JP3953622B2 - 多層配線基板とその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板に関するもので、特に、配線の多様化に対応できる多層配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる配線基板においても、高密度化の要求に対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化も進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が煩雑で製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
これに対応するため、基材上に、めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっき層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、この多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
また、基材上に金属配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れた構造のものは得られていなかった。
本発明は、これに対応するもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を複数層順次転写して設けた多層配線基板であって、１層目の金属配線層は、金属配線の全てが前記絶縁層上に直接、一面を絶縁層の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるように形成されており、且つ、２層目以降の金属配線層は、金属配線の全ての配線部の下に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、前記絶縁層ないし配線の上に積層されていることを特徴とするものである。
そして、上記において、絶縁層は、粘着性もしくは接着性を有するものである。
あるいは、絶縁層が熱可塑性樹脂であることを特徴とするものであり、該熱可塑性樹脂がポリイミドであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、絶縁性樹脂層をその下に設けた配線ないし配線部と、導電性樹脂層をその下に設けた配線ないし配線部とを共に有することを特徴とするものである。
尚、ここでは、ベース基板面に垂直方向のベース基板の一面側への距離の大小を上下と言っている。
配線が他の配線と上下に重なり合う箇所で、絶縁性樹脂層を隣接する上下の配線間に設けた部分においては、上下の配線はこの箇所において電気的に分離されており、配線が他の配線と上下に重なり合う箇所で、導電性樹脂層を隣接する上下の配線間に設けた部分においては、上下の配線はこの箇所において電気的に接続されている。
【０００７】
本発明の多層配線基板の製造方法は、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり粘着性もしくは接着性を有する絶縁層、あるいは熱可塑性の絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を複数層順次転写して形成する多層配線基板の製造方法であって、第１層目の金属配線層は、導電性基板の一面上に全ての配線をめっき形成し、該導電性基板の配線側を、全ての配線を埋めるように絶縁層で覆った後、絶縁層を介して該導電性基板の配線部側をベース基板の一面に圧着し、導電性基板のみを分離することにより、絶縁層を介して、全ての配線を絶縁層とともに、ベース基板の一面上に転写形成され、第２層目以降の金属配線層は、配線ないし配線部分の下に、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、ベース基板側に転写して設けられることを特徴とするものである。
そして、上記において、第２層目以降の金属配線層のうち少なくとも１つの金属配線層の全配線は、表面が導電性でめっき剥離性の良い導電性基板の面上に、配線の形状を露出させるように、絶縁材料からなる耐めっき性のマスクを形成し、めっきにより該導電性基板の露出した部分に導電性金属薄膜を形成して作成されるもので、該導電性基板を転写用基板として、導電性基板から導電性金属薄膜をベース基板側に圧着して転写することを特徴とするものである。
あるいは、上記において、第２層目以降の金属配線層のうち少なくとも１つの金属配線層の全配線は、表面が導電性でめっき剥離性の良い導電性基板の面上に、配線の形状を露出させるように、絶縁材料からなる耐めっき性のマスクを形成し、めっきにより該導電性基板の露出した部分に導電性金属薄膜を形成して作成されるもので、該めっきにより形成された導電性金属薄膜を、一旦、補助基板に転写し、更に補助基板から導電性金属薄膜をベース基板側に圧着して転写することを特徴とするものである。
そして、上記において、第２層目以降の金属配線層は、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を、ベース基板側に、あるいは導電性基板にめっき形成された金属配線層の配線上に、ディスペンス法あるいは印刷法により塗布した後に、ベース基板側に転写されるものであることを特徴とするものである。
あるいは、上記において、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を、導電性基板にめっき形成された金属配線層の配線上に電着により形成することを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】
本発明の多層配線基板は、このような構成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。また、フィルム、ガラス金属等、種々の材質からなるベース基板に適用が可能で、配線の自由度も大きく、薄型化も可能としており、結局、材質や配線の自由度が大きく、且つ量産性に優れた、高密度な配線基板の提供を可能としている。
詳しくは、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を複数層順次転写して設けた多層配線基板であって、１層目の金属配線層は、金属配線の全てが前記絶縁層上に直接、一面を絶縁層の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるように形成されており、且つ、２層目以降の金属配線層は、金属配線の全ての配線部の下に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、前記絶縁層ないし配線の上に積層されていることにより、更に具体的には、該絶縁層は、粘着性もしくは接着性を有するものである、あるいは、熱可塑性樹脂であることにより、これを達成している。
