JP2011134850A - 半導体装置、半導体素子搭載用配線基材及びそれらの製造法 - Google Patents

Abstract

【課題】 生産性に優れ、半導体素子搭載用基材の反射機能を最大限に利用することもでき、さらに薄膜化も可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子が半導体素子搭載用基材上に搭載され、半導体素子接続用導電性金属パターンが半導体素子搭載用基材に接着されていることを特徴とする半導体装置。半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間にワイヤボンディングが施され、これらは封止材により封止されている。
【選択図】 図１５

Description

本発明は、半導体装置、半導体素子搭載用配線基材及びそれらの製造法に関する。

近年、半導体パッケージの高機能化を図るため、従来の配線板の製造工程を利用した半導体装置の製造方法が提案されている。図１６及び図１７に従来の半導体装置の製造工程と一部断面図を示す。図１６は、その前半部分、図１７は後半部分を示す。
まず、片面銅張積層板２００を用意する（図１６（ａ））。これは、基板２０１上の銅箔２０２の上に、レジスト膜を形成し、露光及び現像の各工程を経て、レジストパターン２０３を形成する（図１６（ｂ））。次に、銅箔のエッチング工程及びレジストパターンの剥離工程を経て、導電性金属パターン（銅箔パターン）２０４が作製される（図１６（ｃ））。この後、更に、導電性金属パターン（銅箔パターン）２０４上にニッケルめっき及び金めっきを順次行い、半導体素子搭載用導電性金属パターンとするが図１６においては、その詳細を省略し、導電性金属パターン２０４として、得られた片面配線板２０５を示す。ついで、得られた片面配線板２０５（基材２０１）の裏面（回路の無い面）に接着シート２０６を仮接着（Ｂステージ化）する（図１６（ｄ））。ついで、ルーター加工により半導体搭載部に対応する部分の基板２０１と接着シート２０６を同時に穴加工して、穴２０７を形成する（図１６（ｅ））。さらに、ベース板２０８を積層プレスすることにより接着シート２０６を介して基板２０１裏面に接着する。このとき、接着シートを硬化させる（本接着）。これにより、半導体素子搭載用基板２０９を作製する（図１７（ｆ））。使用する接着シートは２５μｍ〜１００μｍの厚みの熱硬化タイプを使用することが望ましい。ついで、半導体素子搭載用基板２０９のベース板２０８が露出している部分に、接着剤２１０を介して半導体素子（例えばＬＥＤ半導体素子）２１１を接着し、さらに、半導体素子２１１と導電性金属パターン２０４をボンディングワイヤ２１２によりワイヤボンディングする（図１７（ｇ））。最後に半導体素子２１１と導電性金属パターン２０４及びボンディングワイヤ２１２を蛍光体及び封止材２１３により封止して半導体装置２１４とする（図１７（ｈ））。
上記において、配線板にルーター加工により光の反射機能を付与する位置に窓穴加工を施し、ベース板２０８を露出させる代わりに、あらかじめ光の反射機能を有する部材を作成し、片面配線板に取付け穴を加工してこの部材を設置することにより半導体素子搭載基板を作製することができる（特許文献１参照）。

特開２００６−３３２２３４号公報

前記した従来の方法では、工程数が多いという問題がある。また、このようにして得られた半導体装置において、半導体搭載基板は、半導体を搭載する機能と共にヒートシンクとして機能を果たす。また、ＬＥＤ半導体装置として利用する場合には光の反射板として機能させることができる。
この半導体装置の作製においては、あらかじめ片面銅張積層板を保持するために絶縁基板を厚くする必要があり、半導体装置の全体厚の薄型化には限界があった。
また、上記半導体装置では、配線板に窓穴を開けた半導体素子搭載部に反射機能を有するアルミなどの基材が露出しているため、反射率が高いが、その他配線板の側面は、アルミの反射率と比較すると反射率が劣るという問題があった。
本発明は、このような問題点に鑑み、第１に、生産性に優れる半導体装置を提供するものである。第２に、より薄膜化が可能な半導体装置を提供するものである。第３に、半導体素子搭載用基材のヒートシンク機能又は反射機能を最大限に利用するため、絶縁基板を無くし、必要な回路のみを付与することで、高放熱性又は高反射率の半導体装置を提供するものである。本願発明は、さらにこのような半導体装置のための半導体素子搭載用配線基材及びその製造法並びに半導体装置の製造法を提供するものである。

本発明は、次のものに関する。
１． 半導体素子が半導体素子搭載用基材上に搭載され、半導体素子接続用導電性金属パターンが半導体素子搭載用基材に接着されていることを特徴とする半導体装置。
２． 半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間にワイヤボンディングが施されており、これらが封止材により封止されている項１記載の半導体装置。
３． 半導体素子搭載用基材の所定位置に半導体素子接続用導電性金属パターンが接着されており、該半導体素子搭載用基材上に半導体素子を搭載すべき領域を有する半導体素子搭載用配線基材。
４． めっき形成部が開口方向に向かって幅広の凹部であるめっき用導電性基材上に、半導体素子を接続するためのワイヤボンディング部（ボンディングパッド）を有する導電性金属層パターンをめっきにより形成する工程、
上記めっき用導電性基材上に形成された導電性金属層パターンを第１の剥離性基材上に転写して第１の配線転写用基材を作製する工程
第２の剥離性基材に第１の配線転写用基材の導電性金属層パターンを転写し、第２の配線転写用基材を作製する工程
上記第２の配線転写用基材の導電性金属層パターンを、該導電性金属層パターンの露出面に粘着剤層を形成する工程
半導体素子を搭載すべき領域を有する半導体素子搭載用基材の所定位置に上記第２の配線転写用基材をその導電性金属層パターンを粘着剤層を介して接着する工程、
ついで、第２の剥離性基材を剥離することを特徴とする半導体素子搭載用配線基材の製造法。
５． 第１の配線転写用基材の導電性金属層パターンをそれが転写される前に、少なくともその導電性金属層パターンのワイヤボンディング部に接続用めっきを施す工程を含む項４記載の半導体素子搭載用配線基材の製造法。
６． 上記項４又は項５に記載の半導体素子搭載用配線基材の製造法のすべての工程を行った後、
上記半導体素子搭載用配線基材中の半導体素子搭載用基材の半導体素子を搭載すべき領域に半導体素子を接合して半導体素子搭載配線基材を作製する工程、
上記半導体素子搭載配線基材上の半導体素子と導電層金属層パターンのワイヤボンディング部とをワイヤボンディングする工程、
上記半導体素子搭載配線基材上の半導体素子、導電性金属層パターン及びこれらを接続するためのボンディングされたワイヤを封止材により一体に封止する工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造法。

