CN105448955B - 显示装置 - Google Patents
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 272
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 107
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 37
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 Nitrogen ion Chemical class 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
Landscapes
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Abstract
显示装置的特征在于，具有：多个像素电极，其在绝缘表面彼此分离地设置；第一层，其设置于所述多个像素电极上，包含多个第一载流子传输层或者多个第一载流子注入层；像素分离膜，其设置于所述第一层上，在俯视观察时与所述多个像素电极分别重叠的区域具有开口部；发光层，其被设置成覆盖所述开口部；第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及对置电极，其设置于所述第二层上。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。
背景技术
在有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示装置等显示装置中，有时控制包含有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)等自发光元件的像素来显示图像。以往，形成有机发光二极管的有机层中的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)或者空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)对于多个像素设置成共用。
日本特开2012-155953号公报中记载了如下EL显示装置，具有包围正极电极的周围且与有机层电连接的金属布线，金属布线的电位比正极电极的电位低。
发明内容
因为空穴传输层或者空穴注入层对于多个像素设置成共用，所以即使意图使特定像素发光而使电流流动，也有时沿空穴传输层或者空穴注入层等而产生泄漏电流。有时泄漏电流到达相邻像素，招致相邻像素的非意图的发光。
于是，本发明的目的在于提供防止了像素的非意图的发光的显示装置。
本发明的显示装置的特征在于，具有：多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置；多个第一层，其在所述多个像素电极上分别彼此分离地设置，包含多个第一载流子传输层或者多个第一载流子注入层；发光层，其设置于所述多个第一层上；以及第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及对置电极，其设置于所述第二层上。
本发明的显示装置的特征在于，具有：多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置；第一层，其遍及所述多个像素电极上地连续设置，包含第一载流子传输层或者第一载流子注入层；发光层，其设置于所述第一层上；第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及对置电极，其设置于所述第二层上，所述第一层具有俯视观察时设置于所述多个像素电极的相邻的2个像素电极之间的中间部分，所述中间部分的载流子迁移率比所述第一层中设置于所述像素电极上的部分的载流子迁移率低。
本发明的显示装置的制造方法中，在绝缘表面上形成像素电极层，在所述像素电极层上形成作为第一载流子传输层或者第一载流子注入层中的至少一方的公共层，使所述像素电极层和所述公共层形成图案，形成彼此分离地设置的多个像素电极和在所述多个像素电极上分别彼此分离地设置、作为多个所述第一载流子传输层或者多个所述第一载流子注入层中的至少一方的多个第一层，在所述第一层上形成发光层，在所述发光层上形成作为第二载流子传输层或者第二载流子注入层中的至少一方的第二层，在所述第二层上形成对置电极层。
本发明的显示装置的制造方法在绝缘表面上形成像素电极层，使所述像素电极层形成图案，形成彼此分离地设置的多个像素电极，遍及所述多个像素电极上地形成作为第一载流子传输层或者第一载流子注入层中的至少一方的第一层，对覆盖所述第一层中的所述多个像素电极的部分或者覆盖所述第一层中的所述绝缘表面的部分照射粒子线或者光线，在所述第一层上形成发光层，在所述发光层上形成作为第二载流子传输层或者第二载流子注入层中的至少一方的第二层，在所述第二层上形成对置电极层。
附图说明
图1是本发明的实施方式的有机EL显示装置的立体图。
图2是本发明的实施方式的有机EL显示装置的布线图。
图3是第一实施方式的有机EL面板的像素的剖视图。
