CN108486616B - 金属荫罩及其制备方法 - Google Patents
金属荫罩及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108486616B CN108486616B CN201810206282.9A CN201810206282A CN108486616B CN 108486616 B CN108486616 B CN 108486616B CN 201810206282 A CN201810206282 A CN 201810206282A CN 108486616 B CN108486616 B CN 108486616B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal layer
- metal
- shadow mask
- structures
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 claims description 2
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000006084 composite stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/003—3D structures, e.g. superposed patterned layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Abstract
本申请公开了一种金属荫罩，其制备方法包括：提供模板以及进行了多次的压膜、曝光、显影以及电铸的循环程序，获得在相对二侧面上具有不同开口口径大小的金属荫罩，通过这种口径大小的变化，使金属荫罩具有台阶结构的蒸镀角。本申请通过分层电铸的方法在金属荫罩中引入蒸镀角，解决了现有技术蒸镀不均匀以及容易产生蒸镀阴影的问题。
Description
技术领域
本申请涉及有机发光二极管显示技术领域，具体涉及一种金属荫罩及其制备方法。
背景技术
有机发光二级管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置为一种利用有机半导体材料制成、用直流电压驱动的薄膜发光器件。由于OLED显示装置具有厚度薄、重量轻、高对比度、宽视角等优点，已被列为下一代的主流显示技术。
OLED显示装置的发光原理是当有电流通过有机发光材料涂层时，即由该有机发光材料涂层发出光线。目前业界OLED制作领域，一般采用单层蒸镀用荫罩蒸镀的方式，蒸镀时有机材料颗粒会从各个角度穿过荫罩的开口并附着于基板上。然而，在一般蒸镀工艺中，分布在荫罩上的开口无锥度，当颗粒倾斜射向开口时，部分颗粒会被开口壁遮挡而无法到达基板，导致倾斜入射的颗粒缺失，造成基板蒸镀不均匀，并产生阴影效应，使产品辉度下降，从而影响了OLED器件的显示特性。
目前业界针对阴影效应，在制作OLED用荫罩时，一般采用双面蚀刻金属卷材的方式制作，但此种方式无法准确控制开口大小的均匀性。荫罩与铟锡氧化物(ITO)面接触面开口存在倒锥角，产生死角区域，影响蒸镀质量。
发明内容
本申请的目的在于提供一种金属荫罩其及制备方法，用以解决玻璃基板蒸镀时容易产生阴影效应的问题。
为了解决上述问题，本申请提供了一种金属荫罩的制备方法，其特征在于，包括：提供一模板；设置一感光膜于所述模板上；曝光及显影，使所述感光膜在所述模板上形成多个第一结构；形成第一层金属层于所述模板上；移除所述多个第一结构，使所述第一层金属层上形成对应于所述多个第一结构的多个第一开口；设置所述感光膜于所述第一层金属层上；曝光及显影，使所述感光膜形成对应于所述多个第一开口的多个第二结构，且所述第二结构的尺寸大于所述第一开口的尺寸；形成第二层金属层于所述第一层金属层上，与所述第一层金属层结合成金属荫罩；以及移除所述多个第二结构，使所述第二层金属层上形成对应于所述多个第一开口的多个第二开口等步骤。
本申请同时提供一种通过上述制备方法所制成的金属荫罩。
与现有技术相比，本申请可以获得包括以下技术效果：
本申请所提供的金属荫罩其及制备方法，通过分层电铸的方法在电铸金属荫罩中引入蒸镀角，形成台阶式的穿孔结构，可以控制第一层金属层的厚度至1-2um，从而减小或消除蒸镀阴影。同时，在蒸镀时，可以降低入射至玻璃基板的有机材料颗粒的损失，提升蒸镀均匀度与产品辉度下降。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1是本申请实施例的方法流程图。
图2至图9是本申请实施例中对应不同制作阶段的侧视示意图。
图10是本申请实施例的金属荫罩的剖面示意图。
具体实施方式
以下将配合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，藉此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”或“电性连接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其它装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者系统中还存在另外的相同要素。
实施例描述
如图1所示，在本申请的一实施例中，金属荫罩的制备方法，包括：
