TW201313951A - 配線圖案之製造方法及鍍敷用構件 - Google Patents

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Abstract

配線圖案之製造方法具有如下步驟：於具透光性的支承體(2)，選擇性地形成包含具透光性之基材與平均粒徑為100nm以下之氧化鋁粒子的母鍍敷層(13)；於母鍍敷層(13)的表面的至少一部分載持觸媒；及，使無電解鍍敷液接觸母鍍敷層(13)的表面而進行無電解鍍敷。

Description

配線圖案之製造方法及鍍敷用構件
本發明係關於一種配線圖案之製造方法及鍍敷用構件。
本申請案係基於2011年8月15日申請之日本專利特願2011-177423號而主張優先權，且將其內容沿用於本文中。
先前，已知有採用利用材料表面的接觸作用進行還原的鍍敷法即化學鍍敷(無電解鍍敷)。無電解鍍敷中未使用電能，因此亦能對作為非導體的樹脂材料或玻璃等實施鍍敷。
為了使以上述方式所得之鍍敷皮膜充分地發揮功能，在鍍敷處理品的使用環境下鍍敷皮膜必需不會剝離。然而，樹脂材料或玻璃等難鍍型材料與形成之鍍敷皮膜之間的密合力較弱，且鍍敷會因鍍敷皮膜之內部應力而輕易地剝落，而產生鼓起等剝離。
為了防止此種剝離，當於樹脂材料上實施鍍敷時，預先使用鉻酸溶液等對於樹脂材料的表面實施蝕刻處理，而使表面化學性粗化。藉此，形成之鍍敷皮膜會陷入至經粗化之樹脂材料的凹凸而形成，因此可獲得密合力(錨固效應)。
亦即，普通的樹脂之鍍敷步驟可表示為洗淨→蝕刻→賦予觸媒→無電解鍍敷。此處，賦予觸媒係使作為無電解 鍍敷之反應起始劑(觸媒)的鈀(Pd)等附著於表面的步驟。通常，包含如下步驟：塗佈2價鈀鹽與2價錫(Sn)鹽之膠體溶液，之後使其浸漬於被稱作促進劑的酸或鹼性溶液中，藉此，使鈀還原為0價而活化。作為無電解鍍敷，可例示無電解鍍銅或無電解鍍NiP。
而且，於玻璃上進行鍍敷時亦為與樹脂之鍍敷步驟相同的步驟。當於玻璃上進行鍍敷時，一般使用如下之方法：利用氫氟酸等蝕刻處理而於玻璃的表面形成凹凸，藉由錨固效應來提高密合力。
然而，若不使用以蝕刻粗化之處理便可形成密合力較高的鍍敷皮膜，則可使步驟簡化、縮短化，故而較理想。因此，揭示有如下方法：於難鍍型基板的表面上設置SOG(Spin-on Glass)或多孔SOG的基底膜，且於該基底膜之上進行無電解鍍敷(參照專利文獻1)；或者於基板表面上設置由微粉末矽石等填料成分及樹脂組成成分構成的基底膜，且於該基底膜上進行無電解鍍敷(專利文獻2參照)。
[專利文獻1]日本特開2006-2201號公報
[專利文獻2]日本特開2008-208389號公報
使用無電解鍍敷所形成之鍍敷處理品係被用作多種製品的構成材料。例如，就對玻璃或透明樹脂實施金屬鍍敷所得之鍍敷處理品而言，可期待應用於要求高透光性之顯示器或太陽電池等、可利用玻璃或透明樹脂所具有之透光性的製品中。
然而，上述專利文獻中所示之方法並未著眼於透光性這一要求物性，且未充分揭示用於使所得之鍍敷處理品具透光性的技術。
本發明之態樣之目的在於提供一種能良好地形成配線而不會損及具透光性之難鍍型材料之透明性的配線圖案之製造方法及鍍敷用構件。
本發明之第1態樣之配線圖案之製造方法，具有如下步驟：於具透光性之支承體，選擇性地形成包含具透光性的基材與平均粒徑為100 nm以下的氧化鋁粒子的基底膜；於上述基底膜的表面的至少一部分上載持無電解鍍敷用觸媒；及，使無電解鍍敷液接觸上述基底膜的表面而進行無電解鍍敷。
本發明之第2態樣之鍍敷用構件具有具透光性之支承體、選擇性地形成於該支承體表面之基底膜，且上述基底膜具有具透光性之基材與平均粒徑為100 nm以下的氧化鋁粒子。
根據本發明的態樣，可良好地形成配線圖案，而不會損及具透光性之難鍍型材料的透明性。
以下，參照圖1~圖5C，對本實施形態之配線圖案之製造方法進行說明。以下的說明中，首先，使用圖1~圖3E對本實施形態之配線圖案之製造方法的基本反應進行說明，其次，使用圖4A~圖5C對本實施形態之配線圖案之製造方法進行說明。另外，於以下的所有圖式中，為了便 於看清圖式，而改變各構成要素之尺寸或比率等。
圖1係表示使用本實施形態之配線圖案之製造方法的鍍敷用構件1之一例的示意圖。鍍敷用構件1具有為難鍍性且具透光性之支承體2、及形成於支承體2之一面側之母鍍敷層(基底膜)3。
