JP2017084549A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光取り出し量の低下を防止した表示装置を提供する。又は、消費電力を低下させた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数の下部電極26と、複数の下部電極を覆うように設けられ、発光層を含む有機層40と、有機層を覆うように連続一体的に設けられ、印加される電圧に応じて電子及びホールを生成することでキャリアを発生させる電荷発生層41と、電荷発生層上であって、少なくとも複数の下部電極それぞれの中央部の上方を避けて、平面視において複数の下部電極の間に設けられる上部電極42と、を有する。
【選択図】図3
【解決手段】表示装置は、複数の下部電極26と、複数の下部電極を覆うように設けられ、発光層を含む有機層40と、有機層を覆うように連続一体的に設けられ、印加される電圧に応じて電子及びホールを生成することでキャリアを発生させる電荷発生層41と、電荷発生層上であって、少なくとも複数の下部電極それぞれの中央部の上方を避けて、平面視において複数の下部電極の間に設けられる上部電極42と、を有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、表示装置に関する。
有機EL(Electro Luminescence)表示装置等の表示装置では、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、OLED)等の自発光素子をトランジスタ等のスイッチング素子を用いて制御し、画像を表示する場合がある。有機発光ダイオード等の自発光素子は、発光層を含む層を2つの電極で挟む構造を有する場合がある。その場合、光が出射される側に設けられる電極は、透明導電材料で形成される。
下記特許文献1には、上部電極が透明導電材料からなる主電極と、低抵抗材料からなる補助電極とから構成してあるアクティブ駆動型有機EL発光装置が記載されている。
透明導電材料は、金属材料に比べて電気抵抗が高い場合がある。電極の電気抵抗を低下させるために、透明導電材料で形成された電極の厚みを増大させると、光透過率が低下して光取り出し量が低下する場合がある。
そこで、本発明は、光取り出し量の低下を防止した表示装置の提供を目的とする。又は、消費電力を低下させた表示装置の提供を目的とする。
本発明の表示装置は、複数の下部電極と、前記複数の下部電極を覆うように設けられ、発光層を含む有機層と、前記有機層を覆うように連続一体的に設けられ、印加される電圧に応じて電子及びホールを生成することでキャリアを発生させる電荷発生層と、前記電荷発生層上であって、少なくとも前記複数の下部電極それぞれの中央部の上方を避けて、平面視において前記複数の下部電極の間に設けられる上部電極と、を有する。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置1を示す斜視図である。表示装置1は、上フレーム2と下フレーム3とで挟まれるように固定された表示パネル10から構成されている。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置1を示す斜視図である。表示装置1は、上フレーム2と下フレーム3とで挟まれるように固定された表示パネル10から構成されている。
図2は、本発明の第1の実施形態に係る表示パネル10の配線図である。表示パネル10は、表示領域11にマトリクス状に設けられた各画素を、映像信号駆動回路12及び走査信号駆動回路13によって制御し、画像を表示する。ここで、映像信号駆動回路12は、各画素に送る映像信号を生成し、発信する回路である。また、走査信号駆動回路13は、画素に設けられたTFT(Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ)への走査信号を生成し、発信する回路である。なお、図面において、映像信号駆動回路12及び走査信号駆動回路13は、2箇所に形成されるものとして図示されているが、1つのIC(Integrated Circuit)に組み込まれていてもよいし、3箇所以上に分かれて形成されてもよい。
図3は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置1の画素の断面図である。表示パネル10の最下層には、基板20が配置される。基板20は、ガラス又は人工樹脂等により形成される。基板20の上には、SiN、SiO2等により下地膜21が形成される。下地膜21の上には、駆動トランジスタのドレイン電極30とソース電極33とを電気的に接続する半導体層32が形成される。半導体層32は、多結晶シリコンで形成される。なお、半導体層32は非晶質シリコン等で形成されてもよい。下地膜21及び半導体層32の上には、SiN、SiO2等により第1絶縁層22が形成される。第1絶縁層22の上には、金属材料により駆動トランジスタのゲート電極31が形成される。第1絶縁層22及びゲート電極31の上には、SiN、SiO2等により第2絶縁層23が形成される。第2絶縁層23及び第1絶縁層22には、半導体層32に達するスルーホールが設けられ、金属材料により駆動トランジスタのドレイン電極30及びソース電極33が形成される。ドレイン電極30、ソース電極33、及び第2絶縁層23の上には、SiN、SiO2等により層間絶縁膜24が形成される。層間絶縁膜24の上には、アクリル、エポキシ等の絶縁膜系樹脂等の絶縁体により平坦化膜25が形成される。
平坦化膜25の上には、金属材料により複数の下部電極26が形成される。下部電極26は、有機発光ダイオードの陽極となる。下部電極26は、平坦化膜25及び層間絶縁膜24に設けられたスルーホールを通じて、駆動トランジスタのソース電極33に電気的に接続される。下部電極26は、画素ごとに互いに分離して形成される。本実施形態に係る表示装置1では、複数の下部電極26のうち特定の下部電極26に電圧を印加することで対応する画素を発光させ、画像を表示する。
