JP2020107911A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
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- H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
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- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
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- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
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- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
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- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
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- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
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- H01L2924/01—Chemical elements
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0504—14th Group
- H01L2924/05042—Si3N4
Abstract
Description
いう)で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶
表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として
搭載した電子機器に関する。
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
ッチング素子を設けたアクティブマトリクス型の表示装置(液晶表示装置や発光表示装置
や電気泳動式表示装置)が盛んに開発されている。アクティブマトリクス型の表示装置は
、画素(又は1ドット)毎にスイッチング素子が設けられており、単純マトリクス方式に
比べて画素密度が増えた場合に低電圧駆動できるので有利である。
製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導
体膜としてZnOを用いるTFTや、InGaO3(ZnO)mを用いるTFTが挙げら
れる。これらの酸化物半導体膜を用いて形成されたTFTを透光性を有する基板上に形成
し、画像表示装置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献1、特許文献2などで
開示されている。
造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性であることが求められている。
属材料を用いる。特に、大面積の表示を行う表示装置を製造する際、配線の抵抗による信
号の遅延問題が顕著になってくる。従って、配線や電極の材料としては、電気抵抗値の低
い金属材料を用いることが望ましい。電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極層及
びドレイン電極層と、酸化物半導体膜とが直接接する薄膜トランジスタ構造とすると、コ
ンタクト抵抗が高くなる恐れがある。コンタクト抵抗が高くなる原因は、ソース電極層及
びドレイン電極層と、酸化物半導体膜との接触面でショットキー接合が形成されることが
要因の一つと考えられる。
量が形成され、周波数特性(f特性と呼ばれる)が低くなり、薄膜トランジスタの高速動
作を妨げる恐れがある。
どのダメージを受けやすい。ダメージを受けた半導体層を薄膜トランジスタに用いると特
性がばらついてしまう。そこで、酸化物半導体膜を用いる逆スタガ型の薄膜トランジスタ
を作製する場合、チャネル形成領域をダメージから保護するチャネル保護層を設ける構造
は有効である。しかし、チャネル保護層の形成にともないフォトマスクの使用枚数が増え
、工程が煩雑になり、生産性が低下するおそれがある。
体層とソース電極層及びドレイン電極層のコンタクト抵抗が小さく、薄膜トランジスタの
作製工程において酸化物半導体層がダメージを受けにくい薄膜トランジスタを、少ない工
程で作製する方法を提供することを課題の一つとする。
及びドレイン電極層との間にバッファ層を設け、チャネル保護層を設けた逆スタガ型(ボ
トムゲート構造)の薄膜トランジスタの作製方法を含むことを要旨とする。
体層を「IGZO半導体層」とも記す。
のコンタクト抵抗は極力低減することが望まれる。同様に、ドレイン電極とIGZO半導
体層とはオーミック性のコンタクトが必要であり、さらに、そのコンタクト抵抗は極力低
減することが望まれる。
の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。
であるため、チャネル形成領域だけでなくIGZO半導体層のゲート絶縁膜と接する面と
は反対側の領域、所謂バックチャネルを工程時のダメージ(エッチング時のプラズマやエ
ッチング剤による膜減りや、酸化など)から保護することができ、半導体装置の信頼性を
向上させることができる。
層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む
酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル
保護層を形成し、酸化物半導体膜上にn型の導電型を有する膜を形成し、n型の導電型を
有する膜上に導電膜を形成し、導電膜上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用
いて導電膜と、n型の導電型を有する膜と、半導体膜をエッチングして、ソース電極層及
びドレイン電極層と、バッファ層と半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作
製方法である。
層を形成し、ゲート電極層上に透光性のゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にインジ
ウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に透光性の
絶縁膜を形成し、絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成し、ゲート電極をフォトマスクとし
て、フォトレジストに基板側から露光してレジストマスクを形成し、レジストマスクを用
いてチャネル保護層を形成することを特徴とする半導体装置の作成方法である。
チングストッパーとすることを特徴とする半導体装置の作成方法である。
スタを得ることができ、良好な動特性(f特性)を有する薄膜トランジスタを少ない工程
数で作製できる。よって、電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタを有する半導体
装置を生産性に優れた方法で提供できる。
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態お
よび詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本
発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下
に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号
を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体層を用い、半導体層とソー
ス電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層を設け、チャネル保護層を設けた逆スタ
ガ型(ボトムゲート構造)の薄膜トランジスタの作製工程について、図1及び図2を用い
て説明する。
)は図1の工程を経て作製した薄膜トランジスタの平面図であり、図2(B)は図2(A
)におけるA1−A2で切断した断面図である。
ノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基
板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック
基板等を用いることができる。また、ステンレス合金などの金属基板の表面に絶縁膜を設
けた基板を適用しても良い。基板100がマザーガラスの場合、基板の大きさは、第1世
代(320mm×400mm)、第2世代(400mm×500mm)、第3世代(55
0mm×650mm)、第4世代(680mm×880mm、または730mm×920
mm)、第5世代(1000mm×1200mmまたは1100mm×1250mm)、
第6世代(1500mm×1800mm)、第7世代(1900mm×2200mm)、
第8世代(2160mm×2460mm)、第9世代(2400mm×2800mm、2
450mm×3050mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等を用いるこ
とができる。
スパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸
化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよい。
、チタン、タンタル、モリブデン、銅などが適用される。ゲート電極の好適例は、アルミ
ニウム又はアルミニウムとバリア金属の積層構造体によって形成される。バリア金属とし
ては、チタン、モリブデン、クロムなどの高融点金属が適用される。バリア金属はアルミ
ニウムのヒロック防止、酸化防止のために設けることが好ましい。
電極の厚さを300nm以下とすることで、後に形成される半導体膜や配線の段切れ防止
が可能である。また、ゲート電極の厚さを150nm以上とすることで、ゲート電極の抵
抗を低減することが可能であり、大面積化が可能である。
がテーパー状になるように加工することが望ましい。また、図示しないがこの工程でゲー
ト電極に接続する配線や容量配線も同時に形成することができる。
金、銅などの導電性ナノペーストを用いてインクジェット法により導電性粒子等を含む液
滴を吐出し焼成して、ゲート電極層111を形成することができる。
により積層して成膜し、本実施の形態における第1のフォトマスクを用いて形成したレジ
ストマスクを使い、基板上に形成された導電膜をエッチングしてゲート電極層111を形
成する。
珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜で形成することができる。なお、ゲート
絶縁膜を2層とせず、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜
の単層で形成することができるし、また、3層のゲート絶縁膜を形成してもよい。
板とゲート絶縁膜102aの密着力が高まり、基板としてガラス基板を用いた場合、基板
からの不純物が半導体層113に拡散するのを防止することが可能であり、さらにゲート
電極層111の酸化防止が可能である。即ち、膜剥れを防止することができると共に、後
に形成される薄膜トランジスタの電気特性を向上させることができる。また、ゲート絶縁
膜102a、102bはそれぞれ厚さ50nm以上であると、ゲート電極層111の凹凸
を被覆率できるため好ましい。
あって、濃度範囲として酸素が55〜65原子%、窒素が1〜20原子%、Siが25〜
35原子%、水素が0.1〜10原子%の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化珪
素膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、濃度範囲とし
て酸素が15〜30原子%、窒素が20〜35原子%、Siが25〜35原子%、水素が
15〜25原子%の範囲で含まれるものをいう。
ルミニウム、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム
を使うことができる。
成することができる。ここでは、図1(A)のごとくゲート絶縁膜102aとして窒化珪
素膜をプラズマCVD法により成膜し、ゲート絶縁膜102bとして酸化珪素膜をスパッ
タリング法で成膜する。
ましい。連続成膜することで、水蒸気などの大気成分や大気中に浮遊する不純物元素やゴ
ミによる汚染がない積層界面を形成できるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減
できる。
特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。特に、薄膜トランジスタ
の電気特性のうち、しきい値電圧(Vth)が重要である。電界効果移動度が高くともし
きい値電圧値が高い、或いはしきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御するこ
とが困難である。しきい値電圧値が高く、しきい値電圧値の絶対値が大きい薄膜トランジ
スタの場合には、駆動電圧が低い状態では薄膜トランジスタとしてのスイッチング機能を
果たすことができず、負荷となる恐れがある。また、しきい値電圧値がマイナスであると
、ゲート電圧が0Vでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリー
オンとなりやすい。
ネルが形成されて、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を高くし
ないとチャネルが形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成されて
ドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不向きで
ある。よって、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタの
ゲート電圧が0Vにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成されることが望ま
しい。
ート絶縁膜の界面に大きく影響すると考えられる。そこで、これらの界面を清浄な状態で
形成することによって、薄膜トランジスタの電気特性を向上させるとともに、製造工程の
複雑化を防ぐことができ、量産性と高性能の両方を備えた薄膜トランジスタを実現する。
気的特性の劣化、しきい値電圧のばらつき、ノーマリーオンになりやすいといった問題を
招く。酸化物半導体層とゲート絶縁膜とを連続成膜することで、このような水素化合物を
排除することができる。
下で連続成膜することで良好な界面を有し、リーク電流が低く、且つ、電流駆動能力の高
い薄膜トランジスタを実現することができる。
う第2の成膜工程までの一連のプロセス中、被処理基板の置かれている雰囲気が大気等の
汚染雰囲気に触れることなく、常に真空中または不活性ガス雰囲気(窒素雰囲気または希
ガス雰囲気)で制御されていることを言う。連続成膜を行うことにより、清浄化された被
処理基板への水分等の再付着を回避して成膜を行うことができる。
は本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
う場合、第1の成膜工程を終えた後、大気にふれることなくチャンバー間を基板搬送して
第2の成膜を施すことも本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
工程、または第2の工程に必要な温度とするため基板を加熱または冷却する工程等を有し
ても、本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
の成膜工程と第2の成膜工程の間にある場合、本明細書でいう連続成膜の範囲には当ては
まらないとする。
、希ガス(アルゴン等)10%以下)で形成することで、劣化による信頼性の低下や、薄
膜トランジスタ特性のノーマリーオン側へのシフトなどを軽減することができる。また、
n型の導電型を有するバッファ層は希ガス(アルゴン等)雰囲気下で成膜することが好ま
しい。
頼性が安定する。また、ゲート絶縁膜と半導体層を酸素雰囲気下で成膜し、酸素を多く含
ませるようにすると、劣化による信頼性の低下や、薄膜トランジスタがノーマリーオンと
なることを軽減することができる。
続いて、連続成膜するのが望ましい。連続成膜することで、半導体膜103のゲート絶縁
膜と接する面とは反対側の領域、所謂バックチャネルに水蒸気などの大気成分や大気中に
浮遊する不純物元素やゴミによる汚染がない積層界面を形成することができるので、薄膜
トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。
グ装置や複数のターゲットを有したスパッタリング装置もしくはPLD(パルスレーザー
蒸着)装置を用いれば良い。
珪素を用い、高周波スパッタリング法もしくは反応性スパッタリング法により成膜できる
。
スパッタリング装置を使って、半導体に接する2層目のゲート絶縁膜102bとして酸化
珪素膜を形成し、大気にさらすことなく半導体膜103の形成とチャネル保護層となる絶
縁膜106を形成する。
は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛及びスズから選んだ元素の複合酸化物を
用いることができる。
由度は高く、広い範囲の混合比で半導体層として機能する。例えば酸化インジウムと酸化
ガリウムと酸化亜鉛をそれぞれ等モルで混合した材料や、膜中の金属元素の存在比がIn
:Ga:Zn=2.2:2.2:1.0の比で存在する酸化物を一例として挙げることが
できる。
以下の厚さで形成するとよい。また、膜中の酸素欠損が増えるとキャリア濃度が高まり、
薄膜トランジスタ特性が損なわれてしまうため、例えば酸素のみの雰囲気下、または酸素
が90%以上、且つ、Arが10%以下の雰囲気下でパルスDCスパッタ法のスパッタリ
ングを行い、酸素過剰のIGZO膜を形成する。
又はゾルゲル法により成膜できる。気相法の中でも、材料系の組成を制御しやすい点では