作為支承體2，可使用例如玻璃、石英玻璃、氮化矽等無機物，或丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(聚對苯二甲酸丁二酯)等聚酯樹脂等有機高分子(樹脂)。該等材料具透光性，且不會與經過無電解鍍敷之後所形成之金屬製之鍍敷皮膜形成金屬鍵。因此，於本實施形態中，將該等材料作為難以直接形成鍍敷皮膜、且已形成之鍍敷皮膜容易剝離的難鍍型性材料來進行處理。因同樣的理由，只要為鍍敷皮膜容易剝離且具透光性之材料，則同樣可用作支承體2之鍛成材料。
母鍍敷層3具有平均粒徑為約100 nm、90 nm、80 nm、70 nm、60 nm、50 nm、40 nm、30 nm、20 nm、或者10 nm以下的氧化鋁粒子。作為氧化鋁粒子，只要平均粒徑為約100 nm以下，則可採用粒狀、棒狀、羽毛狀等形狀。此處，所謂「平均粒徑」係指，可將動態光散射法等公知之方法作為測定原理，且採用體積平均粒徑、面積平均粒徑、累積中位徑(Median徑)等而求出的值。而且，當氧化鋁粒子具有棒狀或羽毛狀等特異的形狀時，一粒子中的最大徑(長方向上的大小)為上述平均粒徑，一粒子中的短方向上的大小表現出小於上述平均粒徑的值。
而且，母鍍敷層3具有使上述氧化鋁粒子分散的黏合劑(基材)。黏合劑係具透光性的樹脂材料。作為樹脂材料，可使用光硬化性樹脂，尤其可使用紫外線硬化性樹脂。作為此種樹脂材料，可列舉環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸氨基甲酸酯樹脂、苯酚樹脂、烯-硫醇樹脂、聚矽氧烷等。以下之說明中，對於使用紫外線硬化性樹脂作為母鍍敷層3之黏合劑的情況進行說明。
圖2A、圖2B係表示本實施形態之鍍敷用構件1之製造步驟的步驟圖。首先，如圖2A所示，將使上述氧化鋁分子均勻地分散於含有上述樹脂材料之前驅物之溶液中的塗佈液，塗佈於支承體2的表面，形成塗膜3A。作為塗佈之方法，可列舉旋轉塗佈、浸漬塗佈、噴塗、輥塗、刷毛塗佈、快乾印刷或網版印刷等印刷法等普遍知曉的方法。另外，於塗佈液中亦可添加少量的光聚合起始劑。
作為塗佈液之溶劑，可使用極性溶劑。作為可使用之溶劑，可列舉例如：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(isopropyl alcohol、IPA)等醇類；丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)等醚類；甲苯等芳香族碳水化合物；乙腈等腈類；乙酸酯等酯類。
塗佈液中，藉由變更濃度或溶劑的種類，可調整塗佈液整體之黏度，控制塗膜3A之膜厚。亦即，藉由適當選擇塗佈液之濃度或溶劑之種類，可控制由塗膜3A形成之母鍍敷層3的層厚。
例如，若塗佈液中所含之樹脂材料之濃度增高，則塗 佈液之黏度會上升，因此，可較厚地塗佈塗佈液。
而且，作為塗佈液之溶劑，若自多種溶劑之中選擇黏度相對較高者，則可作為適於厚塗之塗佈液，因此，容易使塗膜3A變厚；若選擇黏度相對較低者，則可作為適於薄塗之塗佈液，因此，容易較薄地形成塗膜3A。
進而，若著眼於塗佈液之溶劑的沸點，則因為沸點低的溶劑之黏度大多比較低，而沸點高的溶劑之黏度大多比較高，因此亦可著眼於沸點而選擇溶劑。
另外，於使用有低沸點溶劑之塗佈液中，塗佈後立即乾燥硬化，則塗膜3A的表面上有產生塗佈不均或塗佈條紋之情況。因此，最好根據塗佈塗佈液之作業環境而選擇沸點適當的溶劑，以免產生塗佈不均或塗佈條紋。另一方面，較佳為，當塗佈塗佈液之後，在容易除去溶劑之程度下沸點較低的溶劑。
該等溶劑可單獨使用，亦可適當地混合2種以上進行使用。例如，於作為高沸點、高黏度之溶劑的PGMEA中適當地混合作為低沸點、低黏度之溶劑的甲醇進行使用，藉此，可調整塗佈液之黏度與沸點之平衡。進而，亦可根據需要而反復塗佈，使塗膜變厚。
接著，如圖2B所示，藉由進行紫外線照射而使前驅物硬化，從而形成母鍍敷層3。
若使用紫外線硬化性樹脂作為使氧化鋁粒子分散的黏合劑，則於鍍敷用構件1之製造過程中可於常溫下實施硬化步驟，因此，完成之鍍敷用構件1上不容易包含殘留應 力。因此，例如於使用彈性率較低的材料作為支承體2的情況下、或使用能捲成輥狀的較薄者的情況下，能抑制因殘留應力而使鍍敷用構件1產生變形的不良狀況。
另外，於形成上述母鍍敷層3時，亦可於紫外線照射之硬化反應後進行固定時間之加熱，使反應完結(所謂後烘烤)。此時，因前驅物之大部分於後烘烤之前已硬化，故而，不容易產生殘留應力，可享受使用紫外線硬化性樹脂之優點。
