TWI612691B

TWI612691B - 用於光半導體裝置之引線框架用之基體及其製造方法、用有此之用於光半導體裝置之引線框架及其製造方法、及光半導體裝置

Info

Publication number: TWI612691B
Application number: TW102131510A
Authority: TW
Inventors: Yoshiaki Kobayashi; Tatsuya Nakatsugawa; Satoru Zama; Akira Matsuda; Satoshi Suzuki
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2013-09-02
Filing date: 2013-09-02
Publication date: 2018-01-21
Also published as: TW201511340A

Description

用於光半導體裝置之引線框架用之基體及其製造方法、用有此之用於光半導體裝置之引線框架及其製造方法、及光半導體裝置

本發明係關於一種用於光半導體裝置之引線框架用之基體及其製造方法、用有此之用於光半導體裝置之引線框架及其製造方法、及光半導體裝置。

用於光半導體裝置之引線框架作為將例如LED(Light Emitting Diode)元件等光半導體元件即發光元件利用於光源之各種顯示用、照明用光源之構成構件而被廣泛利用。該光半導體裝置係例如於基板配置引線框架，於該引線框架上搭載發光元件之後，為了防止由熱、濕氣、氧化等之外部要因所引起之發光元件或其周邊部位之劣化，而利用樹脂密封發光元件與其周圍。

然而，於將LED元件用作照明用光源之情形時，引線框架之反射材要求於可見光波長(400~800nm)之整個區域中反射率較高(例如相對於硫酸鋇或氧化鋁等基準物質之反射率為80%以上)。

又，作為形成白色光之LED之手法，主要大致區分為如下3種手法：將發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之所有顏色之晶片排列3個；將分散有黃色之螢光體之密封樹脂用於藍色LED晶片；進而，將分別分散有RGB之螢光體之密封樹脂用於近紫外線區域之LED晶片。先前，將分散有黃色之螢光體之密封樹脂用於藍色晶片之手法為主流，但近年來由於顯色性(color rendition)之問題而使用發光波長帶包含紫外線區域之LED晶片之手法正受到矚目。該手法中，光半導體裝置之反射材要求近紫外線區域(波長340~400nm)及可見光區域(波長400~800nm)中之反射率較高。

如此，為了獲得反射率高之表面，而考慮將平滑之基體用作引線框架用之基體。

例如專利文獻1中提出有對由銅合金板或條所構成之基體之至少一個面於電解處理後實施壓延加工，而20°入射之光澤度為200%以上，且表面粗糙度Rz為1.0μm以下之平滑之基體。

然而，於專利文獻1中，雖記載有光澤度為200%以上且表面粗糙度Rz為1.0μm以下，但無關於測定方向之明確記載。此係因為，藉由壓延加工而於基體表面於壓延平行方向產生被稱為壓延條紋之加工痕跡，存在光澤度因壓延平行方向及壓延直角方向之測定方向而大為不同之情形。尤其，作為用於光半導體裝置之引線框架基體，壓延條紋相對於光之反射成為斑而出現，故而於壓延平行(長邊)方向及壓延直角(寬度)方向之兩個方向上要求高光澤度。關於該方面於專利文獻1中未進行該等研究，作為用於光半導體裝置之引線框架基體需要進一步之研究。又，近年來，存在對引線框架實施突出加工(bulging)而形成凹部，並於其側面實施鍍銀而形成高輸出型之光半導體裝置之情形。此時，有時由壓延條紋引起之凹凸成為起點，而突出加工時產生裂痕。根據該情況，要求突出加工性良好之用於光半導體裝置之引線框架基體，但關於根據該觀點之研究，於專利文獻1中並未進行。

進而，於安裝有LED元件之引線框架上，尤其以可見光區域之光反射率(以下，稱為反射率)之提高為目的，形成由銀或銀合金所構成之層(皮膜)者甚多。已知銀之皮膜於可見光區域中之反射率較高，具體而言，已知於反射面形成鍍銀層(專利文獻2)，或於銀或銀合金皮膜形成後以200℃以上實施30秒以上之熱處理，使該皮膜之結晶粒徑為0.5μm~30μm之範圍，且使基底材料之表面粗糙度為0.5μm以上(專利文獻3)等。進而，作為其他高反射化之手法，已知於銀合金反射膜中使表面粗糙度Ra為2.0nm以下(專利文獻4)等。