本発明に係る半導体素子搭載用基材及び半導体装置は、銅張積層板を使用しないことから、絶縁層（粘着剤層）を薄くできるため半導体素子搭載用配線基材及び半導体装置の全体厚さの薄型化が図れる。また、絶縁層（粘着剤層）の厚みを薄く出来るため、半導体素子搭載用基材の高放熱性又は反射能力を効率良く利用できる。
本発明に係る半導体素子搭載用配線基材及び半導体装置の製造法によれば、半導体装置を搭載する箇所のルーター加工が廃止出来るため、半導体素子搭載用配線基材及び半導体装置の製造を生産性良く行うことができる。

本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図。 図１のＡ−Ａ断面図。 凹部を有するめっき用導電性基材の一部断面図。 めっき用導電性基材の製造工程の一例を示す断面図。 配線転写用基材の作製例の一例を示す断面図。 めっき用導電性基材のめっき用形成部（凹部）にめっきにより金属層を形成した例を示す断面図。 第１の配線転写用基材に、さらにめっきを施した状態を示す断面図。 第２の剥離性基材１５を圧着しようとしているところを示す断面図。 第２の配線転写用基材の断面図。 第２の配線転写用基材１８の一部断面図。 第２の配線転写用基材の導電性金属パターン（めっき層）に接着剤層を積層した積層物２１の一部の断面図。 積層物２１をアルミ板等の半導体素子搭載用基材２２に接着して得られた積層物２３の一部の断面図。 半導体素子搭載直前の半導体素子搭載用基板２４の作製工程を示す一部断面図。 ワイヤボンディングされた半導体素子が搭載された半導体装置の断面図。 樹脂封止が施された半導体装置の断面図。 従来の半導体装置の製造工程の前半を示す一部断面図。 従来の半導体装置の製造工程の後半を示す一部断面図。

本発明に係る半導体装置は、以下に説明するように作製することができる。
まず、第１の配線転写用基材を準備する。
第１の配線転写用基材は、第１の剥離性基材上に導電性金属層パターンを有するものである。そして、この導電性金属層パターンが最終的に半導体素子接続用の導電性金属層パターンとして利用される。

この第１の配線転写用基材について、まず、説明する。
本発明における第１の剥離性基材のための基材材料としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシート、金属シートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレートなどの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。金属としては、銅、アルミニウム、ステンレス，ニッケル、鉄、チタン等の金属並びにこれらの合金（４２アロイ等）がある。

本発明における第１の剥離性基材のための基材材料は、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムが好ましく、また、全可視光透過率が７０％以上のフィルムが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンナフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。

上記基材材料の厚さは特に制限はないが、１０μｍ以上１ｍｍ以下が好ましく、２０μｍ以上０．５ｍｍ以下がさらに好ましい。基材材料が厚すぎると、基材にカールが発生しやすい、ロール品の場合には巻き癖がつきやすくなる。一方、基材材料が薄すぎるとロールツーロール方式で製造する場合、搬送工程における取扱性が悪くなる。枚葉形態での搬送が必要となる場合には、基材には或る程度以上の剛性が要求されるので、基材材料の厚さは２００μｍ以上であることが好ましい。

また、第１の剥離性基材は、その上に貼着されている導電性金属層パターンに対して、搬送時等には十分な密着性を有しているが、上記導電性金属層パターンが後記する第２の剥離性基材に転写されるときには、その導電性金属層パターンから剥離しやすいものである。
このように、上記第１の剥離性基材は、適度な密着性と剥離性を有していることが必要であるが、換言すれば適度な粘着性を有していることが必要である。そのためには、剥離性基材のための基材材料自体が必要な粘着性を有していてもよいが、基材材料上に適当な粘着剤層を積層して第１の剥離性基材とすることが好ましい。

上記基材材料は、粘着剤に対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、後記する半導体装置の製造過程で、剥離性基材を剥離しようとしたときに、粘着剤層を残したまま、基材材料だけが剥離することがある。

また、基材材料の材質を、金属から選ぶと金属層と基材材料の線膨張係数を近づけやすく、本発明に係る配線転写用基材の反りの低減が容易である。
また、粘着剤層として、活性エネルギー線の照射により硬化する硬化性樹脂を使用する
場合には、基材材料は、これらの活性エネルギー線を透過させるものが好ましい。

粘着性を有しているものとしては、粘着時にはガラス転移温度が８０℃以下の樹脂が好ましく、２０℃以下の樹脂がより好ましく、０℃以下である樹脂を用いることが最も好ましい。しかし、熱可塑性樹脂の場合は、低いガラス転移温度を有するものでもよいが、固化後の安定性から、ガラス転移温度が５０℃以上であるものが好ましく、粘着時に加熱溶融するものが好ましい。
また、粘着剤に用いる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂等を使用することができる。上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂の重量平均分子量は、５００以上のものを使用することが好ましい。分子量が５００未満では樹脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。

上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステルが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。

活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。

熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。

熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。

さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。

粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。

基材材料上への粘着剤層の形成は、粘着剤を基材材料に塗工して行うことが容易で好ましい。粘着剤の塗工方法としては、特に制限はないが、例えば、ダイコート、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を挙げることができる。

粘着剤層の厚さは、０．５〜１００μｍが好ましく、半導体装置作製過程において十分な密着性を有するためには３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、粘着剤層の厚みが厚いと密着性が高くなるため、特に熱履歴後の剥離が困難となるので３０μｍ以下であることがより好まし、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。