以上之鍍敷用構件1中，母鍍敷層3所含之氧化鋁粒子之粒徑為約100 nm以下，短於可見光區域之波長，因此幾乎不會產生光之散射。因此，母鍍敷層3成為透明的皮膜，鍍敷用構件1成為透明的構件。
此處，當母鍍敷層3中所含之氧化鋁粒子之形狀為棒狀或羽毛狀時，對於在與粒子之長方向交叉的方向振動之光，氧化鋁粒子如具有小於平均粒徑之粒徑的粒子般動作。亦即，當穿透母鍍敷層3之可見光線之振動方向係與氧化鋁粒子之長方向交叉的方向時，對於該可見光線，氧化鋁粒子難以成為散射源，而容易使可見光線穿透。因此，表現出高透光性。
圖3A~圖3E係表示配線圖案之製造方法之說明圖，且係對於鍍敷用構件1進行無電解鍍敷而製造鍍敷處理品10之步驟圖。此處，對於藉由鍍敷處理而形成金屬配線從而製造鍍敷處理品10的情況進行說明。
首先，如圖3A所示，於鍍敷用構件1之母鍍敷層3上 塗佈光阻材料，對其進行預烘烤而形成光阻層4。作為光阻材料，此處使用正型光阻劑。
之後，經由光罩M而對光阻層4照射紫外線L，藉此，使光阻層4曝光，該光罩M係於與金屬配線之形成區域對應之位置上設有開口部Ma、而於未形成金屬配線之區域設有遮光部Mb。
接著，如圖3B所示，利用溶解經紫外線照射之光阻層的顯影液進行顯影，藉此，除去光阻層4之一部分，從而形成開口部4a。
接著，如圖3C所示，向露出於光阻層4上所形成之開口部4a的母鍍敷層3，賦予無電解鍍敷中使用之觸媒(無電解鍍敷用觸媒)5。作為觸媒5，可列舉金屬鈀。具體而言，塗佈2價鈀鹽與2價錫(Sn)鹽之膠體溶液，之後浸漬於被稱作促進劑之酸或鹼性溶液中，將鈀還原為0價，藉此賦予由金屬鈀構成之觸媒5。
此時，母鍍敷層3上包含具有極微細的凹凸之氧化鋁粒子，因此認為，該極微細的凹凸上附著有作為鍍敷之觸媒的金屬鈀。藉此，認為母鍍敷層3與觸媒5之界面的結合變得牢固。
接著，如圖3D所示，藉由浸漬於無電解鍍敷液中，可於觸媒5的表面使溶解於無電解鍍敷液中之金屬離子還原且析出，從而於開口部4a內選擇性地形成金屬配線6。
接著，如圖3E所示，於殘留之光阻層之整個面上曝光紫外線之後，利用顯影液除去光阻層。
如以上所述，可製造形成有所需圖案之鍍敷處理品10。
圖4A~圖5C係表示本實施形態之配線圖案之製造方法的步驟圖。此處，對於藉由鍍敷處理形成金屬配線而製造2根金屬配線交叉之鍍敷處理品的情況進行說明。
首先，如圖4A所示，於支承體2的表面塗佈將紫外線硬化樹脂作為黏合劑之塗佈液，形成塗膜3A。之後，經由光罩M而向塗膜3A照射紫外線L，對塗膜3A進行曝光，該光罩M係於與金屬配線之形成區域對應的位置上設有開口部Ma、而於未形成金屬配線之區域設有遮光部Mb。
接著，如圖4B所示，利用溶解塗膜之溶劑S進行顯影，藉此，除去未硬化之塗佈液，從而形成經圖案化之母鍍敷層13。
接著，如圖4C所示，向支承體2的整個表面及母鍍敷層13賦予無電解鍍敷中使用的觸媒(未圖示)之後，使支承體2的表面接觸於無電解鍍敷液，藉此，使溶解於無電解鍍敷液中之金屬離子還原且析出，從而，於母鍍敷層13的表面形成金屬配線16。
另外，當向支承體2的表面賦予觸煤時，支承體2的表面未形成母鍍敷層13之部分(圖中由符號2x表示)亦附著觸媒，因此認為，藉由接觸無電解鍍敷液，亦對未形成母鍍敷層13之部分實施鍍敷。然而，於符號2x所示之部分，與母鍍敷層13不同，不含具有極微細的凹凸之氧化鋁粒子，因此，難以附著作為無電解鍍敷之觸媒的金屬鈀。
而且，於母鍍敷層13，藉由無電解鍍敷液中之金屬離 子之還原而析出的金屬陷入氧化鋁粒子之極微細的凹凸中而形成，因此，藉由所謂錨固效應可獲得密合力，而於符號2x所示之部分，因表面無氧化鋁粒子，故難以發現錨固效應。
因此，即便對符號2x所示之部分實施金屬鍍敷，亦可藉由表面之洗淨而容易地除去，結果，可於母鍍敷層13的表面選擇性地形成金屬配線(導電構件)16。
接著，如圖5A所示，於支承體2的表面塗佈將紫外線硬化樹脂作為黏合劑之塗佈液，經由光罩曝光後進行顯影，藉此，形成與金屬配線16部分地重疊且交叉的母鍍敷層23。
接著，如圖5B所示，使用與上述圖3A、3B相同的方法，於母鍍敷層23上形成具有開口部24a之光阻層24，進而，使用與上述圖3C相同的方法，對於露出於光阻層24之開口部24a的母鍍敷層23，賦予無電解鍍敷中使用之觸媒(無電解鍍敷用觸媒)25。
之後，藉由使露出於開口部24a之母鍍敷層23接觸於無電解鍍敷液ES，可使觸媒25的表面析出金屬，從而於開口部24a內選擇性地形成金屬配線26。觸媒25係形成於母鍍敷層23之表面上的、未與下層之金屬配線16接觸的位置，故而，金屬配線16與金屬配線26不會接觸。