即ち、めっき形成により金属配線層を形成するために配線の微細化を可能とし、転写によりベース基板に金属配線層を複数層順次形成していくことにより、生産性の面でも量産に対応できるものである。
特に、ベース基板の一面に面全体わたり粘着性ないし接着性を有するあるいは熱可塑性の絶縁層を設けていることにより、２層以降の金属配線層の転写を容易としている。また、ベース基板の材質としてはフィルム、ガラス金属等、種々の材質が適用できる。
更に、２層目以降の金属配線は、その下（ベース基板側）に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して前記絶縁層上に積層されていることにより、配線の自由度を大きくしている。
即ち、配線あるいは配線部が他の配線ないし配線部と上下に重なり合う箇所で、絶縁性樹脂層を隣接する上下の配線間に設けた部分においては、上下の配線はこの箇所において電気的に分離でき、導電性樹脂層を隣接する上下の配線間に設けた部分においては、上下の配線はこの箇所において電気的に接続することができる。
結果、サブトラクティブ法のようなフォトリソを用いたエッチング加工では、達成困難な３次元構造の形成が可能である。
尚、熱可塑性樹脂としてはポリイミド樹脂が絶縁性、耐熱性の点で好ましい。
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、本発明の配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ配線の多様化にも対応できる配線基板の製造を可能としている。
詳しくは、アディティブ法により金属配線部を製造するために、配線部の微細化に対応でき、転写工程により作製するために、生産性の面で量産化に対応できるものとしている。
詳しくは、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり粘着性もしくは接着性を有するか、あるいは熱可塑性の絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を複数層順次転写して、設ける多層配線基板の製造方法であって、第１層目の金属配線層は、導電性基板の一面上に全ての配線をめっき形成し、該導電性基板の配線側を、全ての配線を埋めるように絶縁層で覆った後、絶縁層を介して該導電性基板の配線部側をベース基板の一面に圧着し、導電性基板のみを分離することにより、絶縁層を介して、全ての配線を絶縁層とともに、ベース基板の一面上に転写形成され、第２層目以降の金属配線層は、配線ないし配線部分の下に、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、ベース基板側に転写して設けられることにより、これを達成している。
更に、具体的には、第２層目以降の金属配線層のうち少なくとも１つの金属配線層の全配線は、表面が導電性でめっき剥離性の良い導電性基板の面上に、配線の形状を露出させるように、絶縁材料からなる耐めっき性のマスクを形成し、めっきにより該導電性基板の露出した部分に導電性金属薄膜を形成して作成されるもので、該導電性基板を転写用基板として、導電性基板から導電性金属薄膜をベース基板側に圧着して転写するか、あるいは、第２層目以降の金属配線層のうち少なくとも１つの金属配線層の全配線は、表面が導電性でめっき剥離性の良い導電性基板の面上に、配線の形状を露出させるように、絶縁材料からなる耐めっき性のマスクを形成し、めっきにより該導電性基板の露出した部分に導電性金属薄膜を形成して作成されるもので、該めっきにより形成された導電性金属薄膜を、一旦、補助基板に転写し、更に補助基板から導電性金属薄膜をベース基板側に圧着して転写することにより、これを達成している。
導電性基板としては、ステンレス材（ＳＵＳ３０４等）が用いられる。
特に、ベース基板の一面に面全体わたり粘着性ないし接着性を有するか、あるいは熱可塑性の絶縁層を設けていることにより、２層目以降の金属配線層のベース基板への転写性を良いものとしている。
また、ベース基板側への、あるいは転写するめっき形成された金属配線層側への絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層の形成をディスペンス法にて行うことができ、工程を簡略化でき、生産性の面で優れている。
また、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層をめっき形成した導電性の金属薄膜上に、更に電着形成することにより、更に、作業性の良いものとしている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明の多層配線基板の実施の形態を挙げ、図面に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例を示した概略斜視図で、図１（ｂ）は、図１（ａ）の金属配線１４０に沿う断面図で、図２は、本発明の多層配線基板の実施の形態の第２の例を示した概略斜視図で、図２（ｂ）は、図２（ａ）の金属配線１４０に沿う断面図で、図３（ａ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の第３の例を示した概略斜視図で、図３（ｂ）は、図３（ａ）の金属配線１４０に沿う断面図である。
尚、図１〜図３はともに、説明を分かり易くするため、回路構成をごく簡単なものとして特徴部を示してある。
また、図１〜図３中点線部は、絶縁層に埋もれて見えない部分で、分かり易くするため外形のみを示してある。
図１〜図３中、１００、２００、３００は多層配線基板、１１０はベース基板、１２０は絶縁層、１３０、１３１、１３２、１３３、１３４、１４０、１６０、１６１、１６２は金属配線、１３５、１３６は端子部、１５０は絶縁性樹脂層、１５５は導電性樹脂層、１７０、１７１は絶縁性樹脂層、１７２は導電性樹脂層である。
【００１１】
実施の形態の第１の例について説明する。
図１に示す第１の例の多層配線基板は、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を、複数層順次転写して設けた多層配線基板で、１層目の金属配線層は、金属配線の全てが前記絶縁層上に直接、一面を絶縁層の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるように形成されており、且つ、２層目以降の金属配線層は、金属配線の全ての配線部の下に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、前記絶縁層ないし配線の上に積層されている多層基板の１例で、金属配線層を２層とするものである。