、PLD法が、量産性の点からは、上述したようにスパッタリング法が適している。ここ
では、半導体層の形成方法の一例として、In、Ga、及びZnを含む酸化物(IGZO
)を用いた方法について説明する。
れぞれ等モルで混合し、焼結した直径8インチのターゲットを用い、ターゲットから17
0mmの位置に基板を配置して、500Wの出力でDC(Direct Current
)スパッタリングして半導体層を形成する。チャンバーの圧力は0.4Pa、ガス組成比
はAr/O2が10/5sccmの条件で50nm成膜する。成膜の際の酸素分圧をイン
ジウム錫酸化物(ITO)などの透明導電膜の成膜条件より高く設定し、成膜雰囲気の酸
素濃度を制御して酸素欠損を抑制することが望ましい。また、パルス直流(DC)電源を
用いると、ごみが軽減でき、半導体層の膜厚分布も均一となるために好ましい。
、半導体膜103のダメージを回復することができる。プラズマ処理はO2、N2O、好
ましくは酸素を含むN2、He、Ar雰囲気下で行うことが好ましい。また、上記雰囲気
にCl2、CF4を加えた雰囲気下で行ってもよい。なお、プラズマ処理は、無バイアス
で行うことが好ましい。
ルチチャンバー型のスパッタリング装置を使い、前工程で形成したゲート絶縁膜102b
を大気にさらすことなく、その上に半導体膜103を形成する。また、成膜した半導体膜
103を大気にさらすことなく、その上にチャネル保護層となる絶縁膜106を成膜する
。
。チャネル保護層となる絶縁膜106は、無機材料(酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素
、窒化酸化珪素など)を用いることができる。また、感光性または非感光性の有機材料(
有機樹脂材料)(ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベ
ンゾシクロブテンなど)、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用
いることができる。また、シロキサンを用いてもよい。
やスパッタリング法にて成膜できる。また、湿式法であるスピンコート法などの塗布法を
用いることができる。また、液滴吐出法や、印刷法(スクリーン印刷やオフセット印刷な
どパターンが形成される方法)などによって選択的に形成してもよい。
ー型のスパッタリング装置を使って、前工程で形成した半導体膜103を大気にさらすこ
となく、絶縁膜106として酸化珪素膜を成膜する。
A)のごとく形成する。レジストマスク117を使い、半導体膜103上に形成された絶
縁膜106を選択的にエッチングして図1(B)のごとくチャネル保護層116を形成す
る。
膜する。バッファ層はn+層として機能し、ドレイン領域またはソース領域とも呼ぶこと
ができる。また、半導体層とバッファ層との間にキャリア濃度が半導体層より高く、バッ
ファ層より低い第2のバッファ層を設けてもよい。第2のバッファ層はn−層として機能
する。
化物半導体膜を用いることができる。
酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化タングステン、酸化マグネシウム、酸
化カルシウム、酸化錫等を用いることができる。バッファ層にはn型またはp型の導電型
を付与する不純物を含ませてもよい。不純物としては、インジウム、ガリウム、アルミニ
ウム、亜鉛、錫などを用いることができる。特に、バッファ層がチタンを含むことが好ま
しい。金属酸化物からなるバッファ層のキャリア濃度はチャネルが形成されるIGZO半
導体層113よりも高く導電性に優るため、ソース電極層もしくはドレイン電極層と半導
体層が直接接合する場合に比べ、接触抵抗を低減することがきる。
膜を用いることもできる。またIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜にn型を付与
する不純物元素を含ませてもよい。不純物元素として、例えば、マグネシウム、アルミニ
ウム、チタン、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、硼素、タリウ
ム、ゲルマニウム、錫、鉛などを用いることができる。マグネシウム、アルミニウム、チ
タンなどをバッファ層に含ませると、酸素のブロッキング効果などがあり、成膜後の加熱
処理などによって半導体層の酸素濃度を最適な範囲内に保持できる。
ャリア濃度が低いn−層として機能する第2のバッファ層を設けてもよい。
い。
法)により成膜することができる。
はゲート電極層111と同じ材料を使うことができるが、特に、n型の導電型を有する膜
104に接する層がチタン膜であることが好適である。導電膜の具体例として、単体のチ
タン膜、もしくはチタン膜とアルミニウム膜の積層膜、もしくはチタン膜とアルミニウム
膜とチタン膜とを順に積み重ねた三層構造としても良い。
C)のごとく形成し、レジストマスク118を使って、チャネル保護層116上に形成し
た導電膜105を図1(D)のごとくエッチングして分離し、ソース電極層及びドレイン
電極層115a、115bを形成する。
して分離し、バッファ層114a、114bを形成する。
のを防ぐだけでなく、エッチングストッパーとしても機能する。すなわち半導体膜103
の不要な部分をエッチングして除去する際、チャネル保護層116が半導体層113のチ
ャネル形成領域の消失を防いでいる。また、ゲート絶縁膜102bもしくは102aもエ
ッチングストッパーとしても機能するため、半導体膜103の不要な部分のエッチングを
容易にしている。その結果、ソース電極層及びドレイン電極層(115a、115b)、
バッファ層(114a、114b)、半導体層113を前記レジストマスク118で形成
することができる。
、2回のエッチングに分けてそれぞれ選択的にエッチングしてもよい。
3に用いた薄膜トランジスタは、形成した半導体層113を加熱処理することで、特性が
改善する。具体的には、オン電流が大きくなり、トランジスタ特性のバラツキが減少する
。
350℃で一時間処理する。加熱処理は半導体層113の形成後であればいつ行っても良
い。例えば、ゲート絶縁膜102bと半導体膜103とチャネル保護層となる絶縁膜10
6を連続成膜し終えた後でも良いし、チャネル保護層116をパタニングして形成した後
でも良いし、バッファ層として機能するn型の導電型を有する膜104を成膜したあとで
も良いし、導電膜105を成膜した後でも良い。また、ソース電極層及びドレイン電極層
(115a、115b)とバッファ層(114a、114b)と半導体層113を形成し
終えた後でも良いし、薄膜トランジスタの封止膜を形成した後でも良いし、平坦化膜の形
成後に行う熱硬化処理を半導体層の加熱処理と兼ねてもよい。
作製する。
度は半導体層113よりも高く導電性に優るため、ソース電極層もしくはドレイン電極層
と半導体層113が直接接合する場合に比べ、接触抵抗を低減することがきる。また、ソ
ース電極層もしくはドレイン電極層と半導体層113の接合界面にバッファ層114a、
114bを挟み込むことで、接合界面に集中する電界を緩和できる。
02bと接する面とは反対側の領域、所謂バックチャネルを工程時のダメージ(エッチン
グ時のプラズマやエッチング剤による膜減りや、酸化など)から保護することができる。
従って薄膜トランジスタの信頼性を向上させることができる。
を連続成膜しているため、水蒸気などの大気成分や大気中に浮遊する不純物元素やゴミに
よる汚染がない積層界面を形成できるので、薄膜トランジスタ特性のばらつきを低減でき
る。
3のフォトマスクを用いて作製したレジストマスク118により、ソース電極層またはド
レイン電極層となる導電膜105と、バッファ層となるn型の導電型を有する膜104と
、半導体膜103をエッチングすることができ、工程が簡便になる。
ン・オフ比の高い薄膜トランジスタを得ることができ、良好な動特性(f特性)を有する
薄膜トランジスタを歩留まり良く作製できる。また、電気特性が高く信頼性のよい薄膜ト
ランジスタを有する半導体装置を生産性に優れた方法で提供できる。
本実施の形態では、上記実施の形態1とは別の構造のバッファ層に有するIGZO半導体
層を用いた逆スタガ型(ボトムゲート構造)薄膜トランジスタの作製工程について、図3
及び図4を用いて説明する。また、本実施の形態において、実施の形態1と同じものにつ
いては同じ符号を用い、詳細な説明を省略する。
)は図3の工程を経て作製した薄膜トランジスタの平面図であり、図4(B)は図4(A
)におけるA1−A2で切断した断面図である。
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、若しくはアルミノシリケートガ
ラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基板の他、本作製
工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等をその例に挙げることがで
きる。なお、実施の形態1と同様に、基板100上に下地膜として絶縁膜を形成してもよ
い。
ウム、クロム、チタン、タンタル、モリブデン、銅などが適用される。ゲート電極の好適
例は、アルミニウム又はアルミニウムとバリア金属の積層構造体によって形成される。バ
リア金属としては、チタン、モリブデン、クロムなどの高融点金属が適用される。バリア
金属はアルミニウムのヒロック防止、酸化防止のために設けることが好ましい。遮光性を
有するゲート電極層111の厚みおよび端部の形状、成膜方法などは、実施の形態1と同
様に形成する。
により成膜して積層し、本実施の形態における第1のフォトマスクを用いて形成したレジ
ストマスクを使い、基板上に形成された導電膜をエッチングしてゲート電極層111を形
成する。
102bと半導体膜103とチャネル保護層となる絶縁膜106をこの順に積層する。本
実施の形態においては、ゲート絶縁膜(102a、102b)と絶縁膜106は透光性の
絶縁材料を選ぶ。透光性のある絶縁膜としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素
膜、または窒化酸化珪素膜で形成することができる。なお、透光性を有する絶縁膜の厚み
、成膜方法などは、実施の形態1と同様に形成する。
絶縁膜102bとして酸化珪素膜をスパッタリング法で成膜する。ゲート絶縁膜102b
と半導体膜103とチャネル保護層となる絶縁膜106は実施の形態1と同様に、連続成
膜して積層する。連続成膜により、チャネル領域およびバックチャネルに水蒸気などの大
気成分や大気中に浮遊する不純物元素やゴミによる汚染がない積層界面を形成できる。そ
の結果、薄膜トランジスタの特性のばらつきを低減し、オフ電流を抑制できる。なお、I
n、Ga、及びZnを含む酸化物(IGZO)はバンドギャップが広い材料であるため、
IGZOを用いた半導体膜103は光を良く透過する。
での工程で形成した構造において、ゲート電極層111のみ遮光性であるため、基板10
0側からフォトレジスト膜を露光すると、フォトレジストのゲート電極層111と重なる
領域だけが露光されない。すなわち、ゲート絶縁膜がフォトマスクとして働き、ゲート電
極と重なる領域にレジストマスク117が形成できる(図3(A)参照)。
16を形成する。なお、チャネル保護層116のエッチングにおいて、半導体膜103の
表面を図3(B)のごとくわずかにエッチングしてもよい。半導体膜103の表面をエッ
チングすることで、次に積層するn型の導電型を有する膜104と良好な接触状態にでき
る。
を有する膜104並びにソース電極層およびドレイン電極層となる導電膜105を実施の
形態1と同様な方法で積層する。
、チタン膜(105−1)とアルミニウム膜(105−2)とチタン膜(105−3)か
らなる三層積層膜を用いることができる。
を使って、三層積層膜からなる導電膜105をエッチングして、ソース電極層またはドレ
イン電極層となる115aと115bを形成する。
エッチングしてバッファ層114a、114bを形成する。
要な部分をエッチングして除去する。図3(D)は、n型の導電型を有する膜104と半
導体膜103のエッチングに伴い、チャネル保護層116の表面がわずかにエッチングさ
れ凹状になっている状態を示しているが、チャネル形成部へのダメージを防いでいれば良
い。また、薄膜トランジスタの外形部のゲート絶縁膜102bも膜減りもしくは消失して
いる様子を示しているが、薄膜トランジスタ内部のゲート絶縁膜が残っていれば良い。
ため、フォトマスクの使用枚数を節減できるだけでなく、アライメントズレが生じない。
また、チャネル保護層116により半導体層113のチャネル形成領域を保護した状態で
あるため、第2のフォトマスクを用いて作製したレジストマスク118により、ソース電
極層またはドレイン電極層となる導電膜105と、バッファ層となるn型の導電型を有す
る膜104と、半導体膜103をエッチングすることができ、工程が簡便になる。
ン・オフ比の高い薄膜トランジスタを得ることができ、良好な動特性(f特性)を有する
薄膜トランジスタを歩留まり良く作製できる。また、電気特性が高く信頼性のよい薄膜ト
ランジスタを有する半導体装置を生産性に優れた方法で提供できる。
本実施の形態では、複数のチャネル形成領域を接続した構造を有するIGZO半導体層を
用いた薄膜トランジスタの作製方法について、図5を用いて説明する。
ストマスクを形成した状態を示す断面図である。図5(B)は導電膜105、n型の導電
型を有する膜104、半導体膜103をエッチングした状態を示す断面図である。図5(
C)は完成したTFTの平面図であり、図5(D)は図5(C)におけるA1−A2で切
断した断面図である。なお、本実施の形態において、実施の形態1と同じものについては
同じ符号を用い、詳細な説明を省略する。
施の形態1と同様に基板100上にゲート電極層111a、111bを形成する。次に、
ゲート電極層111a、111b上にゲート絶縁膜102aを形成する。次に、半導体膜
103に接するゲート絶縁膜102bと半導体膜103とチャネル保護層となる絶縁膜1
06をスパッタリング法により連続成膜する。
体層のチャネル形成領域と重なる領域に、チャネル保護層116a、116bを形成する
。
型を有する膜104およびソース電極層またはドレイン電極層となる導電膜105を実施
の形態1と同様な方法で積層する。
形成した後、導電膜105、n型の導電型を有する膜104、および半導体膜103をエ
ッチングする。導電膜105はソース電極層及びドレイン電極層(115a、115b)
、並びに二つのチャネル形成領域を接続する導電層115cを形成し、n型の導電型を有
する膜104はバッファ層114a、114b、および二つのチャネル形成領域を接続す
るn型の導電型を有する層114cを形成し、半導体膜103をエッチングして半導体層
113を形成する(図5(B)参照)。なお、図5(D)にはソース電極層及びドレイン
電極層(115a、115b)の端部が、バッファ層(114a、114b)より後退し
た状態を示している。後退することで、ソース電極とドレイン電極の間で短絡が起こりに
くくなる。
限られるものではなく、三つのチャネル形成領域が接続されたトリプルゲート構造など所
謂マルチゲート構造(直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する構造)であ
っても良い。
113とn型の導電型を有する層114cと導電層115cで電気的に接続されている。
状態である。また、第3のフォトマスクを用いて作製したレジストマスク118により、
ソース電極層またはドレイン電極層となる導電膜105と、バッファ層となるn型の導電
型を有する膜104と、半導体膜103をエッチングすることができ、工程が簡便になる
。さらに、このような、マルチゲート構造はオフ電流値を低減する上で極めて有効である
。
ン・オフ比の高い薄膜トランジスタを得ることができ、良好な動特性(f特性)を有する
薄膜トランジスタを歩留まり良く作製できる。また、電気特性が高く信頼性のよい薄膜ト
ランジスタを有する半導体装置を生産性に優れた方法で提供できる。
ここでは、少なくともゲート絶縁膜と酸化物半導体層の積層を大気に触れることなく、連
続成膜を行う逆スタガ型の薄膜トランジスタの作製例を以下に示す。ここでは、連続成膜
を行う工程までの工程を示し、その後の工程は、実施の形態1乃至3のいずれか一に従っ
て薄膜トランジスタを作製すればよい。
装置を用いることが好ましい。
た搬送室80が設けられ、搬送室80には、搬送室内へ搬入および搬出する基板を複数枚
収納するカセットケースをセットするカセット室82が連結されている。
。ここでは、上面形状が六角形の搬送室80に5つの処理室を連結する例を示す。なお、
搬送室の上面形状を変更することで、連結できる処理室の数を変えることができ、例えば
、四角形とすれば3つの処理室が連結でき、八角形とすれば7つの処理室が連結できる。
ーとする。スパッタチャンバーは、少なくともチャンバー内部に、スパッタターゲット、
ターゲットをスパッタするための電力印加機構やガス導入手段、所定位置に基板を保持す
る基板ホルダー等が設けられている。また、スパッタチャンバー内を減圧状態とするため
、チャンバー内の圧力を制御する圧力制御手段がスパッタチャンバーに設けられている。
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
また、成膜方法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分とを化学反応させて
それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけ
るバイアススパッタ法もある。
どを行う加熱チャンバー、スパッタリング後に基板を冷却する冷却チャンバー、或いはプ
ラズマ処理を行うチャンバーとする。
、カセット室82に設けられた真空排気手段によりカセット室を減圧状態とする。なお、
予め、各処理室および搬送室80内部をそれぞれに設けられた真空排気手段により減圧し
ておく。こうしておくことで、各処理室間を基板が搬送されている間、大気に触れること
なく清浄な状態を維持することができる。
。例えば、基板とゲート電極の間にプラズマCVD法で得られる窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜などの下地絶縁膜を設けてもよい。基板94としてアルカリ金属を含むガラ
ス基板を用いる場合、下地絶縁膜は、基板からナトリウム等の可動イオンがその上の半導
体領域中に侵入して、TFTの電気特性が変化することを抑制する作用を有する。
ト絶縁膜を形成した基板を用いる。プラズマCVD法で成膜された窒化シリコン膜は緻密
であり、1層目のゲート絶縁膜とすることでピンホールなどの発生を抑えることができる
。なお、ここではゲート絶縁膜を積層とする例を示すが特に限定されず、単層または3層
以上の積層を用いてもよい。
から抜き取り、ゲートバルブ84を開いて第1の処理室89内に搬送し、ゲートバルブ8