接著，如圖5C所示，藉由除去殘留之光阻層，可製造金屬配線16與金屬配線26交叉的鍍敷處理品20。
於以此種方法製造之鍍敷處理品20中，因構成母鍍敷 層23之氧化鋁粒子及樹脂材料均為絕緣性材料，故而，母鍍敷層23整體上具有絕緣性。因此，藉由變更形成母鍍敷層23之塗佈液之濃度或溶劑之種類，能於在所使用之電壓下不會產生絕緣擊穿的程度下使母鍍敷層23之層厚變厚，將母鍍敷層23作為金屬配線16與金屬配線26之間的絕緣層。
根據以上之配線圖案之製造方法，因母鍍敷層與無電解鍍敷用觸媒之密合力較高，故可變得難以剝離觸媒上所形成之金屬配線。鍍敷用構件具有高透明性，故而，於鍍敷處理品之未形成金屬配線之部分表現出高透明性。
而且，藉由選擇性地形成母鍍敷層，可追隨於母鍍敷層之形狀而進行無電解鍍敷，且變得容易形成圖案。
進而，藉由選擇性地形成母鍍敷層，可將母鍍敷層用作絕緣層，且形成夾著母鍍敷層之2個金屬配線圖案，設計自由度提高。
因此，可提供已對具透光性之難鍍型材料良好地實施鍍敷處理的配線圖案之製造方法。
另外，利用本實施形態之方法所製造之鍍敷處理品10可藉由根據需要進一步實施無電解鍍敷或電鍍，而增加厚度或形成多層金屬膜。
而且，於本實施形態中，已對於製造金屬配線16與金屬配線26交叉之鍍敷處理品20的情況進行了說明，當然，本發明並不限於此。
例如，如圖6A~圖6E之概略剖面圖所示，於設在支 承體2之表面上的母鍍敷層3上，形成金屬配線6之後(圖6A)，覆蓋金屬配線6，且選擇性地形成具有可用作金屬配線6之絕緣層之層厚的母鍍敷層33(圖6B)。之後，形成具有開口部34a之光阻劑34之後(圖6C)，賦予無電解鍍敷用觸媒(無電解鍍敷用觸媒)35，實施無電解鍍敷，從而形成金屬配線36(圖6D)。之後，藉由除去光阻劑，可形成積層有多層金屬配線之鍍敷處理品30。
而且，於本實施形態中，藉由選擇性地對光硬化性樹脂進行曝光，而使母鍍敷層圖案化，但並不限於此，例如，亦可於支承體的整個表面上形成母鍍敷層之後，選擇性地除去母鍍敷層之不需要之部分，藉此對母鍍敷層進行圖案化。
以上，已參照隨附圖式對本發明之實施形態之示例進行了說明，當然，本發明並不限於所述示例。上述示例中所示之各構成構件的各形狀或組合等均為一例，可於不脫離本發明主旨之範圍內根據設計要求等進行多種變更。
例如，使用PET基板作為支承體，準備多個於上述基板上形成有母鍍敷層之鍍敷用構件，一方面搬送多個鍍敷用構件一方面於搬送過程中使用上述鍍敷處理品之製造方法進行無電解鍍敷，藉此由形成之鍍敷皮膜形成金屬配線，從而，可於PET基板上形成金屬配線。
進而，亦可於所謂輥對輥(roll to roll)步驟中於PET膜上形成金屬配線，該輥對輥步驟係指：使用長形PET膜作為支承體，將上述膜上形成有母鍍敷層之鍍敷用構件捲 成輥狀，一方面捲出上述鍍敷用構件一方面進行搬送，使用上述鍍敷處理品之製造方法連續地形成金屬配線之後，將所製造之鍍敷處理品捲成輥狀。
當採用此種工藝進行無電解鍍敷時，於上述之製造方法中，因母鍍敷層中所含之氧化鋁粒子小於100 nm以下，故鍍敷用構件表現出高透明性，並且，當將膜捲成輥狀時，母鍍敷層表現出高追隨性，母鍍敷層不易產生龜裂或剝離。因此，能以高生產性製造高品質的鍍敷處理品。
[實施例]
以下，利用實施例對本發明進行說明，但本發明並不限於該等實施例。
本說明書之實施例、比較例及參考例中，對於形成有母鍍敷層之各種鍍敷用構件、及形成有與母鍍敷層對比之處理層之比較例中的鍍敷用構件，利用以下所示之方法，進行光阻層之作成、及無電解鍍敷。
[光阻層之作成方法]
對於鍍敷用構件之形成有母鍍敷層之面或形成有處理層之面，旋轉塗佈光阻材料(SUMIRESIST PFI-34A6，住友化學股份有限公司製造)，以90℃進行30分鐘加熱(預烘烤)，藉此形成光阻層。旋轉塗佈之條件係於1000 rpm下10秒，從而形成厚度為約1 mm之光阻層。
接著，經由光罩，使強度為30 mW/cm2之紫外線曝光6秒，以110℃進行30分鐘加熱(後烘烤)之後，浸漬於2.38%TMAH溶液中5分鐘，藉此，於光阻層對光罩圖案進 行顯影而形成開口部。
[無電解鍍敷方法]
對於形成有光阻層之鍍敷用構件，於室溫下進行超音波水洗30秒之後，於室溫下浸漬於無電解鍍敷用之觸媒膠體溶液(Melplate activator 7331，Meltex公司製造)中300秒，使觸媒附著於露出於光阻層之開口部的母鍍敷層或處理層。
