JP2008182214A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 光電変換素子と、
   前記光電変換素子に電気的に接続された回路と、
   前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
   前記回路に電気的に接続された第２の端子と、
   前記第１の端子および前記第２の端子に隣接して設けられた導電膜と、を有し、
   前記導電膜は、前記光電変換素子、前記回路、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
   前記導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
   前記導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 光電変換素子と、
   前記光電変換素子に電気的に接続された回路と、
   前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
   前記回路に電気的に接続された第２の端子と、
   前記第１の端子および前記第２の端子に隣接して設けられた導電膜と、
   前記光電変換素子および前記回路を覆う絶縁層と、を有し、
   前記導電膜は、前記光電変換素子、前記回路、前記第１の端子、および前記第２の端子、に電気的に接続されず、
   前記第１の端子、前記第２の端子、および前記導電膜は、前記絶縁層上に設けられ、
   前記導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
   前記導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁表面上に設けられた、トランジスタ、および前記トランジスタに電気的に接続された光電変換素子と、
   前記トランジスタおよび前記光電変換素子上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層に設けられた第１のコンタクトホールを介して、前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
   前記絶縁層に設けられた第２のコンタクトホールを介して、前記トランジスタに電気的に接続された第２の端子と、
   前記第１の端子および前記第２の端子と同一面上に設けられた導電膜と、を有し、
   前記導電膜は、前記光電変換素子、前記トランジスタ、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
   前記導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
   前記導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記光電変換素子は光電変換層を有し、
   前記導電膜は、光を反射する膜を有し、
   前記導電膜は、前記光電変換層と重なることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記光電変換素子は光電変換層を有し、
   前記導電膜は、光を反射する膜を有し、
   前記導電膜は、前記光電変換層と重ならないことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記導電膜の面積は、前記第１の端子および前記第２の端子のうち大きい方の端子の面積の２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
7. 絶縁表面上に設けられた、トランジスタ、および前記トランジスタに電気的に接続された光電変換素子と、
   前記トランジスタおよび前記光電変換素子上に設けられた第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に設けられた第１の導電膜と、
   前記第１の絶縁層および前記第１の導電膜上に設けられた第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層に設けられた第１のコンタクトホールを介して、前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
   前記第２の絶縁層に設けられた第２のコンタクトホールを介して、前記トランジスタに電気的に接続された第２の端子と、
   前記第１の端子および前記第２の端子と同一面上に設けられた第２の導電膜と、を有し、
   前記第１の導電膜は、前記光電変換素子、前記トランジスタ、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
   前記第２の導電膜は、前記光電変換素子、前記トランジスタ、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
   前記第１の導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
   前記第１の導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きく、
   前記第２の導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
   前記第２の導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載した半導体装置を用いることを特徴とする電子機器。
9. 請求項８に記載した電子機器は、コンピュータ、ディスプレイ、携帯電話、またはテレビであることを特徴とする電子機器。