又，作為提高反射率之鍍敷之研究，如專利文獻2般，於僅單純形成銀或其合金皮膜之情形時，尤其於近紫外線區域(波長340~400nm)中之反射率之降低程度較大，要求更進一步之反射率改善。

又，如專利文獻3般，即便於使銀或銀合金之皮膜之結晶粒徑為0.5μm~30μm且使基底之表面粗糙度為0.5μm以上之情形時，仍然認為未維持反射率始終高之狀態，存在進一步改善之餘地。尤其如專利文獻3之圖8及圖9所示，於近紫外線區域(340~400nm)，尤其345nm~355nm附近觀察到吸收峰(absorption peak)。由此可知，若使用發光波長375nm之LED晶片，則相當於反射率較可見光區域更低之部分。此時可知，例如，若與發光波長450nm之藍色LED晶片搭載之情形相比較，使用發光波長375nm之LED晶片之情形時反射率亦低約10%。又，若藉由熱處理而調整為上述結晶粒徑，則存在因殘留氧之影響而銀氧化，相反導致反射率降低而無法獲得充分改善反射率之效果之情形。

進而，如專利文獻4中所揭示般，為了形成如使表面粗糙度Ra為2nm以下之非常平滑之皮膜，作為其達成方法必須有濺鍍(sputtering)或蒸鍍法等之PVD(物理蒸鍍)製程，作為如光半導體裝置般之要求大量生產性之手法不合適。進而，若粗糙度為2nm以下，則存在與形成於光半導體裝置之成型樹脂之密著性極端差之其他問題。

[專利文獻1]日本特開平9-087899號公報

[專利文獻2]日本特開昭61-148883號公報

[專利文獻3]日本特開2008-016674號公報

[專利文獻4]日本特開2005-29849號公報

因此，本發明之課題在於提供一種於使用於LED、光耦合器、光續斷器等之用於光半導體裝置之引線框架中，即便進行突出加工亦不易產生裂痕之用於光半導體裝置之引線框架用基體及其製造方法，進而使用有該基體之近紫外線區域~可見光區域(波長340~800nm)中之反射率極良好之用於光半導體裝置之引線框架及其製造方法。

本發明人等鑒於上述習知技術之問題進行了深入研究，結果發現，於藉由壓延加工而形成之用於光半導體裝置之引線框架之基體之表面，藉由使以入射角60°測得之光澤度相對於壓延方向於平行方向及直角方向分別為500%以上，且該平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比為0.8~1.2以內，而可形成即便進行突出加工亦不易產生裂痕，且波長340~800nm時之光之反射率優異之引線框架用之基體。進而，發現藉由使用本發明之基體實施銀或銀合金鍍敷，可簡便地提供反射率較高之用於光半導體裝置之引線框架。本發明係基於該知識見解而完成者。

根據本發明，提供以下之手段：

(1)一種用於光半導體裝置之引線框架用基體，其係藉由壓延加工而形成之用於光半導體裝置之引線框架的基體，其特徵在於：以入射角60°測得之該基體表面的光澤度相對於壓延方向於平行方向及直角方向分別為500%以上，且該平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比為0.8~1.2。

(2)如(1)項之用於光半導體裝置之引線框架用基體，其中，於上述基體中，形成於表面之油坑(oil pit)的個數於100μm×100μm之面積中為50個以內。

(3)如(1)或(2)之用於光半導體裝置之引線框架用基體，其中，於上述用於光半導體裝置之引線框架基體中，於引線框架形成用以搭載光半導體元件之凹部，具有有碗(bowl like)形狀。

(4)一種用於光半導體裝置之引線框架，其於(1)~(3)中任一項之用於光半導體裝置之引線框架用基體上的最表面，具有由銀、銀-硒合金、銀-銻合金、銀-錫合金、銀-銦合金、銀-金合金、銀-鉑合金中之任一者構成的反射層。