上記粘着剤が、硬化性樹脂を使用している場合、硬化後の粘着剤のガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために、５０〜３００℃であることが好ましく、１００〜３００℃であることがより好ましく、１５０〜２５０℃であることが特に好ましい。このガラス転移温度が低すぎると、ワイヤボンド工程において熱によって粘着剤層が軟化し、ワイヤの接合不良が生じやすくなったり、封止工程での熱によって粘着剤層が軟化し、その上に積層した金属層との間にめっきレジストが入り込みやすくなる傾向があるなどの熱による不具合がでる可能性がある。また、ガラス転移温度が高すぎると、金属層パターンとの２５℃における９０度ピール強度が低下しやすい傾向がある。なお、ガラス転移温度は、粘着剤の単層フィルムを熱機械的分析装置（例えば、セイコー電子工業製、ＴＭＡ−１２０）により、昇温速度１０℃／分、荷重１０ｇの引っ張りモードで測定される。

また、上記粘着剤層（硬化性樹脂を使用している場合、硬化後の粘着剤層）の２０〜２００℃における線熱膨張係数は、３．０×１０^−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０^−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０^−５／℃以下であることがさらに好ましい。導電性金属の線膨張係数に等しいかほぼ等しいことが最良である。

導電性金属層パターンは、銅、金、銀、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性金属からなるものが好ましい。導電性金属層パターンの材質は、特に限定するものではないが、金属層パターンを形成しやすいように銅であることが好ましい。導電性金属層パターンは、半導体装置又はその製造工程に適用するように設計されたものである。

上記導電性金属層パターンの厚さは、特に制限はないが、５〜１００μｍが好ましく、１０〜５０μｍがさらに好ましく、１５〜３０μｍが特に好ましい。導電性金属層パターンが厚すぎると金属層パターン形成に時間がかかり、さらに、材料コストも上がる。薄すぎると放熱性が低下しやすくなる。

本発明における第１の配線転写用基材の製造法について説明する。
第１の配線転写用基材の好ましい製造法では、めっき用導電性基材上にめっきにより半導体装置又はその製造過程で必要な導電性金属パターンに対応した金属層を形成し、この金属層を前記の第１の剥離性基材に転写して作製される。このときの転写を「第１の転写」という。この後、導電性金属パターンに、適宜、Ｎｉ，金めっきなどを施して第１の配線転写用基材としてもよい。

まず、めっき用導電性基材について説明する。
本発明において使用する好ましいめっき用導電性基材は、上記の導電性金属層パターンに対応しためっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層にめっきを形成するために開口された凹部（めっき形成部）が形成されている。この凹部の底面は導電性であり、通常、導電性材料が露出している。上記の凹部は好ましくは、開口方向に向かって幅広な形状を有する。また、通常、このめっき用導電性基材は繰り返し使用され、めっきによる導電性金属層パターン作製のための版として使用される。

上記導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させることができる程度に十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を第１の剥離性基材に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。

前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。

絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることがより好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが特に好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、１〜５μｍであることが特に好ましい。

上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の無機化合物のような無機材料で形成することもできる。

凹部又は絶縁層の形状は、目的に応じて適宜決定されるが、半導体装置用の導電性金属層パターン又はその製造過程で要求される導電性金属層パターンに対応したものとされる。

本発明のめっき用導電性基材の一例を図面を用いて説明する。
図１は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図を示す。めっき用導電性基材１は、導電性基材２の上に絶縁層３が積層されており、絶縁層３に凹部４が形成されている。この凹部４の底部は、導電性基材２が露出している。凹部４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層３及び凹部４からなる一定のストライプ状のパターンが図２の断面方向に繰り返されているが、その繰り返し数は適宜決定される。また、断面方向に直角の方向には、絶縁層３又は凹部４が所定の長さになるように延びており、図１の手前に示すように、図２の断面方向の凹部に合流するようになっていてもよい。凹部は溝状（平面形状が線状、矩形状その他の形状）に限らず、平面形状が正方形等の矩形、円形、その他の形状である穴状であってもよく、このような形状はその目的に応じて適宜決定される。
導電性基材２と絶縁層３の間には、絶縁層３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部４の側面は、開口方向に向かって全体として広がっている。

前記凹部について説明する。図３は、凹部を有するめっき用導電性基材の一部断面図である。図３の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。導電性基材２上に絶縁層３が積層されており、これに凹部４が形成されている。凹部の側面は、開口方向に向かって開くようになっていることが好ましいが、図３（ａ）のように、勾配αで一定に広がっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される金属層の剥離に問題がなければ、側面は、開口方向に向かって閉じるようになっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、側面は開口方向に向かって閉じておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で１μｍ以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
凹部の幅（開口部でｄ、底面でｄ′）などの大きさや凹部の間隔は、目的に応じて決定される。本発明においてストライプ状の凹部の場合、ｄ′が２０〜１０００μｍであることが好ましい。２本の凹部の間隔は、例えば、半導体素子の大きさに応じて決定すればよく、例えば、５００〜３０００μｍであることが好ましい。２本一組の凹部のラインが、例えば、３０００〜３００００μｍの間隔で繰り返すように設置される。

凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図３（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（本図面では、絶縁層の厚さとなる）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、

によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層（金属層パターン）を剥離する際、又は、第１の剥離性基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。

また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．１〜２０μｍであることがより好ましく、０．５〜１０μｍであることがさらに好ましく、１〜５μｍであることが特に好ましい。

本発明におけるめっき用導電性基材の好ましい製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって特定の導電性金属層パターンに対応するパターンが描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターン（上記の導電性金属層パターンに対応）を形成する工程、
（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程
及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含む。

上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法（ａ法）は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層を導電性金属層パターンに対応したマスクを通して露光する
工程
及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。

また、この方法（ｂ法）は、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層に導電性金属層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程
及び
（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。

感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。

具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。

上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。

前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。

印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。

本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図４は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を一部断面図で示したものである。

導電性基材２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）５が形成されている（図４（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層５をパターン化する（図４（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層５の不要部を除去して突起部６を残すことにより行われる。突起部６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材２上の凹部４とそのパターンに対応するよう考慮される。

この時、突起部６の断面形状において、その側面は、導電性基材２に対して垂直であること、又は、突起部６が導電性基材２に接する端部に対して、突起部６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部６の幅で言う場合は、突起部６の幅の最大値ｄ_１は、突起部６が導電性基材２に接する幅ｄ_０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層３の凹部幅はｄ_１によって決定されるからである。ここで、突起部６の断面形状で、突起部６の幅の最大値ｄ_１が突起部６と導電性基材２に接する幅ｄと等しいか大きくする方法としては、突起部６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ_１は凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部６の形状は、凹部の形状に対応づけられる。突起部の幅は前記のｄ_１で、凹部の底部の幅ｄ′に対応し、高さは、導電性基材上に形成される形成されるべき絶縁層の厚さの１．２〜１０倍が好ましい。

