JP3953616B2 - 配線基板とその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線パターン基板に関するもので、特に量産性に優れた配線パターン基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる配線基板においても、高密度化の要求に対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化も進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が煩雑で製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
これに対応するため、基材上に、めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっき層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、この多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
また、基材上に金属配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れた構造のものは得られていなかった。
本発明は、これに対応するもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤、絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板であって、前記絶縁部は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とするものである。そして、上記における温度Ｔｐｍは、ベース基板が樹脂基板である場合には２５０°Ｃ、金属基板である場合には３５０°Ｃであることを特徴とするものである。そしてまた、上記において、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であり、絶縁部の絶縁層は、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とするものである。また、上記における絶縁層は、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものであることを特徴とするものである。また、上記において、絶縁部の基板側でない接着剤層は、電着またはスクリーン印刷により形成されたものであることを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤層からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤層、絶縁層、接着剤層からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、そのままじかにあるいは接着剤層を介して絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）前記絶縁層上に接着剤層を介して、金属配線層を転写形成する転写工程とを有することを特徴とするものである。そして、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とするものであることを特徴とするものであり、該感光性絶縁性レジストの塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とするものである。そしてまた、上記における絶縁層形成工程は、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板上へ直接パターンニング形成して絶縁層を形成するものであることを特徴とするものである。また、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とするものである。また、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とするものである。また、上記において、絶縁層および接着剤層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、且つ、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とするものである。
【０００８】
尚、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数と近いとは、ここでは、配線部（金属配線部）が、配線基板から絶縁層とともに剥がれる剥がれや、配線部（金属配線部）のソリが発生しない程度に近いと言う意味で、ベース基板としてステンレス基板やガラスクロス入りのエポキシ基板（いずれも銅の金属配線とほぼ同じ熱膨張係数を持つ）を用いた場合には、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内がこれにあたる。
また、ベース基板とは、ここでは、配線基板を作製する上でベースとなる基板を言っている。
また、熱分解温度についてはＪＩＳ Ｋ７１２０に規定される。
熱膨張係数は、ＪＩＳ用語３３１に規定されるもので、１°Ｃ当たりの熱膨張を示す係数である。
尚、ここでは、セイコー電子工業株式会社製のＴＭＡ−ＳＳにより、加重２ｇにて０°Ｃから３５０°Ｃの範囲で熱膨張係数を測定した。
【０００９】
【作用】
本発明の配線基板は、このような構成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
詳しくは、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤、絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板であって、前記絶縁部は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数と近いことにより、これを達成している。
具体的には、多層基板の処理工程や、実使用における処理工程における最高温度Ｔｐｍは、ハンダ処理等における熱処理温度約２５０°となり、この温度以下で、ガラスクロス入りのエポキシ基板等の配線基板用のベース基板の熱膨張係数（約１７ｐｐｍ）に近い熱膨張係数をもつ絶縁層が好ましく、特に熱膨張係数がベース基板±１５ｐｐｍの範囲、即ち２ｐｐｍ〜３２ｐｐｍの範囲であるものが好ましい。この理由は微細化された配線層（めっき形成された金属配線層）が、基板から絶縁層とともに剥がれたり、ソルことがないようにするため、配線基板のベース基板と絶縁層の熱膨張係数をできるだけ近くしておき、応力の発生を抑制するのである。
絶縁層は、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものであることにより、また、絶縁部の基板側でない接着剤層を、電着により形成されたものとすることにより、その製造を簡単化できる。
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、本発明の配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の製造を可能としている。詳しくは、アディティブ法により金属配線部を製造するために、配線部の微細化に対応でき、転写工程により作製するために量産性の良いものとしている。更に、絶縁層の重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層がさらされる最高温度Ｔｐｍ以上とし、且つ絶縁層の熱膨張係数を、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層がさらされる温度のもとで、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることにより、品質的にも、配線部の剥がれやソリが発生しないようにできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明を図面を参照にして説明する。
図１（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の第１の例を示した断面図で、図２（ａ）は第２の例を示した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２におけるの拡大断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ１−Ｂ２におけるの拡大断面図であり、図３は絶縁部の構造の変形例である。
図１、図２中、１００、２００は配線基板、１１０、２１０は基板（ベース基板）、１２０、２２０は絶縁部、１２１、２２１は絶縁層、１２３、２２３は電着接着剤層、１３０、２３０、２３５は金属配線である。
【００１２】
まず、実施の形態の第１の例について説明する。
