CN112635683B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括：基板；位于基板上的像素限定层，所述像素限定层中具有像素开口，所述像素开口被阻隔结构隔开分为第一子开口和第二子开口；位于所述第一子开口中的发光层和第一载流子层，所述第一载流子层位于所述发光层和所述基板之间；第二载流子层，所述第二载流子层位于所述像素开口中，所述第二载流子层自第二子开口横跨所述阻隔结构并延伸至所述发光层背向所述基板一侧的表面。所述显示面板提供了一种新设计结构，其次，第一载流子层和第二载流子层被限制在像素开口中，不同的像素开口中的第一载流子层间隔，不同的像素开口中的第二载流子层之间间隔，这样降低了不同像素开口之间的电流的横向串扰。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light－Emitting Diode，简称OLED)显示器，又称为有机电致发光显示器，是一种新兴的显示器。具有自主发光、视角宽、轻、薄、高亮度、功耗低和响应快等一系列的优点，因此，OLED显示器成为国内外非常热门的显示器产品，具有广阔的应用前景。OLED显示器的结构包括：基板；层叠设置在基板上的阳极、有机功能层和阴极；以及封装层。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种显示面板的新设计结构，且降低电流的横向串扰。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板，包括：基板；位于所述基板上的像素限定层，所述像素限定层中具有像素开口，所述像素开口被阻隔结构隔开分为第一子开口和第二子开口；位于所述第一子开口中的发光层和第一载流子层，所述第一载流子层位于所述发光层和所述基板之间；第二载流子层，所述第二载流子层位于所述像素开口中，所述第二载流子层自所述第二子开口横跨所述阻隔结构并延伸至所述发光层背向所述基板一侧的表面。
可选的，所述第一载流子层包括：位于所述第一子开口中的第一载流子注入层；位于所述第一载流子注入层和所述发光层之间的第一载流子传输层；所述第二载流子层包括：位于所述第二子开口中的第二载流子注入层；位于所述像素开口中且位于所述发光层和所述第二载流子注入层背向所述基板一侧的第二载流子传输层。
可选的，在垂直于所述基板表面的方向上，所述发光层背向所述基板的表面不高于所述阻隔结构背向所述基板的顶面，所述发光层背向所述基板的表面与所述阻隔结构背向所述基板的顶面之间的间距小于10纳米。
可选的，所述发光层背向所述基板的表面与所述阻隔结构背向所述基板的顶面齐平。
可选的，还包括：至少位于所述第一载流子层底部的基板表面的第一电极层；至少位于所述第二子开口底部基板表面的第二电极层。
可选的，所述第一电极层位于所述第一子开口的底壁和侧壁，所述第一载流子注入层的侧壁与所述第一电极层接触，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层，所述第一载流子注入层为电子注入层；或，所述第二电极层位于所述第二子开口的底壁和侧壁，所述第二载流子注入层的侧壁与所述第二电极层接触，所述第一电极层为阳极层，所述第二电极层为阴极层，所述第二载流子注入层为电子注入层。
可选的，所述显示面板还包括：位于所述第二载流子传输层背向所述基板一侧表面的顶层反射膜。
可选的，所述顶层反射膜与所述阴极层连接。
可选的，所述顶层反射膜覆盖所述第二载流子传输层且延伸至像素限定层背向所述基板的一侧表面。
可选的，所述顶层反射膜为整面结构。
可选的，所述阻隔结构包括在平行于所述基板的表面排布且邻接的第一阻隔区和第二阻隔区，所述第一阻隔区的高度小于所述第二阻挡区的高度，所述第二阻隔区位于所述第一阻隔区和所述第二子开口之间。
可选的，所述第二阻隔区投影在所述基板表面的面积与所述第一阻隔区投影在所述基板表面的面积之比为1：8～1：10。
可选的，所述显示面板还包括：附加反射层，所述附加反射层位于所述第一阻隔区背向所述基板一侧表面与所述第一载流子传输层之间；所述第一电极层和所述第一载流子注入层位于所述附加反射层的侧部。
可选的，在垂直于所述基板表面的方向上，所述第一载流子注入层背向所述基板一侧的表面至所述附加反射层朝向所述基板一侧的表面之间的间距大于零。
可选的，所述阻隔结构的高度小于所述像素开口外侧的像素限定层的厚度。
可选的，所述阻隔结构的高度与所述像素开口外侧的像素限定层的厚度之差为10纳米～50纳米。
可选的，所述第一子开口在所述基板表面的投影面积与所述第二子开口在所述基板表面的投影面积之比为50：1～10：1。
可选的，所述阻隔结构为所述像素限定层的一部分。
可选的，第一载流子层为空穴功能层，第一载流子注入层为空穴注入层，第一载流子传输层为空穴传输层，第二载流子层为电子功能层，第二载流子注入层为电子注入层，第二载流子传输层为电子传输层。
可选的，第一载流子层为电子功能层，第一载流子注入层为电子注入层，第一载流子传输层为电子传输层，第二载流子层为空穴功能层，第二载流子注入层为空穴注入层，第二载流子传输层为空穴传输层。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上形成像素限定层，所述像素限定层中具有像素开口，所述像素开口被阻隔结构隔开分为第一子开口和第二子开口；在所述第一子开口中形成第一载流子层；在所述第一载流子层背向所述基板的一侧表面形成发光层；形成第二载流子层，所述第二载流子层位于所述像素开口中，所述第二载流子层自第二子开口横跨所述阻隔结构并延伸至所述发光层背向所述基板一侧的表面。
可选的，形成所述第一载流子层的方法包括：在所述第一子开口中形成第一载流子注入层；在所述第一载流子注入层背向所述基板的一侧形成第一载流子传输层；形成所述第二载流子层的方法包括：在所述第二子开口中形成第二载流子注入层；形成所述发光层之后，在所述像素开口中形成位于所述发光层和所述第二载流子注入层背向所述基板的一侧的第二载流子传输层。
可选的，形成所述发光层的工艺为喷墨打印工艺；形成所述第一载流子层的工艺为喷墨打印工艺，形成所述第二载流子层的工艺为喷墨打印工艺。
可选的，所述显示面板的制备方法还包括：在所述第二载流子传输层背向所述基板的一侧表面形成顶层反射膜。
可选的，所述阻隔结构包括在平行于所述基板的表面排布且邻接的第一阻隔区和第二阻隔区，所述第一阻隔区的高度小于第二阻挡区的高度，第二阻隔区位于所述第一阻隔区和第二子开口之间。