(5)如(4)項之用於光半導體裝置之引線框架，其中，上述反射層之厚度為3μm以下。

(6)如(4)或(5)項之用於光半導體裝置之引線框架，其中，具有上述反射層之表面之藉由原子力顯微鏡進行測定時的表面粗糙度Sa為3nm以上且50nm以下。

(7)如(4)~(6)中任一項之用於光半導體裝置之引線框架，其中，於具有上述反射層之用於光半導體裝置之引線框架中，波長450nm時之總反射率為95%以上。

(8)一種用於半導體裝置之引線框架用基體之製造方法，其係製造(1)~(3)中任一項之用於半導體裝置之引線框架用基體的方法，該方法使壓延輥之表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.05μm以下，使用動黏度為7mm²/s以下之壓延油，使壓延時之張力為200~600MPa而進行精壓延。

(9)一種用於光半導體裝置之引線框架之製造方法，其係製造(4)~(7)中任一項之用於半導體裝置之引線框架的方法，該方法至少利用電鍍法形成上述反射層。

(10)一種光半導體裝置，其係使用(1)~(3)中任一項之用於光半導體裝置之引線框架用基體而於光半導體元件搭載部形成光之反射層後，搭載光半導體元件而成。

(11)一種光半導體裝置，其係於(4)~(7)中任一項之用於光半導體裝置之引線框架搭載光半導體元件而成。

根據本發明，藉由將基體表面之光澤度於壓延平行方向與壓延直角方向調整為特定之關係，可獲得即便使設置於基體上之由銀或銀合金所構成之反射層之厚度變薄，亦可顯著減小基體表面所產生之壓延條紋之影響，且具有自近紫外線區域至可見光區域為止(波長340~800nm)之反射率顯著高之光反射特性之用於光半導體裝置之引線框架用之基體。

又，當於引線框架形成凹部而形成高輸出型光半導體裝置時，即便藉由例如突出加工而形成凹部，亦可使壓延平行方向與直角方向之凹凸差形成為較小，故而可提供因突出加工而尤其於壓延直角方向不易產生龜裂之用於光半導體裝置之引線框架基體。

根據本發明之用於光半導體裝置之引線框架用基體，藉由將基體表面之光澤度於壓延平行方向與壓延直角方向調整為特定之關係，可獲得即便使設置於基體上之引線框架表面之由銀或銀合金構成之反射層之厚度變薄，亦可使基體表面所產生之壓延條紋之影響顯著變小，且具有自近紫外線區域至可見光區域為止(波長340~800nm)之反射率顯著高之光反射特性之用於光半導體裝置之引線框架。

本發明之上述及其他特徵及優點可適當參照隨附圖式，根據下述之記載而明瞭。

1‧‧‧基體

2‧‧‧反射層

3‧‧‧中間層

4‧‧‧凹部

圖1係本發明之用於光半導體裝置之引線框架用基體之外觀圖。

圖2係本發明之用於光半導體裝置之引線框架用基體表面之觀察倍率 500倍之SEM觀察像之一例。

圖3係使用有本發明之用於光半導體裝置之引線框架用基體之用於光半導體裝置之引線框架之一例之概略剖面圖。

圖4係使有用本發明之用於光半導體裝置之引線框架用基體之用於光半導體裝置之引線框架之另一例之概略剖面圖。

圖5係使用有本發明之用於光半導體裝置之引線框架用基體之用於光半導體裝置之引線框架之又一例之概略剖面圖。

於本發明中，於藉由壓延加工而形成之用於光半導體裝置之引線框架用之基體(1)之表面中，以入射角60°測得之光澤度如圖1所示相對於壓延方向於平行方向及直角方向分別為500%以上，進而較佳為550%以上，且，該平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比為0.8~1.2，該比較佳為0.9~1.1。此處，所謂上述光澤度，如JIS Z 8741(ISO 2813)所規定，係指將可見光以入射角60°入射時之鏡面反射率成為10%、折射率1.567之玻璃面設為光澤度100，並將該基準面與鏡面反射率比較而求出之相對值。又，實際之光澤度為3次測定之平均值。藉由使基體之平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比為該範圍內，而可對於該基體上所設置之引線框架之反射層將平行方向之光澤度與直角方向之光澤度之差控制得較小，從而可使藉由其而獲得之光半導體裝置之反射率自近紫外線區域至可見光區域顯著提高。