図１に示す第１の例の配線基板１００は、基板１１０上に直接、基板側から絶縁層１２１、電着接着剤層１２３からなる絶縁部１２０を介して、めっき形成された金属配線層１３０が転写形成され、且つ基板（ベース基板）１１０と金属配線層１３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板である。絶縁部１２０は金属配線層１３０の下にのみ形成されている。
そして、絶縁部１２０が配線基板作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとで、金属配線層１３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下で絶縁部１２０の絶縁層１２１の熱膨張係数が、配線基板１００のベース基板１１０の熱膨張係数と近くしてある。
例えば、基板（ベース基板）１１０としてステンレス基板（ＳＵＳ ３０４）を用い、金属配線層１３０としてめっき銅配線層を用いることにより、基板（ベース基板）１１０と金属配線層１３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つようにできるが、第１の例は更に、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとでこれら（金属配線層１３０や基板（ベース基板）１１０）の熱膨張係数に絶縁部１２０の熱膨張係数を合わしたものである。
また、配線基板の品質的な安定性の面から、絶縁部１２０は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするものである。
【００１３】
絶縁部１２０は、絶縁層１２１と電着接着剤層１２３とからなるもので、基本的には金属配線部１５０の絶縁性、耐熱性などの信頼性を確保するとともに、基板１１０上の位置を確保するものであり、基板上において絶縁部１２０を境として基板１１０から剥がれたり、金属配線層１３０にソリが生じることは許されない。
第１の例で、例えば、ベース基板１１０としてステンレス基板（ＳＵＳ３０４）を用い、金属配線層１３０としてめっき銅を用いた場合、金属配線層１３０の剥がれやソリを防止するために、絶縁部１２０としては、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（熱処理温度３５０°Ｃ）以下で、且つ、温度Ｔｐｍ（３５０°Ｃ）以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとで、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）の膨張係数１７ｐｐｍに近いものが用いられる。ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲、即ち、この場合は、熱膨張係数が２〜３２ｐｐｍの範囲のものが用いられる。
図１に示す第１の例においては、基板１１０と絶縁層１２１との間に接着剤層を設けていないため、絶縁層１２１としては、常温もしくは加熱により接着性を示すものである必要がある。
熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良い。また、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラーを含むものでも良い。
具体的には、絶縁層１２１としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾイミダゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられ、スクリーン印刷法やマスクを介して塗布する方法、ディスペンス法などの加工方法に応じ、粘度や流動特性を調節して適用する。
また、絶縁層１２１として、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものを用いた場合には、製造工程を簡単化できる。
【００１４】
基板（ベース基板）１１０としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板等が挙げられる。
尚、配線基板の金属配線層１３０としてめっき銅配線層が用いられる場合には、ベース基板の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が用いられる。
ステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅とほぼ同じで、１７ｐｐｍである。
【００１５】
電着接着剤層１２３は、後述する製造方法により、金属配線１３０上に電着により設けられたものをそのまま接着剤層として用いたものであり、金属配線１３０の形成と電着接着剤層１２３の形成を連続して行うことができ、これにより量産性の良いものとなる。
電着接着剤層１２３は、電着性を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
【００１６】
次に、実施の形態の第２の例について説明する。
図２に示す第２の例の配線基板２００は、ガラスクロス入りの基板（ＢＴレジン）をベース基板２１０として、その上に金属配線層２３５を設けた配線基板に対し、更に金属配線層２３５上にめっき形成された金属配線層２３０を絶縁部２２０を介して転写形成したもので、配線層が２層の多層配線基板である。
基板（ベース基板）２１０と金属配線層２３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板で、絶縁部１２０は金属配線層１３０の下にのみ形成されている。
そして、第２の例も、第１の例の場合と同様、基板２１０側から絶縁層２２１、電着接着剤層２２３からなる絶縁部２２０を介して、金属配線層２３０が形成された配線基板で、絶縁部２２０が配線基作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍが２５０°Ｃ（ハンダ処理の温度）の配線基板であり、Ｔｐｍ（２５０°Ｃ）以下の絶縁部２２０がさらされる温度のもとで、金属配線層２３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部２２０がさらされる温度のもとで、絶縁部２２０の絶縁層２２１の熱膨張係数がベース基板２１０の熱膨張係数と近くしてある。
尚、ベース基板２１０の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ金属配線層２３０の材質としてと、銅が挙げられる。
絶縁部２２０の各層等の材質としては、第１の例において挙げたものの中で、適宜選ぶことができる。
【００１７】
図３（ａ）、図３（ｂ）に示すものは、それぞれ、絶縁部１２０、２２０の変形構造であり、それぞれ対応する位置での状態を示している。
接着剤層１２５、２２５としては、常温もしくは加熱により接着性（粘着性）を示すものである必要がある。
この場合は、絶縁層１２１、２２１としては、熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良く、また、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラーを含むものでも良い。
【００１８】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の１例を、図４をもとに説明する。
図４に示す工程は、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例で、ベース基板、金属配線層を、それぞれ、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）、めっき銅とした配線基板を作製する工程を示したものである。
まず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０（図４（ａ））上に絶縁性の感光性レジスト４５０を全面に塗布し（図４（ｂ））、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とする。（図４（ｃ））
感光性のレジスト４５０としては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましい。
次いで、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の感光性のレジスト４５０から露出した部分に、所定の硫酸銅めっき浴にて、銅めっきを施し、金属配線層４３０を得る。（図４（ｄ））
通常、金属配線層４３０は、図４（ｄ）に示すように、ステンレス基板４４０の感光性のレジスト４５０から露出した幅よりも大きい幅に、感光性のレジスト４５０の厚さよりも厚く、めっきを施し、めっき部の断面形状をいわゆるマッシュルーム型とする。
【００１９】
次いで、金属配線層４３０上に、更に、電着により電着接着剤層４２３を形成する。（図４（ｆ））
前述のとおり、電着接着剤層４２３は、電着性を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、後述する製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００２０】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板４１０（図４（ｆ））の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト４２１Ａを全面に塗布し（図４（ｇ））、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層４２１とする。（図４（ｈ））