图4是第一变形例的有机EL面板的像素的剖视图。
图5是第二变形例的有机EL面板的像素的剖视图。
图6是第三变形例的有机EL面板的像素的剖视图。
图7是第二实施方式的有机EL面板的像素的剖视图。
图8是第三实施方式的有机EL面板的像素的剖视图。
图9是第四实施方式的有机EL面板的像素的剖视图。
图10是本实施方式的有机EL面板制作工序的流程图。
图11是示出下部构造形成工序的第一例的像素电极层和公共层的图。
图12是示出下部构造形成工序的第一例的像素电极和空穴传输层的图。
图13是示出下部构造形成工序的第二例的像素电极和公共层的图。
图14是示出下部构造形成工序的第二例的像素电极和空穴传输层的图。
图15是示出下部构造形成工序的第三例的粒子线的照射的图。
图16是示出下部构造形成工序的第四例的粒子线的照射的图。
具体实施方式
以下，对本发明的各实施方式，参照附图进行说明。此外，公开内容只不过是一例，对于本领域技术人员而言关于保持发明的主旨的适当变更而容易想到的技术当然也包含于本发明的范围。另外，附图为了使说明更加明确，有时与实际的情况相比，对于各部分的宽度、厚度、形状等示意性示出，只不过是一例，不限定本发明的解释。
另外，在本说明书与各图中，对于已经出现的图中与前述的内容同样的要素，有时附上相同的符号，并适当省略详细的说明。
图1是示出本发明的实施方式的有机EL显示装置1的立体图。有机EL显示装置1由以由上框2和下框3夹住的方式固定的有机EL面板10构成。
图2是本发明的实施方式的有机EL显示装置1的布线图。有机EL面板10，通过由影像信号驱动电路12和扫描信号驱动电路13控制呈矩阵状设置在显示区域11的各像素，而显示图像。此处，影像信号驱动电路12是生成并发送向各像素输送的影像信号的IC(Integrated Circuit：集成电路)。另外，扫描信号驱动电路13是生成并发送向设置在像素的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的扫描信号的IC。此外，在附图中，影像信号驱动电路12和扫描信号驱动电路13图示成形成为2处，但也可以组装于一个IC，还可以形成为分成3处以上。
传递来自扫描信号驱动电路13的信号的扫描线15电连接于在各像素区域形成的像素晶体管的栅极。扫描线15对于排列成1行的像素晶体管是共用的。像素晶体管是其源极或者漏极电连接于驱动晶体管的栅极的晶体管。驱动晶体管是源极电连接于有机发光二极管的阳极的晶体管。有机发光二极管的阴极固定于接地电位。另外，传递来自影像信号驱动电路12的信号的影像信号线14电连接于像素晶体管的源极或者漏极。影像信号线14对于排成1列的像素晶体管是共用的。在对扫描线15施加扫描信号时，像素晶体管成为导通状态。若在该状态下对影像信号线14施加影像信号，则会对驱动晶体管的栅极施加影像信号，驱动晶体管成为导通状态。在驱动晶体管的漏极电连接有电源线16。对电源线16施加用于使有机发光二极管发光的电源电压。若驱动晶体管成为导通状态，则与影像信号的大小相应的电流向有机发光二极管流动，有机发光二极管发光。
[第一实施方式]
图3是本发明的第一实施方式的有机EL面板10的像素的剖视图。图3是示出图2的III-III剖面的图。在有机EL面板10的最下层配置有基板20。基板20由玻璃或者人工树脂等形成。
在基板20上形成由SiN、SiO2等形成的基底膜21。在基底膜21上，形成将驱动晶体管的漏极电极30和源极电极33电连接的沟道层32。沟道层32由多晶硅形成。此外，沟道层32也可以由非晶质硅等形成。在基底膜21和沟道层32上，由SiN、SiO2等形成第一绝缘膜22。在第一绝缘膜22上，由金属材料形成驱动晶体管的栅极电极31。在第一绝缘膜22和栅极电极31上，由SiN、SiO2等形成第二绝缘膜23。在第二绝缘膜23和第一绝缘膜22中设置有达到沟道层32的通孔，由金属材料形成驱动晶体管的漏极电极30和源极电极33。在漏极电极30、源极电极33以及第二绝缘膜23上，由SiN、SiO2等形成层间绝缘膜24。在层间绝缘膜24上，由金属材料形成布线34。布线34是电源线16或者影像信号线14等。在布线34和层间绝缘膜24上，由SiN、SiO2等形成平坦化膜25。此外，在图3所示的例子中，设为沟道层32是n沟道，电流从漏极电极30侧向源极电极33侧流动。
平坦化膜25的表面是绝缘表面。在作为绝缘表面的平坦化膜25上，由金属材料形成像素电极26。像素电极26成为有机发光二极管的阳极。像素电极26穿过设置于平坦化膜25和层间绝缘膜24的通孔而电连接于驱动晶体管的源极电极33。像素电极26形成为按每个像素彼此分离。在有机EL显示装置1中，通过对特定的像素电极26施加电压来使对应的像素发光，来显示图像。但是，如前述那样，在像素电极26上层叠的有机层遍及多个像素而形成的情况下，有时沿有机层产生泄漏电流，相邻像素发光。此处，泄漏电流多数情况下在有机层中也会通过形成于像素电极26侧的层而产生。
