JP2010034540A - 太陽電池用電極基材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 樹脂層及び、集電電極又はインターコネクターのための金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している太陽電池用電極基材。太陽電池の取出電極のそれぞれに対応するその金属配線層上に、取出電極を接続するための導電性を有する接続部材層が形成されていることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
が低下する。このような受光面側の電極による光損失は、シャドウロスと呼ばれている。
電極形成は、「半導体基板1の表面側および裏面側には、表面電極と裏面電極とを形成する電極形成工程にて表面電極6と裏面電極7とを形成する。これらの電極の製法としては、主にAgなどの金属粉末、ガラスフリット、有機溶剤、バインダーを含んだペーストを用いた印刷法などの厚膜による成膜プロセスや、スパッタ法、蒸着法などの真空プロセスを用いた成膜プロセスを用いることができる。」と記載され、裏面の集電電極の形成は、具体的には、アルミニウムペーストの全面塗布が開示される。
1. 樹脂層及び、集電電極又はインターコネクターのための金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線層の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している太陽電池用電極基材。
2. 太陽電池の取出電極のそれぞれに対応するその金属配線層上に、取出電極を接続するための導電性を有する接続部材層が形成されている項1に記載の太陽電池用電極基材。
3. 金属配線層がp(正)とn(負)の取出電極パターンのそれぞれに対応する金属配線層である項1又は2のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
4. p(正)とn(負)の電極を有する基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する項1又は2のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
5. 樹脂層及び金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している、半導体基板の裏面上にp(正)とn(負)の電極が形成される裏面電極型の太陽電池用電極基材。
6. 金属配線層が、p(正)とn(負)のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する複数の概略長方形形状を有するパターン状に形成されており、その金属配線層上に、金属配線層と半導体基板の裏面に形成されたp(正)部とn(負)部を接続するための導電性を有する接着剤層が形成されている項5に記載の裏面電極型の太陽電池用電極基材。
7. 金属配線層が、p(正)とn(負)の電極を有する前記基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する項5又は6に記載の裏面電極型太陽電池用の電極基材。
8. 上記金属配線層を形成する形態において、(A)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材にめっきをする金属配線層作製工程、(B)上記導電性基材の凹部に析出した金属を樹脂層を含む別の基材に転写する転写工程を含み、上記転写工程において又はその後に、少なくとも金属配線層の最大幅となる部分から下の部分を上記樹脂層に埋没させることを特徴とする太陽電池用電極基材の製造方法。
図2は、太陽電池の一部断面図である。図2(a)は裏面電極型太陽電池である。シリコン基板10の裏面側において、p拡散層12とn拡散層13が設けられている。全体の太陽電池としては、これらは交互に複数個設けらる。基板10の両主面上にはパッシベーション層11が形成され、裏面側に設けられたコンタクトホールを介してp拡散層12にはp(正)電極14が接続され、n拡散層13にはn(負)電極15が接続されており、これらの電極14、15から電流が取り出される。図2(b)は、汎用型の太陽電池で、アモルファスシリコン層16の上下にn型層17及びp型層18が形成されており、それぞれに接して表面取出電極19及び裏面取出電極20が複数個形成されている。n型層17の表面には反射防止層21が形成されている。
図2(a)(b)に示すような太陽電池の取出電極と図1(a)、(b)に示すような本発明に係る電極基材の配線とが導電ペースト、導電性を有する接着剤、ハンダ等の導電性を有する接続部材を介して接続されることが好ましい。
本発明の電極基材における金属配線層は、太陽電池の裏面又は表面の取出電極を含むものであってもよく、その場合は、取出電極と太陽電池のp拡散層(p型層)又はn拡散層(n型層)は導電ペースト、導電性を有する接着剤、ハンダ等の導電性を有する接続部材で導通的に接合されることが好ましい。
本発明の電極基材は太陽電池の表面又は裏面に適用される。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂が硬化した硬化樹脂であることが好ましい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていることが好ましいが、樹脂層だけで基材を構成していてもよい。
樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ジアセテート樹脂、トリアセテート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、環状ポリオレフィン樹脂等の透明な樹脂が使用される。
樹脂フィルムとしては、厚さ50〜300μmの単層フィルム又は前記樹脂からなる複数層の複合フィルムが挙げられる。