可选的，所述显示面板的制备方法还包括：在形成第一载流子传输层之前，在所述第一阻隔区背向所述基板一侧的表面形成附加反射层。
可选的，还包括：在形成所述像素限定层之前，在所述基板的部分表面形成第一电极层，形成所述像素限定层之后，所述第一电极层位于所述第一子开口的底壁，所述第一电极层为阳极层；在形成所述第一载流子层之前，至少在所述第二子开口的底部基板表面形成第二电极层，所述第二电极层为阴极层。
可选的，在所述第二子开口的底壁和侧壁形成所述第二电极层，所述第二载流子注入层的侧壁与所述第二电极层接触，所述第二载流子注入层为电子注入层。
可选的，在所述第二子开口的底壁和侧壁形成第二电极层的步骤包括：在所述第一子开口的底壁和侧壁、第二子开口的底壁和侧壁、以及所述像素限定层背向所述基板的一侧表面形成第二电极材料膜；刻蚀去除第一子开口的底壁和侧壁的第二电极材料膜、以及位于所述像素限定层背向所述基板的一侧表面的第二电极材料膜，形成所述第二电极层。
可选的，在形成所述像素限定层之前，在所述基板的部分表面形成第二电极层，形成所述像素限定层之后，所述第二电极层位于所述第二子开口的底壁，所述第二电极层为阳极层；在形成所述第一载流子层之前，至少在所述第一子开口的底部基板表面形成第一电极层，所述第一电极层为阴极层。
可选的，在第一子开口的底壁和侧壁形成所述第一电极层，所述第一载流子注入层的侧壁与所述第一电极层接触，第一载流子注入层为电子注入层。
可选的，在所述第一子开口的底壁和侧壁形成第一电极层的步骤包括：在所述第一子开口的底壁和侧壁、第二子开口的底壁和侧壁、以及所述像素限定层背向所述基板的一侧表面形成第一电极材料膜；刻蚀去除第二子开口的底壁和侧壁的第二电极材料膜、以及位于所述像素限定层背向所述基板的一侧表面的第二电极材料膜，形成所述第一电极层。
本发明还提供一种显示装置，包括本发明的显示面板。
本发明技术方案，具有如下优点：
1.本发明技术方案提供的显示面板，包括：基板；位于所述基板上的像素限定层，所述像素限定层中具有像素开口，所述像素开口被阻隔结构隔开分为第一子开口和第二子开口；位于所述第一子开口中的发光层和第一载流子层，所述第一载流子层位于所述发光层和所述基板之间；位于所述像素开口中的第二载流子层，且所述第二载流子层自第二子开口横跨所述阻隔结构延伸至所述发光层背向所述基板一侧的表面。第一载流子层给发光层提供第一载流子，第二载流子层给发光层提供第二载流子，第一载流子和第二载流子在发光层中复合使发光层发光。该显示面板提供了一种新设计结构；其次，第一载流子层和第二载流子层被限制在像素开口中，不同的像素开口中的第一载流子层间隔，不同的像素开口中的第二载流子层之间间隔，这样降低了不同像素开口之间电流的横向串扰。
2.进一步，第二电极层至少位于所述第二子开口底部的基板的表面，第二载流子注入层位于所述第二子开口中，第二载流子传输层位于所述像素开口中且位于发光层和所述第二载流子注入层背向所述基板的一侧。第二载流子注入层将第二载流子注入至第二子开口中的第二载流子传输层，第二子开口中的第二载流子传输层将第二载流子传输至第一子开口中的第二载流子传输层，第一子开口中的第二载流子传输层将第二载流子传输至发光层用于和第一载流子复合，进而使得发光层发光。
进一步，所述第二电极层位于所述第二子开口的底壁和侧壁，所述第二载流子注入层的侧壁与所述第二电极层接触，所述第二电极层为阴极层，所述第二载流子注入层为电子注入层。由于所述第二载流子注入层的侧壁与所述第二电极层接触，因此第二电极层保护第二载流子注入层，第二电极层能够阻挡水氧从像素限定层进入第二载流子注入层中，所述第二电极层还能阻挡像素限定层中的一些活性物质扩散进入第二载流子注入层中，因此降低第二载流子注入层被水氧侵蚀以及被活性物质侵蚀的几率，提高第二载流子注入层的稳定性，提高显示面板的稳定性。
3.进一步，所述第一电极层位于所述第一子开口的底壁和侧壁，所述第一载流子注入层的侧壁与所述第一电极层接触，所述第一电极层为阴极层，所述第一载流子注入层为电子注入层。由于所述第一载流子注入层的侧壁与所述第一电极层接触，因此第一电极层保护第一载流子注入层，第一电极层能够阻挡水氧从像素限定层进入第一载流子注入层中，所述第一电极层还能阻挡像素限定层中的一些活性物质扩散进入第一载流子注入层中，因此降低第一载流子注入层被水氧侵蚀以及被活性物质侵蚀的几率，提高第一载流子注入层的稳定性，提高显示面板的稳定性。
4.进一步，所述显示面板还包括：位于所述第二载流子传输层背向所述基板一侧表面的顶层反射膜，所述顶层反射膜适于与第一电极层构成微腔结构。而第二电极层至少位于所述第二子开口底部的基板表面，第二电极层不作为微腔结构的一部分。这样使得第二电极层的厚度选择不受到微腔结构的腔长要求的限制，所述第二电极层的厚度能够选择相对较大的范围，以降低相邻像素区的第二电极层之间的压降。进一步，所述第二电极层的材料不需要受到微腔结构反射性能的限制，这样第二电极层的材料可以选择方阻较小的材料，以降低相邻像素区的第二电极层之间的压降。进一步，所述顶层反射膜为整面结构，结构简单，容易制作。
5.进一步，所述第一子开口在所述基板表面的投影面积与所述第二子开口在所述基板表面的投影面积之比为50：1～10：1。这样所述第一子开口在所述基板表面的投影面积较大，这样使得发光层在基底表面的投影面积占据所述像素开口在所述基底表面投影面积的比例较大，增大了发光面积，提高了发光亮度。
6.进一步，所述阻隔结构包括在平行于所述基板的表面排布且邻接的第一阻隔区和第二阻隔区，所述第一阻隔区的高度小于第二阻挡区的高度，第二阻隔区位于所述第一阻隔区和第二子开口之间。所述显示面板还包括：附加反射层，所述附加反射层位于所述第一阻隔区背向所述基板一侧表面与所述第一载流子传输层之间；所述第一电极层和所述第一载流子注入层位于所述附加反射层的侧部。这样形成了两种腔长的微腔结构，一种微腔结构由第一电极层和顶层反射膜构成，由第一电极层和顶层反射膜构成的微腔结构适于调节出光效率，另一种微腔结构由附加反射层和所述顶层反射膜构成，由附加反射层和所述顶层反射膜构成的微腔结构适于调节显示面板的视角。从而提高了显示面板出光方面的性能。
7.本发明技术方案提供的显示面板的制备方法，在所述基板上形成像素限定层，所述像素限定层中具有像素开口，所述像素开口被阻隔结构隔开分为第一子开口和第二子开口；在所述第一子开口中形成第一载流子层；在所述第一载流子层背向所述基板的一侧表面形成发光层；形成第二载流子层，所述第二载流子层位于所述像素开口中，所述第二载流子层自第二子开口横跨所述阻隔结构并延伸至所述发光层背向所述基板一侧的表面。该显示面板提供了一种新设计结构；其次，第一载流子层和第二载流子层被限制在像素开口中，不同的像素开口中的第一载流子层间隔，不同的像素开口中的第二载流子层之间间隔，这样降低了不同像素开口之间电流的横向串扰。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中显示面板的俯视结构示意图；
