KR20160034807A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20160034807A
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도시히로 사또
고지 야스까와
마사까즈 군지
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가부시키가이샤 재팬 디스프레이
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Abstract

표시 장치는, 절연 표면 상에, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극과, 상기 복수의 화소 전극 상 각각에 서로 분리되어 설치되고, 복수의 제1 캐리어 수송층 또는 복수의 제1 캐리어 주입층을 포함하는 제1 층과, 상기 제1 층 상에 설치되고, 평면적으로 볼 때 상기 복수의 화소 전극의 각각에 중첩된 영역에 개구부를 갖는 화소 분리막과, 상기 개구부를 덮도록 설치된 발광층과, 상기 발광층 상에 설치되고, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층을 포함하는 제2 층과, 상기 제2 층 상에 설치된 대향 전극을 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등의 표시 장치에서는, 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등의 자발광 소자를 포함하는 화소를 제어하고, 화상을 표시하는 경우가 있다. 종래, 유기 발광 다이오드를 형성하는 유기층 중 홀 수송층(Hole Transport Layer, HTL) 또는 홀 주입층(Hole Injection Layer, HIL)은 복수 화소에 대해 공통으로 설치된다.
일본 특허 공개 제2012-155953호 공보에는, 애노드 전극의 주위를 둘러싸고, 또한 유기층에 대해 전기적으로 접속된 금속 배선을 갖고, 금속 배선의 전위는, 애노드 전극의 전위보다도 낮은 EL 표시 장치가 기재되어 있다.
홀 수송층 또는 홀 주입층은 복수 화소에 대해 공통으로 설치되어 있었으므로, 특정 화소를 발광시키는 의도로 전류를 흘렸다고 해도, 홀 수송층 또는 홀 주입층 등을 따라 누설 전류가 발생하는 경우가 있다. 누설 전류는 인접 화소에 도달하여, 인접 화소의 의도하지 않는 발광을 초래하는 경우가 있었다.
따라서, 본 발명은 화소의 의도하지 않는 발광을 방지한 표시 장치의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 표시 장치는, 절연 표면 상에, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극과, 상기 복수의 화소 전극 상 각각에 서로 분리되어 설치되고, 복수의 제1 캐리어 수송층 또는 복수의 제1 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 복수의 제1 층과, 상기 제1 층 상에 설치된 발광층과, 상기 발광층 상에 설치되고, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 제2 층과, 상기 제2 층 상에 설치된 대향 전극을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시 장치는, 절연 표면 상에, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극과, 상기 복수의 화소 전극 상에 걸쳐 설치되고, 제1 캐리어 수송층 또는 제1 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 제1 층과, 상기 제1 층 상에 설치된 발광층과, 상기 발광층 상에 설치되고, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 제2 층과, 상기 제2 층 상에 설치된 대향 전극을 갖고, 상기 제1 층은, 인접하는 2개의 상기 화소 전극간에 설치되는 중간 부분을 갖고, 상기 중간 부분보다도 캐리어 이동도가 높은 부분을, 상기 제1 층 중 상기 화소 전극 상에 설치되는 부분에 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시 장치의 제조 방법은, 절연 표면 상에, 화소 전극층을 형성하고, 상기 화소 전극층 상에, 제1 캐리어 수송층 또는 제1 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 공통층을 형성하고, 상기 화소 전극층 및 상기 공통층을 패터닝하고, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극과, 상기 복수의 화소 전극 상 각각에 서로 분리되어 설치되고, 복수의 상기 제1 캐리어 수송층 또는 복수의 상기 제1 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 복수의 제1 층을 형성하고, 상기 제1 층 상에 발광층을 형성하고, 상기 발광층 상에, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 제2 층을 형성하고, 상기 제2 층 상에 대향 전극층을 형성한다.
본 발명의 표시 장치 제조 방법은, 절연 표면 상에, 화소 전극층을 형성하고, 상기 화소 전극층을 패터닝하고, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극을 형성하고, 상기 복수의 화소 전극 상에 걸쳐, 제1 캐리어 수송층 또는 제1 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 제1 층을 형성하고, 상기 제1 층 중 상기 복수의 화소 전극을 덮는 부분, 또는 상기 제1 층 중 상기 절연 표면을 덮는 부분에 대해 입자선 또는 광선을 조사하고, 상기 제1 층 상에 발광층을 형성하고, 상기 발광층 상에, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽인 제2 층을 형성하고, 상기 제2 층 상에 대향 전극층을 형성한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치의 사시도.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치의 배선도.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널의 화소의 단면도.
도 4는 제1 변형예에 따른 유기 EL 패널의 화소의 단면도.
도 5는 제2 변형예에 따른 유기 EL 패널의 화소의 단면도.
도 6은 제3 변형예에 따른 유기 EL 패널의 화소의 단면도.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 패널의 화소의 단면도.
도 8은 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 패널의 화소의 단면도.
도 9는 제4 실시 형태에 따른 유기 EL 패널의 화소의 단면도.
도 10은 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널 작성 공정의 흐름도.
도 11은 하부 구조 형성 공정의 제1 예에 있어서의, 화소 전극층 및 공통층을 도시하는 도면.
도 12는 하부 구조 형성 공정의 제1 예에 있어서의, 화소 전극 및 홀 수송층을 도시하는 도면.
도 13은 하부 구조 형성 공정의 제2 예에 있어서의, 화소 전극 및 공통층을 도시하는 도면.
도 14는 하부 구조 형성 공정의 제2 예에 있어서의, 화소 전극 및 홀 수송층을 도시하는 도면.
도 15는 하부 구조 형성 공정의 제3 예에 있어서의, 입자선의 조사를 도시하는 도면.
