CN113133225B - 一种用于多层板和hdi板的水平沉铜工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明属于沉铜工艺技术领域，具体涉及一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺。本发明水平沉铜工艺的步骤为：在超声条件下，对基材进行膨松处理，对膨松处理后基材进行除胶处理，对除胶处理后基材进行预中和、中和处理，对中和处理后基材进行整孔处理，对整孔处理后基材进行微蚀处理，对微蚀处理后基材进行预浸、活化处理，对活化处理后基材进行还原处理，将还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，水洗，烘干。采用本发明所得沉铜背光稳定，背光级数达10级。采用本发明的水平沉铜工艺所得镀层附着性、抗热冲击能力强，具有极佳的可靠性测试表现，通过10次热冲击测试，无爆板、无分层、无白点、内层铜无分离。
Description
技术领域
本发明属于沉铜工艺技术领域，具体涉及一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺。
背景技术
在多层板和高密度互连板(HDI板)制造技术中，关键的就是沉铜工序。它主要的作用就是使双面和多层印制电路板的非金属孔，通过氧化还原反应在孔壁上沉积一层均匀的导电层，再经过电镀加厚镀铜，达到回路的目的。要达到此目的就必须选择性能稳定、可靠的沉铜液和制定正确、可行的以及有效的沉铜工艺。随着社会对环境保护意识愈渐强求，传统龙门沉铜因为使用大量络合剂、甲醛等环境不友好材料而引发许多诟病之处，水平沉铜愈来愈受到印制电路生产商的青睐。水平沉铜工艺在制程能力、设备自动化集成、环境友好、产品品质和生产效率等方面都有着巨大的优势。
然而，现有的用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺存在沉铜背光不良、沉铜层耐热冲击性能差等问题。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺。采用本发明的水平沉铜工艺所得沉铜背光稳定，背光级数达10级。采用本发明的水平沉铜工艺所得镀层附着性、抗热冲击能力强，具有极佳的可靠性测试表现，通过10次热冲击测试(288℃维持10秒)，无爆板、无分层、无白点、内层铜无分离。
本发明的技术方案是：
一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，步骤如下：
S1在超声条件下，使用膨松液对基材进行膨松处理，超声功率为100-200W，膨松温度为70-80℃，膨松时间为60-90S，水洗，得膨松处理后基材；
S2在超声条件下，使用除胶剂对步骤S1所得膨松处理后基材进行除胶处理，超声功率为100-200W，除胶温度为75-85℃，除胶时间为150-180S，水洗，得除胶处理后基材；
S3使用预中和剂对步骤S2所得除胶处理后基材进行预中和处理，预中和温度为20-30℃，预中和时间为8-15S，使用中和液对预中和后的基材进行中和处理，中和温度为25-35℃，中和时间为30-40S，水洗，得中和处理后基材；
S4在超声条件下，使用整孔剂对步骤S3所得中和处理后基材进行整孔处理，超声功率为100-200W，整孔温度为40-50℃，整孔时间为35-45S，水洗，得整孔处理后基材；
S5使用微蚀剂对步骤S4所得整孔处理后基材进行微蚀处理，微蚀温度为20-30℃，微蚀时间为40-50S，水洗，得微蚀处理后基材；
S6使用预浸剂对步骤S5所得微蚀处理后基材进行预浸处理，预浸温度为20-30℃，预浸时间为10-20S，在超声条件下，使用活化剂对预浸后的基材进行活化处理，超声功率为100-200W，活化温度为40-50℃，活化时间为40-50S，水洗，得活化处理后基材；
S7使用还原液对步骤S6所得活化处理后基材进行还原处理，还原温度为20-30℃，还原时间为30-40S，水洗，得还原处理后基材；
S8将步骤S7所得还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，水洗，烘干。
进一步地，所述活化剂包括以下质量浓度的组分：二氨基吡啶40-60g/L，硫酸钯8-15g/L，氢氧化钠4-6g/L，聚乙二醇4-6g/L。