图2为图1所示显示面板的局部剖视结构示意图；
图3为本发明另一实施例中显示面板的剖视结构示意图；
图4至图9为本发明一实施例中显示面板制备过程的结构示意图；
图10至图13为本发明另一实施例中显示面板制备过程的结构示意图。
具体实施方式
本实施例提供一种显示面板，请参考图1至图2，图1为本发明一实施例中显示面板的俯视结构示意图；图2为图1所示显示面板的局部剖视结构示意图，显示面板包括：基板100；位于基板100上的像素限定层110，像素限定层110中具有像素开口，像素开口被阻隔结构隔110a开分为第一子开口121(参考图1和图2)和第二子开口122(参考图1和图2)；位于第一子开口121中的发光层160和第一载流子层，第一载流子层位于发光层160和基板100之间；第二载流子层，第二载流子层位于像素开口中，第二载流子层自第二子开口122横跨阻隔结构110a并延伸至发光层160背向基板100一侧的表面。
本申请显示面板提供了一种新设计结构，其次，第一载流子层和第二载流子层被限制在像素开口中，不同的像素开口中的第一载流子层间隔，不同的像素开口中的第二载流子层之间间隔，这样降低了不同像素开口之间的电流的横向串扰。
本实施例中，基板100为阵列基板，阵列基板包括：衬底基板和位于衬底基板上的阵列电路层，显示面板为AMOLED(Active－matrix organic lightemitting diode)型显示面板。
基板100包括若干分立的像素区A(参考图1)和位于像素区A之间的间隔区B(参考图1)。为了实现彩色化显示，显示面板像素区可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。
具体的，本实施例中，阻隔结构110a为像素限定层110的一部分，也就是说，第一子开口121和第二子开口122之间的像素限定层110构成阻隔结构110a。像素限定层110的材料为光阻材料。
在其他实施例中，阻隔结构110a与像素限定层110为独立的两部分，也就是说可以采用不同的材料在相互独立的工序中分别制备。
第一子开口121在基板100表面的投影面积与第二子开口122在基板100表面的投影面积之比为50：1～10：1，如50：1、40：1、30：1、20：1或10：1。这样第一子开口121在基板100表面的投影面积较大，第一子开口121中适于放置发光层，这样使得发光层在基底100表面的投影面积占据像素开口在基底100表面投影面积的比例较大，增大了发光面积，提高了发光亮度。
阻隔结构110a的高度小于像素开口外侧的像素限定层110的厚度。阻隔结构110a的高度与像素开口外侧的像素限定层110的厚度之差为10纳米～50纳米。
阻隔结构110a的高度和像素限定层110的厚度均指的是在垂直于基板100表面方向上的尺寸。阻隔结构110a和像素开口外侧的像素限定层110的厚度之间的高度差，便于第二载流子层的制备，降低工艺难度，满足相邻像素开口的第二载流子层存在间隔。
本实施例中，阻隔结构110a背向基板100一侧的表面齐平，阻隔结构110a在基板表面的投影为条状结构，条状结构的延伸方向垂直于第一子开口121至第二子开口122的排布方向。在其他实施例中，阻隔结构在基板表面的投影的形状为其他形状或者不规则形状，只要阻隔结构110a存在，就能够将像素开口划分为第一子开口121和第二子开口122，以满足本申请显示面板新设计结构。
第一载流子层包括：位于第一子开口121中的第一载流子注入层140；位于第一载流子注入层140和发光层160之间的第一载流子传输层150。
第二载流子层包括：位于第二子开口122中的第二载流子注入层170；位于像素开口中且位于发光层160和第二载流子注入层170背向基板100一侧的第二载流子传输层180，也就是说，第二载流子传输层180位于像素开口中，且第二载流子传输层180在基板100上的正投影覆盖发光层160和第二载流子注入层170在基板100上的正投影。
第二载流子注入层170将第二载流子注入至第二子开口122中的第二载流子传输层180，第二子开口122中的第二载流子传输层180将第二载流子传输至第一子开口121中的第二载流子传输层180，第一子开口121中的第二载流子传输层180将第二载流子传输至发光层160。第一载流子注入层140将第一载流子注入至第一载流子传输层150，第一载流子传输层150将第一载流子传输至发光层160。传输至发光层160中的第一载流子和第二载流子复合，使得发光层160发光。
当然，第一载流子层和第二载流子层还可以根据需要包括其他膜层，如，当显示面板包括第一载流子阻挡层时，第二载流子层包括第一载流子阻挡层，第一载流子阻挡层位于发光层和第二载流子传输层之间，第一载流子阻挡层用于阻挡第一载流子、传输第二载流子，同样的，当显示面板包括第二载流子阻挡层时，则第一载流子层包括第二载流子阻挡层，第二载流子阻挡层位于发光层和第一载流子传输层之间，第二载流子传输层具备阻挡第二载流子和传输第一载流子的功能。
在垂直于基板100表面的方向上，发光层160背向基板100的表面不高于阻隔结构110a背向基板100的顶面，发光层160背向基板100的表面与阻隔结构110a背向基板100的顶面之间的间距小于10纳米，如8纳米、6纳米、4纳米、2纳米或0纳米。
本实施例中，发光层160背向基板100的表面与阻隔结构110a背向基板100的顶面齐平。
显示面板还包括：至少位于第一载流子层底部的基板100表面的第一电极层131；至少位于第二子开口122底部基板100表面的第二电极层132。