도 16은 하부 구조 형성 공정의 제4 예에 있어서의, 입자선의 조사를 도시하는 도면.
이하에, 본 발명의 각 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 개시는 어디까지나 일례에 지나지 않고, 당업자에 있어서, 발명의 주지를 유지한 적시 변경에 대해 용이하게 상도할 수 있는 것에 대해서는, 당연히 본 발명의 범위에 함유되는 것이다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확히 하기 위해, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대해 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 명세서와 각 도면에 있어서, 기출된 도면에 관해 전술한 것과 동일한 요소에는, 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치(1)를 도시하는 사시도이다. 유기 EL 표시 장치(1)는 상측 프레임(2)과 하측 프레임(3) 사이에 끼워지도록 고정된 유기 EL 패널(10)을 포함하고 있다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치(1)의 배선도이다. 유기 EL 패널(10)은 표시 영역(11)에 매트릭스 형상으로 설치된 각 화소를, 영상 신호 구동 회로(12) 및 주사 신호 구동 회로(13)에 의해 제어하고, 화상을 표시한다. 여기서, 영상 신호 구동 회로(12)는 각 화소에 보내는 영상 신호를 생성하고, 발신하는 IC(Integrated Circuit)이다. 또한, 주사 신호 구동 회로(13)는 화소에 설치된 TFT(Thin Film Transistor, 박막 트랜지스터)에의 주사 신호를 생성하고, 발신하는 IC이다. 또한, 도면에 있어서, 영상 신호 구동 회로(12) 및 주사 신호 구동 회로(13)는 2개소에 형성되는 것으로서 도시되어 있지만, 하나의 IC에 내장되어 있어도 되고, 3개소 이상으로 나뉘어져 형성되어도 된다.
주사 신호 구동 회로(13)로부터의 신호를 전달하는 주사선(15)은 각 화소 영역에 형성된 화소 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속된다. 주사선(15)은 1개의 행으로 배열되는 화소 트랜지스터에 대해 공통이다. 화소 트랜지스터는, 그 소스 또는 드레인이 구동 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되는 트랜지스터이다. 구동 트랜지스터는, 소스가 유기 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 접속되는 트랜지스터이다. 유기 발광 다이오드의 음극은, 접지 전위로 고정된다. 또한, 영상 신호 구동 회로(12)로부터의 신호를 전달하는 영상 신호선(14)은 화소 트랜지스터의 소스 또는 드레인에 전기적으로 접속된다. 영상 신호선(14)은 1개의 열로 배열되는 화소 트랜지스터에 대해 공통이다. 주사선(15)에 주사 신호가 인가되면 화소 트랜지스터가 온 상태로 된다. 그 상태에서 영상 신호선(14)에 영상 신호가 인가되면 구동 트랜지스터의 게이트에 영상 신호가 인가되고, 구동 트랜지스터가 온 상태로 된다. 구동 트랜지스터의 드레인에는, 전원선(16)이 전기적으로 접속된다. 전원선(16)에는, 유기 발광 다이오드를 발광시키기 위한 전원 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터가 온 상태로 되면, 영상 신호의 크기에 따른 전류가 유기 발광 다이오드로 흘러, 유기 발광 다이오드가 발광한다.
[제1 실시 형태]
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)의 화소의 단면도이다. 도 3은 도 2의 III-III 단면을 도시하는 도면이다. 유기 EL 패널(10)의 최하층에는, 기판(20)이 배치된다. 기판(20)은 글래스 또는 인공 수지 등에 의해 형성된다.
기판(20) 상에는, SiN, SiO2 등에 의해 기초막(21)이 형성된다. 기초막(21) 상에는, 구동 트랜지스터의 드레인 전극(30)과 소스 전극(33)을 전기적으로 접속하는 채널층(32)이 형성된다. 채널층(32)은 다결정 실리콘으로 형성된다. 또한, 채널층(32)은 비정질 실리콘 등으로 형성되어도 된다. 기초막(21) 및 채널층(32) 상에는, SiN, SiO2 등에 의해 제1 절연막(22)이 형성된다. 제1 절연막(22) 상에는, 금속 재료에 의해 구동 트랜지스터의 게이트 전극(31)이 형성된다. 제1 절연막(22) 및 게이트 전극(31) 상에는, SiN, SiO2 등에 의해 제2 절연막(23)이 형성된다. 제2 절연막(23) 및 제1 절연막(22)에는, 채널층(32)에 도달하는 스루 홀이 형성되고, 금속 재료에 의해 구동 트랜지스터의 드레인 전극(30) 및 소스 전극(33)이 형성된다. 드레인 전극(30), 소스 전극(33) 및 제2 절연막(23) 상에는, SiN, SiO2 등에 의해 층간 절연막(24)이 형성된다. 층간 절연막(24) 상에는, 금속 재료에 의해 배선(34)이 형성된다. 배선(34)은 전원선(16) 또는 영상 신호선(14) 등이다. 배선(34) 및 층간 절연막(24) 상에는, SiN, SiO2 등에 의해 평탄화막(25)이 형성된다. 또한, 도 3에 도시하는 예에 있어서, 채널층(32)은 n채널이며, 드레인 전극(30)측으로부터 소스 전극(33)측으로 전류가 흐르는 것으로 한다.
