JP2013153219A5 - 半導体装置、モジュール及び電子機器 - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体上方の第１の導電層と、
   前記第１の導電層上方の第２の導電層と、
   前記第２の導電層上方の絶縁層と、
   前記絶縁層上方の第３の導電層と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記第２の導電層と重ならない第１の領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第１の領域と接する第２の領域を有し、
   前記第１の導電層の端部におけるテーパー角は、前記第２の導電層の端部におけるテーパー角よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の導電層は、チタン又はモリブデンを含むことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記第２の導電層は、アルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第３の導電層は、酸化インジウムスズを含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置を有することを特徴とするモジュール。
6. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。