感光性のレジストとしては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましく、更に、所定形状とされて作製する配線基板の絶縁層４２１となるため、重量５％減の熱分解温度が、配線基板作製中でさらされる温度や実使用される際にさらされる温度の中で最高の温度Ｔｐｍよりも以上であり、且つ、熱膨張係数がこの温度Ｔｐｍ以下の絶縁層４２１がさらされる温度のもとでベース基板４１０の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲に入っているものである。
【００２１】
次いで、所定の熱および圧をかけて（図４（ｉ））、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の金属配線４３０を、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板４１０へ、絶縁層４２１、電着接着剤層４２３を介して転写して、配線基板４００を得る。（図４（ｊ））
【００２２】
【実施例】
（実施例１）
実施例１は、図１に示す配線基板を図４に示す配線基板の製造方法にて作製したものである。
図４に基づいて説明する。
先ず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト４２１ＡとしてＯＭＲ−８３（東京応化株式会社製）を全面に塗布し、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とした。（図４（ｃ））
レジストは乾燥後１μ厚に塗布し、露光量６０ｍｊ（光源は超高圧水銀灯、４０５ｎｍ）で、指定現像液にて現像した。
次いで、下記のめっき浴組成、条件にて硫酸銅めっきを行い、レジストから露出した部分に厚さ１０μｍの銅めっきを施し金属配線４３０を形成した。（図４（ｄ））
〔電解めっきの液組成および条件〕
硫酸銅（５水塩） ７５ ｇ／ｌ
硫酸 １９０ ｇ／ｌ
塩素イオン ６０ ｍｇ／ｌ
スルカップＡＣ−９０Ｍ ２．５ ｍｌ／ｌ
温度 ２５ ℃
電流密度 ２．５Ａ／ｄｍ2
但し、スルカップＡＣ−９０Ｍは上村工義製の添加剤
【００２３】
次いで、下記に示す液調整法により電着液を作り、これを用いて電着を行い、熱分解温度４００°Ｃ、ガラス転移温度３２０°Ｃ、熱膨張係数α＝４０ｐｐｍの電着接着剤層４２３を銅めっきからなる金属配線４３０上に電着形成した。（図４（ｅ））
液調整は、固形分濃度２０％のポリイミド溶液１００ｇにＮＭＰ（Ｎメチル−２−２ピロリドン）４００ｇを加え攪拌した後、中和剤としてエタノールアミンを２ｇ添加して十分に攪拌し、更に水５０ｇを加え攪拌を一昼夜行ったものである。
尚、液調整に先立ち、モノマー、ビス（４−（４−（アミノフエノキシ）フエノキシ）フエニル）スルホン３０．８３５ｇ（０．０５ｍｏｌ）、およびピロメリット酸二無水物１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を仕込み、それぞれのモル比のモノマー材料とトルエン、ＮＭＰ（Ｎメチル−２−ピロリドン）２４０ｇを仕込み、窒素雰囲気下で２００°Ｃ、１０時間還流し、熱イミド化してポリイミド溶液を合成した。
合成した溶液の対数粘度は（ＮＭＰを溶媒とし、温度３５°Ｃ、濃度０．５ｇ／１００ｍｌで測定）１．７ｄｌ／ｇであった。
また、トルエンは縮合水とともにコンデンサーにより回収した。
電着条件は、金属配線４３０が形成されたステンレス基板４４０全体を水洗後、電着液に浸漬させ、ステンレス基板４４０を陽極として、同面積のステンレス板を陰極として両極間を５０ｍｍに対向させ、５０Ｖで１０分間連続電圧を印加することにより、銅めっきからなる金属配線４３０上にポリイミド膜からなる電着接着剤層４２３を電着形成した。この膜厚は硬化後約１μｍとした。
【００２４】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板（ステンレス基板４１０）の配線形成側の面上に、感光性絶縁性レジスト４２１Ａを全面に塗布し（図４（ｇ））、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層４２１とする。（図４（ｈ） ）
感光性絶縁性レジスト４２１Ａとしては 熱分解温度３７０°Ｃ、熱膨張係数１５ｐｐｍの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ６０００を用いた。
硬化後の膜厚を７μｍとした。
【００２５】
次いで、ベース基板４１０の絶縁層４２１とステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の金属配線４３０上に形成された電着接着剤層４２３とを位置合わせしながら両基板（４１０と４４０）を合わせ、温度１８０°Ｃ、圧１Ｋｇ／ｃｍ2 を１分間かけ（図４（ｉ）、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０から金属配線４３０を絶縁層４２１、電着接着剤層４２３とを介してステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０へ転写し、この後Ｎ2 雰囲気下で３００°Ｃで熱処理を施し、絶縁層４２１を硬化して配線基板４００を得た。（図３（ｊ））
【００２６】
（実施例２）
実施例２は、実施例１において感光性絶縁性レジスト４２１Ａとして熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍの日立化成株式会社製のＰＬ８００９ｘを用いたものである。硬化後の膜厚を５μｍとした。
さらに実施例１の電着接着剤４２３に代え、金属配線４３０上に接着剤層として、ＴＯＢＣＯＡＴ ７０１２Ｎ（日本エイブルスティック株式会社製）を硬化後３μｍの厚みで形成し、転写して配線基板を得た。
【００２７】
（実施例３）
実施例３は、実施例１において感光性絶縁性レジスト４２１Ａとして、熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数１０ｐｐｍの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ５５００、１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとした絶縁組成物を用いたものである。硬化後の膜厚を７μｍとした。
【００２８】
（比較例１）
比較例１は、実施例１において感光性絶縁性レジスト４２１Ａとして熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍの株式会社東レ製のＵＲ３１４０を用いたものである。硬化後の膜厚を６μｍとした。
【００２９】
（実施例４）
実施例４は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上への感光性絶縁性レジスト４２１Ａに代え感光性絶縁性ペーストの全面塗布をスクリーン印刷により行ったものであり、印刷後の感光性絶縁性ペースト（４２１Ａに相当）を金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層４２１として形成したものである。それ以外については、実施例１と同様に行ったのである。
スクリーン印刷は、スクリーン印刷機３４ＧＸ（ニューロング社製）を用い、２５０メッシュのステンレスからなるスクリーン版を用い、押込１ｍｍで、熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数２５ｐｐｍの株式会社東レ製のＵＲ５１００の絶縁性のペーストを印刷して、硬化させ６μｍの膜厚に感光性絶縁性ペースト（４２１Ａ）をステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上に全面塗布した。
【００３０】
（比較例２）
比較例２は、実施例４におけるスクリーン印刷用の絶縁性のペーストとして熱分解温度２４０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍの株式会社日本ペイント製のプロピコート５０００インクを用いたものである。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で２５０°Ｃで熱処理をしたが、後の工程処理中にガス発生し、所望厚の絶縁層４２１は得られなかった。
【００３１】
（実施例５）
実施例５は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上への絶縁層４２１の形成を、基板４１０上に膜厚３０μｍの感光性レジストＨＢ−３７（日本合成ゴム株式会社製）を全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料ＳＰ０４２（株式会社東レ製）を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、絶縁材料ＳＰ０４２からなる絶縁層４２１を厚さ８μｍに形成したものである。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で３５０°Ｃで熱処理をした。