在第一实施方式的有机EL面板10中，在多个像素电极26上分别形成多个载流子传输层或者多个载流子注入层中的至少一方(第一层)。此处，载流子意指电子或者空穴。在本实施方式中，载流子传输层是空穴传输层27a。多个空穴传输层27a设置成彼此分离。此外，在像素电极26上设置的层也可以是空穴注入层。另外，在像素电极26上设置的层也可以是从像素电极26侧起依次层叠空穴注入层和空穴传输层而成的层。空穴传输层27a例如由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOD-PSS)形成，也可以由其他的导电性有机材料形成。如本实施方式那样，通过将空穴传输层27a形成为按多个像素电极26的每个而分离，由此不会产生在空穴传输层27a中通过的泄漏电流。因而，可防止像素的非意图的发光。
此外，像素电极26和空穴传输层27a也可以通过蚀刻而形成。以往，有时空穴传输层27a形成为通过使用蒸镀掩模的蒸镀工序而形成图案。如本实施方式那样，在形成像素分离膜28之前，通过蚀刻使空穴传输层27a形成图案，由此能够更简化空穴传输层27a的图案形成。另外，在蒸镀工序中难以进行微细加工，除以之外，有可能因在前工序中附着于蒸镀掩模的物质而污染蒸镀层。在这一点，本实施方式的空穴传输层27a通过光刻和蚀刻，既能防止污染又能以高精度进行图案形成。此外，在通过蚀刻形成像素电极26和空穴传输层27a的情况下，能够使用湿蚀刻。另外，也可以使用干蚀刻。
在平坦化膜25、像素电极26以及空穴传输层27a上，由丙烯酸、聚酰亚胺等感光性树脂、或者SiN、SiO2等无机材料形成像素分离膜28。像素分离膜28覆盖像素电极26和空穴传输层27a的端部，防止电极间的短路。另外，像素分离膜28如以下所记载那样规定发光区域。
在多个像素分离膜28和多个空穴传输层27a上，形成有机层40。有机层40是从空穴传输层27a侧起依次层叠发光层和电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)而成的层。此处，在发光层上，可以形成电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)，也可以依次形成电子传输层和电子注入层。发光层的发光区域是发光层中形成于空穴传输层27a上的部分(发光层中没有形成于像素分离膜28上的部分)。在发光层的发光区域，从空穴传输层27a流入空穴，从电子传输层流入电子。然后，在发光层中电子和空穴产生再结合，形成发光层的有机材料被激发，在从高能级向低能级跃迁时产生光。
由空穴传输层27a和有机层40形成的有机发光二极管也可以是所谓的串联型。即，通过空穴传输层27a、第一发光层、电子传输层依次层叠，来形成第一有机发光二极管，在电子传输层上也可以形成电荷产生层。也可以通过在电荷产生层上依次层叠空穴传输层、第二发光层以及电子传输层而形成第二有机发光二极管。也可以进一步层叠电荷产生层，通过空穴传输层、第三发光层以及电子传输层依次层叠而形成第三有机发光二极管。通过调整层叠的多个有机发光二极管的发光色，作为串联型的有机发光二极管整体，能够设为白色的发光色。在该情况下，通过设置后述的滤色器来进行全色的图像显示。在将有机发光二极管的发光色设为白色、由滤色器进行全色显示的情况下，只要通过蒸镀等将有机层40形成于显示区域11整面即可，无需形成为按每个像素分离。在将有机层40形成于显示区域11整面的情况下，无需使用蒸镀掩模等来使有机层40图案形成，能够廉价地形成有机层40。
在有机层40上，由ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等透明导电材料形成对置电极41。对置电极41成为有机发光二极管的阴极。在对置电极41上，为了防止有机层的劣化，形成密封膜42。进而，填充填充剂43，将对置基板44贴合而密封。也可以在对置基板44的表面或者背面，形成黑矩阵、滤色器以及偏振板。另外，也可以在对置基板44的表面设置触摸面板。
图4是第一变形例的有机EL面板10的像素的剖视图。第一变形例的有机EL面板10和第一实施方式的有机EL面板10的不同点在于多个空穴传输层27b从像素电极26上设置到具有绝缘表面的平坦化膜25上。即，空穴传输层27b形成为比像素电极26广，形成为覆盖像素电极26的端部。对于其他的结构，第一实施方式的有机EL面板10和第一变形例的有机EL面板10具有同样的结构。
在空穴传输层27b从像素电极26上设置到平坦化膜25上的情况下，能够通过不同的蚀刻工序来形成像素电极26和空穴传输层27b。因而，能够改变形成像素电极26的蚀刻条件和形成空穴传输层27b的蚀刻条件，能够根据各自的材料设定适合的蚀刻条件。
图5是第二变形例的有机EL面板10的像素的剖视图。第二变形例的有机EL面板10和第一实施方式的有机EL面板10的不同点在于多个空穴传输层27c各自的端部设置于像素电极26上。即，空穴传输层27c形成为比像素电极26窄，像素电极26的端部没有由空穴传输层27c覆盖。对于其他的结构，第一实施方式的有机EL面板10和第二变形例的有机EL面板10具有同样的结构。
在空穴传输层27c的端部设置于像素电极26上的情况下，能够通过不同的蚀刻工序来形成像素电极26和空穴传输层27c。因而，能够改变形成像素电极26的蚀刻条件和形成空穴传输层27c的蚀刻条件，能够根据各自的材料设定适合的蚀刻条件。此外，还能够通过一次的蚀刻工序同时使像素电极26和空穴传输层27形成图案。在该情况下，通过使用对空穴传输层27的蚀刻率比对像素电极26的蚀刻率高的蚀刻液，能够实现本例的结构。