평탄화막(25)의 표면은 절연 표면이다. 절연 표면인 평탄화막(25) 상에는, 금속 재료에 의해 화소 전극(26)이 형성된다. 화소 전극(26)은 유기 발광 다이오드의 양극으로 된다. 화소 전극(26)은 평탄화막(25) 및 층간 절연막(24)에 형성된 스루 홀을 통하여, 구동 트랜지스터의 소스 전극(33)에 전기적으로 접속된다. 화소 전극(26)은 화소마다 서로 분리되어 형성된다. 유기 EL 표시 장치(1)에서는, 특정한 화소 전극(26)에 전압을 인가함으로써 대응하는 화소를 발광시키고, 화상을 표시한다. 그러나, 전술한 바와 같이, 화소 전극(26) 상에 적층되는 유기층이 복수의 화소에 걸쳐 형성되는 경우, 유기층을 따라 누설 전류가 발생하여, 인접 화소가 발광하는 경우가 있다. 여기서, 누설 전류는, 유기층 중에서도 화소 전극(26)측에 형성되는 층을 통하여 발생하는 경우가 많다.
제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)에서는, 복수의 화소 전극(26) 상 각각에, 복수의 캐리어 수송층 또는 복수의 캐리어 주입층 중 적어도 한쪽(제1 층)이 형성된다. 여기서, 캐리어라 함은 전자 또는 홀을 의미한다. 본 실시 형태에서는, 캐리어 수송층은, 홀 수송층(27a)이다. 복수의 홀 수송층(27a)은 서로 분리되어 설치된다. 또한, 화소 전극(26) 상에 설치되는 층은 홀 주입층이어도 된다. 또한, 화소 전극(26) 상에 설치되는 층은, 화소 전극(26)측으로부터 순서대로 홀 주입층과 홀 수송층이 적층된 층이어도 된다. 홀 수송층(27a)은 예를 들어 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술폰산)(PEDOD-PSS)로 형성되지만, 그 외의 도전성 유기 재료로 형성되어도 된다. 본 실시 형태와 같이, 홀 수송층(27a)을 복수의 화소 전극(26)마다 분리하여 형성함으로써, 홀 수송층(27a)을 통한 누설 전류가 발생하지 않게 된다. 그로 인해, 화소의 의도하지 않는 발광이 방지된다.
또한, 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27a)은 에칭에 의해 형성되어도 된다. 종래, 홀 수송층(27a)은 증착 마스크를 사용한 증착 공정에 의해 패터닝되어 형성되는 경우가 있었다. 본 실시 형태와 같이 화소 분리막(28)을 형성하기 전에, 에칭에 의해 홀 수송층(27a)을 패터닝함으로써, 홀 수송층(27a)의 패터닝을 보다 간단화할 수 있다. 또한, 증착 공정에서는 미세 가공이 곤란한 것 외에, 전공정에 있어서 증착 마스크에 부착된 물질에 의해 증착층이 오염될 우려가 있다. 그 점, 본 실시 형태에 있어서의 홀 수송층(27a)은 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 오염을 방지하면서 고정밀도로 패터닝하는 것이 가능하다. 또한, 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27a)을 에칭에 의해 형성하는 경우, 웨트 에칭을 사용할 수 있다. 또한, 드라이 에칭을 사용해도 된다.
평탄화막(25), 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27a) 상에는, 아크릴, 폴리이미드 등의 감광성 수지, 또는 SiN, SiO2 등의 무기 재료에 의해 화소 분리막(28)이 형성된다. 화소 분리막(28)은 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27a)의 단부를 덮고, 전극간의 단락을 방지한다. 또한, 화소 분리막(28)은 이하에 기재한 바와 같이 발광 영역을 규정한다.
복수의 화소 분리막(28) 및 복수의 홀 수송층(27a) 상에는, 유기층(40)이 형성된다. 유기층(40)은 홀 수송층(27a)측으로부터 순서대로 발광층과 전자 수송층(Electron Transport Layer, ETL)이 적층된 층이다. 여기서, 발광층 상에는, 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)이 형성되어도 되고, 전자 수송층과 전자 주입층이 순서대로 형성되어도 된다. 발광층의 발광 영역은, 발광층 중 홀 수송층(27a) 상에 형성되는 부분[발광층 중 화소 분리막(28) 상에 형성되지 않는 부분]이다. 발광층의 발광 영역에는, 홀 수송층(27a)으로부터 홀이 유입되고, 전자 수송층으로부터 전자가 유입된다. 그리고, 발광층에 있어서 전자와 홀의 재결합이 일어나고, 발광층을 형성하는 유기 재료가 여기되고, 고에너지 준위로부터 저에너지 준위로 천이할 때에 광을 발한다.
홀 수송층(27a) 및 유기층(40)에 의해 형성되는 유기 발광 다이오드는, 소위 탠덤형이어도 된다. 즉, 홀 수송층(27a), 제1 발광층, 전자 수송층이 순서대로 적층됨으로써 제1 유기 발광 다이오드가 형성되고, 전자 수송층 상에 전하 발생층이 형성되어도 된다. 전하 발생층 상에는, 홀 수송층, 제2 발광층 및 전자 수송층이 순서대로 적층됨으로써 제2 유기 발광 다이오드가 형성되어도 된다. 또한 전하 발생층이 적층되고, 홀 수송층, 제3 발광층 및 전자 수송층이 순서대로 적층됨으로써 제3 유기 발광 다이오드가 형성되어도 된다. 적층되는 복수의 유기 발광 다이오드의 발광색을 조정함으로써, 탠덤형의 유기 발광 다이오드 전체적으로는 백색의 발광색으로 할 수 있다. 그 경우, 후술하는 컬러 필터를 설치함으로써 풀 컬러의 화상 표시를 행한다. 유기 발광 다이오드의 발광색을 백색으로 하고, 컬러 필터에 의해 풀 컬러 표시를 행하는 경우, 유기층(40)을 증착 등에 의해 표시 영역(11) 전체 면에 형성하면 되고, 화소마다 분리하여 형성할 필요가 없다. 유기층(40)을 표시 영역(11) 전체 면에 형성하는 경우, 증착 마스크 등을 사용하여 유기층(40)을 패터닝할 필요가 없어, 유기층(40)의 형성을 저렴하게 행할 수 있다.