進而，於本發明中，形成於上述基體之表面之油坑(oil pit)之個數較佳為於100μm×100μm之面積中為50個以內。

再者，所謂此處所言之油坑，係指因為於冷軋時取入至壓延輥與材料之間之潤滑油而於基體之板或條材表面出現之局部的凹部。該凹部之產生可因壓延輥之直徑、粗糙度等之條件、壓延時之加工率、壓延速度等之加工條件、潤滑用油之溫度、黏度等之條件、板或條材之機械強度、晶粒之大小等之條件等而改變。

圖2係以觀察倍率500倍拍攝本發明之基體之表面而得之SEM照片。如該圖所示，所形成之凹部為油坑。該個數較佳為於100μm×100μm之面積中為50個以內。圖2中，左側之照片為於100μm×100μm之面積具有超過50個油坑之習知之基體之一例之照片，中央為具有10~30個之本發明之基體之一例之照片，進而，右側為具有10個以下之本發明之基體之一例之照片。

本發明中之基體之表面性狀對形成於光半導體裝置之成型樹脂與基體之密著性帶來較大影響且以如下方式發揮作用。首先，於冷軋步驟中，表面性狀成為具有局部的凹部(油坑)之形態。對如此之材料利用常用方法以例如3μm以下之厚度利用鍍敷形成底層進而形成光反射層之情形時，假使其等之任一者或兩者為光澤鍍敷，亦形成反映該油坑之形狀之凹凸。藉由因該形成之油坑態樣之凹凸而產生之投錨(anchor)效果，可使形成光半導體裝置時之與密封樹脂之密著性提高。該油坑形成之程度可藉由利用例如觀察倍率500倍之SEM觀察來計數油坑之數量而進行評估。為了提高上述密著性，而寬度5μm以上且深度10μm以下之大小之油坑之數量較佳為10000μm²中為50個以下，該數進而較佳為15個以下。

又，藉由於本發明之用於光半導體裝置之引線框架用基體(1)之表面，設置厚度較佳為3μm以下之由銀或銀合金之皮膜所構成之反射層(2)，可獲得用於光半導體裝置之引線框架。圖3係其概略剖面圖之一例。上述反射層之厚度進而較佳為2μm以下，特佳為1μm以下。通常，反射層之厚度越厚，所獲得之光反射特性越優異。於該方面，於本發明中，作為基體表面之狀態著眼於光澤度，將壓延平行方向與壓延直角方向之光澤度調整為特定之關係，藉此即便使反射層之厚度變薄，亦可達成優異之光反射特性。作為表示優異之反射率之最小厚度，通常為0.1μm以上，較佳為0.2μm以上。

再者，作為反射層之形成方法，可為鍍敷法、濺鍍法、蒸鍍法等，考慮生產性則使用鍍敷法，特佳為濕式鍍敷法，進而更佳為電解鍍敷法。

進而，於上述基體上形成有反射層之本發明之用於光半導體裝置之引線框架中，於反射層之表面利用原子力顯微鏡進行測定時，表面粗糙度Sa較佳為3nm以上且50nm以下，進而較佳為3nm以上且10nm以下。藉由使利用原子力顯微鏡測定反射層之表面而得之上述表面粗糙度Sa為該範圍內，而可製成從近紫外線區域至可見光區域為止(波長340~800nm)之光之反射率極優異，且可確保與密封樹脂或成型樹脂之密著性亦不遜色之適合用於光半導體裝置之反射層。

所謂具有本發明之反射層之表面之表面粗糙度，係指以原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope：AFM)之觀察視野所獲得之表面粗糙度。本發明人等發現：該表面粗糙度係鍍敷完成之樹枝狀結晶狀之析出之頻率等以該數值出現，表面之數十nm級之凹凸為使反射率降低之原因。為了測定該表面粗糙度，使用AFM，於數μm~數十μm視野內測定較為適當，根據實驗之結果可知：6.16μm×6.16μm之視野中之測定最佳地表現該表面粗糙度，且存在與反射率之相關。再者，為了減小引線框架之較大之表面損傷、壓延條紋之影響，而於引線框架之未形成油坑之任意5點進行測定，將其平均值設為表面粗糙度。