１層目の金属配線層は金属配線層１３０、１３１、１３２、１３３、１３４および端子部１３５、１３６とからなり、金属配線の全てが絶縁層１２０上に直接、一面を絶縁層１２０の上側の面に揃え全体が絶縁層１２０に埋まるように形成されている。
２層目の金属配線層は金属配線層１４０からなり、絶縁性樹脂層１５０を介して、金属配線１３０、１３１および絶縁層１２０の上に設けられ、且つ、導電性樹脂層を介して、金属配線１３２、１３３上に配設されている。
【００１２】
絶縁層１２０としては、粘着性もしくは接着性を有するもので、特に、その製造面からは、熱可塑性の樹脂層が好ましい。
熱可塑性の樹脂としては、ポリイミド樹脂、シリコーン含有ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリブタジエン、ポリウレタン、セルロース、ポリスチレンが挙げられ、特に、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、アルキル鎖含有ポリイミド等のポリイミド樹脂が絶縁性耐熱性の点で好ましい。
また、絶縁性確保のためにフッ素樹脂、シリコーン等を樹脂中に、混入しても良い。
絶縁層１２０の厚さとしては、転写性を考慮して決めるが、通常、１μｍ〜１ｍｍ程度が好ましい。
【００１３】
金属配線や金属端子を形成する金属薄膜の材質としては、導電性や、コスト的な面からはめっき銅が好ましいが必要に応じてＮｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ｃｒ（クロム）、Ａｇ（銀）、Ｐｔ（白金）等でも良く、めっき銅の場合、その厚さは、配線の幅にもよるが１μｍ以上は必要である。
【００１４】
絶縁性樹脂層１５０、導電性樹脂層１５５としては、熱硬化性樹脂が好ましいが、これに限定はされない。熱可塑性樹脂でも使用できる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、メラミンポリエステル、シリコーン等がある。それぞれ、必要に応じ、硬化剤、変成剤、充填剤等を、適宜選んで使用する。
熱可塑性の樹脂としては、絶縁層１２０の材質として挙げたものが適用できる。
【００１５】
ベース基板１１０としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板等が挙げられる金属配線層としてめっき銅配線層が用いられる場合には、ベース基板の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が用いられる。
ステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅とほぼ同じで、１７ｐｐｍである。
【００１６】
（変形例）
図１に示す第１の例の多層配線基板１００において、導電性樹脂層１５５をもたず、且つ、金属配線１４０の下側に全て絶縁性樹脂層を設ける構造とした場合には、金属配線１４０を、金属配線１３０〜１３２のいずれとも電気的に分離した状態で設けることができる。
【００１７】
次に、実施の形態の第２の例について説明する。
図２に示す第２の例の多層配線基板２００は、第１の例と同様、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を、複数層順次転写して設けた多層配線基板で、１層目の金属配線層は、金属配線の全てが前記絶縁層上に直接、一面を絶縁層の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるように形成されており、且つ、２層目以降の金属配線層は、金属配線の全ての配線部の下に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、前記絶縁層ないし配線の上に積層されている多層基板の１例で、金属配線層を３層とするものである。
図２に示す多層基板２００としては、説明を分かり易くするため、図１に示す多層配線基板１００に対し、更に、３層目の金属配線層（金属配線１６０）を設けたものを挙げてある。
金属配線層１６０を絶縁性樹脂層１７０を介して、金属配線層１３１、１４０上に設けている。
図２（ａ）の金属配線１４０に沿う断面の形状は図２（ｂ）のようになり、第２の例では、金属配線層１４０と金属配線層１６０、および金属配線層１３１と金属配線層１６０とは、絶縁性樹脂層１７０により電気的に分離された状態である。
勿論、金属配線１４０と、金属配線１３０、１３１とは電気的に絶縁性樹脂層１５０により電気的に分離され、金属配線１４０と、金属配線１３２、１３３とは導電性樹脂層１５５を介して電気的に接続されている。
絶縁性樹脂層１７０としては、絶縁性樹脂層１５０と同じものが適用可能である。
金属配線１６０については、第１の例と同様、めっき銅配線が好ましい。
尚、他の各部の材質については、第１の例で挙げたものが適用される。
【００１８】
次に、実施の形態の第３の例について説明する。
図３に示す第３の例の多層配線基板３００は、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を、複数層順次転写して設けた多層配線基板で、１層目の金属配線層は、金属配線の全てが前記絶縁層上に直接、一面を絶縁層の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるように形成されており、且つ、２層目以降の金属配線層は、金属配線の全ての配線部の下に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、前記絶縁層ないし配線の上に積層されている多層配線基板の１例で、第２の例と同様に、金属配線層を３層とするものである。
第３の例の多層配線基板３００は、図１に示す第１の例の多層配線基板１００に対し、金属配線１６１、１６２を３層目の金属配線層として設けたもので、金属配線層１６１を絶縁性樹脂層１７１を介して金属配線層１３１、１４０上に設け、且つ、金属配線層１６２を導電性樹脂層１７２を介して金属配線１４０上に、そして、絶縁性樹脂層１７１を介して金属配線層１３０上に設けている。
図３（ａ）の金属配線１４０に沿う断面の形状は図３（ｂ）のようになる。
金属配線層１４０と金属配線層１６１、および金属配線層１３１と金属配線層１６１とは電気的に分離され、金属配線１４０と金属配線１６２とは電気的に接続され、金属配線１３０と金属配線１６２とは電気的に分離されている。
勿論、金属配線１４０と、金属配線１３０、１３１とは電気的に絶縁性樹脂層１５０により電気的に分離されている。
絶縁性樹脂層１７１、導電性樹脂層１７２としては、絶縁性樹脂層１５０と同じものが適用可能である。