유기층(40) 상에는, ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전 재료에 의해 대향 전극(41)이 형성된다. 대향 전극(41)은 유기 발광 다이오드의 음극으로 된다. 대향 전극(41) 상에는, 유기층의 열화를 방지하기 위해, 밀봉막(42)이 형성된다. 또한, 충전제(43)가 충전되고, 대향 기판(44)이 접합되어 밀봉된다. 대향 기판(44)의 표면 또는 이면에는, 블랙 매트릭스, 컬러 필터 및 편광판이 형성되어도 된다. 또한, 대향 기판(44)의 표면에는, 터치 패널이 설치되어도 된다.
도 4는 제1 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)의 화소의 단면도이다. 제1 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과의 상위점은, 복수의 홀 수송층(27b)이 화소 전극(26) 상으로부터 절연 표면을 갖는 평탄화막(25) 상에 걸쳐 설치되는 점이다. 즉, 홀 수송층(27b)은 화소 전극(26)보다도 넓게 형성되어, 화소 전극(26)의 단부를 덮도록 형성된다. 그 외의 구성에 대해, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제1 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)은 동일한 구성을 갖는다.
홀 수송층(27b)이 화소 전극(26) 상으로부터 평탄화막(25) 상에 걸쳐 설치되는 경우, 화소 전극(26)과 홀 수송층(27b)을 상이한 에칭 공정에 의해 형성할 수 있다. 그로 인해, 화소 전극(26)을 형성하는 에칭 조건과, 홀 수송층(27b)을 형성하는 에칭 조건을 바꿀 수 있고, 각각의 재료에 의해 적합한 에칭 조건을 설정할 수 있다.
도 5는 제2 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)의 화소의 단면도이다. 제2 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과의 상위점은, 복수의 홀 수송층(27c) 각각의 단부가, 화소 전극(26) 상에 설치되는 점이다. 즉, 홀 수송층(27c)은 화소 전극(26)보다도 좁게 형성되어, 화소 전극(26)의 단부는 홀 수송층(27c)에 의해 덮이지 않는다. 그 외의 구성에 대해, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제2 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)은 동일한 구성을 갖는다.
홀 수송층(27c)의 단부가 화소 전극(26) 상에 설치되는 경우, 화소 전극(26)과 홀 수송층(27c)을 상이한 에칭 공정에 의해 형성할 수 있다. 그로 인해, 화소 전극(26)을 형성하는 에칭 조건과, 홀 수송층(27c)을 형성하는 에칭 조건을 바꿀 수 있고, 각각의 재료에 의해 적합한 에칭 조건을 설정할 수 있다 . 또한, 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27)을 한번의 에칭 공정에 의해 동시에 패터닝할 수도 있다. 그 경우, 화소 전극(26)보다도 홀 수송층(27)에 대해 에칭 레이트가 높은 에칭액을 사용함으로써 본 예의 구성이 실현된다.
도 6은 제3 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)의 화소의 단면도이다. 제3 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과의 상위점은, 복수의 홀 수송층의 단부(27d)의 캐리어 이동도가, 홀 수송층의 단부 이외의 부분(27c)의 캐리어 이동도보다도 낮은 점이다. 본 예에 있어서, 캐리어 이동도라 함은, 홀 이동도이다. 제3 변형예에 있어서, 홀 수송층(27) 중 화소 분리막(28)에 덮이는 부분의 홀 이동도는, 홀 수송층(27) 중 화소 분리막(28)에 덮이지 않는 부분의 홀 이동도보다도 낮다. 그 외의 구성에 대해, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제3 변형예에 따른 유기 EL 패널(10)은 동일한 구성을 갖는다.
홀 수송층의 단부(27d)와, 홀 수송층의 단부 이외의 부분(27c)과의 홀 이동도의 차이는, 홀 수송층의 단부 이외의 부분(27c)에 질소 이온 또는 수소 이온 등을 주입함으로써 발생시킬 수 있다. 적절한 농도의 질소 이온 등이 주입된 홀 수송층의 단부 이외의 부분(27c)은 홀 주입 특성이 향상되고, 홀 이동도가 높아진다. 그로 인해, 전류가 홀 수송층의 단부 이외의 부분(27c)에 협착되고, 보다 효율적으로 발광층에 전류를 공급할 수 있다. 이온 주입 공정은, 화소 분리막(28)을 형성한 후에 행함으로써, 화소 분리막(28)을 마스크로 하여 사용할 수 있고, 마스크 형성 공정 등을 생략하여 간단하게 행할 수 있다. 또한, 홀 수송층의 단부(27d)와, 홀 수송층의 단부 이외의 부분(27c)과의 홀 이동도의 차이는, 이온 주입 외에, 전자선 조사, 적외선 조사, 자외선 조사 등에 의해 발생시켜도 된다.