また、支持基材の金属配線層を埋設する樹脂層を形成する面とは反対の面には、耐候性や耐擦傷性を付与するための樹脂を積層していてもよい。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−1,2−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−2−ヘプチル−1,3−ブタジエン、ポリ−2−t−ブチル−1,3−ブタジエン、ポリ−1,3−ブタジエン)などの(ジ)エン類のポリマー、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリビニルエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−2−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−t−ブチルアクリレート、ポリ−3−エトキシプロピルアクリレート)、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−n−プロピルメタクリレート、ポリ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−2−ニトロ−2−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−1,1−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ(メタ)アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、2種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを2種類以上ブレンドして使用することも可能である。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート(n=1.48〜1.60)、ウレタンアクリレート(n=1.5〜1.6)、ポリエーテルアクリレート(n=1.48〜1.49)、ポリエステルアクリレート(n=1.48〜1.54)なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、1、6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の(メタ)アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、2種以上併用することができる。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、金属配線層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に金属配線層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、金属配線層を埋設させる厚さの1.5倍以上であることがさらに好ましい。また、樹脂層の厚さは、100μm以下が好ましい。必要以上に厚くしても無駄になるだけある。
図面を用いて説明する。図3は、金属配線層の一部を切り取った斜視図である。図3(a)は、断面形状が台形状の金属配線層であり、図3(b)は、断面形状が台形状の上部とこの上部より幅広の下部からなる金属配線層30である。図4は、図3(b)に示す金属配線層30の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部31とこの上部に連続しており、この上部より幅広な摧円形状の下部32からなり、上部31の台形状の底辺と下部32の摧円形の弦の部分で一体となっている。図3(b)及び図4において、下部は断面形状が摧円形であるが、これにかぎらない。図3(b)及び図4に示されるような場合には、下部32の上部底辺から突出したような肩部33は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図5(図3(b)に示す金属層配線層の幅方向の断面図の他の例)の(a)、(b)又は(c)であらわされるような形状であってもよい。
また、図3及び図4において、下部の最大幅(したがって金属配線層の最大幅)は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、金属配線層は、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
また、金属配線層の上面幅は30μm以上が好ましく50μm以上がさらに好ましい。金属配線層の幅が狭すぎると取出電極との接触が不十分になる傾向があり、表面抵抗が上昇する傾向がある。また、金属配線層の上面幅及びその最大幅は、取出電極、インターコネクター等の配線や太陽電池自体の設計によって適宜決定される。特に制限はないが、最大値として上面幅又は最大幅は5mm以下であることが好ましい。
図6は、金属配線層の横断面図を示す。図6(a)は台形状であり、図6(b)は、台形状の上部とこの上部より幅広な摧円形状の下部が一体となったものである。両者において、上面幅(台形状の上辺の長さ)L1、金属配線層の断面形状における最大幅Lは、それぞれ前記したとおりである。
図6(b)における形状である場合、台形形状の上部の厚さT1と下部の厚さT2の合計厚さTが0.1〜30μmの範囲となっていれば、T1とT2の値に制限はないが、樹脂層と金属配線層との密着性をより高めるためには、T2が0.5μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがさらに好ましい。
αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下がさらに好ましく、40度以上60度以下が特に好ましい。
図8及び図9に、金属配線層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図8(a)では、段目形状が台形の金属配線層30が一部、樹脂層34に埋設されている状態を示し、図8(b)は、上面が樹脂層34からは露出しながら金属配線層30全体が樹脂層34に埋設されている状態を示す。図9(a)は、断面が台形状の上部31とこの上部より幅広な下部32が、上部31の台形状の底辺と下部32の摧円形の弦の部分で一体となっている金属配線層の下部32全体が樹脂層12に埋設されている状態を示す。図9(b)は、同様の金属配線層が上部32の上面を含む一部が樹脂層34からは露出した状態で樹脂層34に埋設されている状態を示す。また、図9(c)は、同様の金属配線層が上部31の上面のみ樹脂層12からは露出した状態で樹脂層34に埋設されている状態を示す。これらの何れの場合も金属配線層の最大幅の部分は、樹脂層34に埋設されている。
本発明に係る電極基材は、まず、めっき用導電性基材上に金属配線層をめっきにより形成する金属配線層作製工程、その後、めっき用導電性基材上に形成された金属配線層を前記の透明基材に転写する転写工程を含む方法により行われる。樹脂層に金属配線層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
さらに、絶縁層をAl2O3、SiO2のような無機材料で形成することもできる。
太陽電池用の電極基材の作製の観点からは、溝状の凹部がストライプ状、格子状又は櫛形状になるように絶縁層を形成することが好ましい。