前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部６からなる凸状パターンを有する導電性基材２の表面に絶縁層３を形成する（図４（ｃ））。

絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。

上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。

絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
中間層は、絶縁層３を形成する前に形成することが好ましいが、凸状パターン６の形成前に、導電性基材２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように手順で、凸状パターンを形成する。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材２を露出させる。

絶縁層をＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の無機化合物のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。

次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層３が付いている状態（図４（ｃ）参照）で、突起部６からなる凸状パターンを除去する（図ｄ（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。

導電性基材２上に形成される絶縁層と、突起部６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
導電性基材に形成される絶縁層と凸状パターンの側面に形成される絶縁層との境界面の凸状パターンの側面（基材に対して垂直面として）からの距離が、凸状パターンの立位方向に向かって小さくなっておらず、全体として大きくなっていることが好ましい。
凸状パターンの側面（導電性基材に対して垂直面として）とは、凸状パターンの側面が基材に対して垂直面であれば、その面であるが、凸状パターンの側面が基材側に覆い被さるような場合は、凸状パターンの側面が導電性基材で終わる地点から垂直に立ち上げた垂直面である。
突起部６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部６の高さを調整する方法が好ましい。突起部６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。

上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。

本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。

絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１を作製することができる。

本発明において、第１の配線転写用基材は、
（イ）前記のめっき用導電性基材のめっき形成部にめっきにより金属を析出させる工程
及び
（ロ）上記導電性基材のめっき形成部に析出させた金属を第１の剥離性基材に転写する工程
を含む方法により製造される。

本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。

次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。

本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、めっき用導電性基材の凹部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。

めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ・ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ・ｃｍ）、銅（１．７２μΩ・ｃｍ）、金（２．４μΩ・ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ・ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ・ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ・ｃｍ）、鉄（９．０μΩ・ｃｍ）、クロム（１７μΩ・ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍであることがより好ましく、５μΩ・ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ・ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。

前記した導電性基材のめっき形成部にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、目的に応じて適宜決定される。めっき厚さは、十分な放熱性を示すためには、５μｍ以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される可能性を小さくするためには、１０μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がる。これも目的に応じて、適宜調整される。

析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの２倍以下とすることが好ましく、特に１．５倍以下、さらに１．２倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属層パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。

上記のめっき用導電性基材を用いた第１の配線転写用基材の作製例を次に示す。
図５は、第１の配線転写用基材の作製例を示す一部断面図である。
前記しためっき工程により、上記した導電性基材２の上に絶縁層３を有するめっき用導電性基材１のめっき形成部（凹部）４にめっきを施し、金属層７を形成する（図５（ｅ））。
ついで、別個に準備された第１の剥離性基材８、これは、基材材料９に粘着剤層１０が積層されている。金属層７が形成されためっき用導電性基材１に第１の剥離性基材８を粘着剤層１０を向けて圧着する準備を行う（図５（ｆ））。
ついで、金属層７が形成されためっき用導電性基材１に第１の剥離性基材８を粘着剤層１０を向けて圧着する（図５（ｇ））。このとき、粘着剤層１０が絶縁層３に接触してもよい。
ついで、第１の剥離性基材８を引きはがすと金属層７は、その粘着剤層１０に接着してめっき用導電性基材１のめっき用形成部４から剥離されて第１の剥離性基材８に転写され、この結果、導体層パターン付き基材ともいえる第１の配線転写用基材１１が得られる（図５（ｈ））。
この第１の配線転写用基板１８において、ストライプ状の金属層７の幅は、１００〜１０００μｍが好ましい。また、ストライプ状の金属層７の間隔は、後記するように半導体素子を半導体素子搭載用基材に搭載するときに十分とれる間隔とされるが、例えば、５００〜３０００μｍが好ましい。ストライプ状の金属層７は２本を一組として繰り返されるが、各組の間隔は、３０００〜３００００μｍが好ましい。
粘着剤が硬化性樹脂である場合、上記の圧着と同時、圧着後剥離前又は剥離後に硬化をさせるが、上記の圧着と同時又は圧着後剥離前に部分硬化又は完全硬化させることが剥離しやすくする上で好ましい。部分硬化及び完全硬化のためには、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂又は熱硬化性樹脂は、それぞれ、硬化度に見合った程度に活性エネルギー線を照射するか又は加熱されることは言うまでもない。
このようにして得られる第１の配線転写用基材において、金属層は、厚さ方向で部分的に剥離性基材に埋設されていてもよい。その埋設量は、金属層の厚さの１／２以下であることが好ましい。特に導体層の断面において最大幅があるときは、その部分まで埋没させないことが好ましい。また、埋設量の下限については、特に制限はないが、この第１の転写及び後記する第２の転写の工程で十分に導体層パターンを保持することが重要である。

また、上記において、粘着剤が活性エネルギー線硬化性樹脂である場合で、第１の配線転写用基材に、活性エネルギー線を照射し、活性エネルギー線が照射された部分の粘着剤層を硬化させることが好ましい。剥離性基材における粘着剤は転写時には、未硬化又は部分硬化の状態で粘着性を有するものであり、そのため、金属層を例えば、室温でも容易に転写することが可能である。転写後は、活性エネルギー線を照射して樹脂を十分硬化させることで、粘着性低減又は消失させることにより、その後の工程の作業性をよくすることができる。なお、活性エネルギー線は第１の配線転写用基材の両面のどちらから照射してもよいが、金属層が存在する面の反対側から照射することが好ましい。