[제2 실시 형태]
도 7은 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)의 화소의 단면도이다. 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과의 상위점는, 홀 수송층(27)이 복수의 화소 전극(26) 상에 걸쳐 설치되고, 홀 수송층(27)은 인접하는 2개의 화소 전극(26) 사이에 설치되는 중간 부분(27f)[이하, 중간부(27f)이라고 칭함]을 갖고, 중간 부분(27f)보다도 캐리어 이동도가 높은 부분을, 홀 수송층(27) 중 화소 전극(26) 상에 설치되는 부분(27e)[이하, 홀 수송층의 중심부(27e)라고 칭함]에 갖는 점이다. 여기서, 홀 수송층(27)이 복수의 화소 전극(26) 상에 걸쳐 설치된다고 함은, 홀 수송층(27)이 연속되어, 일체로 되어 복수의 화소 전극(26) 상에 설치되는 것을 말한다. 본 실시 형태에 있어서, 홀 수송층의 중간부(27f)를 덮도록, 화소 분리막(28)이 설치된다. 홀 수송층(27) 중 화소 분리막(28)에 덮이지 않는 부분의 홀 이동도는, 홀 수송층(27) 중 화소 분리막(28)에 덮이는 부분의 홀 이동도보다도 높다. 그 외의 구성에 대해, 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)과, 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)은 동일한 구성을 갖는다.
홀 수송층의 중심부(27e)와, 홀 수송층의 중간부(27f)와의 홀 이동도의 차이는, 홀 수송층의 중심부(27e)에 질소 이온 또는 수소 이온 등을 주입함으로써 발생시킬 수 있다. 이온 주입 공정은, 화소 분리막(28)을 형성한 후에 행함으로써, 화소 분리막(28)을 마스크로서 사용할 수 있고, 마스크 형성 공정 등을 생략하여 간단하게 행할 수 있다. 또한, 홀 수송층의 중심부(27e)와, 홀 수송층의 중간부(27f)와의 홀 이동도의 차이는, 이온 주입 외에, 전자선 조사, 적외선 조사, 자외선 조사 등에 의해 발생시켜도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 홀 수송층(27)은 복수의 화소에 걸쳐 형성된다. 그러나, 홀 수송층의 중간부(27f)의 홀 이동도가 비교적 낮기 때문에, 인접 화소에의 누설 전류의 발생은 억제된다. 이와 같은 구성을 채용하는 경우에도, 화소의 의도하지 않는 발광을 방지할 수 있다.
[제3 실시 형태]
도 8은 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)의 화소의 단면도이다. 제3 실시 형태에 있어서, 홀 수송층(27a), 화소 전극(26) 및 평탄화막(25)보다도 하층의 구성는, 제1 실시 형태의 구성과 마찬가지이다. 복수의 화소 전극(26)은 서로 분리되어 설치되고, 홀 수송층(27a)은 복수의 화소 전극(26) 상 각각에 서로 분리되어 설치된다. 그로 인해, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)에 의하면, 홀 수송층(27a)을 통한 누설 전류가 발생하지 않게 되어, 화소의 의도하지 않는 발광이 방지된다. 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)은 화소 분리막(28)을 갖지 않고, 복수의 홀 수송층(27a) 및 평탄화막(25) 상에 유기층(40)이 평탄하게 형성된다. 본 실시 형태에 있어서, 유기층(40)의 발광 영역은, 유기층(40) 중 홀 수송층(27a)을 덮는 부분으로 된다.
본 실시 형태에서는, 밀봉막(42) 상에 컬러 필터(45)가 형성된다. 컬러 필터(45) 상에는 대향 기판(44)이 형성되고, 밀폐된다. 컬러 필터(45)는 적색 컬러 필터(45a), 녹색 컬러 필터(45b), 청색 컬러 필터(45c)를 포함한다. 각 색의 컬러 필터는, 각각 특정한 화소 전극(26) 상방에 위치하도록 설치된다. 즉, 각 색의 컬러 필터는, 유기층(40)이 포함하는 복수의 발광 영역 중, 어느 하나의 상방에 위치하도록 설치된다. 유기층의 발광 영역에서 발생한 광은, 예를 들어 녹색 컬러 필터(45b)를 통과함으로써, 녹색의 광으로서 시인된다. 또한, 도시하고 있지 않지만, 각각의 컬러 필터의 경계 부분에는, 비발광 영역을 덮도록 배치한, 차광을 위한 블랙 매트릭스 구조를 설치해도 된다.
본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)은 화소 분리막(28)을 갖지 않기 때문에, 화소 분리막(28)을 갖는 유기 EL 패널에 비교하여 보다 박형으로 됨과 함께, 화소 분리막을 형성하기 위한 공정이 없어지기 때문에, 저비용으로 제작할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)은 유기층(40)의 발광 영역과 컬러 필터와의 거리가 보다 가까워지기 때문에, 화소 분리막(28)을 갖는 유기 EL 패널에 비교하여 인접 화소에의 누설 광이 감소한다. 그로 인해, 누설 광에 기인하는 인접 화소와의 혼색을 보다 억제할 수 있다.
[제4 실시 형태]
도 9는 제4 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)의 화소의 단면도이다. 제4 실시 형태에 있어서, 홀 수송층(27), 화소 전극(26) 및 평탄화막(25)보다도 하층의 구성은, 제3 변형예의 구성과 마찬가지이다. 복수의 화소 전극(26)은 서로 분리되어 설치된다. 홀 수송층(27)은 복수의 화소 전극(26) 상에 걸쳐 설치되고, 홀 수송층의 중심부(27e)의 홀 이동도는, 홀 수송층의 중간부(27f)의 홀 이동도보다도 높다. 바꿔 말하면, 홀 수송층(27)은 연속되어, 일체로 되어 복수의 화소 전극(26) 상에 설치되고, 홀 수송층의 중심부(27e)의 홀 이동도는, 홀 수송층의 중간부(27f)의 홀 이동도보다도 높다. 그로 인해, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)에 의하면, 홀 수송층(27)을 통한 누설 전류가 발생하지 않게 되어, 화소의 의도하지 않는 발광이 방지된다. 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)은 화소 분리막(28)을 갖지 않고, 홀 수송층(27) 상에 유기층(40)이 평탄하게 형성된다. 본 실시 형태에 있어서, 유기층(40)의 발광 영역은, 유기층(40) 중 홀 수송층의 중심부(27e)를 덮는 부분으로 된다.