図10は、本発明におけるめっき用導電性基材の一例を示す部分斜視図である。図11は、図10のA−A断面図を示す。図11の(a)は凹部の側面が平面的であるが、(b)は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材51は、導電性基材52の上に絶縁層53が積層されており、絶縁層53に凹部54が形成されており、凹部54の底部は、導電性基材52が露出している。凹部54の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層53は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに溝状の凹部54が格子状に形成されている。しかし、この形状は、目的に応じて適宜決定される。例えば、図1(a)の金属配線層、(b)のインターコネクターのためのは緯線に対応した凹部の形状が施される。
導電性基材52と絶縁層53の間には、絶縁層53の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層(図示せず)が積層されていてもよい。または、凹部54は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される金属配線層の剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましいが、高さ方向で1μm以上そのような部分が続かないようにすることでもよい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属配線層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属配線層(導体層パターン)を剥離する際、又は、透明基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
この工程は、(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、(B)除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程及び
(C)絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
この方法(a法)は、
(a−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(a−2)感光性レジスト層を金属配線層(導体層パターン)に対応したマスクを通して露光する工程及び
(a−3)露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
(b−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(b−2)感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び
(b−3)レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
図12は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部56の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅1μm以上、間隔が1μm以上、高さが1〜50μmであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部6は、最大幅1〜40μm、間隔が50〜1000μm及び高さ1〜30μmであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅3〜10μm、間隔が100〜400μmであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層53が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
突起部56からなる凸状パターンを有する導電性基材52の表面に絶縁層57を形成する(図3(c))。
ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第0属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
上記SiまたはSiCの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のDLC薄膜との界面においてSiCを形成して、当該DLC薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、1μm以下であることが好ましく、生産性を考慮すると0.5μm以下であることが更に好ましい。1μm以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
法を用いる場合にはSiやAlを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、CVD法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのCVDは、例えばTEOS、オゾンを用いたプラズマCVDで行える。窒化シリコンのCVDは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマCVDで行える。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、3%NaOH溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
導電性基材に形成される絶縁層と凸状パターンの側面に形成される絶縁層との境界面の凸状パターンの側面(基材に対して垂直面として)からの距離が、凸状パターンの立位方向に向かって小さくなっておらず、全体として大きくなっていることが好ましい。
凸状パターンの側面(導電性基材に対して垂直面として)とは、凸状パターンの側面が基材に対して垂直面であれば、その面であるが、凸状パターンの側面が基材側に覆い被さるような場合は、凸状パターンの側面が導電性基材で終わる地点から垂直に立ち上げた垂直面である。
突起部56を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下がさらに好ましく、40度以上60度以下が特に好ましく、DLC膜をプラズマCVDで作製する場合、ほぼ40〜60度に制御することが容易になる。すなわち、凹部54は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部56の高さを調整する方法が好ましい。突起部56の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜15GPaであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜10GPaであることがより好ましい。
