JP2008305703A - パターンが施された金属箔の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (イ)導電性基材2の表面に絶縁層3が形成されており、その絶縁層3に開口方向に向かって幅広で導電性基材2が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面4にめっきにより金属を析出させる工程、(ロ)上記めっき用導電性基材の表面4に析出させた金属を剥離する工程を含むことを特徴とするパターンが施された金属箔の製造方法。絶縁層は幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されており、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなることが好ましい。
【選択図】図1
Description
穴パターンその他のパターンが施された金属箔は、穴の明いた集電体以外にも種々の態様と用途が考えられるが、その作製には、上記と同様の問題点がある。
1. (イ)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広で導電性基材が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、
(ロ)上記導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程
を含むことを特徴とするパターン化金属箔の製造方法。
2. めっき用導電性基材において、絶縁層が幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている項1記載のパターン化金属箔の製造方法。
3. めっき用導電性基材の絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなる項1又は2記載のパターン化金属箔の製造方法。
4. めっき用導電性基材の絶縁層が、DLC、Al2O3又はSiO2である項1〜3のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
5. めっき用導電性基材の絶縁層が、硬度が10〜40GPaのDLCからなる項1〜4のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
6. めっき用導電性基材において、絶縁層が、その底面の面積が、1〜1×106平方ミクロンメートルの凸形状であり、この凸形状が1〜1000μmの間隔で分布している項1〜5のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
7. めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が30度以上90度未満である項1〜6のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
8. めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で30度以上60度以下である項1〜7のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
9. めっき用導電性基材において、絶縁層の厚さが、0.1〜100μmである項1〜8のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
10. めっき用導電性基材において、導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Siまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている項1〜9のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
11. めっき用導電性基材において、導電性基材の表面が、鋼又はTiからなる項1〜10のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
12. めっき用導電性基材が、導電性のロール(ドラム)またはロールに巻き付けるものである項1〜11のいずれかに記載のパターン化金属箔の製造方法。
図1は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図2は、図1のA−A断面図を示す。図2の(a)は凸部の側面が平面的であるが、(b)は凸部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材1は、導電性基材2の上に絶縁層3が形成されており、絶縁層3は末広がりであり、絶縁層3に凹部4が形成されており、凹部4の底部は、導電性基材2が露出している。導電性基材2が露出している。導電性基材2は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層3は、幾何学図形としては円形であり、凹部4が絶縁層3の部分を除き連なっている。
導電性基材2と絶縁層3の間には、絶縁層3の接着性の改善等を目的として、中間層(図示せず)が積層されていてもよい。または、凹部4は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。
αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上60度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凸部にめっきにより形成し得た金属層(導体層パターン)を剥離する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
パターン化金属箔が貫通孔を有する場合、その開口率は、パターン化金属箔の外形面積(例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の外形面積)に対する穴面積の比(百分率)である。
上記DLC薄膜をプラズマCVD法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第0属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
上記SiまたはSiCの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のDLC薄膜との界面においてSiCを形成して、当該DLC薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、1μm以下であることが好ましく、生産性を考慮すると0.5μm以下であることが更に好ましい。1μm以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
また、CVD法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのCVDは、例えばTEOS、オゾンを用いたプラズマCVDで行える。窒化シリコンのCVDは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマCVDで行える。