본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)은 화소 분리막(28)을 갖지 않기 때문에, 화소 분리막(28)을 갖는 유기 EL 패널에 비교하여 보다 박형으로 된다. 또한, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10)은 유기층(40)의 발광 영역과 컬러 필터와의 거리가 보다 가까워지기 때문에, 화소 분리막(28)을 갖는 유기 EL 패널에 비교하여 인접 화소에의 누설 광이 감소한다. 그로 인해, 누설 광에 기인하는 인접 화소와의 혼색을 보다 억제할 수 있다.
도 10은, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10) 작성 공정의 흐름도이다. 유기 EL 패널(10) 작성 공정은, TFT층의 형성으로부터 시작된다(S1). 여기서, TFT층은, 기판(20), 층간 절연막(24) 및 그들 사이에 설치되는 TFT 등을 포함하는 층이다. TFT층의 형성은, 층간 절연막(24) 상에 배선(34)을 형성함으로써 종료된다.
이어서, 층간 절연막(24) 및 배선(34) 상에 평탄화막(25)이 형성된다(S2). 그 후, 화소 전극(26)의 형성(S31)과 홀 수송층(27)(홀 주입층, 또는 홀 수송층 및 홀 주입층)의 형성(S32)을 포함하는 하부 구조의 형성이 행해진다(S3). 하부 구조의 형성(S3)에 대해서는, 도 11-16을 이용하여 상세하게 설명한다.
그 후, 화소 분리막(28)의 형성이 행해진다(S4). 또한, 제3 및 제4 실시 형태와 같이, 화소 분리막(28)을 갖지 않은 유기 EL 패널(10)의 작성 공정에 있어서는, 화소 분리막(28)의 형성(S4)은 행해지지 않는다.
본 명세서에서는, 이상의 공정을 TFT 공정이라고 칭한다. 즉, 유기 EL 패널(10)의 작성 공정 중, TFT층 형성(S1)으로부터 화소 분리막(28)의 형성(S4)까지의 공정을 TFT 공정이라고 칭한다. 또한, 본 명세서에서는, 유기 EL 패널(10)의 작성 공정 중, TFT 공정 이후에 행해지는 나머지의 공정을 OLED 공정이라고 칭한다. TFT 공정은, 분위기 온도를 수백℃ 정도까지 상승시켜 행해지는 경우가 있다. 한편, OLED 공정은, 발광층의 열화를 방지하기 위해, 분위기 온도를 수십℃ 정도로 억제하여 행하는 경우가 있다. 그로 인해, OLED 공정은, TFT 공정에 비해 보다 확실하게 제어된 환경하에서 실행할 필요가 있다. 이 점, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 패널(10) 작성 공정에서는, 홀 수송층(27)을 TFT 공정에서 형성하기 때문에, O LED 공정에 있어서의 유기층(40)의 형성 공정을 단축하고, OLED 공정 전체를 단축할 수 있다. 그로 인해, 보다 고도의 제어가 요구되는 공정이 단축되어, 유기 EL 패널(10)의 작성 공정을 보다 저렴하고 또한 단시간에 행할 수 있다.
TFT 공정이 행해진 후, 유기층(40), 즉 발광층 및 전자 수송층(전자 주입층, 또는 전자 수송층 및 전자 주입층)이 형성된다(S5). 그 후, 대향 전극(41)이 형성되고(S6), 밀봉막(42)이 형성된다(S7). 또한, 컬러 필터(51) 및 대향 기판(44)이 접합 또는 적층 형성되고(S8), 유기 EL 패널(10) 작성 공정은 종료된다. 작성된 유기 EL 패널(10)은 상측 프레임(2)과 하측 프레임(3) 사이에 끼워지도록 고정되고, 유기 EL 표시 장치(1)로 된다.
도 11은, 하부 구조 형성 공정(S3)의 제1 예에 있어서의, 화소 전극층(50) 및 공통층(51a)을 도시하는 도면이다. 제1 예에서는, 하부 구조 형성 공정(S3)에 있어서, 처음에 화소 전극층(50)이 형성된다. 화소 전극층(50)은 평탄화막(25)의 전체 면에 걸쳐 설치되어도 된다. 이어서, 화소 전극층(50) 상에 홀 수송층인 공통층(51a)이 형성된다. 또한, 공통층(51a)은 홀 주입층이어도 되고, 홀 주입층 및 홀 수송층이어도 된다.
도 12는, 하부 구조 형성 공정(S3)의 제1 예에 있어서의, 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27a)을 도시하는 도면이다. 제1 예에서는, 화소 전극층(50) 및 공통층(51a)을 형성한 후, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27a)을 동시에 패터닝한다. 이에 의해, 한번의 에칭 공정에 의해, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극(26)과, 복수의 화소 전극(26) 상 각각에 서로 분리되어 설치된 복수의 홀 수송층(27a)을 형성한다. 제1 예에서는, 한번의 에칭 공정으로 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27a)을 형성하기 때문에, 하부 구조 형성 공정(S3)이 비교적 단시간에 또한 저렴하게 행할 수 있다.