本实施例中，第二电极层132位于第二子开口122的底壁和侧壁，第二载流子注入层170的侧壁与第二电极层132接触，第一电极层131为阳极层，第二电极层132为阴极层，第二载流子注入层170为电子注入层。进一步的第二载流子注入层170的整个侧壁均与第二电极层132接触。由于第二载流子注入层170的侧壁与第二电极层132接触，因此第二电极层132保护第二载流子注入层170，第二电极层132能够阻挡水氧从像素限定层110进入第二载流子注入层170中，第二电极层132还能阻挡像素限定层110中的一些活性物质扩散进入第二载流子注入层170中，因此降低第二载流子注入层170被水氧侵蚀以及被活性物质侵蚀的几率，提高第二载流子注入层170的稳定性，提高显示面板的稳定性。需要说明的是，通常情况下，显示面板中的有机发光二极管对于水、氧具有较高的敏感度。在有机发光二极管制备过程中如果有残留的水氧或者发生有机发光二极管封装不良，就会容易的水氧侵蚀有机发光二极管，导致OLED显示器的稳定性降低。当前，有几种应对有机发光二极管器件失效的方法，一种方法为：提高覆盖有机发光二极管的薄膜封装层的封装性能，使得薄膜封装层的抗水氧能力提高。然而，当有机发光二极管在使用过程中存在损伤使薄膜封装层的封装性能降低之后，或者当有机发光二极管在制作过程中先于薄膜封装层引入水氧时，薄膜封装层对这部分水氧的屏蔽功能就会下降，还是会引起水氧对有机发光二极管的侵蚀，可见，提高薄膜封装层的封装性能的方法对于改善水氧侵蚀有机发光二极管而导致的失效的问题具有局限性。经研究发现，在有机发光二极管中，对于水氧比较敏感的区域是电子注入层所在的区域，一般电子注入层通常采用活泼金属，活泼金属容易和水氧发生反应，导致电子注入层被水氧侵蚀，进而导致有机发光二极管失效。因此提高电子注入层的稳定性可以有效提高有机发光二极管的稳定性。当第二载流子注入层170为电子注入层时，可以有效提高有机发光二极管的稳定性，提高显示面板的稳定性。
在其他实施例中，第一电极层131位于第一子开口121的底壁和侧壁，第一载流子注入层140的侧壁与第一电极层131接触，第一电极层131为阴极层，第二电极层132为阳极层，第一载流子注入层140为电子注入层。进一步，第一载流子注入层140的整个侧壁与第一电极层131接触。
本实施例中，第一载流子层为空穴功能层，第一载流子注入层140为空穴注入层，第一载流子传输层150为空穴传输层，第二载流子层为电子功能层，第二载流子注入层170为电子注入层，第二载流子传输层180为电子传输层。相应的，第一电极层131为阳极层，第二电极层132为阴极层。
本实施例中，第二电极层132为阴极层，阴极层的材料包括：金属银或者镁银合金材料，第一电极层131为阳极层，阳极层的材料包括ITO。
在其他实施例中，第一载流子层为电子功能层，第一载流子注入层为电子注入层，第一载流子传输层为电子传输层，第二载流子层为空穴功能层，第二载流子注入层为空穴注入层，第二载流子传输层为空穴传输层。相应的，第一电极层为阴极层，第二电极层为阳极层。阴极层的材料包括：金属银或者镁银合金材料，阳极层的材料包括ITO。
第二电极层132至少位于第二子开口122底部的基板100表面，第二电极层132不作为微腔结构的一部分，这样使得第二电极层132的厚度选择不受到微腔结构的腔长要求的限制，第二电极层132的厚度能够选择相对较大的范围，以降低相邻像素区的第二电极层132之间的压降。在一个实施例中，第二电极层132的厚度为10纳米～100纳米，如10纳米、20纳米、30纳米、40纳米、50纳米、60纳米、70纳米、80纳米、90纳米、100纳米。
第二电极层132的材料不需要受到微腔结构反射性能的限制，这样第二电极层132的材料可以选择方阻较小的材料，以降低相邻像素区的第二电极层132之间的压降。在一个实施例中，第二电极层132的方阻小于后续的顶层反射膜的方阻。需要说明的是，第二电极层132的方阻也可以选择和后续的顶层反射膜的方阻一致，第二电极层132的材料可以选择和后续的顶层反射膜的材料相同。
本实施例中，第二电极层132为阴极层，阴极层的厚度为10纳米～100纳米，阴极层的方阻小于后续的顶层反射膜的方阻，或者，阴极层的方阻和后续的顶层反射膜的方阻一致。阴极层的材料可以选择和后续的顶层反射膜的材料相同。
显示面板还包括：位于第二载流子传输层180背向基板100一侧表面的顶层反射膜190。
顶层反射膜190与第二电极层132连接，这样使得能够选择通过在顶层反射膜190上施加电压进而给第二电极层132提供工作电压。在其他实施例中，顶层反射膜与第二电极层不连接，此时可以在基板100中设置导电连接件，实现第一电极131或者第二电极132的电性需求。
顶层反射膜190覆盖第二载流子传输层180且延伸至像素限定层110背向基板100的一侧表面。在这种情况下，相邻像素区之间的顶层反射膜190可以是断开的，也可以是连接在一起的。
当相邻像素区之间的顶层反射膜190均连接在一起时，顶层反射膜190为整面结构，结构简单，容易制作。
需要说明的是，本实施例中，基板100中具有电源线，基板100中还具有位于第二电极层132底部的第二导电连接件102，基板100中还具有位于第一电极层131底部的第一导电连接件101，第一导电连接件101和第一电极层131连接。
本实施例中，第二电极层132为阴极层，阴极层通过第二导电连接件102与电源线电学连接，进一步的，第二导电连接件102的方阻小于阴极层的方阻。在这种情况下，由第二导电连接件102给阴极层提供工作电压，因此顶层反射膜与阴极层可以选择不连接。需要说明的是，由第二导电连接件102给阴极层提供工作电压时，顶层反射膜与阴极层可以选择连接。本实施例中，第一电极层为阳极层，第一导电连接件101和阳极层连接。
本实施例中，阴极层位于第二子开口122，可以在第二子开口122的侧壁和底壁均设置阴极层，且阴极层可以覆盖第二子开口122的整个侧壁，同时，实现阴极层与顶层反射膜190连接的同时，在第二载流子层和像素限定层110之间形成阻隔，保护第二载流子层。当然，阴极层也可以延伸至像素限定层顶面，降低工艺难度，提高阴极层和顶层反射膜190之间的连接稳定性。
在其他实施例中，第一电极层131为阴极层，阴极层通过第一导电连接件101与电源线电学连接，进一步，第一导电连接件101的方阻小于阴极层的方阻。第二电极层132为阳极层，第二导电连接件102和阳极层连接。
相应的，本发明另一实施例还提供一种显示面板，参考图3，本实施例的显示面板与前一实施例的区别在于：阻隔结构210ab包括在平行于基板200的表面排布且邻接的第一阻隔区210a和第二阻隔区210b，第一阻隔区210a的高度小于第二阻挡区210b的高度，第二阻隔区210b位于第一阻隔区210a和第二子开口222之间；显示面板还包括附加反射层233，附加反射层233位于第一阻隔区210a背向基板200一侧表面与第一载流子传输层250之间。
本实施例中，形成了两种腔长的微腔结构，一种微腔结构由第一电极层231和顶层反射膜290构成，由第一电极层231和顶层反射膜290构成的微腔结构适于调节出光效率，另一种微腔结构由附加反射层233和顶层反射膜290构成，由附加反射层233和顶层反射膜290构成的微腔结构适于调节显示面板的视角。两种微腔结构提高了显示面板出光方面的性能。