图6是第三变形例的有机EL面板10的像素的剖视图。第三变形例的有机EL面板10和第一实施方式的有机EL面板10的不同点在于多个空穴传输层的端部27d的载流子迁移率比空穴传输层的端部以外的部分27c的载流子迁移率低。在本例中，所谓载流子迁移率，是空穴迁移率。在第三变形例中，空穴传输层27中由像素分离膜28覆盖的部分的空穴迁移率比空穴传输层27中没有由像素分离膜28覆盖的部分的空穴迁移率低。对于其他的结构，第一实施方式的有机EL面板10和第三变形例的有机EL面板10具有同样的结构。
空穴传输层的端部27d和空穴传输层的端部以外的部分27c的空穴迁移率的不同能够通过向空穴传输层的端部以外的部分27c注入氮离子或者氢离子等而产生。注入了适当浓度的氮离子等的空穴传输层的端部以外的部分27c能够提高空穴注入特性，空穴迁移率变高。因而，电流被缩窄到空穴传输层的端部以外的部分27c，能够更高效率地向发光层供给电流。离子注入工序通过在形成了像素分离膜28之后进行，能够将像素分离膜28用作掩模，能够省略掩模形成工序等而简单地进行。此外，除了离子注入之外，空穴传输层的端部27d和空穴传输层的端部以外的部分27c的空穴迁移率的不同，也可以通过电子线照射、红外线照射、紫外线照射等产生。
[第二实施方式]
图7是第二实施方式的有机EL面板10的像素的剖视图。第二实施方式的有机EL面板10和第一实施方式的有机EL面板10的不同点在于空穴传输层27设置成遍及多个像素电极26上，空穴传输层27具有设置在相邻的2个像素电极26之间的中间部分27f(以下，称作中间部分27f)，在空穴传输层27中设置在像素电极26上的部分27e(以下，称作空穴传输层的中心部27e。)具有载流子迁移率比中间部分27f高的部分。此处，空穴传输层27设置成遍及多个像素电极26上，是指空穴传输层27连续而成为一体地设置在多个像素电极26上。在本实施方式中，以覆盖空穴传输层的中间部27f的方式，设置有像素分离膜28。空穴传输层27中没有覆盖像素分离膜28的部分的空穴迁移率比空穴传输层27中覆盖有像素分离膜28的部分的空穴迁移率高。对于其他的结构，第一实施方式的有机EL面板10和第二实施方式的有机EL面板10具有同样的结构。
空穴传输层的中央部27e和空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率的不同能够通过向空穴传输层的中央部27e注入氮离子或者氢离子等而产生。离子注入工序通过在形成了像素分离膜28之后进行，能够将像素分离膜28用作掩模，能够省略掩模形成工序等而简单地进行。此外，除了离子注入之外，空穴传输层的中央部27e和空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率的不同也可以通过电子线照射、红外线照射、紫外线照射等来产生。
在本实施方式中，空穴传输层27形成为遍及多个像素。但是，空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率比较低，所以可抑制向相邻像素的泄漏电流的产生。即使在采用这样的结构的情况下，能够防止像素的非意图的发光。
[第三实施方式]
图8是第三实施方式的有机EL面板10的像素的剖视图。在第三实施方式中，空穴传输层27a、像素电极26以及平坦化膜25的下层的结构与第一实施方式的结构是相同的。多个像素电极26设置成彼此分离，空穴传输层27a设置成在多个像素电极26上分别彼此分离。因而，根据本实施方式的有机EL面板10，不易产生在空穴传输层27a中通过的泄漏电流，可防止像素的非意图的发光。本实施方式的有机EL面板10不具有像素分离膜28，在多个空穴传输层27a和平坦化膜25上有机层40平坦地形成。在本实施方式中，有机层40的发光区域成为有机层40中覆盖空穴传输层27a的部分。
在本实施方式中，在密封膜42上形成滤色器45。在滤色器45上形成对置基板44而进行密闭。滤色器45由红色滤色器45a、绿色滤色器45b、蓝色滤色器45c构成。各色的滤色器被设置成分别位于特定的像素电极26的上方。即，各色的滤色器被设置成位于有机层40所包含的多个发光区域中的某个的上方。由有机层的发光区域产生的光例如通过绿色滤色器45b而作为绿色的光被识别。此外，虽然未图示，也可以在各个滤色器的分界部分设置以覆盖非发光区域的方式配置的用于遮光的黑矩阵构造。
本实施方式的有机EL面板10不具有像素分离膜28，所以与具有像素分离膜28的有机EL面板相比成为薄型，并且因为不采用用于形成像素分离膜的工序，所以能够以低成本来制作。另外，本实施方式的有机EL面板10中，有机层40的发光区域和滤色器的距离更近，所以与具有像素分离膜28的有机EL面板相比，可减少向相邻像素的漏光。因而，能够更加抑制由漏光引起的与相邻像素的混色。
[第四实施方式]