步骤S101：提供一模板。其可以是经过预处理程序的干净模板，或者是在此步骤前先以酸性清洗剂及碱性清洗剂对模板进行清洗，接着用去离子水冲洗，然后烘干备用。
步骤S103：设置一感光膜于模板上。主要用带有一定温度的辊轮将感光膜20以一定压力压至模板10上，使感光膜20与模板10表面充分贴合(如图2所示)。
步骤S105：曝光及显影，使感光膜在模板上形成多个第一结构。请参阅图2和图3，在此步骤中，将压有感光膜20的模板10曝光，使感光膜20根据曝光图案形成第一层图形；接着以一定温度烘烤曝光后的模板10，使经过曝光的感光膜20充分反应；之后，将曝光后的模板10进行显影，使感光膜20在模板10表面形成多个第一结构30(即感光膜曝光显影后的干膜)，且多个第一结构30彼此间隔排列。
其中，还可以选择性的对带有多个第一结构30的模板10进行硬烘或UV固化程序，当显影后的模板10以较高温度烘烤后，多个第一结构30更加坚固、在模板10表面的附着力更强。
步骤S107：形成第一层金属层于模板上。如图4所示，对带有多个第一结构30的模板10进行电铸，使模板10的表面未设置有第一结构30的位置处沉积一层金属层40，以作为金属荫罩的第一层金属层40，此金属层40的厚度H1约为1～5um，例如1～2um。在此一步骤中，将带有多个第一结构30的模板10置入一电铸液中，在适当温度下对模板10进行电沉积程序。例如，将模板10置入pH值介于2-3.5的电铸液中，并且在40-60℃的温度下进行电铸程序。在本申请的一些实施例中，电铸模板的步骤可以是在pH值介于3的电铸液中，以50℃的温度进行电铸程序。并且可以通过整流器，例如双整流器，分别控制铁阳极和镍阳极的电流，其中给电方式可以采用电流值为4A/dm2的直流电进行。因此，在此步骤中，可以获得厚度为1-5um的铁镍合金层，并且将厚度均匀性控制在0.1-0.5um的范围内
其中，电铸液的成分包含硫酸镍40-80g/L、硫酸亚铁20-40g/L、抗氧化剂1-2g/L、阳极活化剂10-20g/L以及络合剂0.2-0.4g/L。通过此电铸工艺可以获得铁含量占40％-70％的铁镍合金层。在本申请的其他实施例中，电铸液还可以包含30-45g/L的pH缓冲剂和/或2-10g/L的复合稳定剂，其中复合稳定剂的使用可以让铁镍合金层的光亮度达到二级光亮。
通过上述电铸工艺，可以在模板上镀出<2um均匀厚度的薄层(第一层金属层)，从而在均匀性方面优化到<10％的结果。在此基础上，配合后续制备工艺可以在金多荫罩上实现OLED蒸镀所需的小蒸镀阴影的阶梯式结构。
步骤S109：移除多个第一结构，使第一层金属层上形成对应于多个第一结构的多个第一开口。请参阅图4和图5，主要将电铸后的带有多个第一结构30的模板10放入退膜槽中进行退膜程序，将模板10上未图案的感光膜去除干净。也就是将多个第一结构30从模板上移除，从而在第一层金属层40上形成多个第一开口41。多个第一开口41的位置、形状与多个第一结构30的位置、形状相匹配。
之后，在进行下一步骤前，可以选择性的对退膜后的模板10进行清洗、烘干程序，例如用去离子水冲洗干净，并将模板10烘干。
步骤S111：设置感光膜于第一层金属层上。如图6所示，将设置有第一层金属层40的模板10用带有一定温度的辊轮将感光膜20以一定压力压至金属层40上，使感光膜20与金属层40表面充分贴合。
步骤S113：曝光及显影，使感光膜形成对应于多个第一开口的多个第二结构，且第二结构的尺寸大于第一开口的尺寸。在操作上，对压有感光膜的模板曝光，使感光膜根据曝光图案形成第二层图形。接着，以一定温度烘烤曝光后的模板，使经过曝光的感光膜充分反应。之后，如图6和图7所示，将曝光后的模板10进行显影，使感光膜20形成多个第二结构50(即感光膜20曝光显影后的干膜)。多个第二结构50一一对应于多个第一开口41，且第二结构50的尺寸略大于第一开口41的尺寸，而遮蔽第一开口41，并覆盖住第一层金属层40相邻于第一开口41的四周围。
在此步骤后，可以选择性的对模板10进行硬烘或UV固化程序，让显影后的模板10在较高的温度下烘烤，使多个第二结构50更加坚固、附着力更强。
步骤S115：形成第二层金属层于第一层金属层上，与第一层金属层结合成金属荫罩。如图8所示，对带有多个第二结构50的模板10进行电铸，使第一层金属层40上未设置有第二结构50的位置处沉积一层金属层60，以作为金属荫罩的第二层金属层60，此金属层60的厚度H2大于第一层金属层40的厚度H1，两者间的厚度比可以达到1:5～1:25、1:10、1:15或1:20。例如，当第一层金属层40的厚度H1为1um时，第二层金属层60的厚度H2可以介于5～25um之间，如5um、15um或25um等；当第一层金属层40的厚度H1为2um时，第二层金属层60的厚度H2可以是但不局限于10um、20um或25um。
步骤S117：移除多个第二结构，使第二层金属层上形成对应于多个第一开口的多个第二开口。请参阅图8和图9，在此步骤中，将电铸后的带有多个第二结构50的模板10放入退膜槽中进行退膜程序，将模板10上的感光膜去除干净，使多个第二结构50从模板10上移除，而在第二层金属层60上形成多个第二开口61，从而得到带有不同金属层厚度与不同开口尺寸的金属荫罩70。其中，多个第二开口61的位置一一对应于多个第一开口41，并且与多个第一开口41相连通。值得说明的是，通过上述制作工艺，第二开口61的中心与相应的第一开口41的中心的偏移量可以控制在大约0.5um至1um之间。由于层与层之间开口的中心点位置可以精确对位,让层与层之间的对位更加精准，从而保证开口的位置精度，有利于做出小开口的金属荫罩70。
