JP2016225613A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 第１のメモリセルと、
前記第１のメモリセル上に設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタのチャネル長方向と、前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタのチャネル長方向と、が略垂直である半導体装置。 - 基板上に設けられた第１のメモリセルと、
前記第１のメモリセル上に設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタはチャネル長方向が前記基板の上面に略垂直である半導体装置。 - 基板上に設けられた第１のメモリセルと、
前記第１のメモリセル上に設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、前記基板の上面に略垂直に伸長して設けられた半導体の一部を有する半導体装置。 - 請求項３において、
前記基板の上面に略垂直に伸長して設けられた前記半導体は多結晶シリコンである半導体装置。 - 請求項３又は４のいずれかにおいて、
前記基板の上面に略垂直に伸長して設けられた前記半導体は、円筒状である半導体装置。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (17)
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|---|---|---|---|---|
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| WO2018138619A1 (en) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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| KR102554712B1 (ko) * | 2019-01-11 | 2023-07-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
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| CN113795928A (zh) * | 2019-05-10 | 2021-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
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| KR20210095015A (ko) * | 2020-01-21 | 2021-07-30 | 삼성전자주식회사 | 스몰 스윙 데이터 신호를 전송하는 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
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| US11901004B2 (en) * | 2022-04-08 | 2024-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory array, memory structure and operation method of memory array |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3298974B2 (ja) | 1993-03-23 | 2002-07-08 | 電子科学株式会社 | 昇温脱離ガス分析装置 |
| US6262448B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-07-17 | Infineon Technologies North America Corp. | Memory cell having trench capacitor and vertical, dual-gated transistor |
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| JP2008172164A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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| MY164205A (en) * | 2009-10-29 | 2017-11-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
| CN102576708B (zh) * | 2009-10-30 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| KR101752348B1 (ko) | 2009-10-30 | 2017-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
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| KR101473684B1 (ko) | 2009-12-25 | 2014-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102001820B1 (ko) | 2010-03-19 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법 |
| US9536970B2 (en) | 2010-03-26 | 2017-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same |
| JP2012004473A (ja) | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US10128261B2 (en) | 2010-06-30 | 2018-11-13 | Sandisk Technologies Llc | Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure |
| US9397093B2 (en) | 2013-02-08 | 2016-07-19 | Sandisk Technologies Inc. | Three dimensional NAND device with semiconductor, metal or silicide floating gates and method of making thereof |
| EP2589070B1 (en) | 2010-06-30 | 2019-11-27 | SanDisk Technologies LLC | Ultrahigh density vertical nand memory device and method of making thereof |
| US8187936B2 (en) | 2010-06-30 | 2012-05-29 | SanDisk Technologies, Inc. | Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof |
| US8198672B2 (en) | 2010-06-30 | 2012-06-12 | SanDisk Technologies, Inc. | Ultrahigh density vertical NAND memory device |
| US9159739B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-10-13 | Sandisk Technologies Inc. | Floating gate ultrahigh density vertical NAND flash memory |
| US8349681B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-01-08 | Sandisk Technologies Inc. | Ultrahigh density monolithic, three dimensional vertical NAND memory device |
| US8928061B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-01-06 | SanDisk Technologies, Inc. | Three dimensional NAND device with silicide containing floating gates |
| US8193054B2 (en) | 2010-06-30 | 2012-06-05 | SanDisk Technologies, Inc. | Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof |
| WO2012002186A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8743591B2 (en) * | 2011-04-26 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for driving the same |
| JP2013065638A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
| JP6050662B2 (ja) | 2011-12-02 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| US9312257B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6100559B2 (ja) | 2012-03-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
| JP5651632B2 (ja) | 2012-03-26 | 2015-01-14 | 株式会社東芝 | プログラマブルロジックスイッチ |
| US10403766B2 (en) * | 2012-12-04 | 2019-09-03 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same |
| JP2014175348A (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP5612237B1 (ja) | 2013-05-16 | 2014-10-22 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | Ｓｇｔを有する半導体装置の製造方法 |
| US10103154B2 (en) | 2013-05-16 | 2018-10-16 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing an SGT-including semiconductor device |
| JP2014229740A (ja) | 2013-05-22 | 2014-12-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JP6517720B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-05-22 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
| WO2020157558A1 (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、半導体装置、および、電子機器 |
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Cited By (1)
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