この工程は、(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状パターンを形成する工程、
(B)除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程
及び
(C)絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程
を含む。
この方法は、
(a−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(a−2)感光性レジスト層をパターン化金属箔の形状に対応したマスクを通して露光する工程
及び
(a−3)露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
(b−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(b−2)感光性レジスト層にパターン化金属箔の形状に対応した部分にレーザ光を照射する工程
及び
(b−3)レーザ光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザ光などで直接に露光する方法が好ましい。
図3は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
除去可能な凸状パターンを構成する突起部6の形状は、絶縁層3に対応づけられるが、その作製の容易性から、幅1μm以上、間隔が1μm以上及び高さ1〜50μmであることがそれぞれ好ましい。
さらに、絶縁層7が付いている状態で、突起部6を除去する(図3(d))。
絶縁層の付着しているレジスト(突起部6)の除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、3%NaOH溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
凹部の側面の傾斜角αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上60度以下が特に好ましいが、DLC膜をプラズマCVD法で作製する場合は、凹部の側面の傾斜角αは、ほぼ45〜60度の角度に制御されやすい。すなわち、凹部4は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。
これに対して、突起部の側面に形成される絶縁層の硬度は1〜15GPaであることが好ましい。突起部の側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、底面に向かって末広がりな凸形状の絶縁層が形成されることになる。突起部の側面に形成される絶縁層の硬度は1〜10GPaであることがより好ましい。
このようにして、めっき用導電性基材1を作製することができる。
突起部6からなる凸状パターンが形成された導電性基材2の表面に、絶縁層7を形成する前に、中間層8を形成することが好ましい(図4(c′))。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層8を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、導電性基材2が露出しており、それ以外では、中間層8の上に絶縁層7が形成されている(図4(d′))。また、中間層は、凸状パターンの形成前に、導電性基材2の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材2の表面に幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、導電性基材2の表面はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、導電性基材2の表面の中間層を除去し、導電性基材2を露出させる。
パターン化金属箔9には、穴10が貫通している。穴10の周りには、段差部11及びこの段差部11に続いて小さな幅の傾斜部12が存在する。段差部11及び傾斜部12は、導電性基材2の上の絶縁層3及びこれにより形成される導電性基材2の上の凹部に対応するものであり、傾斜部12は、絶縁層3の末広がりの傾斜部に対応して形成される。すなわち、傾斜部12には図6において、内周(最小径)と外周(最大径)が表現されるが、直径の小さな内周(段差部11の端)から直径の大きな外周に向かって傾斜している。段差部11は、めっきがめっき用導電性基材の凹部から絶縁層3に覆い被さるように形成された部分に対応する。従って、段差部11におけるパターン化金属箔9の厚さは、絶縁層3に覆い被さるように形成された部分であるため、穴10に近い部分ほど厚さが小さくなり、また、その底面は、めっき部である凹部に対応するパターン化金属箔の底面より、絶縁層3の厚さの分だけ高くなる。
(イ)前記のめっき用導電性基材の凹部にめっきにより金属を析出させる工程、
及び
(ロ)上記導電性基材の凹部に析出させた金属を剥離する工程
を含む方法により製造される。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤(光沢剤としての効果も有する)を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの2元合金や、金−銅−銀の3元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」(日本プレーティング協会編、1986年槇書店発行)第87〜504頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がNiである場合、無電解めっきするには、表面を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
前記した導電性基材の表面にめっきにより形成される金属層の厚さ(めっき厚さ)は、十分な導電性を示すためには、0.5μm以上であることが好ましく、金属箔にピンホールが形成される可能性を小さくするためには、3μm以上の厚さであることがさらに好ましい。十分な導電性は、パターン化金属箔をキャパシタの集電体として利用するときに重要である。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果は極めて小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
なお、上記の回転体103の表面には、絶縁層が形成されており、これに対応しためっき部である凹部が存在する。また、回転中の回転体103から、凹部に析出した金属106が剥離させられた後で、電解液101に浸かる前に、回転体103表面をエッチング洗浄したり(図示せず)してもよい。なお、図示していないが陽極102の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極102の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。
フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、1つの連続した工程で処理可能となるため、パターン化金属箔の生産性が高く、また、パターン化金属箔を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、100〜1000μmであることが好ましい。
レジストフィルム(フォテックRY3315、15μm厚、日立化成工業株式会社製)を150mm角のステンレス板(SUS316L、鏡面研磨仕上げ、厚さ300μm、日新製鋼(株)製)の両面に貼り合わせた(図3(a)に対応する)。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、光不透過部である円形パターンの直径がφ100μm、この円形パターンのピッチが150μm、この円形パターンの配置が千鳥(円形パターンの列が列毎に千鳥になるように配されている)で形成されているネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を120mJ/cm2照射した。さらに。1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、SUS板の上に直径φ98〜99μmの突起部(厚さ15μm)、突起部ピッチが150μmで千鳥に配列されたレジスト膜の凸状パターンを形成した。これらの数値は、光学顕微鏡にて少なくと5点以上を観測することにより求めた。上記の直径は、突起部の最大径(d1)であり、突起部の上部における直径である。突起部の導電性基材との接触部の直径は、この最大径より0〜約1μm小さかった。また、突起部の最小径は、最大径より0〜約2μm小さく、突起部の導電性基材との接触部からわずかに高い箇所の直径である。これらは、倍率3000倍で断面を走査型電子顕微鏡(SEM)観察することにより実測した。測定点は5点以上とした。
なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている(図3(b)に対応する)。
PBII/D装置(TypeIII、株式会社栗田製作所製)を用いてDLC膜を形成した。すなわち、チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚0.1μmとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が5〜6μmとなるように、中間層の上にDLC層を形成した(図3(c)に対応する)。そのときレジスト膜により形成されたレジストパターンの両側面のDLC膜の厚さは、4〜6μmであった。境界面の角度は45〜51度であった。なお、絶縁層の厚さ及び境界面の角度の測定は導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率3000倍で断面をSEM観察することにより実測した。測定点は5点で、レジスト膜の両側を測定したので計10点の最大値と最小値を採用した。
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。レジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離された。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た(図3(d)に対応する)。
前記のSEM観察と同様にして観察したところ、このめっき用導電性基材の絶縁層の形状は、底部に向かって末広がりの凸状であり、その凸部絶縁層の側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同様であった。絶縁層の高さは5〜6μmであった。絶縁層の底面の直径はφ98〜99μm、絶縁層上面の直径は(最小径)はφ86〜91μmであった。絶縁層のピッチは150μmであった。これらの数値は、光学顕微鏡にて少なくと5点以上を観測することにより求めた。
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)250g/L、硫酸70g/L、キューブライトAR(荏原ユージライト株式会社製、添加剤)4ml/Lの水溶液、30℃)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を10A/dm2として、めっき用導電性基材の表面に析出した金属の厚さがほぼ20μmになるまでめっきした。その結果、銅箔は導電性基材の露出面及び絶縁層の端部を覆うように形成された(図6参照)。
めっき用導電性基材上に形成された銅箔を剥離した。これにより、直径φ57〜60μmの穴が穴ピッチ150μmで千鳥に配置されているパターンを有するパターンが施された銅箔が得られた。これらの数値は、光学顕微鏡にて少なくと5点以上を観測することにより求めた。このパターンが施された銅箔の形状は、図6に示されるように絶縁層の形状を反映して、穴の周りに段差部11を有しており、段差部11に続く傾斜部12は底面図で直径の大きい外周から直径の小さな内周に向かって傾斜していた。
剥離後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−銅箔剥離の工程を上記と同様にして500回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。
液状レジスト(ZPN−2000、日本ゼオン株式会社製)を150mm角のチタン板(純チタン、鏡面研磨仕上げ、厚さ400μm、日本金属株式会社製)に両面塗布した。三回塗布することで厚み6μmのレジスト膜を得た。110℃で1分プリベークした後、光不透過部である円形パターンの直径がφ50μm、円形パターンの間隔が70μm、円形パターンの配置が千鳥(円形パターンの列が列毎に千鳥になるように配されている)で、パターンが110mm角のサイズで形成されているネガマスクを、チタン板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下で基板を吸着し、ネガマスクを載置したチタン板の上から、紫外線を200mJ/cm2照射した。また、裏面はマスクを載せずに200mJ/cm2照射した。115℃で1分間加熱した後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)で現像することで、チタン板の上に直径φ49〜50μmの突起部(厚さ6μm)、突起部ピッチが70μmで千鳥に配列したレジスト膜の凸状パターンを形成した。直径及びピッチは、実施例1と同様に測定した。上記の直径は、突起部の最大径(d1)であり、突起部の上部における直径である。突起部の導電性基材との接触部の直径は、実施例1と同様に測定したところ、この最大径より0〜約0.5μm小さかった。また、突起部の最小径は、最大径より0〜約1μm小さく、突起部の導電性基材との接触部からわずかに高い箇所の直径である。
実施例1と同様に中間層までコーティングした後、DLCを膜厚が2〜2.5μmになるようにコーティングした。そのときレジスト膜により形成されたパターンの両側面のDLC膜の厚さは、1.8〜2.5μmであった。境界面の角度は45〜47度であった。膜厚及び境界面の角度は実施例1と同様に測定した。
絶縁層が付着したチタン基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸せきし、50kHzで超音波をかけながら2時間放置した。レジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た。