4を閉める。第1の処理室89では、加熱ヒータやランプ加熱で基板を加熱して基板94
に付着している水分などを除去する。特に、ゲート絶縁膜に水分が含まれるとTFTの電
気特性が変化する恐れがあるため、スパッタ成膜前の加熱は有効である。なお、カセット
室82に基板をセットした段階で十分に水分が除去されている場合には、この加熱処理は
不要である。
ズマ処理を行ってもよい。また、カセット室82に加熱手段を設けてカセット室82で水
分を除去する加熱を行ってもよい。
ゲートバルブ85を開いて第2の処理室90内に搬送し、ゲートバルブ85を閉める。
ーとする。第2の処理室90では、2層目のゲート絶縁膜として酸化シリコン膜(SiO
x膜(x>0))の成膜を行う。2層目のゲート絶縁膜として、酸化シリコン膜の他に、
酸化アルミニウム膜(Al2O3膜)、酸化マグネシウム膜(MgOx膜(x>0))、
窒化アルミニウム膜(AlNx膜(x>0))、酸化イットリウム膜(YOx膜(x>0
))などを用いることができる。
し、ナトリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー
内にハロゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングを行う。ただし、ハロゲン元素を
含むガスを導入する場合にはチャンバーの排気手段に除害設備を設ける必要がある。ゲー
ト絶縁膜に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン質量分析計)を用いた
分析により得られる濃度ピークが1×1015cm−3以上1×1020cm−3以下の
範囲内とすることが好ましい。
はアルゴンを用いるスパッタ方法や、ターゲットとして単結晶シリコンを用い、酸素ガス
と化学反応させてSiOx膜(x>0)を得るリアクティブスパッタ法を用いることがで
きる。ここでは酸素を限りなく多くSiOx膜(x>0)中に含ませるために、ターゲッ
トとして人工石英を用い、酸素のみの雰囲気下、または酸素が90%以上、且つ、Arが
10%以下の雰囲気下でスパッタリングを行い、酸素過剰のSiOx膜(x>0)を形成
する。
ロボット81により基板を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ86を開いて第3の処理室
91内に搬送し、ゲートバルブ86を閉める。
ーとする。第3の処理室91では、半導体層として酸化金属層(IGZO膜)の成膜を行
う。インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体ター
ゲットを用いて、希ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で成膜することができる。ここで
は酸素を限りなく多くIGZO膜中に含ませるために、ターゲットとしてIn、Ga、及
びZnを含む酸化物半導体を用い、酸素のみの雰囲気下、または酸素が90%以上、且つ
、Arが10%以下の雰囲気下でパルスDCスパッタ法のスパッタリングを行い、酸素過
剰のIGZO膜を形成する。
ZO膜とを連続成膜することにより、酸素過剰の膜同士のため界面状態を安定させ、TF
Tの信頼性を向上させることができる。IGZO膜の成膜前に基板が大気に触れた場合、
水分などが付着し、界面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化、
ノーマリーオンのTFTになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素化
合物であり、大気に触れることなく、連続成膜することによって、水素化合物が界面に存
在することを排除することができる。従って、連続成膜することにより、しきい値のバラ
ツキの低減や、電気特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトすることを
低減、望ましくはシフトをなくすことができる。
及びZnを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層
して連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこともできる。シャッター
は、ターゲットと基板の間に設け、成膜を行うターゲットはシャッターを開け、成膜を行
わないターゲットはシャッターにより閉じる。同一チャンバー内で積層する利点としては
、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異なるチャンバー間を基板搬送する間にパー
ティクル等が基板に付着することを防止できる点である。
を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ87を開いて第4の処理室92内に搬送し、ゲート
バルブ87を閉める。
ーとする。第4の処理室92では、チャネル保護層となる絶縁膜として酸化シリコン膜(
SiOx膜(x>0))の成膜を行う。また、チャネル保護層として、酸化シリコン膜の
他に、酸化アルミニウム膜(Al2O3膜)、酸化マグネシウム膜(MgOx膜(x>0
))、窒化アルミニウム膜(AlNx膜(x>0))、酸化イットリウム膜(YOx膜(
x>0))などを用いることができる。
トリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー内にハ
ロゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングを行う。ただし、ハロゲン元素を含むガ
スを導入する場合にはチャンバーの排気手段に除害設備を設ける必要がある。チャネル保
護層に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン質量分析計)を用いた分析
により得られる濃度ピークが1×1015cm−3以上1×1020cm−3以下の範囲
内とすることが好ましい。
い、希ガス、代表的にはアルゴンを用いるスパッタ方法や、ターゲットとして単結晶シリ
コンを用い、酸素ガスと化学反応させてSiOx膜(x>0)を得るリアクティブスパッ
タ法を用いることができる。ここでは酸素を限りなく多くSiOx膜(x>0)中に含ま
せるために、ターゲットとして人工石英を用い、酸素のみの雰囲気下、または酸素が90
%以上、且つ、Arが10%以下の雰囲気下でスパッタリングを行い、酸素過剰のSiO
x膜(x>0)を形成する。
ZO膜と酸素過剰のチャネル保護層とを連続成膜することにより、3層が全て酸素過剰の
膜のため界面状態がより安定し、TFTの信頼性を向上させることができる。IGZO膜
の成膜前後に基板が大気に触れた場合、水分などが付着し、界面状態に悪影響を与え、し
きい値のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマリーオンのTFTになってしまう症状など
を引き起こす恐れがある。水分は水素化合物であり、大気に触れることなく、連続成膜す
ることによって、水素化合物がIGZO膜の界面に存在することを排除することができる
。従って、3層を連続成膜することにより、しきい値のバラツキの低減や、電気特性の劣
化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトすることを低減、望ましくはシフトをな
くすことができる。
及びZnを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層
して3層を連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこともできる。同一
チャンバー内で積層する利点としては、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異なる
チャンバー間を基板搬送する間にパーティクル等が基板に付着することを防止できる点で
ある。
終えた後、カセット室の真空を大気に開放して、基板およびカセットを取り出す。
となる位置と重なる部分のみを残してエッチングを行う。ここでのチャネル保護層のエッ
チングは、IGZO膜と十分にエッチングレートが異なる条件を用いる。チャネル保護層
のエッチングで十分にエッチングレートに差がない場合、IGZO膜の表面が部分的にエ
ッチングされ、チャネル保護層と重なる領域と比べ膜厚の薄い領域が形成される。
る。
に搬送する。ここでは、希ガスのみの雰囲気下でパルスDCスパッタ法のスパッタリング
を行い、バッファ層となるn型の導電型を有する膜を形成する。このn型の導電型を有す
る膜はソース領域またはドレイン領域として機能する。
を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ88を開いて第5の処理室93内に搬送し、ゲート
バルブ88を閉める。
ーとする。第5の処理室93では、ソース電極またはドレイン電極となる金属多層膜の成
膜を行う。第5の処理室93のスパッタチャンバーにチタンのターゲットと、アルミニウ
ムのターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層して連続成膜することに
よって同一チャンバー内で積層を行う。ここでは、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し
、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する。
続成膜することにより、n型の導電型を有する膜と金属多層膜との間で良好な界面状態を
実現でき、接触抵抗を低減できる。
終えた後、カセット室の真空を大気に開放して、基板およびカセットを取り出す。
る。さらにソース電極及びドレイン電極をマスクとしてエッチングを行い、n型の導電型
を有する膜とIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を選択的にエッチングしてソー
ス領域及びドレイン領域と半導体層が形成される。n型の導電型を有する膜とIn、Ga
、及びZnを含む酸化物半導体膜のエッチングでは、チャネル保護層がエッチングストッ
パーとして機能する。また、本実施の形態ではゲート絶縁膜は2層であり、上層はSiO
x膜(x>0)であるため除去される恐れがあるが、下層は窒化シリコン膜でありエッチ
ングストッパーとして機能する。
ー内で成膜する例を示したが、特に限定されず、別々のチャンバーで成膜してもよい。
直列に連結するインライン方式の製造装置を用いて大気に触れることなく連続成膜を行っ
てもよい。
の処理室としたが、基板を垂直に立て、縦置き方式の処理室としてもよい。縦置き方式の
処理室は、フェイスダウン方式の処理室よりもフットプリントが小さいメリットがあり、
さらに基板の自重により撓む恐れのある大面積の基板を用いる場合に有効である。
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜ト
ランジスタを作製する例について以下に説明する。
。また、実施の形態1乃至実施の形態3に示す薄膜トランジスタはnチャネル型TFTで
あるため、駆動回路のうち、nチャネル型TFTで構成することができる駆動回路の一部
を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成する。
)に示す表示装置は、基板5300上に表示素子を備えた画素を複数有する画素部530
1と、各画素を選択する走査線駆動回路5302と、選択された画素へのビデオ信号の入
力を制御する信号線駆動回路5303とを有する。
線S1〜Sm(図示せず。)により信号線駆動回路5303と接続され、走査線駆動回路
5302から行方向に伸張して配置された複数の走査線G1〜Gn(図示せず。)により
走査線駆動回路5302と接続され、信号線S1〜Sm並びに走査線G1〜Gnに対応し
てマトリクス状に配置された複数の画素(図示せず。)を有する。そして、各画素は、信
号線Sj(信号線S1〜Smのうちいずれか一)、走査線Gi(走査線G1〜Gnのうち
いずれか一)と接続される。
あり、nチャネル型TFTで構成する信号線駆動回路について図8を用いて説明する。
2_M、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線5613及び配線562
1_1〜5621_Mを有する。スイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれは、第
1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜ト
ランジスタ5603cを有する。
及び配線5621_1〜5621_Mに接続される。そして、スイッチ群5602_1〜
5602_Mそれぞれは、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線561
3及びスイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれに対応した配線5621_1〜5
621_Mに接続される。そして、配線5621_1〜5621_Mそれぞれは、第1の
薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トラン
ジスタ5603cを介して、3つの信号線に接続される。例えば、J列目の配線5621
_J(配線5621_1〜配線5621_Mのうちいずれか一)は、スイッチ群5602
_Jが有する第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及
び第3の薄膜トランジスタ5603cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線S
j+1に接続される。
号が入力される。
、スイッチ群5602_1〜5602_Mは、実施の形態1乃至実施の形態3に示した画
素部と同一基板上に形成されていることが望ましい。したがって、ドライバIC5601
とスイッチ群5602_1〜5602_MとはFPCなどを介して接続するとよい。
て説明する。なお、図9のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選択されている
場合のタイミングチャートを示している。さらに、i行目の走査線Giの選択期間は、第
1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3に分割され
ている。さらに、図8の信号線駆動回路は、他の行の走査線が選択されている場合でも図
9と同様の動作をする。
タ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603
cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線Sj+1に接続される場合について示
している。
の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング5703a、第2の薄膜トラン
ジスタ5603bのオン・オフのタイミング5703b、第3の薄膜トランジスタ560
3cのオン・オフのタイミング5703c及びJ列目の配線5621_Jに入力される信
号5721_Jを示している。
択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、それぞれ別のビデオ信号が入力される
。例えば、第1のサブ選択期間T1において配線5621_Jに入力されるビデオ信号は
信号線Sj−1に入力され、第2のサブ選択期間T2において配線5621_Jに入力さ
れるビデオ信号は信号線Sjに入力され、第3のサブ選択期間T3において配線5621
_Jに入力されるビデオ信号は信号線Sj+1に入力される。さらに、第1のサブ選択期
間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、配線5621_
Jに入力されるビデオ信号をそれぞれData_j−1、Data_j、Data_j+
1とする。
がオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603cが
オフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j−1が、第1の薄膜ト
ランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力される。第2のサブ選択期間T2で
は、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a及
び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力さ
れるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603bを介して信号線Sjに入力され
る。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジスタ5603cがオンし、第1の
薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジスタ5603bがオフする。このと
き、配線5621_Jに入力されるData_j+1が、第3の薄膜トランジスタ560
3cを介して信号線Sj+1に入力される。
1ゲート選択期間中に1つの配線5621から3つの信号線にビデオ信号を入力すること
ができる。したがって、図8の信号線駆動回路は、ドライバIC5601が形成される基
板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線の数に比べて約1/3にすること
ができる。接続数が約1/3になることによって、図8の信号線駆動回路は、信頼性、歩
留まりなどを向上できる。
期間それぞれにおいて、ある1つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ信号を入力す
ることができれば、薄膜トランジスタの配置や数、駆動方法などは限定されない。
ぞれにビデオ信号を入力する場合は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを制御する
ための配線を追加すればよい。ただし、1ゲート選択期間を4つ以上のサブ選択期間に分
割すると、1つのサブ選択期間が短くなる。したがって、1ゲート選択期間は、2つ又は
3つのサブ選択期間に分割されることが望ましい。
ジ期間Tp、第1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2、第3の選択期間T3に