在垂直于基板200表面的方向上，第一载流子注入层240背向基板200一侧的表面至附加反射层233朝向基板200一侧的表面之间的间距大于零。
第一电极层231和第一载流子注入层240位于附加反射层233的侧部。
第二阻隔区210b投影在基板200表面的面积与第一阻隔区210a投影在基板表面的面积之比为1：8～1：10。这样使得：第一阻隔区210a投影在基板表面的面积较大，为形成面积较大的附加反射层提供了基础，这样使得由附加反射层233和顶层反射膜290构成的微腔结构更好的调节显示面板的视角。
本实施例中，第一电极层231的面积和顶层反射膜290的面积之比为1：5～5：1，这样兼顾了较高的出光效率和较好的视角，较好的视角表面在：在大的视角下，显示面板的发光亮度的衰减较小。
像素限定层210和阻隔结构210ab的材料参照前述实施例。
第一子开口221在基板200表面的投影面积与第二子开口222在基板200表面的投影面积之比为50：1～10：1。
阻隔结构210ab的高度小于像素开口外侧的像素限定层210的厚度。
阻隔结构210ab的高度与像素开口外侧的像素限定层210的厚度之差为10纳米～50纳米。
发光层260参照前述实施例的发光层160。第二载流子传输层280参照前述实施例的第二载流子传输层180，第二载流子注入层270参照前述实施例的第二载流子注入层170。第二电极层232的描述参照前述实施例的第二电极层132。
关于本实施例与前一实施例的显示面板相同的部分，不再详述。
图4至图9为本发明一实施例中显示面板制备过程的结构示意图。
参考图4，提供基板100。
本实施例中，基板100为阵列基板，阵列基板包括：衬底基板和位于衬底基板上的阵列电路层，阵列电路层适于驱动显示面板发光。
本实施例中，基板100中具有电源线，基板100中具有第一导电连接件101，第一导电连接件101适于和第一电极层连接。基板100中还具有第二导电连接件102，第二导电连接件102适于和第二电极层连接。
继续参考图4，在基板100上形成像素限定层110，像素限定层110中具有像素开口，像素开口被阻隔结构110a隔开分为第一子开口121和第二子开口122。
具体的，本实施例中，阻隔结构110a为像素限定层110的一部分，也就是说，第一子开口121和第二子开口122之间的像素限定层110构成阻隔结构110a。像素限定层110的材料为光阻材料。
形成像素限定层110的方法包括：在基板100上形成像素限定材料层(未图示)；对像素限定材料层进行曝光工艺和显影工艺，使得像素限定材料层形成像素限定层110。
在其他实施例中，阻隔结构110a与像素限定层110为独立的两部分。
阻隔结构110a的位置可以根据实际需求设置，例如，在形成阻隔结构110a后，第一子开口121在基板100表面的投影面积与第二子开口122在基板100表面的投影面积之比为50：1～10：1，如50：1、40：1、30：1、20：1或10：1。
阻隔结构110a的高度小于像素开口外侧的像素限定层110的厚度。阻隔结构110a的高度与像素开口外侧的像素限定层110的厚度之差为10纳米～50纳米。
阻隔结构110a的高度和像素限定层110的厚度均指的是在垂直于基板100表面方向上的尺寸。
本实施例中，阻隔结构110a背向基板100一侧的表面齐平，阻隔结构110a在基板表面的投影为条状结构，条状结构的延伸方向垂直于第一子开口121至第二子开口122的排布方向。在其他实施例中，阻隔结构在基板表面的投影的形状为其他形状或者不规则形状。
本实施例中，还包括：在第一子开口121中形成第一载流子层；在第一载流子层背向基板100的一侧表面形成发光层；形成第二载流子层，第二载流子层位于像素开口中，第二载流子层自第二子开口122横跨阻隔结构110a且延伸至发光层背向基板100一侧的表面。
形成第一载流子层的方法包括：在第一子开口121中形成第一载流子注入层；在第一载流子注入层背向基板100的一侧形成第一载流子传输层。形成第二载流子层的方法包括：在第二子开口122中形成第二载流子注入层；形成发光层之后，在像素开口中形成位于发光层和第二载流子注入层背向基板100的一侧的第二载流子传输层。
本实施例中，第一载流子层为空穴功能层，第一载流子注入层为空穴注入层，第一载流子传输层为空穴传输层，第二载流子层为电子功能层，第二载流子注入层为电子注入层，第二载流子传输层为电子传输层。相应的，第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层。
在其他实施例中，第一载流子层为电子功能层，第一载流子注入层为电子注入层，第一载流子传输层为电子传输层，第二载流子层为空穴功能层，第二载流子注入层为空穴注入层，第二载流子传输层为空穴传输层。相应的，第一电极层为阴极层，第二电极层为阳极层。阴极层的材料包括：金属银或者镁银合金材料，阳极层的材料包括。
参考图5，在基板100的部分表面形成第一电极层131；至少在基板100的部分表面形成第二电极层132。
本实施例中，在形成像素限定层110之后，形成第一电极层131和第二电极层132。
在其他实施例中，还可以是：在形成像素限定层110之前，形成第一电极层131。当第二电极层仅位于基板100的部分表面时，形成第二电极层的步骤也可以在形成像素限定层110之前进行。或者，在其他实施例中，在形成像素限定层之前，形成第一电极层，在形成像素限定层之后，在形成第一载流子层之前，形成第二电极层，优选，此时第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层。
本实施例中，具体的，在第一子开口121的底部形成第一电极层131，在第二子开口122的底壁和侧壁形成第二电极层132。
在第二子开口122的底壁和侧壁形成第二电极层132的步骤包括：在第一子开口121的底壁和侧壁、第二子开口122的底壁和侧壁、以及像素限定层110背向基板100的一侧表面形成第二电极材料膜；刻蚀去除第一子开口121的底壁和侧壁的第二电极材料膜、以及位于像素限定层110背向基板100的一侧表面的第二电极材料膜，形成第二电极层132。
具体的，第二电极材料膜还形成在阻隔结构110a背向基板100一侧的表面；在刻蚀去除第一子开口121的底壁和侧壁的第二电极材料膜、以及位于像素限定层110背向基板100的一侧表面的第二电极材料膜的过程中，刻蚀去除了阻隔结构110a背向基板100一侧的表面的第二电极材料膜。
形成第二电极材料膜的工艺包括沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。