金属配線層１６１、１６２については、第１の例、第２の例と同様、めっき銅配線が好ましい。
尚、他の各部の材質については、第１の例で挙げたものが適用される。
【００１９】
（変形例）
第１の例〜第３の例の変形例としては、金属配線層が４層以上の多層配線基板で、同様に、ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を、複数層順次転写して設けた多層配線基板で、１層目の金属配線層は、金属配線の全てが前記絶縁層上に直接、一面を絶縁層の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるように形成されており、且つ、２層目以降の金属配線層は、金属配線の全ての配線部の下に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、前記絶縁層ないし配線の上に積層されている多層配線基板が挙げられる。
【００２０】
次いで、本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態を挙げる。
実施の形態の第１の例の工程を図４に基づいて説明する。
第１の例は、図１に示す多層配線基板の実施の形態の第１の例（多層配線基板１００）の製造方法の１例を示したものである。
まず、めっき剥離性の良い導電性基板４１０（図４（ａ））の面に、耐めっき性のレジスト４２０を所定の形状に製版して（図４（ｂ））、１層目の金属配線４３０（図１の金属配線１３０、１３１に相当）をめっき形成しておく。（図４（ｃ））
次いで、導電性基板４１０からレジスト４２０を除去し（図４（ｄ））、めっき形成された金属配線４３０全体が完全に埋まるように、導電性基板４１０上に、絶縁層４４０（図１の絶縁層１２０に相当）を塗膜する。（図４（ｅ）） この後、導電性基板４１０上の絶縁層１２０側を、作製する多層配線基板（図１の１００に相当）のベース基板１１０の一面に圧着して（図４（ｆ））、その後、導電性基板４１０のみを分離することにより、絶縁層４４０と金属配線４３０をベース基板１１０側に転写する。（図４（ｇ））
これにより、めっき形成された金属配線４３０（図１の金属配線１３０〜１３３等に相当）の全てが、絶縁層１２０上に直接、一面を絶縁層１２０の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるようにして、ベース基板１１０上に絶縁層１２０を介して形成される。
金属配線４３０の全てが１層目の金属配線層である。
次いで、絶縁性樹脂層１５０、導電性樹脂層１５５をそれぞれ、重ねる２層目の金属配線層（図１の金属配線１４０に相当）下の、金属配線１３０〜１３３、および絶縁層１２０の上側の所定の位置に、略同じ厚みで、ディスペンス塗布方法により形成しておく。（図４（ｈ））
絶縁層４４０（図１の絶縁層１２０に相当）としては、粘着性もしくは接着性を有するか、熱可塑性を有する樹脂で、熱可塑性を有する樹脂である場合には、所定の温度に熱をかけて転写する。
感光性のレジスト４２０としては、特に限定されないが、耐めっき性や処理性の良いものが好ましい。
金属配線４３０としてめっき銅配線層が一般に用いられるが、この場合、ベース基板１１０の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が用いられる。また、導電性基板４１０としてはステンレス基板（ＳＵＳ３０４）が用いられる。
絶縁性樹脂層１５０、導電性樹脂層１５５としては、熱硬化性樹脂が好ましいが、これに限定されない。
一方、別のめっき剥離性の良い導電性基板４１５（図４（ｉ）に、２層目の金属配線１４０作製のため、耐めっき性のレジスト４２５を所定形状に形成し（図４（ｊ））、露出したレジストの開口部４２５Ａに金属配線４３５（図１の金属配線１４０に相当）を形成しておく。（図４（ｋ））
この場合も、金属配線４３５としてめっき銅配線層が一般に用いられ、導電性の基板４１５としてはステンレス基板（ＳＵＳ３０４）が用いられる。
次いで、同様にして、金属配線４３５（図１の１４０に相当）側を、ベース基板１１０上の金属配線１３０〜１３３側に向け（図４（ｌ））、圧着し、金属配線４３５を導電性の基板４１５からベース基板１１０側に転写する。（図４（ｍ））
絶縁層１２０として熱可塑性樹脂、そして絶縁性樹脂層１５０、導電性樹脂層１５５として熱硬化性樹脂を用いた場合には、所定の熱をかけて絶縁層１２０に金属配線４３５（金属配線１４０）が転写しやすいようにし、更に、絶縁性樹脂層１５０を硬化させる。
【００２１】
実施の形態の第２の例の工程を図５に基づいて説明する。
第２の例は、図２に示す多層配線基板の実施の形態の第２の例（多層配線基板２００）の製造方法の１例を示したものである。
図４に示す第１の例のようにして、図１に示す多層配線基板１００を作製した（図５（ａ））後、３層目の金属配線１６０（図２）下となる、金属配線１４０の上、および金属配線１３１上に、絶縁性樹脂層１７０をディスペンス塗布方法により塗布する。（図５（ｂ））
一方、別のめっき剥離性の良い導電性の基板５１０（図５（ｃ）に、３層目の金属配線１６０（図２）作製のため、耐めっき性のレジスト５２０を所定形状に形成し（図５（ｄ））、露出したレジストの開口部５２０Ａに金属配線５３０（金属１６０に相当）を形成しておく。（図５（ｅ））
次いで、同様にして、金属配線５３５（金属配線１６０）側を、ベース基板１１０上の金属配線１４０側に向け（図５（ｆ））、圧着し、金属配線１６０を導電性の基板５１０からベース基板１１０側に転写する。（図５（ｇ））
絶縁層１２０として熱可塑性樹脂、絶縁性樹脂層１７０として熱硬化性樹脂を用いた場合には、所定の熱をかけ絶縁層１２０に金属配線１６０が転写しやすいようにし、更に、絶縁性樹脂層１７０を硬化させる。
【００２２】
実施の形態の第３の例の工程を図６に基づいて説明する。
第３の例は、図３に示す多層配線基板の実施の形態の第３の例（多層配線基板３００）の製造方法の１例を示したものである。
図４に示す第１の例のようにして、図１に示す多層基板１００を作製した（図６（ａ））後、３層目の金属配線１６１（図３）の下となる、金属配線１４０の上、および金属配線１３０上、および、金属配線１６２（図３）の下となる金属配線１３０上にのみ、絶縁性樹脂層１７１をディスペンス塗布方法により塗布し、更に、３層目の金属配線１６２の下となる、金属配線１４０の上のみに導電性樹脂層１７２をディスペンス塗布方法により塗布しておく。（図６（ｂ））
一方、別のめっき剥離性の良い導電性の基板６１０（図６（ｃ）に、３層目の金属配線１６１、１６２作製のため、耐めっき性のレジスト６２０を所定形状に形成し（図６（ｄ））、露出したレジストの開口部６２０Ａに金属配線６３０（図３の１６１、１６２に相当）を形成しておく。（図６（ｅ））