分割してもよい。さらに、図10のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選択さ
れるタイミング、第1の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング5803
a、第2の薄膜トランジスタ5603bのオン・オフのタイミング5803b、第3の薄
膜トランジスタ5603cのオン・オフのタイミング5803c及びJ列目の配線562
1_Jに入力される信号5821_Jを示している。図10に示すように、プリチャージ
期間Tpにおいて第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603
b及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオンする。このとき、配線5621_Jに入
力されるプリチャージ電圧Vpが第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トラン
ジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603cを介してそれぞれ信号線Sj−
1、信号線Sj、信号線Sj+1に入力される。第1のサブ選択期間T1において第1の
薄膜トランジスタ5603aがオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄
膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるDat
a_j−1が、第1の薄膜トランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力される
。第2のサブ選択期間T2では、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1の薄
膜トランジスタ5603a及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき
、配線5621_Jに入力されるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603bを
介して信号線Sjに入力される。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジスタ
5603cがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジスタ5
603bがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j+1が、第
3の薄膜トランジスタ5603cを介して信号線Sj+1に入力される。
選択期間の前にプリチャージ選択期間を設けることによって、信号線をプリチャージでき
るため、画素へのビデオ信号の書き込みを高速に行うことができる。なお、図10におい
て、図9と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有
する部分の詳細な説明は省略する。
ッファを有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動
回路において、シフトレジスタにクロック信号(CLK)及びスタートパルス信号(SP
)が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファに
おいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。走査線には、1ライン分の画素のト
ランジスタのゲート電極が接続されている。そして、1ライン分の画素のトランジスタを
一斉にONにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが
用いられる。
て説明する。
ップフロップ5701_i(フリップフロップ5701_1〜5701_nのうちいずれ
か一)で構成される。また、第1のクロック信号、第2のクロック信号、スタートパルス
信号、リセット信号が入力されて動作する。
目のフリップフロップ5701_i(フリップフロップ5701_1〜5701_nのう
ちいずれか一)は、図12に示した第1の配線5501が第7の配線5717_i−1に
接続され、図12に示した第2の配線5502が第7の配線5717_i+1に接続され
、図12に示した第3の配線5503が第7の配線5717_iに接続され、図12に示
した第6の配線5506が第5の配線5715に接続される。
5712に接続され、偶数段目のフリップフロップでは第3の配線5713に接続され、
図12に示した第5の配線5505が第4の配線5714に接続される。
1の配線5711に接続され、n段目のフリップフロップ5701_nの図12に示す第
2の配線5502は第6の配線5716に接続される。
16を、それぞれ第1の信号線、第2の信号線、第3の信号線、第4の信号線と呼んでも
よい。さらに、第4の配線5714、第5の配線5715を、それぞれ第1の電源線、第
2の電源線と呼んでもよい。
ップフロップは、第1の薄膜トランジスタ5571、第2の薄膜トランジスタ5572、
第3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トランジスタ5574、第5の薄膜トラン
ジスタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、第7の薄膜トランジスタ5577及
び第8の薄膜トランジスタ5578を有する。なお、第1の薄膜トランジスタ5571、
第2の薄膜トランジスタ5572、第3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トラン
ジスタ5574、第5の薄膜トランジスタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、
第7の薄膜トランジスタ5577及び第8の薄膜トランジスタ5578は、nチャネル型
トランジスタであり、ゲート・ソース間電圧(Vgs)がしきい値電圧(Vth)を上回
ったとき導通状態になるものとする。
が第5の配線5504に接続され、第1の薄膜トランジスタ5571の第2の電極(ソー
ス電極またはドレイン電極の他方)が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5572の第2の電極が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5573の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第3の薄膜トランジスタ5573のゲート電極が第5の配線5505に接続
される。
薄膜トランジスタ5574の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第4の薄膜トランジスタ5574のゲート電極が第1の薄膜トランジスタ5
571のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5575の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第5の薄膜トランジスタ5575のゲート電極が第1の配線5501に接続
される。
薄膜トランジスタ5576の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極が第2の薄膜トランジスタ5
572のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5577の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第7の薄膜トランジスタ5577のゲート電極が第2の配線5502に接続
される。第8の薄膜トランジスタ5578の第1の電極が第6の配線5506に接続され
、第8の薄膜トランジスタ5578の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲ
ート電極に接続され、第8の薄膜トランジスタ5578のゲート電極が第1の配線550
1に接続される。
のゲート電極、第5の薄膜トランジスタ5575の第2の電極、第6の薄膜トランジスタ
5576の第2の電極及び第7の薄膜トランジスタ5577の第2の電極の接続箇所をノ
ード5543とする。さらに、第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極、第3の薄
膜トランジスタ5573の第2の電極、第4の薄膜トランジスタ5574の第2の電極、
第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極及び第8の薄膜トランジスタ5578の第
2の電極の接続箇所をノード5544とする。
504を、それぞれ第1の信号線、第2の信号線、第3の信号線、第4の信号線と呼んで
もよい。さらに、第5の配線5505を第1の電源線、第6の配線5506を第2の電源
線と呼んでもよい。
ネル型TFTのみで作製することも可能である。実施の形態1乃至実施の形態3に示すn
チャネル型TFTはトランジスタの移動度が大きいため、駆動回路の駆動周波数を高くす
ることが可能となる。また、実施の形態1乃至実施の形態3に示すnチャネル型TFTは
バッファ層により寄生容量が低減されるため、周波数特性(f特性と呼ばれる)が高い。
例えば、実施の形態1乃至実施の形態3に示すnチャネル型TFTを用いた走査線駆動回
路は、高速に動作させることが出来るため、フレーム周波数を高くすること、または、黒
画面挿入を実現することなども実現することが出来る。
駆動回路を配置することなどによって、さらに高いフレーム周波数を実現することが出来
る。複数の走査線駆動回路を配置する場合は、偶数行の走査線を駆動する為の走査線駆動
回路を片側に配置し、奇数行の走査線を駆動するための走査線駆動回路をその反対側に配
置することにより、フレーム周波数を高くすることを実現することが出来る。
数の薄膜トランジスタを配置するため、走査線駆動回路を複数配置することが好ましい。
アクティブマトリクス型発光表示装置のブロック図の一例を図7(B)に示す。
部5401と、各画素を選択する第1の走査線駆動回路5402及び第2の走査線駆動回
路5404と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5403
とを有する。
素はトランジスタのオンとオフの切り替えによって、発光もしくは非発光の状態となる。
よって、面積階調法または時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面積階調
法は、1画素を複数の副画素に分割し、各副画素を独立にビデオ信号に基づいて駆動させ
ることによって、階調表示を行う駆動法である。また時間階調法は、画素が発光する期間
を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
している。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、1フレーム期間を複数のサブフレー
ム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素
子を発光または非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、
1フレーム期間中に画素が実際に発光する期間のトータルの長さを、ビデオ信号により制
御することができ、階調を表示することができる。
用TFTとの2つを配置する場合、スイッチング用TFTのゲート配線である第1の走査
線に入力される信号を第1走査線駆動回路5402で生成し、電流制御用TFTのゲート
配線である第2の走査線に入力される信号を第2の走査線駆動回路5404で生成してい
る例を示しているが、第1の走査線に入力される信号と、第2の走査線に入力される信号
とを、共に1つの走査線駆動回路で生成するようにしても良い。また、例えば、スイッチ
ング素子が有する各トランジスタの数によって、スイッチング素子の動作を制御するのに
用いられる第1の走査線が、各画素に複数設けられることもあり得る。この場合、複数の
第1の走査線に入力される信号を、全て1つの走査線駆動回路で生成しても良いし、複数
の各走査線駆動回路で生成しても良い。
る駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成することができる。ま
た、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態1乃至実施の形態3に示すnチャネ
ル型TFTのみで作製することも可能である。
的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパーに用いてもよい。電子
ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)も呼ばれており、紙と同じ読み
やすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を
有している。
子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に
複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロ
カプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示す
るものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合におい
て移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を
含む)とする。
いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液晶
表示装置には必要な偏光板、対向基板も電気泳動表示装置には必要なく、厚さや重さが半
減する。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
ロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプ
セルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態2で得られるアク
ティブマトリクス基板を用いることができる。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
本発明の一態様を適用した薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さ
らには駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製するこ
とができる。また、本発明の一態様を適用した薄膜トランジスタを用いた駆動回路の一部
または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することが
できる。
素子(発光表示素子ともいう)を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electr
o Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに本発明は、該表示装置を
作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素
子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、
具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極とな
る導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても
良いし、あらゆる形態があてはまる。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible pr
inted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bon
ding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り
付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回
路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
。
置を示す。図13(A)は液晶表示装置の平面図であり、図13(B)は図13(A)に
おける線V−Xの断面図である。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ201として
は、実施の形態3で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、IGZO半導体層及びn型
の導電型を有するバッファ層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の
形態1、又は実施の形態2で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄膜トランジスタ2
01として適用することもできる。
の逆スタガ型薄膜トランジスタ201、ゲート配線層203、容量配線層204を含む。
トランジスタ201、絶縁層211、絶縁層212、絶縁層213、及び表示素子に用い
る電極層255、配向膜として機能する絶縁層261、偏光板268が設けられた基板2
00と、配向膜として機能する絶縁層263、表示素子に用いる電極層265、カラーフ
ィルタとして機能する着色層264、偏光板267が設けられた基板266とが液晶層2
62を挟持して対向しており、液晶表示素子260を有している。
も半透過型液晶表示装置でも適用できる。
内側に着色層264、表示素子に用いる電極層265という順に設ける例を示すが、偏光
板267は基板266の内側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も図13
に限定されず、偏光板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。ま
た、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸
化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す