藉由將該表面粗糙度極小地控制於上述範圍內，可獲得相對於波長340~400nm之近紫外線區域與400nm附近~800nm附近之可見光區域之兩者之光而反射率優異，且具有較高之密封樹脂密著性之用於半導體裝置之引線框架。

藉由使具有反射層之表面之粗糙度Sa較佳為50nm以下，更佳為30nm以下，特佳為10nm以下，最佳為5nm以下而使LED用零件材料之反射率提高。此處，關於本發明中之較佳之反射率，例如於反射層由銀而形成之情形時，於可見光區域(例如400~800nm)總反射率為90%以上，尤其於波長450nm為90%以上，於波長600nm為95%以上。進而較佳為於波長450nm為95%以上，若為該反射率，則作為搭載有藍色發光之光半導體元件之用於光半導體裝置之引線框架，具有輸出優異之亮度之效果，且可達成無限地接近物理上限值之反射率。又，於近紫外光區域即波長375nm，顯示為80%以上。

又，若表面粗糙度Sa小於2nm，則與密封樹脂或成型樹脂之密著力極端下降，故而微小的表面粗糙度較佳為3nm以上。

為了獲得具有該反射層之用於光半導體裝置之引線框架，於由本發明提供之基體，作為反射層，例如電解法中之鍍敷浴使用常用方法之純銀(Ag)浴、銀-硒(Se)浴、銀-銻(Sb)浴、銀-硒-銻浴、銀-銦(In)浴、銀-金(Au)浴、銀-鉑(Pt)浴、銀-錫(Sn)浴等鍍敷浴，且使其被覆厚度形成為較佳為3μm以下，更佳為1.5μm以下，藉此可獲得反射率優異之用於光半導體裝置之引線框架。習知之光澤鍍敷浴中存在如下問題：即便使用常用方法對基體實施鍍敷，若無為了提高平滑性之5~10μm之被覆厚度，則無法使基體之凹凸充分平滑，無法提高光澤度，故而無法提高反射率。因此，藉由使用本發明之基體，即便為更薄之被覆厚度亦可充分提高平滑性，其結果，由於被覆厚度降低效果而生產性優異，可對成本降低作出貢獻，自省資源之觀點考慮亦對環境友好，進而可提供反射率極優異之用於光半導體裝置之引線框架。再者，作為被覆厚度之下限值，未特別設置限制，自抑制由來自基材之擴散引起之反射率降低之觀點考慮，較佳為0.15μm以上，進而較佳為0.5μm以上。

又，於本發明中，基體之製造步驟並未特別限制，可利用常用方法而獲得，較佳為於該步驟之最後實施壓延加工。藉由壓延加工而形成所期望之厚度並賦予機械性強度與表面之光澤平滑性。因此，通常，施加10%以上之總軋縮率。通常，使用平滑之壓延輥，併用低黏性之潤滑油而有效率地加工。於根據需要而需要更高度之光澤平滑性之情形時不使用潤滑劑亦可進行磨光壓延。再者，亦可根據需要於壓延中途或壓延後實施加熱處理。

再者，作為所使用之金屬基體成分無特別限制，可使用銅或銅基合金、或鐵或鐵基合金等。例如，作為銅合金之一例，可使用CDA(Copper Development Association)掲載合金即「C14410(Cu-0.15Sn，古河電氣工業(股)製，表品名：EFTEC-3)」、「C19400(Cu-Fe系合金材料，Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn)」、「C26000(黃銅，Cu-30Zn)」、「C52100(磷青銅，Cu-8Sn-0.15P)」，「C77000(德銀，Cu-18Ni-27Zn)」、及「C18045(Cu-0.3Cr-0.25Sn-0.5Zn，古河電氣工業(股)製，表品名：EFTEC-64T)」等。再者，各元素之前之數字之單位為質量%。該等基體各自之導電率或強度不同，故而適當根據要求特性而選定使用，自使用於光半導體裝置之引線框架之散熱性提高之觀點考慮，較佳為製成導電率為60%IACS以上之銅合金之條材。