平坦化膜25及び下部電極26の上には、アクリル、ポリイミド等の感光性樹脂、又はSiN、SiO2等の無機材料により画素分離膜27が形成される。画素分離膜27は、複数の下部電極26の端部を覆うように、絶縁材料により形成される。絶縁膜である画素分離膜27は、下部電極26の端部と、後述する上部電極42との間に設けられることで、電極間の短絡を防止する。また、画素分離膜27は、以下に記載するように画素領域PXを規定する。
複数の下部電極26の上には、複数の下部電極26を覆うように有機層40が形成される。有機層40は、発光層を含む層である。有機層40は、下部電極26側から順に、ホール輸送層(又はホール注入層とホール輸送層)と、発光層と、電子輸送層(又は電子輸送層と電子注入層)とが順に積層された層である。それぞれの層は、有機半導体材料で形成されてよい。下部電極26のうち画素分離膜26で覆われずに有機層40と接触している領域を画素領域PXと称する。有機層40のうち発光に寄与する部分は、画素領域PXに設けられた部分が主である。画素領域PXに設けられた有機層40には、ホール輸送層からホールが流入し、電子輸送層から電子が流入する。そして、発光層において電子とホールの再結合が起こり、発光層を形成する有機材料が励起され、高エネルギー準位から低エネルギー準位に遷移する際に光を発する。
有機層40の上には、有機層40を覆うように連続一体的に設けられ、印加される電圧に応じて電子及びホールを生成することでキャリアを発生させる電荷発生層41が形成される。電荷発生層41は、有機半導体材料で形成されてよい。電荷発生層41は、有機材であれば、ヘキサシアノ-ヘキサアザトリフェニレン(HATCN)テトラフルオロ-テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)が好適であり、無機材であれば、酸化バナジウム(V2O5)、酸化モリブデン(MoO3)が好適である。また、電荷発生層41上であって、少なくとも複数の下部電極26それぞれの中央部の上方を避けて、平面視において複数の下部電極26の間に上部電極42が設けられる。本実施形態に係る上部電極42は、画素領域PXに重ならないように設けられ、有機層40から出射される光を妨げない。そのため、本実施形態に係る表示装置1によれば、光取り出し量の低下が防止される。もっとも、上部電極42は、下部電極26の中央部の上方を避けて設けられればよく、その場合であれば、有機層40から出射される光を十分に取り出すことができる。さらに、画素分離膜27の上であれば、平面視で下部電極26とオーバーラップしてもよい。
上部電極42は、金属により形成されてよい。画素領域PX上の有機層40を覆うように上部電極を設ける場合、上部電極は、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電材料で形成する必要がある。しかし、透明導電材料を用いて上部電極を形成しても、透明導電材料による光の減衰は避けられない。この点、本実施形態に係る表示装置1によれば、光透過性を有しないほど厚い金属によって上部電極42を形成することができ、透明導電材料によって上部電極を形成する場合よりも電気抵抗を小さくすることができるため、消費電力が低減される。なお、電気抵抗が比較的小さくなるように厚い透明導電材料で上部電極42を形成することもできる。その場合であっても、表示装置1の消費電力を低減させることができる。
また、本実施形態に係る上部電極42は、画素分離膜27の上方に設けられる。画素分離膜27は、下部電極26の端部を覆うように設けられるため、上部電極42は、平面視において、下部電極26の端部と重なるように設けられる。上部電極42は、平面視において、画素分離膜27が存在しない領域には設けられないともいえる。このように上部電極42を配置することで、上部電極42が画素領域PXと重畳することが避けられ、表示装置1の光取り出し量を向上させることができる。また、透明電極材料が画素領域PXの上に配置されることによる光の減衰も避けることができる。
電荷発生層41は、画素ごとに形成された下部電極26と、上部電極42との間に印加される電圧に応じて、電子及びホールを対生成する。生成されたホールは、上部電極42に向かって流れる。また、生成された電子は、下部電極26側に設けられた有機層40の最上層である電子輸送層(又は電子注入層)に向かって流れる。電荷発生層41におけるキャリア(電子又はホール)の流れを簡略化して説明すると以下のようになる。電子とホールの第1の対が下部電極26側で生成され、電子とホールの第2の対が上部電極42側で生成される場合、第1の対のホールは上部電極42に向かって流れ、第2の対の電子は下部電極26に向かって流れる。そして、第1の対のホールと第2の対の電子とが再結合して消滅する。一方、第1の対の電子は下部電極26に至り、第2の対のホールは上部電極42に至る。このように、有機半導体材料におけるキャリアの移動度が比較的低い場合であっても、再結合を媒介することによって、実効的に下部電極26から上部電極42に電流を流すことができる。そのため、下部電極26と上部電極42とが、有機層40を挟んで対向するように設けられていなくても、下部電極26から上部電極42に電流を流すことができる。
電荷発生層41及び上部電極42の上には、封止膜43が形成される。封止膜43は、SiNやSiOやその積層膜にて形成される。封止膜43の上には、充填剤44が充填され、対向基板45が貼り合わされて密封される。対向基板45の表面又は裏面には、ブラックマトリクス、カラーフィルタ及び偏光板が設けられてもよい。また、対向基板45の表面には、タッチパネルが設けられてもよい。