このようにして、めっき用導電性基材1を作製することができる。
突起部6からなる凸状パターンが形成された導電性基材52の表面に、絶縁層57を形成する前に、中間層58を形成することが好ましい(図13(c′))。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層58を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部54の底部は、導電性基材52が露出しており、それ以外では、中間層58の上に絶縁層57が形成されている(図13(d′))。また、中間層は、凸状パターン56の形成前に、導電性基材52の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材52を露出させる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤(光沢剤としての効果も有する)を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加して
もよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの2元合金や、金−銅−銀の3元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」(日本プレーティング協会編、1986年槇書店発行)第87〜504頁を参照することができる。
めっきの程度を、析出する金属層(金属配線層)が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
硫酸 50〜200 g/L
を含み、必要に応じて、
塩素イオン(塩酸または塩化ナトリウム) 20〜100 mg/L
光沢剤(3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸塩など) 適量
界面活性剤(ポリエチレングリコール類など) 適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。
光沢剤及び界面活性剤に替わる薬剤として
高分子多糖類
低分子膠
を用いても対応可能である。
透明基材を、めっき用導電性基材の金属配線層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤層の特性に応じて、特に、粘着剤層が適度な流動性又は粘着性を発揮するために、必要ならば加熱される。透明基材を粘着剤層を保持する支持基材を有する場合、支持基材は、このような加熱に際しても形状を維持する程度に十分な耐熱性を有することが好ましい。
図14は、電極基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図15はその後半を示す断面図である。
上記のめっき用導電性基材1上に、前記しためっき工程により、凹部54内にめっきを施し、金属配線層59を形成する(図14(e))。ついで、別個に準備された転写用基材である透明基材60、これは、透明な支持基材61に粘着剤層62が積層されている。金属配線層(導体層パターン)58が形成されためっき用導電性基材51に透明基材60を粘着剤層62を向けて圧着する準備を行う(図14(f))。
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材51に透明基材60を粘着剤層62を向けて圧着する(図15(g))。このとき、粘着剤層62が絶縁層57に接触してもよい。
ついで、支持基材60を引きはがすと金属配線層59は、その粘着剤層62に接着してめっき用導電性基材51の凹部54から剥離され、この結果、金属配線層付き基材63が得られる(図15(h))。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。透明基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部54内に収まる程度に施しても良い。この状態を図16に示す。この場合でも、図17に示すように、透明基材を圧着することにより、金属配線層59を粘着剤層62に転着して、めっき用導電性基材51から金属配線層59を剥離して、金属配線層付き基材63を作製することができる。
フープ状のめっき用導電性基材は、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、1つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、100〜1000μmであることが好ましい。
まず、めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを透明基材に転写した直後においては、金属配線層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において金属配線層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における透明基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、透明基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は個化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、金属配線層を透明基材に転写した直後において、未だ金属配線層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合(全く又はほとんど埋設されていない場合を含む)には、別工程で金属配線層を樹脂層中に少なくとも金属配線層の最大幅となる部分以下を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、金属配線層を透明基材に転写後、金属配線層の付いている透明基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも金属配線層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を金属配線層の付いている透明基材の金属配線層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