。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を
有する導電性材料を用いることができる。
電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、
シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70%以上である
ことが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ω・cm
以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
。
である。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用した半導体装置として電子ペーパーの例を示す
。
子ペーパーを示す。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ581としては、実施の形
態3で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、IGZO半導体層及びn型の導電型を有
するバッファ層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態1、又は
実施の形態2で示す薄膜トランジスタも本実施の形態の薄膜トランジスタ581として適
用することもできる。
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
ース電極層及びドレイン電極層によって第1の電極層587と、絶縁層585に形成する
開口で接しており電気的に接続している。第1の電極層587と第2の電極層588との
間には黒色領域590a及び白色領域590bを有し、周りに液体で満たされているキャ
ビティ594を含む球形粒子589が設けられており、球形粒子589の周囲は樹脂等の
充填材595で充填されている(図14参照。)。
極層587a上に無機絶縁膜が設けられており、無機絶縁膜は第1の電極層587aより
イオン性不純物が拡散するのを防止するバリア膜として機能する。
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μm〜20
0μm程度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極層と第2の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第1の電極層と第2の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置(単に表示装置、又は表示装置を具備
する半導体装置ともいう)を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこと
が可能となる。
。
である。
本実施の形態では、本発明の一態様を適用した半導体装置として発光表示装置の例を示す
。表示装置の有する表示素子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発
光素子を用いて示す。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機
化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子
、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
リクス型の発光表示装置を示す。図15(A)は発光表示装置の平面図であり、図15(
B)は図15(A)における線Y−Zの断面図である。なお、図16に、図15に示す発
光表示装置の等価回路を示す。
施の形態3で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、IGZO半導体層とn型の導電型
を有する層からなるバッファ層とを含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実
施の形態2で示す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ301、302として適
用することもできる。
トランジスタ301、発光素子303、容量素子304、ソース配線層305、ゲート配
線層306、電源線307を含む。薄膜トランジスタ301、302はnチャネル型薄膜
トランジスタである。
、絶縁層311、絶縁層312、絶縁層313、隔壁321、及び発光素子324に用い
る第1の電極層320、電界発光層322、第2の電極層323を有している。
を用いて形成することが好ましい。
1の電極層320として、陰極を用いるのが望ましい。具体的には、陰極としては、仕事
関数が小さい材料、例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等を用いることが
できる。
に感光性の材料を用い、第1の電極層320上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
れていてもどちらでも良い。
極層323は、実施の形態7に画素電極層として列挙した透光性を有する導電性材料を用
いた透光性導電膜で形成することができる。上記透光性導電膜の他に、窒化チタン膜また
はチタン膜を用いても良い。第1の電極層320と電界発光層322と第2の電極層32
3とが重なり合うことで、発光素子324が形成されている。この後、発光素子324に
酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層323及び隔壁32
1上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、DLC
膜等を形成することができる。
が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等
)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図17(A)(B)(C)の
半導体装置に用いられる駆動用TFT7001、7011、7021は、実施の形態1で
示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、IGZO半導体層及びn型の導電型を有するバ
ッファ層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2、又は実施の
形態3で示す薄膜トランジスタを駆動用TFT7001、7011、7021として適用
することもできる。
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、本発明の一態様を適用した画
素構成はどの射出構造の発光素子にも適用することができる。
陽極7005側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図17(A)では、発光素子70
02の陰極7003と駆動用TFT7001が電気的に接続されており、陰極7003上
に発光層7004、陽極7005が順に積層されている。陰極7003は仕事関数が小さ
く、なおかつ光を反射する導電膜であれば様々の材料を用いることができる。例えば、C
a、Al、CaF、MgAg、AlLi等が望ましい。そして発光層7004は、単数の
層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
複数の層で構成されている場合、陰極7003上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホ
ール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。陽
極7005は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成し、例えば酸化タング
ステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化
物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム
錫酸化物などの透光性を有する導電膜を用いても良い。
相当する。図17(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
011がn型で、発光素子7012から発せられる光が陰極7013側に射出する場合の
、画素の断面図を示す。図17(B)では、駆動用TFT7011と電気的に接続された
透光性を有する導電膜7017上に、発光素子7012の陰極7013が成膜されており
、陰極7013上に発光層7014、陽極7015が順に積層されている。なお、陽極7
015が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮蔽するための遮蔽
膜7016が成膜されていてもよい。陰極7013は、図17(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば20nmの膜
厚を有するアルミニウム膜を、陰極7013として用いることができる。そして発光層7
014は、図17(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層される
ように構成されていてもどちらでも良い。陽極7015は光を透過する必要はないが、図
17(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。そして
遮蔽膜7016は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが、金属膜に限定さ
れない。例えば黒の顔料添加した樹脂等を用いることもできる。
に相当する。図17(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
では、駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電膜7027上に、
発光素子7022の陰極7023が成膜されており、陰極7023上に発光層7024、
陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図17(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極7023として
用いることができる。そして発光層7024は、図17(A)と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極70
25は、図17(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
22に相当する。図17(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
。
である。
次に、本発明の一態様を適用した半導体装置を搭載した表示パネルの構成について、以下
に示す。本実施の形態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置の一形態であ
る液晶表示パネル(液晶パネルともいう)、表示素子として発光素子を有する半導体装置
の一形態である発光表示パネル(発光パネルともいう)について説明する。
ついて、図18を用いて説明する。図18(A)は、第1の基板上に形成されたIGZO
半導体層及びn型の導電型を有するバッファ層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ及び
発光素子を、第2の基板との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図
18(B)は、図18(A)のH−Iにおける断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。
503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図18(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、信
号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。
ッファ層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態1、実施の形態2、又は実施の形
態3に示す薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態において、薄膜トラ
ンジスタ4509、4510はnチャネル型薄膜トランジスタである。
層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子4511の構成は、本実施の形態に示した構成に限定さ
れない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構
成は適宜変えることができる。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
いないコンタクトホールを介して画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503
b、もしくは走査線駆動回路4504a、4504bと接続する配線4516を、ソース
電極層またはドレイン電極層と同じ材料を用いて形成する。また、基板4501の端部の
前記配線4516上に接続端子4515を、第1の電極層4517と同じ材料を用いて形
成する。
電気的に接続されている。
ればならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたは
アクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEV
A(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施の形態は充填材として窒
素を用いた。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回
路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回
路のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図18の構成に
限定されない。
ついて、図19を用いて説明する。図19(A1)(A2)は、第1の基板4001上に
形成されたIGZO半導体層及びn型の導電型を有するバッファ層を含む信頼性の高い薄
膜トランジスタ4010、4011、及び液晶素子4013を、第2の基板4006との
間にシール材4005によって封止した、パネルの上面図であり、図19(B)は、図1
9(A1)(A2)のM−Nにおける断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図19(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図19(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図19(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。
ッファ層を含む薄膜トランジスタに相当し、実施の形態1、実施の形態2、又は実施の形
態3に示す薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態において、薄膜トラ
ンジスタ4010、4011はnチャネル型薄膜トランジスタである。
気的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板40
06上に形成されている。画素電極層4030と対向電極層4031と液晶層4008と
が重なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極層4030、対向
電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、
絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
テンレス)、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルム
またはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVF
フィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
と同じ導電膜から形成され、配線4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のゲ
ート電極層と同じ導電膜で形成されている。
気的に接続されている。
装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装しても良い。
として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605が設けられ表示領域を形成している。着色層2605
はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対向基板2601の
外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。光源は冷
陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は、フレキシブル配
線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi−domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)、ASM(Axially Symmetric aligned Mic
ro−cell)モード、OCB(Optical Compensated Bire
fringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid C
rystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid
Crystal)などを用いることができる。
である。