次いで、同様にして、金属配線６３０（金属配線１６１、１６２）側を、ベース基板１１０上の金属配線側に向け（図６（ｆ））、圧着し、金属配線６３０（金属配線１６１、１６２）を導電性の基板６１０からベース基板１１０側に転写する。（図６（ｇ））
絶縁層１２０として熱可塑性樹脂、絶縁性樹脂層１７１、導電性樹脂層１７２として熱硬化性樹脂を用いた場合には、所定の熱をかけ絶縁層１２０に金属配線１６１、１６２が転写しやすいようにし、更に、絶縁性樹脂層１７１、導電性樹脂層１７２を硬化させる。
【００２３】
実施の形態の第４の例の工程を図７に基づいて説明する。
第４の例は、図３に示す多層配線基板の実施の形態の第３の例（多層配線基板３００）の製造方法の別の１例を示したもので、第３の例の製造方法において、デイスペンス塗布方法によるベース基板１１０の金属配線、絶縁層１２０上への絶縁性樹脂層１７１、導電性樹脂層１７２の形成を行わずに、めっき形成された金属配線（金属配線１６１、１６２に相当）上にディスペンス塗布方法により、それぞれ、絶縁性樹脂層１７１、導電性樹脂層１７２の塗布を行い、絶縁性樹脂層１７１、導電性樹脂層１７２を介して、それぞれ、金属配線１６１、１６２をベース基板１１０側に転写するものである。
【００２４】
実施の形態の第５の例の工程を図８に基づいて説明する。
第５の例は、図２に示す多層配線基板２００の製造方法の別の１例で、第２の例における、ディスペンス塗布方法による金属配線１４０上への絶縁性樹脂層１７０の形成を行わずに、めっき形成された金属配線（金属配線１６０に相当）上に電着により絶縁樹脂層（電着接着層とも言う）１７３を形成するもので、絶縁樹脂層１７３を介して金属配線１６０をベース基板１１０側に転写するものである。以下説明する。
図４に示す第１の例のようにして、図１に示す多層配線基板１００を作製しておく。（図８（ａ））
一方、別のめっき剥離性の良い導電性の基板８１０（図８（ｂ）に、３層目の金属配線１６０作製のため、耐めっき性のレジスト８２０を所定形状に形成し（図８（ｃ））、露出したレジストの開口部８２０Ａに金属配線１６０を形成しておく。（図８（ｄ））
この後、図８（ｄ）に示す金属配線１６０上に、更に、絶縁樹脂層１７３を電着形成しておく。（図８（ｄ））
次いで、同様にして、金属配線１６０側を、ベース基板１１０上の金属配線１４０側に向け、圧着し（図８（ｆ））、金属配線１６０を導電性の基板８１０からベース基板１１０側に転写する。（図８（ｇ））
【００２５】
絶縁樹脂層１７３は、金属配線１６０上に電着により設けられたものをそのまま接着剤層として用いたものであり、金属配線１６０の形成と絶縁樹脂層１７３の形成を連続して行うことができ、これにより量産性の良いものとなる。
絶縁樹脂層１７３は、電着性を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
【００２６】
アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００２７】
実施の形態の第６の例の工程を図９に基づいて説明する。
第６の例は、図３に示す多層配線基板３００の製造方法の別の１例で、めっき形成された金属配線（金属配線１６１、１６２に相当）上に、それぞれ、電着により、絶縁性樹脂層１７１Ａ、導電性樹脂層１７２Ａを形成し、且つ、ベース基板１１０側の金属配線１４０上には、これらを形成せずに、金属配線１６１、１６２を絶縁性樹脂層１７１Ａ、導電性樹脂層１７２Ａを介して、ベース基板１１０側に転写するものである。以下説明する。
図４に示す第１の例のようにして、図１に示す多層基板１００を作製しておく。（図９（ａ））
一方、別のめっき剥離性の良い導電性の基板９１０（図９（ｂ）に、３層目の金属配線１６１、１６２作製のため、耐めっき性のレジスト９２０を所定形状に形成し（図９（ｃ））、露出したレジストの開口部９２０Ａに金属配線９３０（金属配線１６１、１６２に相当）を形成しておく。（図９（ｄ））
次いで、絶縁性樹脂層１７１Ａを形成する金属配線１６１上を露出させ、且つ導電性樹脂層１７２Ａを形成する金属配線１６２上を覆うように、別の耐めっき性レジスト９２５を所定形状に製版する。（図９（ｅ））
次いで、絶縁性樹脂層１７１Ａを金属配線１６１上に電着形成し（図９（ｆ））、レジスト９２５のみを剥離除去した後、導電性樹脂層１７２Ａを金属配線１６２上に電着形成する。（図９（ｇ））
次いで、同様にして、金属配線１６１、１６２側を、ベース基板１１０上の金属配線１４０側に向け、圧着し（図９（ｈ））、金属配線１６１、１６２を導電性の基板９１０からベース基板１１０側に転写する。（図９（ｇ））
【００２８】
（変形例）
上記第１の例〜第６の例の工程の変形例としては、２層目以降の金属配線層のベース基板１１０側への転写を、補助基材を用い、めっき形成された金属配線層を、一旦、補助基材側に転写し、更に、ベース基板１１０側に転写する方法が挙げられる。
即ち、導電性基板の一面上にめっき形成した２層目以降の金属配線をそのままベース基板１１０側に転写するものではなく、一面に接着剤層を設けた、ベース基材と接着剤層からなる補助基材の、接着剤層側に、一旦、めっき形成した金属配線を転写し、更に、補助基材に転写された、金属配線をベース基材１１０上へと転写するものである。
また、ここでは、説明を簡単にするため、金属配線層が２層、３層の多層配線基板を作製する場合について、その製造方法を示したが、これらの方法は、４層以上の多層配線基板を作製する場合についても、適用できるものである。
【００２９】
【実施例】
（実施例１）
実施例１は、図４に示す多層基板の製造方法の第１の例の工程に従い、図１に示す多層配線基板を形成した後に、図６に示す多層基板の製造方法の実施の形態の第３の例の工程に従い、図３に示す多層配線基板を製造する例である。
以下、図４、図６及び図３に基づきこれを説明する。
【００３０】
１層目の金属配線層（図３の配線１３０〜１３４、端子部１３４、１３５に相当）を以下のようにして、厚さ約１００μｍのポリイミドフィルム基板をベース基材１１０の一面上に、金属配線の全てが絶縁層１２０上に直接、一面を絶縁層１２０の上側の面に揃え全体が絶縁層１２０に埋まるように形成した。
まず、導電性基板４１０として０．１ｍｍ厚のステンレス板（図４（ａ））を用い、この一面に、市販のフォトレジスト（東京応用化株式会社製、ＰＭＥＲＰ−ＡＲ９００）を厚さ８μｍに塗布乾燥し、所定のマスクを用いて密着露光を行った後、現像、水洗、乾燥、熱硬化処理等を行って、該フォトレジストを所定の形状に製版した。（図４（ｂ））