在上述退膜程序后，可以选择性的对退膜后的模板10进行清洗、烘干程序。最后，再将金属荫罩70从模板10上揭下、固定(如图10所示)。
请参阅图9和图10，在本申请的一实施例中，通过上述工艺制作而成的金属荫罩70包括第一层金属层40与第二层金属层60。第一层金属层40与第二层金属层60的组成材料可以是，但并不限于镍合金、镍钴合金或铁镍合金。第一层金属层40具有多个第一开口41，这些第一开口41彼此间隔排列，并且贯穿第一层金属层40。第二层金属层60具有多个第二开口61，多个第二开口61的位置一一对应于多个第一开口41，并且在水平方向上，每个第二开口61的尺寸(口径)大于每个第一开口41的尺寸(口径)，使金属荫罩70在相连通的第一开口41与第二开口61内形成有一台阶结构。在上述结构中，由于口径的大小差异，在相应的第一开口41与第二开口61的同一侧上，第一层金属层40相邻于第一开口41的一侧边与第二层金属层60相邻于第二开口61的一侧边之间具有一宽度差ΔW。并且，上述第一层金属层40相邻于第一开口41的侧边与第二层金属层60相邻于第二开口61的侧边的连线与金属萌罩70的表面(即第一或第二层金属层40、60的表面)之间具有一夹角θ，此夹角θ的角度可以是大于0°、小于90°的任意角度，较佳地，为角度介于30～60°的夹角θ。其中，可以通过对宽度差ΔW的调整来对应调整夹角θ的角度大小，从而在蒸镀时，让有机材料颗粒可以具有较佳的入射角，而降低或消除阴影效应。
此外，蒸镀阴影除了受蒸镀角影响外，也和蒸镀材料遮挡点和玻璃基板的垂直距离成正比，因此，对于用于接触玻璃基板的第一层金属层而言，其厚度可以控制在1～5um之间，例如1um或2um,也可以有效的减少阴影效应的产生。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (13)
1.一种金属荫罩的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一模板；
设置一感光膜于所述模板上；
曝光及显影，使所述感光膜在所述模板上形成多个第一结构；
形成第一层金属层于所述模板上；
移除所述多个第一结构，使所述第一层金属层上形成对应于所述多个第一结构的多个第一开口；
设置所述感光膜于所述第一层金属层上；
曝光及显影，使所述感光膜形成对应于所述多个第一开口的多个第二结构，且所述第二结构的尺寸大于所述第一开口的尺寸；
形成第二层金属层于所述第一层金属层上，与所述第一层金属层结合成金属荫罩；以及
移除所述多个第二结构，使所述第二层金属层上形成对应于所述多个第一开口的多个第二开口；
所述第一层金属层与所述第二层金属层的厚度比为1:5～1:25；所述第一开口与所述第二开口的中心偏移量介于0.5μm 至1μm 之间；
所述形成第一层金属层于所述模板上的步骤是在pH值介于2-3.5之间，温度介于40-60℃的电铸液中进行电铸程序；
所述电铸液包含硫酸镍40-80g/L、硫酸亚铁20-40g/L、抗氧化剂1-2g/L、阳极活化剂10-20g/L以及络合剂0.2-0.4g/L。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光及显影的步骤后还包含以下步骤：对所述多个第一结构或所述多个第二结构进行固化程序。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述移除所述多个第二结构的步骤后，还包括将金属荫罩从模板上揭下、固定的步骤。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述移除所述多个第一结构或所述移除所述多个第二结构的步骤后，还包括对退膜后的所述模板进行清洗、烘干步骤。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二开口与对应的所述第一开口相连通，并且于所述金属荫罩内形成台阶结构。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一层金属层相邻于所述第一开口的一侧边与所述第二层金属层相邻于所述第二开口的一侧边之间具有一宽度差。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一层金属层相邻于所述第一开口的侧边与所述第二层金属层相邻于所述第二开口的侧边的连线与所述金属萌罩的表面之间具有一夹角，所述夹角的角度小于90°。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述夹角的角度介于30～60°。
9.一种金属荫罩，其特征在于，通过如权利要求1所述的方法制备而成。
10.如权利要求9所述的金属荫罩，其特征在于，所述第二开口与对应的所述第一开口相连通，并且于所述金属荫罩内形成台阶结构。
11.如权利要求10所述的金属荫罩，其特征在于，所述第一层金属层相邻于所述第一开口的一侧边与所述第二层金属层相邻于所述第二开口的一侧边之间具有一宽度差。
12.如权利要求10所述的金属荫罩，其特征在于，所述第一层金属层相邻于所述第一开口的侧边与所述第二层金属层相邻于所述第二开口的侧边的连线与所述金属萌罩的表面之间具有一夹角，所述夹角的角度小于90°。