また、図8(a)、(b)、図9の(b)、(c)において、金属配線層の上部の台形形状の全部(上面を除く)又はその一部までが樹脂層に覆われれている。これは転写時又は転写後の埋設工程で、加圧して(さらに、必要に応じて加熱して)樹脂を流動させることにより行うことができる。このためには、樹脂が金属配線層の形状に沿って回り込むように流動することが必要である。従って、金属配線層が図6(a)のような形状をしている場合の厚さT、また、金属配線層が図6(b)のような形状をしている場合の上部の厚さT1が厚いと、樹脂の流動量が大きくなるため、完全に被覆することが困難であったり、あるいは、加熱加圧工程の時間が長くなり生産性が低下することがあるが、これを回避するためには、上記のT又はT1は、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがさらに好ましい。また、金属配線層が図6(b)のような形状をしている場合、T1が薄いと、下部の上方に存在する樹脂厚が薄くなり、密着性向上効果が小さくなるため、T1の厚みは1.0μm以上が好ましい。
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。ライン幅385μm、間隔215μmで、櫛形状のフィンガー電極パターン及び、インターコネクタに接続する部分に相当する部分が幅広に概略T字形状になっているパターンを形成した。
レジストフィルム(フォテックRY3315、15μm厚、日立化成工業株式会社製)を150mm角のステンレス板(SUS316L、#400研磨仕上げ、厚さ500μm、日新製鋼(株)製)の両面に貼り合わせた(図12(a)に対応するが同一ではない)。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、パターン仕様1のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を120mJ/cm2照射した。さらに、1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、SUS板の上に櫛形形状のフィンガー電極パターン部に相当するライン幅385μm、間隔215μm、の突起部レジスト膜(突起部;高さ15μm)を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている(図12(b)に対応するが同一ではない)。
PBII/D装置(TypeIII、株式会社栗田製作所製)によりDLC膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚0.1μmとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が2〜3μmとなるように、中間層の上にDLC層を形成した(図12(c)に対応するが同一ではない)。
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た(図12(d)に対応するが同一ではない)。
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)250g/L、硫酸70g/L、キューブライトAR(荏原ユージライト株式会社製、添加剤)4ml/Lの水溶液、30℃)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を10A/dm2として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ10μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっき(金属配線層)が形成された。
厚さ100μm、120mm角の支持基材であるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の表面に粘着剤であるバイロンUR−1400(東洋紡(株)製、熱可塑性樹脂であるポリエステルポリウレタン樹脂がトルエンとメチルエチルケトンの混合溶媒で希釈されている。樹脂のガラス転移点は80℃であった。)を塗布し、100℃乾燥後の膜厚が25μmになるように塗布して支持基材上に粘着剤層を形成して透明基材を作製した。乾燥条件は100℃10分間であった。
上記透明基材を、100℃5分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度150℃、圧力0.5MPa、ラインスピード0.1m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。さらに、金属配線層を転写した面にE−7002(離型PET、38μm厚、東洋紡(株)製)の離型処理面をロールラミネータを用いて圧着した後、離型PETを剥離して金属配線層付き基材(電極基材)を得た。
得られた金属配線層付き基材(電極基材)を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとって、観察した。任意に五カ所選択し、金属配線層の断面形状が図6(b)のような形状であった。上部の上底の幅L1は383〜387μm、下底の幅L2は388〜392μm、角度αは45°、最大幅Lは395〜402μm、LとL2の差は6〜10μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は6〜10μm、全体の厚みは9〜12μm、ラインピッチ200μmの櫛形状のフィンガー電極パターン及び概略T字形状のインターコネクタ部からなる電極基材がえられていることを確認した。また、同時に図9(c)に示すように、金属配線層の全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
上記で得られた電極基材の金属配線層の面上に、厚みが20μmとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。銀ペースト部と太陽電池用半導体基板の裏面に形成されているp(正)とn(負)の部分圧着し接続した後、160℃で2時間加熱硬化して、電極基材が接続された半導体基板を得た。櫛形電極部は、樹脂層に埋没されているため、銀ペーストによる半導体基板との接続後、半導体基板と櫛形電極パターンの隙間は無かった。
ついで、ガラス板、シート状のEVAフィルム(0.5mm厚)、上記電極基材が接続された半導体基板(電極基材側がガラス板に向いている)、シート状のEVAフィルム(0.5mm厚)及びフッ素樹脂フィルムテドラー(DUPONT社製、100μm厚)を順に積層させた構成物を、オートクレーブ中、150℃、0.5MPa、30分の条件下に置き、電極基材が接続された半導体基板が封止された太陽電池を得た。
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。ライン幅330μm、間隔420μmで、櫛形状のフィンガー電極パターン及び、インターコネクタに接続する部分に相当する部分が幅広に概略T字形状になっているパターンを形成した。
