JP2014157893A5 - - Google Patents
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また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、(a)基板上に、第1の導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、(b)前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、(c)前記ゲート絶縁膜上に、第1の半導体層およびその上の第2の半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、(d)前記半導体層を覆うように第2の導電膜を成膜し、所定のエッチングプロセスにより、前記第2の導電膜を加工して前記半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域に前記半導体膜を露出させる工程と、を備え、前記工程(d)では、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域において、前記第2の導電膜が除去され、前記第1の半導体層が露出するものである。
Claims (1)
- (a)基板上に、第1の導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、
(b)前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記ゲート絶縁膜上に、第1の半導体層およびその上の第2の半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、
(d)前記半導体層を覆うように第2の導電膜を成膜し、所定のエッチングプロセスにより、前記第2の導電膜を加工して前記半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域に前記半導体膜を露出させる工程と、を備え、
前記工程(d)では、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域において、前記第2の導電膜が除去され、前記第1の半導体層が露出する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
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