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  1. 画素を有する画素部と、前記画素部の外側の回路とを有し、
    前記画素は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、発光素子と、容量素子と、第1の配線と、第2の配線と、を有し
    記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の配線に電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと、前記容量素子の一方の端子と、に電気的に接続され、
    前記容量素子の他方の端子は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記発光素子と、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、に電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の配線に電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのチャネル幅とチャネル長Lの比W/Lの値は、前記第3のトランジスタのチャネル幅とチャネル長の比W/Lの値よりも大きく、
    前記第2のトランジスタと、前記第3のトランジスタの少なくとも一は、第1の導電層と、前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層上の第2の絶縁層と、を有し、
    前記回路は、第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層上の前記第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層を介して前記第2の酸化物半導体層と重なる領域を有する第2の導電層と、を有し、
    前記第2の導電層は、電気的に浮遊した状態であることを特徴とする表示装置。
  2. 画素を有する画素部と、前記画素部の外側の回路とを有し、
    前記画素は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、発光素子と、容量素子と、第1の配線と、第2の配線と、を有し
    記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の配線に電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと、前記容量素子の一方の端子と、に電気的に接続され、
    前記容量素子の他方の端子は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記発光素子と、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、に電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の配線に電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのチャネル幅とチャネル長Lの比W/Lの値は、前記第3のトランジスタのチャネル幅とチャネル長の比W/Lの値よりも大きく、
    前記第2のトランジスタと、前記第3のトランジスタの少なくとも一は、第1の導電層と、前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層上の第2の絶縁層と、を有し、
    前記回路は、第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層上の前記第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層を介して前記第2の酸化物半導体層と重なる領域を有する第2の導電層と、を有し、
    前記第2の導電層は、ゲートとしての機能を有することを特徴とする表示装置。
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