次いで、その一面上にフォトレジストが製版された導電性基板４１０と含燐銅電極を対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を陰極に、それぞれ、導電性基板４１０を接続し、電流密度２Ａ／ｄｍ² で２４分間の通電を行い、フォトレジストで被膜されていない導電性基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を形成し、金属配線とした。
（めっき浴組成）
ＣｕＳｏ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ ２００ｇ／ｌ
Ｈ₂ ＳＯ₄ ５０ｇ／ｌ
Ｈｃｌ ０１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）
この後、導電性基板４１０の一面上のフォトレジストを除去し（図４（ｄ））、導電性基板４１０の銅めっきが施された側、一面上に接着性を有する絶縁層材料（宇部興産株式会社製 ＵＰＡ−２２１Ｃ）を全面塗布し、乾燥して、約２５μｍの厚さに絶縁層（接着剤層）４４０（絶縁層１２０に相当）を形成した。（図４（ｅ））
この後、導電性基板４１０上の絶縁層１２０側を、作製する多層配線基板（図１の１００に相当）のベース基板１１０の一面に圧着して（図４（ｆ））、その後、導電性基板４１０のみを分離することにより、絶縁層４４０と金属配線４３０をベース基板１１０側に転写した。（図４（ｇ））
圧力：３Ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度：２００°Ｃの圧着条件のもとで転写を行った。
このようにして、１層目の金属配線層がベース基板１１０の一面に形成された。
【００３１】
２層目の金属配線層（図３の配線１４０に相当）、３層目の金属配線層（図３の１６１、１６２に相当）については、それぞれ、以下のようにして、導電性基板上にめっき形成した。
先ず、導電性基板として、０．１ｍｍ厚のステンレス板を準備し、このステンレス板上に市販のフォトレジスト（東京応化工業株式会社製 ＯＭＲ−８５）をスピンコート法により膜厚約１μｍに塗布し、オーブンで８５°Ｃ、３０分間乾燥を行った。
そして、各金属配線層に対応する所定のフォトマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本スクリーン製造株式会社製）を用いて密着露光を行った。
その後、現像、水洗、乾燥をし、所定のパターンを有するフォトレジスト層を形成した。
次いで、１層目の金属層の形成と同じように、導電性基板に所定形状のレジストを形成したもの（以下、転写用原版とも言う）を、それぞれ、含燐銅電極を対向させて硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅電極を陰極に、それぞれ、転写用原版を接続し、通電を行い、フォトレジストで被膜されていない導電性基板の露出部に膜厚約１０μｍの銅めっき膜を形成し、金属配線とした。
このようにして、２層目、３層目の金属配線層を形成した。
【００３２】
次いで、１層目の金属配線が形成されたベース基板１１０の転写された第１層目の金属配線（１３０〜１３３）側に、２層目の金属配線層を、上記と同様の条件で圧着して、第２層目の配線金属層を転写し（図４（ｋ））、同様にして、３層目の金属配線を、２層目の金属配線が形成されたベース基板１１０側に転写した。（図６（ｇ））
尚、２層目、３層目の金属配線層の転写に際しては、絶縁性樹脂層１５０、１７１、導電性樹脂層１５５、１７２を、それぞれ、２層目以降の金属配線層下の、ベース基板１１０側の金属配線、絶縁層１２０の上側の所定の位置に、ディスペンス塗布方法により形成した。（図４（ｈ））
絶縁性が必要な箇所においては、絶縁性樹脂層をディスペンス塗布方法により絶縁層を有する接着剤（信越化学工業株式会社製 ＫＥ３４７９）をベース基板側に塗布し、厚み１０μｍの接着性を有する絶縁樹脂層を形成し、且つ、導電性が必要な箇所に導電性樹脂層をディスペンス塗布方法により導電層を有する接着剤（信越化学工業株式会社製 ＫＥ３４７２）をベース基板側に塗布し、厚み１０μｍの接着性を有する導電性樹脂層を形成した。
【００３３】
この後、２００°Ｃ、１時間の条件でベース基材の絶縁樹脂層１５０、絶縁樹脂層１６１、導電樹脂層１６２を硬化させて、３層の配線パターン層を備えた多層配線基板を得た。
【００３４】
（実施例２）
実施例２は、図４に示す多層基板の製造方法の第１の例の工程に従い、図１に示す多層配線基板を形成した後に、図７に示す多層基板の製造方法の実施の形態の第４の例の工程に従い、図３に示す多層配線基板を製造する例である。
絶縁樹脂層あるいは導電樹脂層の形成以外は実施例１と同様に行った。
他は、実施例１と同様に行った。
【００３５】
（実施例３）
実施例３は、図４に示す多層基板の製造方法の第１の例の工程に従い、図１に示すような多層配線基板を形成した後に、図９に示す多層基板の製造方法の実施の形態の第６の例の工程に従い、図３に示すような多層配線基板を製造する例である。
以下、図４、図９及び図３に基づきこれを説明する。
１層目〜３層目の金属配線層の形成、およびベース基板１１０、絶縁層１２０は実施例１と同じで、転写の際の圧着条件も実施例１と同じとした。
実施例１における３層目の金属配線層下の絶縁性樹脂層１７１、導電性樹脂層１７２を、それぞれ、電着性の絶縁性樹脂層（図９の１７１Ａ）、電着性の導電性樹脂層（図９の１７２Ａ）としたもので、電着性の絶縁性樹脂層（１７１Ａ）、導電性樹脂層（１７２Ａ）を、導電性基板９１０上にめっき形成金属配線９３０上に形成して、これを介してベース基板１１０側に金属配線層９３０を転写形成したものである。
以下のようにして、３層目のめっき形成された金属配線（図９の金属配線層１６１に相当）上に設ける絶縁性樹脂層１７１Ａは、以下のようにポリイミドワニスを作製し、電着液の調整を行った。
＜ポリイミドワニスの製造＞
１１容量の三つ口セパラブルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器，窒素導入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。