なお、有機層40により形成される有機発光ダイオードは、いわゆるタンデム型であってもよい。すなわち、ホール輸送層、第1の発光層、電子輸送層が順に積層されることで第1の有機発光ダイオードが形成され、当該電子輸送層の上に電荷発生層が形成されて、ホール輸送層、第2の発光層及び電子輸送層が順に積層されることで第2の有機発光ダイオードが形成されてもよい。さらに電荷発生層が積層され、ホール輸送層、第3の発光層及び電子輸送層が順に積層されることで第3の有機発光ダイオードが形成されてもよい。積層される複数の有機発光ダイオードの発光色を調整することで、タンデム型の有機発光ダイオード全体としては白色の発光色とすることができる。その場合、対向基板45等にカラーフィルタを設けることでフルカラーの画像表示を行うことができる。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る表示パネル10の画素の上面図である。同図は、画素領域PXと上部電極42の位置関係を表している。本実施形態に係る上部電極42は、平面視において格子状に設けられる。上部電極42は、画素領域PXを取り囲むように設けられ、画素領域PXの2つの長辺から上部電極42までの距離がそれぞれ同程度となるため、画素領域PXの有機層40をいずれの場所でも同程度の条件で発光させることができる。そのため、画素毎に均一な表示品質が得られる。
図5は、本発明の第1の実施形態の変形例に係る表示パネル10の画素の上面図である。本変形例に係るストライプ上部電極42aは、画素領域PXの間に並行して設けられる。本変形例のようにストライプ上部電極42aを設ける場合であっても、画素領域PXとストライプ上部電極42aが重なることがなく、光取り出し量が向上する。また、ストライプ上部電極42aを金属で形成する等して電気抵抗を低く抑えることができるため、表示装置1の消費電力を低減させることができる。また、ストライプ上部電極42aは、一度の製膜工程で形成することができるため、本変形例に係る表示装置1は、少なくとも2度の製膜工程を必要とする格子状の上部電極42を採用する場合と比較して、より少ない工程で製造でき、より短時間で、より安価に製造することができる。
[第2の実施形態]
図6は、本発明の第2の実施形態に係る表示パネル10の画素の断面図である。本実施形態に係る表示パネル10は、電荷発生層41の上であって、画素分離膜27の上方に、拡張上部電極42bを有する。拡張上部電極42b以外の構成については、本実施形態に係る表示パネル10は、第1の実施形態に係る表示パネル10と同様の構成を有する。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る表示パネル10の画素の断面図である。本実施形態に係る表示パネル10は、電荷発生層41の上であって、画素分離膜27の上方に、拡張上部電極42bを有する。拡張上部電極42b以外の構成については、本実施形態に係る表示パネル10は、第1の実施形態に係る表示パネル10と同様の構成を有する。
拡張上部電極42bは、平面視において画素領域PXと重ならないように、画素分離膜27により形成される斜面部分に至るように形成される。拡張上部電極42bは、第1の実施形態に係る上部電極42よりも太く形成されるため、電荷発生層41と接触する面積がより広い。そのため、電気抵抗がより小さくなって、表示装置1の消費電力がより低減される。
[第3の実施形態]
図7は、本発明の第3の実施形態に係る表示パネル10の画素の断面図である。本実施形態に係る表示パネル10は、上部電極42及び電荷発生層41の上に、紫外線遮蔽膜28を有する。紫外線遮蔽膜28の上には、封止膜43が形成される。紫外線遮蔽膜28以外の構成については、本実施形態に係る表示パネル10は、第1の実施形態に係る表示パネル10と同様の構成を有する。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る表示パネル10の画素の断面図である。本実施形態に係る表示パネル10は、上部電極42及び電荷発生層41の上に、紫外線遮蔽膜28を有する。紫外線遮蔽膜28の上には、封止膜43が形成される。紫外線遮蔽膜28以外の構成については、本実施形態に係る表示パネル10は、第1の実施形態に係る表示パネル10と同様の構成を有する。
紫外線遮蔽膜28は、少なくとも複数の下部電極26それぞれの上方において、有機層40を覆うように設けられる。本実施形態に係る紫外線遮蔽膜28は、表示パネル10の表示領域全面を覆うように、連続一体的に設けられる。また、封止膜43は、上部電極42及び紫外線遮蔽膜28を覆うように連続一体的に設けられる。
封止膜43は、プラズマ化学気相成長法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition)により形成される場合がある。プラズマ化学気相成長工程では、紫外線が発生する場合があるため、有機層40が紫外線の照射を受けて劣化するおそれがある。従来の表示パネル10では、表示領域全面に透明導電材料で上部電極を形成する場合があり、当該上部電極が紫外線を遮蔽するため、その下に形成された有機層40の劣化が防がれていた。この点、本実施形態に係る表示パネル10では、封止膜43を形成する工程を行う前に、紫外線遮蔽膜28を形成している。これにより、下部電極26の中央部の上方に上部電極42が形成されず、プラズマ化学気相成長法により形成される封止膜43が有機層40を覆って形成される場合であっても、有機層40の劣化が防止される。
[第4の実施形態]