図６は、めっき用導電性基材のめっき用形成部（凹部）にめっきにより金属層を形成した状態を示す断面図であり、図６（ａ）は、そのめっき用形成部（凹部）からあふれるようにしてめっきされた状態を示し、図６（ｂ）は、めっき用形成部（凹部）内に金属層が形成された状態をしめす。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する（図６（ａ））。剥離性基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部４内に収まる程度に施しても良い（図６（ｂ））。この場合でも、剥離性基材を十分に圧着することにより、金属層７を粘着剤層１０に転着して、めっき用導電性基材１から金属層７を剥離・転写して、配線転写用基材１１を作製することができる。この場合には、金属層７は、粘着剤層１０の上に突出しているので、さらに、保護フィルムを介して又は介さず、ロールやプレス装置により金属層７を押圧して金属層７の厚さ方向で一部を粘着剤層に埋めるようにすることが好ましい。
なお。図６（ａ）において、金属層７は表面がふくらんだ形状となっているが、凹部の幅が小さいときにこのように成りやすく、凹部の幅が十分大きいと、めっきの表面中央部は平らになる。

ついで、図７は、第１の配線転写用基材に、さらにめっきを施した状態を示す一部断面図である。図７において、第１の配線転写用基材１１上のめっき銅７の上に、ニッケル１２及び金１３が順次めっきされる。基材材料９上の粘着剤層１０に接着担持されている金属層（めっき銅）がニッケル及び金を順次めっきされたものをあらためて第１の配線転写用基材１４とする。なお、金めっきはパラジウムめっきや銀めっきでもよい。このめっきに際して、必要に応じてめっきを施したくない部分にレジスト膜を形成しても良い。レジスト膜の形成は、通常のフォトリソグラフ法により行うことができる。

次に、第２の配線転写用基材が準備される。
本発明において、第２の配線転写用基材は、第２の剥離性基材上に第１の配線転写用基材から転写された導電性金属層パターンを有するものである。なお、このときの転写を「第２の転写」という。

本発明における第２の剥離性基材の基材材料としては、第１の剥離性基材の基材材料と同様のものが使用できる。また、第２の剥離性基材に使用できる粘着剤（「第２の粘着剤」という）も第１の剥離性基材に使用できる粘着剤（「第１の粘着剤」という）と同様のものから選択することができる。

図８及び図９を用いて、第２の配線転写用基材の作製工程を説明する。
図８は、第２の剥離性基材１５を圧着しようとしているところを示す一部断面図である。第２の剥離性基材１５は、基材材料１６上に粘着剤層１７が積層されている。
第１の配線転写用基材１４のめっきされた金属層に第２の剥離性基材１５を粘着剤層１７を向けて圧着するが、このとき、場合により、粘着剤層１５が第１の配線転写用基材１４の粘着剤層１０に接触してもよい。ついで、第２の剥離性基材１５を引きはがすとニッケルめっき１２及び金メッキ１３が施された金属層７は、その粘着剤層１７に接着されて第１の剥離性基材から剥離されて第２の剥離性基材８に転写され、この結果、導体層パターン付き基材とも言える第２の配線転写用基材が得られる。第２の配線転写用基材の断面図を図９に示す。基材材料１６上に、粘着剤層１７を有する剥離性基材（１５）の粘着剤層１７に、ニッケルめっき１２及び金めっき１３が順次施された金属層（めっき銅）７が貼着され、第２の配線転写用基材が作製されている。ただし、粘着剤層１７には、金めっき１３が直接接触している。すなわち、粘着剤層に貼着されている金属層７は、その方向が、第１の配線転写用基板１４と第２の配線転写用基板１８では逆である。また、図９において、ニッケルめっき１２及び金めっき１３は、金属層（めっき銅）７の粘着剤層１７とは反対側（金属層（めっき銅）７が剥離性基材８の粘着剤層に接触していた部分）には、施されていない。

次に、本発明に係る第２の配線転写用基材を用いて半導体素子搭載用基材を作製する工程を説明する。
図１０〜図１３を用いて、半導体素子搭載用基材の作製工程を説明する。
まず、第２の配線転写用基板１８を用意する（図１０に第２の配線転写用基板１８の一部断面図を示す）。これは、例えば、図９に示すものである。図１０においては、金属層は断面形状を長方形で模式的に示す（以下も同様）。また、金属層としては、めっき銅７であって、その粘着剤層側の表面に、ニッケル及び金を順次めっきすることが好ましく、図１０では、そのようなめっきを施している。図１０では、ニッケル及び金めっきを併せて、めっき１９として単一に示す（以下同じ）。

ついで、第２の配線転写用基板１８に半導体素子搭載用基材への貼着の準備として、めっき銅７の露出している下面に粘着剤（「第３の粘着剤」という）を被覆する。この状態は、図１１に第２の配線転写用基材の導電性金属パターン（めっき層）に粘着剤層を積層した積層物２１の一部の断面図として示される。図１１の積層物２１は、第２の配線転写用基板１８のめっき銅７の露出している下面に第３の粘着剤２０を被覆したものである。第３の粘着剤２０の被覆の被覆は、フォトリソグラフ法を利用してめっき銅７の露出している下面に第３の粘着剤２０を塗布することにより行うことができる。第３の粘着剤２０としては硬化性の物が好ましい。第３の粘着剤は絶縁材でもある。

次に、積層物２１を半導体素子搭載用基材２２に積層した積層物を用意する。この積層物の一部断面図を図１２に示す。積層物２１に半導体素子搭載用基材２２が転着され、積層物２３が形成されている。
半導体素子搭載用基材２２としては、アルミ板、ＳＵＳ板等の金属板が好ましいが、プラスチック板、プラスチックフィルム等であってもよい。反射性の基材は、ＬＥＤ半導体素子の搭載用として好ましい。放熱性の劣る半導体素子搭載用基材を用いるときには、半導体素子搭載部分に放熱のための適当な穴をあけることが好ましく、またその部分に金属等の放熱部材を接合するようにしてもよい。
図１３は、半導体素子搭載直前の半導体素子搭載用配線基材２４の作製工程を示す一部断面図である。図１２に示す積層物２３から、第２の剥離性基材（基材材料１６及び粘着剤層１７）を剥離することにより、半導体素子搭載直前の半導体素子搭載用配線基材２４が得られる。

上記した半導体素子搭載直前の半導体素子搭載用配線基材２４の所定位置、すなわち、半導体素子搭載用基材２０の所定位置には半導体素子をエポキシ接着剤等の接着剤により接合し、半導体素子と配線（金属層）との間の導通をワイヤボンディングにより行うことができる。