実施例1と同様にSEM観察したところ、めっき用導電性基材の絶縁層の形状は、底部に向かって末広がりになっており、その凸部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同様であった。絶縁層の高さは2〜2.5μmであった。また、実施例1と同様に測定したところ、絶縁層底部の直径はφ49〜50μm、絶縁層上部の直径は(最小径)はφ44〜46μmであった。絶縁層のピッチは70μmであった。
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、銅板を陽極として電解銅めっき用の電解浴(ピロリン酸銅:100g/L、ピロリン酸カリウム:250g/L、アンモニア水(30%):2mL/L、pH:8〜9、浴温:30℃)中に浸し、両極に電圧をかけて陰極電流密度を5A/dm2として、めっき用導電性基材の表面に析出した金属の厚さがほぼ20μmになるまでめっきした。その結果、銅箔は導電性基材の表面及び絶縁層の端部を覆うように形成した(図6参照)。
めっき用導電性基材上に形成されたパターンが施された銅箔を剥離した。実施例1と同様に測定したところ、直径φ8〜11μmの穴がピッチ70μmで千鳥に配置されているパターンを有するパターンが施された銅箔が得られた。このパターンが施された銅箔の形状は、図6に示されるように絶縁層の形状を反映して、穴の周りに段差部11を有しており、段差部11に続く傾斜部12は底面図で直径の大きい外周から直径の小さな内周に向かって傾斜していた。
剥離後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして700回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。
液状レジスト(KMPR−1050、日本化薬(株)製)をステンレス基板(SUS304、314×150mm、日新製鋼(株)製)の両面に10μmの厚みで塗布した。プリベークを90℃10分行った後、光不透過部である円形パターンの直径がφ60μm、円形パターンのピッチが80μm、円形パターンの配置が千鳥(円形パターンの列が列毎に千鳥になるように配されている)で、パターンが110mm角のサイズで形成されているネガマスクを、ステンレス板の片面に2枚並べて静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下で基板を吸着し、ネガマスクを載置したステンレス板の上から、紫外線を200mJ/cm2照射した。また、裏面はマスクを載せずに200mJ/cm2照射した。95℃で7分間加熱した後、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)で現像することで、ステンレス板の上に直径φ59〜60μmの突起部、突起部ピッチが80μmで千鳥に配列したレジスト膜の凸状パターンを形成した。直径及びピッチは、実施例1と同様に測定した。上記の直径は、突起部の最大径(d1)であり、突起部の上部における直径である。突起部の導電性基材との接触部の直径は、実施例1と同様に測定したところ、この最大径より0〜約0.8μm小さかった。また、突起部の最小径は、最大径より0〜約1.5μm小さく、突起部の導電性基材との接触部からわずかに高い箇所の直径である。
実施例2と同様にDLCを膜厚が3〜4μmになるようにコーティングした。そのときレジスト膜により形成されたレジストパターンの両側面のDLC膜の厚さは、2.7〜4μmであった。境界面の角度は45〜48度であった。
絶縁層が付着したステンレス基板をレジスト剥離液(RemoverPG、日本化薬(株)製、70℃)に浸せきし、時々揺動を加えながら8時間放置した。レジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た。
実施例1と同様にSEM観察したところ、絶縁層の形状は、末広がりになっており、その絶縁層側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。絶縁層の高さは3〜4μmであった。また、実施例1と同様に測定したところ、絶縁層底部の直径はφ59〜60μm、絶縁層上部の直径は(最小径)はφ51〜54μmであった。絶縁層のピッチは80μmであった。
φ100mm、幅200mmのステンレスロールに、前記で作製しためっき用導電性基材の背面とロールが接触するように、巻きつけて、つなぎ目を絶縁テープで貼り合わせた。さらに、側部からめっき液が染み込まないように、導電性基材の両端5mmを全周にわたって、絶縁テープで覆うように、ロールと導電性基材を貼り合わせ、一つの回転体とした。
次いで、図13に示すような装置構成で回転体103に電界銅めっきした。陽極102には白金でコーティングしたチタン製の不溶性電極を用いた。陰極には上記ステンレス製のロールをドラム電極とした。電解銅めっき用の電解浴100には、ピロリン酸銅:100g/L、ピロリン酸カリウム:250g/L、アンモニア水(30%):2mL/L、pH:8〜9の水溶液で40℃の電荷液101が収容され配管104を通じてポンプ105により、陽極102と回転体103の間に送られ、満たされている。回転体103の約半分がこの電解液に浸漬している。電流密度を15A/dm2となるように、両極に電圧をかけて上記導電性基材に析出する金属の厚みが20μm厚になるまでめっきした。このとき、上記のステンレスロールを0.1m/分の速度で回転させるようにした。その結果、銅箔は導電性基材の表面及び絶縁層の端部を覆うように形成した。
めっき用導電性基材上に形成された銅のパターンを剥離した。穴径18〜21μm、穴ピッチ80μmからなるパターンが施された銅箔が得られた。このパターンが施された銅箔の形状は、図6に示されるように絶縁層の形状を反映して、穴の周りに段差部11を有しており、段差部11に続く傾斜部12は底面図で直径の大きい外周から直径の小さな内周に向かって傾斜していた。
剥離後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
上記で得られためっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして5000回繰り返した(回転体を5000回転させた)結果、銅めっきの剥離性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。
実施例1と同様にして、ステンレス板の上に凸状パターンを形成、絶縁層の形成、絶縁層の付着したレジストパターンの除去と絶縁層パターン形成を行い、めっき用導電性基材を作製した。
上記で得られためっき用導電性基材の凸状パターンが形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)255g/L、硫酸55g/L、キューブライト#1A(荏原ユージライト株式会社製、添加剤)4ml/Lの水溶液、20℃)中に浸し、両極に電圧をかけて陰極電流密度を7A/dm2として、めっき用導電性基材の表面に析出した金属の厚さがほぼ70μmになるまでめっきした。銅めっきは絶縁層を覆い、めっきされた状態は図7に示されるような状態になっていた。