３、４、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（以後ＢＴＤＡと呼ぶ）３２．２２ｇ（０．１モル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ（０．０５モル），γ−バレロラクトン１．５ｇ（０．０１５モル）、ピリジン２．４ｇ（０．０３モル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドンの略）２００ｇ、トルエン３０ｇを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中，室温で３０分撹件（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃、１時間、２００ｒｐｍに攪拌しながら反応させる。トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷して、ＢＴＤＡ１６．１１ｇ（０．０５モル）、３、５ジアミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２１６ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添加し、室温で３０分攪拌したのち（２００ｒｐｍ）、次いで昇温して１８０℃に加熱攪拌しトルエン−水留出分１５ｍｌを除去した。その後、トルエン−水留出分を系外に除きながら、１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了させた。２０％ポリイミドワニスを得た。酸当量（１個のＣ００Ｈあたりのボリマー量は１５５４）は７０である。
＜電着液の調製＞
２０％濃度ポリイミドワニス１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオフェン−１、１−ジオキシド＝１：３（重量）の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、メチルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇを攪拌して水性電着液を調製した。得られた水性電着液は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液であった。
【００３６】
また、以下のように、３層目の電着形成された金属配線（金属配線１６２に相当）上に設ける導電性樹脂層１７２Ａの電着液の調整を行った。
＜電着液の調整＞
メチルメタクリレート４０重量部、エチルメタクリレート３５重量部、２一ヒドロキシエチルメタクリレート１５重量部、アクリル酸１０重量部、およびアゾビスイソプチロニトリル２重量部からなる混合液を、窒素ガス雰囲気中において１０５℃に維持したジオキ酸１００重量部中に３時間を要して滴下し、さらに、同じ温度で１時間熟成させて、アクリル樹脂（酸価７５、ガラス転移点６５℃）溶液を得た。
次いで、このアクリル樹脂溶液をトリエチルアミンで０．６当量中和した後、固形分含有率が２０重量％になるように水を加え溶液Ａを調整した。
一方、コータックＷＥ−８６６（東レ（株）製：固形分酸価５６．８、水酸基価４３）６８重量部、サイメル２８５（三井東圧（株）製、メラミン樹脂）３５．５重量部、トリエチルアミン０．７重量部からなる混含液に、脱イオン水７２１重量部を加え、均一なエマルジョンＢを調整した。
次いで、溶液Ａ１６０重量部に銀粉末１５重量部を加え、さらにエマルジョンＢ８２６重量部を加えて、アニオン型の導電樹脂層用の電着液を調整した。
【００３７】
また、レジスト９２５としては、ネガ型感光性レジスト（日本合成ゴム株式会社製ＴＨＢ−３７）を塗布乾燥し、所定のフオトマスクを用いて密着露光を行った後、指定のアルカリ現像液で現像し、絶縁樹脂層１７１Ａが形成される所定の位置のみを露出させ、それ以外の部分を覆うように製版した。（図９（ｅ））
この後、基板９１０と白金電極とを対向させて上記で調整したアニオン型の絶縁樹脂層用の電着液中に浸潰し、定電圧電源の陽極に基板９１０を陰極に白金電極を接続し、１５０Ｖの電圧で５分間の電着を行い、これを１５０℃５分間で乾燥、熱処理して、導電性層１６１上に厚さ１５μｍの接着性を有する絶縁樹脂層１７１Ａを形成した。（図９（ｆ））
【００３８】
指定の剥離液によりレジスト９２５を剥離除去した後、導電性層１６２上に、導電性基板９１０と白金電極とを対向させて、上記で調整レたアニオン型の導電樹脂層用の電着液中に浸漬し、直流電源の陽極に導電性基板９１０を、陰極に白金電極を接続し、５０Ｖの電圧で１分問の電着を行い、これを８０°Ｃ３０分間乾燥、熱処理して、導電性層１６２上の接続部位に厚さ１５μｍの接着性を有する導電樹脂層１７２Ａを形成した。（図９（ｇ））
【００３９】
実施例１と同様にして、１層目、２層目の金属配線層をベース基板１１０側に転写した後、上記のようにして得られた、３層目の金属配線１６１、１６２と、その上に電着形成された絶縁性樹脂層１７１Ａ、導電性樹脂層１７２Ａとを、ベース基板１１０の１層目、２層目の金属配線層が形成された側に、圧着し、絶縁性樹脂層１７１Ａ、導電性樹脂層１７２Ａを介して金属配線１６１、１６２をベース基板１１０側に転写した。（図９（ｉ））
１層目、２層目の金属配線層のベース基板１１０側への転写は、圧力：３ｋｇｆ／ｃｍ２、温度：２００℃の圧着条件下で行ない、３層目の金属配線層の転写は、圧力：５ｋｇｆ／ｃｍ２、温度：２００℃の圧着条件下で行った。
この後、２００℃１時間の条件でベース基板１１０の絶縁接着層１５０、絶縁樹脂層１７１Ａ、導電樹脂層１７２Ａを硬化させて、３層の金属配線層を備えた多層配線基板を得た。
【００４０】
（実施例４）
実施例４は、図３に示すような多層配線基板を作製するに際し、図４に示す多層配線基板の製造方法の第１の例の工程に従い、図１に示すような多層配線基板を形成した後に、３層目の金属配線層（図３の金属配線１６１、１６２に相当）を転写する際、予め、絶縁性と接着固定をするための絶縁樹脂層の形成を実施例３と同様の条件で、めっき形成された金属配線（図３の１６１に相当）上に電着形成し、且つ、導電性と接着固定をするための導電樹脂層の形成を実施例１と同様の条件で、ディスペンス塗布方法により、転写後、金属配線（図３の１６２に相当）と上下に重なる金属配線１４０上にのみ行ったものである。
１層目、２層目の金属配線層のベース基板１１０側への転写は、圧力：３ｋｇｆ／ｃｍ２、温度：２００℃の圧着条件下で行ない、３層目の金属配線層の転写は、圧力：５ｋｇｆ／ｃｍ２、温度：２００℃の圧着条件下で行った。
その他の条件は、実施例１と同じである。
【００４１】
（実施例５）
実施例５は、多層配線基板を作製するに際し、２層目、３層目の金属配線層を転写するに際し、導電性と接着固定をするための導電樹脂層の形成を実施例１と同様の条件で、ディスペンス塗布方法によりベース基板側に形成し、且つ、２層目、３層目の金属配線層を転写する際の、絶縁性維持と接着固定をするための絶縁樹脂層の形成を実施例３と同様の条件で、めっき形成された金属配線上に電着形成したものである。
１層目、２層目の金属配線層のベース基板１１０側への転写は、圧力：３ｋｇｆ／ｃｍ２、温度：２００℃の圧着条件下で行ない、３層目の金属配線層の転写は、圧力：５ｋｇｆ／ｃｍ２、温度：２００℃の圧着条件下で行った。
その他の条件は、実施例１と同じである。
【００４２】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としており、フィルム、ガラス金属等、種々の材質からなるベース基板への適用を可能としている。
