JP2016028434A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の、第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に接する、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上の、第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上の、第２の導電膜と、
前記酸化物半導体膜と、前記第１の導電膜との間の、第１のチタンを含むバッファ層と、
前記酸化物半導体膜と、前記第２の導電膜との間の、第２のチタンを含むバッファ層と、を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、窒化珪素を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、酸化珪素を有し、
前記絶縁膜は、酸化珪素を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記絶縁膜と接し、
前記第２の領域は、前記第１の領域の膜厚より薄い膜厚を有し、
前記第１のチタンを含むバッファ層は、前記第１の導電膜の下端部より、延在した下端部を有し、
前記第２のチタンを含むバッファ層は、前記第２の導電膜の下端部より、延在した下端部を有することを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の、第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に接する、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上の、第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上の、第２の導電膜と、
前記酸化物半導体膜と、前記第１の導電膜との間の、第１のチタンを含むｎ ＋ 層と、
前記酸化物半導体膜と、前記第２の導電膜との間の、第２のチタンを含むｎ ＋ 層と、を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、窒化珪素を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、酸化珪素を有し、
前記絶縁膜は、酸化珪素を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記絶縁膜と接し、
前記第２の領域は、前記第１の領域の膜厚より薄い膜厚を有し、
前記第１のチタンを含むｎ ＋ 層は、前記第１の導電膜の下端部より、延在した下端部を有し、
前記第２のチタンを含むｎ ＋ 層は、前記第２の導電膜の下端部より、延在した下端部を有することを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の、第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の、第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に接する、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜のチャネル形成領域上の、絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上の、第１の導電膜と、
前記酸化物半導体膜上の、第２の導電膜と、
前記酸化物半導体膜と、前記第１の導電膜との間の、第１のチタンを含む層と、
前記酸化物半導体膜と、前記第２の導電膜との間の、第２のチタンを含む層と、を有し、
前記第１のチタンを含む層の導電性は、前記酸化物半導体膜の導電性より高く、
前記第２のチタンを含む層の導電性は、前記酸化物半導体膜の導電性より高く、
前記第１のゲート絶縁膜は、窒化珪素を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、酸化珪素を有し、
前記絶縁膜は、酸化珪素を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記絶縁膜と接し、
前記第２の領域は、前記第１の領域の膜厚より薄い膜厚を有し、
前記第１のチタンを含む層は、前記第１の導電膜の下端部より、延在した下端部を有し、
前記第２のチタンを含む層は、前記第２の導電膜の下端部より、延在した下端部を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ゲート電極層は、遮光性を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート電極層は、アルミニウム、クロム、チタン、タンタル、モリブデン、又は銅を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、酸化インジウムと、酸化ガリウムと、酸化亜鉛とを混合して、焼結したターゲットを用いて形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
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