めっき用導電性基材上に形成されたパターンが施された銅箔を剥離した。この銅箔に施されたパターンは、銅箔に円形凹部となって形成されているが、凹部入り口直径φ98〜99μm、凹部底面直径φ86〜91μm、円形凹部ピッチ150μmからなるものであり、図7に示されるように、凹部は絶縁層の形状を反映して凹部入り口から底面に向かって幅狭になっていた。直径及びピッチは、光学顕微鏡で5点以上測定した。
剥離後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして700回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。
(穴パターンの形成)
実施例1と同様にして凸状パターンを形成し、直径φ98〜99μm、ピッチが150μmの穴パターンを得た。その際、導電性基材の表面の一端を未露光のままにしておき、現像後に下地金属が露出するようにした。
次いで、上記のレジストパターンが形成された導電性基材を陰極にして先述の下地金属が露出した部分をクリップで電極と接続し、陽極をステンレス(SUS304)板として、カチオン系電着塗料(Insuleed3020、日本ペイント(株)製)中で、15V10秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後110℃10分間乾燥した後、230℃40分の条件で窒素気流下で焼付けて絶縁層を形成した。炉内の酸素濃度は0.1%であった。平面部に形成された絶縁層の高さは、ほぼ2〜3μmであった。電着塗料は本来通電しない部分には成膜されないのでレジストパターンの上部には成膜されないが、レジスト膜に付着した電着塗料が洗浄しきれなかったため、レジスト膜により形成されたレジストパターンの両側面にも電着塗料膜が付着しており、その厚みは0.2〜0.7μmであった。電着塗料の場合、レジストパターン側面部と平面部に形成された膜との境界面は形成されなかった。
電着塗料をコーティングしたステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸せきし、時々揺動を加えながら15分放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着した電着塗料が剥離してきた。絶縁層の側面部はいろいろな形状をしていたが、絶縁層が末広がりに形成されていない箇所が多数見られ、絶縁層の境界面は平滑ではなく破断面の箇所が多く見られた。また、絶縁層の形状も多少がたつきが見られた。
上記で得られためっき用導電性基材の凸部が形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)70g/L、硫酸180g/L、カパラシドHL(アトテックジャパン株式会社製、添加剤)、20℃)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を8A/dm2として、めっき用導電性基材の表面に析出した金属の厚さがほぼ20μmになるまでめっきした。
めっき用導電性基材上に形成された銅のパターンを剥離した。穴径57〜60μm、穴ピッチ150μmからなるパターンが施された銅箔が、一応得られたが、穴のパターン形状にガタツキがあり、きれいなパターンが得られなかった。
(繰り返し使用)
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−剥離の工程を上記と同様にして繰り返した結果、7回目で絶縁層の剥離箇所を視認できた。
2:導電性基材
3:絶縁層
4:導電性基材の表面
5:感光性レジスト層(感光性樹脂層)
6:凸状パターン
7:DLC膜
8:中間層
9:パターン化金属箔
10:穴(貫通孔)
11:段差部
12:傾斜部
100:電解浴
101:電解液
102:陽極
103:回転体
104:配管
105:ポンプ
106:金属
110:フープ状の導電性基材
111〜128:搬送ロール
129:前処理槽
130:めっき槽(電解浴槽)
131:水洗槽
133:水洗槽
134:防錆処理槽
135:水洗槽
Claims (12)
- (イ)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広で導電性基材が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、
(ロ)上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程
を含むことを特徴とするパターンが施された金属箔の製造方法。 - めっき用導電性基材において、絶縁層が幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている請求項1記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材の絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなる請求項1又は2記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材の絶縁層が、DLC、Al2O3又はSiO2である請求項1〜3のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材の絶縁層が、硬度が10〜40GPaのDLCからなる請求項1〜4のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材において、絶縁層が、その底面の面積が、1〜1×106平方ミクロンメートルの凸形状であり、この凸形状が1〜1000μmの間隔で分布している請求項1〜5のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が30度以上90度未満である請求項1〜6のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で30度以上60度以下である請求項1〜7のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材において、絶縁層の厚さが、0.1〜100μmである請求項1〜8のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材において、導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Siまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている請求項1〜9のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材において、導電性基材の表面が、鋼又はTiからなる請求項1〜10のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
- めっき用導電性基材が、導電性のロール(ドラム)またはロールに巻き付けるものである請求項1〜11のいずれかに記載のパターンが施された金属箔の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009167523A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Hitachi Chem Co Ltd | めっき用導電性基材、その製造方法及びそれを用いた導体層パターン若しくは導体層パターン付き基材の製造方法、導体層パターン付き基材および透光性電磁波遮蔽部材 |
