JP2021114618A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. マトリクス状に配置された複数の回路を有し、
   前記回路は、シリコンをチャネル形成領域に含む第１のトランジスタと、酸化物半導体をチャネル形成領域に含む第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続された容量素子と、を有する半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に絶縁層が配置され、
   前記絶縁層の上方に、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続される第１の導電層及び第２の導電層と、が配置され、
   前記半導体層の上方に、ゲート絶縁層を間に介して前記第２のトランジスタのゲート電極が配置され、
   前記半導体層の上方に、前記ゲート絶縁層を間に介して前記容量素子の一方の電極としての機能と、前記回路に電位を供給する配線としての機能と、を有する第３の導電層が配置され、
   前記第１の導電層は、前記容量素子の他方の電極としての機能を有し、かつ、前記絶縁層に設けられた開口部を介して前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続される半導体装置。
2. マトリクス状に配置された複数の回路を有し、
   前記回路は、シリコンをチャネル形成領域に含む第１のトランジスタと、酸化物半導体をチャネル形成領域に含む第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続された容量素子と、を有する半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に絶縁層が配置され、
   前記絶縁層の上方に、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続される第１の導電層及び第２の導電層と、が配置され、
   前記半導体層の上方に、ゲート絶縁層を間に介して前記第２のトランジスタのゲート電極が配置され、
   前記半導体層の上方に、前記ゲート絶縁層を間に介して前記容量素子の一方の電極としての機能と、前記回路に電位を供給する配線としての機能と、を有する第３の導電層が配置され、
   前記第１の導電層は、前記容量素子の他方の電極としての機能を有し、かつ、前記絶縁層に設けられた開口部を介して前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
   前記第３の導電層と重なる領域において、前記第１の導電層は、前記半導体層に接している領域と接していない領域とを有する半導体装置。
3. マトリクス状に配置された複数の回路を有し、
   前記回路は、シリコンをチャネル形成領域に含む第１のトランジスタと、酸化物半導体をチャネル形成領域に含む第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続された容量素子と、を有する半導体装置であって、
   前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に絶縁層が配置され、
   前記絶縁層の上方に、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続される第１の導電層及び第２の導電層と、が配置され、
   前記半導体層の上方に、ゲート絶縁層を間に介して前記第２のトランジスタのゲート電極が配置され、
   前記半導体層の上方に、前記ゲート絶縁層を間に介して前記容量素子の一方の電極としての機能と、前記回路に電位を供給する配線としての機能と、を有する第３の導電層が配置され、
   前記第１の導電層は、前記容量素子の他方の電極としての機能を有し、かつ、前記絶縁層に設けられた開口部を介して前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
   前記第３の導電層と重なる領域において、前記第１の導電層は、前記半導体層に接している領域と接していない領域とを有し、
   平面視において、前記第１の導電層が前記半導体層に接している領域は、前記開口部と前記第２のトランジスタのゲート電極との間に配置されている半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、またはスカンジウムから選ばれた元素を単数、または複数含む半導体装置。