本発明に係る半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができ
る。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機
ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、電子ペーパー、デジタルカメラ、デジタルビ
デオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)
、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが
挙げられる。特に、実施の形態6〜実施の形態9で示したように、本発明に係る薄膜トラ
ンジスタを液晶表示装置、発光装置、電気泳動方式表示装置などに適用することにより、
電子機器の表示部に用いることができる。以下に具体的に例示する。
用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子
機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック
)、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける
表示等に適用することができる。電子機器の一例を図21、図22に示す。
の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様を適用
した半導体装置を搭載した電子ペーパーを用いれば短時間で広告の表示を変えることがで
きる。また、電気特性のよい薄膜トランジスタを用いているため、表示も崩れることなく
安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成としてもよい
。
紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、本発明の一態様を適
用した半導体装置を搭載した電子ペーパーを用いれば人手を多くかけることなく短時間で
広告の表示を変えることができる。また、電気特性のよい薄膜トランジスタを用いている
ため、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。なお、社内広告は無線で情報を送
受信できる構成としてもよい。
筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐
体2703は、軸部2711により一体になっており、該軸部2711を軸として開閉動
作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能
となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図22では表示部2705)に文章を表示し、左側の表示部
(図22では表示部2707)に画像を表示することができる。
701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている
。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキー
ボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や
側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSB
ケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成
としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成とし
てもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
00は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映
像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601
を支持した構成を示している。表示部9603は、実施の形態6〜実施の形態9に示した
表示装置を適用することができる。
コン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー
9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機
9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
ルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示
部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影
した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
る。デジタルプレーヤー2100は、本体2130、表示部2131、メモリ部2132
、操作部2133、イヤホン2134、制御部2137等を含んでいる。なお、イヤホン
2134の代わりにヘッドホンや無線式イヤホンを用いることができる。表示部2131
は、実施の形態6〜実施の形態9に示した表示装置を適用することができる。
音楽)を記録、再生することができる。なお、表示部2131は黒色の背景に白色の文字
を表示することで消費電力を抑えられる。なお、メモリ部2132に設けられたメモリは
、取り出し可能な構成としてもよい。
1に組み込まれた表示部1002の他、操作ボタン1003、外部接続ポート1004、
スピーカ1005、マイク1006などを備えている。表示部1002は、実施の形態8
〜実施の形態9に示した表示装置を適用することができる。
力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つ操作は、表示部1002
を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き(縦か横か)を判断して、表
示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことがで
きる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
である。
81 搬送ロボット
82 カセット室
83 ゲートバルブ
84 ゲートバルブ
85 ゲートバルブ
86 ゲートバルブ
87 ゲートバルブ
88 ゲートバルブ
89 処理室
90 処理室
91 処理室
92 処理室
93 処理室
94 基板
100 基板
102a ゲート絶縁膜
102b ゲート絶縁膜
103 半導体膜
104 膜
105 導電膜
106 絶縁膜
111 ゲート電極層
111a ゲート電極層
113 半導体層
114a バッファ層
114c 層
115a ドレイン電極層
115c 導電層
116 チャネル保護層
116a チャネル保護層
117 レジストマスク
118 レジストマスク
200 基板
201 薄膜トランジスタ
202 ソース配線層
203 ゲート配線層
204 容量配線層
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
255 電極層
260 液晶表示素子
261 絶縁層
262 液晶層
263 絶縁層
264 着色層
265 電極層
266 基板
267 偏光板
268 偏光板
301 薄膜トランジスタ
302 薄膜トランジスタ
303 発光素子
304 容量素子
305 ソース配線層
306 ゲート配線層
307 電源線
311 絶縁層
312 絶縁層
313 絶縁層
320 電極層
321 隔壁
322 電界発光層
323 電極層
324 発光素子
581 薄膜トランジスタ
585 絶縁層
587 電極層
587a 電極層
588 電極層
589 球形粒子
590a 黒色領域
590b 白色領域
594 キャビティ
595 充填材
1000 携帯電話機
1001 筐体
1002 表示部
1003 操作ボタン
1004 外部接続ポート
1005 スピーカ
1006 マイク
1601 ポスター
1602 車内広告
2100 デジタルプレーヤー
2130 本体
2131 表示部
2132 メモリ部
2133 操作部
2134 イヤホン
2137 制御部
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカ
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 薄膜トランジスタ
4011 薄膜トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子
4016 配線
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4501 基板
4502 画素部
4503a 信号線駆動回路
4504a 走査線駆動回路
4505 シール材
4506 基板
4507 充填材
4509 薄膜トランジスタ
4510 薄膜トランジスタ
4511 発光素子
4515 接続端子
4516 配線
4517 電極層
4518a FPC
4519 異方性導電膜
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 信号線駆動回路
5400 基板
5401 画素部
5402 走査線駆動回路
5403 信号線駆動回路
5404 走査線駆動回路
5501 配線
5502 配線
5503 配線
5504 配線
5505 配線
5506 配線
5543 ノード
5544 ノード
5571 薄膜トランジスタ
5572 薄膜トランジスタ
5573 薄膜トランジスタ
5574 薄膜トランジスタ
5575 薄膜トランジスタ
5576 薄膜トランジスタ
5577 薄膜トランジスタ
5578 薄膜トランジスタ
5601 ドライバIC
5602 スイッチ群
5603a 薄膜トランジスタ
5603b 薄膜トランジスタ
5603c 薄膜トランジスタ
5611 配線
5612 配線
5613 配線
5621 配線
5703a タイミング
5703b タイミング
5703c タイミング
5711 配線
5712 配線
5713 配線
5714 配線
5715 配線
5716 配線
5717 配線
5721 信号
5803a タイミング
5803b タイミング
5803c タイミング
5821 信号
7001 駆動用TFT
7002 発光素子
7003 陰極
7004 発光層
7005 陽極
7011 駆動用TFT
7012 発光素子
7013 陰極
7014 発光層
7015 陽極
7016 遮蔽膜
7017 導電膜
7021 駆動用TFT
7022 発光素子
7023 陰極
7024 発光層
7025 陽極
7027 導電膜
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
9607 表示部
9609 操作キー
9610 リモコン操作機
9700 デジタルフォトフレーム
9701 筐体
9703 表示部
Claims (1)
- 基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
前記酸化物半導体膜上にn型の導電型を有する膜を形成し、
前記n型の導電型を有する膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記導電膜と、前記n型の導電型を有する膜と、前記半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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JP4752927B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
DE102009038589B4 (de) * | 2009-08-26 | 2014-11-20 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | TFT-Struktur mit Cu-Elektroden |
US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP5458102B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101843558B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 시프트 레지스터, 표시 장치, 및 그 구동 방법 |
KR101291488B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2013-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130130879A (ko) * | 2009-10-21 | 2013-12-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
WO2011052382A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2494601A4 (en) | 2009-10-30 | 2016-09-07 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
KR101623961B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2016-05-26 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
WO2011074407A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102008754B1 (ko) * | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
KR102581069B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2023-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20240016443A (ko) | 2010-02-05 | 2024-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20110093113A (ko) | 2010-02-11 | 2011-08-18 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR101627136B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2016-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
WO2011105183A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus |
WO2011105184A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8431496B2 (en) * | 2010-03-05 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20130008037A (ko) * | 2010-03-05 | 2013-01-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
CN105304502B (zh) | 2010-03-26 | 2018-07-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2011122299A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
JP5577796B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-08-27 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
CN105810752B (zh) | 2010-04-02 | 2019-11-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR102292523B1 (ko) | 2010-04-02 | 2021-08-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US20110240462A1 (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2011222767A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
CN105390402B (zh) * | 2010-04-23 | 2018-09-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
KR20130055607A (ko) | 2010-04-23 | 2013-05-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
CN102870219B (zh) | 2010-04-23 | 2016-04-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2011135987A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101806271B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2017-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9496405B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer |
KR102110724B1 (ko) | 2010-06-11 | 2020-06-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8552425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8441010B2 (en) * | 2010-07-01 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8642380B2 (en) | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
KR102233958B1 (ko) | 2010-07-02 | 2021-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101671952B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2016-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
US8519387B2 (en) * | 2010-07-26 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing |
CN107947763B (zh) * | 2010-08-06 | 2021-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路 |
US8422272B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR101701212B1 (ko) * | 2010-08-11 | 2017-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
JP5806043B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2012029644A1 (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8766253B2 (en) * | 2010-09-10 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8871565B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5782695B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-09-24 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを備える画像表示装置、薄膜トランジスタの製造方法、画像表示装置の製造方法 |
KR20120037838A (ko) * | 2010-10-12 | 2012-04-20 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 이를 포함하는 전자소자 |
US8569754B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102110496B1 (ko) | 2010-12-03 | 2020-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
MX2013006233A (es) * | 2010-12-07 | 2013-08-15 | Univ Florida | Transistor emisor de luz organico vertical habilitado con fuente diluida de matriz activa. |
JP5707914B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 酸化物半導体を用いる装置、表示装置、及び、電子機器 |
US8921948B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8536571B2 (en) * | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8912080B2 (en) * | 2011-01-12 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of the semiconductor device |
JP5766467B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置 |
US9646829B2 (en) | 2011-03-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8927329B2 (en) * | 2011-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties |
US8541266B2 (en) * | 2011-04-01 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9093538B2 (en) * | 2011-04-08 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9478668B2 (en) * | 2011-04-13 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP6076617B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TWI514572B (zh) * | 2011-06-10 | 2015-12-21 | E Ink Holdings Inc | 金屬氧化物半導體電晶體 |
US8673426B2 (en) * | 2011-06-29 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit |
WO2013009505A2 (en) * | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of manufacturing thin film transistor devices |
KR101934977B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2019-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP6128775B2 (ja) * | 2011-08-19 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9252279B2 (en) * | 2011-08-31 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN102315130B (zh) * | 2011-09-21 | 2014-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜场效应晶体管及其制作方法 |
US9018629B2 (en) * | 2011-10-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102072244B1 (ko) | 2011-11-30 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8969867B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101308809B1 (ko) * | 2012-01-20 | 2013-09-13 | 경희대학교 산학협력단 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치 |
KR101318418B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2013-10-15 | 서울대학교산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
KR101969567B1 (ko) * | 2012-04-17 | 2019-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
MY167330A (en) * | 2012-04-20 | 2018-08-16 | Sharp Kk | Display device |
US8658444B2 (en) | 2012-05-16 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor active matrix on buried insulator |
KR101957976B1 (ko) * | 2012-06-13 | 2019-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 |
CN102738007B (zh) * | 2012-07-02 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法 |
JP6155823B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2017-07-05 | Jsr株式会社 | 有機el素子、感放射線性樹脂組成物および硬化膜 |
JP2014199899A (ja) | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20140026257A (ko) * | 2012-08-23 | 2014-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP6204145B2 (ja) | 2012-10-23 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2014065343A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102084288B1 (ko) | 2012-11-05 | 2020-03-03 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 아이엔씨. | 디스플레이의 휘도 보상 |
TWI605593B (zh) * | 2012-11-15 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9231002B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9704894B2 (en) * | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
KR102090289B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP6410496B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2018-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | マルチゲート構造のトランジスタ |
JP6238660B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2017-11-29 | 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
DE102013111501B4 (de) * | 2013-10-18 | 2024-02-08 | Universität Stuttgart | Dünnschichttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR102232539B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR102192084B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2020-12-16 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR20150060448A (ko) * | 2013-11-26 | 2015-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
KR20150062186A (ko) | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
TWI666770B (zh) * | 2013-12-19 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9722049B2 (en) * | 2013-12-23 | 2017-08-01 | Intermolecular, Inc. | Methods for forming crystalline IGZO with a seed layer |
CN103762178A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 |
US20150187956A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Intermolecular Inc. | IGZO Devices with Increased Drive Current and Methods for Forming the Same |
JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI536464B (zh) | 2014-01-15 | 2016-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 電晶體及其製造方法 |
KR101536174B1 (ko) * | 2014-02-11 | 2015-07-14 | 연세대학교 산학협력단 | 산소 확산을 억제할 수 있는 반도체 소자 제조 방법 |
US20150380563A1 (en) * | 2014-06-26 | 2015-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method for manufacturing the same |
TWI560781B (en) * | 2014-09-10 | 2016-12-01 | Au Optronics Corp | Method for fabricating thin film transistor and apparatus thereof |
US9722091B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN105655344B (zh) * | 2014-11-14 | 2019-02-05 | 群创光电股份有限公司 | 薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板 |
TWI581317B (zh) | 2014-11-14 | 2017-05-01 | 群創光電股份有限公司 | 薄膜電晶體基板及具備該薄膜電晶體基板之顯示面板 |
CN107004603B (zh) * | 2014-11-28 | 2021-03-09 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
TW201624678A (zh) * | 2014-12-27 | 2016-07-01 | 中華映管股份有限公司 | 主動元件及其製作方法 |
US9941324B2 (en) * | 2015-04-28 | 2018-04-10 | Nlt Technologies, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus |
US9837547B2 (en) * | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
CN106298876A (zh) * | 2015-05-25 | 2017-01-04 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
JP2017084549A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6607013B2 (ja) * | 2015-12-08 | 2019-11-20 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
CN105572990B (zh) * | 2015-12-21 | 2019-07-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板 |
US9728650B1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-08-08 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and conducting structure |
JP2017143135A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタ |
WO2017149413A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6668455B2 (ja) | 2016-04-01 | 2020-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
US11302717B2 (en) * | 2016-04-08 | 2022-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the same |
KR20180016330A (ko) * | 2016-07-08 | 2018-02-14 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 박막 트랜지스터, 게이트 드라이브 온 어레이 및 이를 갖는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법 |