进一步地，所述活化剂包括以下质量浓度的组分：二氨基吡啶50g/L，硫酸钯11.2g/L，氢氧化钠5g/L，聚乙二醇5g/L。
进一步地，所述聚乙二醇的分子量为8000。
进一步地，所述水平沉铜液包括以下质量浓度的组分：五水硫酸铜14-20g/L，还原剂10-17g/L，络合剂15-20g/L，附着力增强剂3-5g/L，柠檬酸铵17-22g/L，顺丁烯二酸3-8mg/L。
进一步地，所述水平沉铜液包括以下质量浓度的组分：五水硫酸铜16g/L，还原剂14g/L，络合剂18g/L，附着力增强剂4g/L，柠檬酸铵21g/L，顺丁烯二酸7mg/L。
进一步地，所述还原剂由乙醛酸和次磷酸钠按质量比1-3:15-20组成。
进一步地，所述还原剂由乙醛酸和次磷酸钠按质量比2:17组成。
进一步地，所述络合剂由酒石酸钾钠和甘氨酸按质量比8-15:1组成。
进一步地，所述络合剂由酒石酸钾钠和甘氨酸按质量比10:1组成。
进一步地，所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比12-15:2-3组成。
进一步地，所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比13:2组成。
进一步地，所述沉铜的条件为：温度为25-35℃，时间为200-280S。
本发明中，在活化剂中加入的特定分子量的聚乙二醇，不仅可以提高活化剂的稳定性，还可以起到细化钯颗粒的作用，使沉积更加均匀、紧密的吸附在孔壁，显著提高背光效果。本发明中，在水平沉铜液中加入的由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按一定质量比组成的附着力增强剂，可以大大提高铜层与基材之间的结合力，使所得沉铜层具有优异的耐热冲击性能，使所得产品可以抵抗生产以及使用过程中遭受的热冲击。
与现有技术相比，本发明具有以下优势：
(1)采用本发明的水平沉铜工艺所得镀层具有绝佳的镀层覆盖能力，除在一般板材外，也表现在高Tg及高效能板材，采用本发明的水平沉铜工艺可以使内层铜与孔铜具有较佳的结合力。
(2)本发明的水平沉铜工艺沉积速率快，无粗糙，无镀层分离的情形，采用本发明的水平沉铜工艺可以获得优良可靠的化学铜沉积层，对于盲孔、通孔均能沉积良好的化学铜层。
(3)采用本发明的水平沉铜工艺所得沉铜背光稳定，背光级数达10级。
(4)采用本发明的水平沉铜工艺所得镀层附着性、抗热冲击能力强，具有极佳的可靠性测试表现，可通过10次热冲击测试(288℃维持10秒)。
(5)本发明水平沉铜工艺中未使用镍及氰化物，可以节能降耗，重金属排放低，属于环保型技术。
具体实施方式
以下通过具体实施方式的描述对本发明作进一步说明，但这并非是对本发明的限制，本领域技术人员根据本发明的基本思想，可以做出各种修改或改进，但是只要不脱离本发明的基本思想，均在本发明的范围之内。
本发明中，如无特殊说明所用原料均为市售。如羟乙基纤维素可购自广州羽萱生物科技有限公司，货号：YX-QP100；非离子聚丙烯酰胺可购自浙江鑫甬生物化工股份有限公司，货号：4901。
实施例1、一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺
所述用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，步骤如下：
S1在超声条件下，使用膨松液对基材(电路板FR-4 4*4mm)进行膨松处理，所述膨松液中含有的组分及其含量为：膨松剂DC-101 200mL/L，氢氧化钠1g/L，所述膨松剂DC-101由以下组分及其质量百分数组成：二乙二醇丁醚40％，水60％，超声功率为100W，膨松温度为70℃，膨松时间为60S，水洗，得膨松处理后基材；
S2在超声条件下，使用除胶剂对步骤S1所得膨松处理后基材进行除胶处理，所述除胶剂中含有的组分及其含量为：高锰酸钠65g/L，氢氧化钠45g/L，超声功率为100W，除胶温度为75℃，除胶时间为150S，水洗，得除胶处理后基材；