次に、本発明に係る半導体装置を得るための半導体素子搭載工程を説明する。
図１４及び図１５を用いて、半導体素子搭載工程を説明する。
図１４は、ワイヤボンディングされた半導体素子が搭載された半導体装置の一部断面図を示す。図１４は、図１３の半導体素子搭載用配線基材２４の半導体素子搭載用基材２０の所定位置にエポキシ接着剤２５を介して半導体素子２６が接合され、さらに、ボンディングワイヤ２７により半導体素子２６と金属層７上のめっき１９がワイヤボンディングされている半導体素子搭載配線基材２８を示す。
半導体素子２６は、半導体素子搭載部に、図１４の図面では、紙面に垂直方向に、適当な間隔で、並べて搭載される。この間隔は、３００〜５０００μｍが好ましい。
半導体素子としては、ＬＥＤ半導体素子、パワー半導体素子、メモリー半導体素子、ＣＰＵ等の半導体素子がある。
図１５は、樹脂封止が施された半導体装置の一部断面図を示す。図１５は、図１４の半導体素子搭載配線基材２８が、配線（金属層７及びめっき１８）、半導体素子２６及びボンディングワイヤ２７を封止するように封止材（例えばエポキシ樹脂）２９により樹脂封止され、さらには、ダイシングにより所定サイズに切断され、一つのパッケージとなった半導体装置３０を示す。
封止方法としては、トランスファーモールド法、液状樹脂封止法等が利用できる。

前記図１４及び図１５において、半導体素子２６は、両側のめっき１９が施された金属層７にワイヤボンディングされているが、パッケージとして、複数の半導体素子を図１４及び図１５における紙面と平行な方向に並べるときは、半導体素子の間のめっき１９が施された金属層７を１本として、その両側からの半導体素子とのワイヤボンディングを同一のめっき１９が施された金属層７上に行うことができる。当然ながら接合点は異なる。

上記のようにして得られた半導体装置は、半導体装置搭載用配線板（マザーボード、多層配線板を包含する）に搭載され、最終用途（又はさらなる川下製品）に供される。

本発明における各剥離性基材又は粘着剤とその粘着性の関係について説明する。
第１の転写において、めっき用導電性基材から、めっきにより得られた導体層の転写は容易に行うことができ、第１の剥離性基材又は第１の粘着剤の層の粘着性は、特に制限されない。
第２の剥離性基材（第２の粘着剤を有していてもよい）の導電性金属層パターンに対する密着性は、第１の剥離性基材（第１の粘着剤を有していてもよい）の導電性金属層パターンに対する密着性より強く、十分な密着性を有しているが、上記導電性金属層パターンがさらにベース板などの半導体素子搭載用基材に粘着剤層を介して転写されるときには、その導電性金属層パターンから剥離しやすいものである。すなわち、第２の剥離性基材の導電性金属層パターンに対する密着性は、ベース板などの半導体素子搭載用基材に対する密着性よりも小さくされる。
また、第２の転写において、第１の剥離性基材と第２の剥離性基材が接触するときは、これらは、導電性金属層パターンの転写を完了するために、容易に剥離するものでなくてはならない。
このような粘着の関係を満たす方法として、第１の粘着剤と第２の粘着剤として硬化性の同一の粘着剤を用い、一方（主に、第１の粘着剤）の硬化を他方（主に、第２の粘着剤）よりも進めることにより、一方の粘着性を他方の粘着性よりも小さくする方法がある。硬化性の粘着剤としては、活性エネルギー線の照射で硬化するものが、操作が簡単であり、また、熱を抑えることができるので好ましい。また、転写すべき導体層の形状に注目し、第１の粘着剤層が、導体層に貼り合わされるときに、粘着剤層へ導体層の最大幅の部分が埋設されないようにし、第２の粘着剤層が導体層に貼り合わされるときには、粘着剤層へ導体層の最大幅の部分が埋設されるようにする。こうすることにより、第１の粘着剤層と第２の粘着剤層において、同一の粘着剤を使用しても第２の粘着剤層側の接着性を大きくすることができる。
第３の転写における第２の剥離性基材と第３の粘着剤との関係も同様である。第３の粘着剤の接着力は、ベース板などの半導体素子搭載用基材に対しても十分大きくなくてはならない。特に、第２の粘着剤層に導体層の最大幅の部分が埋設されているときは、第３の接着剤は十分に大きな接着力が必要である。第３の粘着剤の接着力が導体層パターンに対する密着強度において十分に大きければ、ベース板などの半導体素子搭載用基材に対しても十分に大きくすることができる。導体層パターンはベース板などの半導体素子搭載用基材に恒久的に積層されるので、第３の粘着剤の接着力はより大きい方が好ましい。
各粘着剤の粘着性の関係は、それぞれ、各転写時における剥離操作時に、導電性金属層パターンに対する密着性が、
第１の剥離性基材（又は第１の粘着剤）の密着性 ＜ 第２の剥離性基材（又は第２の粘着剤）の密着性、
第２の剥離性基材（又は第２の粘着剤） ＜ 第３の粘着剤の密着性
の関係を満たしていることが好ましく、このような関係は、粘着剤の選択、硬化度の調整又は導体層の粘着剤の埋設量の調整によって容易に行うことができる。
第１〜第３の粘着剤（又は第１〜第２剥離性基材）の粘着性は、導電性金属層パターンの粘着剤に対する密着強度が、２５℃における９０度ピール強度で、０．０５〜５ｋＮ／ｍであることが好ましく、０．１〜３ｋＮ／ｍであることがさらに好ましい。
本発明において、２５℃における９０度ピール強度の測定は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の９０度引き剥がし法に準じることとし、具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、好ましくは毎分３００ｍｍの速さで剥離性基材（除去層）を引き剥がす際の９０度ピール強度を測定するものとし、例えば、９０度剥離試験機（テスタ産業製）を使用することができる。

また、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、導体層パターン付き基材を巻物として得る工程及び導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置は、国際公開ＷＯ２００８／０８１９０４に記載される方法及び装置を利用することができる。

さらに、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、フープ状のめっき用導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。フープ状のめっき用導電性基材は、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程及び導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に連続的に導体層パターンを電界めっきにより析出させながら剥離する装置は、国際公開ＷＯ２００８／０８１９０４に記載される方法及び装置を利用することができる。