接著，對表面進行水洗之後，於室溫下浸漬於無電解鍍敷之觸媒活化劑(Melplate PA-7340，Meltex公司製造)中300秒，使附著於光阻層之開口部之觸媒活化。
接著，對表面進行水洗之後，於73℃下浸漬於無電解鍍敷液(Melplate NI-867，Meltex公司製造)中180秒，使附著於光阻層之開口部的觸媒上析出鎳而進行鍍鎳。
接著，對表面進行水洗後使其乾燥，於包含殘留之光阻層的整個面上，使強度為30 mW/cm2之紫外線曝光2分鐘之後，浸漬於濃度為50 g/L之NaOH水溶液中2分鐘，藉此除去光阻層，製造出鍍敷處理品。
(參考例1)
圖7A、7B係表示對於在50 mm×50 mm見方之玻璃板的表面具有藉由真空蒸鍍法而形成之母鍍敷層或處理層的鍍敷用構件已實施無電解鍍敷的參考例之結果的照片。圖7A係表示於Al2O3層上已實施無電解鍍敷之結果的照片，圖7B係表示於SiO2層上已實施無電解鍍敷之結果的照片。
另外，於以下所示之照片中，表現為文字或花紋之色 較深的部分(圖中以符號A表示)係藉由無電解鍍敷形成有鍍敷皮膜的部分。
如圖7A所示，於Al2O3層上利用金屬鍍敷而形成有圖案，而如圖7B所示，於SiO2層上未由金屬鍍敷而形成有圖案。
圖8係於圖7A所示之Al2O3層上實施無電解鍍敷後的放大照片，可確認，能形成L/S甚至為3 μm/3 μm之良好的圖案。
(實施例1)
本實施例中，作成具有如下母鍍敷層之鍍敷用構件，該母鍍敷層中，使用膠體氧化鋁粒子(Aldrich公司製造)作為氧化鋁粒子，且使用紫外線硬化型丙烯酸系樹脂(ArtResin UN-3220HA，根上工業股份有限公司製造)作為黏合劑。對於所得之鍍敷用構件之試樣實施無電解鍍敷，對於母鍍敷層之密合力及透明性進行評估。
圖9係本實施例中所使用之膠體氧化鋁粒子的TEM像，另外使用將動態光散射法作為測定原理之測定器，確認其係體積平均粒子徑為20 nm左右之粒狀奈米粒子。
本實施例中，調整氧化鋁相對於黏合劑之濃度不同的多種塗佈液，將其塗佈於50 mm×50 mm見方之PET基板上使其乾燥後，藉由照射紫外線而使其硬化，從而形成多個母鍍敷層。
詳細而言，於基板上以旋轉塗佈法(3000 rpm×30秒)塗佈塗佈液且使其乾燥後，使用紫外線照射裝置 (Multi-Light，USHIO電極股份有限公司製造)，以放射照度：37 mW/cm2、照射時間：40秒(照射量：1480 mJ/cm2)之條件照射365 nm之紫外線。之後，以120℃加熱2分鐘而形成母鍍敷層。
塗佈液中氧化鋁相對於黏合劑之濃度係由體積比規定(體積%)，且可考慮到氧化鋁及黏合劑之密度而進行調整。本實施例中，氧化鋁之密度係使用3.97 g/cm3，黏合劑之密度係使用1.19 g/cm3，根據該等值進行重量換算，使氧化鋁之2質量%甲醇分散液與黏合劑之2質量%甲醇溶液混合，藉此調整塗佈液。而且，於塗佈液中，對於黏合劑添加3質量%之聚合起始劑(irgacurel173，Ciba Specialty Chemicals公司製造)而進行使用。
本實施例中，調整8種水準之塗佈液，其等中之氧化鋁相對於黏合劑之濃度分別為0體積%、5體積%、10體積%、30體積%、50體積%、70體積%、90體積%、99體積%，形成母鍍敷層。以下的說明中，將氧化鋁相對於黏合劑之濃度成為「氧化鋁含有率」。
圖10A~10C係於母鍍敷層之上實施無電解鎳-磷(NiP)鍍敷而作成之金屬配線的照片，圖10A、10B係針對氧化鋁含有率5體積%之母鍍敷層試樣而表示之照片，圖10C係針對氧化鋁含有率0體積%之母鍍敷層試樣而表示之照片。
如圖10A所示，可知，對於本實施例之母鍍敷層，良好地形成有由金屬鍍敷而成之圖案。而且，如圖10B所示，本實施例之鍍敷處理品中，即便連同支承體而使其整體彎 曲，金屬鍍敷亦不會剝離，所形成之金屬鍍敷良好地密合。另外，關於氧化鋁含量為10體積%~99體積%之其他試樣亦為同樣的結果。
對此，如圖10C所示，可知，於不含氧化鋁之母鍍敷層(亦即，僅由黏合劑形成之母鍍敷層)中，鍍敷未附著於母鍍敷層上。
圖11係於各氧化鋁含量之母鍍敷層上實施無電解鍍敷後之放大照片，且係表示L/S=5 μm/5 μm之配線鍍敷性能之評估結果的照片。如圖所示，可知，於氧化鋁含有率為5體積%以上之試樣中形成有良好的配線。