図8は、本発明の第4の実施形態に係る表示パネル10の画素の断面図である。本実施形態に係る表示パネル10は、電荷発生層41の上に銀薄膜46を有する。また、本実施形態に係る表示パネル10は、封止膜43を有さない。銀薄膜46及び封止膜43以外の構成については、本実施形態に係る表示パネル10は、第1の実施形態に係る表示パネル10と同様の構成を有する。さらに、充填材44の代わりに窒素ガス等の不活性な希ガスを充填してもよい。
図8は、本発明の第4の実施形態に係る表示パネル10の画素の断面図である。本実施形態に係る表示パネル10は、電荷発生層41の上に銀薄膜46を有する。また、本実施形態に係る表示パネル10は、封止膜43を有さない。銀薄膜46及び封止膜43以外の構成については、本実施形態に係る表示パネル10は、第1の実施形態に係る表示パネル10と同様の構成を有する。さらに、充填材44の代わりに窒素ガス等の不活性な希ガスを充填してもよい。
銀薄膜46は、有機層40を覆うように、連続一体的に設けられる光透過性の金属膜である。銀薄膜46は、有機層40を保護するとともに、上部電極42と電荷発生層41との間に形成されることで、導電性を向上させることもできる。なお、銀薄膜46をマグネシウム銀薄膜等の金属膜に置き換えてもよい。銀薄膜46等は、蒸着またはPVDにて形成されるものが好ましい。銀薄膜46等をプラズマCVDにより形成することも考えられるが、製造過程において発生する紫外線が有機層40の劣化の原因となるおそれがある。
本実施形態に係る表示パネル10は、少なくとも複数の下部電極26それぞれの上方において、プラズマ化学気相成長法により形成される膜を有さない。特に、本実施形態に係る表示パネル10は、プラズマ化学気相成長法により形成される封止膜43を有さない。そのため、プラズマ化学気相成長工程において紫外線が発生して有機層40が劣化するおそれが無く、有機層40の品質を高く保つことができる。
なお、本実施形態に係る対向基板45は、額縁領域において、フリットガラスにより接着されることが望ましい。フリットガラスにより対向基板45を接着することで、高い密閉性が得られて、銀薄膜46による保護と併せて、有機層40に水分等が侵入することを防止できる。
本発明の実施形態として上述した表示装置1を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。例えば、画素領域の形状はL字状でなくてもよく、矩形状であってもよいし、多角形状であってもよい。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
1 表示装置、2 上フレーム、3 下フレーム、10 表示パネル、11 表示領域、12 映像信号駆動回路、13 走査信号駆動回路、14 走査線、15 映像信号線、16 電源線、20 基板、21 下地膜、22 第1絶縁層、23 第2絶縁層、24 層間絶縁膜、25 平坦化膜、26 下部電極、27 画素分離膜、28 紫外線遮蔽膜、30 ドレイン電極、31 ゲート電極、32 半導体層、33 ソース電極、40 有機層、41 電荷発生層、42 上部電極、42a ストライプ上部電極、42b 拡張上部電極、43 封止膜、44 充填剤、45 対向基板、46 銀薄膜。
Claims (15)
- 複数の下部電極と、
前記複数の下部電極を覆うように設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆うように連続一体的に設けられ、印加される電圧に応じて電子及びホールを生成することでキャリアを発生させる電荷発生層と、
前記電荷発生層上であって、少なくとも前記複数の下部電極それぞれの中央部の上方を避けて、平面視において前記複数の下部電極の間に設けられる上部電極と、
を有する表示装置。 - 前記複数の下部電極の端部を覆うように、絶縁材料により形成される画素分離膜をさらに有し、
前記上部電極は、前記画素分離膜の上方に設けられる、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記上部電極は、前記画素分離膜により形成される斜面部分に至るように形成される、
請求項2に記載の表示装置。 - 少なくとも前記複数の下部電極それぞれの上方において、前記有機層を覆うように設けられる紫外線遮蔽膜と、
前記上部電極及び前記紫外線遮蔽膜を覆うように連続一体的に設けられる封止膜と、をさらに有する、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 少なくとも前記複数の下部電極それぞれの上方において、プラズマ化学気相成長法により形成される膜を有さない、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記有機層を覆うように、連続一体的に設けられる光透過性の金属膜をさらに有する、
請求項5に記載の表示装置。 - 前記上部電極は、金属により形成される、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記上部電極は、平面視において格子状に設けられる、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の表示装置。 - 複数の下部電極と、
前記複数の下部電極を覆うように設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層を覆うように連続一体的に設けられ、印加される電圧に応じて電子及びホールを生成することでキャリアを発生させる電荷発生層と、
前記複数の下部電極の端部を覆うように、絶縁材料により形成される画素分離膜と、
前記電荷発生層上に設けられる上部電極と、を有し、
平面視において、前記上部電極は、前記画素分離膜が存在しない領域には設けられない、
表示装置。 - 前記上部電極は、前記画素分離膜により形成される斜面部分に至るように形成される、
請求項9に記載の表示装置。 - 少なくとも前記複数の下部電極それぞれの上方において、前記有機層を覆うように設けられる紫外線遮蔽膜と、