レジストフィルム(フォテックRY3525、25μm厚、日立化成工業株式会社製)を150mm角のチタン板(JIS3種、片面バフ研磨仕上げ、厚さ0.5mm、(株)神戸製鋼所製)ステンの両面に貼り合わせた(図12(a)に対応する)。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、パターン仕様2のネガフィルムを、チタン板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を80mJ/cm2照射した。さらに、1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、SUS板の上にライン幅330μm、間隔420μmの突起部レジスト膜(突起部;高さ25μm)を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている(図12(b)に対応する)。
PBII/D装置(TypeIII、株式会社栗田製作所製)によりDLC膜を形成した。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が3μmとなるように、チタン板の上にDLC層を形成した(図12(c)に対応する)。
絶縁層が付着したチタン基板を、60℃に加温したレジスト剥離液ソルファインTA−1100(昭和電工(株)製)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た(図12(d)に対応する)。
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)150g/L、硫酸150g/L、キューブライトAR(荏原ユージライト株式会社製、添加剤)4ml/Lの水溶液、30℃)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を10A/dm2として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ20μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっき(金属配線層)が形成された。
(配合組成物1)
2−エチルヘキシルメタクリレート 70重量部
ブチルアクリレート 15重量部
2−ヒドロキシエチルメタクリレート 10重量部
アクリル酸 5重量部
アゾビスイソブチロニトリル 0.1重量部
トルエン 60重量部
酢酸エチル 60重量部
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた500cm3の三つ口フラスコに、上記した配合組成物1を投入し、穏やかに撹拌しながら、60℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、60℃で8時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ MOI(2−イソシアナトエチルメタクリレート;昭和電工(株)製)5質量部を添加し、穏やかに撹拌しながら50℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液1を得た。
得られた反応性ポリマー1は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は800,000であった。
反応性ポリマーの溶液1を100重量部(固形分)に光重合開始剤として2−メチル−1[4−メチルチオ]フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン(商品名イルガキュア907、チバガイギー(株))を1重量部、イソシアネート系架橋剤(商品名コロネートL−38ET、日本ポリウレタン(株)製)を3重量部、トルエンを50重量部添加し、樹脂組成物1とした。
得られた樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の表面(易接着処理を施した面)に、100℃乾燥後の膜厚が35μmになるように塗布して、支持基材上にUV硬化性を有する粘着剤層を形成して、透明基材を作製した。乾燥条件は、100℃10分間であった。
上記透明基材のUV硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード1.0m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ50μmのカバーフィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度80℃、圧力0.3MPa、ラインスピード0.5m/minとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量1J/cm2となるように、紫外線を照射した後カバーフィルムを剥離して、金属配線層付き基材(電極基材)を得た。
得られた金属配線層付き基材(電極基材)を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図6(b)のような形状であった。上部の上底の幅L1は328〜333μm、下底の幅L2は333〜338μm、角度αは45°、最大幅Lは349〜357μm、LとL2の差は16〜21μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は16〜21μm、全体の厚みは18〜23μm、ラインピッチ200μmの櫛形状のフィンガー電極パターン及び概略T字形状のインターコネクタ部からなる電極基材がえられていることを確認した。また、同時に図9(c)に示すように、金属配線層の全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
上記で得られた電極基材の金属配線層の面上に、厚みが20μmとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。銀ペースト部と太陽電池用半導体基板の裏面に形成されているp(正)とn(負)の部分圧着し接続した後、160℃で2時間加熱硬化して、電極基材が接続された半導体基板を得た。櫛形電極部は、樹脂層に埋没されているため、銀ペーストによる太陽電池用半導体基板との接続後、半導体基板と櫛形電極パターンの間に隙間はなかった。
ついで、ガラス板、シート状のEVAフィルム(0.5mm厚)、上記電極基材が接続された半導体基板(電極基材側がガラス板に向いている)、シート状のEVAフィルム(0.5mm厚)及びフッ素樹脂フィルムテドラー(DUPONT社製、100μm厚)を順に積層させた構成物を、オートクレーブ中、150℃、0.5MPa、30分の条件下に置き、電極基材が接続された半導体基板が封止された太陽電池を得た。
得られた構成物を裏面のガラス板側から肉眼観察してみたところ、気泡等の巻き込みはほとんどなく、電極基材と半導体基板は良好に密着していた。