KR102612734B1 (ko) | 2016-07-29 | 2023-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
WO2018039856A1 (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 薄膜晶体管制造方法 |
CN106206428A (zh) * | 2016-09-05 | 2016-12-07 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
KR102343573B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
CN107464830A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-12-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及制作方法、显示面板 |
US11049887B2 (en) | 2017-11-10 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Layer stack for display applications |
TW201919130A (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-16 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構、半導體結構的製造方法及半導體元件的製造方法 |
CN108281489A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 |
KR102606487B1 (ko) * | 2018-02-01 | 2023-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
CN108598004A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-09-28 | 福建华佳彩有限公司 | 一种igzo阵列基板的制备方法及igzo阵列基板 |
CN108987485B (zh) * | 2018-08-24 | 2021-10-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 |
US11169424B2 (en) * | 2019-03-18 | 2021-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN110112212A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管和阵列基板 |
US11335716B2 (en) | 2019-12-24 | 2022-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photosensing pixel, image sensor and method of fabricating the same |
CN111370311B (zh) * | 2020-03-17 | 2021-08-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
WO2022120746A1 (zh) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示面板 |
CN112713196A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-04-27 | 广州国显科技有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板 |
CN113707556A (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管以及显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123861A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2007157916A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
Family Cites Families (162)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP2692914B2 (ja) * | 1988-12-19 | 1997-12-17 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US5766344A (en) * | 1991-09-21 | 1998-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH06314789A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
US5473168A (en) | 1993-04-30 | 1995-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH09270517A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR100301803B1 (ko) | 1998-06-05 | 2001-09-22 | 김영환 | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
US6297519B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals |
JP3288637B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2002-06-04 | 富士通株式会社 | Ito膜接続構造、tft基板及びその製造方法 |
USRE39452E1 (en) | 1998-08-28 | 2007-01-02 | Fujitsu Limited | TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals |
JP2000101091A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4562835B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2010-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4118485B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2008-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2002289857A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | マトリクスアレイ基板の製造方法 |
JP2002368229A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-20 | Canon Inc | 半導体装置、及びその製造方法、並びに放射線検出装置 |
US6794682B2 (en) | 2001-04-04 | 2004-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and radiation detector |
JP2002324904A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその形成方法 |
JP2002373867A (ja) | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法 |
JP2003092271A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-03-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4507540B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2010-07-21 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタ |
JP2005108931A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP2005108930A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
JP4461873B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-05-12 | カシオ計算機株式会社 | 亜鉛酸化物の加工方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006005116A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Casio Comput Co Ltd | 膜形成方法、半導体膜、及び積層絶縁膜 |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4974500B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、モジュール及び電子機器 |
CN101044627B (zh) | 2004-09-15 | 2012-02-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP4610285B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
EP1815530B1 (en) | 2004-11-10 | 2021-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7601984B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP5126730B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
JP4569295B2 (ja) | 2004-12-28 | 2010-10-27 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4981282B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5006598B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP2007109918A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toppan Printing Co Ltd | トランジスタおよびその製造方法 |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP5089139B2 (ja) | 2005-11-15 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN101577293B (zh) | 2005-11-15 | 2012-09-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
JP5250929B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2013-07-31 | 凸版印刷株式会社 | トランジスタおよびその製造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
JP5000290B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-08-15 | 出光興産株式会社 | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5015470B2 (ja) | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
JP5110803B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2007250982A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
KR100785038B1 (ko) | 2006-04-17 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 비정질 ZnO계 TFT |
KR101206033B1 (ko) * | 2006-04-18 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 반도체 박막의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP4215068B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2009-01-28 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP5312728B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-10-09 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP4200458B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2008-12-24 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2007311404A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
KR100787455B1 (ko) | 2006-08-09 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 박막 트랜지스터의 제조방법 |
JP5128792B2 (ja) | 2006-08-31 | 2013-01-23 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタの製法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2008085091A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、および表示装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
WO2008069255A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus |
KR101146574B1 (ko) | 2006-12-05 | 2012-05-16 | 캐논 가부시끼가이샤 | 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치 |
JP5305630B2 (ja) | 2006-12-05 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法 |
KR20080052107A (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 엘지전자 주식회사 | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
KR100787464B1 (ko) | 2007-01-08 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100858088B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5244331B2 (ja) | 2007-03-26 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101334182B1 (ko) | 2007-05-28 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7682882B2 (en) * | 2007-06-20 | 2010-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor |
KR101270174B1 (ko) | 2007-12-03 | 2013-05-31 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP2010056541A (ja) | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP5616038B2 (ja) | 2008-07-31 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI770659B (zh) | 2008-07-31 | 2022-07-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
TWI642113B (zh) * | 2008-08-08 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123861A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2007157916A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
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