント配線基板。
4. 前記基材層を形成する樹脂中に、下記式（１）で表される構造が形成されていることを特徴とする請求項第1項乃至第3項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板；
   

   

   （ただし、上記式（１）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R¹は、脂肪族炭化水素基を有すること
   もある二価の芳香族炭化水素基を表し、R²は、それぞれ独立に、一価の炭化水素基を表し、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。）。
5. 前記基材層を形成する樹脂中に、下記式（２）〜（５）で表される構造よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の構造が形成されていることを特徴とする請求項第1項乃至第4項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板；
   

   

   （ただし、上記式（２）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一
   価の脂肪族炭化水素基を表し、R⁵は、二価の炭化水素基を表し、R⁶は、水素原子または一価の脂肪族炭化水素基を表すかもしくはNと共同してポリイミド構造を形成しており、ｎ
   およびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである
   。）；
   

   

   （ただし、上記式（３）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一
   価の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。）；
   

   

   （ただし、上記式（４）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一
   価の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。）；
   

   

   （ただし、上記式（５）において、R⁰は、二価の炭化水素基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、−SO₂−基、単結合のいずれかを表し、R²、R³、R⁴は、それぞれ独立に、一
   価の脂肪族炭化水素基を表し、ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０，１，２，３，４のいずれかであり、ｘは０または１であり、ｙは０，１，２，３，４のいずれかであり、ｚは０，１，２，３のいずれかである。）。
6. 上記基材層を形成する樹脂が、上記式（１）で表される構造と、下記式（６）、または、式（７）で表される構造との共重合体であることを特徴とする請求項第1項乃至第５項
   のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板；
   

   

   （上記式（６）において、Ｒ⁰は、−ＣＯ−基、−ＳＯ₂−、または単結合であり、R¹は、それぞれ独立に、下記式（ａ）、式（ｂ）、式（ｃ）で表されるいずれかの基であり、R²はそれぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基のいずれかであり、ｘは０または１である。）；
   

   

   （上記式(a)、式(b)、式(c)において、R^b1、R^b2は、それぞれ独立に、水素原子、メチル
   基、エチル基のいずれかである。）；
   

   

   ただし、上記式（７）においてXは、酸素原子、−CO−基、−SO₂−基または単結合を表し、ｎは０または１である。
7. 上記電解銅箔のM面に基材層が直接積層されていることを特徴とする請求項第1項乃至第６項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板。
8. 上記電解銅箔のM面に粗面化処理を施した後、基材層を形成することを特徴とする請求
   項第1項乃至第６項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板。
9. 上記電解銅箔のM面の表面粗度が、S面の表面粗度よりも低いことを特徴とする請求項第1項乃至第６項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板。
10. 上記電解銅箔の平均厚さが５〜１８μmの範囲内にあり、かつ該電解銅箔を形成する銅
    結晶粒子の少なくとも一部が該電解銅箔の平均厚さよりも長い粒子径を有することを特徴とする請求項第２項記載の可撓性プリント配線基板。
11. 上記基材層と電解銅箔とからなる積層体が、３００℃を超える温度に、１０分間以上晒
    される熱履歴を有していないことを特徴とする請求項第2項記載の可撓性プリント配線基
    板。
12. 上記積層体を形成する電解銅箔の抗張力が、積層体を形成する前の電解銅箔の抗張力に対して８５％以上であり、積層体を形成した後の抗張力が３０kg／cm²以上であることを
    特徴とする請求項第2項記載の可撓性プリント配線基板。
13. 上記基材層と電解銅箔とからなる積層体に、電子部品を実装するためのデバイスホールが形成されていないことを特徴とする請求項第1項または第2項記載の可撓性プリント配線基板。
14. 上記基材層の厚さが３０〜４５μmの範囲内にあり、上記電解銅箔の厚さが５〜１８μmの範囲内にあり、該積層体の厚さが３５〜６０μmの範囲内にあることを特徴とする請求
    項第2項記載の可撓性プリント配線基板。
15. 上記基材層が電解銅箔のM面に、分子内にイミド構造とアミド構造の両者を有する樹脂
    を含む塗布液を塗布して３００℃以下の温度に加熱して形成されてなることを特徴とする請求項第1項乃至第５項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板。
16. 上記基材層の線膨張係数（Lc-p）が５〜３０ppm/Kの範囲内にあり、電解銅箔の線膨張
    係数（Lc-C＝１０〜２０ppm/K）に対する基材層の線膨張係数（Lc-p）〔＝（Lc-ｐ）／Lc-C〕が０．９９〜１．４の範囲内にあることを特徴とする請求項第2項記載のプリント配
    線基板。
17. 上記可撓性プリント配線基板が、基材層に電子部品を実装するためのデバイスホールが形成されておらず、電子部品を実施する際に基材層の裏面側から基材層を形成する樹脂フィルムにボンディングツールを当接して、基材層を形成する樹脂フィルムを介して配線パターンのリード部を加熱して電子部品を実装するものであることを特徴とする請求項第１項乃至第15項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板。
18. 上記請求項第１項乃至第１７項のいずれかの項記載の可撓性プリント配線基板に形成されている配線パターンのリード部に電子部品が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

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