图9是第四实施方式的有机EL面板10的像素的剖视图。在第四实施方式中，空穴传输层27、像素电极26以及平坦化膜25的下层的结构与第三变形例的结构是同样的。多个像素电极26设置成彼此分离。空穴传输层27设置成遍及多个像素电极26上，空穴传输层的中央部27e的空穴迁移率比空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率高。换言之，空穴传输层27连续而成为一体地设置在多个像素电极26上，空穴传输层的中央部27e的空穴迁移率比空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率高。因而，根据本实施方式的有机EL面板10，变得不易产生在空穴传输层27中通过的泄漏电流，可防止像素的非意图的发光。根据本实施方式的有机EL面板10，不具有像素分离膜28，在空穴传输层27上有机层40平坦地形成。在本实施方式中，有机层40的发光区域成为有机层40中的覆盖空穴传输层的中央部27e的部分。
本实施方式的有机EL面板10不具有像素分离膜28，所以与具有像素分离膜28的有机EL面板相比成为薄型。另外，本实施方式的有机EL面板10中，有机层40的发光区域与滤色器的距离接近，所以与具有像素分离膜28的有机EL面板相比可减少向相邻像素的漏光。因而，能够更加抑制由漏光引起的与相邻像素的混色。
图10是本实施方式的有机EL面板10制作工序的流程图。有机EL面板10制作工序从TFT层的形成开始(S1)。此处，TFT层是包含基板20、层间绝缘膜24以及设置在它们之间的TFT等的层。TFT层的形成通过在层间绝缘膜24上形成布线34而结束。
接着，在层间绝缘膜24和布线34上形成平坦化膜25(S2)。其后，进行包含像素电极26的形成(S31)和空穴传输层27(空穴注入层，或者空穴传输层和空穴注入层)的形成(S32)在内的下部构造的形成(S3)。对于下部构造的形成(S3)，使用图11-16来详细进行说明。
其后，进行像素分离膜28的形成(S4)。此外，如第三和第四实施方式那样，在不具有像素分离膜28的有机EL面板10的制作工序中，不进行像素分离膜28的形成(S4)。
在本说明书中，将以上的工序称作TFT工序。即，将有机EL面板10的制作工序中从TFT层形成(S1)到像素分离膜28形成(S4)为止的工序称作TFT工序。另外，在本说明书中，将有机EL面板10的制作工序中在TFT工序后进行的剩余的工序称作OLED工序。TFT工序通过使气氛温度上升到数百℃左右而进行。另一方面，OLED工序有时为了防止发光层的劣化，而将气氛温度抑制到数十℃左右来进行。因而，OLED工序需要在比TFT工序更可靠地被控制的环境下来执行。在这一点，在本实施方式的有机EL面板10制作工序中，由TFT工序形成空穴传输层27，所以能够缩短OLED工序中的有机层40的形成工序，缩短OLED工序整体。因而，能够缩短要求更高级别的控制的工序，能够更加廉价且短时间地进行有机EL面板10的制作工序。
在进行了TFT工序后，形成有机层40、即发光层和电子传输层(电子注入层，或者电子传输层和电子注入层)(S5)。其后，形成对置电极41(S6)，形成密封膜42(S7)。进而，滤色器51和对置基板44贴合或者层叠形成(S8)，有机EL面板10制作工序结束。制作成的有机EL面板10以由上框2和下框3夹住的方式被固定，成为有机EL显示装置1。
图11是示出下部构造形成工序(S3)的第一例中的像素电极层50和公共层51a的图。在第一例中，在下部构造形成工序(S3)中，首先形成像素电极层50。像素电极层50可以设置成遍及平坦化膜25的整面。接着，在像素电极层50上形成作为空穴传输层的公共层51a。此外，公共层51a可以是空穴注入层，也可以是空穴注入层和空穴传输层。
图12是示出下部构造形成工序(S3)的第一例中的像素电极26和空穴传输层27a的图。在第一例中，在形成了像素电极层50和公共层51a后，通过光刻和蚀刻，同时使像素电极26和空穴传输层27a图案形成。由此，通过一次蚀刻工序，形成彼此分离设置的多个像素电极26和在多个像素电极26上分别彼此分离设置的多个空穴传输层27a。在第一例中，通过一次蚀刻工序来形成像素电极26和空穴传输层27a，所以下部构造形成工序(S3)可通过比较短的时间且廉价地进行。
图13是示出下部构造形成工序(S3)的第二例中的像素电极26和公共层51b的图。在第二例中，在下部构造形成工序(S3)中，首先形成彼此分离的多个像素电极26。此处，多个像素电极26是通过利用光刻和蚀刻使在平坦化膜25的整面形成的像素电极层50图案形成而形成。接着，遍及多个像素电极26上而形成作为空穴传输层的公共层51b。除了多个像素电极26上之外，公共层51b还可以平形成在坦化膜25上。此外，公共层51b可以是空穴注入层，也可以是空穴注入层和空穴传输层。
图14是示出下部构造形成工序(S3)的第二例中的像素电极26和空穴传输层27b的图。在第二例中，在形成了像素电极26和公共层51b后，通过光刻和蚀刻，使多个空穴传输层27b图案形成。在第二例中，形成像素电极26的蚀刻工序和形成空穴传输层27b的蚀刻工序为分开的工序。因而，能够改变形成像素电极26的蚀刻条件和形成空穴传输层27b的蚀刻条件，能够根据各自的材料设定适合的蚀刻条件。