第二电极层132的厚度参照前述内容。第二电极层132的材料、方阻的描述参照前述内容。第一电极层131的描述参照前述实施例的内容。
本实施例中，第二电极层132通过第二导电连接件102与电源线电学连接，第二导电连接件102的方阻小于第二电极层132的方阻。由于第二导电连接件102的方阻小于第二电极层132的方阻，因此在相邻像素区的第二电极层132之间的压降降低。参考图6，形成第一电极层131之后，在第一子开口121中形成第一载流子注入层140；在第一载流子注入层140背向基板100的一侧形成第一载流子传输层150。
具体的，在第一电极层131背向基板100的一侧形成第一载流子注入层140。形成第一载流子注入层140的工艺为喷墨打印工艺，形成第一载流子传输层150的工艺为喷墨打印工艺。
参考图7，在第一载流子传输层150背向基板100的一侧表面形成发光层160。
形成发光层160的工艺为喷墨打印工艺。
在垂直于基板100表面的方向上，发光层160背向基板100的表面不高于阻隔结构110a背向基板100的顶面，发光层160背向基板100的表面与阻隔结构110a背向基板100的顶面之间的间距小于10纳米，如8纳米、6纳米、4纳米、2纳米或0纳米。
本实施例中，发光层160背向基板100的表面与阻隔结构110a背向基板100的顶面齐平。
参考图8，形成第二电极层132之后，在第二子开口122中形成第二载流子注入层170；形成发光层160之后，在像素开口中形成位于发光层160和第二载流子注入层170背向基板100的一侧的第二载流子传输层180。
本实施例中，以形成发光层160之后，形成第二载流子注入层170。在其他实施例中，还可以是：形成第一载流子注入层和第二电极层之后，形成第二载流子注入层，之后，形成第一载流子传输层和发光层，之后，形成第二载流子传输层。在其他实施例中，还可以是：形成第一载流子注入层、第一载流子传输层和第二电极层之后，形成第二载流子注入层，之后，形成发光层，之后，形成第二载流子传输层。在形成实施例中，可以是，形成第一电极层和第二电极层之后，且在形成第一载流子注入层之前，形成第二载流子注入层。
形成第二载流子传输层180的工艺为喷墨打印工艺；形成第二载流子注入层170的工艺为喷墨打印工艺。
本实施例中，第二载流子注入层170的侧壁与第二电极层132接触，第二载流子注入层为电子注入层，第二电极层为阴极层，进一步的，第二载流子注入层170的整个侧壁均与第二电极层132接触。
需要说明的是，在其他实施例中，在形成像素限定层之前，在基板的部分表面形成第二电极层，形成像素限定层之后，第二电极层位于第二子开口的底壁，第二电极层为阳极层；在形成像素限定层之后，在形成第一载流子层之前，至少在第一子开口的底部基板表面形成第一电极层，第一电极层为阴极层。此外，可以在第一子开口的底壁和侧壁形成第一电极层。在第一子开口的底壁和侧壁形成第一电极层，第一载流子注入层的侧壁与第一电极层接触，第一载流子注入层为电子注入层。在第一子开口的底壁和侧壁形成第一电极层的步骤包括：在第一子开口的底壁和侧壁、第二子开口的底壁和侧壁、以及像素限定层背向的一侧表面形成第一电极材料膜；刻蚀去除第二子开口的底壁和侧壁的第二电极材料膜、以及位述像素限定层背向基板的一侧表面的第二电极材料膜，形成第一电极层。
参考图9，在第二载流子传输层180背向基板100的一侧表面形成顶层反射膜190。
本实施例中，顶层反射膜190与第二电极层层132连接。在其他实施例中，顶层反射膜与第二电极层不接触。
顶层反射膜190覆盖第二载流子传输层180且延伸至像素限定层110背向基板100的一侧表面，这样使得像素开口中的第二载流子注入层170、第二载流子传输层180、第一载流子传输层150和第一载流子注入层140更好的密封在像素开口中。
在一个实施例中，顶层反射膜190为整面结构，结构简单，容易制作。
在一个实施例中，顶层反射膜190的厚度小于第二电极层132的厚度，顶层反射膜190的厚度较小，避免顶层反射膜190的反射率过大，保证光在顶层反射膜190和阳极层131构成的微腔中来回反射之后，较多的光可以从顶层反射膜190出射。顶层反射膜190的材料为金属银或者镁银合金。顶层反射膜190的厚度为10纳米－50纳米。
本实施例中，还包括：在顶层反射膜背向基板的一侧形成薄膜封装层(未图示)。
图10至图13为本发明另一实施例中显示面板制备过程的结构示意图。
参考图10，提供基板200，在基板200上形成像素限定层210，像素限定层210中具有像素开口，像素开口被阻隔结构210ab隔开分为第一子开口221和第二子开口222；阻隔结构210ab包括在平行于基板200的表面排布且邻接的第一阻隔区210a和第二阻隔区210b，第一阻隔区210a的高度小于第二阻挡区210b的高度，第二阻隔区210b位于第一阻隔区210a和第二子开口222之间。
像素限定层210和阻隔结构210ab的材料参照前述实施例。
第二阻隔区210b投影在基板200表面的面积与第一阻隔区210a投影在基板表面的面积之比为1：8～1：10。第一子开口221在基板200表面的投影面积与第二子开口222在基板200表面的投影面积之比为50：1～10：1。
阻隔结构210ab的高度小于像素开口外侧的像素限定层210的厚度。阻隔结构210ab的高度与像素开口外侧的像素限定层210的厚度之差为10纳米～50纳米。
基板200中具有电源线，基板200中还具有位于第二导电连接件202和第一导电连接件201，第二导电连接件202适于和第二电极层连接，第一导电连接件201适于和第一电极层连接。
接着，在第一子开口221中形成第一载流子层；在第一载流子层背向基板200的一侧表面形成发光层；形成第二载流子层，第二载流子层位于像素开口中，第二载流子层自第二子开口222横跨阻隔结构210ab并延伸至发光层背向基板100一侧的表面。
参考图11，在基板200的部分表面形成第一电极层231，至少在基板200的部分表面形成第二电极层232；在第一阻隔区210a背向基板200一侧的表面形成附加反射层233。
本实施例中，在形成像素限定层210之后，形成第一电极层231和第二电极层232。在其他实施例中，还可以是：在形成像素限定层210之前，形成第一电极层231。当第二电极层232仅位于基板200的部分表面时，形成第二电极层的步骤也可以在形成像素限定层210之前进行。
本实施例中，具体的，在第一子开口221的底部形成第一电极层231，在第二子开口222的底壁和侧壁形成第二电极层232。