도 13은, 하부 구조 형성 공정(S3)의 제2 예에 있어서의, 화소 전극(26) 및 공통층(51b)을 도시하는 도면이다. 제2 예에서는, 하부 구조 형성 공정(S3)에 있어서, 처음에 서로 분리된 복수의 화소 전극(26)이 형성된다. 여기서, 복수의 화소 전극(26)은 평탄화막(25)의 전체 면에 형성된 화소 전극층(50)을 포토리소그래피 및 에칭에 의해 패터닝함으로써 형성된다. 이어서, 복수의 화소 전극(26) 상에 걸쳐, 홀 수송층인 공통층(51b)이 형성된다. 공통층(51b)은, 복수의 화소 전극(26) 상 외에, 평탄화막(25) 상에도 형성된다. 또한, 공통층(51b)은, 홀 주입층이어도 되고, 홀 주입층 및 홀 수송층이어도 된다.
도 14는, 하부 구조 형성 공정(S3)의 제2 예에 있어서의, 화소 전극(26) 및 홀 수송층(27b)을 도시하는 도면이다. 제2 예에서는, 화소 전극(26) 및 공통층(51b)을 형성한 후, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 복수의 홀 수송층(27b)을 패터닝한다. 제2 예에서는, 화소 전극(26)을 형성하는 에칭 공정과, 홀 수송층(27b)을 형성하는 에칭 공정은, 별도의 공정으로 된다. 그로 인해, 화소 전극(26)을 형성하는 에칭 조건과, 홀 수송층(27b)을 형성하는 에칭 조건을 바꿀 수 있고, 각각의 재료에 의해 적합한 에칭 조건을 설정할 수 있다.
제2 예에 있어서 작성되는 홀 수송층(27b)은 도 4에 도시하는 제1 변형예에 대응한 구성을 갖는다. 즉, 홀 수송층(27b)은 화소 전극(26) 상으로부터 평탄화막(25)에 걸쳐 설치된다. 당연히, 하부 구조 형성 공정(S3)의 제2 예에 있어서의 복수의 홀 수송층(27b)을 형성하는 공정에 있어서, 포토레지스트의 형상을 변경함으로써, 도 5에 도시하는 제2 변형예에 대응한 구성을 작성할 수도 있다.
도 15는, 하부 구조 형성 공정(S3)의 제3 예에 있어서의, 입자선(61)의 조사를 도시하는 도면이다. 제3 예에서는, 복수의 화소 전극(26) 및 공통층(51b)을 형성한 후, 포토레지스트(60a)를 형성한다. 포토레지스트(60a)는 홀 수송층의 중간부(27f)와, 홀 수송층 중 화소 전극을 덮는 부분의 단부를 덮도록 형성된다. 즉, 포토 레지스트(60a)는 홀 수송층의 중심부(27e)를 노출시키도록 형성된다. 제3 예에서는, 포토레지스트(60a)가 형성된 상태에서, 질소 이온, 또는 수소 이온 등의 입자선(61)을 조사한다. 적절한 입자 농도로 입자선(61)의 조사를 받은 홀 수송층의 부분은, 홀 이동도가 향상된다. 그로 인해, 홀 수송층의 중심부(27e)의 홀 이동도는, 홀 수송층의 중간부(27f)의 홀 이동도보다 높아진다. 또한, 입자선(61)은 이온 외에, 전자 등이어도 된다. 또한, 입자선(61)의 조사 대신에, 적외선 또는 자외선 등의 광선을 조사해도 된다.
제3 예에 있어서 작성되는 홀 수송층(27)은 도 7에 도시하는 제2 실시 형태 및 도 9에 도시하는 제4 실시 형태에 대응한 구성을 갖는다. 즉, 홀 수송층(27)은 복수의 화소 전극(26) 상에 걸쳐 설치되고, 홀 수송층의 중심부(27e)의 홀 이동도는, 홀 수송층의 중간부(27f)의 홀 이동도보다 높다.
도 16은, 하부 구조 형성 공정(S3)의 제4 예에 있어서의, 입자선(61)의 조사를 도시하는 도면이다. 제4 예에서는, 화소 전극(26) 및 공통층(51b)을 형성한 후, 포토레지스트(60b)를 형성한다. 포토레지스트(60b)는 홀 수송층의 중심부(27e)를 덮도록 형성된다. 즉, 포토레지스트(60b)는 홀 수송층의 중간부(27f)와, 홀 수송층 중 화소 전극(26)을 덮는 부분의 단부를 노출시키도록 형성된다. 제4 예에서는, 포토레지스트(60b)가 형성된 상태에서, 질소 이온, 또는 수소 이온 등의 입자선(61)을 조사한다. 여기서, 제4 예에서 조사되는 입자선은, 제3 예에서 조사되는 입자선보다도 입자 농도가 높고, 조사된 부분에 대미지를 주어 홀 이동도를 저하시킨다. 그로 인해, 홀 수송층의 중심부(27e)의 홀 이동도는, 홀 수송층의 중간부(27f)의 홀 이동도보다 높아진다. 또한, 입자선(61)은 이온 외에, 전자 등이어도 되고, 입자선(61)의 조사 대신에 적외선 또는 자외선 등의 광선을 조사해도 된다.
제4 예에 있어서 작성되는 홀 수송층(27)은 제3 예에 있어서 작성되는 홀 수송층(27)과 마찬가지로, 도 7에 도시하는 제2 실시 형태 및 도 9에 도시하는 제4 실시 형태에 대응한 구성을 갖는다. 즉, 홀 수송층(27)은 복수의 화소 전극(26) 상에 걸쳐 설치되고, 홀 수송층의 중심부(27e)의 홀 이동도는, 홀 수송층의 중간부(27f)의 홀 이동도보다 높다.