絶縁材料ＳＰ０４２の熱分解温度は３７０°Ｃ、熱膨張係数１９ｐｐｍである。
それ以外については、実施例１と同様に行った。
【００３２】
（実施例６）
実施例５において、凹部に埋め込む絶縁材料として絶縁材料ＰＬＸ３５００（日立化成製）を絶縁層４２１を厚さ５μｍに形成したものである。
絶縁材料ＰＬＸ３５００の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍである。
それ以外については、実施例５と同様に行った。
【００３３】
（比較例３）
実施例５において、凹部に埋め込み絶縁材料として、絶縁材料ユピファインＳＴ（宇部興産株式会社製）に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を１００部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとしたものを用い、絶縁層４２１を厚さ７μｍに形成したものである。
この絶縁材料の熱分解温度は６００°Ｃ、熱膨張係数１ｐｐｍである。
それ以外については、実施例５と同様に行った。
【００３４】
（比較例４）
実施例５において、凹部に埋め込み絶縁材料として絶縁材料ＳＰ４３３（株式会社東京レ製）を絶縁層４２１を厚さ６μｍに形成したものである。
絶縁材料ＳＰ４３３の熱分解温度は４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍである。
それ以外については、実施例５と同様に行った。
【００３５】
（実施例７）
実施例７は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上への絶縁層４２１の形成を、スクリーン印刷にて直接所定形状に形成したものである。
スクリーン印刷用ペーストとしてはＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（日本エイブルステック株式会社製）を用い６μｍの厚さに形成した。
ＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（絶縁層４２１）の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍである。
それ以外については、実施例１と同様に行った。
【００３６】
上記実施例および比較例の配線基板に、熱処理を施した場合の配線部のソリを検査した結果を図５、図６に示す。
図５、図６に示す検査結果からも分かるように、熱分解温度が絶縁層４２１がさらされる温度以上であり、且つ、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲である各実施例の配線基板にはソリの発生がみられなかった。
これに対し、熱分解温度が絶縁層４２１がさらされる温度以下であるか、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である比較例１、比較例３、比較例４の配線基板にはソリの発生がみられた。
また、熱分解温度が絶縁層４２１がさらされる温度以下の比較例２の配線基板基板の場合には、熱処理により絶縁層４２１がガス発生し、重量５％以上減少し、所望の膜厚が得られなかった。
【００３７】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
同時に、そのような配線基板の製造方法の提供を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の第１の例を示した断面図
【図２】本発明の配線基板の実施の形態の第２の例を示した断面図
【図３】絶縁部の構造の変形例を示した断面図
【図４】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の１例を示した工程図
【図５】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【図６】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【符号の説明】
１００、２００ 配線基板
１１０、２１０ 基板（配線基板のベース基板）
１２０、２２０ 絶縁部
１２１、２２１ 絶縁層
１２３、２２３ 電着接着剤層
１２５、２２５ 接着剤層
１３０、２３０、２３５ 金属配線
４００ 配線基板
４１０ ベース基板（ステンレス基板）
４２１ 絶縁層
４２１Ａ 感光性絶縁性レジスト
４２３ 電着接着剤層
４３０ 金属配線
４４０ ステンレス基板
４５０ 感光性のレジスト
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線パターン基板に関するもので、特に量産性に優れた配線パターン基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる配線基板においても、高密度化の要求に対応するため、金属配線の片面配線から両面配線への転換、更に多層化、薄型化も進められている。
このような中、配線基板の金属配線の形成は、一般には、絶縁性の基板の上全面に金属配線部を形成するための金属層を形成しておき、これをエッチング等により金属層の所定領域を除去して配線部を形成するサブトラクティブ法、あるいはめっき等により形成された金属配線部を直接ないし間接的に絶縁性の基板に、付け加え形成していくアディティブ法が用いられている。
サブトラクティブ法の場合は、通常、絶縁性基板に貼りつけられた金属層（銅箔）をエッチング加工により配線部を形成するもので、技術的に完成度が高く、コストも安いが、金属層の厚さ等によるる制約から配線部の微細加工が難しいという問題がある。
一方、アディティブ法の場合は、めっきにより金属配線部を形成するため、配線部の微細化は可能であるが、コスト信頼性の面で難がある。
尚、配線基板のベース基板としてはＢＴレジン基板等の、ガラスクロスをその中に含んだ絶縁性のエポキシ樹脂基板が一般に用いられる。そして、ベース基板の一面ないし両面に金属配線部を形成したものが単層の配線基板である。
【０００３】
多層配線基板は、ベース基板の片面ないし両面に金属配線部を形成した単層の配線基板、複数層を、各単層の配線基板間にガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグを置き、加圧積層したものである。
多層配線基板の単層配線基板同志の接続は、通常、ドリル加工により作成されたスルホール内部に無電界メッキを施す等により行っており、その作製が煩雑で製造コスト面でも問題があった。
また、バイアホールを作成することにより層間接続を行う場合には、複雑なフォトリソグラフィー工程が必要であり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【０００４】
結局、サブトラックティブ法により作製された多層基板は、配線の微細化に限界があるという理由で高密度化には限界があり、且つ、製造面や製造コスト面でも問題があった。
これに対応するため、基材上に、めっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して作製する多層基板の作製方法が試みられるようになってきた。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
絶縁性の基材上ないし絶縁層上への金属層（銅めっき層）からなる配線部の形成は、通常、絶縁性の基材上ないし絶縁層上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、この多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
また、基材上に金属配線（配線部）、絶縁層を１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支障を来すという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の配線部を複数層設けた多層配線基板としては、その作製方法から、配線の微細化に対応でき、且つ量産性に優れた構造のものは得られていなかった。
本発明は、これに対応するもので、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板を提供しようとするものである。