参考图12，形成第一电极层231之后，在第一子开口221中形成第一载流子注入层240；在第一载流子注入层240和附加反射层233背向基板200的一侧形成第一载流子传输层250；在第一载流子传输层250背向基板200的一侧表面形成发光层260。
具体的，在第一电极层231背向基板200的一侧形成第一载流子注入层240。
附加反射层233位于第一阻隔区210a背向基板200一侧表面与第一载流子传输层250之间。第一电极层231和第一载流子注入层240位于附加反射层233的侧部。
第一电极层231的厚度、材料、以及方阻参照前述实施例。
附加反射层233的材料为高反射率金属材料，如Ag。附加反射层233的厚度为100纳米－500纳米。
附加反射层233的反射率高于后续的顶层反射膜的反射率，具体的，附加反射层233的反射率为80％－100％。
在垂直于基板200表面的方向上，发光层260背向基板200的表面不高于阻隔结构210ab背向基板200的顶面，发光层260背向基板200的表面与阻隔结构210ab背向基板200的顶面之间的间距小于10纳米，如8纳米、6纳米、4纳米、2纳米或0纳米。具体的，发光层260背向基板200的表面与第二阻隔区210b背向基板200的顶面之间的间距小于10纳米。
参考图13，形成第二电极层232之后，在第二子开口222中形成第二载流子注入层270，形成发光层260之后，在像素开口中形成位于发光层260和第二载流子注入层270背向基板200的一侧的第二载流子传输层280；在第二载流子传输层280背向基板200的一侧表面形成顶层反射膜290。
本实施例中，第二电极层232位于第一子开口222的底壁和侧壁，第二载流子注入层270的侧壁与第二电极层232接触，进一步的，第二载流子注入层270的整个侧壁均与第二电极层232接触。
顶层反射膜290与第二电极层232连接。顶层反射膜290覆盖第二载流子传输层280且延伸至像素限定层210背向基板200的一侧表面。在一个实施例中，顶层反射膜290为整面结构，结构简单，容易制作。
在其他实施例中，顶层反射膜与第二电极层不接触。
在一个实施例中，顶层反射膜290的厚度、材料和参照前述实施例中顶层反射膜190的描述。
本实施例中，还包括：在顶层反射膜290背向基板200的一侧形成薄膜封装层(未图示)。
关于本实施例的制备方法与前一实施例中相同的内容，不再详述。
相应的，本发明又一实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (32)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上的像素限定层，所述像素限定层中具有像素开口，所述像素开口被阻隔结构隔开分为第一子开口和第二子开口；
位于所述第一子开口中的发光层和第一载流子层，所述第一载流子层位于所述发光层和所述基板之间；所述发光层在像素开口中仅位于第一子开口中；
第二载流子层，所述第二载流子层位于所述像素开口中，所述第二载流子层自所述第二子开口横跨所述阻隔结构并延伸至所述发光层背向所述基板一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一载流子层包括：位于所述第一子开口中的第一载流子注入层；位于所述第一载流子注入层和所述发光层之间的第一载流子传输层；
所述第二载流子层包括：位于所述第二子开口中的第二载流子注入层；位于所述像素开口中且位于所述发光层和所述第二载流子注入层背向所述基板一侧的第二载流子传输层。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
在垂直于所述基板表面的方向上，所述发光层背向所述基板的表面不高于所述阻隔结构背向所述基板的顶面，所述发光层背向所述基板的表面与所述阻隔结构背向所述基板的顶面之间的间距小于10纳米。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光层背向所述基板的表面与所述阻隔结构背向所述基板的顶面齐平。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：至少位于所述第一载流子层底部的基板表面的第一电极层；至少位于所述第二子开口底部基板表面的第二电极层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极层位于所述第一子开口的底壁和侧壁，所述第一载流子注入层的侧壁与所述第一电极层接触，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层，所述第一载流子注入层为电子注入层；或，所述第二电极层位于所述第二子开口的底壁和侧壁，所述第二载流子注入层的侧壁与所述第二电极层接触，所述第一电极层为阳极层，所述第二电极层为阴极层，所述第二载流子注入层为电子注入层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：位于所述第二载流子传输层背向所述基板一侧表面的顶层反射膜。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述顶层反射膜与所述阴极层连接。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述顶层反射膜覆盖所述第二载流子传输层且延伸至像素限定层背向所述基板的一侧表面。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述顶层反射膜为整面结构。
11.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔结构包括在平行于所述基板的表面排布且邻接的第一阻隔区和第二阻隔区，所述第一阻隔区的高度小于所述第二阻隔区的高度，所述第二阻隔区位于所述第一阻隔区和所述第二子开口之间。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述第二阻隔区投影在所述基板表面的面积与所述第一阻隔区投影在所述基板表面的面积之比为1:8~1:10。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：附加反射层，所述附加反射层位于所述第一阻隔区背向所述基板一侧表面与所述第一载流子传输层之间；所述第一电极层和所述第一载流子注入层位于所述附加反射层的侧部。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，