이상의 설명에 있어서, 화소 전극(26)은 유기 발광 다이오드의 양극이며, 대향 전극(41)은 유기 발광 다이오드의 음극이라고 하였다. 그러나, 화소 전극(26)을 유기 발광 다이오드의 음극으로 하고, 대향 전극(41)을 유기 발광 다이오드의 양극으로 해도 된다. 그 경우, 화소 전극(26) 상에는, 전자 수송층(전자 주입층, 또는 전자 주입층 및 전자 수송층)을 형성하는 것으로 된다. 그리고, 전자 수송층 상에는 발광층을 형성하고, 발광층 상에 홀 수송층을 형성한다. 홀 수송층 상에는 대향 전극(41)이 형성되는 것으로 된다. 그와 같은 구성의 경우, 복수의 화소 전극(26) 상 각각에 서로 분리되어 전자 수송층을 형성한다. 인접 화소에의 누설 전류는, 유기층 중, 화소 전극(26)측에 형성되는 층을 통하여 발생하는 경우가 많기 때문에, 복수의 화소 전극(26) 상 각각에 서로 분리되어 전자 수송층을 형성하는 경우이어도, 누설 전류의 발생은 방지된다. 그로 인해, 화소의 의도하지 않는 발광이 방지된다.
본 발명의 실시 형태로서 상술한 유기 EL 표시 장치(1)를 기초로 하여, 당업자가 적절히 설계 변경하여 실시할 수 있는 모든 유기 EL 표시 장치도, 본 발명의 요지를 포함하는 한, 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 유기 EL 표시 장치 이외의 표시 장치, 예를 들어 발광층으로서 양자 도트 소자를 채용한 양자 도트 표시 장치 등도 본 발명의 범위에 속한다.
본 발명의 사상 범주에 있어서, 당업자라면 각종 변경예 및 수정예에 상도할 수 있는 것이고, 그들 변경예 및 수정예에 대해서도 본 발명의 범위에 속하는 것이라고 이해된다. 예를 들어, 전술한 각 실시 형태에 대해 당업자가 적절히, 구성 요소의 추가, 삭제 또는 설계 변경을 행한 것, 또는, 공정의 추가, 생략 또는 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 요지를 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서 설명한 형태에 의해 초래되는 다른 작용 효과에 대해 본 명세서 기재로부터 명확한 것, 또는 당업자에 있어서 적절히 상도할 수 있는 것에 대해서는, 당연히 본 발명에 의해 초래되는 것이라고 해석된다.
지금까지 본 발명의 실시 형태로 여겨지는 것을 기술해 왔지만, 다양한 변경이 이루어질 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 그리고 첨부된 청구항은 본 발명의 진정한 취지와 범위 안에 포함되는 모든 변경 사항들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (11)

  1. 절연 표면 상에, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극과,
    상기 복수의 화소 전극 상에 설치되고, 복수의 제1 캐리어 수송층 또는 복수의 제1 캐리어 주입층을 포함하는 제1 층과,
    상기 제1 층 상에 설치되고, 평면적으로 볼 때 상기 복수의 화소 전극의 각각에 중첩된 영역에 개구부를 갖는 화소 분리막과,
    상기 개구부를 덮도록 설치된 발광층과,
    상기 발광층 상에 설치되고, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층을 포함하는 제2 층과,
    상기 제2 층 상에 설치된 대향 전극
    을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 층은, 상기 복수의 화소 전극의 각각의 사이에서 분리되어 설치되는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 층은, 상기 복수의 화소 전극에 걸쳐 연속적으로 설치되는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    평면적으로 볼 때 상기 화소 분리막과 중첩되는 상기 제1 층의 캐리어 이동도는, 평면적으로 볼 때 상기 화소 분리막으로부터 노출된 상기 제1 층의 캐리어 이동도보다도 낮은 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은, 상기 복수의 화소의 각각에 대응하도록, 서로 독립하여 형성되는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은, 평면적으로 볼 때 상기 복수의 화소 전극에 걸쳐 연속적으로 형성되는 표시 장치.
  7. 절연 표면 상에, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극과,
    상기 복수의 화소 전극 상 각각에 대응하고, 서로 분리되어 설치되고, 복수의 제1 캐리어 수송층 또는 복수의 제1 캐리어 주입층을 포함하는 복수의 제1 층과,
    상기 복수의 제1 층 상에 설치된 발광층과,
    상기 발광층 상에 설치되고, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층을 포함하는 제2 층과,
    상기 제2 층 상에 설치된 대향 전극
    을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    평면적으로 볼 때 상기 복수의 화소 전극의 하나와 중첩되지 않는 상기 제1 층의 캐리어 이동도는, 평면적으로 볼 때 상기 복수의 화소 전극의 하나와 중첩되는 상기 제1 층의 캐리어 이동도보다도 낮은 표시 장치.
  9. 절연 표면 상에, 서로 분리되어 설치된 복수의 화소 전극과,
    상기 복수의 화소 전극 상에 걸쳐 연속적으로 설치되고, 제1 캐리어 수송층 또는 제1 캐리어 주입층을 포함하는 제1 층과,
    상기 제1 층 상에 설치된 발광층과,
    상기 발광층 상에 설치되고, 제2 캐리어 수송층 또는 제2 캐리어 주입층을 포함하는 제2 층과,
    상기 제2 층 상에 설치된 대향 전극을 갖고,
    상기 제1 층은, 평면적으로 볼 때 상기 복수의 화소 전극의 인접하는 2개 사이에 설치되는 중간 부분을 갖고, 상기 중간 부분의 캐리어 이동도는, 상기 제1 층 중 상기 화소 전극 상에 설치되는 부분의 캐리어 이동도보다도 낮은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 발광층은, 상기 복수의 화소의 각각에 대응하도록, 서로 독립하여 형성되는 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 발광층은, 평면적으로 볼 때 상기 복수의 화소 전극에 걸쳐 연속적으로 형성되는 표시 장치.
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