同時に、そのような配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤、絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板であって、前記絶縁部は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とするものである。そして、上記における温度Ｔｐｍは、ベース基板が樹脂基板である場合には２５０°Ｃ、金属基板である場合には３５０°Ｃであることを特徴とするものである。そしてまた、上記において、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であり、絶縁部の絶縁層は、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とするものである。また、上記における絶縁層は、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものであることを特徴とするものである。また、上記において、絶縁部の基板側でない接着剤層は、電着またはスクリーン印刷により形成されたものであることを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法は、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤層からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤層、絶縁層、接着剤層からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、そのままじかにあるいは接着剤層を介して絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）前記絶縁層上に接着剤層を介して、金属配線層を転写形成する転写工程とを有することを特徴とするものである。そして、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とするものであることを特徴とするものであり、該感光性絶縁性レジストの塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とするものである。そしてまた、上記における絶縁層形成工程は、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板上へ直接パターンニング形成して絶縁層を形成するものであることを特徴とするものである。また、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とするものである。また、上記における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とするものである。また、上記において、絶縁層および接着剤層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、且つ、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とするものである。
【０００８】
尚、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数と近いとは、ここでは、配線部（金属配線部）が、配線基板から絶縁層とともに剥がれる剥がれや、配線部（金属配線部）のソリが発生しない程度に近いと言う意味で、ベース基板としてステンレス基板やガラスクロス入りのエポキシ基板（いずれも銅の金属配線とほぼ同じ熱膨張係数を持つ）を用いた場合には、ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内がこれにあたる。
また、ベース基板とは、ここでは、配線基板を作製する上でベースとなる基板を言っている。
また、熱分解温度についてはＪＩＳ Ｋ７１２０に規定される。
熱膨張係数は、ＪＩＳ用語３３１に規定されるもので、１°Ｃ当たりの熱膨張を示す係数である。
尚、ここでは、セイコー電子工業株式会社製のＴＭＡ−ＳＳにより、加重２ｇにて０°Ｃから３５０°Ｃの範囲で熱膨張係数を測定した。
【０００９】
【作用】
本発明の配線基板は、このような構成にすることにより、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
詳しくは、ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤、絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板であって、前記絶縁部は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数と近いことにより、これを達成している。
具体的には、多層基板の処理工程や、実使用における処理工程における最高温度Ｔｐｍは、ハンダ処理等における熱処理温度約２５０°となり、この温度以下で、ガラスクロス入りのエポキシ基板等の配線基板用のベース基板の熱膨張係数（約１７ｐｐｍ）に近い熱膨張係数をもつ絶縁層が好ましく、特に熱膨張係数がベース基板±１５ｐｐｍの範囲、即ち２ｐｐｍ〜３２ｐｐｍの範囲であるものが好ましい。この理由は微細化された配線層（めっき形成された金属配線層）が、基板から絶縁層とともに剥がれたり、ソルことがないようにするため、配線基板のベース基板と絶縁層の熱膨張係数をできるだけ近くしておき、応力の発生を抑制するのである。
絶縁層は、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものであることにより、また、絶縁部の基板側でない接着剤層を、電着により形成されたものとすることにより、その製造を簡単化できる。
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、本発明の配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の製造を可能としている。詳しくは、アディティブ法により金属配線部を製造するために、配線部の微細化に対応でき、転写工程により作製するために量産性の良いものとしている。更に、絶縁層の重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層がさらされる最高温度Ｔｐｍ以上とし、且つ絶縁層の熱膨張係数を、温度Ｔｐｍ以下の絶縁層がさらされる温度のもとで、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることにより、品質的にも、配線部の剥がれやソリが発生しないようにできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明を図面を参照にして説明する。
図１（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の第１の例を示した断面図で、図２（ａ）は第２の例を示した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２におけるの拡大断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ１−Ｂ２におけるの拡大断面図であり、図３は絶縁部の構造の変形例である。
図１、図２中、１００、２００は配線基板、１１０、２１０は基板（ベース基板）、１２０、２２０は絶縁部、１２１、２２１は絶縁層、１２３、２２３は電着接着剤層、１３０、２３０、２３５は金属配線である。
【００１２】
まず、実施の形態の第１の例について説明する。
図１に示す第１の例の配線基板１００は、基板１１０上に直接、基板側から絶縁層１２１、電着接着剤層１２３からなる絶縁部１２０を介して、めっき形成された金属配線層１３０が転写形成され、且つ基板（ベース基板）１１０と金属配線層１３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板である。絶縁部１２０は金属配線層１３０の下にのみ形成されている。
そして、絶縁部１２０が配線基板作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとで、金属配線層１３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下で絶縁部１２０の絶縁層１２１の熱膨張係数が、配線基板１００のベース基板１１０の熱膨張係数と近くしてある。
例えば、基板（ベース基板）１１０としてステンレス基板（ＳＵＳ ３０４）を用い、金属配線層１３０としてめっき銅配線層を用いることにより、基板（ベース基板）１１０と金属配線層１３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つようにできるが、第１の例は更に、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとでこれら（金属配線層１３０や基板（ベース基板）１１０）の熱膨張係数に絶縁部１２０の熱膨張係数を合わしたものである。
また、配線基板の品質的な安定性の面から、絶縁部１２０は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするものである。
【００１３】
絶縁部１２０は、絶縁層１２１と電着接着剤層１２３とからなるもので、基本的には金属配線部１５０の絶縁性、耐熱性などの信頼性を確保するとともに、基板１１０上の位置を確保するものであり、基板上において絶縁部１２０を境として基板１１０から剥がれたり、金属配線層１３０にソリが生じることは許されない。