S3使用预中和剂对步骤S2所得除胶处理后基材进行预中和处理，所述预中和剂中含有的组分及其含量为：浓度为98％的浓硫酸50mL/L，浓度为35％的双氧水30mL/L，预中和温度为20℃，预中和时间为8S，使用中和液对预中和后的基材进行中和处理，所述中和液中含有的组分及其含量为：中和剂DC-102100mL/L，浓度为35％的双氧水15mL/L，所述中和剂DC-102由以下组分及其质量百分数组成：浓度为98％的浓硫酸60％，4-羟基苯磺酸5％，水35％，中和温度为25℃，中和时间为30S，水洗，得中和处理后基材；
S4在超声条件下，使用整孔剂DC-103对步骤S3所得中和处理后基材进行整孔处理，所述整孔剂DC-103由以下组分及其质量百分数组成：乙醇胺60％，磷酸氢二钠6％，三异丙醇胺4％，水30％，超声功率为100W，整孔温度为40℃，整孔时间为35S，水洗，得整孔处理后基材；
S5使用微蚀剂对步骤S4所得整孔处理后基材进行微蚀处理，所述微蚀剂中含有的组分及其含量为：浓度为98％的浓硫酸40mL/L，过硫酸钠80g/L，微蚀温度为20℃，微蚀时间为40S，水洗，得微蚀处理后基材；
S6使用预浸剂DC-104对步骤S5所得微蚀处理后基材进行预浸处理，所述预浸剂DC-104由以下组分及其质量百分数组成：氯化钠20％，水80％，预浸温度为20℃，预浸时间为10S，在超声条件下，使用活化剂对预浸后的基材进行活化处理，超声功率为100W，活化温度为40℃，活化时间为40S，水洗，得活化处理后基材；
S7使用还原液对步骤S6所得活化处理后基材进行还原处理，所述还原液中含有的组分及其含量为：还原剂DC-106 15mL/L，硼酸5g/L，所述还原剂DC-106由以下组分及其质量百分数组成：质量分数为50％的硫酸20％，二甲胺硼烷10％，甘油10％，水60％，还原温度为20℃，还原时间为30S，水洗，得还原处理后基材；
S8将步骤S7所得还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，所述沉铜的条件为：温度为25℃，时间为200S，水洗，烘干。
所述步骤S6所述活化剂包括以下质量浓度的组分：二氨基吡啶40g/L，硫酸钯8g/L，氢氧化钠4g/L，分子量为8000的聚乙二醇4g/L。
所述活化剂的制备方法为：
先将硫酸钯、氢氧化钠分别溶于水制备各自的水溶液，然后将硫酸钯水溶液、氢氧化钠水溶液混合，搅拌均匀，加入二氨基吡啶、聚乙二醇，搅拌均匀，即得。
所述水平沉铜液包括以下质量浓度的组分：五水硫酸铜14g/L，还原剂10g/L，络合剂15g/L，附着力增强剂3g/L，柠檬酸铵17g/L，顺丁烯二酸3mg/L；所述还原剂由乙醛酸和次磷酸钠按质量比1:20组成；所述络合剂由酒石酸钾钠和甘氨酸按质量比8:1组成；所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比12:3组成。
所述水平沉铜液的制备方法，步骤如下：
先将五水硫酸铜、还原剂、络合剂、附着力增强剂、柠檬酸铵、顺丁烯二酸分别溶于水制备各自的水溶液，然后将五水硫酸铜水溶液与络合剂水溶液混合，混合均匀后加入顺丁烯二酸水溶液、还原剂水溶液、附着力增强剂水溶液，搅拌均匀，加入柠檬酸铵水溶液，调节pH至10，搅拌均匀，即得。
实施例2、一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺
所述用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，步骤如下：
S1在超声条件下，使用膨松液对基材(电路板FR-4 4*4mm)进行膨松处理，所述膨松液中含有的组分及其含量为：膨松剂DC-101 200mL/L，氢氧化钠1g/L，所述膨松剂DC-101由以下组分及其质量百分数组成：二乙二醇丁醚40％，水60％，超声功率为200W，膨松温度为80℃，膨松时间为90S，水洗，得膨松处理后基材；
S2在超声条件下，使用除胶剂对步骤S1所得膨松处理后基材进行除胶处理，所述除胶剂中含有的组分及其含量为：高锰酸钠65g/L，氢氧化钠45g/L，超声功率为200W，除胶温度为85℃，除胶时间为180S，水洗，得除胶处理后基材；
S3使用预中和剂对步骤S2所得除胶处理后基材进行预中和处理，所述预中和剂中含有的组分及其含量为：浓度为98％的浓硫酸50mL/L，浓度为35％的双氧水30mL/L，预中和温度为30℃，预中和时间为15S，使用中和液对预中和后的基材进行中和处理，所述中和液中含有的组分及其含量为：中和剂DC-102100mL/L，浓度为35％的双氧水15mL/L，所述中和剂DC-102由以下组分及其质量百分数组成：浓度为98％的浓硫酸60％，4-羟基苯磺酸5％，水35％，中和温度为35℃，中和时间为40S，水洗，得中和处理后基材；