在第二例中制作的空穴传输层27b具有与图4所示的第一变形例对应的结构。即，空穴传输层27b从像素电极26上设置到平坦化膜25。当然，在下部构造形成工序(S3)的第二例中的形成多个空穴传输层27b的工序中，通过变更光致抗蚀剂的形状，也能够制作与图5所示的第二变形例对应的结构。
图15是示出下部构造形成工序(S3)的第三例中的粒子线61的照射的图。在第三例中，在形成了多个像素电极26和公共层51b后，形成光致抗蚀剂60a。光致抗蚀剂60a形成为覆盖空穴传输层的中间部27f和空穴传输层中覆盖像素电极的部分的端部。即，光致抗蚀剂60a形成为使空穴传输层的中央部27e露出。在第三例中，在形成有光致抗蚀剂60a的状态下，照射氮离子或者氢离子等的粒子线61。以适当的粒子浓度接受粒子线61的照射的空穴传输层的部分的空穴迁移率提高。因而，空穴传输层的中央部27e的空穴迁移率变得比空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率高。此外，除了离子之外，粒子线61也可以是电子等。另外，也可以取代粒子线61的照射，而照射红外线或者紫外线等的光线。
在第三例中制作的空穴传输层27具有与图7所示的第二实施方式和图9所示的第四实施方式对应的结构。即，空穴传输层27设置成遍及多个像素电极26，空穴传输层的中央部27e的空穴迁移率比空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率高。
图16是示出下部构造形成工序(S3)的第四例中的粒子线61的照射的图。在第四例中，在形成了像素电极26和公共层51b后，形成光致抗蚀剂60b。光致抗蚀剂60b形成为覆盖空穴传输层的中央部27e。即，光致抗蚀剂60b形成为使空穴传输层的中间部27f和空穴传输层中覆盖像素电极26的部分的端部露出。在第四例中，在形成有光致抗蚀剂60b的状态下，照射氮离子或者氢离子等的粒子线61。此处，在第四例照射的粒子线比在第三例照射的粒子线的粒子浓度高，对被照射的部分造成破坏而使得空穴迁移率降低。因而，空穴传输层的中央部27e的空穴迁移率变得比空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率高。此外，除了离子之外，粒子线61还可以是电子等，也可以取代粒子线61的照射而照射红外线或者紫外线等光线。
在第四例中制作的空穴传输层27与在第三例中制作的空穴传输层27同样，具有与图7所示的第二实施方式和图9所示的第四实施方式对应的结构。即，空穴传输层27设置成遍及多个像素电极26上，空穴传输层的中央部27e的空穴迁移率比空穴传输层的中间部27f的空穴迁移率高。
在以上的说明中，设为了像素电极26是有机发光二极管的阳极，对置电极41是有机发光二极管的阴极。但是，也可以将像素电极26设为有机发光二极管的阴极，将对置电极41设为有机发光二极管的阳极。在该情况下，成为在像素电极26上形成电子传输层(电子注入层，或者电子注入层和电子传输层)。然后，在电子传输层上形成发光层，在发光层上形成空穴传输层。成为在空穴传输层上形成对置电极41。在这样的结构的情况下，在多个像素电极26上分别彼此分离地形成电子传输层。向相邻像素的泄漏电流大多在通过有机层中形成于像素电极26侧的层时产生，所以即使在多个像素电极26上分别彼此分离地形成电子传输层的情况下，也可防止泄漏电流的产生。因而，可防止像素的非意图的发光。
作为本发明的实施方式而以上述的有机EL显示装置1为基础，本领域技术人员可适当进行设计变更而实施的所有有机EL显示装置也只要包含本发明的要旨，就属于本发明的范围。另外，有机EL显示装置以外的显示装置，例如作为发光层采用了量子点元件的量子点显示装置等也属于本发明的范围。
应该了解到，在本发明的思想范畴中，若为本领域技术人员，则可想到各种变更例和修正例，这些变更例和修正例也属于本发明的范围。例如，对于前述的各实施方式，本领域技术人员适当地进行了构成要素的追加、削除或者设计变更、或者进行了工序的追加、省略或者条件变更而得到的技术，也只要具备本发明的要旨，就包含于本发明的范围。
另外，应该认识到，对于在本实施方式中通过已经叙述的技术方案带来的其他的作用效果，根据本说明的记载而显而易见、或者本领域技术人员可适当想到的作用效果，当然也可由本发明得到。
已经描述的内容应该被看作本发明的某种实施方式，应该了解到可以对其进行各种变更，附件中的权利要求包含在保持发明的主旨和范围的基础上的所有变更。
Claims (8)
1.一种显示装置，包含：
多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置；
第一层，其设置于所述多个像素电极上，包含多个第一载流子传输层或者多个第一载流子注入层；
像素分离膜，其设置于所述第一层上，在俯视观察时与所述多个像素电极分别重叠的区域具有开口部，所述像素分离膜覆盖所述多个像素电极的各个像素电极的端部和所述多个第一载流子传输层或所述多个第一载流子注入层的各自的端部；
发光层，其被设置成覆盖所述开口部；
第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及
对置电极，其设置于所述第二层上，