第１の例で、例えば、ベース基板１１０としてステンレス基板（ＳＵＳ３０４）を用い、金属配線層１３０としてめっき銅を用いた場合、金属配線層１３０の剥がれやソリを防止するために、絶縁部１２０としては、重量５％減少の熱分解温度を、温度Ｔｐｍ（熱処理温度３５０°Ｃ）以下で、且つ、温度Ｔｐｍ（３５０°Ｃ）以下の絶縁部１２０がさらされる温度のもとで、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）の膨張係数１７ｐｐｍに近いものが用いられる。ベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲、即ち、この場合は、熱膨張係数が２〜３２ｐｐｍの範囲のものが用いられる。
図１に示す第１の例においては、基板１１０と絶縁層１２１との間に接着剤層を設けていないため、絶縁層１２１としては、常温もしくは加熱により接着性を示すものである必要がある。
熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良い。また、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラーを含むものでも良い。
具体的には、絶縁層１２１としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾイミダゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられ、スクリーン印刷法やマスクを介して塗布する方法、ディスペンス法などの加工方法に応じ、粘度や流動特性を調節して適用する。
また、絶縁層１２１として、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものを用いた場合には、製造工程を簡単化できる。
【００１４】
基板（ベース基板）１１０としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいは、ガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の絶縁性樹脂基板等が挙げられる。
尚、配線基板の金属配線層１３０としてめっき銅配線層が用いられる場合には、ベース基板の材質としては、銅の熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつもの、例えばステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂が用いられる。
ステンレス（ＳＵＳ３０４）やＢＴレジン等のプリント基板に用いられるガラスクロス入りのエポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅とほぼ同じで、１７ｐｐｍである。
【００１５】
電着接着剤層１２３は、後述する製造方法により、金属配線１３０上に電着により設けられたものをそのまま接着剤層として用いたものであり、金属配線１３０の形成と電着接着剤層１２３の形成を連続して行うことができ、これにより量産性の良いものとなる。
電着接着剤層１２３は、電着性を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
【００１６】
次に、実施の形態の第２の例について説明する。
図２に示す第２の例の配線基板２００は、ガラスクロス入りの基板（ＢＴレジン）をベース基板２１０として、その上に金属配線層２３５を設けた配線基板に対し、更に金属配線層２３５上にめっき形成された金属配線層２３０を絶縁部２２０を介して転写形成したもので、配線層が２層の多層配線基板である。
基板（ベース基板）２１０と金属配線層２３０とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板で、絶縁部１２０は金属配線層１３０の下にのみ形成されている。
そして、第２の例も、第１の例の場合と同様、基板２１０側から絶縁層２２１、電着接着剤層２２３からなる絶縁部２２０を介して、金属配線層２３０が形成された配線基板で、絶縁部２２０が配線基作製中、および実使用においてさらされる最高温度Ｔｐｍが２５０°Ｃ（ハンダ処理の温度）の配線基板であり、Ｔｐｍ（２５０°Ｃ）以下の絶縁部２２０がさらされる温度のもとで、金属配線層２３０に剥がれや、ソリが生じないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部２２０がさらされる温度のもとで、絶縁部２２０の絶縁層２２１の熱膨張係数がベース基板２１０の熱膨張係数と近くしてある。
尚、ベース基板２１０の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ金属配線層２３０の材質としてと、銅が挙げられる。
絶縁部２２０の各層等の材質としては、第１の例において挙げたものの中で、適宜選ぶことができる。
【００１７】
図３（ａ）、図３（ｂ）に示すものは、それぞれ、絶縁部１２０、２２０の変形構造であり、それぞれ対応する位置での状態を示している。
接着剤層１２５、２２５としては、常温もしくは加熱により接着性（粘着性）を示すものである必要がある。
この場合は、絶縁層１２１、２２１としては、熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂でも良く、また、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラーを含むものでも良い。
【００１８】
次いで、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の１例を、図４をもとに説明する。
図４に示す工程は、図１に示す配線基板の実施の形態の第１の例で、ベース基板、金属配線層を、それぞれ、ステンレス基板（ＳＵＳ３０４）、めっき銅とした配線基板を作製する工程を示したものである。
まず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０（図４（ａ））上に絶縁性の感光性レジスト４５０を全面に塗布し（図４（ｂ））、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とする。（図４（ｃ））
感光性のレジスト４５０としては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましい。
次いで、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の感光性のレジスト４５０から露出した部分に、所定の硫酸銅めっき浴にて、銅めっきを施し、金属配線層４３０を得る。（図４（ｄ））
通常、金属配線層４３０は、図４（ｄ）に示すように、ステンレス基板４４０の感光性のレジスト４５０から露出した幅よりも大きい幅に、感光性のレジスト４５０の厚さよりも厚く、めっきを施し、めっき部の断面形状をいわゆるマッシュルーム型とする。
【００１９】
次いで、金属配線層４３０上に、更に、電着により電着接着剤層４２３を形成する。（図４（ｆ））
前述のとおり、電着接着剤層４２３は、電着性を持ち、常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げることができる。
アニオン性合成高分子樹脂としては、アクリル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用しても良い。
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するために、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
上記高分子樹脂は、後述する製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００２０】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板４１０（図４（ｆ））の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト４２１Ａを全面に塗布し（図４（ｇ））、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層４２１とする。（図４（ｈ））
感光性のレジストとしては、特に限定されないが、処理性の良いものが好ましく、更に、所定形状とされて作製する配線基板の絶縁層４２１となるため、重量５％減の熱分解温度が、配線基板作製中でさらされる温度や実使用される際にさらされる温度の中で最高の温度Ｔｐｍよりも以上であり、且つ、熱膨張係数がこの温度Ｔｐｍ以下の絶縁層４２１がさらされる温度のもとでベース基板４１０の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲に入っているものである。
【００２１】
次いで、所定の熱および圧をかけて（図４（ｉ））、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の金属配線４３０を、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板４１０へ、絶縁層４２１、電着接着剤層４２３を介して転写して、配線基板４００を得る。（図４（ｊ））
【００２２】
【実施例】
（実施例１）
実施例１は、図１に示す配線基板を図４に示す配線基板の製造方法にて作製したものである。
図４に基づいて説明する。