S4在超声条件下，使用整孔剂DC-103对步骤S3所得中和处理后基材进行整孔处理，所述整孔剂DC-103由以下组分及其质量百分数组成：乙醇胺60％，磷酸氢二钠6％，三异丙醇胺4％，水30％，超声功率为200W，整孔温度为50℃，整孔时间为45S，水洗，得整孔处理后基材；
S5使用微蚀剂对步骤S4所得整孔处理后基材进行微蚀处理，所述微蚀剂中含有的组分及其含量为：浓度为98％的浓硫酸40mL/L，过硫酸钠80g/L，微蚀温度为30℃，微蚀时间为50S，水洗，得微蚀处理后基材；
S6使用预浸剂DC-104对步骤S5所得微蚀处理后基材进行预浸处理，所述预浸剂DC-104由以下组分及其质量百分数组成：氯化钠20％，水80％，预浸温度为30℃，预浸时间为20S，在超声条件下，使用活化剂对预浸后的基材进行活化处理，超声功率为200W，活化温度为50℃，活化时间为50S，水洗，得活化处理后基材；
S7使用还原液对步骤S6所得活化处理后基材进行还原处理，所述还原液中含有的组分及其含量为：还原剂DC-106 15mL/L，硼酸5g/L，所述还原剂DC-106由以下组分及其质量百分数组成：质量分数为50％的硫酸20％，二甲胺硼烷10％，甘油10％，水60％，还原温度为30℃，还原时间为40S，水洗，得还原处理后基材；
S8将步骤S7所得还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，所述沉铜的条件为：温度为35℃，时间为280S，水洗，烘干。
所述步骤S6所述活化剂包括以下质量浓度的组分：二氨基吡啶60g/L，硫酸钯15g/L，氢氧化钠6g/L，分子量为8000的聚乙二醇6g/L。
所述水平沉铜液包括以下质量浓度的组分：五水硫酸铜20g/L，还原剂17g/L，络合剂20g/L，附着力增强剂5g/L，柠檬酸铵22g/L，顺丁烯二酸8mg/L；所述还原剂由乙醛酸和次磷酸钠按质量比3:15组成；所述络合剂由酒石酸钾钠和甘氨酸按质量比15:1组成；所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比15:2组成。
所述活化剂、水平沉铜液的制备方法与实施例1类似。
实施例3、一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺
所述用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，步骤如下：
S1在超声条件下，使用膨松液对基材(电路板FR-4 4*4mm)进行膨松处理，所述膨松液中含有的组分及其含量为：膨松剂DC-101 200mL/L，氢氧化钠1g/L，所述膨松剂DC-101由以下组分及其质量百分数组成：二乙二醇丁醚40％，水60％，超声功率为150W，膨松温度为75℃，膨松时间为70S，水洗，得膨松处理后基材；
S2在超声条件下，使用除胶剂对步骤S1所得膨松处理后基材进行除胶处理，所述除胶剂中含有的组分及其含量为：高锰酸钠65g/L，氢氧化钠45g/L，超声功率为150W，除胶温度为80℃，除胶时间为160S，水洗，得除胶处理后基材；
S3使用预中和剂对步骤S2所得除胶处理后基材进行预中和处理，所述预中和剂中含有的组分及其含量为：浓度为98％的浓硫酸50mL/L，浓度为35％的双氧水30mL/L，预中和温度为25℃，预中和时间为11S，使用中和液对预中和后的基材进行中和处理，所述中和液中含有的组分及其含量为：中和剂DC-102100mL/L，浓度为35％的双氧水15mL/L，所述中和剂DC-102由以下组分及其质量百分数组成：浓度为98％的浓硫酸60％，4-羟基苯磺酸5％，水35％，中和温度为30℃，中和时间为35S，水洗，得中和处理后基材；
S4在超声条件下，使用整孔剂DC-103对步骤S3所得中和处理后基材进行整孔处理，所述整孔剂DC-103由以下组分及其质量百分数组成：乙醇胺60％，磷酸氢二钠6％，三异丙醇胺4％，水30％，超声功率为150W，整孔温度为45℃，整孔时间为42S，水洗，得整孔处理后基材；