KR101832988B1 (ko) * | 2016-08-04 | 2018-02-28 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
KR20180028899A (ko) * | 2016-09-09 | 2018-03-19 | 주식회사 티지오테크 | Oled 화소 형성 마스크의 제조에 사용되는 전주도금 모판 |
KR101861702B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2018-05-29 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
WO2018097559A1 (ko) * | 2016-11-28 | 2018-05-31 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
WO2018128304A1 (ko) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | 주식회사 티지오테크 | 마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62205296A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Hitachi Cable Ltd | 電磁波シ−ルド用金属箔テ−プの製造方法 |
JPH10305670A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | メタルマスク及びその製造方法 |
JP2002038292A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電鋳母型およびその製造方法 |
JP2002184410A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ニッケルカドミウム電池用の負極集電体とその製造方法、およびニッケルカドミウム電池用の負極 |
JP2005206935A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | メッキ膜形成装置 |
JP2005206934A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 金属メッキ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
JP2005294687A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 導体層パターン及び電磁波遮蔽体の製造法 |
-
2007
- 2007-06-08 JP JP2007152658A patent/JP2008305703A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62205296A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Hitachi Cable Ltd | 電磁波シ−ルド用金属箔テ−プの製造方法 |
JPH10305670A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | メタルマスク及びその製造方法 |
JP2002038292A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電鋳母型およびその製造方法 |
JP2002184410A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ニッケルカドミウム電池用の負極集電体とその製造方法、およびニッケルカドミウム電池用の負極 |
JP2005206934A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 金属メッキ膜の形成方法及び電子部品の製造方法 |
JP2005206935A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | メッキ膜形成装置 |
JP2005294687A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 導体層パターン及び電磁波遮蔽体の製造法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009167523A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Hitachi Chem Co Ltd | めっき用導電性基材、その製造方法及びそれを用いた導体層パターン若しくは導体層パターン付き基材の製造方法、導体層パターン付き基材および透光性電磁波遮蔽部材 |
KR101832988B1 (ko) * | 2016-08-04 | 2018-02-28 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
KR20180028899A (ko) * | 2016-09-09 | 2018-03-19 | 주식회사 티지오테크 | Oled 화소 형성 마스크의 제조에 사용되는 전주도금 모판 |
KR101843035B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2018-03-29 | 주식회사 티지오테크 | 모판 및 마스크의 제조 방법 |
KR101861702B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2018-05-29 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
KR102010001B1 (ko) * | 2016-09-09 | 2019-08-12 | 주식회사 티지오테크 | Oled 화소 형성 마스크의 제조에 사용되는 전주도금 모판 |
WO2018097559A1 (ko) * | 2016-11-28 | 2018-05-31 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
KR101871956B1 (ko) * | 2016-11-28 | 2018-07-02 | 주식회사 티지오테크 | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 |
WO2018128304A1 (ko) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | 주식회사 티지오테크 | 마스크의 제조 방법 및 이에 사용되는 모판 |
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