金属配線層付き基材(電極基材)を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図6(b)のような形状であった。上部の上底の幅L1は383〜388μm、下底の幅L2は387〜392μm、角度αは45°、最大幅Lは403〜410μm、LとL2の差は16〜21μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は16〜21μm、全体の厚みは18〜23μm、ラインピッチ200μmの櫛形状のフィンガー電極パターン及び概略T字形状のインターコネクタ部からなる電極基材がえられていることを確認した。また、同時に図9(c)に示すように、金属配線層の全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
さらに、実施例1と同様に、電極基材の金属配線層の面上に銀ペーストをスクリーン印刷で形成し、櫛形電極パターンと太陽電池用半導体基板を接続して、電極基材を接続した半導体基板を得た。櫛形電極部は、樹脂層に埋没されているため、銀ペーストによる半導体基板との接続後、半導体基板と櫛形電極パターンの間に隙間はなかった。
さらに、ガラス板、シート状のEVAフィルム(0.5mm厚)及び上記で作製した電極基材を接続した半導体基板(電極基材側をEVAシートに向ける)を順に積層させた構成物を、オートクレーブ中、150℃、0.5MPa、30分の条件下に置き、電極基材を接続した半導体基板を封止して、太陽電池を得た。
ガラス板側から観察したところ、泡等の巻き込みは観察されなかった。また白色PETを使うことにより、太陽電池全体の反射特性が明らかに向上していた。
金属配線層付き基材(電極基材)の金属配線層の樹脂層への埋設状態は実施例3におけるのと同様であった。また、得られた構成物に気泡等の巻き込みは観察されなかった。また防湿処理PETを使うことにより、加熱・加湿試験(85℃85%500時間)後でも電極基材と半導体基板は良好に密着していた。
この透明基材を使用したこと以外は、実施例2と同様にして、金属配線層付き基材(電極基材)及び電極基材が接続された半導体基板を作製した。
PETフィルムの易接着処理を施した面とは反対の面は、密着性が低いため、上記で得られた電極基材が接続された半導体基板の電極基材から支持基材であるPETフィルムのみ剥離除去することができた。
次いで、ガラス板、シート状のEVAフィルム(0.5mm厚)、電極基材が接続された半導体基板からPETフィルムを剥離しもの(電極基材側をガラス板に向ける)、シート状のEVAフィルム(0.5mm厚)及びフッ素樹脂フィルムテドラー(DUPONT社製、100μm厚)を順に積層した構成物を、オートクレーブ中、150℃、0.5MPa、30分の条件下におき、電極基材が接続された半導体基板を封止して、太陽電池を得た。
得られた太陽電池をガラス側から肉眼観察してみたところ、気泡等の巻き込みはほとんどなく、電極基材と半導体基板は良好に密着していた。
2:樹脂層
3,4:金属配線層
5:インターコネクターのための配線
10:シリコン基板 11:パッシベーション層
12:p拡散層
13:n拡散層
14、15:電極導体層
16:アモルファスシリコン層
17:n型層
18:p型層
19:表面取出電極
20:裏面取出電極
21:反射防止層
30:金属配線層
31:上部
32:下部
33:肩部
34:樹脂層
51:めっき用導電性基材
52:導電性基材
53:絶縁層
54:凹部
55:感光性レジスト層(感光性樹脂層)
56:突起部
57:DLC膜
58:中間層
59:金属配線層
60:転写用基材
61:別の基材
62:粘着剤層
63:他の基材
64:保護樹脂
65:粘着剤
66:他の基材
67:接着剤又は粘着剤
68:保護フィルム
100:電解浴
101:電解液
102:陽極
103:回転体
104:配管
105:ポンプ
106:金属
107:透明基材
108:圧着ロール
109:金属配線層付き基材
110:フープ状の導電性基材
111〜128:搬送ロール
129:前処理槽
130:めっき槽(電解浴槽)
131:水洗槽
132:黒化処理槽
133:水洗槽
134:防錆処理槽
135:水洗槽
136:透明基材
137:圧着ロール
138:金属配線層付き基材
Claims (8)
- 樹脂層及び、集電電極又はインターコネクターのための金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線層の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している太陽電池用電極基材。
- 太陽電池の取出電極のそれぞれに対応するその金属配線層上に、取出電極を接続するための導電性を有する接続部材層が形成されている請求項1に記載の太陽電池用電極基材。
- 金属配線層がp(正)とn(負)の取出電極パターンのそれぞれに対応する金属配線層である請求項1又は2のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
- p(正)とn(負)の電極を有する基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する請求項1又は2のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
- 樹脂層及び金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している、半導体基板の裏面上にp(正)とn(負)の電極が形成される裏面電極型の太陽電池用電極基材。
- 金属配線層が、p(正)とn(負)のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する複数の概略長方形形状を有するパターン状に形成されており、その金属配線層上に、金属配線層と半導体基板の裏面に形成されたp(正)部とn(負)部を接続するための導電性を有する接着剤層が形成されている請求項5に記載の裏面電極型の太陽電池用電極基材。
- 金属配線層が、p(正)とn(負)の電極を有する前記基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する請求項5又は6に記載の裏面電極型太陽電池用の電極基材。
- 上記金属配線層を形成する形態において、(A)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材にめっきをする金属配線層作製工程、(B)上記導電性基材の凹部に析出した金属を樹脂層を含む別の基材に転写する転写工程を含み、上記転写工程において又はその後に、少なくとも金属配線層の最大幅となる部分から下の部分を上記樹脂層に埋没させることを特徴とする太陽電池用電極基材の製造方法。
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