JP2014157893A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014157893A5 JP2014157893A5 JP2013027303A JP2013027303A JP2014157893A5 JP 2014157893 A5 JP2014157893 A5 JP 2014157893A5 JP 2013027303 A JP2013027303 A JP 2013027303A JP 2013027303 A JP2013027303 A JP 2013027303A JP 2014157893 A5 JP2014157893 A5 JP 2014157893A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- semiconductor layer
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、（ａ）基板上に、第１の導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、（ｂ）前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に、第１の半導体層およびその上の第２の半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、（ｄ）前記半導体層を覆うように第２の導電膜を成膜し、所定のエッチングプロセスにより、前記第２の導電膜を加工して前記半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域に前記半導体膜を露出させる工程と、を備え、前記工程（ｄ）では、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域において、前記第２の導電膜が除去され、前記第１の半導体層が露出するものである。
Claims (1)
- （ａ）基板上に、第１の導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、
（ｂ）前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に、第１の半導体層およびその上の第２の半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、
（ｄ）前記半導体層を覆うように第２の導電膜を成膜し、所定のエッチングプロセスにより、前記第２の導電膜を加工して前記半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域に前記半導体膜を露出させる工程と、を備え、
前記工程（ｄ）では、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域において、前記第２の導電膜が除去され、前記第１の半導体層が露出する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013027303A JP6025595B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013027303A JP6025595B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014157893A JP2014157893A (ja) | 2014-08-28 |
| JP2014157893A5 true JP2014157893A5 (ja) | 2014-11-20 |
| JP6025595B2 JP6025595B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=51578606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013027303A Active JP6025595B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6025595B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160108944A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| JP6747247B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2020-08-26 | 日立金属株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6429816B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2018-11-28 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置 |
| WO2017168594A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示パネル及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| CN107104108B (zh) * | 2017-05-19 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3798133B2 (ja) * | 1997-11-21 | 2006-07-19 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 薄膜トランジスタおよびこれを用いた液晶表示装置並びにｔｆｔアレイ基板の製造方法 |
| KR100303446B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2002-10-04 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
| KR101325053B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| WO2009093625A1 (ja) * | 2008-01-23 | 2009-07-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置 |
| JP5345349B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
| WO2010047288A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductordevice |
| JP5690063B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2015-03-25 | 出光興産株式会社 | Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物焼結体スパッタリングターゲット及び薄膜トランジスタ |
| JP2012028481A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Fujifilm Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| US8936965B2 (en) * | 2010-11-26 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2012146956A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-08-02 | Canon Inc | チャネルエッチ型薄膜トランジスタとその製造方法 |
| US20130270109A1 (en) * | 2010-12-28 | 2013-10-17 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor |
| JP2012178493A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP5766467B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置 |
-
2013
- 2013-02-15 JP JP2013027303A patent/JP6025595B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013102154A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016139777A5 (ja) | 半導体装置および半導体装置の作製方法 | |
| JP2015156515A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012080096A5 (ja) | ||
| JP2015188079A5 (ja) | ||
| JP2016146478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016006871A5 (ja) | ||
| JP2012164976A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014202838A5 (ja) | ||
| JP2012160716A5 (ja) | ||
| JP2014158018A5 (ja) | ||
| JP2013016785A5 (ja) | ||
| JP2009111375A5 (ja) | ||
| JP2014179625A5 (ja) | ||
| JP2017034246A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012160719A5 (ja) | ||
| JP2012049514A5 (ja) | ||
| JP2014212305A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013153160A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012199527A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2015135953A5 (ja) | ||
| JP2015213072A5 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| JP2015114460A5 (ja) | ||
| JP2010267899A5 (ja) | ||
| JP2015073092A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 |