先ず、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の配線形成側の面上に、感光性絶縁レジスト４２１ＡとしてＯＭＲ−８３（東京応化株式会社製）を全面に塗布し、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して、所定形状とした。（図４（ｃ））
レジストは乾燥後１μ厚に塗布し、露光量６０ｍｊ（光源は超高圧水銀灯、４０５ｎｍ）で、指定現像液にて現像した。
次いで、下記のめっき浴組成、条件にて硫酸銅めっきを行い、レジストから露出した部分に厚さ１０μｍの銅めっきを施し金属配線４３０を形成した。（図４（ｄ））
〔電解めっきの液組成および条件〕
硫酸銅（５水塩） ７５ ｇ／ｌ
硫酸 １９０ ｇ／ｌ
塩素イオン ６０ ｍｇ／ｌ
スルカップＡＣ−９０Ｍ ２．５ ｍｌ／ｌ
温度 ２５ ℃
電流密度 ２．５Ａ／ｄｍ2
但し、スルカップＡＣ−９０Ｍは上村工義製の添加剤
【００２３】
次いで、下記に示す液調整法により電着液を作り、これを用いて電着を行い、熱分解温度４００°Ｃ、ガラス転移温度３２０°Ｃ、熱膨張係数α＝４０ｐｐｍの電着接着剤層４２３を銅めっきからなる金属配線４３０上に電着形成した。（図４（ｅ））
液調整は、固形分濃度２０％のポリイミド溶液１００ｇにＮＭＰ（Ｎメチル−２−２ピロリドン）４００ｇを加え攪拌した後、中和剤としてエタノールアミンを２ｇ添加して十分に攪拌し、更に水５０ｇを加え攪拌を一昼夜行ったものである。
尚、液調整に先立ち、モノマー、ビス（４−（４−（アミノフエノキシ）フエノキシ）フエニル）スルホン３０．８３５ｇ（０．０５ｍｏｌ）、およびピロメリット酸二無水物１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を仕込み、それぞれのモル比のモノマー材料とトルエン、ＮＭＰ（Ｎメチル−２−ピロリドン）２４０ｇを仕込み、窒素雰囲気下で２００°Ｃ、１０時間還流し、熱イミド化してポリイミド溶液を合成した。
合成した溶液の対数粘度は（ＮＭＰを溶媒とし、温度３５°Ｃ、濃度０．５ｇ／１００ｍｌで測定）１．７ｄｌ／ｇであった。
また、トルエンは縮合水とともにコンデンサーにより回収した。
電着条件は、金属配線４３０が形成されたステンレス基板４４０全体を水洗後、電着液に浸漬させ、ステンレス基板４４０を陽極として、同面積のステンレス板を陰極として両極間を５０ｍｍに対向させ、５０Ｖで１０分間連続電圧を印加することにより、銅めっきからなる金属配線４３０上にポリイミド膜からなる電着接着剤層４２３を電着形成した。この膜厚は硬化後約１μｍとした。
【００２４】
一方、別のステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる配線基板のベース基板（ステンレス基板４１０）の配線形成側の面上に、感光性絶縁性レジスト４２１Ａを全面に塗布し（図４（ｇ））、これを金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層４２１とする。（図４（ｈ） ）
感光性絶縁性レジスト４２１Ａとしては 熱分解温度３７０°Ｃ、熱膨張係数１５ｐｐｍの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ６０００を用いた。
硬化後の膜厚を７μｍとした。
【００２５】
次いで、ベース基板４１０の絶縁層４２１とステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０の金属配線４３０上に形成された電着接着剤層４２３とを位置合わせしながら両基板（４１０と４４０）を合わせ、温度１８０°Ｃ、圧１Ｋｇ／ｃｍ2 を１分間かけ（図４（ｉ）、ステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４４０から金属配線４３０を絶縁層４２１、電着接着剤層４２３とを介してステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０へ転写し、この後Ｎ2 雰囲気下で３００°Ｃで熱処理を施し、絶縁層４２１を硬化して配線基板４００を得た。（図３（ｊ））
【００２６】
（実施例２）
実施例２は、実施例１において感光性絶縁性レジスト４２１Ａとして熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍの日立化成株式会社製のＰＬ８００９ｘを用いたものである。硬化後の膜厚を５μｍとした。
さらに実施例１の電着接着剤４２３に代え、金属配線４３０上に接着剤層として、ＴＯＢＣＯＡＴ ７０１２Ｎ（日本エイブルスティック株式会社製）を硬化後３μｍの厚みで形成し、転写して配線基板を得た。
【００２７】
（実施例３）
実施例３は、実施例１において感光性絶縁性レジスト４２１Ａとして、熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数１０ｐｐｍの株式会社日本ゼオン製のＺＦＰＩ５５００、１００部に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を２０部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとした絶縁組成物を用いたものである。硬化後の膜厚を７μｍとした。
【００２８】
（比較例１）
比較例１は、実施例１において感光性絶縁性レジスト４２１Ａとして熱分解温度４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍの株式会社東レ製のＵＲ３１４０を用いたものである。硬化後の膜厚を６μｍとした。
【００２９】
（実施例４）
実施例４は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上への感光性絶縁性レジスト４２１Ａに代え感光性絶縁性ペーストの全面塗布をスクリーン印刷により行ったものであり、印刷後の感光性絶縁性ペースト（４２１Ａに相当）を金属配線４３０に対応する形状の所定のパターン版を用いて露光して、現像処理して所定形状とし、これを絶縁層４２１として形成したものである。それ以外については、実施例１と同様に行ったのである。
スクリーン印刷は、スクリーン印刷機３４ＧＸ（ニューロング社製）を用い、２５０メッシュのステンレスからなるスクリーン版を用い、押込１ｍｍで、熱分解温度３５０°Ｃ、熱膨張係数２５ｐｐｍの株式会社東レ製のＵＲ５１００の絶縁性のペーストを印刷して、硬化させ６μｍの膜厚に感光性絶縁性ペースト（４２１Ａ）をステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上に全面塗布した。
【００３０】
（比較例２）
比較例２は、実施例４におけるスクリーン印刷用の絶縁性のペーストとして熱分解温度２４０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍの株式会社日本ペイント製のプロピコート５０００インクを用いたものである。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で２５０°Ｃで熱処理をしたが、後の工程処理中にガス発生し、所望厚の絶縁層４２１は得られなかった。
【００３１】
（実施例５）
実施例５は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上への絶縁層４２１の形成を、基板４１０上に膜厚３０μｍの感光性レジストＨＢ−３７（日本合成ゴム株式会社製）を全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料ＳＰ０４２（株式会社東レ製）を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、絶縁材料ＳＰ０４２からなる絶縁層４２１を厚さ８μｍに形成したものである。この場合は熱処理をＮ2 雰囲気下で３５０°Ｃで熱処理をした。
絶縁材料ＳＰ０４２の熱分解温度は３７０°Ｃ、熱膨張係数１９ｐｐｍである。
それ以外については、実施例１と同様に行った。
【００３２】
（実施例６）
実施例５において、凹部に埋め込む絶縁材料として絶縁材料ＰＬＸ３５００（日立化成製）を絶縁層４２１を厚さ５μｍに形成したものである。
絶縁材料ＰＬＸ３５００の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数３０ｐｐｍである。
それ以外については、実施例５と同様に行った。
【００３３】
（比較例３）
実施例５において、凹部に埋め込み絶縁材料として、絶縁材料ユピファインＳＴ（宇部興産株式会社製）に低膨張性フィラー、フューズレックスＦＦ（熱膨張係数０．５ｐｐｍ、龍森株式会社製）を１００部分散混合して、熱膨張係数を３ｐｐｍとしたものを用い、絶縁層４２１を厚さ７μｍに形成したものである。
この絶縁材料の熱分解温度は６００°Ｃ、熱膨張係数１ｐｐｍである。
それ以外については、実施例５と同様に行った。
【００３４】
（比較例４）
実施例５において、凹部に埋め込み絶縁材料として絶縁材料ＳＰ４３３（株式会社東京レ製）を絶縁層４２１を厚さ６μｍに形成したものである。
絶縁材料ＳＰ４３３の熱分解温度は４００°Ｃ、熱膨張係数４０ｐｐｍである。
それ以外については、実施例５と同様に行った。