又，作為鐵或鐵基合金，例如，可使用42合金(Fe-42mass%Ni)等。

基體之厚度無特別限制，通常，為0.05mm~1mm，較佳為，0.1mm~0.8mm。

於製造上述金屬基體時之壓延加工步驟中，藉由改變最後實施之精壓延時之輥粗糙度等壓延輥之條件或壓延油之種類以及壓延時之拉伸強度，可調整基體表面之粗糙度。例如，較佳為使最後實施之精壓延時之輥之表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.05μm以下。又，作為壓延油之種類，較佳為例如使用動黏度為7mm²/s以下、更佳為5mm²/s以下之壓延油。進而，較佳為使壓延時之張力為200~600MPa。

又，於本發明之用於光半導體裝置之引線框架中，亦可於基體與由銀或銀合金所構成之反射層之間，設置由金屬或合金所構成之中間層，該金屬或合金選自由鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、鈀、鈀合金、銠及銠合金所構成之群。中間層例如可藉由鍍敷而較佳地形成。圖4表示形成有中間層3之概略剖面圖之一例。

例如，於使用鐵系之基體之情形時，由於材料之熱導率相對較低，故而藉由設置由銅或銅合金所構成之中間層作為中間層，可不損及反射率而使散熱性提高。進而，上述之銅或銅合金層即中間層亦有助於提高其上之反射層與其下之基體之間之鍍敷密著性，故而可防止由發光元件發光時之發熱所引起之密著性之劣化。

於使用銅或銅合金基體之情形時，為了抑制由發光元件發光時之發熱所引起之基體成分向反射層擴散，而較佳為設置鎳、鎳合金、鈷、或鈷合金之中間層作為中間層。

該等中間層之厚度於本發明中未特別限定，較佳為0.001~0.5μm之範圍。為了不使基體之光澤度改善之效果減少而中間層之厚度較佳為必要最小限，故而特佳為0.005~0.1μm之範圍。

進而，若預先利用壓製或蝕刻等常用方法將本發明中之基體加工為所期望之引線框架形狀之後，僅於必要之部位形成上述反射層或基底之中間層，則可不使用超出所需之被覆材料而形成用於光半導體裝置之引線框架，從而可提供對環境友好之引線框架。

圖5係表示於引線框架基體1藉由突出加工而形成凹部4之後使反射層2形成之剖面模式圖之一例。如此，亦存在高輸出品中對引線框架實施有碗加工而將光半導體元件搭載並形成於凹部之底部者，觀察到於凹部之斜部因突出加工而產生裂痕之情況，但本發明中可提供抑制該裂痕產生、且突出加工性優異之用於光半導體裝置之引線框架。

【實施例】

以下，基於實施例對本發明進一步進行詳細說明，但本發明並不限定於此。

(實施例1)

對於表1所示之厚度0.5mm、寬度200mm之銅合金條基體(組成：Cu-0.15Sn，古河電氣工業(股)製，表品名：EFTEC-3)之退火完成品，使用表面粗糙度Ra加工為0.05μm或0.035μm、直徑80mm之工作輥，並使用6段壓延機進行精壓延加工，獲得0.25mm厚度之銅合金條材作為用於光半導體裝置之引線框架之基體。於該精壓延時，壓延油使用動黏度4mm²/s者，使壓延時之張力為200~600MPa，適當調整壓延次數及各壓延時之軋縮率，獲得具備表1記載之光澤度及油坑數量之基體。

實施例1~12中，分別使中間之壓延加工率為5~40%，使壓延次數調整為2~3次，使最終板厚為0.25mm，使精壓延中之工作輥之表面粗糙度Ra為0.050μm、0.035μm，適當選擇該兩種。該等輥粗糙度之使用方式係使用使壓延條紋直角方向之光澤度為540%以上時Ra=0.035μm之輥。將該精壓延條件之詳細情況記載於表1。

習知例1中，使上述軋縮率為相同之50%，使最終之壓延中之工作輥之表面粗糙度Ra為0.06μm。

又，比較例1~2中，分別使上述軋縮率為相同之50%，使最終之壓延中之工作輥之表面粗糙度Ra為0.035μm。再者，為與實施例相同之壓延次數，調整中間材之板厚而進行光澤度之加工調整。