圖12A係表示各鍍敷處理品中未實施金屬鍍敷之部分的透光性之評估結果的圖，且表示對於d線(587 nm)之穿透率。如圖所示，可知，於5體積%以上之氧化鋁含有率下，穿透率為98%以上，穿透率幾乎未減少。
而且，圖12B中表示以氧化鋁含有率30體積%製作之母鍍敷層的透光性之波長依存性。可知，本實施例中使用之氧化鋁粒子之平均粒徑(體積平均)為20 nm左右，因粒徑小於可見光波長故光之散射極少，若為可見光區域之波長的光，則即便在短波長區域，穿透率之減少亦極少。
圖13係關於整個面實施有無電解鍍敷之鍍敷處理品的鍍敷後之百格膠帶測試評估之評估結果的照片。評估係依據JISK5600-5-6(塗料一般測試方法-第5部：塗膜之機械性質-第6節：附著性(交叉切割法))而進行。
如圖所示，可知，於氧化鋁含有率為5體積%~99體 積%時可獲得充分的密合力，鍍敷皮膜未產生剝離。
圖14係匯總表示圖11至圖13所示之評估結果的表。經過評估可知，本實施例中，母鍍敷層中之氧化鋁含有率若為5體積%以上99體積%以下則較佳。即便氧化鋁含有率為99體積%(亦即，黏合劑含有率為1體積%)，本實施例中之母鍍敷層亦能充分地表現出對於基板之密合力，能進行難剝離之無電解鍍敷。
(實施例2)
本實施例中，於50 mm×50 mm見方之PET基板上，使用與實施例1相同的方法，塗佈氧化鋁含有率為5體積%之塗佈液且使其乾燥後，經由光罩，以放射照度：30 mW/cm2、照射時間：30秒(照射量：900 mJ/cm2)之條件照射365 nm之紫外線。接著，於120℃下加熱2分鐘之後，一方面將基板整體浸漬於丙酮中一方面實施超音波處理而進行顯影，從而形成母鍍敷層。浸漬時間係10秒。
圖15中表示利用L/S=10 μm/10 μm之光罩進行紫外線照射使其硬化後的母鍍敷層之光學顯微鏡像。經過觀察可確認，僅於照射到紫外線之部分選擇性地形成有母鍍敷層。
(實施例3)
本實施例中，首先，於50 mm×50 mm見方之PET基板上，利用旋轉塗佈方式塗佈1質量%環氧矽烷偶合劑且使其乾燥，以120℃加熱5分鐘，進行表面處理。
接著，使用與實施例2相同的方法，塗佈下述塗佈液 且使其乾燥後，經由光罩，以放射照度：30 mW/cm2、照射時間：30秒(照射量：900 mJ/cm2)之條件照射365 nm之紫外線。
塗佈液係將20質量%膠體氧化鋁(Aldrich公司製造)0.1 g、黏合劑之10質量%甲醇溶液0.35 g、黏合劑之10質量%PGMEA溶液0.35 g混合而調整。黏合劑係使用紫外線硬化型丙烯酸系樹脂(ArtResin UN-3220HA，根上工業股份有限公司製造)，且添加上述聚合起始劑3質量%。
接著，以120℃加熱2分鐘之後，將基板整體浸漬於丙酮中實施10秒超音波處理而進行顯影，從而形成母鍍敷層。
接著，以120℃加熱30分鐘之後，利用上述方法進行無電解鍍敷。
圖16A係關於對寬度為1 mm之母鍍敷層實施無電解鍍敷而得之金屬配線的照片，圖16B係所得之金屬配線之光學顯微鏡像。
經過觀察，沿著藉由選擇性的紫外線照射而形成之母鍍敷層，形成有金屬配線(圖16A)，於金屬配線的表面未發現粗糙或缺損部分(亦即，未經鍍敷之部分)。因此可確認，無需形成光阻層，亦可形成經圖案化之金屬配線。
(實施例4)
本實施例中，首先，於50 mm×50 mm見方之PET基板上，利用與實施例1相同的方法，於整個面上形成氧化鋁含有率5體積%之母鍍敷層，利用上述方法作成光阻層之後，選擇性地進行無電解鍍敷，作成NiP配線(金屬配線)。 以下的說明中，將該金屬配線稱作「第1金屬配線」。
塗佈液係於由膠體氧化鋁(Aldrich公司製造)之2質量%甲醇分散液0.25 g、與黏合劑之2質量%甲醇溶液1.43 g混合所得之溶液中，進而添加1-丙醇1 g進行混合而調整。黏合劑係使用紫外線硬化型丙烯酸系樹脂(ArtResin UN-3220HA，根上工業股份有限公司製造)。
圖17A係作成之第1金屬配線之照片，圖17B係第1金屬配線之放大照片。可知，形成凹凸較少的平坦的配線。
接著，於PET基板上的形成有第1金屬配線之側的整個面上，利用旋轉塗佈法塗佈矽烷偶合劑(KBE903，Shin-Etsu Silicone公司製造)。
接著，使用與實施例2相同的方法，塗佈氧化鋁含有率5體積%之塗佈液，經由光罩照射紫外線而使其選擇性地硬化，以120℃加熱1分鐘之後，利用丙酮進行顯影而選擇性地形成母鍍敷層。以下的說明中，將選擇性地形成之母鍍敷層稱作「選擇性母鍍敷層」。