在俯视观察时与所述像素分离膜重叠的所述第一层的载流子迁移率比俯视观察时从所述像素分离膜露出的所述第一层的载流子迁移率低。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一层被设置成在所述多个像素电极的各个像素电极之间分离。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光层以与所述多个像素的各个像素对应的方式彼此独立地形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
俯视观察时所述发光层遍及所述多个像素电极地连续形成。
5.一种显示装置，包含：
多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置；
多个第一层，其与所述多个像素电极分别对应且彼此分离地设置，包含多个第一载流子传输层或者多个第一载流子注入层，所述多个第一层与所述多个像素电极的各个像素电极的整个上表面接触；
发光层，其设置于所述多个第一层上；以及
第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及
对置电极，其设置于所述第二层上，
俯视观察时与所述多个像素电极中的一个像素电极不重叠的所述第一层的载流子迁移率比俯视观察时与所述多个像素电极中的一个像素电极重叠的所述第一层的载流子迁移率低。
6.一种显示装置，其特征在于，具有：
多个像素电极，其在绝缘表面上彼此分离地设置；
第一层，其遍及所述多个像素电极上地连续设置，包含第一载流子传输层或者第一载流子注入层，所述第一层与所述多个像素电极的各个像素电极的上表面及侧面接触；
发光层，其设置于所述第一层上；
第二层，其设置于所述发光层上，包含第二载流子传输层或者第二载流子注入层；以及
对置电极，其设置于所述第二层上，
所述第一层具有俯视观察时设置于所述多个像素电极的相邻的2个像素电极之间的中间部分，所述中间部分的载流子迁移率比所述第一层中设置于所述像素电极上的部分的载流子迁移率低。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述发光层以与所述多个像素的各个像素对应的方式彼此独立地形成。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
俯视观察时所述发光层遍及所述多个像素电极地连续形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-192678 | 2014-09-22 | ||
| JP2014192678A JP2016063197A (ja) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105448955A CN105448955A (zh) | 2016-03-30 |
| CN105448955B true CN105448955B (zh) | 2019-05-28 |
Family
ID=55526496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510605216.5A Active CN105448955B (zh) | 2014-09-22 | 2015-09-21 | 显示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9666651B2 (zh) |
| JP (1) | JP2016063197A (zh) |
| KR (1) | KR20160034807A (zh) |
| CN (1) | CN105448955B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112385314A (zh) * | 2018-07-17 | 2021-02-19 | 夏普株式会社 | 显示设备、显示设备的制造方法及显示设备的制造装置 |
| JP2020161577A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN112635683B (zh) * | 2020-12-18 | 2023-11-14 | 北京维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6736484B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-05-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid drop discharge method and discharge device; electro optical device, method of manufacture thereof, and device for manufacture thereof; color filter method of manufacture thereof, and device for manufacturing thereof; and device incorporating backing, method of manufacturing thereof, and device for manufacture thereof |