前記上部電極及び前記紫外線遮蔽膜を覆うように設けられる封止膜と、をさらに有する、
請求項9に記載の表示装置。 - 前記上部電極上および前記電荷発生層上には不活性ガスが配置されている、
請求項9に記載の表示装置。 - 前記有機層を覆うように、光透過性の金属膜をさらに有する、
請求項12に記載の表示装置。 - 前記上部電極は、金属により形成される、
請求項9に記載の表示装置。 - 前記上部電極は、平面視において格子状に設けられる、
請求項9に記載の表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015210509A JP2017084549A (ja) | 2015-10-27 | 2015-10-27 | 表示装置 |
CN201610896562.8A CN106611772A (zh) | 2015-10-27 | 2016-10-13 | 显示装置 |
KR1020160138433A KR20170049407A (ko) | 2015-10-27 | 2016-10-24 | 표시 장치 |
US15/351,264 US20170117500A1 (en) | 2015-10-27 | 2016-11-14 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015210509A JP2017084549A (ja) | 2015-10-27 | 2015-10-27 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017084549A true JP2017084549A (ja) | 2017-05-18 |
Family
ID=58559216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015210509A Pending JP2017084549A (ja) | 2015-10-27 | 2015-10-27 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170117500A1 (ja) |
JP (1) | JP2017084549A (ja) |
KR (1) | KR20170049407A (ja) |
CN (1) | CN106611772A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107256878A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
KR102503183B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2023-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
CN109546000A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
JP2020161577A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100882668B1 (ko) * | 2007-07-18 | 2009-02-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
TWI642113B (zh) * | 2008-08-08 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
KR20140088417A (ko) * | 2013-01-02 | 2014-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR20150077261A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102178863B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2020-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 표시 장치 |
EP4258844A3 (en) * | 2014-09-30 | 2023-11-15 | LG Display Co., Ltd. | Flexible organic light emitting display device |
-
2015
- 2015-10-27 JP JP2015210509A patent/JP2017084549A/ja active Pending
-
2016
- 2016-10-13 CN CN201610896562.8A patent/CN106611772A/zh active Pending
- 2016-10-24 KR KR1020160138433A patent/KR20170049407A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-11-14 US US15/351,264 patent/US20170117500A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170117500A1 (en) | 2017-04-27 |
KR20170049407A (ko) | 2017-05-10 |
CN106611772A (zh) | 2017-05-03 |
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