圖18A係作成有選擇性母鍍敷層之基板之照片，圖18B係圖18A中之由虛線所包圍之區域內的選擇性母鍍敷層之放大照片。經過觀察可確認，選擇性母鍍敷層中填料充分分散，未發現凝結體等。
而且，利用階差測量儀來測定選擇性母鍍敷層之厚度，可知膜厚為350 nm左右。
接著，於PET基板之形成有選擇性母鍍敷層之側的整個面上，利用上述方法作成光阻層且進行無電解鍍敷，藉 此，於選擇性母鍍敷層上形成經圖案化之金屬配線(NiP配線)。而且，當剝離光阻劑之後，藉由進行無電解金(Au)鍍敷，可由Au覆蓋金屬配線的表面。於以下的說明中，將該NiP/Au配線稱作「第2金屬配線」。
圖19係按上述順序製作之多層配線構造之剖面SEM像。利用測量儀來計量第1金屬配線與第2金屬配線之間的導通時，未發現洩漏電流。因此，可確認，本實施例中之母鍍敷層亦可用作絕緣層。
根據以上結果，確認了本發明之有用性。
1‧‧‧鍍敷用構件
2‧‧‧支承體
2x、A‧‧‧符號
3、13、23、33‧‧‧母鍍敷層(基底膜)
3A‧‧‧塗膜
4、24‧‧‧光阻層
4a、Ma、24a、34a‧‧‧開口部
5、25、35‧‧‧觸媒(無電解鍍敷用觸媒)
6‧‧‧金屬配線
10、20、30‧‧‧鍍敷處理品
16、26、36‧‧‧金屬配線(導電構件)
34‧‧‧光阻劑
M‧‧‧光罩
Mb‧‧‧遮光部
L‧‧‧紫外線
S‧‧‧溶劑
ES‧‧‧無電解鍍敷液
圖1係配線圖案之製造方法中使用之鍍敷用構件的說明圖。
圖2A係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖2B係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖3A係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖3B係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖3C係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖3D係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖3E係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖4A係表示配線圖案之製造方法的步驟圖。
圖4B係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖4C係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖5A係表示配線圖案之製造方法的步驟圖。
圖5B係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖5C係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖6A係表示配線圖案之製造方法的步驟圖。
圖6B係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖6C係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖6D係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖6E係表示配線圖案之製造方法的說明圖。
圖7A係表示參考例的結果的照片。
圖7B係表示參考例的結果的照片。
圖8係表示參考例的結果的照片。
圖9係表示實施例1的結果的照片。
圖10A係表示實施例1的結果的照片。
圖10B係表示實施例1的結果的照片。
圖10C係表示實施例1的結果的照片。
圖11係表示實施例1的結果的照片。
圖12A係表示實施例1的結果的圖。
圖12B係表示實施例1的結果的圖。
圖13係表示實施例1的結果的照片。
圖14係表示實施例1的結果的表。
圖15係表示實施例2的結果的照片。
圖16A係表示實施例3的結果的照片。
圖16B係表示實施例3的結果的照片。
圖17A係表示實施例4的結果的照片。
圖17B係表示實施例4的結果的照片。
圖18A係表示實施例4的結果的照片。
圖18B係表示實施例4的結果的照片。
圖19係表示實施例4的結果的照片。
2‧‧‧支承體