S5使用微蚀剂对步骤S4所得整孔处理后基材进行微蚀处理，所述微蚀剂中含有的组分及其含量为：浓度为98％的浓硫酸40mL/L，过硫酸钠80g/L，微蚀温度为25℃，微蚀时间为45S，水洗，得微蚀处理后基材；
S6使用预浸剂DC-104对步骤S5所得微蚀处理后基材进行预浸处理，所述预浸剂DC-104由以下组分及其质量百分数组成：氯化钠20％，水80％，预浸温度为25℃，预浸时间为16S，在超声条件下，使用活化剂对预浸后的基材进行活化处理，超声功率为150W，活化温度为45℃，活化时间为45S，水洗，得活化处理后基材；
S7使用还原液对步骤S6所得活化处理后基材进行还原处理，所述还原液中含有的组分及其含量为：还原剂DC-106 15mL/L，硼酸5g/L，所述还原剂DC-106由以下组分及其质量百分数组成：质量分数为50％的硫酸20％，二甲胺硼烷10％，甘油10％，水60％，还原温度为25℃，还原时间为35S，水洗，得还原处理后基材；
S8将步骤S7所得还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，所述沉铜的条件为：温度为30℃，时间为230S，水洗，烘干。
所述步骤S6所述活化剂包括以下质量浓度的组分：二氨基吡啶50g/L，硫酸钯11.2g/L，氢氧化钠5g/L，分子量为8000的聚乙二醇5g/L。
所述水平沉铜液包括以下质量浓度的组分：五水硫酸铜16g/L，还原剂14g/L，络合剂18g/L，附着力增强剂4g/L，柠檬酸铵21g/L，顺丁烯二酸7mg/L；所述还原剂由乙醛酸和次磷酸钠按质量比2:17组成；所述络合剂由酒石酸钾钠和甘氨酸按质量比10:1组成；所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比13:2组成。
所述活化剂、水平沉铜液的制备方法与实施例1类似。
对比例1、一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺
所述用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺与实施例3类似。
与实施例3的不同在于，活化剂中聚乙二醇的分子量为6000。
对比例2、一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺
所述用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺与实施例3类似。
与实施例3的不同在于，所述络合剂中未添加甘氨酸。
对比例3、一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺
所述用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺与实施例3类似。
与实施例3的不同在于，所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比1:1组成。
对比例4、一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺
所述用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺与实施例3类似。
与实施例3的不同在于，所述附着力增强剂为羟乙基纤维素。
试验例一、耐热冲击性能测试
以采用实施例3、对比例2、对比例3、对比例4的水平沉铜工艺所得样品作为测试板进行耐热冲击性能测试，温度：288℃，每次时间：10秒。测试结果如表1所示。
表1：耐热冲击性能测试结果
由表1可以看出，采用本发明提供的水平沉铜工艺所得样品通过10次热冲击测试(288℃维持10秒)，无爆板、无分层、无白点、内层铜无分离，具有优异的耐热冲击性能；而采用对比例2、3的水平沉铜工艺所得样品经过8次热冲击测试，即出现爆板、分层、白点、内层铜分离等缺陷；采用对比例4的水平沉铜工艺所得样品经过6次热冲击测试，即出现爆板、分层、白点、内层铜分离等缺陷；与对比例2-4相比，采用本发明水平沉铜工艺所得沉铜层具有更为优异的耐热冲击性能。
试验例二、背光级数测试
以采用实施例3、对比例1的水平沉铜工艺所得样品作为测试板进行背光级数测试，测试结果如表2所示。
表2：背光级数测试结果