13.如权利要求12所述的金属荫罩，其特征在于，所述夹角的角度介于30～60°。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810206282.9A CN108486616B (zh) | 2018-03-13 | 2018-03-13 | 金属荫罩及其制备方法 |
| KR1020180110751A KR102127568B1 (ko) | 2018-03-13 | 2018-09-17 | 금속 섀도우 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2018178150A JP2019157262A (ja) | 2018-03-13 | 2018-09-21 | 金属シャドーマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810206282.9A CN108486616B (zh) | 2018-03-13 | 2018-03-13 | 金属荫罩及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108486616A CN108486616A (zh) | 2018-09-04 |
| CN108486616B true CN108486616B (zh) | 2020-05-05 |
Family
ID=63339126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810206282.9A Active CN108486616B (zh) | 2018-03-13 | 2018-03-13 | 金属荫罩及其制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019157262A (zh) |
| KR (1) | KR102127568B1 (zh) |
| CN (1) | CN108486616B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110724906B (zh) * | 2019-11-21 | 2021-10-22 | 云谷（固安）科技有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
| CN111254385A (zh) * | 2020-01-19 | 2020-06-09 | 阿德文泰克全球有限公司 | 金属荫罩及其制备方法，电铸模板及其制备方法 |
| JP7454988B2 (ja) * | 2020-04-01 | 2024-03-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクの製造装置および製造方法 |
| CN112299364B (zh) * | 2020-10-23 | 2024-02-23 | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 | 一种微流道散热器的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005154879A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Canon Components Inc | 蒸着用メタルマスク及びそれを用いた蒸着パターンの製造方法 |
| CN103205695A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种蒸镀用掩模板及其制作工艺 |
| CN103205784A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种蒸镀掩模板的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003231964A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-08-19 | Toray Ind Inc | 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置およびその製造方法 |
| CN103205697B (zh) * | 2012-01-16 | 2016-03-02 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 蒸镀掩模板及其制造方法 |
| JP6264523B1 (ja) * | 2016-05-23 | 2018-01-24 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、蒸着用メタルマスク形成基材 |
-
2018
- 2018-03-13 CN CN201810206282.9A patent/CN108486616B/zh active Active