以下敍述評估方法。

對於將上述各基體切割成寬度50mm之長條之樣品，分別對相對於壓延方向之平行方向及直角方向測定光澤度。再者，光澤度係使用日本電色工業公司製VG2000(商品名)，按照JIS Z 8741(ISO 2813)以入射角受光角60°進行測定。將相對於壓延方向於平行方向及直角方向分別為500%以上之情形設為「合格」，將該值至少於一個方向未滿500%之情形設為「不合格」。

又，將與上述壓延方向平行方向之光澤度及與壓延方向直角方向之光澤度的比為0.8~1.2之情形設為「合格」，將該比未滿0.8或超過1.2之情形設為「不合格」。

又，以500倍之倍率拍攝所製作之各板狀之基體之表面性狀之SEM照片，對照片上油坑之數量進行計測。若所計測之油坑之數量為於100μm×100μm之面積中平均為50個以內則設為「合格」，將該數量超過50個之情形設為「不合格」。

進而，使用所獲得之基體，經過電解脫脂-酸洗-銀預鍍敷(strike plating)之前處理步驟之後，以表1所記載之各種厚度藉由表中記載之各鍍敷浴而形成反射層。

其次，對於形成有反射層之引線框架，測定、評估初始之總反射率。使用分光光度計(U-4100(商品名，(股)日立高新技術公司製))，將使基準物質為硫酸鋇試驗片時之總反射率遍及300nm~800nm而實施連續測定。其中，將紫外線區域~近紫外線區域即375nm，進而可見光區域即450nm及600nm時之總反射率(%)表示於表1。分別將使波長375nm時之反射率為80%以上，使波長450nm時之反射率為90%以上，及使波長600nm時之反射率為95%以上設為要求特性。

再者，根據連續測定之結果確認出於各波長間總反射率不會驟降。

進而，對於各反射層形成後之表面粗糙度Sa，利用AFM (Mobile S：製品名，Nanosurf公司製，觸針：CONTR-10#)進行測定。視野角設為6.16μm×6.16μm，採用未形成油坑之任意之5個部位之平均值，並將該測定結果表示於表1。

又，使用所獲得之基體來形成凹部，確認其龜裂之有無。凹部之形狀係設為深度0.25mm，自上面觀察到之形狀為底部之長度與寬度均為4mm之正方形，突出部彎曲半徑為0.3mm，凹部之底部之垂線與斜部所成之角度為30度，利用壓製機來形成。而且，將不存在龜裂或形成有微小之褶皺之程度者設為「無」並判定為合格，將存在龜裂或較大褶皺者設為「有」並判定為不合格，並一併記載於表1。

前處理及反射層形成條件以如下方式實施。

(前處理條件)

[電解脫脂]

脫脂液：NaOH 60g/升

脫脂條件：2.5A/dm²，溫度60℃，脫脂時間60秒

[酸洗]

酸洗液：10%硫酸

酸洗條件：30秒浸漬，室溫

[銀預鍍敷]

鍍敷液：KAg(CN)₂ 4.45g/升，KCN 60g/升

鍍敷條件：電流密度5A/dm²，溫度25℃

(反射層形成條件)

[鍍銀浴]

鍍敷液：AgCN 50g/升，KCN 100g/升，K₂CO₃ 30g/升

鍍敷條件：電流密度1A/dm²，溫度30℃

[銀-硒鍍敷浴]

鍍敷液：KCN 150g/升，K₂CO₃ 15g/升，KAg(CN)₂ 75g/升，Na₂O₃Se‧5H₂O 5g/升

鍍敷條件：電流密度2A/dm²，溫度50℃

[銀-銻鍍敷浴]

鍍敷液：KCN 150g/升，K₂CO₃ 15g/升，KAg(CN)₂ 75g/升，C₄H₄KOSb 10g/升

鍍敷條件：電流密度1A/dm²，溫度50℃

根據表1之結果，可知如下情況。

於依照本發明之實施例1~12中，均為以入射角60°測得之該基體表面的光澤度相對於壓延方向於平行方向及直角方向分別為500%以上，且該平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比(將平行方向光澤度除以直角方向光澤度所得之數)為0.8~1.2之範圍內。因此，可知各實施例中，於使用有所獲得之基體之用於光半導體裝置之引線框架中，具有即便被覆厚度較薄而近紫外線區域至可見光區域為止(波長340~800nm)之反射率亦顯著高之光反射特性，作為用於光半導體裝置之引線框架用之基體較佳。