| 项目 | 实施例3 | 对比例1 |
| 背光级数 | 10级 | 9级 |
由表2可以看出，采用本发明提供的水平沉铜工艺所得产品的背光级数高达10级，这说明本发明提供的水平沉铜工艺沉铜效果好；而采用对比例1的水平沉铜工艺所得样品的背光级数分别为9级，由此可见，与对比例1相比，采用本发明水平沉铜工艺所得产品的背光级数更高，具有更佳的沉铜效果。
Claims (7)
1.一种用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，其特征在于，步骤如下：
S1在超声条件下，使用膨松液对基材进行膨松处理，超声功率为100-200W，膨松温度为70-80℃，膨松时间为60-90S，水洗，得膨松处理后基材；
S2在超声条件下，使用除胶剂对步骤S1所得膨松处理后基材进行除胶处理，超声功率为100-200W，除胶温度为75-85℃，除胶时间为150-180S，水洗，得除胶处理后基材；
S3使用预中和剂对步骤S2所得除胶处理后基材进行预中和处理，预中和温度为20-30℃，预中和时间为8-15S，使用中和液对预中和后的基材进行中和处理，中和温度为25-35℃，中和时间为30-40S，水洗，得中和处理后基材；
S4在超声条件下，使用整孔剂对步骤S3所得中和处理后基材进行整孔处理，超声功率为100-200W，整孔温度为40-50℃，整孔时间为35-45S，水洗，得整孔处理后基材；
S5使用微蚀剂对步骤S4所得整孔处理后基材进行微蚀处理，微蚀温度为20-30℃，微蚀时间为40-50S，水洗，得微蚀处理后基材；
S6使用预浸剂对步骤S5所得微蚀处理后基材进行预浸处理，预浸温度为20-30℃，预浸时间为10-20S，在超声条件下，使用活化剂对预浸后的基材进行活化处理，超声功率为100-200W，活化温度为40-50℃，活化时间为40-50S，水洗，得活化处理后基材；
S7使用还原液对步骤S6所得活化处理后基材进行还原处理，还原温度为20-30℃，还原时间为30-40S，水洗，得还原处理后基材；
S8将步骤S7所得还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，水洗，烘干；所述步骤S8所述水平沉铜液包括以下质量浓度的组分：五水硫酸铜14-20g/L，还原剂10-17g/L，络合剂15-20g/L，附着力增强剂3-5g/L，柠檬酸铵17-22g/L，顺丁烯二酸3-8mg/L；
所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比12-15:2-3组成。
2.如权利要求1所述的用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，其特征在于，所述活化剂包括以下质量浓度的组分：二氨基吡啶40-60g/L，硫酸钯8-15g/L，氢氧化钠4-6g/L，聚乙二醇4-6g/L。
3.如权利要求2所述的用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，其特征在于，所述活化剂包括以下质量浓度的组分：二氨基吡啶50g/L，硫酸钯11.2g/L，氢氧化钠5g/L，聚乙二醇5g/L。
4.如权利要求2所述的用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，其特征在于，所述聚乙二醇的分子量为8000。
5.如权利要求1所述的用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，其特征在于，所述水平沉铜液包括以下质量浓度的组分：五水硫酸铜16g/L，还原剂14g/L，络合剂18g/L，附着力增强剂4g/L，柠檬酸铵21g/L，顺丁烯二酸7mg/L。
6.如权利要求1所述的用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，其特征在于，所述附着力增强剂由羟乙基纤维素和非离子聚丙烯酰胺按质量比13:2组成。
7.如权利要求1所述的用于多层板和HDI板的水平沉铜工艺，其特征在于，所述沉铜的条件为：温度为25-35℃，时间为200-280S。
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