- 2018-09-17 KR KR1020180110751A patent/KR102127568B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-21 JP JP2018178150A patent/JP2019157262A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005154879A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Canon Components Inc | 蒸着用メタルマスク及びそれを用いた蒸着パターンの製造方法 |
| CN103205695A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种蒸镀用掩模板及其制作工艺 |
| CN103205784A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种蒸镀掩模板的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190108028A (ko) | 2019-09-23 |
| JP2019157262A (ja) | 2019-09-19 |
| KR102127568B1 (ko) | 2020-06-29 |
| CN108486616A (zh) | 2018-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108486616B (zh) | 金属荫罩及其制备方法 | |
| KR102474454B1 (ko) | 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크 | |
| JP5958804B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| US8673428B2 (en) | Engraved plate and substrate with conductor layer pattern using the same | |
| KR102477941B1 (ko) | 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 금속판 | |
| US9719163B2 (en) | Method of manufacturing deposition mask | |
| TW202100784A (zh) | 蒸鍍遮罩的製造方法、層積體、圖案的製造方法及有機半導體元件的製造方法 | |
| CN110506342B (zh) | 精细金属掩模制造方法及发光元件制造用精细金属掩模 | |
| JP2004218034A (ja) | メタルマスクの製造方法およびメタルマスク | |
| TWI825368B (zh) | 金屬遮罩的製造方法 | |
| WO2016104207A1 (ja) | 蒸着マスク及びその製造方法 | |
| JP7421617B2 (ja) | 蒸着マスク | |
| KR20030049964A (ko) | 섀도우 마스크 및 그 제조 방법 | |
| TW202034488A (zh) | 金屬蔭罩及其製備方法 | |
| US20130044041A1 (en) | Portable electronic device, antenna structure, and antenna producing process thereof | |
| CN113156551B (zh) | 一种稳定自清洁复眼透镜的制造方法 | |
| CN203569176U (zh) | 一种蒸镀用掩模板及掩膜组件 | |
| CN103589993A (zh) | 一种蒸镀用掩模板的制作方法 | |
| KR100671975B1 (ko) | 대면적의 유기전계발광소자 제조용 섀도우 마스크 및 그제조방법 | |
| TW202034489A (zh) | 金屬蔭罩及其製備方法 | |
| JP2019157263A (ja) | 金属シャドーマスク及びその製造方法 | |
| CN103589994A (zh) | 一种蒸镀用掩模板的制备方法 | |
| US20230035647A1 (en) | Electroforming process | |
| KR20050028377A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 금속 버스 전극 제조방법 | |
| CN102214492B (zh) | 一种制作凹面型x射线聚焦小孔的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231031 Address after: Room A1, 4th Floor, Meili Du Building, 54-64 Nathan Road, Tsim Sha Tsui, Kowloon, Hong Kong, China Patentee after: Advantech Optical Display Co.,Ltd. Address before: PO Box 2208, toll tower, British Virgin Islands Patentee before: ADVANTECH GLOBAL, Ltd. |