【００３５】
（実施例７）
実施例７は、実施例１におけるステンレス（ＳＵＳ３０４）基板４１０上への絶縁層４２１の形成を、スクリーン印刷にて直接所定形状に形成したものである。
スクリーン印刷用ペーストとしてはＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（日本エイブルステック株式会社製）を用い６μｍの厚さに形成した。
ＴＯＢＣＯＡＴ７０１２Ｎ（絶縁層４２１）の熱分解温度は３５０°Ｃ、熱膨張係数２０ｐｐｍである。
それ以外については、実施例１と同様に行った。
【００３６】
上記実施例および比較例の配線基板に、熱処理を施した場合の配線部のソリを検査した結果を図５、図６に示す。
図５、図６に示す検査結果からも分かるように、熱分解温度が絶縁層４２１がさらされる温度以上であり、且つ、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲である各実施例の配線基板にはソリの発生がみられなかった。
これに対し、熱分解温度が絶縁層４２１がさらされる温度以下であるか、熱膨張係数がベース基板（ここではステンレス基板）の熱膨張率１７±１５ｐｐｍの範囲の外である比較例１、比較例３、比較例４の配線基板にはソリの発生がみられた。
また、熱分解温度が絶縁層４２１がさらされる温度以下の比較例２の配線基板基板の場合には、熱処理により絶縁層４２１がガス発生し、重量５％以上減少し、所望の膜厚が得られなかった。
【００３７】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、配線の微細化に対応でき、量産性に優れ、且つ多層配線にも対応できる配線基板の提供を可能としている。
同時に、そのような配線基板の製造方法の提供を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の第１の例を示した断面図
【図２】本発明の配線基板の実施の形態の第２の例を示した断面図
【図３】絶縁部の構造の変形例を示した断面図
【図４】本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の１例を示した工程図
【図５】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【図６】実施例および比較例の配線基板の作製条件および検査結果を示した図
【符号の説明】
１００、２００ 配線基板
１１０、２１０ 基板（配線基板のベース基板）
１２０、２２０ 絶縁部
１２１、２２１ 絶縁層
１２３、２２３ 電着接着剤層
１２５、２２５ 接着剤層
１３０、２３０、２３５ 金属配線
４００ 配線基板
４１０ ベース基板（ステンレス基板）
４２１ 絶縁層
４２１Ａ 感光性絶縁性レジスト
４２３ 電着接着剤層
４３０ 金属配線
４４０ ステンレス基板
４５０ 感光性のレジスト
Claims (12)
- ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤、絶縁層、接着剤からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板であって、前記絶縁部は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする配線基板。
- 請求項１における温度Ｔｐｍは、ベース基板が樹脂基板である場合には２５０°Ｃ、金属基板である場合には３５０°Ｃであることを特徴とする配線基板。
- 請求項１または２において、配線基板のベース基板がステンレス基板（ＳＵＳ３０４）あるいはガラスクロス入りのエポキシ基板であることを特徴とする配線基板。
- 請求項１から３のいずれか１項に記載の絶縁層は、感光性絶縁性レジストをパターンニングして形成したものであることを特徴とする配線基板。
- 請求項１から４のいずれか１項において、絶縁部の基板側でない接着剤層は、電着またはスクリーン印刷により形成されたものであることを特徴とする配線基板。
- ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、ベース基板側から絶縁層、接着剤層からなる絶縁部を介して、あるいはベース基板側から接着剤層、絶縁層、接着剤層からなる絶縁部を介して、めっき形成された金属配線層が転写形成されており、該絶縁部は金属配線層下にのみ形成され、且つベース基板と金属配線層とがほぼ同じ熱膨張係数を持つ配線基板の製造方法であって、順次、（ａ）ベース基板上に直接、あるいは金属配線層が設けられたベース基板の金属配線層上に、そのままじかにあるいは接着剤層を介して絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｂ）前記絶縁層上に接着剤層を介して、金属配線層を転写形成する転写工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項６における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性絶縁性レジストを全面塗布し、塗布された感光性絶縁性レジストをパターンニングしてこれを絶縁層とするものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項７における感光性絶縁性レジストの塗布をスクリーン印刷で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項６における絶縁層形成工程は、スクリーンマスクあるいはメタルマスクを用いて、ベース基板上へ直接パターンニング形成して絶縁層を形成するものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項６における絶縁層形成工程は、ベース基板上に感光性レジストを全面塗布し、塗布された感光性レジストをパターンニングした後、パターンニングにより形成された凹部に、所定の絶縁材料を埋め込み、さらにパターンニングにされた感光性レジストのみを除去して、前記所定の絶縁材料からなる絶縁層を形成するものであることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項６から１０のいずれか１項において、絶縁層および接着剤層は、重量５％減少の熱分解温度を、絶縁層が配線基板作製のためにさらされる処理温度や配線基板を実使用したときにさらされる処理温度の中で一番高い温度Ｔｐｍ以上とするもので、且つ、前記温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで金属配線層のソリが発生しないように、温度Ｔｐｍ以下の絶縁部がさらされる温度のもとで、絶縁部の絶縁層の熱膨張係数が、配線基板のベース基板の熱膨張係数±１５ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする配線基板の製造方法。
- 請求項１１における温度Ｔｐｍは、ベース基板が樹脂基板である場合には２５０°Ｃ、金属基板である場合には３５０°Ｃであることを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36164997A JP3953616B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36164997A JP3953616B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177194A JPH11177194A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3953616B2 true JP3953616B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=18474415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36164997A Expired - Fee Related JP3953616B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3953616B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011134850A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置、半導体素子搭載用配線基材及びそれらの製造法 |
-
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- 1997-12-11 JP JP36164997A patent/JP3953616B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11177194A (ja) | 1999-07-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070209 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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