2x‧‧‧支承體2表面未形成母鍍敷層13之部分
3A‧‧‧塗膜
13‧‧‧母鍍敷層
16‧‧‧金屬配線
M‧‧‧光罩
Ma‧‧‧開口部
Mb‧‧‧遮光部
S‧‧‧溶劑

Claims (13)

  1. 一種配線圖案之製造方法，其具有如下步驟：於具透光性的支承體，選擇性地形成包含具透光性之基材與平均粒徑為100 nm以下之氧化鋁粒子的基底膜；於上述基底膜的表面的至少一部分載持無電解鍍敷用觸媒；及使無電解鍍敷液接觸上述基底膜的表面而進行無電解鍍敷。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線圖案之製造方法，其具有如下步驟：上述基材具有絕緣性，且重疊於設在上述支承體的導電構件以形成上述基底膜；及於上述基底膜之表面且未與上述導電構件接觸的位置，載持上述無電解鍍敷用觸媒。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之配線圖案之製造方法，其中，上述基材係光硬化性樹脂；於上述支承體配置包含上述基材前驅物與上述氧化鋁粒子的溶液之後，選擇性地進行光照射，藉此形成上述基底膜。
  4. 如申請專利範圍第3項之配線圖案之製造方法，其中，上述光硬化性樹脂係紫外線硬化性樹脂。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，於上述基底膜的整個表面載持上述無電解 鍍敷用觸媒，對上述基底膜的整個表面進行無電解鍍敷。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，上述支承體的形成材料係非金屬材料。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之配線圖案之製造方法，其中，上述支承體的形成材料係樹脂材料。
  8. 如申請專利範圍第7項之配線圖案之製造方法，其中，上述支承體具可撓性。
  9. 一種鍍敷用構件，其具有：具透光性的支承體、及選擇性地形成於該支承體表面上的基底膜；上述基底膜具有具透光性的基材與平均粒徑為100 nm以下的氧化鋁粒子。
  10. 如申請專利範圍第9項之鍍敷用構件，其中，上述基材的形成材料係紫外線硬化性樹脂。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之鍍敷用構件，其中，上述支承體的形成材料係非金屬材料。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之鍍敷用構件，其中，上述支承體的形成材料係樹脂材料。
  13. 如申請專利範圍第12項之鍍敷用構件，其中，上述支承體具可撓性。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6149466B2 (ja) * 2013-03-29 2017-06-21 Jsr株式会社 導電性パターン形成方法、樹脂組成物、導電性パターンおよび電子回路
JP2015089951A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 キヤノン・コンポーネンツ株式会社 金属皮膜付物品及びその製造方法並びに配線板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1676937B1 (en) * 2004-11-26 2016-06-01 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. UV curable catalyst compositions
JP5037168B2 (ja) * 2007-02-23 2012-09-26 株式会社カネカ 無電解めっき用材料、積層体及びプリント配線板
JP2009068106A (ja) * 2007-08-22 2009-04-02 Osaka Prefecture 金属皮膜を有するポリマー基材の製造方法及びポリマー基材。
JP2010173170A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Toppan Printing Co Ltd カード

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