在垂直于所述基板表面的方向上，所述第一载流子注入层背向所述基板一侧的表面至所述附加反射层朝向所述基板一侧的表面之间的间距大于零。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔结构的高度小于所述像素开口外侧的像素限定层的厚度。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，
所述阻隔结构的高度与所述像素开口外侧的像素限定层的厚度之差为10纳米~50纳米。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子开口在所述基板表面的投影面积与所述第二子开口在所述基板表面的投影面积之比为50：1~10：1。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阻隔结构为所述像素限定层的一部分。
19.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，第一载流子层为空穴功能层，第一载流子注入层为空穴注入层，第一载流子传输层为空穴传输层，第二载流子层为电子功能层，第二载流子注入层为电子注入层，第二载流子传输层为电子传输层；
或者，第一载流子层为电子功能层，第一载流子注入层为电子注入层，第一载流子传输层为电子传输层，第二载流子层为空穴功能层，第二载流子注入层为空穴注入层，第二载流子传输层为空穴传输层。
20.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成像素限定层，所述像素限定层中具有像素开口，所述像素开口被阻隔结构隔开分为第一子开口和第二子开口；
在所述第一子开口中形成第一载流子层；
在所述第一载流子层背向所述基板的一侧表面形成发光层；所述发光层在像素开口中仅位于第一子开口中；
形成第二载流子层，所述第二载流子层位于所述像素开口中，所述第二载流子层自第二子开口横跨所述阻隔结构并延伸至所述发光层背向所述基板一侧的表面。
21.根据权利要求20所述的显示面板的制备方法，其特征在于，形成所述第一载流子层的方法包括：在所述第一子开口中形成第一载流子注入层；在所述第一载流子注入层背向所述基板的一侧形成第一载流子传输层；
形成所述第二载流子层的方法包括：在所述第二子开口中形成第二载流子注入层；形成所述发光层之后，在所述像素开口中形成位于所述发光层和所述第二载流子注入层背向所述基板的一侧的第二载流子传输层。
22.根据权利要求20所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
形成所述发光层的工艺为喷墨打印工艺；形成所述第一载流子层的工艺为喷墨打印工艺，形成所述第二载流子层的工艺为喷墨打印工艺。
23.根据权利要求21所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法还包括：在所述第二载流子传输层背向所述基板的一侧表面形成顶层反射膜。
24.根据权利要求21所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述阻隔结构包括在平行于所述基板的表面排布且邻接的第一阻隔区和第二阻隔区，所述第一阻隔区的高度小于第二阻隔区的高度，第二阻隔区位于所述第一阻隔区和第二子开口之间。
25.根据权利要求24所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述显示面板的制备方法还包括：在形成第一载流子传输层之前，在所述第一阻隔区背向所述基板一侧的表面形成附加反射层。
26.根据权利要求21所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：
在形成所述像素限定层之前，在所述基板的部分表面形成第一电极层，形成所述像素限定层之后，所述第一电极层位于所述第一子开口的底壁，所述第一电极层为阳极层；在形成所述第一载流子层之前，至少在所述第二子开口的底部基板表面形成第二电极层，所述第二电极层为阴极层。
27.根据权利要求26所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述第二子开口的底壁和侧壁形成所述第二电极层，所述第二载流子注入层的侧壁与所述第二电极层接触，所述第二载流子注入层为电子注入层。
28.根据权利要求27所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述第二子开口的底壁和侧壁形成第二电极层的步骤包括：在所述第一子开口的底壁和侧壁、第二子开口的底壁和侧壁、以及所述像素限定层背向所述基板的一侧表面形成第二电极材料膜；刻蚀去除第一子开口的底壁和侧壁的第二电极材料膜、以及位于所述像素限定层背向所述基板的一侧表面的第二电极材料膜，形成所述第二电极层。
29.根据权利要求21所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：
在形成所述像素限定层之前，在所述基板的部分表面形成第二电极层，形成所述像素限定层之后，所述第二电极层位于所述第二子开口的底壁，所述第二电极层为阳极层；在形成所述第一载流子层之前，至少在所述第一子开口的底部基板表面形成第一电极层，所述第一电极层为阴极层。
30.根据权利要求29所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在第一子开口的底壁和侧壁形成所述第一电极层，所述第一载流子注入层的侧壁与所述第一电极层接触，第一载流子注入层为电子注入层。
31.根据权利要求30所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述第一子开口的底壁和侧壁形成第一电极层的步骤包括：在所述第一子开口的底壁和侧壁、第二子开口的底壁和侧壁、以及所述像素限定层背向所述基板的一侧表面形成第一电极材料膜；刻蚀去除第二子开口的底壁和侧壁的第二电极材料膜、以及位于所述像素限定层背向所述基板的一侧表面的第二电极材料膜，形成所述第一电极层。
32.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至19任意一项所述的显示面板。
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