また、本発明における配線転写用基材は、上記のような回転ロールやフープを利用した連続的なめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。

（パターン仕様１）
テストパターンのネガフィルムを作製した。幅１００μｍ、長さ５０ｍｍのストライプ状のライン（不透明）が２ｍｍ間隔で設けられ、これらを１組とし、このような間隔のライン２本を５ｍｍ間隔で、５回繰り返し、さらに、これらの周囲に幅１ｍｍの（不透明）を枠として形成した。ラインと枠は、ラインの末端で連続するようにした。

（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、１０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図４（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様１のネガフィルムを、ステンレス板（導電性基材）の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上から、紫外線を２５０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、突起部レジスト膜（突起部；高さ１０μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図４（ｂ）に対応するが同一ではない）。

（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成した。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図４（ｃ）に対応するが同一ではない）。

（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図４（ｄ）に対応するが同一ではない）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２〜３μｍであった。また、ネガフィルムの幅１００μｍのストライプ状のラインに対応して、凹部の底部での幅は、それぞれ、１００μｍのストライプ状の凹部が形成された。

（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。 この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、電流密度を１０Ａ／ｄｍ^２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属層の厚さがほぼ３０μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された（図５（ｅ）に対応する）。

（第１の剥離性基材の作製）
粘着剤として下記組成の紫外線硬化性樹脂組成物１を用いた。厚さ１２５μｍの基材材料である透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−７３００、東洋紡績株式会社製）に、この紫外線硬化性樹脂組成物を厚さ１５μｍに塗布して転写用接着フィルムを作製した。次いで、表面タック値を測定した結果、３０ｇｆであった。
＜紫外線硬化性樹脂組成物１の組成＞
（配合組成物１）
２−エチルヘキシルメタクリレート ７０重量部
ブチルアクリレート １５重量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート １０重量部
アクリル酸 ５重量部
アゾビスイソブチロニトリル ０．１重量部
トルエン ６０重量部
及び
酢酸エチル ６０重量部

温度計、冷却管、窒素導入管を備えた５００ｃｍ３の三つ口フラスコに、上記した配合組成物１を投入し、穏やかに撹拌しながら、６０℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、６０℃で８時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂（熱可塑性樹脂）を得た。その後、カレンズ ＭＯＩ（２−イソシアナトエチルメタクリレート；昭和電工（株）製）５重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら５０℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液１を得た。
得られた反応性ポリマー１は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は８００，０００であった。
反応性ポリマーの溶液１の１００重量部（固形分）に光重合開始剤として２−メチル−１［４−メチルチオ］フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７、チバガイギー（株））を１重量部、イソシアネート系架橋剤（商品名コロネートＬ−３８ＥＴ、日本ポリウレタン（株）製）を３重量部、トルエンを５０重量部添加し、紫外線硬化性樹脂組成物１とした。

（第１の配線転写用基材の作製；金属層パターン転写）
上記第１の剥離性基材を、１００℃５分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面に、ロールラミネータを用いて貼り合わせた（図５（ｆ）（ｇ）に対応する）。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。
次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた第１の剥離性基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅からなる金属層パターンが粘着剤層に転写され、第１の配線転写用基材（導体層パターン付き基材）を作製した（図５（ｈ）に対応する）。金属層パターンを形成してからパターンを転写するため、第１の配線転写用基材のそりを低減することが出来た。
得られた第１の配線転写用基材を一部分切り取り、その断面を走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって観察した。凹部の底部での幅１００μｍのストライプ状の凹部に対応して、ライン幅が１６０μｍの銅からなるストライプ状の金属層が形成された。それぞれのラインは、第１の粘着剤層中に厚さ方向に約１０μｍ埋没していた。

（紫外線照射）
上記で得られた第１の配線転写用基材に、紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、基材材料であるポリエチレンテレフタレートの側から紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２照射した。
このとき、導電性金属層パターンの粘着剤に対する密着強度は、０．２ｋＮ／ｍであった。

（半導体装置の作製）
（ニッケル-金めっき）
上記第１の配線転写用基材の銅を陰極として、電解ニッケルを陽極として電解ニッケルめっきを行った。電解ニッケルめっき液はワット浴（硫酸ニッケル（６水塩）２００ｇ/L、塩化ニッケル（６水塩）４０ｇ/L、ホウ酸２０ｇ/L、サッカリンナトリウム０．１ｇ/L）を用い、電流密度１Ａ／ｄｍ^２として、第１の配線転写用基材の銅上に析出する金属層の厚さが５μｍとなるまでめっきした。電解ニッケルめっき後に置換金めっきを０．０３μｍの厚さでめっきし、次いで電解金めっきで厚さ０．３μｍになるまでめっきした（図７に相当するが同一ではない）。

第２の剥離性基材としては、ＰＥＴフィルムの代わりにポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（Ｑ６５ＦＡ、帝人デュポンフィルム株式会社製）を使用したこと以外は第１の剥離性基材と同様のものを使用した。
（第２の配線転写用基材の作製；金属層パターン移行）
上記のめっき銅にニッケル-金めっきを行った第１の配線転写用基材に、上記第２の剥離性基材を、１００℃５分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記第１の配線転写用基材のニッケル−金めっきを施した面に、ロールラミネータを用いて貼り合わせた（図８に対応する）。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。金属層のそれぞれのラインは、第２の粘着剤層中に厚さ方向に約１０μｍ埋没しており、その最大幅の部分は第２の粘着剤層中に埋没していた。

上記で得られた第２の配線転写用基材に紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、基材材料であるＰＥＮフィルム側から紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２照射した。
このとき、導電性金属層パターンの粘着剤に対する密着強度は、０．５ｋＮ／ｍであった。

次いで、第２の剥離性基材に貼り合わせた第１の配線転写用基材から第２の剥離性基材を剥離したところ、第１の配線転写用基材の金属層パターンが第２の剥離性基材の粘着剤層に転写され、第２の配線転写用基材（導体層パターン付き基材）を作製した（図９に対応する）。

（感光性接着剤ラミネート）
紫外線照射後の第２の配線転写用基材の金属層が露出した面に、感光性接着フィルムＤＦ−３１Ｐ（日立化成工業（株）製）をロールラミネータを用いて貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度８０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．３ｍ／ｍｉｎとした。