相對於此，可知習知例1為通用性之引線框架基體，光澤度尤其直角方向測定值低於500%，即便以相同被覆厚度形成相同鍍敷液組成之皮膜，反射率亦未達到本發明例之較高之級別。

另一方面，可知如比較例1及2般，雖然光澤度超過500%，但該平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比還是為特定之0.8~1.2之範圍外之情形中，同樣地即便為相同鍍敷液及相同被覆厚度亦無法獲得本發明例之較高之級別之反射率。進而，可知產生由突出加工引起之龜裂，自加工性之方面考慮本發明例表示優異之特性。

該結果，由於不滿足至少1個上述光澤度之條件，即，基體表面的光澤度相對於壓延方向於平行方向及直角方向分別為500%以上，及該平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比處於特定之範圍內，故而近紫外線區域至可見光區域為止(波長340~800nm)之反射率較低，作為用於光半導體裝置之引線框架用之基體不適當。

與本發明之實施態樣一起對本發明進行了說明，但我們認為只要未特別指定則說明之無論哪個細微部分都不限定我們的發明，應廣泛解釋為不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神與範圍。

Claims

一種用於光半導體裝置之引線框架用基體，其係藉由壓延加工而形成之用於光半導體裝置之引線框架的基體，其特徵在於：以入射角60°測得之該基體表面的光澤度相對於壓延方向於平行方向及直角方向分別為500%以上，且該平行方向之光澤度與直角方向之光澤度的比為0.8~1.2。
如申請專利範圍第1項之用於光半導體裝置之引線框架用基體，其中，於該基體中，形成於表面之油坑(oil pit)的個數於100μm×100μm之面積中為50個以內。
如申請專利範圍第1或2項之用於光半導體裝置之引線框架用基體，其中，於該基體中，於引線框架形成用以搭載光半導體元件之凹部，具有有碗(bowl like)形狀。
一種用於光半導體裝置之引線框架，其於申請專利範圍第1至3項中任一項之用於光半導體裝置之引線框架用基體上的最表面，具有由銀、銀-硒合金、銀-銻合金、銀-錫合金、銀-銦合金、銀-金合金、銀-鉑合金中之任一者構成的反射層。
如申請專利範圍第4項之用於光半導體裝置之引線框架，其中，該反射層之厚度為3μm以下。
如申請專利範圍第4或5項之用於光半導體裝置之引線框架，其中，具有該反射層之表面之藉由原子力顯微鏡進行測定時的表面粗糙度Sa為3nm以上且50nm以下。
如申請專利範圍第4或5項之用於光半導體裝置之引線框架，其中，於具有該反射層之用於光半導體裝置之引線框架中，波長450nm時之總反射率為95%以上。
如申請專利範圍第6項之用於光半導體裝置之引線框架，其中，於具有該反射層之用於光半導體裝置之引線框架中，波長450nm時之總反射率為95%以上。
一種用於半導體裝置之引線框架用基體之製造方法，其係製造申請專利範圍第1至3項中任一項之用於光半導體裝置之引線框架用基體的方法，該方法使壓延輥之表面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計為0.05μm以下，使用動黏度為7mm²/s以下之壓延油，使壓延時之張力為200~600MPa而進行精壓延。
一種用於光半導體裝置之引線框架之製造方法，其係製造申請專利範圍第4至8項中任一項之用於光半導體裝置之引線框架的方法，該方法至少利用電鍍法形成該反射層。
一種光半導體裝置，其係使用申請專利範圍第1至3項中任一項之用於光半導體裝置之引線框架用基體而於光半導體元件搭載部形成光之反射層後，搭載光半導體元件而成。
一種光半導體裝置，其係於申請專利範圍第4至8項中任一項之用於光半導體裝置之引線框架搭載光半導體元件而成。