特に、配線が他の配線と上下に重なり合う箇所で、絶縁性樹脂層を上下の配線間に設けた部分と、導電性樹脂層を上下の配線間に設けた部分とを共に有することにより、配線の自由度を上げ、サブトラクティブ法のようなフォトリソを用いたエッチング加工では達成困難な３次元構造の形成を可能としている。
同時に、そのような配線基板の製造方法の提供を可能としている。
具体的には、ＰＣＢやＦＰＣの他、ＭＣＭ、ＢＧＡ等の高密度配線形成や、磁気ヘッドサスペンション等の配線の作製に応用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の実施の形態の第１の例を示した概略図
【図２】本発明の多層配線基板の実施の形態の第２の例を示した概略図
【図３】本発明の多層配線基板の実施の形態の第３の例を示した概略図
【図４】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の１例を示した工程図
【図５】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の２例を示した工程図
【図６】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の３例を示した工程図
【図７】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の４例を示した工程図
【図８】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の５例を示した工程図
【図９】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の６例を示した工程図
【符号の説明】
１００、２００、３００ 多層配線基板
１１０ ベース基板
１２０ 絶縁部
１３０〜１３３、１４０、１６０、１６１、１６２ 金属配線
１３５、１３６ 端子部
１５０ 絶縁性樹脂層
１５５ 導電性樹脂層
１７０、１７１、１７１Ａ、１７３ 絶縁性樹脂層
１７２、１７２Ａ 導電性樹脂層
４１０、４１５、 導電性基板
４２０、４２５ レジスト
４２０Ａ、４２５Ａ 開口部
４３０、４３５ 金属配線
４４０ 絶縁層
５１０、６１０、７１０、８１０ 導電性基板
５２０、６２０、７２０、８２０ レジスト
５２０Ａ、６２０Ａ、７２０Ａ、８２０Ａ 開口部
５３０、６３０、７３０、８３０ 金属配線
９１０ 導電性基板
９２０ レジスト
９２０Ａ 開口部
９２５ レジスト
９３０ 金属配線

Claims (10)

1. ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を複数層順次転写して設けた多層配線基板であって、１層目の金属配線層は、金属配線の全てが前記絶縁層上に直接、一面を絶縁層の上側の面に揃え全体が絶縁層に埋まるように形成されており、且つ、２層目以降の金属配線層は、金属配線の全ての配線部の下に絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、前記絶縁層ないし配線の上に積層されていることを特徴とする多層配線基板。
2. 請求項１において、絶縁層は、粘着性もしくは接着性を有するものであることを特徴とする多層配線基板。
3. 請求項１における絶縁層が熱可塑性樹脂であることを特徴とする多層配線基板。
4. 請求項３における熱可塑性樹脂がポリイミドであることを特徴とする多層配線基板。
5. 請求項１ないし４において、絶縁性樹脂層をその下に設けた配線ないし配線部と、導電性樹脂層をその下に設けた配線ないし配線部とを共に有することを特徴とする多層配線基板。
6. ベース基板の少なくとも一面に面全体わたり粘着性もしくは接着性を有する絶縁層、あるいは熱可塑性の絶縁層を設け、該絶縁層上に、めっき形成された金属配線層を複数層順次転写して形成する多層配線基板の製造方法であって、第１層目の金属配線層は、導電性基板の一面上に全ての配線をめっき形成し、該導電性基板の配線側を、全ての配線を埋めるように絶縁層で覆った後、絶縁層を介して該導電性基板の配線部側をベース基板の一面に圧着し、導電性基板のみを分離することにより、絶縁層を介して、全ての配線を絶縁層とともに、ベース基板の一面上に転写形成され、第２層目以降の金属配線層は、配線ないし配線部分の下に、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を介して、ベース基板側に転写して設けられることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
7. 請求項６において、第２層目以降の金属配線層のうち少なくとも１つの金属配線層の全配線は、表面が導電性でめっき剥離性の良い導電性基板の面上に、配線の形状を露出させるように、絶縁材料からなる耐めっき性のマスクを形成し、めっきにより該導電性基板の露出した部分に導電性金属薄膜を形成して作成されるもので、該導電性基板を転写用基板として、導電性基板から導電性金属薄膜をベース基板側に圧着して転写することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
8. 請求項６において、第２層目以降の金属配線層のうち少なくとも１つの金属配線層の全配線は、表面が導電性でめっき剥離性の良い導電性基板の面上に、配線の形状を露出させるように、絶縁材料からなる耐めっき性のマスクを形成し、めっきにより該導電性基板の露出した部分に導電性金属薄膜を形成して作成されるもので、該めっきにより形成された導電性金属薄膜を、一旦、補助基板に転写し、更に補助基板から導電性金属薄膜をベース基板側に圧着して転写することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
9. 請求項６ないし８において、第２層目以降の金属配線層は、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を、ベース基板側に、あるいは導電性基板にめっき形成された金属配線層の配線上に、ディスペンス法あるいは印刷法により塗布した後に、ベース基板側に転写されるものであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
10. 請求項６ないし７において、絶縁性樹脂層あるいは導電性樹脂層を、導電性基板にめっき形成された金属配線層の配線上に電着により形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。

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