（露光、現像）
上記感光性接着フィルムを貼り合せた第２の配線転写用基材にパターン仕様１のネガマスクをパターンが金属露出面と合致するように位置合わせを行い、固定後紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ^２照射した。さらに、その後２．３８％ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液で現像することで、金属露出面に接着層が形成された（図１１に対応）。

（金属基板貼り合せ、プレス熱硬化）
金属露出面に接着層が形成された第２の配線転写用基材に、表面が鏡面処理された１５０ｍｍ角のアルミ板（ベース板、厚さ１ｍｍ）を貼り合せて積層物（図１２の積層物２３に対応する）を得、プレス熱硬化処理を行った。プレス条件は、１７０℃、２ＭＰａ、１時間とした。

（転写用基材剥離）
プレス熱硬化処理後の積層物から、第２の配線転写用基材を剥離した。アルミ板にはパターン金属層が接着剤を介して装着されており、これにより半導体素子搭載用基材（図１３の積層物２４に対応する）が得られた。
なお、導電性金属層パターンの第３の粘着剤に対する密着強度は、１．２ｋＮ／ｍであった。

上記で得られた配線転写用基材のアルミ上にＬＥＤ半導体素子をエポキシ樹脂系接着剤で所定位置にダイボンドし、１６０℃３０分で硬化後、半導体素子と転写で付与した導電性金属パターンを金ワイヤによりワイヤボンドした。なお、ワイヤボンディングは、ワイヤボンディング装置４５２４ＡＤ〔キューリック・アンド・ソファ社（Ｋｕｌｉｃｋｅ ＆ Ｓｏｆｆａ， Ｌｔｄ．）〕で、キャピラリが型式４０４７２−００１０−３２０〔キューリック・アンド・ソファ社（Ｋｕｌｉｃｋｅ ＆ Ｓｏｆｆａ， Ｌｔｄ．）〕を用いて行い、ワイヤは、型式ＧＭＨタイプ２５μｍ（田中貴金属工業（株）製）を用いた。また、接続条件は、超音波出力を０．２Ｗ、超音波出力時間を４５ｍｓ、温度を１３０℃とした。その後、透明なエポキシ樹脂を用いてトランスファーモールドにより成型し、１７５℃、６時間で硬化して封止した。その後、ダイシングにより所定のサイズ（０．３ｍｍ×０．３ｍｍのＬＥＤ半導体素子を１ｍｍ間隔で５個を一組にして）に切断し、パッケージ（ＬＥＤ半導体装置）を完成させた。このとき、図１５の図で、面方向と平行な断面露出部で金属層はその断面をすべて露出していた。

このようにして得られたＬＥＤ半導体装置は、導電性金属層パターンの形成に製品毎のフォトリソが不要であるため製造工程が短く、基本的にコストが安価で、しかも、絶縁物（粘着剤）の層を薄くできるので、高い反射率を得られるという効果が認められた。

半導体装置の作製において、金メッキ０．３μｍの代わりに、パラジウムめっき２μｍを行ったこと以外は、全て実施例１と同様にしてＬＥＤ半導体装置を作製した。

１ めっき用導電性基材
２ 導電性基材
３ 絶縁層
４ 凹部
５ 感光性レジスト層（感光性樹脂層）
６ 突起部
７ 金属層
８ 第１の剥離性基材
９ 基材材料
１０ 粘着剤層
１１ 第１の配線転写用基材
１２ ニッケル
１３ 金
１４ 第１の配線転写用基材
１５ 第２の剥離性基材
１６ 基材材料
１７ 粘着剤層
１８ 第２の配線転写用基板
１９ めっき
２０ 粘着剤層
２１ 積層物
２２ 半導体素子搭載用基材
２３ 積層物
２４ 半導体素子搭載用配線基材
２５ エポキシ接着剤
２６ 半導体素子
２７ ボンディングワイヤ
２８ 半導体素子搭載配線基材
２９ 封止材
３０ 封止された半導体装置

Claims (6)

1. 半導体素子が半導体素子搭載用基材上に搭載され、半導体素子接続用導電性金属パターンが半導体素子搭載用基材に接着されていることを特徴とする半導体装置。
2. 半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間にワイヤボンディングが施されており、これらが封止材により封止されている請求項１記載の半導体装置。
3. 半導体素子搭載用基材の所定位置に半導体素子接続用導電性金属パターンが接着されており、該半導体素子搭載用基材上に半導体素子を搭載すべき領域を有する半導体素子搭載用配線基材。
4. めっき形成部が開口方向に向かって幅広の凹部であるめっき用導電性基材上に、半導体素子を接続するためのワイヤボンディング部を有する導電性金属層パターンをめっきにより形成する工程、
   上記めっき用導電性基材上に形成された導電性金属層パターンを第１の剥離性基材上に転写して第１の配線転写用基材を作製する工程
   第２の剥離性基材に第１の配線転写用基材の導電性金属層パターンを転写し、第２の配線転写用基材を作製する工程
   上記第２の配線転写用基材の導電性金属層パターンを、該導電性金属層パターンの露出面に粘着剤層を形成する工程
   半導体素子を搭載すべき領域を有する半導体素子搭載用基材の所定位置に上記第２の配線転写用基材をその導電性金属層パターンを粘着剤層を介して接着する工程、
   ついで、第２の剥離性基材を剥離することを特徴とする半導体素子搭載用配線基材の製造法。
5. 第１の配線転写用基材の導電性金属層パターンをそれが転写される前に、少なくともその導電性金属層パターンのワイヤボンディング部に接続用めっきを施す工程を含む請求項４記載の半導体素子搭載用配線基材の製造法。
6. 上記請求項４又は請求項５に記載の半導体素子搭載用配線基材の製造法のすべての工程を行った後、
   上記半導体素子搭載用配線基材中の半導体素子搭載用基材の半導体素子を搭載すべき領域に半導体素子を接合して半導体素子搭載配線基材を作製する工程、
   上記半導体素子搭載配線基材上の半導体素子と導電層金属層パターンのワイヤボンディング部とをワイヤボンディングする工程、
   上記半導体素子搭載配線基材上の半導体素子、導電性金属層パターン及びこれらを接続するためのボンディングされたワイヤを封止材により一体に封止する工程
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造法。

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