| KR100491146B1 (ko) | 2002-11-04 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP3966283B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 発光体とその製造方法及び製造装置、電気光学装置並びに電子機器 |
| JP3966252B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP2006038987A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器 |
| JP2006221960A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP2007286469A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP2007200904A (ja) * | 2007-03-23 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP2009088320A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
| JP2009295447A (ja) | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Seiko Epson Corp | 有機発光装置および電子機器 |
| JP2010040355A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Seiko Epson Corp | 基板の処理方法、成膜方法及び有機ｅｌ装置の製造方法 |
| JP4990415B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2012-08-01 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| JP5453303B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-03-26 | パナソニック株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| JP2011249035A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2012155953A (ja) | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sony Corp | 有機ｅｌ表示装置及び電子機器 |
| JP2012186091A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
| JP2013127884A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Panasonic Corp | 薄膜付基板の製造方法 |
| JP2014157764A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toppan Printing Co Ltd | 精密印刷方法及び精密印刷製造物 |
-
2014
- 2014-09-22 JP JP2014192678A patent/JP2016063197A/ja active Pending
-
2015
- 2015-09-16 KR KR1020150131000A patent/KR20160034807A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-09-18 US US14/858,789 patent/US9666651B2/en active Active
- 2015-09-21 CN CN201510605216.5A patent/CN105448955B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160034807A (ko) | 2016-03-30 |
| US9666651B2 (en) | 2017-05-30 |
| US20160087019A1 (en) | 2016-03-24 |
| JP2016063197A (ja) | 2016-04-25 |
| CN105448955A (zh) | 2016-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |